KR20100085035A - 반도체용 접착 시트 및 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트 - Google Patents

반도체용 접착 시트 및 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트 Download PDF

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KR20100085035A
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마사키 야마다
미치오 마시노
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히다치 가세고교 가부시끼가이샤
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Abstract

확장에 의한 절단성이 양호하여 개편화가 가능하고, 또한 몰드시에 배선 기판의 요철에의 매입성이 뛰어난 반도체용 접착 시트 및 다이싱 일체형 반도체용 접착 시트를 제공한다. 고분자량 성분 및 필러를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 반도체용 접착 시트로서, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도가 40% 이하이며, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률이 0.1~10MPa인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.

Description

반도체용 접착 시트 및 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트{ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR, AND DICING TAPE INTEGRATED ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR}
본 발명은, 반도체용 접착 시트 및 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
종래, 반도체소자와 반도체소자 탑재용 지지 부재의 접합에는 은페이스트가 주로 사용되고 있었다. 그러나, 최근의 반도체소자의 소형화·고성능화에 따라, 사용되는 지지 부재에도 소형화·세밀화가 요구되어 오고 있다. 이러한 요구에 대하여, 은페이스트에서는, 비어져 나오거나 반도체소자의 기울임에 기인하는 와이어 본딩시에 있어서의 불량의 발생, 접착 시트의 막두께의 제어 곤란성, 및 접착 시트의 보이드 발생 등에 의해 상기 요구에 대처할 수 없도록 되어 있다. 그 때문에, 상기 요구에 대처할 수 있도록, 최근, 시트상의 접착제가 사용되도록 되어 왔다.
이 접착 시트는, 개편 첩부 방식 혹은 웨이퍼 이면 첩부 방식에 있어서 사용되고 있다. 전자의 개편(個片) 첩부 방식의 접착 시트를 사용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 릴상의 접착 시트를 커팅 혹은 펀칭에 의해서 개편으로 절출(切出)한 후, 그 개편을 지지 부재에 접착하여 얻은 접착 시트 부착 지지 부재에 다이싱 공정에 의해서 개편화된 반도체소자를 접합하여 반도체소자 부착 지지 부재를 제작하고, 그 후 필요에 따라 와이어 본드 공정, 봉지(封止) 공정 등을 거치는 것에 의해서 반도체 장치가 얻어지게 된다. 그러나, 상기 개편 첩부 방식의 접착 시트를 사용하기 위해서는, 접착 시트를 개편으로 절출하여, 그 개편을 지지 부재에 접착하는 전용의 조립 장치가 필요하기 때문에, 은페이스트를 사용하는 방법에 비하여 제조 코스트가 높아진다고 하는 문제가 있었다.
한편, 후자의 웨이퍼 이면 첩부 방식의 접착 시트를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 우선 반도체 웨이퍼의 이면에 접착 시트를 첩부하고, 또한 접착 시트의 다른 면에 다이싱 테이프를 첩합시키고; 그 후 상기 웨이퍼를 다이싱하여 반도체소자로 개편화하고; 개편화한 접착 시트 부착 반도체소자를 픽업하여 그것을 지지 부재에 접합하고; 그 후의 가열, 경화, 와이어 본드 등의 공정을 거치는 것에 의해 반도체 장치가 얻어지는 것으로 된다. 이 웨이퍼 이면 첩부 방식의 접착 시트는, 접착 시트 부착 반도체소자를 지지 부재에 접합하기 때문에 접착 시트를 개편화하는 장치를 필요로 하지 않고, 종래의 은페이스트용의 조립 장치를 그대로 혹은 열반을 부가하는 등의 장치의 일부를 개량하는 것에 의해 사용할 수 있다. 그 때문에, 접착 시트를 이용한 조립 방법 중에서 제조 코스트가 비교적 저렴하게 억제되는 방법으로서 주목받고 있다.
그러나, 웨이퍼 이면 첩부 방식의 접착 시트를 사용하는 방법에 있어서는, 웨이퍼의 다이싱 공정시에 접착 시트도 절단하는 것이 필요해진다. 이 접착 시트를 절단하는 방법으로서는, 다이아몬드 블레이드를 이용하여 절단하는 접촉형의 절단 방법, 웨이퍼에 레이저를 조사하여 웨이퍼 내부에 선택적으로 개질부를 형성하고, 그 후 확장(expand)하여 개질부에 따라 웨이퍼를 절단함과 동시에 접착 시트를 절단하는 방법, 또는 절단된 웨이퍼에 접착 시트를 첩부하고, 그 후 확장하여 웨이퍼 절단 라인에 따라 접착 시트를 절단하는 방법(예를 들면, 일본 특허공개공보 제2006-093213호 공보 참조) 등이 있다. 그러나, 어떤 방법에 있어서도, 무기물로 단단한 웨이퍼와 유기물로 유연한 접착 시트를 같은 공정으로 절단하는 것은 어렵기 때문에, 접착 시트에 무기 필러를 첨가하여 적당한 단단함으로 조정하여 절단성을 향상하는 것이 유효하게 되어 있다.
