KR102602484B1 - 점착 시트의 제조 방법, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 점착제의 처리 방법, 피착체의 고정화 방법, 및 피착체의 박리 방법 - Google Patents

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Abstract

기재와 기재 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 시트 전구체를 준비하는 공정과, 점착 시트 전구체에 있어서의 점착제층의 기재와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 점착 시트의 제조 방법이 개시된다.

Description

점착 시트의 제조 방법, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 점착제의 처리 방법, 피착체의 고정화 방법, 및 피착체의 박리 방법
본 발명은, 점착 시트의 제조 방법, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 점착제의 처리 방법, 피착체의 고정화 방법, 및 피착체의 박리 방법에 관한 것이다.
점착제는, 공업 분야의 다양한 용도에 사용되고 있다. 공업적으로는 가교 밀도를 조정함으로써, 점착력(가교 밀도 등에 기인하는 점착제 자체의 벌크 특성)을 제어하는 것이 일반적이다.
한편으로, 피착체에 표면 처리를 실시함으로써, 피착체와 점착제와의 점착성을 높이는 방법이 알려져 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 합성 수지 제품(피착체)에 대하여 플라즈마 처리를 실시함으로써, 합성 수지 제품과 도막(塗膜)과의 점착성이 향상되는 것이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2에는, 점착 시트에 있어서, 플라스틱 필름 기재(基材)(피착체)에 대하여 플라즈마 처리 등을 실시함으로써 점착제층에 대한 플라스틱 필름 기재 표면의 투묘성(投錨性)을 향상시킬 수 있는 것이 기재되어 있다. 이들 특허문헌에서는, 점착성을 높이는 관점에서, 모두 피착체에 대하여 표면 처리를 실시하는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 소59-100143호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2011-068718호
그러나, 종래의 점착제는, 점착력의 점에서 아직 개선의 여지가 있다. 그래서, 본 발명은, 점착력이 우수한 점착제층을 갖는 점착 시트를 제조하는 것이 가능한 점착 시트의 제조 방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
피착체와 점착제와의 점착성의 영향 인자로서는, 점착제의 점착력(점착제 자체의 벌크 특성) 외에, 피착체에 대한 점착제의 친화성(젖음성)이 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 점착제의 가교 밀도를 조정하여 점착제의 점착력을 제어하는 방법에 있어서는, 점착력과 젖음성이 이른바 트레이드 오프의 관계에 있는 것이 판명되었다. 예를 들면, 점착력이 높아지도록 가교 밀도를 조정하면, 피착체에 대한 점착제의 젖음성은 저하되는 경향을 나타낸다. 그리고, 이러한 지견(知見)에 근거하여 더 검토한 결과, 피착체가 아니라, 점착제층에 대하여 플라즈마 처리를 실시함으로써, 피처리면의 접촉각을 저하시켜, 점착력을 향상시킬 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 일 측면은, 기재와 기재 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 시트 전구체를 준비하는 공정과, 점착 시트 전구체에 있어서의 점착제층의 기재와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 점착 시트의 제조 방법을 제공한다.
플라즈마 처리는, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리여도 된다. 플라즈마 처리의 처리 온도는, 기재의 융점 또는 점착제층의 융점 중 어느 낮은 쪽의 온도 미만이어도 된다.
점착 시트의 제조 방법은, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층의 기재와 반대 측의 면 상에 보호재를 첩부하는 공정을 더 구비하고 있어도 된다. 보호재는, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층에 첩부하는 측의 면이 플라즈마 처리에 의하여 처리된 것이어도 된다.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 점착 시트를 제공한다.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 점착 시트에 있어서, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층의 기재와 반대 측의 면 상에 접착제층을 형성하는 공정을 구비하는, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법을 제공한다.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프를 제공한다.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 접착제층을 반도체 웨이퍼에 첩부하는 공정과, 반도체 웨이퍼, 접착제층, 및 플라즈마 처리가 실시된 점착제층을 개편화하는 공정과, 플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층으로부터 접착제층이 부착된 반도체 소자를 픽업하는 공정과, 접착제층을 개재하여, 반도체 소자를 반도체 소자 탑재용 지지 기판에 접착하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 점착제에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 점착제의 처리 방법을 제공한다. 플라즈마 처리는, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리여도 된다. 플라즈마 처리의 처리 온도는, 점착제의 융점 미만이어도 된다.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 제1 피착체에, 상술한 방법으로 처리된 점착제를 개재하여, 제2 피착체를 첩부하는 공정을 구비하는, 피착체의 고정화 방법을 제공한다. 또한, 또 다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 방법으로 고정화된 피착체의 제1 피착체와 점착제와의 계면 또는 제2 피착체와 점착제와의 계면 중 적어도 일방을 물로 처리하여, 제1 피착체와 제2 피착체를 박리하는 공정을 구비하는, 피착체의 박리 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 점착력이 우수한 점착제층을 갖는 점착 시트를 제조하는 것이 가능한 제조 방법을 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 이와 같은 제조 방법에 의하여 얻어지는 점착 시트를 이용한 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 이와 같은 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프를 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 점착제의 처리 방법, 피착체의 고정화 방법, 및 피착체의 박리 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 점착 시트의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1의 (a), (b), (c), 및 (d)는, 각 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2의 (a), (b), 및 (c)는, 각 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은, 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 3의 (a), (b), (c), (d), (e), 및 (f)는, 각 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는, 반도체 장치의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 도면을 적절히 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시형태에 있어서, 그 구성 요소(스텝 등도 포함함)는, 특별히 명시한 경우를 제외하고, 필수는 아니다. 각 도면에 있어서의 구성 요소의 크기는 개념적인 것이며, 구성 요소 간의 크기의 상대적인 관계는 각 도면에 나타난 것에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서의 수치 및 그 범위에 대해서도 동일하며, 본 발명을 제한하는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서 "~"를 이용하여 나타난 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 최솟값 및 최댓값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위에서 기재된 상한값 또는 하한값은, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다.
