CN111981976A - 保持构件及制法、检查机构、切断装置、保持对象物制法 - Google Patents

保持构件及制法、检查机构、切断装置、保持对象物制法 Download PDF

Info

Publication number
CN111981976A
CN111981976A CN202010271789.XA CN202010271789A CN111981976A CN 111981976 A CN111981976 A CN 111981976A CN 202010271789 A CN202010271789 A CN 202010271789A CN 111981976 A CN111981976 A CN 111981976A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
holding
manufacturing
holding member
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010271789.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111981976B (zh
Inventor
礒野早织
昔根锅
宫田和志
高森雄大
石桥干司
黄善夏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Publication of CN111981976A publication Critical patent/CN111981976A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111981976B publication Critical patent/CN111981976B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Abstract

本发明提供一种保持构件、检查机构、切断装置、保持对象物的制造方法及保持构件的制造方法。保持构件能够高精度地进行由多个吸附孔各自吸附保持的保持对象物的边缘检测。本发明的保持构件保持多个保持对象物用于光学检查,包括:保持部,设置有吸附保持所述保持对象物的多个吸附孔、及配置在多个所述吸附孔之间的槽;以及反射部,设置在所述槽,反射率比所述保持部高;且所述反射部具有平坦的表面。

Description

保持构件及制法、检查机构、切断装置、保持对象物制法
技术领域
本发明涉及一种将保持对象物加以保持用于光学检查的保持构件、使用保持构件的检查机构及切断装置、使用切断装置的保持对象物的制造方法、以及保持构件的制造方法的技术。
背景技术
专利文献1中公开了电子零件的外观检查装置。所述电子零件的外观检查装置检测电子零件的被检查部位的边缘,基于所述边缘的位置,测量被检查部位的尺寸及判定其是否合格。所述电子零件的外观检查装置的特征在于包括:图像输入单元,从规定方向拍摄检查零件;照明单元,能够从与拍摄方向成锐角的至少两个方向分别对检查零件照射光;拍摄控制单元,根据利用照明单元产生的每个方向的光照射,使图像输入单元动作进行拍摄;及边缘位置检测单元,基于每个光照射获得的图像信号,检测电极部的边缘位置。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开平8-184410号公报
发明内容
发明所要解决的问题
专利文献1所公开的电子零件的外观检查装置中,将照明器隔着相机的拍摄中心配置为左右对称,从左侧的照明器对检查零件照射一方向的光,从右侧的照明器对检查零件照射另一方向的光。对来自两个方向的照明所得的各图像数据的亮度值进行比较,探索出因有无阴影及发色部而出现明暗差异的部分,检测检查零件的边缘位置。然而,专利文献1中,未记载用于由保持构件的多个吸附孔各自吸附保持的保持对象物的边缘检测。
本发明是鉴于如上状况而成,其所要解决的问题是提供一种能够高精度地进行由多个吸附孔各自吸附保持的保持对象物的边缘检测的保持构件、检查机构、切断装置、保持对象物的制造方法及保持构件的制造方法。
解决问题的技术手段
本发明所要解决的问题如上所述,为了解决所述问题,本发明的保持构件保持多个保持对象物用于光学检查,包括:保持部,设置有吸附保持所述保持对象物的多个吸附孔、及配置在多个所述吸附孔之间的槽;以及反射部,设置在所述槽,反射率比所述保持部高;且所述反射部具有平坦的表面。
另外,本发明的检查机构对由所述保持构件保持的所述保持对象物进行检查。
另外,本发明的切断装置包括:切断机构,切断切断对象物,获得多个所述保持对象物;及所述检查机构;利用所述检查机构,对利用所述切断机构所获得的所述保持对象物进行检查。
另外,本发明的保持对象物的制造方法使用所述切断装置制造所述保持对象物。
另外,本发明的保持构件的制造方法是一种保持构件的制造方法,所述保持构件保持多个保持对象物用于光学检查,所述保持构件的制造方法包括:树脂填充步骤,对于设置有槽的保持部,向所述槽中填充树脂,所述槽配置在吸附保持所述保持对象物的多个吸附孔之间;及树脂硬化步骤,使所述树脂硬化。
发明的效果
根据本发明,能够高精度地进行由多个吸附孔各自吸附保持的保持对象物的边缘检测。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的切断装置的整体构成的俯视示意图。
图2的(a)是保持构件的俯视示意图。图2的(b)是X-X剖视图。
图3是表示树脂反射部的表面的形状的剖视示意图。
图4是表示实施例1的保持构件的制造方法的图。
图5的(a)~图5的(c)是依次表示在实施例1中制造保持构件的情况的剖视示意图。
图6是表示实施例2的保持构件的制造方法的图。
图7的(a)~图7的(d)是依次表示在实施例2中制造保持构件的情况的剖视示意图。
图8的(a)~图8的(c)是表示图7的(a)~图7的(d)的后续的剖视示意图。
[符号的说明]
1:切断装置
