JP2023047750A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リードフレームにおける凹部の底面にバリが発生することを抑制可能な半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】半導体装置の製造方法は、凹部５が形成されたリードフレーム１に半導体チップ６がボンディングされた状態で、半導体チップ６を樹脂材９により封止する樹脂封止工程と、凹部５に向かってレーザ光を照射し、凹部５内に樹脂材９の一部９ｃが残留するようにレーザ光により凹部５内の樹脂材９を除去するレーザ光照射工程と、リードフレーム１のうちの凹部５の底面４ｖを、凹部５内の樹脂材９の一部９ｃとともに切断する切断工程と、を含む。【選択図】図７

Description

本明細書は、半導体装置およびその製造方法に関する。

特許文献１（特開２０１９－１０２７５７号公報）に開示されているように、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）パッケージ基板を分割することにより、ＱＦＮタイプの半導体装置が作製される。分割によって半導体装置の端面には、複数の微細な電極が露出する。特許文献１（段落［０００３］）は、これらの電極にバリが発生した場合、電極同士が繋がってしまったり（短絡）、半導体装置をマザー基板に設置する際にうまく半導体装置を基板上に載置出来なくなったりする可能性がある旨を開示している。

特許文献２（特開２０１１－０７７２７８号公報）に開示された半導体装置においては、リードフレームのリード部におけるチップ搭載面側とは反対側の部分に、凹部（凹状部）が形成されている。特許文献１（段落［００６２］、［００６３］等）は、凹部にレーザ光を照射することによって凹部に充填された樹脂材を除去し、これにより、凹部における下面側（チップ搭載面とは反対側）の部分を被覆するメッキ膜を外部に露出させ、その後、ブレードを用いて凹部に沿ってパッケージを分割することにより、半導体装置が得られる旨を開示している。

特開２０１９－１０２７５７号公報 特開２０１１－０７７２７８号公報

リードフレームに設けた凹部にレーザ光を照射し、凹部に充填された樹脂材をすべて除去したとする。この場合、ブレードを用いて凹部に沿ってパッケージを分割した際に、リードフレームにおける凹部の底面（凹部を形成していた部分の端面）に、バリが発生しやすくなる。リードフレ－ムは、銅から構成される場合が多く、一般的な金属材質の中で銅は比較的に柔らかい性質を有する。銅から構成されるリードフレームにおいて、バリの高さはばらつきやすい。ＱＦＮなど、端子側面を露出する半導体装置において、端子部の端面に種々の高さを有するバリが発生すると、バリの高さに応じて、個体ごとに実装高さおよび平坦度等がばらついてしまったり、実装強度が低下したりする可能性がある。

本明細書は、リードフレームにおける凹部の底面にバリが発生することを抑制可能な構成を備えた半導体装置およびその製造方法を開示することを目的とする。

本開示に基づく半導体装置の製造方法は、凹部が形成されたリードフレームに半導体チップがボンディングされた状態で、上記半導体チップを樹脂材により封止する樹脂封止工程と、上記凹部に向かってレーザ光を照射し、上記凹部内に上記樹脂材の一部が残留するように上記レーザ光により上記凹部内の上記樹脂材を除去するレーザ光照射工程と、上記リードフレームのうちの上記凹部の底面を、上記凹部内の上記樹脂材の上記一部とともに切断する切断工程と、を含む。

本開示に基づく半導体装置は、凹部が形成されたリードフレームと、上記リードフレームにボンディングされ、樹脂材によって樹脂封止された半導体チップと、を備え、上記リードフレームのうちの上記凹部の底面が切断されることで作製された、半導体装置であって、上記リードフレームにおける上記凹部の上記底面と、上記凹部内の上記樹脂材とが、上記リードフレームの高さ方向において相互に重なっている。