본 명세서에 있어서, (메트)아크릴레이트는, 아크릴레이트 또는 그에 대응하는 메타크릴레이트를 의미한다.
[점착 시트의 제조 방법]
도 1은, 점착 시트의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 관한 점착 시트의 제조 방법은, 기재와 기재 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 시트 전구체를 준비하는 공정(점착 시트 전구체의 준비 공정)과, 점착 시트 전구체에 있어서의 점착제층의 기재와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정(플라즈마 처리의 실시 공정)을 구비한다. 본 실시형태에 관한 점착 시트의 제조 방법은, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층의 기재와 반대 측의 면 상에 보호재를 첩부하는 공정(보호재의 배치 공정)을 더 구비하고 있어도 된다.
<점착 시트 전구체의 준비 공정>
본 공정에서는, 플라즈마 처리의 대상이 되는 점착 시트 전구체(100)를 준비한다(도 1의 (a) 참조). 점착 시트 전구체(100)는, 기재(10)와 기재(10) 상에 마련된 점착제층(20)을 갖는다.
기재(10)는, 플라즈마 처리에서 발생하는 열보다 높은 융점(또는 분해점 혹은 연화점)을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않고, 점착제의 분야에서 사용되는 기재 필름을 이용할 수 있다. 기재 필름은, 다이본딩 공정에 있어서, 익스팬딩하는 것이 가능한 것이 바람직하다. 이와 같은 기재 필름으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스터계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리바이닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀계 필름, 폴리 염화 바이닐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 기재(10)는, 점착제층(20)이 형성되는 면에 대하여, 코로나 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다.
점착제층(20)은, 점착제 성분에 의하여 구성되는 층이다. 점착제층(20)을 구성하는 점착제 성분은, 플라즈마 처리에서 발생하는 열보다 높은 융점(또는 분해점 혹은 연화점)을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 실온(25℃)에서 점착력을 갖고, 점착제층(20) 상에 적층되는 층(예를 들면, 후술하는 접착제층)에 대하여 밀착력을 갖는 것인 것이 바람직하다. 점착제층(20)을 구성하는 점착제 성분은, 베이스 수지를 함유하고 있어도 된다. 베이스 수지로서는, 예를 들면 아크릴계 수지, 합성 고무, 천연 고무, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 베이스 수지는, 점착제 성분의 잔류물을 감소시키는 관점에서, 후술하는 가교제 등과 반응할 수 있는 수산기, 카복시기 등의 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 베이스 수지는, 자외선, 방사선 등의 고에너지선에 의하여 경화되는 수지 또는 열에 의하여 경화되는 수지여도 된다. 베이스 수지는, 고에너지선에 의하여 경화되는 것이 바람직하고, 자외선에 의하여 경화되는 것(자외선 경화형 베이스 수지)이 보다 바람직하다.
베이스 수지로서 고에너지선에 의하여 경화되는 수지를 이용하는 경우, 필요에 따라 광중합 개시제를 병용해도 된다. 광중합 개시제는, 예를 들면 방향족 케톤 화합물, 벤조인에터 화합물, 벤질 화합물, 에스터 화합물, 아크리딘 화합물, 2,4,5-트라이아릴이미다졸 이량체 등이어도 된다.