또한, 반도체소자를 비롯하는 각종 전자 부품을 탑재한 실장 기판으로서 가장 중요한 특성의 하나로서 신뢰성이 있다. 그 중에서도, 열피로에 대한 접속 신뢰성은 실장 기판을 이용한 기기의 신뢰성에 직접 관계하기 때문에 매우 중요한 항목이다. 이 접속 신뢰성을 저하시키는 원인으로서, 열팽창 계수가 다른 각종 재료를 이용하고 있기 때문에 생기는 열응력을 들 수 있다. 이것은, 반도체소자의 열팽창 계수가 약 4ppm/℃로 작은데 반하여, 전자 부품을 실장하는 배선 기판의 열팽창 계수가 15ppm/℃ 이상으로 크기 때문에 열충격에 대하여 열변형이 발생하고, 그 열변형에 의해 열응력이 발생하며, 이 열응력이 접속 신뢰성을 저하시킨다. 이 때문에, 이 열응력을 완화하는 것이 접착 시트로서의 과제로 되고 있다. 또한, 이러한 배선 기판은 배선에 의한 요철을 일반적으로 가지고 있고, 접합시에 이 배선 기판에 있어서의 요철을 매입하는 것이 접착 시트에는 필요하다. 열응력 완화성 및 배선 기판에 있어서의 요철 매입성 등의 관점에서, 반도체용 접착 시트는, 경화 후의 탄성률이 어느 정도 낮은 것이 바람직하지만, 접착 시트의 절단성 향상을 위해 무기 필러를 첨가하면, 일반적으로 접착 시트가 고탄성화하는 것을 알 수 있고, 반도체 패키지의 신뢰성과 접착 시트의 절단성의 양립이 과제로 되고 있다.
본 발명의 과제는, 확장에 의한 개편 시의 절단성이 양호하고, 또한 접합시에 배선 기판의 요철의 매입성이 양호하고 신뢰성이 뛰어나는 반도체용 접착 시트 및 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트를 제공하는 것이다.
발명의 개시
종래의 접착 시트에서는, 확장에 의한 접착 시트의 개편화를 가능하게 하기 위해, 수지 조성물에 무기 필러를 첨가하여, 접착 시트의 경화 전의 파단신도를 작게 하고 있었지만, 경화 후의 고온 탄성률이 높아져 배선 기판의 요철 매입성이 뒤떨어지고 있었다.
본 발명자들은, 예의검토한 결과, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도를 작게 유지하고, 또한 경화 후의 고온 탄성률을 낮게 할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은, (1) 고분자량 성분 및 필러를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 반도체용 접착 시트로서, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도가 40% 이하이며, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률이 0.1~10MPa인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (2) 상기 고분자량 성분은, Tg가 -10~60℃, 중량 평균 분자량이 2만~100만인 것을 특징으로 하는 상기 (1)에 기재된 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (3) 상기 수지 조성물은, 그 총량을 100중량%로 한 경우, 고분자량 성분을 50~65중량% 및 필러를 35~50중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (4) 상기 필러는, 일차 입자의 평균 입경이 0.005~0.1㎛의 필러를 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (3)에 기재된 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (5) 상기 일차 입자의 평균 입경이 0.005~0.1㎛의 필러를, 수지 조성물 중에 1~15중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (4)에 기재된 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (6) 상기 수지 조성물 중에 저분자량 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(5)의 어느 한 항에 기재된 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (7) 상기 저분자량 폴리머는, 중량 평균 분자량이 0.1만~1만인 것을 특징으로 하는 상기 (6)에 기재된 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (8) 상기 저분자량 폴리머는, 카르복실기를 말단에 가지는 부타디엔 폴리머인 것을 특징으로 하는 상기 (6) 또는 (7)에 기재된 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
또한, 본 발명은, (9) 상기 (1)~(8)에 기재된 어느 한 항에 기재된 반도체용 접착 시트와 다이싱 테이프를 적층하여 이루어지는 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체 장치를 제조할 때의 접착 시트 부착 반도체소자에 개편화하는 공정에 있어서, 확장에 의한 접착 시트의 절단성이 양호하고, 또한 접합시에 배선 기판의 요철에의 매입성이 양호하고 신뢰성이 뛰어나는 반도체용 접착 시트 및 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트가 얻어진다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 반도체용 접착 시트는, 고분자량 성분 및 필러를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 반도체용 접착 시트로서, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도가 40% 이하이며, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률이 0.1~10MPa인 것을 특징으로 한다.
여기서, 경화 전의 접착 시트는 B스테이지 상태에 있는 접착 시트를 지칭한다.
본 발명의 반도체용 접착 시트는, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도가 40% 이하인 것이 중요하고, 40%를 초과하는 경우는 확장에 의한 접착 시트의 절단성이 뒤떨어져 버린다. 상기 파단신도는, 바람직하게는 35% 이하, 보다 바람직하게는 30% 이하이다.
상기 파단신도는, 텐시론(TOYO BALDWIN제, UTM-Ⅲ-500)을 사용하고, 척간 거리 20mm, 인장 속도 3mm/분, 온도 0℃의 조건으로, 경화 전의 두께 40㎛의 접착 시트를 인장하고, 파단시의 접착 시트의 길이를 측정하여, 이하의 식에 따라 구할 수 있다.
파단신도(%)=(파단시의 접착 시트의 길이(mm)-20)/20×100
본 발명의 접착 시트에 있어서, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도를 40% 이하로 하려면, 수지 조성물 중의 고분자량 성분 및 필러의 함유량을 조정하면 좋다. 구체적으로는, 수지 조성물 중의 고분자량 성분의 함유량을 낮추고, 또한, 필러의 함유량을 높이는 것이 유효하고, 수지 조성물 중의 고분자량 성분의 함유량을 65중량% 이하 및 필러의 함유량을 35중량% 이상으로 하는 것이 보다 유효하고, 고분자량 성분의 함유량을 50~65중량% 및 필러의 함유량을 35~50중량%로 하는 것이 특히 유효하다.
본 발명의 반도체용 접착 시트는, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률이 0.1~10MPa인 것이 중요하고, 0.1MPa 미만에서는 신뢰성이 저하하고, 10MPa를 초과하면 배선 기판의 요철에의 매입성이 저하해 버린다. 상기 탄성률은, 바람직하게는 1~9MPa, 보다 바람직하게는 3~8MPa이다.