3:基板供给部
4:定位部
4a:轨道部
5:切断台
5a:保持构件
5b:旋转机构
5c:移动机构
5d:第一位置确认相机
5e:第一清洁器
6:主轴
6a:旋转刀
6b:第二位置确认相机
7:搬送部
7a:第二清洁器
8:控制部
11:检查台
12:第一光学检查相机
13:第二光学检查相机
14:配置部
15:抽取部
15a:良品托盘
15b:不良品托盘
16:控制部
100:保持构件
110:树脂片材
111:吸附孔
112:槽
113:吸附面
120:树脂反射部
A:切断模块
B:检查模块
D:分配器
F:平坦构件
M:料盒
P:封装基板
R:树脂
S:半导体封装
具体实施方式
首先,使用图1,对本实施方式的切断装置1的构成进行说明。在本实施方式中,例如对使用封装基板P作为利用切断装置1的切断对象物时的切断装置1的构成进行说明,所述封装基板P是将安装有半导体芯片的基板树脂密封而成。
作为封装基板P,例如使用球栅阵列(Ball grid array,BGA)封装基板、芯片尺寸封装(Chip size package,CSP)封装基板、发光二极管(Light emitting diode,LED)封装基板等。另外,作为切断对象物,不仅使用封装基板P,有时也使用密封的引线框架,所述密封的引线框架是将安装有半导体芯片的引线框架(lead frame)树脂密封而成。
此外,以下,对于封装基板P的两面,分别将树脂密封侧的面称为模面(moldface),将与模面相反侧的面称为焊球面(ball face)/引线面(lead face)。
切断装置1包括切断模块A及检查模块B作为构成要素。各构成要素相对于其它构成要素能够装卸且能够更换。
切断模块A是主要进行封装基板P的切断的构成要素。切断模块A主要包括基板供给部3、定位部4、切断台5、主轴(spindle)6、搬送部7及控制部8。
基板供给部3供给封装基板P。基板供给部3从收容有多个封装基板P的料盒(magazine)M逐片推出封装基板P,向后述定位部4供给。将焊球面/引线面向上配置封装基板P。
定位部4对由基板供给部3供给的封装基板P进行定位。定位部4将从基板供给部3推出的封装基板P配置在轨道部4a进行定位。其后,定位部4将已定位的封装基板P向后述切断台5搬送。
切断台5保持要切断的封装基板P。在本实施方式中,例示包括两个切断台5的双切割台构成的切断装置1。在切断台5,设置着保持构件5a,所述保持构件5a从下方吸附保持利用定位部4搬送来的封装基板P。另外,在切断台5,设置着能够使保持构件5a向图中θ方向旋转的旋转机构5b、及能够使保持构件5a向图中Y方向移动的移动机构5c。
主轴6将封装基板P切断,单片化成多个半导体封装S(参照图2的(a)、图2的(b))。在本实施方式中,例示包括两个主轴6的双主轴构成的切断装置1。主轴6能够向图中X方向及Z方向移动。在主轴6,安装着用于切断封装基板P的旋转刀6a。
在主轴6,设置着向高速旋转的旋转刀6a喷射切削水的切削水用喷嘴、喷射冷却水的冷却水用喷嘴、及喷射清洗切断屑等的清洗水的清洗水用喷嘴(均未图示)等。
切断台5吸附封装基板P后,利用第一位置确认相机5d确认封装基板P的位置。其后,切断台5以沿着图中Y方向靠近主轴6的方式移动。当切断台5移动到主轴6的下方后,使切断台5与主轴6相对移动,由此切断封装基板P。每次利用主轴6切断封装基板P时,均利用第二位置确认相机6b确认封装基板P的位置等。
此处,利用第一位置确认相机5d进行确认时,例如可以确认设置在封装基板P的表示切断位置的标记的位置。利用第二位置确认相机6b进行确认时,例如可以确认封装基板P被切断的位置、被切断的宽度等。
此外,所述利用确认相机进行的确认也可以不使用第一位置确认相机5d,仅使用第二位置确认相机6b进行确认。
切断台5结束封装基板P的切断后,保持吸附着已单片化的多个半导体封装S的状态,以沿图中Y方向离开主轴6的方式移动。此时,利用第一清洁器5e对半导体封装S的上表面(焊球面/引线面)进行清洗及干燥。
搬送部7向检查模块B的检查台11搬送半导体封装S。搬送部7从上方吸附由切断台5保持的半导体封装S,向检查模块B搬送。此时,利用第二清洁器7a对半导体封装S的下表面(模面)进行清洗及干燥。
控制部8控制切断模块A的各部的动作。利用控制部8控制基板供给部3、定位部4、切断台5、主轴6及搬送部7等的动作。另外,能够使用控制部8任意变更(调整)切断模块A的各部的动作。
检查模块B是主要进行半导体封装S的检查的构成要素。检查模块B主要包括检查台11、第一光学检查相机12、第二光学检查相机13、配置部14、抽取部15及控制部16。
检查台11保持半导体封装S以进行光学检查。检查台11能够沿着图中X方向移动。另外,检查台11能够上下翻转。在检查台11设置有吸附保持半导体封装S的保持构件100。
第一光学检查相机12及第二光学检查相机13对半导体封装S的表面(焊球面/引线面及模面)进行光学检查。第一光学检查相机12及第二光学检查相机13朝上配置在检查台11附近。在第一光学检查相机12及第二光学检查相机13分别设置着能够在检查时照射光的照明装置(未图示)。
第一光学检查相机12对利用搬送部7搬送到检查台11的半导体封装S的模面进行检查。其后,搬送部7将半导体封装S载置于检查台11的保持构件100。保持构件100吸附保持半导体封装S后,检查台11上下翻转。检查台11向第二光学检查相机13的上方移动,利用第二光学检查相机13对半导体封装S的焊球面/引线面进行检查。
例如,第一光学检查相机12能够检查半导体封装S的缺口或半导体封装S上标示的文字等。另外,例如第二光学检查相机13能够检查半导体封装S的尺寸及形状、焊球/引线的位置等。
配置部14用于配置检查结束的半导体封装S。配置部14能够沿着图中Y方向移动。检查台11将利用第一光学检查相机12及第二光学检查相机13的检查结束的半导体封装S配置于配置部14。