점착제 성분은, 점착력을 조정하기 위하여, 베이스 수지의 관능기와 가교 구조를 형성 가능한 가교제를 함유하고 있어도 된다. 가교제는, 에폭시기, 아이소사이아네이트기, 아지리딘기, 및 트라이아진일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 가교제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
가교제의 함유량의 조정은, 플라즈마 처리에 의한 효과를 유지하기 위하여 효과적이다. 가교제의 함유량은, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 5질량부 이상, 보다 바람직하게는 7질량부 이상, 더 바람직하게는 10질량부 이상이다. 가교제의 함유량이, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 5질량부 이상이면, 플라즈마 처리에 의한 효과의 감쇠를 억제할 수 있는 경향이 있다. 가교제의 함유량은, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 30질량부 이하여도 된다. 가교제의 함유량이, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 30질량부 이하이면, 플라즈마 처리에 의한 효과가 유지되기 쉬워지는 경향이 있으며, 점착제층과 보호재와의 밀착성의 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다.
점착제 성분은, 그 외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 외의 성분으로서는, 예를 들면 베이스 수지와 광중합 개시제와의 가교 반응을 촉진시킬 목적으로 첨가하는 아민, 주석 등의 촉매; 점착 특성을 적절히 조정할 목적으로 첨가하는 로진계, 터펜 수지계 등의 태키파이어; 각종 계면활성제 등을 들 수 있다.
점착제층(20)은, 일 실시형태에 있어서, 수산기를 갖는 아크릴계 수지와 아이소사이아네이트기를 갖는 가교제를 함유하는 점착제 성분에 의하여 구성되는 층이어도 된다.
베이스 수지로서의 수산기를 갖는 아크릴계 수지는, 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 포함하는 단량체 성분을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합 방법은, 각종 라디칼 중합 등의 공지의 중합 방법으로부터 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 현탁 중합법, 용액 중합법, 괴상(塊狀) 중합법 등이어도 된다.
상기 중합 방법에 있어서 단량체 성분을 중합시키는 경우, 필요에 따라 중합 개시제를 이용해도 된다. 이와 같은 중합 개시제로서는, 예를 들면 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 다이알킬퍼옥사이드, 다이아실퍼옥사이드, 퍼옥시카보네이트, 퍼옥시에스터, 2,2'-아조비스아이소뷰티로나이트릴, 2,2'-아조비스(2,4-다이메틸발레로나이트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2'-다이메틸발레로나이트릴) 등을 들 수 있다.
점착제층(20)을 갖는 점착 시트 전구체(100)는, 공지의 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 점착 시트 전구체(100)는, 예를 들면 점착제층용 재료를 분산매로 희석하여, 바니시를 조제하는 공정과, 얻어진 바니시를 상술한 기재(10) 상에 도공(塗工)하는 공정과, 도공된 바니시로부터 분산매를 제거하는 공정을 포함하는 제조 방법에 의하여 얻을 수 있다.
점착 시트 전구체(100)에 있어서의 점착제층(20)의 두께는, 0.1~30μm여도 된다. 점착제층(20)의 두께가 0.1μm 이상이면, 충분한 점착력을 확보할 수 있는 경향이 있다. 점착제층(20)의 두께가 30μm 이하이면, 경제적으로 유리한 경향이 있다.
점착 시트 전구체(100)의 전체의 두께(기재(10) 및 점착제층(20)의 합계의 두께)는, 5~150μm, 50~150μm, 또는 100~150μm여도 된다.
점착 시트 전구체(100)는, 플라즈마 처리를 실시하기 전에 있어서, 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면 상에 보호재가 첩부되어 있어도 된다. 보호재는, 후술하는 보호재(30)에서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다.
<플라즈마 처리의 실시 공정>
본 공정에서는, 점착 시트 전구체(100)에 있어서의 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리(도 1의 (b)의 A)를 실시한다(도 1의 (b) 참조). 이로써, 플라즈마 처리 A가 실시된 점착제층(플라즈마 처리 후의 점착제층(20A))을 갖는 점착 시트(110)를 제조할 수 있다(도 1의 (c) 참조).
플라즈마는, 기체를 구성하는 분자가 부분적으로 또는 완전히 전리(電離)되어, 양이온과 전자로 나누어져 자유롭게 운동하고 있는 상태이다. 플라즈마 상태의 기체를 이용하여 점착제층의 기재와 반대 측의 면을 처리함으로써, 점착제층의 표면에 있어서 화학 반응이 진행되고, 산소를 포함하는 친수성기가 부여되어 피처리면의 접촉각이 저하되어, 젖음성이 향상될 수 있다. 이 반응을 이용하여, 점착 시트 전구체의 점착제층(20)의 점착력을 향상시키는 것이 가능해진다.
플라즈마 처리는, 특별히 제한되지 않지만, 비용, 처리 능력, 및 대미지 저감의 관점에서 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리여도 된다. 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리는, 예를 들면 초고밀도 대기압 플라즈마 유닛(후지 기카이 세이조 주식회사제, 상품명: FPB-20 TYPE II)을 이용하여 실시할 수 있다.