상기 탄성률은, 동적점탄성 측정 장치(레오로지사 제, DVE-V4)를 사용하고, 접착 시트(폭 4mm, 두께 40㎛)를 175℃에서 3시간 경화시킨 후의 경화물에 인장하중(10g)을 가하고, 척간거리 20mm, 주파수 10Hz, 승온속도 3℃／분에 25℃에서 300℃까지 측정하는 온도 의존성 측정 모드로 측정할 수 있다.
본 발명의 접착 시트에 있어서, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률을 0.1~10MPa로 하려면 수지 조성물 중의 고분자량 성분 및 필러의 함유량을 조정하면 좋다. 구체적으로는, 수지 조성물 중의 고분자량 성분의 함유량을 올리는 한편, 필러의 함유량을 낮추는 것이 유효하고, 수지 조성물 중의 고분자량 성분의 함유량을 50중량% 이상 및 필러의 함유량을 50중량% 이하로 하는 것이 보다 유효하고, 고분자량 성분의 함유량을 50~65중량% 및 필러의 함유량을 35~50중량%로 하는 것이 특히 유효하다.
본 발명의 접착 시트는, 고분자량 성분 및 필러를 함유하는 수지 조성물로 이루어진다.
고분자량 성분은, Tg(유리 전이 온도)가 10~60℃인 것이 바람직하고, -5~10℃인 것이 보다 바람직하고, 0~5℃인 것이 특히 바람직하다. 상기 Tg를 -10℃ 이상으로 하는 것에 의해, 확장시에 있어서의 다이싱 테이프의 파단을 방지하고, 60℃ 이하로 하는 것에 의해 접착 시트의 연화를 억제하고, 확장 시에 있어서의 접착 시트의 절단을 양호한 것으로 하기 쉬워진다.
상기 고분자량 성분은, 중량 평균 분자량이 2만~100만인 것이 바람직하고, 10만~90만인 것이 보다 바람직하고, 50만~80만인 것이 특히 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량을 2만 이상으로 하는 것에 의해, 접착 시트의 강도나 가요성이 저하하는 것을 억제하고, 택성(tackiness)이 증대하는 것을 막을 수 있으며, 100만 이하로 하는 것에 의해, 수지 조성물의 용제에의 용해성이 저하하지 않아, 작업이 하기 쉬워진다. 또한, 중량 평균 분자량은, 겔퍼미에이션 크로마토그래피법(GPC)으로 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용한 폴리스티렌 환산치이다.
상기 고분자량 성분의 함유량은, 수지 조성물의 총량을 100중량%로 했을 경우, 50~65중량%인 것이 바람직하고, 52~63중량%인 것이 보다 바람직하고, 53~60중량%인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량이 50중량% 미만에서는, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률이 높아지고, 배선 기판의 요철에의 매입성이 저하할 가능성이 있다. 상기 함유량이 65중량%를 초과하면, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도가 커지고, 확장에 의한 접착 시트의 절단성이 뒤떨어져 개편화가 곤란해지는 가능성이 있고, 또한, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률이 낮아져 신뢰성이 저하할 가능성이 있다.
본 발명에서 사용되는 고분자량 성분으로서는, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 아크릴계 공중합체 등을 들 수 있지만, 에폭시 수지와 비상용인 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트 등의 관능성 모노머를 함유하는 에폭시기 함유 아크릴계 공중합체가 바람직하다. 관능성 모노머로서, 아크릴산 등의 카르본산 타입이나, 히드록시 메틸(메타)아크릴레이트 등의 수산기 타입을 포함하는 아크릴계 공중합체를 사용하면, 가교반응이 진행하기 쉽고, 니스 상태로의 겔화, 경화 전 상태에 있어서의 경화도 상승에 의한 접착력의 저하 등의 문제가 있기 때문에 바람직하지 않다.
상기 에폭시기 함유 아크릴계 공중합체에 포함되는 글리시딜(메타)아크릴레이트의 함유량은, 바람직하게는 1~6중량%, 보다 바람직하게는 2~5중량%이다. 상기 함유량을 1중량% 이상으로 하는 것에 의해, 접착력의 저하를 막고, 6중량% 이하로 하는 것에 의해 겔화를 억제하기 쉬워진다. 상기 글리시딜(메타)아크릴레이트의 함유량은, 공중합체를 구성하는 모노머의 전중량에 대한 글리시딜(메타)아크릴레이트의 중량의 비율을 나타낸다.
상기 에폭시기 함유 아크릴계 공중합체의 Tg는, -10℃~60℃인 것이 바람직하다. 상기 Tg를 -10℃ 이상으로 하는 것에 의해, 경화 전 상태에서의 접착제층의 택성이 증대하는 것을 막아, 취급성이 양호하게 된다. 한편, 상기 Tg를 60℃ 이하로 하는 것에 의해, 접착 시트의 연화를 억제하고, 확장 시에 있어서의 접착 시트의 절단을 양호한 것으로 하기 쉬워진다. 또한, 상기 에폭시기 함유 아크릴계 공중합체의 중량 평균 분자량은, 내열성의 관점에서, 바람직하게는 50만 이상, 보다 바람직하게는 60만~80만이다. 이러한 에폭시기 함유 아크릴계 공중합체로서는, 특별히 제한이 없고, 나가세켐텍 주식회사로부터 시판되고 있는 상품명 HTR-860P-3DR 등을 이용할 수 있다. 또한, 에폭시기 함유 아크릴계 공중합체를 합성에 의해 얻는 방법으로서는, 글리시딜(메타)아크릴레이트와, 에틸(메타)아크릴레이트나 부틸(메타)아크릴레이트 또는 양자의 혼합물을 모노머로서 이용하여, 펄중합법, 용액 중합법 등의 공지의 방법에 따라 중합하는 방법을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 수지 조성물은, 내열성의 관점에서 필러를 함유한다. 필러로서는, 특별히 한정되지 않지만, 무기 필러가 바람직하고, 예를 들면, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 알루미나, 질화알루미늄, 붕산알루미늄위스커(aluminum borate whisker), 질화붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카, 안티몬 산화물 등을 들 수 있다. 열전도성 향상을 위해서는, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등이 바람직하다. 용해 점도의 조정이나 틱소트로픽성의 부여의 목적으로는, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 알루미나, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등이 바람직하다. 또한, 내습성을 향상시키기 위해서는 알루미나, 실리카, 수산화알루미늄, 안티몬산화물 등이 바람직하다. 이들 중에서도, 범용성의 관점에서 실리카가 보다 바람직하다.