上記構成によれば、リードフレームにおける凹部の底面にバリが発生することを抑制可能な構成を備えた半導体装置およびその製造方法を得ることができる。

準備工程において準備されるリードフレームと、複数の半導体チップとを示す平面図である。 図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿った矢視断面図であり、凹部が形成されたリードフレーム（ダイパッド）上に半導体チップがボンディングされた状態を示している。 樹脂封止工程が行なわれた状態を示す断面図である。 レーザ光照射工程を行なう前に保護フィルムが除去された状態を示す断面図である。 レーザ光照射工程を行なっている様子を示す断面図である。 メッキ工程が行なわれた後の様子を示す断面図である。 切断工程を行なっている様子を示す断面図である。 実施の形態の製造方法によって得られた半導体装置を示す斜視図である。 実施の形態の製造方法によって得られた半導体装置の端面を拡大して示す斜視図である。 実施の形態の製造方法によって得られた半導体装置が実装されている様子を示す断面図である。 比較例における半導体装置の製造方法において、メッキ工程が行なわれた後の様子を示す断面図である。 比較例における半導体装置の製造方法において、切断工程を行なっている様子を示す断面図である。 別の比較例における半導体装置の製造方法によって得られた半導体装置が実装されている様子を示す断面図である。 実施の形態の変形例における半導体装置の製造方法において、レーザ光照射工程を行なっている様子を示す断面図である。 実施の形態に関して行った実験例の条件を説明するための断面図である。 実施の形態に関して行った実験例の結果を示す表である。

実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。以下の説明において同一の部品および相当部品には同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。実施の形態の半導体装置の製造方法は、準備工程、樹脂封止工程、レーザ光照射工程、メッキ工程、および切断工程を含む。以下、これらについて順に説明する。

（準備工程）
図１は、準備工程において準備されるリードフレーム１と、複数の半導体チップ６とを示す平面図である。リードフレーム１は、銅などの金属により平板状に形成されており、表面１ａおよび裏面１ｂを有している。図１は、表面１ａの側から視たリードフレーム１の平面図を示している。

リードフレーム１は、行列状に配列された複数のダイパッド２と、各ダイパッド２の周囲（四方）に配置された複数のリード３と、各ダイパッド２の四方に配置された複数のリード３を連結しつつ取り囲むタイバー４とを含む。リードフレーム１（ダイパッド２）の表面１ａの側にチップ搭載面が設けられ、リードフレーム１（タイバー４）の裏面１ｂの側に後述する凹部５が設けられている。図１には、各ダイパッド２上に半導体チップ６が配置されている状態が示されている。

タイバー４は、リードフレーム１において格子状に形成されている。リードフレーム１には、タイバー４に沿って延びる凹部５が予め形成されている。凹部５は、リードフレーム１の高さ方向（図２に示す矢印ＡＲ方向）に、裏面１ｂから表面１ａに向かって凹むように形成されている。凹部５は、リードフレーム１の裏面１ｂにおいて溝状に延在しており、凹部５の延在方向に対して直交する方向において、凹部５は幅寸法Ｗ１（図１，図２）を有している。幅寸法Ｗ１は、例えば０．４０ｍｍ～０．５０ｍｍである。

凹部５は、裏面１ｂの側から表面１ａの側にリードフレーム１を貫通するものではなく、例えば、リードフレーム１の厚みの半分の高さ（ここでは、深さと同義）を有し、リードフレーム１をエッチング（ウェットエッチング）することによって形成可能である。凹部５の幅寸法Ｗ１及び高さ寸法は、後工程で変形等の不具合が生じない程度の強度を確保すること、後工程で良好な外観検査が行えること、完成品である半導体装置の良好な実装強度などを考慮し、最適な値に設定される。

図２は、図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿った矢視断面図であり、凹部５が形成されたリードフレーム１（ダイパッド２）上に半導体チップ６がボンディングされた状態を示している。図２に示すように、各半導体チップ６に設けられた複数の電極は、ボンディングワイヤ７を介してリード３（図１）に電気的に接続される。なお便宜上、図１にはボンディングワイヤ７を図示していない。