플라즈마 처리의 처리 온도는, 플라즈마 처리에 의한 기재(10) 및 점착제층(20)으로의 대미지를 피하는 관점에서, 기재(10)의 융점 또는 점착제층(20)의 융점 중 어느 낮은 쪽의 온도 미만에서 행하는 것이 바람직하다. 플라즈마 처리는, 처리되는 시간 내에 점착 시트 전구체(100)(기재(10) 및 점착제층(20))에 주름, 휨 등이 발생하지 않도록, 즉 점착 시트가 현저한 열변형을 하지 않도록, 처리 온도, 처리 속도 등의 조건을 조정하면서 행하는 것이 바람직하다. 주름, 휨 등이 발생하면, 플라즈마 처리 시의 장치 가동에 장애가 될 우려가 있다. 플라즈마 처리의 온도 조건은, 예를 들면 300℃ 이하, 250℃ 이하, 또는 200℃ 이하여도 된다.
플라즈마 처리는, 처리 면적을 조정할 수 있다. 그 때문에, 플라즈마 처리는, 점착 시트 전구체(100)에 있어서의 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면의 일부 또는 전부에 실시할 수 있다. 플라즈마 처리를 점착제층(20)의 면의 일부에 대하여 실시하면, 피처리면의 접촉각을 조정할 수 있는 점에서, 동일 면에 있어서, 접촉각이 낮은 부분(즉, 점착제층의 점착력이 높은 부분)과 접촉각이 높은 부분(즉, 점착제층의 점착력이 낮은 부분)을 용이하게 나누어 만들 수 있다.
<보호재의 배치 공정>
본 공정에서는, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층(플라즈마 처리 후의 점착제층(20A))의 기재(10)와 반대 측의 면 상에 보호재(30)를 첩부한다(도 1의 (d) 참조). 이로써, 보호재 포함 점착 시트(120)를 얻을 수 있다. 보호재(30)를 첩부하는 방법은, 공지의 방법을 이용하여 첩부할 수 있다.
보호재(30)는, 특별히 제한되지 않고, 점착제의 분야에서 사용되는 보호 필름을 이용할 수 있다. 보호 필름으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스터계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리바이닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀계 필름, 폴리 염화 바이닐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또, 보호 필름은, 종이, 부직포, 금속박 등을 사용할 수 있다. 보호재(30)의 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A) 측의 면은, 실리콘계 박리제, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 이형제에 의하여, 처리되어 있어도 된다.
보호재(30)는, 보호재(30)의 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)에 첩부하는 측의 면이 플라즈마 처리에 의하여 처리된 것이어도 된다. 보호재(30)로서 플라즈마 처리에 의하여 처리된 것을 이용함으로써, 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)의 젖음성이 향상되어 있는 상태를 장기간 유지할 수 있는 경향이 있다.
보호재(30)의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 5~500μm, 10~200μm, 또는 15~100μm여도 된다.
[다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법]
도 2는, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 관한 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)의 제조 방법은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 점착 시트(110)에 있어서, 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)의 기재(10)와 반대 측의 면(플라즈마 처리가 실시된 면) 상에 접착제층(40)을 형성하는 공정을 구비한다(도 2의 (a), (b) 참조).
접착제층(40)은, 접착제 성분에 의하여 구성되는 층이다. 접착제층(40)을 구성하는 접착제 성분으로서는, 예를 들면 열경화성 접착제 성분, 광경화성 접착제 성분, 열가소성 접착제 성분, 산소 반응성 접착제 성분 등을 들 수 있다. 접착제층은, 접착성의 관점에서, 열경화성 접착제 성분을 포함하는 것이 바람직하다.
열경화성 접착제 성분은, 접착성의 관점에서, 에폭시 수지 및 에폭시 수지의 경화제가 될 수 있는 페놀 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
에폭시 수지는, 분자 내에 에폭시기를 갖는 것이면, 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔 골격 함유 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트라이아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트라이페놀메테인형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 자일릴렌형 에폭시 수지, 바이페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 다관능 페놀류, 안트라센 등의 다환 방향족류의 다이글리시딜에터 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 에폭시 수지의 함유량은, 접착제층 전체량을 기준으로 하여, 2~50질량%여도 된다.
페놀 수지는, 분자 내에 페놀성 수산기를 갖는 것이면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들면 페놀, 크레졸, 레조신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 다이하이드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 폼알데하이드 등의 알데하이드기를 갖는 화합물을 산성 촉매하에서 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락형 페놀 수지, 알릴화 비스페놀 A, 알릴화 비스페놀 F, 알릴화 나프탈렌다이올, 페놀 노볼락, 페놀 등의 페놀류 및/또는 나프톨류와 다이메톡시파라자일렌 또는 비스(메톡시메틸)바이페닐로부터 합성되는 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 페놀 수지의 함유량은, 접착제층 전체량을 기준으로 하여, 2~50질량%여도 된다.