상기 필러의 함유량은, 수지 조성물의 총량을 100중량%로 했을 경우, 35~50중량%인 것이 바람직하고, 27~48중량%인 것이 보다 바람직하고, 27~40중량%가 특히 바람직하다. 상기 함유량이 35중량% 미만에서는, 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도를 작게 하는 것이 어려워지고, 50중량%를 초과하면 접착 시트의 젖는 성질이 저하하고, 웨이퍼 첩부성, 신뢰성이 저하할 가능성이 있다.
상기 필러의 평균 입경은, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 일차 입자의 평균 입경이 0.005~10㎛인 것이 바람직하다. 상기 평균 입경을 10㎛ 이하로 하는 것에 의해, 접착 시트를 박막화하기 쉽고, 0.005㎛ 이상으로 하는 것에 의해 작업성이 양호하게 된다. 필러의 함유량을 높여, 탄성률 및 매입성을 양호한 것으로 한다는 점에서, 상기의 평균 입경의 범위이면, 다른 입경 분포를 가지는 복수종의 필러를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도를 작게 하기 위해서는, 일차 입자의 평균 입경이 0.005~0.1㎛인 필러를 함유하는 것이 바람직하고, 0.010~0.05㎛인 필러를 함유하는 것이 보다 바람직하고, 0.015~0.03㎛인 필러를 함유하는 것이 특히 바람직하다. 상기 일차 입자의 평균 입경이 0.005~0.1㎛인 필러의 함유량을, 수지 조성물 중에, 1~15중량% 함유하는 것이 바람직하고, 2~13중량% 함유하는 것이 보다 바람직하다. 상기 함유량을 1중량% 이상으로 하는 것에 의해, 파단신도를 작게 하기 쉬워지고, 15중량% 이하로 하는 것에 의해 접착제층의 택성의 저하를 막아, 취급성이 양호하게 된다.
상기 평균 입경은, 예를 들면 레이저광 회절법에 의한 입도 분포 측정에 의해 측정할 수 있다. 또한, 평균 입경은 메디안(median)경으로 구할 수 있다.
본 발명에 있어서, 수지 조성물은 접착성의 관점에서 수지 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 수지 성분으로서는, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 페녹시 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 크레졸 수지, 시아네이트 수지 등을 들 수 있지만, 내열성의 향상을 위해서는, 열경화성의 관능기를 함유하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 유화 쉘 에폭시 주식회사 제, 상품명: 에피코트 1001, 1002, 1003, 1055, 1004, 1004AF, 1007, 1009, 1003F, 1004F, 다우케미컬 일본 주식회사 제, 상품명: D. E. R. 661, 662, 663U, 664, 664U, 667, 642U, 672U, 673MF, 668, 669 등의 비스페놀 A형 에폭시 수지; 토토화성 주식회사 제, 상품명: YDF-2004, YDF-8170C 등의 비스페놀 F형 에폭시 수지; 일본화약 주식회사 제, 상품명: EPPN-201 등의 페놀노볼락형 에폭시 수지; 유화쉘에폭시 주식회사 제, 상품명: 에피코트 180S65, 치바스페셜티케미컬즈사 제, 상품명: 아랄다이트 ECN1273, 1280, 1299, 토토화성 주식회사 제, 상품명: YDCN-701, 702, 703, 704, 700-10, 일본화약 주식회사 제, 상품명: EOCN-1020, 102S, 103S, 104S, 스미토모화학공업 주식회사 제, 상품명: ESCN-195X, 200L, 220 등의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지; 유화쉘에폭시 주식회사 제, 상품명: Epon1031S, 에피코트 1032H60, 157S70, 일본화약 주식회사 제, 상품명: EPPN501H, 502H 등의 다관능 에폭시 수지; 치바스페셜티케미컬즈사 제, 상품명: 아랄다이트 PT810 등의 복소환 함유 에폭시 수지; 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 400~10,000인 것이 바람직하고, 500~5,000인 것이 보다 바람직하고, 600~3,000인 것이 특히 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 400 미만에서는, 저점도의 액상인 경우가 많고, 접착 시트의 파단성을 저하시킬 가능성이 있다. 상기 중량 평균 분자량이 10000을 초과하면, 고분자량화에 따라, 수지간에서의 분자의 뒤얽힘에 의해, 용제에의 용해성이 저하하고, 작업성이 저하하기 쉬워진다.
수지 성분으로서 열경화성 수지를 사용하는 경우는, 경화제를 병용하는 것이 바람직하고, 또한 경화촉진제를 병용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 경화제로서는, 열경화성 수지의 경화제로서 통상 사용되고 있는 경화제이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 아민류, 폴리아미드, 산무수물, 폴리설피드, 3불화 붕소, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S와 같은 페놀성 수산기를 1분자 중에 2개 이상 가지는 비스페놀류, 페놀 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지 또는 크레졸 노볼락 수지 등의 페놀 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 내열성의 관점에서, 페놀 수지가 바람직하고, 85℃, 습도 85% RH의 항온항습조에 48시간 투입 후의 흡수율이 2중량% 이하인 페놀 수지가 보다 바람직하고, 또한 열중량분석계(TGA)로 측정한 350℃에서의 가열 질량 감소율(승온속도: 5℃／분, 분위기: 질소)이 5중량% 미만인 페놀 수지가 특히 바람직하다. 이러한 페놀 수지는, 페놀 화합물과 2가의 연결기인 크실렌 화합물을, 무촉매 또는 산촉매의 존재하에 반응시켜 얻어진다. 시판품으로서는, 미쓰이화학 주식회사 제, 상품명: 미렉스 XLC-시리즈, XL시리즈 등이 있다.