（樹脂封止工程）
図３は、樹脂封止工程が行なわれた状態を示す断面図である。樹脂封止工程においては、半導体チップ６がリードフレーム１にボンディングされた状態で、半導体チップ６を樹脂材９によりリードフレーム１上に封止する。図２および図３に示すように、樹脂封止工程の前に、リードフレーム１の凹部５側に保護フィルム８（例えばポリイミド樹脂テープ）を貼り付けて、保護フィルム８を貼り付けた上で樹脂封止を行なうとよい。

樹脂封止工程を実施することによって、凹部５の内側に樹脂材９（９ｂ）（図４参照）が充填される。リードフレーム１（タイバー４）のうち、凹部５を区画形成している部分４ｂの内壁面４ｗ（図４）および底面４ｖ（図４）が、樹脂材９（９ｂ）によって覆い隠される。ここで、タイバー４の内壁面４ｗは、たとえば、タイバー４の裏面１ｂから高さ方向ＡＲに延びる平面、または、タイバー４の裏面１ｂに対して直交する方向に延びる平面である。タイバー４の底面４ｖは、たとえば、タイバー４の裏面１ｂに対して平行に延びる平面、または、高さ方向ＡＲに対して直交する方向に延びる平面である。底面４ｖと、底面４ｖの両外側に設けられた一対の内壁面４ｗとにより、空間としての凹部５が区画形成されている。

図４に示すように、次述するレーザ光照射工程を行なう前に、保護フィルム８がリードフレーム１の裏面１ｂから剥がされる。保護フィルム８の除去により、リードフレーム１の裏面１ｂと、リードフレーム１の凹部５内に形成されている樹脂材９（９ｂ）とが露出する。

（レーザ光照射工程）
図５に示すように、レーザ光照射工程においては、凹部５内の樹脂材９にレーザ光Ｌ２を照射する。レーザ光Ｌ２としては、パルスレーザとして、レーザ光発振装置にＹＡＧレーザやＹＶＯ４レーザ又はこれらから発せられたレーザ光を第２高調波発生（ＳＨＧ：Second Harmonic Generation）材料により波長変換するグリーンレーザを利用可能である。また、走査光学系により走査することにより、レーザ光Ｌ２の照射領域を変化させることができる。

レーザ光Ｌ２の照射を続けることによって、樹脂材９（９ｂ）が除去され、これに伴って、タイバー４（凹部５を形成している部分４ｂ）の内壁面４ｗが露出する。凹部５を形成している内壁面４ｗの高さ寸法Ｈ１に対して、所定の高さ寸法Ｈ２の分の樹脂材９が除去される。ここでは、凹部５内の樹脂材９（９ｂ）の全部を除去することは行なわず、凹部５内に樹脂材９（９ｂ）のうちの一部９ｃが残留するように、レーザ光Ｌ２によって凹部５内の樹脂材９を除去する。樹脂材９の材質や樹脂材９のサイズ（凹部５の幅寸法Ｗ１等）に応じて、樹脂材９を所望の程度に残留させられるように、レーザ光Ｌ２の波長、出力、レーザ径、照射時間などが最適化される。

（メッキ工程）
図６に示すように、樹脂材９の一部９ｃが凹部５の内側に残留するようなかたちで凹部５内の樹脂材９を除去した後、すなわちレーザ光照射工程の後に、リードフレーム１にメッキ処理を行なう。これによって、リードフレーム１のダイパッド２（図示せず）の裏面１ｂ、リードフレーム１のタイバー４の裏面１ｂ、および内壁面４ｗに、メッキ層１０が形成される。

メッキ層１０の材料としては、実装に用いられるはんだ材料に応じて、はんだ濡れ性が良好な材料を選定することができる。例えば、Ｓｎ（錫）系のはんだを用いる場合には、錫（Ｓｎ）、錫－銅合金（Ｓｎ－Ｃｕ）、錫－銀合金（Ｓｎ－Ａｇ）、錫－ビスマス（Ｓｎ－Ｂｉ）などを用いることができ、リードフレーム１側の下地にＮｉを用いた積層体のメッキ層１０とすることもできる。メッキ工程においては、リードフレーム１に所定の洗浄処理を行なってからメッキ処理を行なうとよい。メッキ工程の前処理のリードフレーム１の表面処理として、洗浄処理に加え、酸化膜の除去、表面活性化などのための処理を行なってもよい。

（切断工程）
図７に示すように、リードフレーム１にメッキ処理を行なった後、リードフレーム１（タイバー４）のうちの凹部５の底面４ｖ（凹部５を形成している部分４ｂ）を、凹部５内の樹脂材９の一部９ｃとともに切断する。この切断工程では、ブレード１２を用いて、樹脂材９の一部９ｃ、リードフレーム１（タイバー４）の部分４ｂ、および、リードフレーム１よりも表面９ａの側に位置する樹脂材９を切断する。ブレード１２の幅寸法Ｗ２は、凹部５の幅寸法Ｗ１（図１，図２，図５）よりも小さい値である。

切断工程の実施により、複数の半導体装置１１が得られる。半導体装置１１における切断によって形成された端面には、樹脂端面９ｔ，９ｓおよび金属端面４ｔが露出している。樹脂端面９ｔは、樹脂材９の一部９ｃを切断することによって形成されており、樹脂端面９ｓは、リードフレーム１よりも表面９ａの側に位置する樹脂材９を切断することによって形成されている。金属端面４ｔは、リードフレーム１（タイバー４）の底面４ｖ（凹部５を形成している部分４ｂ）を切断することによって形成されている。

図８は、実施の形態の製造方法によって得られた半導体装置１１を示す斜視図であり、図９は、半導体装置１１を拡大して示す斜視図である。図８および図９に示すように、半導体装置１１は、平面視した場合に製品の外部に電気的接続用のリードが突出していないＱＦＮタイプのノンリード型の製品である。凹部５（図７参照）の内側、すなわち内壁面４ｗと底面４ｖとの間の角部の上には、樹脂材９の一部９ｃが残留したままとなっている。

図１０に示すように、半導体装置１１においては、各リード３の側部（片部）に段差が形成されており、リード３の金属端面４ｔにおいては、メッキ層１０が形成されておらず元の金属が露出している。半導体装置１１は例えば、リード３の側を下にして、プリント基板に実装される。プリント基板には、リード３に対応する位置にランド１３が形成されており、はんだ１４を介してリード３とランド１３とが電気的に接続される。

半導体装置１１においては、リード３の側部（片部）に形成された段差に、はんだ１４のフィレットが形成されており、このフィレットの形状の状態に基づいて、はんだ接続が適切になされているかどうかを容易に判断することが可能である。

（作用及び効果）
以下、上述の実施の形態から得られる作用および効果について、図１１、図１２に示す比較例と対比しながら説明する。図１１は、比較例における半導体装置の製造方法において、メッキ工程が行なわれた後の様子を示す断面図である。

図１１に示すように比較例の場合、リードフレーム１に設けた凹部５にレーザ光を照射することにより、凹部５に充填されていた樹脂材９（図１１において不図示）のすべてが除去され、その後、リードフレーム１に対してメッキ層１０が形成されている。

図１１に示す状態において切断工程を実施した場合、リードフレーム１（タイバー４）の部分４ｂ（凹部５の底面４ｖ）と、リードフレーム１よりも表面９ａの側に位置する樹脂材９とが切断される。この際、タイバー４の部分４ｂの裏面１ｂの側（図１１紙面内において、タイバー４の部分４ｂ（底面４ｖ）の上側）には、実施の形態の場合とは異なり、樹脂（樹脂材９の一部９ｃ）が存在していない。

図１２に示すように、ブレード１２による切断を実施する際、タイバー４の部分４ｂのうち、ブレード１２の切断によって形成される端面上に、バリ１９の発生に対して抵抗となり得るものが何も存在していない。比較例の場合、実施の形態の場合に比べて、切断工程によってバリ１９が発生しやすく、したがって図１２に示すように、比較例の製造方法で作製された半導体装置１１ｙにおいては、バリ１９がリードフレーム１の高さ方向ＡＲに延びて形成されている。冒頭でも述べたとおり、金属端面４ｔに種々の高さを有するバリ１９が発生すると、バリ１９の高さに応じて、実装高さおよび平坦度などがばらついてしまったり、実装強度が低下したりする可能性がある。