抽取部15将配置在配置部14的半导体封装S移送并收纳到托盘。基于利用第一光学检查相机12及第二光学检查相机13获得的检查结果,区分良品与不良品,区分后的半导体封装S利用抽取部15收纳到托盘。此时,抽取部15分别将半导体封装S中的良品收纳到良品用托盘15a,将不良品收纳到不良品托盘15b。当托盘中装满半导体封装S时,适当供给另外的空托盘。
控制部16控制检查模块B的各部的动作。利用控制部16控制检查台11、第一光学检查相机12、第二光学检查相机13、配置部14及抽取部15等的动作。另外,能够使用控制部16任意变更(调整)检查模块B的各部的动作。
如上所述,本实施方式的切断装置1能够将封装基板P切断,单片化成多个半导体封装S。
接下来,使用图2的(a)、图2的(b),对设置在检查台11的保持构件100的构成进行说明。此外,以下将图中所示的箭头U、箭头D、箭头L、箭头R、箭头F及箭头B所表示的方向分别定义为上方向、下方向、左方向、右方向、前方向及后方向来进行说明。另外,为了便于说明,将图中所示的保持构件100适当简化图示。实际的保持构件100的构成(例如后述吸附孔111及吸附面113的个数、配置等)并不限于图示。
如上所述,保持构件100在对多个半导体封装S进行光学检查时保持所述多个半导体封装S。保持构件100主要包括作为保持部的树脂片材110、及作为反射部的树脂反射部120。此外,图2的(a)中,为了区分树脂片材110与树脂反射部120,用斜线表示树脂反射部120。
树脂片材110是形成为矩形板状的构件。作为树脂片材110的素材,例如使用硅酮系树脂或氟系树脂等。在本实施方式中,为了使要保持的半导体封装S的静电扩散,使树脂片材110含碳来提升导电性(静电扩散性)。因此,树脂片材110形成为发黑的颜色。在树脂片材110主要形成有吸附孔111及槽112。
吸附孔111是用来吸附半导体封装S的孔。吸附孔111以沿上下方向(厚度方向)贯通树脂片材110的方式形成。吸附孔111在前后及左右隔开固定间隔形成有多个。
槽112是以使树脂片材110的表面(上表面)凹陷的方式形成的部分。槽112形成为比如将邻接的吸附孔111彼此前后及左右划分的格子状。如上所述,通过形成槽112,在树脂片材110的上表面,在各吸附孔111的周边形成矩形(正方形)的吸附面113。吸附面113形成为与要吸附的半导体封装S的外形(矩形)大致同一形状。
树脂反射部120以填埋树脂片材110的槽112的方式设置。作为树脂反射部120的素材,例如使用硅酮系树脂或氟系树脂等。在本实施方式中,使树脂反射部120包括氧化钛。因此,树脂反射部120形成为发白的颜色。另外,由此,树脂反射部120与树脂片材110相比具有更高的反射率(反射的光束相对于入射的光束的比)。
此外,作为用于对树脂反射部120着色的材料,并不限于所述氧化钛,只要能够使树脂反射部120与树脂片材110相比具有更高的反射率即可。例如可以使用金属颜料(除铅以外的各种金属片(flake)、镀敷用合金、铝、锡、锌、铬、金、银、铂等)、片状氧化铝、白色颜料(氧化钛、氧化锌等)、珠光颜料(云母、二氧化硅、玻璃等)、逆反射材(玻璃珠等)、以及稀释剂及增量剂(钛酸钙、氢氧化铝、硫酸钡等)等。
树脂反射部120以填充在树脂片材110的槽112整体的方式设置。树脂反射部120以具有平坦表面(即从槽112露出的上侧面)的方式形成。如上所述,通过将树脂反射部120的表面形成为平坦,能够抑制光的漫反射。
使用图3,对树脂反射部120的平坦表面具体地进行说明。如图3所示,相对于槽112的深度方向(上下方向)平行切断保持构件100进行剖视观察时,树脂反射部120的表面形成为高低差L为规定值以下。此处,树脂反射部120的表面的高低差L是指相对于树脂片材110的表面(吸附面113)垂直的方向(图例中为上下方向)上树脂反射部120的表面的最高位置与最低位置的差。此外,图3中,表示树脂片材110的上表面的位置与树脂反射部120的最高位置一致的例子。
此处,对具体的测定方法进行说明。首先,在树脂片材110的上表面指定两点,划出通过所述两点的直线a。因为树脂片材110的上表面的位置与树脂反射部120的最高位置一致,所以直线a表示树脂反射部120的最高位置。接下来,制作相对于直线a平行的直线b,使直线b移动到树脂反射部120的表面的最低部分。基于直线a与直线b的距离,测定树脂反射部120的表面的高低差L。此外,在树脂反射部120的最高位置与树脂片材110的上表面的位置不一致的情况下,基于树脂反射部120的最高位置与最低位置(直线b)的距离测定高低差L。
测定树脂反射部120的表面时使用基恩士(KEYENCE)公司制造的数字显微镜(型号:VHX-5000)。
在本实施方式中,树脂反射部120的表面以高低差L为50μm以下的方式形成。如上所述,在高低差L为50μm以下的情况下,树脂反射部120的表面平坦。此外,树脂反射部120的表面的高低差L越小越容易抑制光的漫反射。因此树脂反射部120的表面更优选以高低差L为45μm以下、40μm以下、35μm以下、30μm以下、25μm以下、或20μm以下的方式形成。
使用以上述方式构成的保持构件100来保持被检查的半导体封装S。具体来说,如图2的(a)、图2的(b)所示,在半导体封装S逐个载置于各吸附面113的状态下,经由吸附孔111从保持构件100的下方抽吸空气,由此将半导体封装S吸附保持于吸附面113。利用第二光学检查相机13(参照图1)拍摄由保持构件100保持的半导体封装S,检查外形部分的尺寸等。
此处,当从上方观察保持构件100时,在半导体封装S的周围配置有反射率相对较高的树脂反射部120。如上所述,通过配置树脂反射部120,利用第二光学检查相机13进行拍摄时,能够使半导体封装S的边缘部分(半导体封装S与树脂反射部120的边界部分)的对比度明确。由此,能够利用第二光学检查相机13容易且高精度地进行半导体封装S的边缘的检测。伴随于此,能够缩短用于检测半导体封装S的边缘的时间。
进而,在本实施方式中,树脂反射部120的表面形成得平坦(高低差L为50μm以下)。通过将树脂反射部120的表面形成得平坦,能够抑制光的漫反射。由此,利用第二光学检查相机13拍摄时,能够使半导体封装S的边缘部分的对比度明确。