열경화성 수지와 경화제의 배합 비율은, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 화학양론의 관점에서, 반응기 당량이 같은 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서 사용되는 경화촉진제로서는, 특별히 제한이 없고, 예를 들면, 4급 포스포늄염류, 4급 암모늄염류, 이미다졸류, DBU 지방산 염류, 금속 킬레이트류, 금속 염류, 트리페닐포스핀류 등을 사용할 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용된다. 이들 경화촉진제 중에서도, 이미다졸류가 바람직하고, 그 구체예로서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트 등을 들 수 있다.
경화촉진제의 첨가량은, 열경화성 수지 및 경화제와의 총량 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.001~5중량부, 보다 바람직하게는 0.05~3중량부이다.
본 발명에 있어서, 수지 조성물은, 파단성의 관점에서, 저분자량 폴리머를 함유하는 것이 바람직하다. 저분자량 폴리머의 중량 평균 분자량은, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 0.1만~1만인 것이 바람직하고, 0.2만~1만인 것이 보다 바람직하고, 0.3만~0.5만인 것이 특히 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 0.1만 미만에서는, 저점도의 액상인 경우가 많고, 접착 시트의 파단성을 저하시킬 가능성이 있다. 상기 중량 평균 분자량이 1만을 초과하면, 고분자량화에 따라, 수지간에서의 분자의 뒤얽힘에 의해, 접착 시트의 파단성을 저하시킬 가능성이 있다.
본 발명에서 사용되는 저분자량 폴리머는, 카르복실기를 말단에 가지는 부타디엔의 호모폴리머 또는 코폴리머를 함유하는 것이 바람직하고, 예를 들면 적합하게 사용할 수 있는 것으로서, 카르복실기를 말단에 가지는 아크릴로니트릴 폴리부타디엔 공중합체인, Hycar CTB-2009×162, CTBN-1300×31, CTBN-1300×8, CTBN-1300×13, CTBNX-1300×9(모두 우베흥산 주식회사 제)나, 카르복실기를 말단에 가지는 액상 폴리부타디엔인, NISSO-PB-C-2000(일본조달 주식회사 제) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 수지 조성물은, 이종(異種) 재료간의 계면결합을 잘하기 위해서, 각종 커플링제를 함유하는 것이 바람직하다. 커플링제로서는, 실란계 커플링제, 티탄계 커플링제, 알루미늄계 커플링제 등을 들 수 있지만, 실란계 커플링제가 가장 바람직하다.
실란계 커플링제로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 비닐트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란 등의 비닐실란류; γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필-트리메톡시실란, 메틸트리(메타크릴로일옥시에톡시)실란 등의 메타크릴로일실란류; β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 메틸트리(글리시딜옥시)실란 등의 에폭시기 함유 실란류; N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필-트리스(2-메톡시-에톡시-에톡시)실란, N-메틸-3-아미노프로필트리메톡시실란, 트리아미노프로필트리메톡시실란, 3-4,5-디히드로이미다졸-1-일-프로필트리메톡시실란, 아밀트리클로로실란 등의 아미노실란류; γ-멜캅토프로필트리메톡시실란, γ-멜캅토프로필트리에톡시실란, 3-멜캅토프로필-메틸디메톡시실란 등의 멜캅토 실란류; 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란 등의 요소 결합 함유 실란류; 트리메틸실릴이소시아네이트, 디메틸실릴이소시아네이트, 메틸실릴트리이소시아네이트, 비닐실릴트리이소시아네이트, 페닐실릴트리이소시아네이트, 테트라이소시아네이트실란, 에톡시실란이소시아네이트 등의 이소시아네이트기 함유 실란류; 3-클로로프로필-메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필-디메톡시실란, 3-시아노프로필-트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, N,O-비스(트리메틸실릴)아세트아미드, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리클로로실란, n-프로필트리메톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, N-β(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, 옥타데실디메틸[3-(트리메톡시실릴)프로필]암모늄클로라이드, γ-클로로프로필메틸디클로로실란, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디에톡시실란 등을 사용할 수 있다. 이들 커플링제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
본 발명의 반도체용 접착 시트는, 고분자량 성분 및 필러, 또한 필요에 따라서 그 외의 성분을 함유하는 수지 조성물을 용제에 용해 혹은 분산하여 니스를 조제하고, 지지체 필름상에 도포, 가열하여 용제를 제거하는 것에 의해 얻을 수 있다.
상기 지지체 필름으로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에테르설폰 필름, 폴리에테르아미드 필름, 폴리에테르아미드이미드 필름, 폴리아미드 필름, 폴리아미드이미드 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름을 사용할 수 있고, 또한, 필요에 따라서, 이들 플라스틱 필름은 프라이머 도포, UV처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리, 이형처리 등의 표면 처리를 실시해도 좋다. 지지체 필름은, 사용시에 박리하여 접착제층만을 사용할 수도 있고, 지지체 필름과 접착제층이 적층한 상태로 사용하고, 다음에 지지체 필름을 제거할 수도 있다. 지지체 필름의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적당히 선택되지만, 10~100㎛인 것이 바람직하다.
니스의 조제에 사용하는 용제로서는, 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이면 제한은 없고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 접착 시트 제작시의 휘발성 등을 고려하여, 메틸에틸케톤, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 2-에톡시에탄올, 톨루엔, 크실렌, 부틸셀로솔브, 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올 등 비교적 저비점의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 도막성을 향상시키는 등의 목적으로, 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, 시클로헥사논 등 비교적 고비점의 용제를 더할 수도 있다.
