TWI737266B - 保持構件、檢查機構、切斷裝置、保持對象物的製造方法及保持構件的製造方法 - Google Patents

保持構件、檢查機構、切斷裝置、保持對象物的製造方法及保持構件的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種保持構件、檢查機構、切斷裝置、保持對象物的製造方法及保持構件的製造方法。保持構件能夠高精度地進行由多個吸附孔各自吸附保持的保持對象物的邊緣檢測。本發明的保持構件保持多個保持對象物用於光學檢查，包括：保持部，設置有吸附保持所述保持對象物的多個吸附孔、及配置在多個所述吸附孔之間的槽；以及反射部，設置在所述槽，反射率比所述保持部高；且所述反射部具有平坦的表面。

Description

保持構件、檢查機構、切斷裝置、保持對象物的製造方法及保持構件的製造方法
本發明關於一種將保持對象物加以保持用於光學檢查的保持構件、使用保持構件的檢查機構及切斷裝置、使用切斷裝置的保持對象物的製造方法、以及保持構件的製造方法的技術。
專利文獻1中公開了電子零件的外觀檢查裝置。所述電子零件的外觀檢查裝置檢測電子零件的被檢查部位的邊緣，基於所述邊緣的位置，測量被檢查部位的尺寸及判定其是否合格。所述電子零件的外觀檢查裝置的特徵在於包括：圖像輸入單元，從規定方向拍攝檢查零件；照明單元，能夠從與拍攝方向成銳角的至少兩個方向分別對檢查零件照射光；拍攝控制單元，根據利用照明單元產生的每個方向的光照射，使圖像輸入單元動作進行拍攝；及邊緣位置檢測單元，基於每個光照射獲得的圖像信號，檢測電極部的邊緣位置。
習知技術文獻
專利文獻1：日本專利特開平8-184410號公報
專利文獻1所公開的電子零件的外觀檢查裝置中，將照明器隔著相機的拍攝中心配置為左右對稱，從左側的照明器對檢查零件照射一方向的光，從右側的照明器對檢查零件照射另一方向的光。對來自兩個方向的照明所得的各圖像資料的亮度值進行比較，探索出因有無陰影及發色部而出現明暗差異的部分，檢測檢查零件的邊緣位置。然而，專利文獻1中，未記載用於由保持構件的多個吸附孔各自吸附保持的保持對象物的邊緣檢測。
本發明是鑒於如上狀況而成，其所要解決的問題是提供一種能夠高精度地進行由多個吸附孔各自吸附保持的保持對象物的邊緣檢測的保持構件、檢查機構、切斷裝置、保持對象物的製造方法及保持構件的製造方法。
本發明所要解決的問題如上所述，為了解決所述問題，本發明的保持構件保持多個保持對象物用於光學檢查，包括：保持部，設置有吸附保持所述保持對象物的多個吸附孔、及配置在多個所述吸附孔之間的槽；以及反射部，設置在所述槽，反射率比所述保持部高；且所述反射部具有平坦的表面。
另外，本發明的檢查機構對由所述保持構件保持的所述保持對象物進行檢查。
另外，本發明的切斷裝置包括：切斷機構，將切斷對象物 加以切斷，獲得多個所述保持對象物；及所述檢查機構；利用所述檢查機構，對利用所述切斷機構所獲得的所述保持對象物進行檢查。
另外，本發明的保持對象物的製造方法使用所述切斷裝置製造所述保持對象物。
另外，本發明的保持構件的製造方法是一種保持構件的製造方法，所述保持構件保持多個保持對象物用於光學檢查，所述保持構件的製造方法包括：樹脂填充步驟，對於設置有槽的保持部，向所述槽中填充樹脂，所述槽配置在吸附保持所述保持對象物的多個吸附孔之間；及樹脂硬化步驟，使所述樹脂硬化。
根據本發明，能夠高精度地進行由多個吸附孔各自吸附保持的保持對象物的邊緣檢測。
1:切斷裝置
3:基板供給部
4:定位部
4a:軌道部
5:切斷台
5a:保持構件
5b:旋轉機構
5c:移動機構
5d:第一位置確認相機
5e:第一清潔器
6:主軸
6a:旋轉刀
6b:第二位置確認相機
7:搬送部
7a:第二清潔器
8:控制部
11:檢查台
12:第一光學檢查相機
13:第二光學檢查相機
14:配置部
15:抽取部
15a:良品托盤
15b:不良品托盤
16:控制部
100:保持構件
110:樹脂片材
111:吸附孔
112:槽
113:吸附面
120:樹脂反射部
A:切斷模組
B:檢查模組
D:分配器
F:平坦構件
M:料盒
P:封裝基板
R:樹脂
S:半導體封裝
圖1是表示本發明的一實施方式的切斷裝置的整體構成的俯視示意圖。
圖2的(a)是保持構件的俯視示意圖。圖2的(b)是X-X剖面圖。
圖3是表示樹脂反射部的表面的形狀的剖面示意圖。
圖4是表示實施例1的保持構件的製造方法的圖。
圖5的(a)~圖5的(c)是依次表示在實施例1中製造保持構件的情況的剖面示意圖。