<实施例1>
接下来,使用图4及图5的(a)~图5的(c),对使用分配器D的保持构件100的制造方法进行说明。
如图4所示,实施例1的保持构件100的制造方法主要包括等离子体照射步骤S11、树脂填充步骤S12及树脂硬化步骤S13。
等离子体照射步骤S11是对树脂片材110进行等离子体照射的步骤。等离子体照射步骤S11中,首先准备形成有吸附孔111及槽112的树脂片材110。接下来,对树脂片材110(尤其是槽112)照射等离子体(参照图5的(a))。通过对树脂片材尤其是槽112进行等离子体照射(等离子体处理),能够控制树脂片材110的表面张力(提升树脂片材110的润湿性),使后述树脂反射部120的表面形成得平坦。等离子体照射例如可以使用氩气。
等离子体照射步骤S11后,进行树脂填充步骤S12。树脂填充步骤S21是向树脂片材110的槽112中填充成为树脂反射部120的素材的树脂R的步骤。树脂填充步骤S21中,利用分配器D喷出树脂R,向树脂片材110的槽112供给树脂R(参照图5的(b))。分配器D向长边方向的槽112中填充树脂R后,向短边方向的槽112中填充树脂R。此时,供给充分量的树脂R使槽112被树脂R填满。树脂R的填充并不限于上述顺序,也可以在向短边方向的槽112中填充树脂R后,向长边方向的槽112中填充树脂R。
分配器D例如优选使用喷射分配器,可以使用压电喷射分配器。压电喷射分配器是使用压电元件的分配器,压电元件当施加电压时会产生细微的变形,利用由压电元件产生的细微的位移来使所连结的杆重复往返运动,高速开闭阀门,由此能够喷出适当量的树脂R。另外,即便在使用高粘度的树脂R的情况下,如果使用压电喷射分配器,也能够减少喷出后的树脂R产生拉丝。
树脂填充步骤S12后,进行树脂硬化步骤S13。树脂硬化步骤S13是使树脂R硬化的步骤。例如利用60℃的烘箱对树脂片材110等加热一小时。作为加热方法,并不限于使用烘箱的加热,例如也可以使用加热板进行加热。由此,使槽112中填充的树脂R硬化,形成树脂反射部120(参照图5的(c))。
<实施例2>
接下来,使用图6至图8的(a)~图8的(c),对另一保持构件100的制造方法进行说明。
如图6所示,实施例2的保持构件100的制造方法主要包括树脂填充步骤S21、树脂脱泡步骤S22、平坦构件配置步骤S23、树脂硬化步骤S24、平坦构件卸除步骤S25、树脂去除步骤S26及二次硬化步骤S27。
树脂填充步骤S21是在树脂片材110的槽112中填充成为树脂反射部120的素材的树脂R的步骤。树脂填充步骤S21中,首先准备形成有吸附孔111及槽112的树脂片材110(参照图7的(a))。接下来,对树脂片材110的上侧面(形成有槽112的面)供给树脂R(参照图7的(b))。此时,供给充分量的树脂R以使槽112被树脂R填满。通过对树脂片材110的上侧面供给树脂R,树脂R不仅渗入槽112的内部,也会渗入吸附孔111的内部,在树脂片材110的表面也会附着树脂R。
树脂填充步骤S21后,进行树脂脱泡步骤S22。树脂脱泡步骤S22是进行树脂R的脱泡的步骤。具体来说,将已供给树脂R的树脂片材110配置在规定容器内,使用真空泵将该容器设为真空状态。由此,去除树脂R所含的空气(气泡)。
树脂脱泡步骤S22后,进行平坦构件配置步骤S23。平坦构件配置步骤S23是在树脂片材110的上侧面配置平坦构件F的步骤。平坦构件配置步骤S23中,首先从供给到树脂片材110的上侧面的树脂R之上载置平坦构件F(参照图7的(c))。
此处,作为平坦构件F,使用具有平坦表面的构件。在本实施方式中,作为平坦构件F,使用具有镜面(抛光成可利用光的反射映出物体的表面)的膜状构件(镜面膜)。
接下来,对树脂片材110(树脂R)压抵平坦构件F(参照图7的(d))。例如,通过使用刮片等道具从平坦构件F的中央侧向外侧依次施力,将平坦构件F压抵于树脂片材110。由此,去除平坦构件F与树脂R之间的空气(气泡)。另外,通过将平坦构件F压抵于树脂R,将平坦构件F的表面形状(镜面)转印到树脂R的表面,使树脂R的表面变得平坦。
此外,通过对树脂片材110压抵平坦构件F,将平坦构件F与树脂片材110之间的树脂R挤出到外部。不过,平坦构件F与树脂片材110之间的树脂R并非完全被排出,堆积在树脂片材110的上侧面的树脂R的厚度变小,在树脂片材110的上侧面(吸附面113)残留有树脂R的薄膜。
平坦构件配置步骤S23后,进行树脂硬化步骤S24。树脂硬化步骤S24是使树脂R硬化(一次硬化)的步骤。树脂硬化步骤S24中,将配置有平坦构件F的树脂片材110上下翻转(参照图8的(a))。接下来,使用规定的成形模具,以上下夹住树脂片材110及平坦构件F的方式施力(按压)。接下来,保持按压树脂片材110等的状态进行适当加热。例如用60℃的烘箱对树脂片材110等加热一小时。由此,使树脂R某种程度上硬化(一次硬化)。如上所述,通过按压树脂片材110等,维持利用平坦构件F对树脂片材110的树脂R施加压力的状态进行硬化,能够抑制加热造成树脂R的表面变形,使树脂R的表面保持平坦。
此外,树脂硬化步骤S24中将树脂片材110上下翻转后进行一次硬化,但并非必须使树脂片材110上下翻转。
树脂硬化步骤S24后,进行平坦构件卸除步骤S25。平坦构件卸除步骤S25是将平坦构件F从树脂片材110卸除的步骤。平坦构件卸除步骤S25中,将树脂片材110再次上下翻转。接下来,将平坦构件F从树脂片材110(更详细来说是经一次硬化的树脂R)卸除(参照图8的(b))。
平坦构件卸除步骤S25后,进行树脂去除步骤S26。树脂去除步骤S26是从树脂片材110去除无用的树脂R的步骤。树脂去除步骤S26中,将填充在树脂片材110的槽112中的树脂R以外的树脂R去除(参照图8的(c))。具体来说,将残留在树脂片材110的上侧面(吸附面113)的树脂R的薄膜去除。另外,将渗入树脂片材110的吸附孔111的内部的树脂R去除。另外,如果有附着在树脂片材110的其它部分(例如外侧面等)的树脂R,也将所述树脂R去除。