니스의 조제에 사용할 때의 용제의 사용량에는 특별히 제한은 없고, 용제는 가열 건조 등에 의해 접착 시트로부터 제거되는 것이지만, 접착 시트 조제 후의 용제량은 전중량 기준으로 2중량% 이하인 것이 바람직하고, 작업성의 관점에서는 전중량 기준으로 1중량% 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물이 필러를 포함하는 경우의 니스의 조제는, 필러의 분산성을 고려하여, 반죽기, 3개 롤, 볼 밀 및 비즈 밀 등을 사용하는 것이 바람직하고, 이들을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 필러와 저분자량물을 미리 혼합한 후, 고분자량물을 배합하는 것에 의해서, 혼합하는 시간을 단축하는 일도 가능해진다. 또한, 니스를 조제한 후, 진공탈기 등에 의해 니스 중의 기포를 제거할 수도 있다.
지지체 필름상에 니스를 도포하는 방법으로서는, 공지의 방법을 이용할 수 있고, 예를 들면, 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 커텐 코트법 등을 들 수 있다.
지지체 필름에 형성된 접착제층의 두께는, B스테이지 상태의 막두께로서, 1~100㎛인 것이 바람직하지만, 이것에 제한되는 것은 아니다. 상기 막두께를 1㎛ 이상으로 하는 것에 의해 성막성이 양호하게 되고, 100㎛ 이하로 하는 것에 의해 경제적이다. 또한, 본 발명의 접착 시트에 있어서의 접착제층은, 소망한 두께를 얻기 위해서, 2매 이상을 첩합시킬 수도 있다. 이 경우에는, 접착제층 끼리의 박리가 발생하지 않는 것과 같은 첩합 조건이 필요하다.
본 발명의 접착 시트의 두께는, 1~100㎛인 것이 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 시트의 두께를 1㎛ 이상으로 하는 것에 의해 시트 형상을 유지하기 쉽고, 100㎛ 이하로 하는 것에 의해 파단성이 양호하게 된다.
본 발명의 접착 시트는, 그 자체로 사용해도 상관없지만, 일실시 태양으로서, 본 발명의 접착 시트를 종래 공지의 다이싱 테이프 상에 적층한 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트로서 사용할 수도 있다. 이 경우, 웨이퍼에의 라미네이트 공정이 1회로 완료되는 점에서, 작업의 효율화가 가능하다.
본 발명에 사용하는 다이싱 테이프로서는, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라 프라이머 도포, UV처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리를 실시해도 좋다. 다이싱 테이프는 점착성을 가지는 것이 필요하고, 다이싱 테이프의 편면에 점착제층을 설치해도 좋다. 이것은, 점착제층의 수지 조성물에 있어서, 특히 액상 성분의 비율, 고분자량 성분의 Tg를 조정하는 것에 의해 얻어지는 적당한 택 강도를 가지는 수지 조성물을 도포 건조하는 것으로 형성 가능하다.
다이싱 테이프의 막두께는, 특별히 제한은 없고, 접착 시트의 막두께나 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의 용도에 따라 적당히, 당업자의 지식에 근거하여 정해지는 것이지만, 경제성이 좋고, 필름의 취급성이 좋은 점으로 60~200㎛, 바람직하게는 70~170㎛이다.
또한, 본 발명의 접착 시트를 반도체 장치를 제조할 때에 사용한 경우, 해당 접착 시트는 다이싱시에는 반도체소자가 비산하지 않는 접착력을 가지고, 그 후 픽업시에는 다이싱 테이프로부터 박리할 수 있는 것이 필요하다. 예를 들면, 접착 시트나 다이싱 테이프의 점착성이 너무 높아서 양자를 접착시켰을 때의 필 강도가 150N/m 이상의 경우, 분리가 곤란하게 되는 일이 있다. 그 때문에, 적당히, 접착 시트의 택 강도를 조절하는 것이 바람직하고, 그 방법으로서는, 접착 시트의 실온에 있어서의 유동성을 상승시키는 것에 의해, 접착 강도 및 택 강도도 상승하는 경향이 있고, 유동성을 저하시키면 접착 강도 및 택 강도도 저하하는 경향이 있는 것을 이용하면 좋다. 예를 들면, 유동성을 상승시키는 경우에는, 가소제의 함유량의 증가, 점착 부여제 함유량의 증가 등의 방법이 있다. 반대로 유동성을 저하시키는 경우에는, 상기 가소제의 함유량을 감소시키면 좋다. 상기 가소제로서는, 예를 들면, 단관능의 아크릴 모노머, 단관능 에폭시 수지, 액상 에폭시 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계의 이른바 희석제 등을 들 수 있다.
접착 시트와 다이싱 테이프를 적층한 다이싱 테이프 일체형 접착 시트의, 다이싱 때의 필 강도는, 150N/m 미만인 것이 바람직하고, 50N/m 이하인 것이 보다 바람직하다. 다이싱 테이프 상에 접착 시트를 적층하는 방법으로서는, 인쇄 외, 미리 작성한 접착 시트를 다이싱 테이프 상에 프레스하여 라미네이트하는 롤 라미네이트 방법을 들 수 있고, 필요에 따라 가열해도 좋다. 연속적으로 제조할 수 있고, 효율이 좋은 점에서 롤 라미네이트 방법이 바람직하다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1~3 및 비교예 1~8
<접착 시트의 제작>
에폭시 수지로서 YDCN-700-10(토토화성 주식회사 제 상품명, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 210) 또는 YDF-8170C(토토화성 주식회사 제 상품명, BPF형 에폭시 수지, 에폭시 당량 160), 페놀 수지로서 미렉스 XLC-LL(미쓰이화학 주식회사 제 상품명, 페놀 수지, 수산기 당량 175, 흡수율 1.8%, 350℃에 있어서의 가열 질량 감소율 4%) 또는 LF-2882(대일본잉크화학공업 주식회사제 상품명, 페놀 노볼락 수지), 실란커플링제로서 A-1160(GE토시바주식회사 제 상품명, γ-우레이도프로필트리에톡시실란), 필러로서 SO-C2(주식회사아드마텍제 상품명, 실리카, 비표면적 7㎡/g, 평균 입경 0.4~0.6㎛) 또는 아에로실 R972(일본아에로실 주식회사 제 상품명, 실리카, 평균 입경 0.016㎛)를 표 1에 나타내는 소정량 함유하는 조성물에, 시클로헥사논을 가하여 교반혼합하고, 또한 비즈 밀을 이용하여 90분간 혼련 했다.