圖6是表示實施例2的保持構件的製造方法的圖。
圖7的(a)~圖7的(d)是依次表示在實施例2中製造保持構件的情況的剖面示意圖。
圖8的(a)~圖8的(c)是表示圖7的(a)~圖7的(d)的後續的剖面示意圖。
首先，使用圖1，對本實施方式的切斷裝置1的構成進行說明。在本實施方式中，例如對使用封裝基板P作為利用切斷裝置1的切斷對象物時的切斷裝置1的構成進行說明，所述封裝基板P是將安裝有半導體晶片的基板樹脂密封而成。
作為封裝基板P，例如使用球柵陣列(ball grid array，BGA)封裝基板、晶片尺寸封裝(chip size package，CSP)封裝基板、發光二極體(light emitting diode，LED)封裝基板等。另外，作為切斷對象物，不僅使用封裝基板P，有時也使用密封的導線架，所述密封的導線架是將安裝有半導體晶片的導線架(lead frame)樹脂密封而成。
此外，以下，對於封裝基板P的兩面，分別將樹脂密封側的面稱為模面(mold face)，將與模面相反側的面稱為焊球面(ball face)/導線面(lead face)。
切斷裝置1包括切斷模組A及檢查模組B作為構成要素。各構成要素相對於其它構成要素能夠裝卸且能夠更換。
切斷模組A是主要進行封裝基板P的切斷的構成要素。 切斷模組A主要包括基板供給部3、定位部4、切斷台5、主軸(spindle)6、搬送部7及控制部8。
基板供給部3供給封裝基板P。基板供給部3從收容有多個封裝基板P的料盒(magazine)M逐片推出封裝基板P，向後述定位部4供給。將焊球面/導線面向上配置封裝基板P。
定位部4對由基板供給部3供給的封裝基板P進行定位。定位部4將從基板供給部3推出的封裝基板P配置在軌道部4a進行定位。其後，定位部4將已定位的封裝基板P向後述切斷台5搬送。
切斷台5保持要切斷的封裝基板P。在本實施方式中，例示包括兩個切斷台5的雙切割台構成的切斷裝置1。在切斷台5，設置著保持構件5a，所述保持構件5a從下方吸附保持利用定位部4搬送來的封裝基板P。另外，在切斷台5，設置著能夠使保持構件5a向圖中θ方向旋轉的旋轉機構5b、及能夠使保持構件5a向圖中Y方向移動的移動機構5c。
主軸6將封裝基板P切斷，單片化成多個半導體封裝S(參照圖2的(a)、圖2的(b))。在本實施方式中，例示包括兩個主軸6的雙主軸構成的切斷裝置1。主軸6能夠向圖中X方向及Z方向移動。在主軸6，安裝著用於切斷封裝基板P的旋轉刀6a。
在主軸6，設置著向高速旋轉的旋轉刀6a噴射切削水的切削水用噴嘴、噴射冷卻水的冷卻水用噴嘴、及噴射清洗切斷屑等 的清洗水的清洗水用噴嘴(均未圖示)等。
切斷台5吸附封裝基板P後，利用第一位置確認相機5d確認封裝基板P的位置。其後，切斷台5以沿著圖中Y方向靠近主軸6的方式移動。當切斷台5移動到主軸6的下方後，使切斷台5與主軸6相對移動，由此切斷封裝基板P。每次利用主軸6切斷封裝基板P時，均利用第二位置確認相機6b確認封裝基板P的位置等。
此處，利用第一位置確認相機5d進行確認時，例如可以確認設置在封裝基板P的表示切斷位置的標記的位置。利用第二位置確認相機6b進行確認時，例如可以確認封裝基板P被切斷的位置、被切斷的寬度等。
此外，所述利用確認相機進行的確認也可以不使用第一位置確認相機5d，僅使用第二位置確認相機6b進行確認。
切斷台5結束封裝基板P的切斷後，保持吸附著已單片化的多個半導體封裝S的狀態，以沿圖中Y方向離開主軸6的方式移動。此時，利用第一清潔器5e對半導體封裝S的上表面(焊球面/導線面)進行清洗及乾燥。
搬送部7向檢查模組B的檢查台11搬送半導體封裝S。搬送部7從上方吸附由切斷台5保持的半導體封裝S，向檢查模組B搬送。此時，利用第二清潔器7a對半導體封裝S的下表面(模面)進行清洗及乾燥。
控制部8控制切斷模組A的各部的動作。利用控制部8 控制基板供給部3、定位部4、切斷台5、主軸6及搬送部7等的動作。另外，能夠使用控制部8任意變更(調整)切斷模組A的各部的動作。
檢查模組B是主要進行半導體封裝S的檢查的構成要素。檢查模組B主要包括檢查台11、第一光學檢查相機12、第二光學檢查相機13、配置部14、抽取部15及控制部16。
檢查台11保持半導體封裝S以進行光學檢查。檢查台11能夠沿著圖中X方向移動。另外，檢查台11能夠上下翻轉。在檢查台11設置有吸附保持半導體封裝S的保持構件100。
第一光學檢查相機12及第二光學檢查相機13對半導體封裝S的表面(焊球面/導線面及模面)進行光學檢查。第一光學檢查相機12及第二光學檢查相機13朝上配置在檢查台11附近。在第一光學檢查相機12及第二光學檢查相機13分別設置著能夠在檢查時照射光的照明裝置(未圖示)。
第一光學檢查相機12對利用搬送部7搬送到檢查台11的半導體封裝S的模面進行檢查。其後，搬送部7將半導體封裝S載置於檢查台11的保持構件100。保持構件100吸附保持半導體封裝S後，檢查台11上下翻轉。檢查台11向第二光學檢查相機13的上方移動，利用第二光學檢查相機13對半導體封裝S的焊球面/導線面進行檢查。
例如，第一光學檢查相機12能夠檢查半導體封裝S的缺口或半導體封裝S上標示的文字等。另外，例如第二光學檢查相機13 能夠檢查半導體封裝S的尺寸及形狀、焊球/導線的位置等。
配置部14用於配置檢查結束的半導體封裝S。配置部14能夠沿著圖中Y方向移動。檢查台11將利用第一光學檢查相機12及第二光學檢查相機13的檢查結束的半導體封裝S配置於配置部14。
抽取部15將配置在配置部14的半導體封裝S移送並收納到托盤。基於利用第一光學檢查相機12及第二光學檢查相機13獲得的檢查結果，區分良品與不良品，區分後的半導體封裝S利用抽取部15收納到托盤。此時，抽取部15分別將半導體封裝S中的良品收納到良品用托盤15a，將不良品收納到不良品托盤15b。當托盤中裝滿半導體封裝S時，適當供給另外的空托盤。
控制部16控制檢查模組B的各部的動作。利用控制部16控制檢查台11、第一光學檢查相機12、第二光學檢查相機13、配置部14及抽取部15等的動作。另外，能夠使用控制部16任意變更(調整)檢查模組B的各部的動作。
如上所述，本實施方式的切斷裝置1能夠將封裝基板P切斷，單片化成多個半導體封裝S。
接下來，使用圖2的(a)、圖2的(b)，對設置在檢查台11的保持構件100的構成進行說明。此外，以下將圖中所示的箭頭U、箭頭D、箭頭L、箭頭R、箭頭F及箭頭B所表示的方向分別定義為上方向、下方向、左方向、右方向、前方向及後方向來進行說明。另外，為了便於說明，將圖中所示的保持構件100適當簡 化圖示。實際的保持構件100的構成(例如後述吸附孔111及吸附面113的個數、配置等)並不限於圖示。
如上所述，保持構件100在對多個半導體封裝S進行光學檢查時保持所述多個半導體封裝S。保持構件100主要包括作為保持部的樹脂片材110、及作為反射部的樹脂反射部120。此外，圖2的(a)中，為了區分樹脂片材110與樹脂反射部120，用斜線表示樹脂反射部120。
樹脂片材110是形成為矩形板狀的構件。作為樹脂片材110的素材，例如使用矽酮系樹脂或氟系樹脂等。在本實施方式中，為了使要保持的半導體封裝S的靜電擴散，使樹脂片材110含碳來提升導電性(靜電擴散性)。因此，樹脂片材110形成為發黑的顏色。在樹脂片材110主要形成有吸附孔111及槽112。
吸附孔111是用來吸附半導體封裝S的孔。吸附孔111以沿上下方向(厚度方向)貫通樹脂片材110的方式形成。吸附孔111在前後及左右隔開固定間隔形成有多個。
槽112是以使樹脂片材110的表面(上表面)凹陷的方式形成的部分。槽112形成為比如將鄰接的吸附孔111彼此前後及左右劃分的格子狀。如上所述，通過形成槽112，在樹脂片材110的上表面，在各吸附孔111的周邊形成矩形(正方形)的吸附面113。吸附面113形成為與要吸附的半導體封裝S的外形(矩形)大致同一形狀。
樹脂反射部120以填埋樹脂片材110的槽112的方式設 置。作為樹脂反射部120的素材，例如使用矽酮系樹脂或氟系樹脂等。在本實施方式中，使樹脂反射部120包括氧化鈦。因此，樹脂反射部120形成為發白的顏色。另外，由此，樹脂反射部120與樹脂片材110相比具有更高的反射率(反射的光束相對於入射的光束的比)。
此外，作為用於對樹脂反射部120著色的材料，並不限於所述氧化鈦，只要能夠使樹脂反射部120與樹脂片材110相比具有更高的反射率即可。例如可以使用金屬顏料(除鉛以外的各種金屬片(flake)、鍍敷用合金、鋁、錫、鋅、鉻、金、銀、鉑等)、片狀氧化鋁、白色顏料(氧化鈦、氧化鋅等)、珠光顏料(雲母、二氧化矽、玻璃等)、逆反射材(玻璃珠等)、以及稀釋劑及增量劑(鈦酸鈣、氫氧化鋁、硫酸鋇等)等。
樹脂反射部120以填充在樹脂片材110的槽112整體的方式設置。樹脂反射部120以具有平坦表面(即從槽112露出的上側面)的方式形成。如上所述，通過將樹脂反射部120的表面形成為平坦，能夠抑制光的漫反射。
使用圖3，對樹脂反射部120的平坦表面具體地進行說明。如圖3所示，相對於槽112的深度方向(上下方向)平行切斷保持構件100進行剖面觀察時，樹脂反射部120的表面形成為高低差L為規定值以下。此處，樹脂反射部120的表面的高低差L是指相對於樹脂片材110的表面(吸附面113)垂直的方向(圖例中為上下方向)上樹脂反射部120的表面的最高位置與最低位置 的差。此外，圖3中，表示樹脂片材110的上表面的位置與樹脂反射部120的最高位置一致的例子。
此處，對具體的測定方法進行說明。首先，在樹脂片材110的上表面指定兩點，劃出通過所述兩點的直線a。因為樹脂片材110的上表面的位置與樹脂反射部120的最高位置一致，所以直線a表示樹脂反射部120的最高位置。接下來，製作相對於直線a平行的直線b，使直線b移動到樹脂反射部120的表面的最低部分。基於直線a與直線b的距離，測定樹脂反射部120的表面的高低差L。此外，在樹脂反射部120的最高位置與樹脂片材110的上表面的位置不一致的情況下，基於樹脂反射部120的最高位置與最低位置(直線b)的距離測定高低差L。
測定樹脂反射部120的表面時使用基恩士(KEYENCE)公司製造的數位顯微鏡(型號：VHX-5000)。
在本實施方式中，樹脂反射部120的表面以高低差L為50μm以下的方式形成。如上所述，在高低差L為50μm以下的情況下，樹脂反射部120的表面平坦。此外，樹脂反射部120的表面的高低差L越小越容易抑制光的漫反射。因此樹脂反射部120的表面更優選以高低差L為45μm以下、40μm以下、35μm以下、30μm以下、25μm以下、或20μm以下的方式形成。
使用以上述方式構成的保持構件100來保持被檢查的半導體封裝S。具體來說，如圖2的(a)、圖2的(b)所示，在半導體封裝S逐個載置於各吸附面113的狀態下，經由吸附孔111 從保持構件100的下方抽吸空氣，由此將半導體封裝S吸附保持於吸附面113。利用第二光學檢查相機13(參照圖1)拍攝由保持構件100保持的半導體封裝S，檢查外形部分的尺寸等。
此處，當從上方觀察保持構件100時，在半導體封裝S的周圍配置有反射率相對較高的樹脂反射部120。如上所述，通過配置樹脂反射部120，利用第二光學檢查相機13進行拍攝時，能夠使半導體封裝S的邊緣部分(半導體封裝S與樹脂反射部120的邊界部分)的對比度明確。由此，能夠利用第二光學檢查相機13容易且高精度地進行半導體封裝S的邊緣的檢測。伴隨於此，能夠縮短用於檢測半導體封裝S的邊緣的時間。
進而，在本實施方式中，樹脂反射部120的表面形成得平坦(高低差L為50μm以下)。通過將樹脂反射部120的表面形成得平坦，能夠抑制光的漫反射。由此，利用第二光學檢查相機13拍攝時，能夠使半導體封裝S的邊緣部分的對比度明確。
<實施例1>
接下來，使用圖4及圖5的(a)~圖5的(c)，對使用分配器D的保持構件100的製造方法進行說明。
如圖4所示，實施例1的保持構件100的製造方法主要包括等離子體照射步驟S11、樹脂填充步驟S12及樹脂硬化步驟S13。
等離子體照射步驟S11是對樹脂片材110進行等離子體照射的步驟。等離子體照射步驟S11中，首先準備形成有吸附孔 111及槽112的樹脂片材110。接下來，對樹脂片材110(尤其是槽112)照射等離子體(參照圖5的(a))。通過對樹脂片材尤其是槽112進行等離子體照射(等離子體處理)，能夠控制樹脂片材110的表面張力(提升樹脂片材110的潤濕性)，使後述樹脂反射部120的表面形成得平坦。等離子體照射例如可以使用氬氣。
等離子體照射步驟S11後，進行樹脂填充步驟S12。樹脂填充步驟S12是向樹脂片材110的槽112中填充成為樹脂反射部120的素材的樹脂R的步驟。樹脂填充步驟S12中，利用分配器D噴出樹脂R，向樹脂片材110的槽112供給樹脂R(參照圖5的(b))。分配器D向長邊方向的槽112中填充樹脂R後，向短邊方向的槽112中填充樹脂R。此時，供給充分量的樹脂R使槽112被樹脂R填滿。樹脂R的填充並不限於上述順序，也可以在向短邊方向的槽112中填充樹脂R後，向長邊方向的槽112中填充樹脂R。
分配器D例如優選使用噴射分配器，可以使用壓電噴射分配器。壓電噴射分配器是使用壓電元件的分配器，壓電元件當施加電壓時會產生細微的變形，利用由壓電元件產生的細微的位移來使所連結的杆重複往返運動，高速開閉閥門，由此能夠噴出適當量的樹脂R。另外，即便在使用高粘度的樹脂R的情況下，如果使用壓電噴射分配器，也能夠減少噴出後的樹脂R產生拉絲。
樹脂填充步驟S12後，進行樹脂硬化步驟S13。樹脂硬化步驟S13是使樹脂R硬化的步驟。例如利用60℃的烘箱對樹脂片 材110等加熱一小時。作為加熱方法，並不限於使用烘箱的加熱，例如也可以使用加熱板進行加熱。由此，使槽112中填充的樹脂R硬化，形成樹脂反射部120(參照圖5的(c))。
<實施例2>
接下來，使用圖6至圖8的(a)~圖8的(c)，對另一保持構件100的製造方法進行說明。
如圖6所示，實施例2的保持構件100的製造方法主要包括樹脂填充步驟S21、樹脂脫泡步驟S22、平坦構件配置步驟S23、樹脂硬化步驟S24、平坦構件卸載步驟S25、樹脂去除步驟S26及二次硬化步驟S27。
樹脂填充步驟S21是在樹脂片材110的槽112中填充成為樹脂反射部120的素材的樹脂R的步驟。樹脂填充步驟S21中，首先準備形成有吸附孔111及槽112的樹脂片材110(參照圖7的(a))。接下來，對樹脂片材110的上側面(形成有槽112的面)供給樹脂R(參照圖7的(b))。此時，供給充分量的樹脂R以使槽112被樹脂R填滿。通過對樹脂片材110的上側面供給樹脂R，樹脂R不僅滲入槽112的內部，也會滲入吸附孔111的內部，在樹脂片材110的表面也會附著樹脂R。
樹脂填充步驟S21後，進行樹脂脫泡步驟S22。樹脂脫泡步驟S22是進行樹脂R的脫泡的步驟。具體來說，將已供給樹脂R的樹脂片材110配置在規定容器內，使用真空泵將該容器設為真空狀態。由此，去除樹脂R所含的空氣(氣泡)。
樹脂脫泡步驟S22後，進行平坦構件配置步驟S23。平坦構件配置步驟S23是在樹脂片材110的上側面配置平坦構件F的步驟。平坦構件配置步驟S23中，首先從供給到樹脂片材110的上側面的樹脂R之上載置平坦構件F(參照圖7的(c))。
此處，作為平坦構件F，使用具有平坦表面的構件。在本實施方式中，作為平坦構件F，使用具有鏡面(拋光成可利用光的反射映出物體的表面)的膜狀構件(鏡面膜)。
接下來，對樹脂片材110(樹脂R)壓抵平坦構件F(參照圖7的(d))。例如，通過使用刮片等道具從平坦構件F的中央側向外側依次施力，將平坦構件F壓抵於樹脂片材110。由此，去除平坦構件F與樹脂R之間的空氣(氣泡)。另外，通過將平坦構件F壓抵於樹脂R，將平坦構件F的表面形狀(鏡面)轉印到樹脂R的表面，使樹脂R的表面變得平坦。
此外，通過對樹脂片材110壓抵平坦構件F，將平坦構件F與樹脂片材110之間的樹脂R擠出到外部。不過，平坦構件F與樹脂片材110之間的樹脂R並非完全被排出，堆積在樹脂片材110的上側面的樹脂R的厚度變小，在樹脂片材110的上側面(吸附面113)殘留有樹脂R的薄膜。
平坦構件配置步驟S23後，進行樹脂硬化步驟S24。樹脂硬化步驟S24是使樹脂R硬化(一次硬化)的步驟。樹脂硬化步驟S24中，將配置有平坦構件F的樹脂片材110上下翻轉(參照圖8的(a))。接下來，使用規定的成形模具，以上下夾住樹脂片 材110及平坦構件F的方式施力(按壓)。接下來，保持按壓樹脂片材110等的狀態進行適當加熱。例如用60℃的烘箱對樹脂片材110等加熱一小時。由此，使樹脂R某種程度上硬化(一次硬化)。如上所述，通過按壓樹脂片材110等，維持利用平坦構件F對樹脂片材110的樹脂R施加壓力的狀態進行硬化，能夠抑制加熱造成樹脂R的表面變形，使樹脂R的表面保持平坦。
此外，樹脂硬化步驟S24中將樹脂片材110上下翻轉後進行一次硬化，但並非必須使樹脂片材110上下翻轉。
樹脂硬化步驟S24後，進行平坦構件卸載步驟S25。平坦構件卸載步驟S25是將平坦構件F從樹脂片材110卸載的步驟。平坦構件卸載步驟S25中，將樹脂片材110再次上下翻轉。接下來，將平坦構件F從樹脂片材110(更詳細來說是經一次硬化的樹脂R)卸載(參照圖8的(b))。
平坦構件卸載步驟S25後，進行樹脂去除步驟S26。樹脂去除步驟S26是從樹脂片材110去除無用的樹脂R的步驟。樹脂去除步驟S26中，將填充在樹脂片材110的槽112中的樹脂R以外的樹脂R去除(參照圖8的(c))。具體來說，將殘留在樹脂片材110的上側面(吸附面113)的樹脂R的薄膜去除。另外，將滲入樹脂片材110的吸附孔111的內部的樹脂R去除。另外，如果有附著在樹脂片材110的其它部分(例如外側面等)的樹脂R，也將所述樹脂R去除。
此外，去除樹脂R的方法並無特別限定。樹脂R可以由 作業者手動去除，也可以另外使用適當的工具或裝置去除。例如，可以使用磨床(grinder)等研削裝置去除樹脂R，或使用鐳射等去除樹脂R。
樹脂去除步驟S26後，進行二次硬化步驟S27。二次硬化步驟S27是使樹脂片材110的槽112中填充的樹脂R進一步硬化(二次硬化)的步驟。二次硬化步驟S27中，對樹脂片材110等適當進行加熱。例如對於樹脂片材110等，用60℃的烘箱加熱四小時，或使用150度的烘箱加熱一小時。由此，使槽112中填充的樹脂R進一步硬化(二次硬化)，形成樹脂反射部120。
如上所述，本實施方式的保持構件100保持多個半導體封裝S(保持對象物)用於光學檢查，包括：樹脂片材110(保持部)，設置有吸附保持所述半導體封裝S的多個吸附孔111、及配置在多個所述吸附孔111之間的槽112；及樹脂反射部120(反射部)，設置在所述槽112，反射率比所述樹脂片材110高。所述樹脂反射部120具有平坦的表面。
通過以所述方式構成，能夠高精度地進行由多個吸附孔111各自吸附保持的半導體封裝S的邊緣檢測。即，通過設置反射率相對較高的樹脂反射部120，能夠使樹脂反射部120與由吸附孔111吸附的半導體封裝S的邊界部分的對比度明確。另外，因為將樹脂反射部120的表面形成得平坦，所以能夠抑制光的漫反射，使對比度更加明確。
另外，樹脂反射部120的表面在相對於所述槽112的深 度方向平行切斷的剖面觀察時，高低差為50μm以下。
通過以所述方式構成，能夠更高精度地進行半導體封裝S的邊緣檢測。即，通過將樹脂反射部120的表面的高低差抑制在規定值以下，能夠有效抑制光的漫反射。
另外，本實施方式的檢查模組B(檢查機構)對由保持構件100保持的半導體封裝S進行檢查。
通過以所述方式構成，能夠用簡單的構成高精度地進行半導體封裝S的邊緣檢測。
另外，本實施方式的切斷裝置1包括：切斷模組A(切斷機構)，切斷封裝基板P(切斷對象物)，獲得多個所述半導體封裝S；及檢查模組B。利用所述檢查模組B，對利用所述切斷模組A所得的所述半導體封裝S進行檢查。
通過以所述方式構成，能夠用簡單的構成高精度地進行半導體封裝S的邊緣檢測。
另外，本實施方式的半導體封裝S的製造方法使用切斷裝置1製造半導體封裝S。
通過以所述方式構成，能夠用簡單的構成高精度地進行半導體封裝S的邊緣檢測。進而，能夠提升半導體封裝S的生產性。
另外，本實施方式的保持構件100的製造方法中，保持構件100保持多個半導體封裝S(保持對象物)用於光學檢查，保持構件100的製造方法包括：樹脂填充步驟S12(樹脂填充步驟 S21)，對於設置有槽112的樹脂片材110(保持部)，在所述槽112中填充樹脂R，所述槽112配置在吸附保持所述半導體封裝S的多個吸附孔111之間；及樹脂硬化步驟S13(樹脂硬化步驟S24)，使所述樹脂R硬化。
通過以所述方式構成，能夠容易地製造保持構件100。另外，通過使用利用本實施方式的保持構件100的製造方法所得的保持構件100，能夠用簡單的構成高精度地進行半導體封裝S的邊緣檢測。
另外，所述樹脂填充步驟S12利用分配器D噴出所述樹脂R，向所述槽112中填充所述樹脂R。
通過以所述方式構成，能夠容易地製造保持構件100。即，通過利用樹脂R的噴出精度相對較高的分配器D向槽112中填充樹脂R，能夠容易且高精度地向槽112中填充樹脂R。
另外，本實施方式的保持構件100的製造方法還包括等離子體照射步驟S11，在所述樹脂填充步驟S12之前，對所述樹脂片材110進行等離子體照射。
通過以所述方式構成，能夠容易地將樹脂反射部120的表面形成得平坦。即，通過提升樹脂片材110(尤其是槽112)的潤濕性，能夠使槽112中填充的樹脂R的表面平坦，進而能夠使通過使樹脂R硬化形成的樹脂反射部120的表面平坦。
另外，本實施方式的保持構件100的製造方法還包括樹脂脫泡步驟S22，在所述樹脂填充步驟S21之後，進行所述樹脂R 的脫泡。
通過以所述方式構成，能夠容易地使樹脂R(樹脂反射部120)的表面形成得更加平坦。即，通過去除樹脂R所含的空氣(氣泡)，能夠抑制因氣泡導致的樹脂R的表面的凹凸或變形。
另外，本實施方式的保持構件100的製造方法還包括平坦構件配置步驟S23，在所述樹脂填充步驟S21之後，在所述樹脂片材110的表面配置平坦構件F。
通過以所述方式構成，能夠容易地使樹脂R(樹脂反射部120)的表面形成得更加平坦。即，通過在樹脂片材110的表面配置平坦構件F，能夠將槽112中填充的樹脂R的表面形成得平坦。
另外，在本實施方式的保持構件100的製造方法，在所述樹脂硬化步驟S24中，在所述平坦構件F對所述槽112中填充的所述樹脂R施加壓力的狀態下使所述樹脂R硬化。
通過以所述方式構成，能夠容易地使樹脂R(樹脂反射部120)的表面形成得更加平坦。即，能夠抑制樹脂R的表面伴隨硬化而引起的變形。
另外，在所述樹脂填充步驟21中，也向多個所述吸附孔111中填充所述樹脂R，且本實施方式的保持構件100的製造方法更包括：平坦構件卸載步驟S25，在所述樹脂硬化步驟S24之後，從所述樹脂片材110的表面卸載所述平坦構件F；及樹脂去除步驟S26，在所述平坦構件卸載步驟S25之後，去除附著在所述樹脂片材110的所述槽112以外的所述樹脂R。
通過以所述方式構成，能夠獲得去除了無用的樹脂R的保持構件100。即，配置在槽112的樹脂R(樹脂反射部120)以外的樹脂R對於提升半導體封裝S的邊緣檢測的精度而言是無用的，通過去除所述樹脂R，能夠抑制因殘留無用的樹脂R導致產生不良情況(例如阻礙半導體封裝S的吸附等)。
另外，本實施方式的保持構件100的製造方法還包括二次硬化步驟S27，在所述樹脂硬化步驟S24之後，使所述樹脂R進一步硬化。
通過以所述方式構成，能夠抑制保持構件100的變形。即，通過分多次使樹脂R硬化，能夠抑制保持構件100的變形(翹曲等)。
另外，所述樹脂填充步驟21中，也向多個所述吸附孔111中填充所述樹脂R，且本實施方式的保持構件100的製造方法更包括：平坦構件卸載步驟S25，在所述樹脂硬化步驟S24之後，從所述樹脂片材110的表面卸載所述平坦構件F；樹脂去除步驟S26，在所述平坦構件卸載步驟S25之後，去除附著在所述樹脂片材110的所述槽112以外的所述樹脂R；及二次硬化步驟S27，在所述樹脂去除步驟S26後，使所述樹脂R進一步硬化。
通過以所述方式構成，能夠容易地去除無用的樹脂R。即，能夠在使樹脂R硬化的中途(樹脂硬化步驟S24之後且二次硬化步驟S27之前)去除樹脂R，因此能夠容易地去除樹脂R。
此外，本實施方式的半導體封裝S是本發明的保持對象 物的一個實施方式。
另外，本實施方式的樹脂片材110是本發明的保持部的一個實施方式。
另外，本實施方式的樹脂反射部120是本發明的反射部的一個實施方式。
另外，本實施方式的切斷模組A是本發明的切斷機構的一個實施方式。
另外，本實施方式的檢查模組B是本發明的檢查機構的一個實施方式。
另外，本實施方式的封裝基板P是本發明的切斷對象物的一個實施方式。
以上，對本發明的一實施方式進行了說明，但本發明並不限定於所述實施方式，能夠在權利要求書的範圍所記載的發明的技術思想的範圍內適當變更。
例如，本實施方式中例示的切斷裝置1的構成為一例，具體構成可以適當變更。
例如，在本實施方式中，切斷模組A及檢查模組B各自包括控制部(控制部8及控制部16)，但本發明並不限於此，可以將各控制部匯總為一個控制部，或分割成三個以上控制部。另外，本實施方式的切斷裝置1為包括兩個切斷台5的雙切割台構成，但本發明並不限於此，也可以僅包括一個切斷台5。另外，本實施方式的切斷裝置1為包括兩個主軸6的雙主軸構成，但本發明並 不限於此，也可以僅包括一個主軸6。
另外，在本實施方式中，設為將保持構件100設置在檢查台11的構成，本發明並不限於此，可以將保持構件100設置在搬送部7，也可以在檢查台11及搬送部7雙方設置保持構件100。切斷裝置1也可以是僅包括與設置保持構件100的搬送部7對應的第一光學檢查相機12、或與設置保持構件100的檢查台11對應的第二光學檢查相機13中的任一個的構成。
另外，在本實施方式中，樹脂反射部120與樹脂片材110相比具有更高的反射率，但並非一定要全波長的光的反射率均更高。即，保持構件100是用於利用相機(在本實施方式中為第二光學檢查相機13)進行的光學檢查，所以至少對與所述相機的特性(可獲取的波長資訊)相應的波長的光，樹脂反射部120與樹脂片材110相比具有更高的反射率即可。
另外，反射率是對用於檢查的光源的反射率，作為光源，可以使用單一光源，可以使用出射光(照明光)的波長區域相同的多個光源，也可以使用出射光(照明光)的波長區域不同的多個光源。另外，反射率基於利用相機進行的檢測，但利用相機進行的檢測可以是單一或多個光源的全波長區域中的檢測，可以是多個光源中的一部分光源的波長區域中的檢測，也可以是單一光源的一部分波長區域的檢測。
另外，本實施方式的保持構件100的製造方法是一例，步驟的順序及具體內容可以任意變更。
例如，在本實施方式中，例示在二次硬化步驟S27之前進行平坦構件卸載步驟S25及樹脂去除步驟S26，也可以在二次硬化步驟S27之後進行平坦構件卸載步驟S25及樹脂去除步驟S26。具體來說，可以設為樹脂硬化步驟S24、平坦構件卸載步驟S25、樹脂去除步驟S26、二次硬化步驟S27的順序、樹脂硬化步驟S24、平坦構件卸載步驟S25、二次硬化步驟S27、樹脂去除步驟S26的順序、或樹脂硬化步驟S24、二次硬化步驟S27、平坦構件卸載步驟S25、樹脂去除步驟S26的順序。
另外，也可以在實施例1(參照圖4)中與實施例2(參照圖6)同樣地進行樹脂脫泡步驟S22、平坦構件配置步驟S23、平坦構件卸載步驟S25、樹脂去除步驟S26、二次硬化步驟S27。在此情況下，步驟的順序及具體內容也可以任意變更。
另外，在本實施方式中，在製造保持構件100的情況下，分兩次(樹脂硬化步驟S24及二次硬化步驟S27)使樹脂R硬化，但本發明並不限於此。例如，也可以僅通過樹脂硬化步驟S24(即僅用一個步驟)使樹脂R最終硬化。由此，能夠實現保持構件100的製造步驟的簡化。在此情況下，可用60℃的烘箱加熱五小時等，適當調整加熱溫度及加熱時間，以使樹脂R能夠在樹脂硬化步驟S24中充分硬化。另外，在此情況下，不需要二次硬化步驟S27，因此通過在樹脂硬化步驟S24之後進行平坦構件卸載步驟S25及樹脂去除步驟S26，結束保持構件100的製造。
另外，在本實施方式中，作為壓抵於樹脂R的平坦構件 F，使用鏡面片材，但本發明並不限於此。即，只要在使樹脂R硬化之後(保持構件100製造結束的時點)能夠獲得具有平坦表面的樹脂反射部120，平坦構件F並無限定。例如，平坦構件F也可以不具有鏡面。另外，平坦構件F並不限於片狀。
100:保持構件
110:樹脂片材
111:吸附孔
112:槽
113:吸附面
120:樹脂反射部

Claims (13)

  1. 一種保持構件，其保持多個保持對象物，用於光學檢查，包括：保持部，設置有吸附保持所述保持對象物的多個吸附孔、及配置在多個所述吸附孔之間的槽；以及反射部，設置在所述槽，反射率比所述保持部高，其中所述反射部具有平坦的表面，所述表面在相對於所述槽的深度方向平行切斷的剖面觀察時，高低差為50μm以下。
  2. 一種檢查機構，其對由如請求項1所述的保持構件所保持的所述保持對象物進行檢查。
  3. 一種切斷裝置，包括：如請求項2所述的檢查機構；以及切斷機構，將切斷對象物切斷，獲得多個所述保持對象物，其中利用所述檢查機構，對利用所述切斷機構所獲得的所述保持對象物進行檢查。
  4. 一種保持對象物的製造方法，其使用如請求項3所述的切斷裝置製造所述保持對象物。
  5. 一種保持構件的製造方法，所述保持構件保持多個保持對象物，用於光學檢查，所述保持構件的製造方法包括：樹脂填充步驟，對於設置有槽的保持部，向所述槽中填充樹脂，所述槽配置在吸附保持所述保持對象物的多個吸附孔之間；及 樹脂硬化步驟，使所述樹脂硬化。
  6. 如請求項5所述的保持構件的製造方法，其中所述樹脂填充步驟利用分配器噴出所述樹脂，向所述槽中填充所述樹脂。
  7. 如請求項6所述的保持構件的製造方法，還包括：等離子體照射步驟，在所述樹脂填充步驟前，對所述保持部進行等離子體照射。
  8. 如請求項5所述的保持構件的製造方法，還包括：樹脂脫泡步驟，在所述樹脂填充步驟後，進行所述樹脂的脫泡。
  9. 如請求項5所述的保持構件的製造方法，還包括：平坦構件配置步驟，在所述樹脂填充步驟後，在所述保持部的表面配置平坦構件。
  10. 如請求項9所述的保持構件的製造方法，其中在所述樹脂硬化步驟中，在利用所述平坦構件對填充在所述槽中的所述樹脂施加壓力的狀態下使所述樹脂硬化。
  11. 如請求項9或10所述的保持構件的製造方法，其中在所述樹脂填充步驟中，也向多個所述吸附孔中填充所述樹脂，且所述保持構件的製造方法還包括：平坦構件卸載步驟，在所述樹脂硬化步驟後，從所述保持部的表面卸載所述平坦構件；及樹脂去除步驟，在所述平坦構件卸載步驟後，去除附著在所述保持部的所述槽以外的所述樹脂。
  12. 如請求項5至請求項10任一項所述的保持構件的製造方法，還包括：二次硬化步驟，在所述樹脂硬化步驟後，使所述樹脂進一步硬化。
  13. 如請求項9或10所述的保持構件的製造方法，其中在所述樹脂填充步驟中，也向多個所述吸附孔中填充所述樹脂，且所述保持構件的製造方法還包括：平坦構件卸載步驟，在所述樹脂硬化步驟後，從所述保持部的表面卸載所述平坦構件；樹脂去除步驟，在所述平坦構件卸載步驟後，去除附著在所述保持部的所述槽以外的所述樹脂；及二次硬化步驟，在所述樹脂去除步驟後，使所述樹脂進一步硬化。
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