此外,去除树脂R的方法并无特别限定。树脂R可以由作业者手动去除,也可以另外使用适当的工具或装置去除。例如,可以使用磨床(grinder)等研削装置去除树脂R,或使用激光等去除树脂R。
树脂去除步骤S26后,进行二次硬化步骤S27。二次硬化步骤S27是使树脂片材110的槽112中填充的树脂R进一步硬化(二次硬化)的步骤。二次硬化步骤S27中,对树脂片材110等适当进行加热。例如对于树脂片材110等,用60℃的烘箱加热四小时,或使用150度的烘箱加热一小时。由此,使槽112中填充的树脂R进一步硬化(二次硬化),形成树脂反射部120。
如上所述,本实施方式的保持构件100保持多个半导体封装S(保持对象物)用于光学检查,包括:树脂片材110(保持部),设置有吸附保持所述半导体封装S的多个吸附孔111、及配置在多个所述吸附孔111之间的槽112;及树脂反射部120(反射部),设置在所述槽112,反射率比所述树脂片材110高。所述树脂反射部120具有平坦的表面。
通过以所述方式构成,能够高精度地进行由多个吸附孔111各自吸附保持的半导体封装S的边缘检测。即,通过设置反射率相对较高的树脂反射部120,能够使树脂反射部120与由吸附孔111吸附的半导体封装S的边界部分的对比度明确。另外,因为将树脂反射部120的表面形成得平坦,所以能够抑制光的漫反射,使对比度更加明确。
另外,树脂反射部120的表面在相对于所述槽112的深度方向平行切断的剖视观察时,高低差为50μm以下。
通过以所述方式构成,能够更高精度地进行半导体封装S的边缘检测。即,通过将树脂反射部120的表面的高低差抑制在规定值以下,能够有效抑制光的漫反射。
另外,本实施方式的检查模块B(检查机构)对由保持构件100保持的半导体封装S进行检查。
通过以所述方式构成,能够用简单的构成高精度地进行半导体封装S的边缘检测。
另外,本实施方式的切断装置1包括:切断模块A(切断机构),切断封装基板P(切断对象物),获得多个所述半导体封装S;及检查模块B。利用所述检查模块B,对利用所述切断模块A所得的所述半导体封装S进行检查。
通过以所述方式构成,能够用简单的构成高精度地进行半导体封装S的边缘检测。
另外,本实施方式的半导体封装S的制造方法使用切断装置1制造半导体封装S。
通过以所述方式构成,能够用简单的构成高精度地进行半导体封装S的边缘检测。进而,能够提升半导体封装S的生产性。
另外,本实施方式的保持构件100的制造方法中,保持构件100保持多个半导体封装S(保持对象物)用于光学检查,保持构件100的制造方法包括:树脂填充步骤S12(树脂填充步骤S21),对于设置有槽112的树脂片材110(保持部),在所述槽112中填充树脂R,所述槽112配置在吸附保持所述半导体封装S的多个吸附孔111之间;及树脂硬化步骤S13(树脂硬化步骤S24),使所述树脂R硬化。
通过以所述方式构成,能够容易地制造保持构件100。另外,通过使用利用本实施方式的保持构件100的制造方法所得的保持构件100,能够用简单的构成高精度地进行半导体封装S的边缘检测。
另外,所述树脂填充步骤S12利用分配器D喷出所述树脂R,向所述槽112中填充所述树脂R。
通过以所述方式构成,能够容易地制造保持构件100。即,通过利用树脂R的喷出精度相对较高的分配器D向槽112中填充树脂R,能够容易且高精度地向槽112中填充树脂R。
另外,本实施方式的保持构件100的制造方法还包括等离子体照射步骤S11,在所述树脂填充步骤S12之前,对所述树脂片材110进行等离子体照射。
通过以所述方式构成,能够容易地将树脂反射部120的表面形成得平坦。即,通过提升树脂片材110(尤其是槽112)的润湿性,能够使槽112中填充的树脂R的表面平坦,进而能够使通过使树脂R硬化形成的树脂反射部120的表面平坦。
另外,本实施方式的保持构件100的制造方法还包括树脂脱泡步骤S22,在所述树脂填充步骤S21之后,进行所述树脂R的脱泡。
通过以所述方式构成,能够容易地使树脂R(树脂反射部120)的表面形成得更加平坦。即,通过去除树脂R所含的空气(气泡),能够抑制因气泡导致的树脂R的表面的凹凸或变形。
另外,本实施方式的保持构件100的制造方法还包括平坦构件配置步骤S23,在所述树脂填充步骤S21之后,在所述树脂片材110的表面配置平坦构件F。
通过以所述方式构成,能够容易地使树脂R(树脂反射部120)的表面形成得更加平坦。即,通过在树脂片材110的表面配置平坦构件F,能够将槽112中填充的树脂R的表面形成得平坦。
另外,本实施方式的保持构件100的制造方法,在所述树脂硬化步骤S24中,在所述平坦构件F对所述槽112中填充的所述树脂R施加压力的状态下使所述树脂R硬化。
通过以所述方式构成,能够容易地使树脂R(树脂反射部120)的表面形成得更加平坦。即,能够抑制树脂R的表面伴随硬化而引起的变形。
另外,在所述树脂填充步骤21中,也向多个所述吸附孔111中填充所述树脂R,且实施方式的保持构件100的制造方法还包括:平坦构件卸除步骤S25,在所述树脂硬化步骤S24之后,从所述树脂片材110的表面卸除所述平坦构件F;及树脂去除步骤S26,在所述平坦构件卸除步骤S25之后,去除附着在所述树脂片材110的所述槽112以外的所述树脂R。
通过以所述方式构成,能够获得去除了无用的树脂R的保持构件100。即,配置在槽112的树脂R(树脂反射部120)以外的树脂R对于提升半导体封装S的边缘检测的精度而言是无用的,通过去除所述树脂R,能够抑制因残留无用的树脂R导致产生不良情况(例如阻碍半导体封装S的吸附等)。
另外,本实施方式的保持构件100的制造方法还包括二次硬化步骤S27,在所述树脂硬化步骤S24之后,使所述树脂R进一步硬化。
通过以所述方式构成,能够抑制保持构件100的变形。即,通过分多次使树脂R硬化,能够抑制保持构件100的变形(翘曲等)。
另外,所述树脂填充步骤21中,也向多个所述吸附孔111中填充所述树脂R,且本实施方式的保持构件100的制造方法还包括:平坦构件卸除步骤S25,在所述树脂硬化步骤S24之后,从所述树脂片材110的表面卸除所述平坦构件F;树脂去除步骤S26,在所述平坦构件卸除步骤S25之后,去除附着在所述树脂片材110的所述槽112以外的所述树脂R;及二次硬化步骤S27,在所述树脂去除步骤S26后,使所述树脂R进一步硬化。