이것에 고분자량 성분으로서 HTR-860P-3DR(나가세켐텍 주식회사 제 상품명, 중량 평균 분자량이 70만, Tg가 5℃, 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트 2~6중량%를 포함하는 아크릴 고무), 저분자량 폴리머로서 CTBNX-1300×9(우베흥산 주식회사 제 상품명, 중량 평균 분자량이 3500, 카르복실기를 말단에 가지는 아크릴로니트릴폴리부타디엔 공중합체), 경화촉진제로서 큐아졸 2PZ-CN(시코쿠 화성 주식회사제 상품명, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸)을, 표 1에 나타내는 소정량을 혼합교반하고, 진공탈기하여, 용제분 20%의 니스를 얻었다.
니스를, 지지체 필름으로서 두께 75㎛의 이형처리한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름상에 도포하고, 140℃에서 5분간 가열 건조하여, 막두께가 40㎛의 B스테이지 상태(경화 전)의 도막을 형성하고, 지지체 필름을 갖춘 접착 시트를 제작했다.
표 1에 실시예 1~3, 비교예 1~8의 각 성분의 배합 중량부를 나타낸다.
<접착 시트의 평가방법>
상기 실시예 1~3, 비교예 1~8로 얻어진 각 접착 시트에 관하여, 이하의 항목에 관하여 평가를 실시했다.
(1) 경화 전의 파단신도
텐시론(TOYO BALDWIN제, UTM-Ⅲ-500)을 사용하고, 척간거리 20mm, 인장 속도 3mm/분, 온도 0℃의 조건으로, 지지체 필름을 박리한 경화 전의 두께 40㎛의 접착 시트를 인장하고, 파단시의 시트의 길이를 측정하여, 이하의 식에 따라 파단신도(%)를 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
파단신도(%)=(파단시의 접착 시트의 길이(mm)-20)/20×100
(2) 경화 후의 탄성률
동적점탄성 측정 장치(레오로지사 제, DVE-V4)를 사용하고, 접착 시트(폭 4mm, 두께 40㎛)를 175℃로 3시간 열경화시킨 후, 지지체 필름을 박리하여 얻어진 경화물에 인장하중(10g)을 가하고, 척간거리 20mm, 주파수 10Hz, 승온속도 3℃／분에 25℃에서 300℃까지 측정하는 온도 의존성 측정 모드로 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(3) 접착 시트의 절단성
오토 그래프(시마즈제작소제, AGS-1000G)를 사용하고, 지지체 필름을 박리한 접착 시트를 웨이퍼에 80℃의 온도로 열라미네이트한 후, 웨이퍼 중앙부에 다이아몬드 커터로 절입을 넣고, 웨이퍼만을 절단했다. 절단된 웨이퍼를 가지는 접착 시트 부착 웨이퍼를 냉각하고, 오토 그래프에 설치하고, 0℃상태로 확장을 실시하며, 접착 시트의 절단성을 육안으로 관찰했다. 확장 조건은, 확장 속도 50mm/분, 확장량 1mm로 한다. 접착 시트를 절단할 수 있었던 경우를 「○」, 절단할 수 없었던 경우는 「×」 로 하여, 표 1에 나타낸다.
(4) 배선 기판의 요철에의 매입성
상기 실시예 1~3 및 비교예 1~8의 접착 시트의 접착제층을 각각 반도체 웨이퍼에 첩합하고, 필요에 따라 지지체 필름을 박리한 후에, 접착층을 개입시켜 반도체 웨이퍼를 시판의 자외선 경화형 다이싱 테이프(후루카와전공 주식회사 제 상품명: UC-334EP-110)에 첩합시켰다. 이 다이싱 테이프는 기재 상에 점착제층이 형성된 것이고, 첩합시에는, 다이싱 테이프의 점착제층과 접착 시트의 접착제층이 접합하도록 했다. 뒤이어, 다이서를 이용하여 반도체 웨이퍼 및 접착제층을 다이싱한 후, 다이싱 테이프의 기재측으로부터 자외선을 조사(500mJ/c㎡)하여, 접착제층과 점착제층과의 사이를 이간시키는 것에 의해, 접착제층 부착 반도체소자를 얻었다. 얻어진 접착제층 부착 반도체소자를, 접착제층을 개입하여, 평균 약 10㎛ 요철이 있는 배선기재상에 150℃에서 0.4×9.8N의 힘을 3초간 가하면서 가열 압착했다. 그 후, 고온 가열하는 경우에는, 170℃의 핫플레이트 상에서 1시간 가열하여, 와이어 본딩과 동등한 열이력을 부여하였다.
다음에, 에폭시 봉지 수지(히다치화성공업 주식회사제 상품명: CEL-9700HF)를 이용하여 180℃, 6.75MPa, 90초의 조건으로 수지 봉지하여, 반도체 장치의 샘플을 제조했다.