これに対して上述の実施の形態の場合には、ブレード１２（図７参照）による切断を実施する際、タイバー４の部分４ｂのうち、ブレード１２の切断によって形成される端面（図８における金属端面４ｔとなる部分）上に、樹脂材９の一部９ｃ、あるいは樹脂材９の樹脂端面９ｔが存在している。樹脂材９の一部９ｃの存在は、バリ１９の発生に対して抵抗となり得るため、比較例の場合に比べて、バリ１９の発生を効果的に抑制することができ、実装高さおよび平坦度などがばらついてしまったり、実装強度が低下したりすることを、比較例の場合に比べて防止することが可能となっている。

好適な一例としては（図７参照）、リードフレーム１が切断工程において切断された状態で、リードフレーム１（タイバー４）における凹部５の底面４ｖと、凹部５内の樹脂材９の一部９ｂとが、リードフレーム１の高さ方向ＡＲにおいて相互に重なっていることが好ましい。樹脂材９の一部９ｃが、金属端面４ｔに可能な限り近くに存在するように構成されている（凹部５の内側で残留している）ことにより、樹脂材９の一部９ｃがバリ１９の発生に対してより効果的に抵抗となり得る。

同様な観点では（図７参照）、リードフレーム１が切断工程において切断された状態で、リードフレーム１（タイバー４）における凹部５を形成している部分４ｂの金属端面４ｔと、樹脂材９の一部９ｃに形成された樹脂端面９ｔとが、面一の関係を有していることも、バリ１９の発生を抑制するという観点で有効である。樹脂材９の一部９ｃの樹脂端面９ｔが、金属端面４ｔに可能な限り近くに存在するように構成されている（凹部５の内側で残留している）ことにより、樹脂材９の一部９ｃがバリ１９の発生に対してより効果的に抵抗となり得る。

図１３は、別の比較例における半導体装置の製造方法によって得られた半導体装置が実装されている様子を示す断面図である。この別の比較例においては、レーザ光照射工程が実施されておらず、凹部５の内側に重点された樹脂材９が全く除去されていない。このようにして作製された半導体装置１１ｚにおいては、凹部５の内側に、樹脂材９（９ｂ）が充填された状態のまま残留しており、切断工程においてバリの発生に対して樹脂材９（９ｂ）は抵抗となりえる。

しかしながら半導体装置１１ｚの場合、リード３の側部（片部）にほとんど段差が形成されておらず、はんだ１４のフィレットが形成されにくく、フィレットの形状の状態に基づいて、はんだ接続が適切になされているかどうかを判断することが容易ではない。この点に関しても、上述の実施の形態によれば（図１０参照）、リード３の側部（片部）に形成された段差にはんだ１４のフィレットが適切に形成されやすく、フィレットの状態に基づいて、はんだ接続が適切になされているかどうかを容易に判断することが可能である。

［実施の形態の変形例］
（変形例１）
上述の実施の形態においては、図２および図３に示したように、樹脂封止工程の前に、リードフレーム１の凹部５側に保護フィルム８（例えばポリイミド樹脂テープ）を貼り付けて、保護フィルム８を貼り付けた上で樹脂封止を行なっている。このような構成は必須ではない。例えば、樹脂封止工程の前にプレモールド（事前樹脂封止）されたリードフレームを用いて、保護フィルム８などのテープを貼り付けることなく、樹脂封止工程を実施することが可能である。

（変形例２）
上述の実施の形態においては、レーザ光照射工程の後にリードフレーム１にメッキ処理を行ない、メッキ層１０（図６）をリードフレーム１の裏面１ｂなどに形成する。このような構成も必須ではない。すなわち、リードフレーム１に半導体チップ６をボンディングする前の状態で、リードフレーム１に予めメッキ層が形成されたものを用いることも有効である。換言すると、樹脂封止工程では、メッキ処理が既に施されたリードフレーム１を用いてもよい。予めメッキ処理をしたリードフレーム１を用いる場合は、メッキの材質として、Ｓｎではなく、耐熱温度が高いＰｄ（Ｐｄ－ＰＰＦ）を用いるとよい。

図１４は、実施の形態の変形例における半導体装置の製造方法において、レーザ光照射工程を行なっている様子を示す断面図である。リードフレーム１に予めメッキ層１０ａ（図１４）が形成されたものを用いた場合には、図１４に示すようなレーザ光照射工程を実施した後に、リードフレーム１に、メッキ処理を行なうことは必須ではなくなる。なお、リードフレーム１に予めメッキ層１０ａが形成されている場合であっても、レーザ光照射工程において凹部５内に樹脂材９の一部９ｃが残留しているので、レーザ光の照射によるメッキ層１０ａの破損を抑制できる。

図１４に示すように、樹脂材９の一部９ｃが残留するようにレーザ光照射工程を実施した後、そのまま切断工程へと移行することが可能になる。メッキ用の設備にパッケージを移送してメッキ処理を行ない、そこから切断装置にパッケージを移送するという工数の分、製造に要する時間を短縮することが可能となり、あるいはメッキ処理以外の製造に要する必要な設備を連続して配置することが可能となり、ひいては生産性を向上させることが可能となる。

［実験例］
図１５は、実施の形態に関して行った実験例の条件を説明するための断面図である。図１６は、この実験例の結果を示す表である。図１５に示すように、リードフレーム１には、高さ方向ＡＲに凹む凹部５が形成されており、凹部５（ここでは内壁面４ｗと同義）は、高さ方向ＡＲにおいて高さ寸法Ｈ１を有している。

リードフレーム１が切断工程において切断された状態では、凹部５内に残存している樹脂材９の一部９ｃは、切断によって露出した樹脂端面９ｔを有している。高さ方向ＡＲにおいて、樹脂材９の一部９ｃ（凹部５内に残存している樹脂材）の樹脂端面９ｔは、高さ寸法Ｈ３を有しており、幅方向において、樹脂材９の一部９ｃ（凹部５内に残存している樹脂材）は、幅寸法Ｗ３を有している。

凹部５の高さ寸法Ｈ１と、凹部５内に残存している樹脂材の樹脂端面９ｔの高さ寸法Ｈ３と、凹部５内に残存している樹脂材の幅寸法Ｗ３との関係が、バリの発生にどのように影響するかを実験により検証したところ、図１６に示すような結果が得られた。バリの発生の程度が一番小さかった場合を評価Ａとし、バリの発生の程度が大きくなるにつれて、評価Ｂ、評価Ｃ、評価Ｄを付与した。なお、ここでは、凹部５の幅寸法Ｗ１（図５参照）は４４０μｍとし、凹部５の高さ寸法Ｈ１は、１００μｍとした。

図１６に示すように、凹部５内に残存している樹脂材の高さ寸法Ｈ３が８０μｍになるように設定し、凹部５内に残存している樹脂材の幅寸法Ｗ３がそれぞれ０μｍ、１０μｍ、２０μｍになるように設定した場合には、評価Ｄ、Ｂ、Ａがそれぞれ得られた。なお、凹部５内に残存している樹脂材の幅寸法Ｗ３が０μｍである場合とは、凹部５内の樹脂材を全部除去していることと同義である。

図１６に示すように、凹部５内に残存している樹脂材の高さ寸法Ｈ３が５０μｍになるように設定し、凹部５内に残存している樹脂材の幅寸法Ｗ３がそれぞれ０μｍ、１０μｍ、２０μｍになるように設定した場合には、評価Ｄ、Ｃ、Ｃがそれぞれ得られた。

図１６に示すように、凹部５内に残存している樹脂材の高さ寸法Ｈ３を０μｍになるように設定した場合、つまり凹部５内の樹脂がすべて除去された状態では、評価Ｄが得られた。

図１６に示す実験結果によれば、凹部５内に残存している樹脂材の幅寸法Ｗ３は、０μｍ（すなわち、凹部５内に樹脂が残存していない）の場合に比べて、１０μｍの場合の方がバリの発生を抑制でき、２０μｍの場合にはさらにバリの発生を抑制できることがわかる。凹部５内に残存している樹脂材の幅寸法Ｗ３が小さいと、ダイシング時にブレードが内壁面４ｗ上のメッキ層１０に接触し、メッキ伸びが発生することが考えられる。この観点からは、凹部５内に残存している樹脂材の幅寸法Ｗ３は、ある程度の大きさで確保しておくことが好ましいといえる。

図１６に示す実験結果によれば、凹部５内に残存している樹脂材の樹脂端面９ｔの高さ寸法Ｈ３に着目した場合には、すなわち、リードフレーム１が切断工程において切断された状態では、凹部５内の樹脂材９の一部９ｂは、切断によって形成された樹脂端面９ｔを有しており、高さ方向ＡＲにおける凹部５の高さ寸法Ｈ１（１００μｍ）に対し、高さ方向ＡＲにおける樹脂端面９ｔの高さ寸法Ｈ３が５０μｍ以上８０μｍ以下の大きさである場合に、評価Ｃ以上を得ることができる。凹部５の高さ寸法Ｈ１に対して樹脂端面９ｔの高さ寸法Ｈ３が５０％以上８０％以下の大きさであることが、バリの発生を抑制するという観点から好ましいといえる。

以上、実施の形態について説明したが、上記の開示内容はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ リードフレーム、１ａ，９ａ 表面、１ｂ 裏面、２ ダイパッド、３ リード、４ タイバー、４ｂ 部分、４ｔ 金属端面、４ｖ 底面、４ｗ 内壁面、５ 凹部、６ 半導体チップ、７ ボンディングワイヤ、８ 保護フィルム、９ 樹脂材、９ｂ，９ｃ 一部、９ｓ，９ｔ 樹脂端面、１０，１０ａ メッキ層、１１，１１ｙ，１１ｚ 半導体装置、１２ ブレード、１３ ランド、１４ はんだ、１９ バリ、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ 評価、ＡＲ 高さ方向、Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３ 高さ寸法、Ｌ２ レーザ光、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３ 幅寸法。

Claims (7)

1. 凹部が形成されたリードフレームに半導体チップがボンディングされた状態で、前記半導体チップを樹脂材により封止する樹脂封止工程と、
   前記凹部に向かってレーザ光を照射し、前記凹部内に前記樹脂材の一部が残留するように前記レーザ光により前記凹部内の前記樹脂材を除去するレーザ光照射工程と、
   前記リードフレームのうちの前記凹部の底面を、前記凹部内の前記樹脂材の前記一部とともに切断する切断工程と、を含む、
   半導体装置の製造方法。
2. 前記樹脂封止工程では、メッキ処理が施された前記リードフレームを用いる、
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記レーザ光照射工程の後に、前記リードフレームにメッキ処理を行なうメッキ工程をさらに含む、
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記リードフレームが前記切断工程において切断された状態では、前記リードフレームにおける前記凹部の前記底面と、前記凹部内の前記樹脂材の前記一部とが、前記リードフレームの高さ方向において相互に重なっている、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記リードフレームが前記切断工程において切断された状態では、
   前記凹部内の前記樹脂材の前記一部は、切断によって形成された樹脂端面を有しており、
   前記凹部の高さ寸法に対し、前記樹脂端面の高さ寸法は、５０％以上８０％以下の大きさである、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
6. 凹部が形成されたリードフレームと、
   前記リードフレームにボンディングされ、樹脂材によって樹脂封止された半導体チップと、
   を備え、前記リードフレームのうちの前記凹部の底面が切断されることで作製された、半導体装置であって、
   前記リードフレームにおける前記凹部の前記底面と、前記凹部内の前記樹脂材とが、前記リードフレームの高さ方向において相互に重なっている、
   半導体装置。
7. 前記凹部内の前記樹脂材は、切断によって形成された樹脂端面を有し、
   前記凹部の高さ寸法に対し、前記樹脂端面の高さ寸法は、５０％以上８０％以下の大きさである、
   請求項６に記載の半導体装置。

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