通过以所述方式构成,能够容易地去除无用的树脂R。即,能够在使树脂R硬化的中途(树脂硬化步骤S24之后且二次硬化步骤S27之前)去除树脂R,因此能够容易地去除树脂R。
此外,本实施方式的半导体封装S是本发明的保持对象物的一个实施方式。
另外,本实施方式的树脂片材110是本发明的保持部的一个实施方式。
另外,本实施方式的树脂反射部120是本发明的反射部的一个实施方式。
另外,本实施方式的切断模块A是本发明的切断机构的一个实施方式。
另外,本实施方式的检查模块B是本发明的检查机构的一个实施方式。
另外,本实施方式的封装基板P是本发明的切断对象物的一个实施方式。
以上,对本发明的一实施方式进行了说明,但本发明并不限定于所述实施方式,能够在权利要求的范围所记载的发明的技术思想的范围内适当变更。
例如,本实施方式中例示的切断装置1的构成为一例,具体构成可以适当变更。
例如,在本实施方式中,切断模块A及检查模块B各自包括控制部(控制部8及控制部16),但本发明并不限于此,可以将各控制部汇总为一个控制部,或分割成三个以上控制部。另外,本实施方式的切断装置1为包括两个切断台5的双切割台构成,但本发明并不限于此,也可以仅包括一个切断台5。另外,本实施方式的切断装置1为包括两个主轴6的双主轴构成,但本发明并不限于此,也可以仅包括一个主轴6。
另外,在本实施方式中,设为将保持构件100设置在检查台11的构成,本发明并不限于此,可以将保持构件100设置在搬送部7,也可以在检查台11及搬送部7双方设置保持构件100。切断装置1也可以是仅包括与设置保持构件100的搬送部7对应的第一光学检查相机12、或与设置保持构件100的检查台11对应的第二光学检查相机13中的任一个的构成。
另外,在本实施方式中,树脂反射部120与树脂片材110相比具有更高的反射率,但并非一定要全波长的光的反射率均更高。即,保持构件100是用于利用相机(在本实施方式中为第二光学检查相机13)进行的光学检查,所以至少对与所述相机的特性(可获取的波长信息)相应的波长的光,树脂反射部120与树脂片材110相比具有更高的反射率即可。
另外,反射率是对用于检查的光源的反射率,作为光源,可以使用单一光源,可以使用出射光(照明光)的波长区域相同的多个光源,也可以使用出射光(照明光)的波长区域不同的多个光源。另外,反射率基于利用相机进行的检测,但利用相机进行的检测可以是单一或多个光源的全波长区域中的检测,可以是多个光源中的一部分光源的波长区域中的检测,也可以是单一光源的一部分波长区域的检测。
另外,本实施方式的保持构件100的制造方法是一例,步骤的顺序及具体内容可以任意变更。
例如,在本实施方式中,例示在二次硬化步骤S27之前进行平坦构件卸除步骤S25及树脂去除步骤S26,也可以在二次硬化步骤S27之后进行平坦构件卸除步骤S25及树脂去除步骤S26。具体来说,可以设为树脂硬化步骤S24、平坦构件卸除步骤S25、树脂去除步骤S26、二次硬化步骤S27的顺序、树脂硬化步骤S24、平坦构件卸除步骤S25、二次硬化步骤S27、树脂去除步骤S26的顺序、或树脂硬化步骤S24、二次硬化步骤S27、平坦构件卸除步骤S25、树脂去除步骤S26的顺序。
另外,也可以在实施例1(参照图4)中与实施例2(参照图6)同样地进行树脂脱泡步骤S22、平坦构件配置步骤S23、平坦构件卸除步骤S25、树脂去除步骤S26、二次硬化步骤S27。在此情况下,步骤的顺序及具体内容也可以任意变更。
另外,在本实施方式中,在制造保持构件100的情况下,分两次(树脂硬化步骤S24及二次硬化步骤S27)使树脂R硬化,但本发明并不限于此。例如,也可以仅通过树脂硬化步骤S24(即仅用一个步骤)使树脂R最终硬化。由此,能够实现保持构件100的制造步骤的简化。在此情况下,可用60℃的烘箱加热五小时等,适当调整加热温度及加热时间,以使树脂R能够在树脂硬化步骤S24中充分硬化。另外,在此情况下,不需要二次硬化步骤S27,因此通过在树脂硬化步骤S24之后进行平坦构件卸除步骤S25及树脂去除步骤S26,结束保持构件100的制造。
另外,在本实施方式中,作为压抵于树脂R的平坦构件F,使用镜面片材,但本发明并不限于此。即,只要在使树脂R硬化之后(保持构件100制造结束的时点)能够获得具有平坦表面的树脂反射部120,平坦构件F并无限定。例如,平坦构件F也可以不具有镜面。另外,平坦构件F并不限于片状。

Claims (14)

1.一种保持构件,其保持多个保持对象物,用于光学检查,包括:
保持部,设置有吸附保持所述保持对象物的多个吸附孔、及配置在多个所述吸附孔之间的槽;以及
反射部,设置在所述槽,反射率比所述保持部高,
其中所述反射部具有平坦的表面。
2.根据权利要求1所述的保持构件,其中
所述表面在相对于所述槽的深度方向平行切断的剖视观察时,高低差为50μm以下。
3.一种检查机构,其对由根据权利要求1或2所述的保持构件所保持的所述保持对象物进行检查。
4.一种切断装置,包括:
切断机构,将切断对象物切断,获得多个所述保持对象物;及
根据权利要求3所述的检查机构,
其中利用所述检查机构,对利用所述切断机构所获得的所述保持对象物进行检查。
5.一种保持对象物的制造方法,其使用根据权利要求4所述的切断装置制造所述保持对象物。
6.一种保持构件的制造方法,所述保持构件保持多个保持对象物,用于光学检查,所述保持构件的制造方法包括:
树脂填充步骤,对于设置有槽的保持部,向所述槽中填充树脂,所述槽配置在吸附保持所述保持对象物的多个吸附孔之间;及
树脂硬化步骤,使所述树脂硬化。
7.根据权利要求6所述的保持构件的制造方法,其中
所述树脂填充步骤利用分配器喷出所述树脂,向所述槽中填充所述树脂。
8.根据权利要求7所述的保持构件的制造方法,
还包括等离子体照射步骤,在所述树脂填充步骤前,对所述保持部进行等离子体照射。
9.根据权利要求6所述的保持构件的制造方法,