각 샘플에 관하여, 초음파 탐사 영상 장치를 이용하여, 수지 봉지 후의 배선 기판의 요철에의 매입성을, 접착제층과 배선기재의 사이에 있어서의 보이드의 유무로 평가했다. 보이드가 확인되지 않았던 경우를 「○」, 보이드가 확인되었을 경우를 「×」로 하여, 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
실시예 1~3의 접착 시트는, 경화 전의 파단신도가 적고, 접착 시트의 절단성이 양호하고, 또한 경화 후의 탄성률이 낮고, 배선 기판의 요철에의 매입성이 뛰어나다. 경화 후의 탄성률이 높은 비교예 1, 2, 3, 7 및 8의 접착 시트는, 배선 기판의 요철에의 매입성이 뒤떨어지고 있는 것을 알 수 있다. 경화 전의 파단신도가 큰 비교예 4~6의 접착 시트는, 접착 시트의 절단성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있다.

Claims (9)

  1. 고분자량 성분 및 필러를 함유하는 수지 조성물로 이루어지는 반도체용 접착 시트로서,
    경화 전의 접착 시트의 0℃에 있어서의 파단신도가 40% 이하이며, 경화 후의 접착 시트의 175℃에 있어서의 탄성률이 0.1~10MPa인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 고분자량 성분은, Tg가 -10~60℃, 중량 평균 분자량이 2만~100만인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 수지 조성물은, 그 총량을 100중량%로 했을 경우, 고분자량 성분을 50~65중량% 및 필러를 35~50중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 필러는, 일차 입자의 평균 입경이 0.005~0.1㎛의 필러를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 일차 입자의 평균 입경이 0.005~0.1㎛의 필러를, 수지 조성물 중에 1~15중량% 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 조성물 중에 저분자량 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 저분자량 폴리머는, 중량 평균 분자량이 0.1만~1만인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.
  8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 저분자량 폴리머는, 카르복실기를 말단에 가지는 부타디엔 폴리머인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 시트.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 기재된 반도체용 접착 시트와 다이싱 테이프를 적층하여 이루어지는 다이싱 테이프 일체형 반도체용 접착 시트.






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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10865329B2 (en) 2015-04-29 2020-12-15 Lg Chem, Ltd. Adhesive film for semiconductor

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010100840A (ja) * 2008-09-24 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤フィルム及び回路接続材料
JP5528936B2 (ja) * 2010-07-28 2014-06-25 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5066231B2 (ja) * 2010-07-28 2012-11-07 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
WO2012026431A1 (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 積水化学工業株式会社 接着シート及び半導体チップの実装方法
JP2013006899A (ja) * 2011-06-22 2013-01-10 Hitachi Chemical Co Ltd 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR101649020B1 (ko) * 2011-07-01 2016-08-17 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 접착 필름 및 다이싱 다이 본딩 필름 및 그것을 이용한 반도체 가공방법
CN102344772A (zh) * 2011-08-03 2012-02-08 华烁科技股份有限公司 一种高导热绝缘环氧树脂胶及其在led用挠性铝基覆铜板上的应用
JP6155931B2 (ja) * 2013-07-19 2017-07-05 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、接着フィルム、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートおよび電子部品
TWI674972B (zh) * 2013-08-23 2019-10-21 日商味之素股份有限公司 零件封裝用薄膜之製造方法
JP6128043B2 (ja) * 2014-03-31 2017-05-17 住友ベークライト株式会社 半導体用ウエハ加工用粘着テープ
JP6876540B2 (ja) * 2017-06-27 2021-05-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着性シート
CN111987007A (zh) * 2020-08-31 2020-11-24 维信诺科技股份有限公司 显示装置的压合方法和显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1326096C (en) * 1988-08-19 1994-01-11 Katugi Kitagawa Epoxy resin powder coating composition with excellent adhesibility
CN100379832C (zh) 1998-08-13 2008-04-09 日立化成工业株式会社 电路构件连接用的粘结剂，电路板及其制造方法
ATE370209T1 (de) * 1999-06-18 2007-09-15 Hitachi Chemical Co Ltd Klebstoff, klebstoffgegenstand, schaltungssubstrat für halbleitermontage mit einem klebstoff und eine halbleiteranordnung die diesen enthält
JP2001302998A (ja) 2000-02-15 2001-10-31 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルムおよびその用途
KR100931742B1 (ko) 2000-02-15 2009-12-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 그 제조 방법, 이것을 이용한 접착 필름, 반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치
WO2001074962A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-11 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, method for preparing the same, adhesive film using the same, substrate for carrying semiconductor and semiconductor device
JP2003041206A (ja) 2001-07-30 2003-02-13 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、その使用方法及び半導体装置
JP2004043761A (ja) * 2001-08-27 2004-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法
CN101392159B (zh) * 2003-06-06 2012-10-03 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法
JP5017861B2 (ja) * 2003-06-06 2012-09-05 日立化成工業株式会社 接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP4225162B2 (ja) * 2003-08-18 2009-02-18 日立化成工業株式会社 封止用フィルム
MY138566A (en) * 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP4923398B2 (ja) 2004-09-21 2012-04-25 日立化成工業株式会社 接着剤層付き半導体素子の製造方法
WO2007018120A1 (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Hitachi Chemical Co., Ltd. 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2007284670A (ja) 2006-03-22 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2007288174A (ja) 2006-03-24 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート
KR101370245B1 (ko) * 2006-05-23 2014-03-05 린텍 가부시키가이샤 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법
JP5340580B2 (ja) 2006-11-13 2013-11-13 日立化成株式会社 半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シート
JP4430085B2 (ja) * 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10865329B2 (en) 2015-04-29 2020-12-15 Lg Chem, Ltd. Adhesive film for semiconductor

Also Published As

Publication number Publication date
MY151971A (en) 2014-07-31
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US20100266842A1 (en) 2010-10-21
CN102543809A (zh) 2012-07-04
JP5287725B2 (ja) 2013-09-11

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