접착제층(40)은, 그 외의 성분으로서, 제3급 아민, 이미다졸류, 제4급 암모늄염류 등의 경화 촉진제; 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕화 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등의 무기 필러 등을 포함하고 있어도 된다. 그 외의 성분의 함유량은, 접착제층 전체량을 기준으로 하여, 0~20질량%여도 된다.
점착 시트(110)에 있어서, 플라즈마 처리는, 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면의 일부 또는 전부에 실시되어 있다. 플라즈마 처리가 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면의 일부에 실시되어 있는 경우, 접착제층(40)은, 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시된 면의 일부 또는 전부를 덮도록 형성되어 있어도 되고, 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시되어 있지 않은 면의 일부 또는 전부를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 또, 접착제층(40)은, 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시된 면 및 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시되어 있지 않은 면의 양방의 면의 일부 또는 전부를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 플라즈마 처리가 점착제층(20)의 전부에 실시되어 있는 경우, 접착제층(40)은, 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시된 면의 일부 또는 전부를 덮도록 형성되어 있어도 된다.
플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)의 기재(10)와 반대 측의 면 상에 접착제층(40)을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 공지의 방법을 이용하여, 접착제 성분을 필름상으로 성형하고, 얻어진 필름상 접착제를, 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)의 기재(10)와 반대 측의 면에 첩합하는 방법을 들 수 있다. 이와 같이 하여, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)를 얻을 수 있다(도 2의 (b) 참조).
다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)는, 접착제층(40)의 점착제층(20A)과 반대 측의 면 상에 보호재(50)를 구비하고 있어도 된다. 보호재(50)는, 특별히 제한되지 않으며, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프에서 사용되는 보호 필름을 이용할 수 있다. 보호 필름으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스터계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리바이닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀계 필름, 폴리 염화 바이닐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 이와 같이 하여, 보호재 포함 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(140)를 얻을 수 있다(도 2의 (c) 참조).
[반도체 장치(반도체 패키지)의 제조 방법]
도 3은, 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)의 접착제층(40)을 반도체 웨이퍼(W)에 첩부하는 공정(웨이퍼 래미네이트 공정, 도 3의 (a), (b) 참조)과, 반도체 웨이퍼(W), 접착제층(40), 및 플라즈마 처리가 실시된 점착제층(플라즈마 처리 후의 점착제층(20A))을 개편화하는 공정(다이싱 공정, 도 3의 (c) 참조)과, 필요에 따라 플라즈마 처리가 실시된 점착제층(플라즈마 처리 후의 점착제층(20A))에 대하여 (기재(10)를 개재하여) 자외선을 조사하는 공정(자외선 조사 공정, 도 3의 (d) 참조)과, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층(점착제층(20Aa))으로부터 접착제층(40a)이 부착된 반도체 소자(Wa)(접착제층 포함 반도체 소자(60))를 픽업하는 공정(픽업 공정, 도 3의 (e) 참조)과, 접착제층(40a)을 개재하여, 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)에 접착하는 공정(반도체 소자 접착 공정, 도 3의 (f) 참조))을 구비한다.
<웨이퍼 래미네이트 공정>
먼저, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)를 소정의 장치에 배치한다. 계속해서, 반도체 웨이퍼(W)의 주면(主面)(Ws)에, 접착제층(40)을 개재하여 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)를 첩부한다(도 3의 (a), (b) 참조). 반도체 웨이퍼(W)의 회로면은, 주면(Ws)과는 반대 측의 면에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
<다이싱 공정>
다음으로, 반도체 웨이퍼(W), 접착제층(40), 및 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)을 다이싱한다(도 3의 (c) 참조). 이때, 기재(10)의 일부가 다이싱되어 있어도 된다. 이와 같이, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)는, 다이싱 시트로서도 기능한다.
<자외선 조사 공정>
플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)에 대해서는, 필요에 따라, (기재(10)를 개재하여) 자외선을 조사해도 된다(도 3의 (d) 참조). 점착제 성분에 있어서의 베이스 수지가 자외선으로 경화되는 것(자외선 경화형 베이스 수지)인 경우, 당해 점착제층(20A)이 경화되어, 점착제층(20A)과 접착제층(40)의 사이의 접착력을 저하시킬 수 있다. 자외선 조사에 있어서는, 파장 200~400nm의 자외선을 이용하는 것이 바람직하다. 자외선 조사 조건은, 조도 및 조사량을 각각 30~240mW/cm2의 범위 및 200~500mJ/cm2의 범위로 조정하는 것이 바람직하다.
<픽업 공정>
다음으로, 기재(10)를 익스팬딩함으로써, 다이싱된 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 서로 이간시키면서, 기재(10) 측으로부터 니들(72)로 밀어 올려진 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 흡인 콜릿(74)으로 흡인하여 점착제층(20Aa)으로부터 픽업한다(도 3의 (e) 참조). 플라즈마 처리가 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면의 일부에 실시되어 있는 경우, 점착제층(20Aa)의 접착제층(40a) 측의 면은, 플라즈마 처리가 실시된 면이어도 되고, 플라즈마 처리가 실시되어 있지 않은 면이어도 되며, 플라즈마 처리가 실시된 면 및 플라즈마 처리가 실시되어 있지 않은 면의 양방을 포함하는 면이어도 된다. 또한, 접착제층 포함 반도체 소자(60)는, 반도체 소자(Wa)와 접착제층(40a)을 갖는다. 반도체 소자(Wa)는 반도체 웨이퍼(W)가 다이싱에 의하여 분할된 것이며, 접착제층(40a)은 접착제층(40)이 다이싱에 의하여 분할된 것이다. 점착제층(20Aa)은 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)이 다이싱에 의하여 분할된 것이다. 점착제층(20Aa)은 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 픽업할 때에 기재(10) 상에 잔존할 수 있다. 픽업 공정에서는, 반드시 기재(10)를 익스팬딩할 필요는 없지만, 기재(10)를 익스팬딩함으로써 픽업성을 보다 향상시킬 수 있다.
니들(72)에 의한 밀어 올림량은, 적절히 설정할 수 있다. 또한, 극박 웨이퍼에 대해서도 충분한 픽업성을 확보하는 관점에서, 예를 들면 2단 또는 3단의 밀어 올림을 행해도 된다. 또, 흡인 콜릿(74)을 이용하는 방법 이외의 방법으로 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 픽업해도 된다.
<반도체 소자 접착 공정>
접착제층 포함 반도체 소자(60)를 픽업한 후, 접착제층 포함 반도체 소자(60)를, 열압착에 의하여, 접착제층(40a)을 개재하여 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)에 접착한다(도 3의 (f) 참조). 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)에는, 복수의 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 접착해도 된다.
본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 필요에 따라, 반도체 소자(Wa)와 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)을 와이어 본드(70)에 의하여 전기적으로 접속하는 공정과, 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)의 표면(80a) 상에, 수지 밀봉재(92)를 이용하여 반도체 소자(Wa)를 수지 밀봉하는 공정을 더 구비하고 있어도 된다.
도 4는, 반도체 장치의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 4에 나타내는 반도체 장치(200)는, 상술한 공정을 거침으로써 제조할 수 있다. 반도체 장치(200)는, 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)의 표면(80a)과 반대 측의 면에, 외부 기판(메인보드)과의 전기적인 접속용으로서, 땜납 볼(94)이 형성되어 있어도 된다.
[점착제의 처리 방법]
일 실시형태에 관한 점착제의 처리 방법은, 점착제에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비한다. 점착제는, 상술한 점착 시트의 제조 방법에서 예시한 점착제와 동일해도 된다. 플라즈마 처리는, 상술한 점착 시트의 제조 방법에서 예시한 플라즈마 처리와 동일해도 된다. 플라즈마 처리는, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리여도 된다. 플라즈마 처리의 처리 온도는, 점착제의 융점 미만이어도 된다.
[피착체의 고정화 방법]
일 실시형태에 관한 피착체의 고정화 방법은, 제1 피착체에, 상술한 방법으로 처리된 점착제를 개재하여, 제2 피착체를 첩부하는 공정을 구비한다. 제1 피착체 및 제2 피착체로서는, 특별히 제한되지 않지만, 금속 피착체(SUS, 알루미늄 등), 비금속 피착체(폴리카보네이트, 유리 등) 등을 들 수 있다. 피착체의 고정화 조건은, 점착제의 종류, 및 제1 피착체와 제2 피착체의 종류에 맞추어 적절히 설정할 수 있다.
[피착체의 박리 방법]
일 실시형태에 관한 피착체의 박리 방법은, 상술한 방법으로 고정화된 피착체의 제1 피착체와 점착제와의 계면 또는 제2 피착체와 점착제와의 계면 중 적어도 일방을 물로 처리하여(물과 접촉시켜), 제1 피착체와 제2 피착체를 박리하는 공정을 구비한다. 플라즈마 처리가 실시된 점착제는, 플라즈마 처리가 실시예되어 있지 않은 점착제보다 친수성기가 많아, 물로 처리함(물과 접촉시킴)으로써, 용이하게 박리되는 경향이 있다. 또한, 제1 피착체와 제2 피착체를 박리했을 때, 점착제는, 제1 피착체 또는 제2 피착체 중 어느 일방에 부착되어 있어도 되고, 제1 피착체 및 제2 피착체로부터 탈리되어 있어도 된다.
실시예
이하에, 본 발명을 실시예에 근거하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
[점착 시트의 제작]
<점착 시트 전구체의 준비>
단량체로서, 2-에틸헥실아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트, 및 관능기를 포함하는 단량체로서, 하이드록시에틸아크릴레이트 및 아크릴산을 용액 중합법에 따라 중합시킴으로써, 수산기를 갖는 아크릴계 수지를 얻었다. 수산기를 갖는 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은 40만, 유리 전이점은 -38℃였다.
중량 평균 분자량은, GPC 장치로서 도소 주식회사제 SD-8022/DP-8020/RI-8020, 칼럼으로서 히타치 가세이 주식회사제 Gelpack GL-A150-S/GL-A160-S, 및 용리액으로서 테트라하이드로퓨란을 이용하여, 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)을 측정했다.
유리 전이점은, 이하의 관계식(FOX식)에 의하여 산출했다.
1/Tg=Σ(Xi/Tgi)
[상기 식 중, Tg는, 공중합체의 유리 전이점(K)을 나타낸다. Xi는, 각 단량체의 질량분율을 나타내고, X1+X2+…+Xi+…+Xn=1이다. Tgi는, 각 단량체의 단독 중합체의 유리 전이점(K)을 나타낸다.]
스리 원 모터 및 교반 날개를 이용하여, 수산기를 갖는 아크릴계 수지 100질량부에 대하여, 다관능 아이소사이아네이트 가교제(미쓰비시 가가쿠 주식회사제, 상품명 "마이텍 NY730A-T")를 12질량부 배합하여 교반함으로써, 점착제층 형성용 바니시를 얻었다.
얻어진 점착제층 형성용 바니시를, 기재 필름 A(두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 상에 애플리케이터를 이용하여, 점착제층의 두께가 10μm가 되도록, 갭을 조정하면서 도공했다. 도공된 점착제층 형성용 바니시를 80℃에서 5분간 건조시킨 후, 표면에 코로나 처리가 실시된 기재 필름 B(두께 80μm의 폴리올레핀계 필름)를 점착제층 상에 래미네이팅하고, 실온(25℃)에서 2주간 방치하여, 충분히 에이징을 행함으로써, 기재 필름 A/점착제층/기재 필름 B의 구성을 갖는 점착 시트 전구체를 얻었다.
<플라즈마 처리의 실시>
점착 시트 전구체의 기재 필름 A를 박리하고, 초고밀도 대기압 플라즈마 유닛(후지 기카이 세이조 주식회사제, 상품명: FPB-20 TYPE II)을 이용하여, 점착 시트 전구체에 있어서의 점착제층의 기재 필름 B와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하여, 점착 시트를 제작했다. 그 후, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층의 면 상에, 보호재(폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름)를 배치하여, 실시예 1의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.
(플라즈마 처리의 조건)
히터의 사용: 사용하지 않음
조사 속도: 500mm/초
조사 거리: 5mm
슬릿 노즐: 20mm 폭
사용 가스: 질소 및 공기
가스 유량: 질소 60L/분, 공기 21L/분
반복수: 1회(조사 방법: 20mm 폭×8라인)
샘플 사이즈: 150mm×150mm
또한, 조사 거리, 조사 속도, 히터 설정 등을 조정하고, 처리되는 시간 내에 점착 시트 전구체(100)(기재(10) 및 점착제층(20))에 주름, 휨 등이 발생하지 않게 처리 온도가 100℃ 이하가 되도록 설정했다.
(실시예 2)
보호재의 점착제층 측의 면에 대하여, 점착제층에 실시한 플라즈마 처리와 동일한 플라즈마 처리(반복수: 1회)를 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 2의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.
(실시예 3)
보호재의 플라즈마 처리의 반복수를 1회에서 4회로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여, 실시예 3의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.
(실시예 4)
점착제층의 플라즈마 처리의 반복수를 1회에서 4회로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 2의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.
(실시예 5)
보호재의 점착제층 측의 면에 대하여, 점착제층에 실시한 플라즈마 처리와 동일한 플라즈마 처리(반복수: 1회)를 실시한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여, 실시예 5의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.
(실시예 6)
보호재의 플라즈마 처리의 반복수를 1회에서 4회로 변경한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여, 실시예 6의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.
(비교예 1)
점착제층에 대하여 플라즈마 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.
[평가]
<점착제층의 플라즈마 처리가 실시된 면에 대한 물의 접촉각의 측정>
실시예 1~6 및 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트에 대하여, 플라즈마 처리가 실시된 면에 대한 물의 접촉각을 측정했다. 측정에는, 접촉각계(교와 가이멘 가가쿠 주식회사제, 상품명: Drop Master300)를 이용했다. 측정은, 보호재 포함 점착 시트의 보호재를 박리하고, 점착제층의 플라즈마 처리가 실시된 면에 프로브 액체로서 물을 적하함으로써 행했다. 측정 조건은, 온도를 23~28℃로 하고, 프로브 액체의 액적량을 1.5μL로 하며, 측정 타이밍을 프로브의 액 적하 후 5초로 했다. 측정의 시행수를 10회로 하여, 얻어진 수치의 중앙값을 접촉각 θ로서 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
<SUS 기판에 대한 점착제층의 필 강도의 측정>
실시예 1, 2 및 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트를 폭 10mm, 길이 70mm 이상이 되도록 잘라내고, 보호재 포함 점착 시트로부터 보호재를 박리하고 나서 SUS판(SUS430BA)에 첩부한 것을 초기의 측정 샘플로 했다. SUS판에 첩부할 때에는, 3kg의 추 롤러로 샘플 상을 3회 왕복시켰다. 박리 유도 테이프(오지택사제, EC 테이프)를 폭 10mm로 잘라내어 샘플의 선단(先端)에 10mm 정도 붙이고, 로드 셀의 선단에 고정했다. 박리의 진전이 테이프 폭과 평행이 되도록 로드 셀의 위치를 미세 조정했다. 또, 초기의 측정 샘플을 3개월 냉장(5℃) 보관한 것을 3개월 경시의 측정 샘플로 했다. 이들의 측정 샘플에 대하여, 박리 각도 30도, 박리 속도 50mm/분에서 SUS 기판과 점착제층과의 박리를 행하여, 필 강도를 구했다. 또한, SUS 기판은 사용 전에 아세톤으로 세정하고 나서 사용했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 표 2 중의 수치는, 비교예 1의 필 강도의 수치를 기준으로 한 상댓값이다.
[표 2]
실시예 1~6의 보호재 포함 점착 시트에 있어서의 점착제층 대신에, 예를 들면 다른 아크릴계 수지, 합성 고무, 천연 고무, 폴리이미드 수지 등을 베이스 수지로 한 것을 이용한 경우에 있어서도, 동일한 효과가 얻어지는 것이 추측된다.
실시예 1~6의 보호재 포함 점착 시트는, 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트에 비하여, 점착제층의 플라즈마 처리가 실시된 면의 접촉각이 저하되어 있고, 점착제층의 젖음성이 향상되어 있었다. 또, 실시예 1, 2의 보호재 포함 점착 시트는, 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트에 비하여, 필 강도가 향상되어 있으며, 점착력이 향상되어 있었다. 또, 실시예 1과 실시예 2와의 대비로부터, 보호재에 대해서도 플라즈마 처리를 실시함으로써, 장기간에 걸쳐, 플라즈마 처리를 실시한 효과가 유지되고 있는 것이 판명되었다. 이들 결과로부터, 본 발명의 제조 방법이, 점착력이 우수한 점착 시트를 제조하는 것이 가능하다는 것이 확인되었다.
10…기재
20…점착제층
20A…플라즈마 처리 후의 점착제층
30…보호재
40…접착제층
50…보호재
60…접착제층 포함 반도체 소자
70…와이어 본드
72…니들
74…흡인 콜릿
80…반도체 소자 탑재용 지지 기판
92…수지 밀봉재
94…땜납 볼
W…반도체 웨이퍼
100…점착 시트 전구체
110…점착 시트
120…보호재 포함 점착 시트
130…다이싱·다이본딩 일체형 테이프
140…보호재 포함 다이싱·다이본딩 일체형 테이프

Claims (12)

  1. 기재와 상기 기재 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 시트 전구체를 준비하는 제1 공정과,
    상기 점착 시트 전구체에 있어서의 상기 점착제층의 상기 기재와 반대 측의 면의 일부 또는 전부에 대하여 플라즈마 처리를 실시하여, 점착 시트를 얻는 제2 공정과,
    상기 점착 시트에 있어서, 상기 점착제층의 상기 기재와 반대 측의 면 상의 플라즈마 처리가 실시된 상기 피처리면의 일부 또는 전부를 덮도록 접착제층을 형성하는 제3 공정을 구비하는, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 플라즈마 처리가, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리인, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 플라즈마 처리의 처리 온도가, 상기 기재의 융점 또는 상기 점착제층의 융점 중 어느 낮은 쪽의 온도 미만인, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 공정과 상기 제3 공정 사이에,
    플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층의 상기 기재와 반대 측의 면 상에 보호재를 첩부하는 공정과,
    상기 보호재를 플라즈마 처리가 실시된 상기 접착제층으로부터 박리하는 공정을 더 구비하는, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 보호재는, 플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층에 첩부하는 측의 면이 플라즈마 처리에 의하여 처리된 것인, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 상기 접착제층을 반도체 웨이퍼에 첩부하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼, 상기 접착제층, 및 플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층을 개편화하는 공정과,
    플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층으로부터 상기 접착제층이 부착된 반도체 소자를 픽업하는 공정과,
    상기 접착제층을 개재하여, 상기 반도체 소자를 반도체 소자 탑재용 지지 기판에 접착하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.
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