还包括树脂脱泡步骤,在所述树脂填充步骤后,进行所述树脂的脱泡。
10.根据权利要求6所述的保持构件的制造方法,
还包括平坦构件配置步骤,在所述树脂填充步骤后,在所述保持部的表面配置平坦构件。
11.根据权利要求10所述的保持构件的制造方法,其中
在所述树脂硬化步骤中,在利用所述平坦构件对填充在所述槽中的所述树脂施加压力的状态下使所述树脂硬化。
12.根据权利要求10或11任一项所述的保持构件的制造方法,其中
在所述树脂填充步骤中,也向多个所述吸附孔中填充所述树脂,且
所述保持构件的制造方法还包括:
平坦构件卸除步骤,在所述树脂硬化步骤后,从所述保持部的表面卸除所述平坦构件;及
树脂去除步骤,在所述平坦构件卸除步骤后,去除附着在所述保持部的所述槽以外的所述树脂。
13.根据权利要求6至权利要求11中任一项所述的保持构件的制造方法,
还包括二次硬化步骤,在所述树脂硬化步骤后,使所述树脂进一步硬化。
14.根据权利要求10或11所述的保持构件的制造方法,其中
在所述树脂填充步骤中,也向多个所述吸附孔中填充所述树脂,且
所述保持构件的制造方法还包括:
平坦构件卸除步骤,在所述树脂硬化步骤后,从所述保持部的表面卸除所述平坦构件;
树脂去除步骤,在所述平坦构件卸除步骤后,去除附着在所述保持部的所述槽以外的所述树脂;及
二次硬化步骤,在所述树脂去除步骤后,使所述树脂进一步硬化。
CN202010271789.XA 2019-05-24 2020-04-08 保持构件及制法、检查机构、切断装置、保持对象物制法 Active CN111981976B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019098125A JP6952737B2 (ja) 2019-05-24 2019-05-24 保持部材、検査機構、切断装置、保持対象物の製造方法及び保持部材の製造方法
JP2019-098125 2019-05-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111981976A true CN111981976A (zh) 2020-11-24
CN111981976B CN111981976B (zh) 2022-08-02

Family

ID=73442060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010271789.XA Active CN111981976B (zh) 2019-05-24 2020-04-08 保持构件及制法、检查机构、切断装置、保持对象物制法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6952737B2 (zh)
KR (1) KR20200135163A (zh)
CN (1) CN111981976B (zh)
TW (1) TWI737266B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112873391A (zh) * 2021-01-07 2021-06-01 苏州艾科瑞思智能装备股份有限公司 一种应用于电子器件的切割分选机

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023047750A (ja) * 2021-09-27 2023-04-06 Towa株式会社 半導体装置およびその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000121966A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Seiko Epson Corp マイクロマシン及びマイクロマシンの製造方法及び空間光変調装置及び空間光変調装置の製造方法
KR20010033046A (ko) * 1998-10-13 2001-04-25 야스카와 히데아키 마이크로머신 및 그 제조방법
CN109509708A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 东和株式会社 保持构件及其制造方法、保持机构以及制品的制造装置
CN109585352A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 东和株式会社 保持构件、保持构件的制造方法、检查装置及切断装置
CN109716503A (zh) * 2016-11-04 2019-05-03 东和株式会社 保持装置、检查装置、检查方法、树脂封装装置、树脂封装方法及树脂封装品的制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697215A (ja) * 1992-09-11 1994-04-08 Hitachi Ltd 小物品群付貼着シートおよびそれが使用される小物品のピックアップ方法
JP3321503B2 (ja) 1994-12-28 2002-09-03 太陽誘電株式会社 電子部品の外観検査装置
US7314402B2 (en) * 2001-11-15 2008-01-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for controlling slurry distribution
JP2003340666A (ja) * 2002-05-27 2003-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 吸着テーブルとこれを用いた処理装置
JP2004354157A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Fuji Photo Film Co Ltd 光計測装置及び光計測方法
CN101021490B (zh) * 2007-03-12 2012-11-14 3i系统公司 平面基板自动检测系统及方法
JP5769572B2 (ja) * 2011-03-30 2015-08-26 株式会社Screenホールディングス 基板検査装置および基板検査方法
CN107024487B (zh) * 2016-03-10 2023-08-29 上海帆声图像科技有限公司 Ito导电玻璃检测系统及其检测方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000121966A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Seiko Epson Corp マイクロマシン及びマイクロマシンの製造方法及び空間光変調装置及び空間光変調装置の製造方法
KR20010033046A (ko) * 1998-10-13 2001-04-25 야스카와 히데아키 마이크로머신 및 그 제조방법
CN109716503A (zh) * 2016-11-04 2019-05-03 东和株式会社 保持装置、检查装置、检查方法、树脂封装装置、树脂封装方法及树脂封装品的制造方法
CN109509708A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 东和株式会社 保持构件及其制造方法、保持机构以及制品的制造装置
CN109585352A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 东和株式会社 保持构件、保持构件的制造方法、检查装置及切断装置
JP2019066188A (ja) * 2017-09-28 2019-04-25 Towa株式会社 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112873391A (zh) * 2021-01-07 2021-06-01 苏州艾科瑞思智能装备股份有限公司 一种应用于电子器件的切割分选机

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020193830A (ja) 2020-12-03
TW202113306A (zh) 2021-04-01
JP6952737B2 (ja) 2021-10-20
TWI737266B (zh) 2021-08-21
KR20200135163A (ko) 2020-12-02
CN111981976B (zh) 2022-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106920762B (zh) 半导体制造装置、半导体器件的制造方法及芯片贴装机
KR101739199B1 (ko) 워크 흡착판, 워크 절단 장치, 워크 절단 방법 및 워크 흡착판의 제조 방법
CN111981976B (zh) 保持构件及制法、检查机构、切断装置、保持对象物制法
JP6886379B2 (ja) 保持部材、保持部材の製造方法、検査装置及び切断装置
CN105551930A (zh) 半导体装置的制造方法以及制造装置
JP5899485B2 (ja) 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
KR20150112799A (ko) 검사용 지그, 절단 장치 및 절단 방법
KR20190031130A (ko) 보유 지지 부재, 보유 지지 부재의 제조 방법, 보유 지지 기구 및 제품의 제조 장치
KR20220054559A (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5413404B2 (ja) Ledパッケージ製造システムおよびledパッケージ製造システムにおける樹脂塗布方法
JP2013065644A (ja) 発光素子の製造システムおよび製造方法ならびに発光素子パッケージの製造システムおよび製造方法
JP5413405B2 (ja) 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
JP6968949B2 (ja) 保持部材の製造方法
JP2021021592A (ja) 検査システム、検査方法、切断装置、及び樹脂成形装置
JP7482824B2 (ja) 樹脂成形装置、及び、樹脂成形品の製造方法
JP2014236136A (ja) Ledパッケージ製造システムにおける樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
JP2014075546A (ja) 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
US20220059377A1 (en) Inspection device, resin molding apparatus, and method of manufacturing resin molded product
JP7028650B2 (ja) 剥離装置
JP2017067868A (ja) 表示装置用部材の検査装置、検査方法及び製造装置
JP2004179460A (ja) 真空吐出成形装置及び真空吐出成形方法
CN117476502A (zh) 安装装置及半导体器件的制造方法
JP5768217B2 (ja) 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
TW202312255A (zh) 校正方法、及電子零件的製造方法
JP2013172052A (ja) 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant