CN111602297A - 具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线 - Google Patents

具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线 Download PDF

Info

Publication number
CN111602297A
CN111602297A CN201980008374.9A CN201980008374A CN111602297A CN 111602297 A CN111602297 A CN 111602297A CN 201980008374 A CN201980008374 A CN 201980008374A CN 111602297 A CN111602297 A CN 111602297A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric
disposed
sdp
signal
electromagnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980008374.9A
Other languages
English (en)
Inventor
罗申·罗斯·乔治
克里斯季·潘采
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rogers Corp
Original Assignee
Rogers Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US16/246,880 external-priority patent/US10892544B2/en
Priority claimed from US16/246,892 external-priority patent/US10910722B2/en
Application filed by Rogers Corp filed Critical Rogers Corp
Publication of CN111602297A publication Critical patent/CN111602297A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0485—Dielectric resonator antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q19/00—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
    • H01Q19/10—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces
    • H01Q19/18—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces having two or more spaced reflecting surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/02—Refracting or diffracting devices, e.g. lens, prism
    • H01Q15/08—Refracting or diffracting devices, e.g. lens, prism formed of solid dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays

Landscapes

  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguides (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)

Abstract

一种电磁器件，包括：第一电磁EM信号馈源；邻近第一EM信号馈源设置的第二EM信号馈源；以及加高导电区域，其被设置在第一EM信号馈源与第二EM信号馈源之间，并且相对于第一EM信号馈源和第二EM信号馈源被加高。

Description

具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年1月14日提交的美国申请序列号16/246886的权益，该美国申请要求于2018年7月2日提交的美国临时申请序列号62/693,057的权益，其全部内容通过引用并入本文中。本申请还要求于2019年1月14日提交的美国申请序列号16/246892的权益，该美国申请要求于2018年2月21日提交的美国临时申请序列号62/633,256的权益，其全部内容通过引用并入本文中。本申请还要求2019年1月14日提交的美国申请序列号16/246880的权益，该美国申请要求于2018年1月15日提交的美国临时申请序列号62/617,358的权益，其全部内容通过引用并入本文中。
背景技术
本公开内容总体上涉及电磁器件，特别地涉及介质谐振器天线(DRA)系统，并且更特别地涉及具有用于增强与DRA系统内的多个介电结构相关联的增益、回波损耗和隔离的第一和第二介电部分的DRA系统。
尽管现有的DRA谐振器和阵列可以适合于其预期目的，但是将通过能够克服现有缺陷(例如有限的带宽、有限的效率、有限的增益、有限的方向性或复杂的制造技术)的用于构建在远场中具有高方向性的高增益DRA系统的改进的DRA结构来改进DRA技术。
发明内容
实施方式包括电磁器件，其具有：第一电磁EM信号馈源；邻近第一EM信号馈源设置的第二EM信号馈源；以及加高导电区域，其被设置在第一EM信号馈源与第二EM信号馈源之间并且相对于第一EM信号馈源和第二EM信号馈源被加高。
实施方式包括电磁器件，其具有：多个介电结构，所述多个介电结构中的每个介电结构具有：第一介电部分FDP，其具有近端和远端，所述FDP具有除空气外的介电材料；以及第二介电部分SDP，其具有近端和远端，SDP的近端被设置成接近FDP的远端，SDP具有除空气外的介电材料；其中，FDP的介电材料的平均介电常数大于SDP的介电材料的平均介电常数；其中，SDP具有在侧视图中观察到的总高度尺寸HS，并且SDP的近端具有在侧视图中观察到的总宽度尺寸W1；其中，HS等于或大于W1的2.5倍，并且等于或小于W1的55倍。
根据以下结合附图对本发明的详细描述，本发明的上述特征和优点以及其他特征和优点将非常明显。
附图说明
参照示例的非限制性附图，其中，在附图中相似元件被类似地标记：
图1A描绘了根据实施方式的电磁EM器件的单格的旋转透视图；
图1B描绘了根据实施方式的图1A的单格的侧视图；
图1C描绘了根据实施方式的作为图1A所绘单格的替选的单格的旋转透视图；
图1D描绘了根据实施方式的图1C的单格的侧视图；
图2描绘了根据实施方式的与图1B和图1D的单格类似但作为其替选的单格的侧视图；
图3描绘了根据实施方式的与图1B、图1D和图2的单格类似但作为其替选的单格的侧视图；
图4描绘了根据实施方式的图1B的多个单格的M×N阵列(其中M＝6)的侧视图；
图5A描绘了根据实施方式的图1B的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图5B描绘了根据实施方式的图5A的MxN阵列的组件被拆卸开的侧视图；
图6A描绘了根据实施方式的与图5A的多个单格类似但作为其替选的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图6B描绘了根据实施方式的图6A的M×N阵列的组件被拆卸开的侧视图；
图7A描绘了根据实施方式的与图5A和图6A的单格类似但作为其替选的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图7B描绘了根据实施方式的图7A的MxN阵列的组件被拆卸开的侧视图；
图8A描绘了根据实施方式的与图6A的多个单格类似但作为其替选的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图8B描绘了根据实施方式的与图7A的多个单格类似但作为其替选的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图9A描绘了根据实施方式的与图8A的多个单格类似但作为其替选的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图9B描绘了图9A的细节9B的放大视图；
图10描绘了根据实施方式的与图9A的多个单格类似但作为其替选的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图11描绘了根据实施方式的与图5A的多个单格类似但作为其替选的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图12描绘了根据实施方式的与图11的多个单格类似但作为其替选的多个单格的M×N阵列(其中M＝2)的侧视图；
图13描绘了根据实施方式的在衬底上的多个第一介电部分的M×N阵列(其中M＝2)的平面图；
图14A描绘了根据实施方式的包括有经由连接结构互连的多个第二介电部分和多个安装部分的M×N阵列(其中M＝2并且N＝2)的单片结构的平面图；
图14B描绘了根据实施方式的与图14A的单片结构类似但作为其替选的单片结构的平面图；
图15描绘了根据实施方式的与图14A至图14B的单片结构类似但作为其替选的单片结构的平面图；
图16描绘了根据实施方式的与图14A至图15的单片结构类似但作为其替选的单片结构的平面图；
图17描绘了根据实施方式的与图14A至图16的单片结构类似但作为其替选的单片结构的平面图；
图18描绘了根据实施方式的与图14A至图17的单片结构类似但作为其替选的单片结构的平面图；
图19描绘了根据实施方式的与图14A至图18的单片结构类似但作为其替选的单片结构的平面图；
图20描绘了根据实施方式的与图14A至图19的单片结构类似但作为其替选的单片结构的平面图；
图21描绘了根据实施方式的与图14A至图20的单片结构类似但作为其替选的单片结构的平面图；
图22描绘了根据实施方式的单个单格的数学建模性能特性；
图23描绘了根据实施方式的将根据实施方式的单格与根据实施方式的缺少元件但是类似的单格的S(l,1)回波损耗性能特性进行比较的数学性能特性；
图24A、图24B和图24C分别描绘了根据实施方式的EM器件的透明旋转透视图、透明侧视图和透明俯视平面图；
图25、图26、图27和图28描绘了根据实施方式的与图24A、图24B和图24C的实施方式相关联的分析建模数据；
图29A、图29B和图29C分别描绘了根据实施方式的其中并入了附加的信号隔离特征的图24A、图24B和图24C的EM器件的阵列的透明旋转透视图、透明侧视图和透明俯视平面图；
图30A、图30B和图30C分别描绘了根据实施方式的图29A、图29B和图29C的阵列的替选阵列的透明旋转透视图、透明侧视图和透明俯视平面图；以及
图31描绘了根据实施方式的作为图29A、图29B和图29C中描绘的阵列或图30A、图30B和图30C中描绘的阵列的一部分的EM器件的透明旋转透视图。
具体实施方式
尽管下面的详细描述出于说明的目的包括许多细节，但是本领域的普通技术人员将理解，对以下细节的许多变形和更改也在权利要求的范围内。因此，以下示例实施方式的阐述不会对所要求保护的发明的一般性造成任何损失，并且不会对所要求保护的发明施加限制。
如各种附图和所附文本所示和所述，实施方式提供了一种电磁器件，其是具有第一介电部分和第二介电部分的介电结构的形式，第二介电部分相对于第一介电部分被策略性地布置，使得当至少第一介电部分被电磁激发以在远场中辐射(例如，电磁谐振和辐射)电磁场时提供改进的增益、改进的带宽、改进的回波损耗和/或改进的隔离。在实施方式中，仅第一介电部分被电磁激发以在远场中辐射电磁场。在另一实施方式中，第一介电部分和第二介电部分两者均被电磁激发以在远场中辐射电磁场。在仅第一介电部分被电磁激发以在远场中辐射电磁场的实施方式中，第一介电部分可以被视为电磁介质谐振器，并且第二介电部分可以被视为介质电磁束整形器。在第一介电部分和第二介电部分二者均被电磁激发以在远场中辐射电磁场的实施方式中，第一介电部分和第二介电部分的组合可以被视为电磁介质谐振器，并且在该实施方式中第二介电部分也可以被视为介质电磁束整形器。在实施方式中，介电结构是全介电结构(例如，没有嵌入的金属或金属颗粒)。
图1A和图1B描绘了具有由第一介电部分2020和第二介电部分2520组成的介电结构2000的电磁EM器件1000。第一介电部分2020具有近端2040和远端2060，以及三维3D形状2080，该3D形状2080具有被定向成平行于正交xyz坐标系的z轴的从近端2040至远端2060的突起方向。为了本文中公开的目的，正交xyz坐标系的z轴与所关联的第一介电部分2020的中心竖直轴线对准并且重合，其中如各个附图中所示定向xz平面、yz平面和xy平面，并且其中z轴与EM器件1000的衬底正交。尽管如此，应当理解，可以采用旋转平移的正交x’y’z’坐标系，其中z’轴不与EM器件1000的衬底正交。适合于本文公开的目的的任何和所有这样的正交坐标系均被考虑并且被认为落入本文公开的发明的范围内。第一介电部分2020包括除空气外的介电材料(Dk材料)，但是在实施方式中，当第一介电部分2020是中空的时，可以包括含空气、真空或适合于本文公开的目的的其他气体的内部区域。在实施方式中，第一介电部分2020的3D形状是半球形穹顶形式、或者是具有竖直侧壁和穹顶形顶端或远端2060的细长穹顶形式、或者一般地是具有凸形远端2060的形式。在实施方式中，第一介电部分2020可以包括用来形成半球形穹顶的介电壳分层布置，其中每个连续的向外设置的层基本上嵌入相邻的向内设置的层并且与之直接接触。第二介电部分2520具有近端2540和远端2560，其中，第二介电部分2520的近端2540被设置成接近第一介电部分2020的远端2060以形成介电结构2000。第二介电部分2520包括除空气外的介电材料。第二介电部分2520具有3D形状，该3D形状具有接近第二介电部分2520的近端2540的第一xy平面截面区域2580、以及在第二介电部分2520的近端2540与远端2560之间的第二xy平面截面区域2600，其中第二xy平面截面区域2600大于第一xy平面截面区域2580。在实施方式中，第一xy平面截面区域2580和第二xy平面截面区域2600为圆形，但是在一些其他实施方式中可以为椭圆形或适合于本文公开的目的的任何其他形状。在实施方式中，第二介电部分2520具有设置在第二xy平面截面区域2600与远端2560之间的第三xy平面截面区域2640，其中第三xy平面截面区域2640大于第二xy平面截面区域2600。在实施方式中，第二介电部分2520的远端2560是平坦的。在实施方式中，第一介电部分2020的介电材料的平均介电常数大于第二介电部分2520的介电材料的平均介电常数。在实施方式中，例如，介电结构2000是不存在嵌入的金属或金属颗粒的全介电结构。在实施方式中，第一介电部分2020是单一介电材料。
在实施方式中，第一介电部分2020的介电材料的平均介电常数等于或大于10，并且第二介电部分2520的介电材料的平均介电常数等于或小于9。替选地，第一介电部分2020的介电材料的平均介电常数等于或大于11，并且第二介电部分2520的介电材料的平均介电常数等于或小于5。此外替选地，第一介电部分2020的介电材料的平均介电常数等于或大于12，并且第二介电部分2520的介电材料的平均介电常数等于或小于3。此外替选地，第一介电部分2020的介电材料的平均介电常数等于或大于10且等于或小于20，并且第二介电部分2520的介电材料的平均介电常数等于或大于2且等于或小于9。此外替选地，第一介电部分2020的介电材料的平均介电常数等于或大于10且等于或小于15，并且第二介电部分2520的介电材料的平均介电常数等于或大于2并且等于或小于5。此外替选地，第二介电部分2520的介电材料的平均介电常数等于或大于空气并且等于或小于9。
在实施方式中，第二介电部分2520具有总最大高度HS和总最大宽度WS，其中HS大于WS。在实施方式中，HS等于或大于WS的1.5倍。替选地，在实施方式中，HS等于或大于WS的2倍。
在实施方式中，第一介电部分2020具有总最大高度HF和总最大宽度WF，其中HS大于HF，并且其中WS大于WF。在实施方式中，HS大于HF的5倍，并且WS大于WF的1.2倍。
在实施方式中，第二介电部分2520具有邻近近端2540的第一子部分2519和邻近远端2560的第二子部分2521，其中，第二xy平面截面区域2600被包含在第一子部分2519内，并且第三xy截面2640被包含在第二子部分2521内。在实施方式中，第一子部分2519具有直径为W1的圆柱形3D形状，并且第二子部分2521具有其中下直径W1扩展到上直径WS使得WS大于W1的截头圆锥形3D形状。在实施方式中，直径W1大于直径WF。
在实施方式中，并且现在参照图1C和图1D，类似于EM器件1000(其中相似特征被类似地标记)的EM器件1001具有类似于图1A和图1B的第二介电部分2520的第二介电部分2550，但是在第二介电部分2550内有内部区域2700，该内部区域由介电常数小于第二介电部分2550的其余外部主体部分的介电常数的材料制成。在实施方式中，内部区域2700是空气。一般而言，第二介电部分2550的外部主体部分由具有第一介电常数的介电材料制成，并且内部区域2700由具有小于第一介电常数的第二介电常数的介电材料制成。EM器件1001的其他特征与EM器件1000的那些特征相似或相同。
现在参照图2和图3，其中图2描绘了EM器件1002并且图3描绘了EM器件1003，并且其中EM器件1002、1003二者均类似于EM器件1000，其中相似特征被类似地标记。
在实施方式中，图2中所示的EM器件1002具有与图1A和图1B的第二介电部分2520类似的第二介电部分2522，但是其圆柱形状的直径W1在第二介电部分2522的整个高度HS上延伸。即，第二介电部分2522类似于EM器件1000的第二介电部分2520的第一子部分2519的延伸版本。在实施方式中，第二介电部分2522具有总最大高度HS和总最大宽度W1，其中HS大于W1。在实施方式中，HS等于或大于W1的1.5倍。替选地，在实施方式中，HS等于或大于W1的2倍。
在实施方式中，图3中所示的EM器件1003具有第二介电部分2523，其具有与EM器件1002的第二介电部分2522类似的最大总宽度W1和最大总高度HS，但其3D形状的下部部分2524具有基本竖直的侧壁并且上部部分2525具有截短的椭圆形状。将图3与图1A、图1B、图1C、图1D和图2进行比较，可以看出，不仅第一介电部分2020可以具有凸形远端2060，第二介电部分2523也可以具有凸形远端2560。在实施方式中，第二介电部分2523具有总最大高度HS和总最大宽度W1，其中HS大于W1。在实施方式中，HS等于或大于W1的1.5倍。替选地，在实施方式中，HS等于或大于W1的2倍。
通过如本文公开的那样布置第二介电部分2520、2521、2522的高宽比，支持更高的TE(横电波)模式，这产生更宽的远场TE辐射带宽。
在实施方式中，第二介电部分2520、2521、2522、2523被设置成与第一介电部分2020直接紧密接触。然而，本发明的范围不限于此。在实施方式中，第二介电部分2520、2521、2522、2523被设置在与第一介电部分2020的远端2060相距等于或小于λ的五倍的距离处，其中λ是图1B中的虚线2530所示的EM器件1000的操作中心频率处的自由空间波长。替选地，在实施方式中，第二介电部分2520、2521、2522、2523被设置在与第一介电部分2020的远端2060相距等于或小于λ的三倍的距离处。替选地，在实施方式中，第二介电部分2520、2521、2522、2523被设置在与第一介电部分2020的远端2060相距等于或小于λ的两倍的距离处。替选地，在实施方式中，第二介电部分2520、2521、2522、2523被设置在与第一介电部分2020的远端2060相距等于或小于λ的一倍的距离处。替选地，在实施方式中，第二介电部分2520、2521、2522、2523被设置在与第一介电部分2020的远端2060相距等于或小于λ的二分之一的距离处。替选地，在实施方式中，第二介电部分2520、2521、2522、2523被设置在与第一介电部分2020的远端2060相距等于或小于λ的十分之一的距离处。
现在参照图4，图4描绘了成为阵列3000的本文公开的介电结构2000中的多个任何介电结构，其中，多个介电结构2000中的各个介电结构的每个第二介电部分2520、2521、2522、2523经由连接结构4000物理地连接至各个第二介电部分2520、2521、2522、2523中的至少一个另外的第二介电部分。在实施方式中，例如，与多个介电结构2000之一的总的外部尺寸WS或HS相比，每个连接结构4000相对较薄(在页面平面中)。在实施方式中，每个连接结构4000由非气态介电材料形成，并且其横截总高度HC小于相应的被连接介电结构2000的总高度HS。在实施方式中，每个连接结构4000和相关联的第二介电部分2520、2521、2522、2523形成单个单片结构5000。在实施方式中，每个连接结构4000的横截总高度HC小于相关联的EM器件1000可操作的对应操作中心频率的自由空间波长λ。在实施方式中，连接结构4000由与对应的第二介电部分2520、2521、2522、2523的介电材料相同的介电材料形成。在实施方式中，连接结构4000与对应的第二介电部分2520、2521、2522、2523形成作为连续无缝结构的前述单个单片结构5000。
总体地综合参照前述附图，并且特别参照图4，EM器件1000、1001、1002、1003或介电结构2000的阵列3000的实施方式还包括衬底3200，在该衬底上设置有单独的或者成阵列的介电结构2000。在实施方式中，衬底3200包括电介质3140以及设置在电介质3140上的金属栅栏结构3500。对于图4的阵列3000，衬底3200具有至少一个支承部分3020，并且连接结构4000具有至少一个安装部分4020。在实施方式中，至少一个安装部分4020中的每一个被设置成与至少一个支承部分3020成一一对应关系。
总体地进一步综合参照前述附图，并且特别参照图4，EM器件1000、1001、1002、1003或介电结构2000的阵列3000、金属栅栏结构3500的实施方式包括多个导电电磁反射器3510，其通过导电基底3514围绕凹部3512，多个反射器3510中的每一个被设置成与多个介电结构2000中的对应介电结构成一一对应关系，并且被设置成基本上围绕多个介电结构2000中的每个对应介电结构。在实施方式中，金属栅栏结构3500是单一金属栅栏结构，并且多个导电电磁反射器3510与该单一金属栅栏结构3500一体地形成。
在实施方式中，每个相应的EM器件1000、1001、1002、1003包括用于电磁激励给定的介电结构2000的信号馈源3120，其中通过电介质3140使信号馈源3120与金属栅栏结构3500分离，在实施方式中，电介质3140是除空气外的介电介质，并且其中在实施方式中，信号馈源3120是具有槽孔3130的微带(例如参见图1A)。然而，给定的介电结构2000的激励可以通过适合本文公开的目的的任何信号馈源来提供，例如电磁耦合至相应介电结构2000的诸如铜线、同轴线缆、微带(例如，有槽孔)、条线(例如，有槽孔)、波导、表面集成波导、衬底集成波导或导电墨。本领域普通技术人员将理解，短语电磁耦合是本领域的术语，指在不必涉及两个位置之间的物理接触的情况下电磁能量从一个位置到另一位置的有意转移，并且参考本文公开的实施方式更特别地指具有与相关联的介电结构2000的电磁谐振模式一致的电磁谐振频率的信号源之间的相互作用。例如，如图1A中所示，介电结构2000与对应的电磁反射金属栅栏结构3500的组合的单独一个在本文中称为单格1020(unit cell)。
如图4中所示，电介质3140以及金属栅栏结构3500各自分别具有轴向对准的通孔3030、3530，这些通孔限定衬底3200的至少一个支承部分3020的位置。在实施方式中，至少一个安装部分4020中的每一个与至少一个支承部分3020中的每一个一一对应地设置。在实施方式中，至少一个安装部分4020中的每一个粘附或以其他方式固定到至少一个支承部分3020中的对应一个。图4描绘了具有宽为六的多个介电结构2000的M×N阵列3000，其中M＝6。在实施方式中，N也可以等于6，或者可以等于适合于本文公开的目的的任何数目的介电结构2000。此外，将理解，如本文所公开的给定阵列中的M×N介电结构的数目仅出于说明目的，并且M和N两者的值可以是适合于本文所公开的目的的任何数。因此，预期落入本文所公开的本发明的范围内的任何M×N阵列。
现在参照图5A至图10。
图5A描绘了类似于图4的阵列3000的M×N阵列3001，其中M＝2并且N不受限制，其中电介质3140以及金属栅栏结构3500各自分别具有限定衬底3200的相应支承部分3020的位置的轴向对准的通孔3030、3530，并且各个安装部分4020被分别设置在电介质3140和金属栅栏结构3500的对应通孔3030、3530内。图5B描绘了在将类似于本文上述的单片结构5000的单片结构5010组装到衬底3200之前图5A的阵列3001。如图所示，阵列3001是具有连接结构4000的连接阵列，如在第二介电部分2520的近端2040处所示，第二介电部分2520的较低Dk材料覆盖第一介电部分2020的较高Dk材料的所有侧，并且如图5A中的虚线5012所示，第二介电部分2520与第一介电部分2020直接紧密接触。
图6A描绘了类似于图5A的阵列3001的M×N阵列3001，其中M＝2并且N不受限制，其中电介质3140和金属栅栏结构3500各自分别具有限定衬底3200的至少一个支承部分3020的位置的轴向对准的通孔3030、3530，并且各个安装部分4020被设置在金属栅栏结构3500的对应通孔3530内，而不是电介质3140的通孔3030内。在实施方式中，电介质3140的通孔3030填充有诸如粘合剂的粘接材料3012，其将类似于图5A中描绘的单片结构5010的单片结构5020的安装部分4020固定到衬底3200。图6B描绘了在将单片结构5020组装到衬底3200之前的图6A的阵列3002。如所描绘的，阵列3002是具有连接结构4000的连接阵列，如在第二介电部分2520的近端2040处所示，第二介电部分2520的较低Dk材料未覆盖第一介电部分2020的较高Dk材料的所有侧，其中，在第二介电部分2520的近端2040与金属栅栏结构3500的设置有第一介电部分2020的导电基底3514之间存在间隙5014，并且如图5A中的虚线5012所示，第二介电部分2520与第一介电部分2020直接紧密接触。
图7A描绘了分别类似于图5A和图6A的阵列3001、3002但具有一些替选特征的M×N阵列3003，其中M＝2并且N不受限制。如图7A中所示，在类似于连接结构4000但作为其替选的连接结构4030的安装部分4020的区域中，电介质3140不存在通孔，并且金属栅栏结构3500具有凹形支承表面3540，安装部分4020被安置于该凹形支承表面3540上，形成至少一个支承部分3020。在实施方式中，粘接材料3012将类似于单片结构5010、5020的单片结构5030的安装部分4020固定到凹形支承表面3540。图7B描绘了在将单片结构5030组装到衬底3200之前图7A的阵列3003。换句话说，衬底3200的每个支承部分3020包括面朝上的支承表面3540，并且连接结构4030的每个安装部分4020包括面朝下的安装表面4024，其被设置成与面朝上的支承表面3540中的对应一个面对面地啮合。
如图所示，阵列3003是具有连接结构4030的连接阵列，如在第二介电部分2520的近端2040处所示，第二介电部分2520的较低Dk材料未覆盖第一介电部分2020的较高Dk材料的所有侧，其中，在第二介电部分2520的近端2040与金属栅栏结构3500的设置有第一介电部分2020的导电基底3514之间存在间隙5014，并且如图7A中的间隙5016所示，第二介电部分2520被设置成与第一介电部分2020的远端2060相距一定距离。在将图7A的连接结构4030与图5A的连接结构4000进行比较时，连接结构4000具有截面总高度HC，并且连接结构4030具有截面总高度HC1，其中HC1小于HC。在实施方式中，HC1等于或小于λ的一倍，其中λ是EM器件1000的操作中心频率处的自由空间波长。替选地，在实施方式中，HC1等于或小于λ的二分之一。替选地，在实施方式中，HC1等于或小于λ四分之一。替选地，在实施方式中，HC1等于或小于λ的五分之一。替选地，在实施方式中，HC1等于或小于λ的十分之一。
图8A描述了类似于图6A的阵列3004但其中连接结构的高度是HC1而不是HC的M×N阵列3004，其中M＝2并且N不受限制。图8和图6A中的其他相似特征被类似地标记。
图8B描绘了类似于具有间隙5014和5016的图7A的阵列3003与具有粘接材料3012的图8A的阵列3004的组合但是具有替选的安装特征的M×N阵列3005，其中M＝2并且N不受限制。在实施方式中，衬底3200的每个支承部分3020包括形成在金属栅栏结构3500中的面朝上的肩3024，并且单片结构5020的每个安装部分4020包括设置在面朝上的肩3024中的对应肩上的面朝下的肩4024，其中安装部分4020的减小的截面远端4026与金属栅栏结构3500中的开口或通孔3534啮合。形成在金属栅栏结构3500中处于安装部分4020的远端4026下方的空隙3536填充有粘接材料3012以将单片结构5020固定到衬底3200。
参照图6A、图8A和图8B，可以看出，一种实施方式包括以下布置：其中对应的安装部分4020仅被部分地设置在金属栅栏结构3500的通孔3030、3530、3534中的对应一个通孔内，并且粘接材料3012被至少部分地设置在金属栅栏结构3500的其余通孔部分和衬底3200的对应通孔中。
参照图8B，可以看出，一种实施方式包括以下布置：其中连接结构4030的安装部分4020形成具有阶梯下降的柱端部4021的柱(由附图标记4020指代)，并且阶梯下降的柱端部4021被部分地设置在金属栅栏结构3500的对应通孔3534内。在实施方式中，柱4020和阶梯下降的柱端部4021是圆柱形的。
图9A描绘了类似于图8A的阵列3004但具有替选的安装特征的M×N阵列3006，其中M＝2并且N不受限制，并且图9B详细描述了图9A中所示的细节9B。在实施方式中，衬底3200的每个支承部分3020包括形成在金属栅栏结构3500中的面朝下的底切肩3022，并且连接结构4030的每个安装部分4020包括面朝上的卡扣配合肩4022，其被设置成经由金属栅栏结构3500中的开口3532与对应的面朝下的底切肩3022卡扣配合地接合。虽然图9A和图9B示出了电介质3140中的通孔3030，但是应当理解，根据连接结构4030的卡扣配合腿4050的尺寸，这样的通孔3030可以不是必需的。在实施方式中，卡扣配合腿4050包括开放的中央区域4052，其允许侧边部分4054向内弯曲以有助于前述卡扣配合地接合。安装部分4020的远端上的锥形鼻4056有助于安装部分4020进入开口3532。
图10示出了类似于具有间隙5014和5016的图7A的阵列3003和具有卡扣配合腿4050的图9A的阵列3005的组合的M×N阵列3007，其中M＝2并且N不受限制。图10、图9A和图7A之间的其他相似特征被类似地标记。
结合图5A至图10，通过对图1至图4的前述说明可以看出，本文所公开的许多EM器件特征能够与本文所公开的其他EM器件特征互换和一起使用。同样，应当理解，虽然本文中没有示出和具体描述EM器件特征的所有组合，但是本领域普通技术人员应该理解，在不脱离本文公开的发明范围的情况下，可以采取用一个EM器件特征代替另一EM器件特征。因此，本文所公开的EM器件特征的任何以及所有组合被涵盖并且被视为落入本文所公开的发明范围内。
现在参照图11至图12。
图11描绘了类似于图5A的阵列3001但是缺少图5A中所示的连接结构4000的M×N阵列3008，其中M＝2并且N不受限制。图11与图5A之间的其他相似特征被类似地标记。
图12描绘了与图11的阵列3007类似地缺少连接结构4000、并且具有类似于图3中所示的第二介电部分2523的M×N阵列3009，其中M＝2并且N不受限制。图12与图11之间的其他相似特征被类似地标记。
通过对图1至图12的前述描述和/或图示可以看出，本发明的实施方式可以包括连接结构4000或不包括连接结构4000，并且仍然根据本文公开的发明的实施方式执行。因此，可以想到，本文公开的包括连接结构的任何实施方式可以在没有这样的连接结构的情况下被采用，并且本文公开的没有连接结构的任何实施方式可以与这样的连接结构一起被采用。
现在参照图13，图13描绘了M×N阵列3040的示例平面图实施方式，其中M＝2并且N＝2，但是本发明不限于2×2阵列。阵列3040是没有对应的第二介电部分2520、2523、连接结构4000、4030和/或单片结构5020的分别在图5A、图6A、图7A、图8A、图8B、图9A、图10中描述的前述阵列3001、3002、3003、3004、3005、3006、3007中的任何一个的代表。如图所示，阵列3040包括具有金属栅栏结构3500的衬底3200、第一介电部分2020、开槽馈送孔3130(其可以用前述馈送结构中的任一种替代)以及支承部分3020，所述金属栅栏结构3500具有导电电磁反射器3510和导电基座3514(在视图中隐藏了电介质3140)。现在结合图13来参照图14A，图14A描绘了在组装到衬底3200之前的单片结构5010。如图所示，单片结构5010具有多个第二介电部分2520、多个安装部分4020和连接结构4000、4030。虽然连接结构4000、4030被图示为完全填充第二介电部分2520与安装部分4020之间的空间，但是应当理解，这仅仅是为了图示的目的，并且连接结构4000、4030仅需要具有将第二介电部分2520与安装部分4020互连以形成单片结构5010的连接分支。例如参见图14B，图14B描绘了与图14A中所示的相同的第二介电部分2520和安装部分4020，但是其中连接结构4000、4030是多个互连的肋，图中这些的组合形成单片结构5010。图14A与至少图5A和图7A之间的比较将示出连接结构4000、4030被设置在相对于衬底3200的一定距离处，这段距离可以由空气或者一些非气态介电材料占据。单片结构5010的被设置在相对于衬底3200的一定距离处的那些部分在本文中也被称为非附接区4222。
现在参照图15至图21，其描绘了安装部分4020、介电结构2000的阵列布局以及所得到的连接结构4000、4030的替选布置，其中在图15至图21中仅描绘了介电结构2000的第二介电部分2520。在图15中，第二介电部分2520被布置成直线布局，并且安装部分4120被布置成完全围绕第二介电部分2520(和形成的介电结构2000)。在图16中，第二介电部分2520被布置成直线布局，并且安装部分4220被布置成部分围绕第二介电部分2520，其中，在单片与衬底之间存在至少一个非附接区4222。在图17中，第二介电部分2520被布置成非直线布局，并且安装部分4120被布置成类似于图15那样完全围绕第二介电部分2520。在图18中，第二介电部分2520被布置成非直线布局，并且安装部分4320被布置成类似于图15和图17那样完全围绕第二介电部分2520，但是在策略性位置例如阵列拐角处放置有另外的较厚安装部分4322。在图19中，第二介电部分2520被布置成非直线布局，并且在没有图18所示的周围安装部分4320的情况下经由图18所示的另外的较厚安装部分4322形成安装部分4322，产生存在于单片与衬底之间的至少一个非附接区4222。在图20中，第二介电部分2520被布置成非直线布局，并且仅利用图18所示的周围安装部分4320的一部分经由图18所示的另外的较厚安装部分4322形成安装部分4420，产生存在于单片与衬底之间的至少一个非附接区4222。在图21中，第二介电部分2520被布置成非直线布局，并且利用图18所示的周围安装部分4320的另外部分经由图18所示的另外的较厚安装部分4322形成安装部分4520，产生存在于单片与衬底之间的至少一个非附接区4222。可以以与本文的公开内容一致的任何方式形成图15至图21的连接结构4000、4030以将对应的安装部分4120、4220、4222、4320、4322、4420、4520与第二介电部分2520互连。
根据上文将理解，本发明的实施方式包括EM器件1000，其中衬底3200的至少一个支承部分3020中的每一个与连接结构4000、4030的至少一个安装部分4020、4120、4220、4222、4320、4322、4420、4520中的对应安装部分彼此附接以限定第一附接区4020、4120、4220、4222、4320、4322、4420、4520，阵列3000、3001、3002、3003、3004、3005、3006、3007、3008、3009的第一介电部分2020中的每一个与衬底3200彼此附接以限定第二附接区(第一介电部分2020与衬底3200之间的接触区域的集合)，并且单个单片结构5000、5010与衬底3200之间除了第一附接区或第二附接区以外的区域限定非附接区4222。在实施方式中，第一附接区至少部分地围绕第二附接区。替选地，在实施方式中，第一附接区完全围绕第二附接区。
根据上文将理解，存在用于提供与本文公开内容一致的实施方式的关于配置安装部分和连接结构以及介电结构的布局的许多变型，太多而不能详尽地列举。与本文中公开内容一致的任何和所有这样的布置均被考虑到并且被认为落入本文中公开的发明范围内。
现在参照图22至图23，其示出了显示本文中公开的并且通常由图7A、图13和图14A表示的示例实施方式的优点的数学建模数据。图22描绘了单个辐射介电结构2000更具体地是具有本文中公开的实施方式的第一介电部分2020和第二介电部分2520的单个单格1020的性能特性，更具体地是dBi增益和S(l,1)回波损耗。如图所示，带宽是在69GHz与85GHz之间的-10dBi下的21％带宽，在该21％带宽内增益基本恒定，其中在79GHz处具有12.3dBi的峰值，并且在21％带宽内的三种谐振模式是TE模式，TE0l、TE02、TE03。图23描绘了与图22相关联的相同单格1020在具有第二介电部分2520和不具有第二介电部分2520情况下的S(l,1)回波损耗性能特性的比较，呈现该比较以说明本文中公开的实施方式的优点。曲线2300描绘了具有第二介电部分2520的情况下的S(l,1)特性，并且曲线2310描绘了在没有第二介电部分2520的情况下的S(l,1)特性。可以看出，在69GHz至85GHz的操作频率范围内，使用第二介电部分2520使最小回波损耗增强至少40dBi。
鉴于上述内容，将理解，如本文所公开的EM器件1000能够具有包括处于不同中心频率的至少两个谐振模式的操作频率范围进行操作，其中，谐振模式中的至少一个由第二介电部分2520的存在来支持。在实施方式中，所述至少两个谐振模式是TE模式。还将理解，如本文所公开的EM器件1000能够具有包括处于不同中心频率的至少三个谐振模式的操作频率范围进行操作，其中，所述至少三个谐振模式中的至少两个由第二介电部分2520的存在来支持。在实施方式中，所述至少三个谐振模式是TE模式。在实施方式中，EM器件1000能够具有操作频率范围内的最小回波损耗值进行操作，并且其中，移除第二介电部分2520使操作频率范围内的最小回波损耗值增加至少5dBi、替选地增加至少10dBi、替选地增加至少20dBi、替选地增加至少30dBi、并且还有替选地增加至少40dBi。
返回参照图1C、图1D和至少图4，应当理解，实施方式包括第二介电部分2550，替选地，在本文中称为电磁(EM)介电透镜，其具有由至少一个介电材料形成的至少一个透镜部分(在本文中也由附图标记2550表示)，其中至少一个透镜部分2550具有由至少一个介电材料的边界来界定轮廓的腔2700。在实施方式中，所述至少一个透镜部分2550由多个分层的透镜部分(由虚线2552描绘)形成。在实施方式中，多个透镜部分2550、2552被布置成阵列(例如，参见图4中的阵列3000)。在实施方式中，多个透镜部分2550、2552被连接(例如，参见图4中的连接结构4000)，其中多个透镜部分2550、2552的连接由至少一个介电材料提供。在实施方式中，EM介电透镜2550是全介电结构。
鉴于对本文所公开的EM器件1000的结构的以上描述，应当理解，实施方式还包括制造这样的EM器件1000的方法，所述方法包括：提供衬底；在衬底上设置多个第一介电部分FDP，所述多个FDP中的每个FDP具有近端和远端并且包括除空气外的介电材料，每个FDP的近端被设置在衬底上；接近每个FDP设置第二介电部分SDP，每个SDP具有近端和远端，每个SDP的近端被设置成接近对应的FDP的远端，每个SDP包括除空气外的介电材料，每个FDP的介电材料的平均介电常数大于对应的SDP的介电材料的平均介电常数，每个FDP和对应的SDP形成介电结构。在该方法的实施方式中，每个SDP经由由非气态介电材料形成的连接结构物理连接至SDP中的至少另一个SDP，该连接结构和所连接的SDP形成单个单片结构。在该方法的实施方式中，设置SDP包括接近每个FDP设置单个单片结构。在该方法的实施方式中，单个单片结构是具有无缝且连续结构的单一介电材料。在该方法的实施方式中，该方法还包括将单个单片结构附接至衬底。在该方法的实施方式中，附接包括通过粘接将单个单片结构的柱附接至衬底的支承台上。在该方法的实施方式中，附接包括通过卡扣配合将单个单片结构的卡扣配合柱附接至衬底的有肩孔中。在该方法的实施方式中，附接包括将单个单片结构的阶梯下降柱仅部分地附接至衬底的通孔中，以及在通孔中涂敷粘接材料以将柱粘接至衬底。在该方法的实施方式中，介电结构是全介电结构。
在宽泛地参照前述内容的同时，现在具体地参照图24A至图31，其描绘了本文中上述实施方式的替选实施方式，并且在下文中参照以下方面对这些替选实施方式进行描述。
方面l(例如，结合图29A、图29B、图29C、图30A、图30B和图30C参见图31)：一种电磁器件6600，包括：第一电磁EM信号馈源6322.1；邻近第一EM信号馈源6322.1设置的第二EM信号馈源6322.2；以及加高导电区域6426，其被设置在第一EM信号馈源6322.1与第二EM信号馈源6322.2之间并且相对于第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2被加高。
方面2：方面1所述的器件6600，其中，第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2被设置在馈源衬底6300上，加高导电区域6426包括镀金属衬底，其具有设置在第一EM信号馈源6322.1上的第一细长腔6602以及设置在第二EM信号馈源6322.2上的第二细长腔6604、以及细长导电指6426，其形成设置在第一EM信号馈源6322.1与第二EM信号馈源6322.2之间的加高导电区域。
方面3：方面2所述的器件6600，其中：馈源衬底6300包括上导电层6304；并且细长导电指6426电粘接至馈源衬底6300的上导电层6304。
方面4：方面2至3中任一方面所述的器件6600，其中：馈源衬底6300包括第一部分6320，在该第一部分上布置有第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2，以及第二部分6330，其提供针对多个介电结构6200的支承区域(上导电层6304的上表面)并且是第一部分6320的延伸；多个介电结构的第一集合6200.1被设置为与第一EM信号馈源6322.1电磁协作，并且多个介电结构的第二集合6200.2被设置为与第二EM信号馈源6322.2电磁协作；并且第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2被设置在第一部分6320上并且不在第二部分6330上。
方面5：方面4所述的器件6600，其中：多个介电结构6200被设置在第二部分6330的支承区域上。
方面6：方面4至5中任一方面所述的器件6600，其中，多个介电结构6200中的每个介电结构包括：第一介电部分FDP 6202，其具有近端6204和远端6206，FDP 6202包括除空气外的介电材料；以及第二介电部分SDP 6252，其具有近端6254和远端6256，SDP 6252的近端6254被设置成接近FDP 6202的远端6206，SDP 6252包括除空气外的介电材料；其中，FDP6202的介电材料的平均介电常数大于SDP 6252的介电材料的平均介电常数。
方面7：方面6所述的器件6600，其中：至少FDP 6202是介质谐振器结构。
方面8：方面6至7中任一方面所述的器件6600，其中：每个SDP 6252的远端6256具有将相邻SDP 6252.1、6252.2整体互连的相对薄的连接结构6280，其中，相对薄的连接结构6280具有厚度t，厚度t与给定SDP 6252的近端6254的在侧视图中观察到的总宽度尺寸W1相比相对薄。
方面9：方面6至8中任一方面所述的器件6600，其中：FDP 6202具有等于或大于10并且等于或者小于20的第一介电常数Dkl；并且SDP 6252具有大于空气的介电常数并且等于或小于9的第二介电常数Dk2。
方面10：方面6至9中任一方面所述的器件6600，其中：SDP 6252具有在侧视图中观察到的总高度尺寸HS，并且SDP 6252的近端6254具有在侧视图中观察到的总宽度尺寸W1；并且HS等于或大于W1的2.5倍并且等于或小于W1的55倍。
方面11：方面4至9中任一方面所述的器件6600，还包括：电磁反射EMR结构6400，其具有多个电磁反射器6410，所述多个电磁反射器6410中的每个反射器被设置在所述多个介电结构6200中的对应介电结构周围并且与多个介电结构6200中的对应介电结构一一对应；EMR结构6400被设置成与馈源衬底6300的第二部分6330电气连通；并且EMR结构6400被设置成与设置在第一EM信号馈源6322.1与第二EM信号馈源6322.2之间的加高导电区域6426电气连通。
方面12：方面1至3中任一方面所述的器件6600，其中，第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2中的每个借助于上导电层6304的传导材料的缺失6324.1、6324.2而形成在上导电层6340中。
方面13：方面12所述的器件6600，其中，馈源衬底是衬底集成波导SIW 6300，并且还包括：下导电层6302；介电层6306，其被设置在下导电层6302与上导电层6304之间；多个导电孔6308，其被设置在下导电层6302与上导电层6304之间并且与它们电气连通，所述多个导电孔6308被布置成形成SIW 6300的第一电磁EM波导6310.1和第二电磁EM波导6310.2，第一电磁EM波导6310.1和第二电磁EM波导6310.2分别与第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2电磁协作；其中，SIW 6300的第一部分6320包括具有第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2的共面信号馈源结构；其中，SIW 6300的第二部分6330提供针对多个介质谐振器结构6200(参见图24A、图29A和图30A)的支承并且是SIW 6300的第一部分6320的延伸；其中，所述多个介质谐振器结构6200的第一集合6200.1被设置为与第一EM波导6310.1电磁协作，并且所述多个介质谐振器结构6200的第二集合6200.2被设置为与第二EM波导6310.2电磁协作；其中，第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2被设置在第一部分6320上并且不在第二部分6330上。
方面14：方面12至13中任一方面所述的器件6600，其中：第一信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2中的每个具有信号输入区域6326以及信号输出区域6328(例如参见图24C)；信号输出区域6328被设置成与第二部分6330相距距离d(例如，参见图24C)；并且d大于零且等于或小于λ/20，其中λ是器件的操作频率处的操作波长。
方面15(参照图31和图24C最佳地看出)：方面12至14中任一方面所述的器件6600，还包括：电磁反射EMR结构6400，其具有多个电磁反射器6410，所述多个电磁反射器6410中的每个反射器被设置在多个介质谐振器结构6200中的对应介质谐振器结构周围并且与多个介质谐振器结构6200中的对应介质谐振器结构一一对应；EMR结构6400被设置成与SIW6300的第二部分6330上的上导电层6304电气连通；EMR结构6400被设置成与设置在第一EM信号馈源6322.1与第二EM信号馈源6322.2之间的加高导电区域6426电气连通。
方面16：方面12至15中任一方面所述的器件6600，其中：共面信号馈源结构的第一EM信号馈源6322.1和第二EM信号馈源6322.2中的每个具有约50欧姆的信号输入阻抗和大于50欧姆的信号输出阻抗。
方面17：方面12至15中任一方面所述的器件6600，其中：第一EM波导6310.1和第二EM波导6310.2中的对应一者的多个导电孔6308被设置在对应EM信号馈源6322.1，6322.2的每一侧并且接近该对应EM信号馈源6322.1，6322.2，并且多个导电孔6308被彼此相关地布置以形成在SIW 6300的侧视图中观察到的一排交叠的孔6312(参照图24B最佳地看出)，以减少来自对应EM信号馈源6322.1、6322.2的侧向信号泄漏。
方面18：方面12至13中任一方面所述的器件6600，其中，多个介质谐振器结构6200中的每个介质谐振器结构包括：第一介电部分FDP 6202，其具有近端6204和远端6206，FDP6202包括除空气外的介电材料；以及第二介电部分SDP 6252，其具有近端6254和远端6256，SDP 6252的近端6254被设置成接近FDP 6202的远端6206，SDP 6252包括除空气外的介电材料；其中，FDP 6202的介电材料的平均介电常数大于SDP 6252的介电材料的平均介电常数。
方面19：方面18所述的器件6600，其中：FDP 6202具有等于或大于10并且等于或小于20的第一介电常数Dkl；并且SDP 6252具有大于空气的介电常数并且等于或小于9的第二介电常数Dk2。
方面20：方面18至19中任一方面所述的器件6600，其中：SDP 6252具有在侧视图中观察到的总高度尺寸HS，并且SDP 6252的近端6254具有在侧视图中观察到的总宽度尺寸W1；并且HS等于或大于W1的2.5倍并且等于或小于W1的55倍。
方面21(例如，参见图24A、图24B和图24C)：一种电磁EM器件6100(类似于图1A的EM器件1000，但是具有替选的EM信号馈源和多个替选的介电结构)的实施方式包括：多个介电结构6200，所述多个介电结构中的每个介电结构包括：第一介电部分FDP 6202，其具有近端6204和远端6206，FDP 6202包括除空气外的介电材料；以及第二介电部分SDP 6252，其具有近端6254和远端6256，SDP 6252的近端6254被设置成接近FDP 6202的远端6206，SDP 6252包括除空气外的介电材料；其中，FDP 6202的介电材料的平均介电常数大于SDP 6252的介电材料的平均介电常数；其中，SDP 6252具有如在侧视图中观察到的总高度尺寸HS(例如，参见图24B)，并且SDP 6252的近端6254具有如在侧视图中观察到的总宽度尺寸W1(例如，参见图24B)；其中，HS等于或大于W1的2.5倍并且等于或小于W1的55倍。
方面22：方面21所述的器件6100，其中，HS等于或大于WI的3倍。
方面23：方面21至22中任一方面所述的器件6100，其中，SDP 6252具有大体上圆柱形形状。
方面24：方面21至23中任一方面所述的器件6100，其中，每个SDP 6252的远端6256具有将相邻的SDP 6252.1、6252.2整体互连的相对薄的连接结构6280，其中，相对薄的连接结构6280具有与W1相比相对薄的厚度t。在实施方式中，t等于或大于W1的0.1倍并且等于或小于W1的0.5倍，或者替选地等于或小于W1的0.2倍。
方面25：方面21至24中任一方面所述的器件6100，还包括：衬底集成波导SIW6300，所述多个电介质结构6200被设置在衬底集成波导SIW 6300上。
方面26：方面25所述的器件6100(结合图24A和图24B参照图24C最佳地看出)，其中，SIW 6300包括：下导电层6302；上导电层6304；设置在下导电层6302与上导电层6304之间的介电层6306；多个导电孔6308，其被设置在下导电层6302与上导电层6304之间并且与下导电层6302和上导电层6304电气连通，所述多个导电孔6308被布置成形成SIW 6300的电磁EM波导6310；其中，SIW 6300的第一部分6320包括共面信号馈源6322，该共面信号馈源借助于上导电层6304的传导材料的缺失6324而形成在上导电层6304中，信号馈源6322被设置成与EM波导6310电磁协作；其中，SIW 6300的第二部分6330提供针对多个介电结构6200的支承并且是SIW 6300的第一部分6320的延伸(其中，第一部分6320和第二部分633的下导电层6302共面，并且第一部分6320和第二部分633的上导电层6304共面)，多个介电结构6200被设置成与EM波导6310电磁协作；其中，信号馈源6322被设置在第一部分6320上并且不在第二部分6330上。
方面27：方面26所述的器件6100，其中：信号馈源6322具有信号输入区域6326和信号输出区域6328；信号输出区域6328被设置成与第二部分6330相距距离d；并且d大于零且等于或小于λ/20，其中λ是器件6100的操作频率处的操作波长。
方面28：方面26至27中任一方面所述的器件6100，还包括：电磁反射EMR结构6400，其具有多个电磁反射器6410，所述多个电磁反射器6410中的每个反射器被设置在所述多个介质谐振器结构6200中的对应介质谐振器结构周围并且与所述多个介质谐振器结构6200中的对应介质谐振器结构一一对应；EMR结构6400被设置成与SIW 6300的第二部分6330上的上导电层6304电气连通。
方面29：方面28所述的器件6100，其中，EMR结构6400具有等于或小于HS的0.25倍的高度HR。
方面30：方面26至27中任一方面所述的器件6100，其中：共面信号馈源6322具有约50欧姆的信号输入阻抗和大于50欧姆的信号输出阻抗。
方面31：方面26至27中任一方面所述的器件6100，其中：EM波导6310的多个导电孔6308的一部分6312被设置在信号馈源6308的每一侧并且接近信号馈源6308，并且多个导电孔6308被彼此相关地布置以形成如在SIW 6300的侧视图(例如参见图24B)中观察到的一排交叠的孔，以减少来自信号馈源的侧向信号泄漏。
方面32：方面26至27中任一方面所述的器件6100，其中：给定SIW 6300内的多个介电结构6200中的每个介电结构具有平行于器件6100的z轴(例如参见图24A)的中心竖直轴线6208、6210，其是如在器件6100的平面图中观察到的在对应SIW 6300的范围内相对于彼此的侧向偏移6212(例如参见图24C)。
方面33：方面32所述的器件6100，其中：给定SIW 6300内的多个介电结构6200中的最靠近的相邻介电结构的中心竖直轴线6208、6210被设置成彼此相距的距离为λ/2。
方面34：方面28所述的器件6100，其中：响应于信号馈源6322处的处于约52.5GHz与约65GHz之间的频率的电激励，器件6100能够进行操作以辐射具有至少四个横电波TE辐射模式的电磁辐射场，如从图25中描绘的分析建模数据观察到的那样。能够利用本文公开的高(高纵横比)SDP 6252辐射至少四个TE辐射模式的优点在于增强的带宽，在该带宽上具有平坦增益，同样如在图25中描绘的分析建模数据中观察到的那样，其示出了20％的带宽上的10至12dBi的增益。虽然图25仅描绘了四个TE辐射模式(TE1、TE2、TE3、TE4)，但是可以想到，通过应用本文中公开内容的教导，可以有更多数目的TE辐射模式，从而进一步提高增益、带宽或两者。
方面35：方面34的所述器件6100，其中：器件6100能够在四个TE辐射模式下以至少10dBi的增益进行操作(例如参见图25)。图26、图27和图28提供了器件6100的另外的分析建模数据。例如：图26示出了带宽约13.3％的情况下超过12dBi的增益；图27示出了在
Figure BDA0002583263850000222
处仅有0.6dBi增益降的+/-2度的波束偏斜；并且，图28示出了在
Figure BDA0002583263850000221
处仅有0.6dBi增益降的+/-2度的波束偏斜。
方面36(例如，参照图24A、图24B和图24C来参见图29A、图29B和图29C)：一种电磁阵列6500，包括：彼此并排整体布置的方面28所述的多个器件6100，其中，每个下导电层602是连续的，每个上导电层6304是连续的，每个介电层6306是连续的，并且每个器件6100的每个EMR结构6400的组合形成聚合EMR结构6420，其中：聚合EMR结构6420具有包括多个电磁反射器6410的第一部分6422和包括多个电磁反射EMR延伸部6426的第二部分6424，每个信号馈源6322在每一侧与多个EMR延伸部6426中的一个EMR延伸部相接，该EMR延伸部6426用于改进信号馈源6322中的邻近信号馈源之间的信号隔离。
方面37：方面36所述的阵列6500，其中：在给定SIW 6300内的多个介电结构6200中最靠近的相邻介电结构的中心竖直轴线6208、6210被设置成彼此相距的距离6212为λ/2。
方面38(现在具体参照图30C，并且结合图29A、图29B和图29C宽泛地参照图30A和图30B)：方面37所述的阵列6500，其中：相邻SIW 6300.1、6300.2中的多个介电结构6200中最靠近的相邻介电结构的中心竖直轴线6214、6216被设置成彼此相距的距离6218为λ/4。
方面39：方面21至38中任一方面所述的器件6100，其中：FDP 6202具有第一介电常数值Dkl；SDP 6252具有第二介电常数值Dk2；SIW 6300的介电层6306具有第三介电常数值Dk3；Dk2小于Dkl，并且Dk3小于Dkl。
方面40：方面39所述的器件6100，其中：Dk3等于或大于Dk2。
方面41：方面39所述的器件6100，其中：Dk3等于或小于Dkl的0.5倍。
如本文中关于前述方面1至41所使用的，对术语“加高”的引用是指如图24A、图29A和图30A中所示的在沿着xyz正交坐标系的z轴的正z方向上加高。
鉴于所有上述内容，虽然本文中已经描述TM器件特征的特定组合，但是应当理解，这些特定组合仅用于说明目的，并且可以根据本发明的实施方式采用本文公开的EM器件特征的任何组合。任何以及所有这样的组合都在本文中被预期并且被认为落入本文所公开的发明范围内。
尽管已经参考示例实施方式描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离权利要求的范围的情况下，可以进行各种改变并且可以用等同物代替其中的元件。在不脱离本发明的实质范围的情况下，可以做出多种修改方案以适应本发明教导的具体情形或材料。因此，旨在本发明不限于作为用于实施本发明的最佳或唯一模式所公开的特定的一个或多个实施方式，而是本发明将包括落入所附权利要求书的范围内的所有实施方式。在附图和说明书中，已经公开了示例实施方式，并且尽管可以采用特定的术语和/或尺寸，但是除非另有说明，否则它们仅是在一般的、示例性的和/或描述性的意义上使用，而不是出于限制的目的，因此权利要求的范围不受限于此。当诸如层、膜、区域、衬底或其他描述的特征的元素被称为在另一元素“上”时，其可以直接在另一元素上，或者也可以存在中间元素。相比之下，当元素被称为“直接在”另一元素“上”时，不存在中间元素。术语“第一”、“第二”等的使用不表示任何顺序或重要性，而是使用术语“第一”、“第二”等来将一个元素与另一元素区分开。术语“一个(a)”、“一个(an)”等的使用不表示数量限制，而是表示存在至少一个所引用的项目。如本文所使用的术语“包括”不排除可能包括一个或更多个附加特征。并且，本文中提供的任何背景信息是为了揭示申请人认为可能与本文中公开的本发明有关的信息。没有必要有意承认也不应加以解释任何这样的背景信息构成针对本文中公开的本发明的实施方式的现有技术。

Claims (41)

1.一种电磁器件，包括：
第一电磁EM信号馈源；
邻近所述第一EM信号馈源设置的第二EM信号馈源；以及
加高导电区域，其被设置在所述第一EM信号馈源与所述第二EM信号馈源之间并且相对于所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源被加高。
2.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源被设置在馈源衬底上；
所述加高导电区域包括镀金属衬底，所述镀金属衬底具有设置在所述第一EM信号馈源上的第一细长腔和设置在所述第二EM信号馈源上的第二细长腔、以及细长导电指，其形成设置在所述第一EM信号馈源与所述第二EM信号馈源之间的所述加高导电区域。
3.根据权利要求2所述的器件，其中：
所述馈源衬底包括上导电层；并且
所述细长导电指电连接至所述馈源衬底的所述上导电层。
4.根据权利要求2至3中任一项所述的器件，其中：
所述馈源衬底包括第一部分和第二部分，在所述第一部分上布置有所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源，所述第二部分提供针对多个介电结构的支承区域并且是所述第一部分的延伸；
所述多个介电结构的第一集合被设置为与所述第一EM信号馈源电磁协作，并且所述多个介电结构的第二集合被设置为与所述第二EM信号馈源电磁协作；并且
所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源被设置在所述第一部分上并且不在所述第二部分上。
5.根据权利要求4所述的器件，其中：
所述多个介电结构被设置在所述第二部分的所述支承区域上。
6.根据权利要求4至5中任一项所述的器件，其中，所述多个介电结构中的每个介电结构包括：
第一介电部分FDP，其具有近端和远端，所述FDP包括除空气外的介电材料；以及
第二介电部分SDP，其具有近端和远端，所述SDP的近端被设置成接近所述FDP的远端，所述SDP包括除空气外的介电材料；
其中，所述FDP的介电材料的平均介电常数大于所述SDP的介电材料的平均介电常数。
7.根据权利要求6所述的器件，其中：
至少所述FDP是介质谐振器结构。
8.根据权利要求6至7中任一项所述的器件，其中：
每个SDP的远端具有将相邻SDP整体互连的相对薄的连接结构，其中，所述相对薄的连接结构具有厚度t，所述厚度t与在侧视图中观察到的给定SDP的近端的总宽度尺寸W1相比相对薄。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的器件，其中：
所述FDP具有等于或大于10并且等于或小于20的第一介电常数Dkl；并且
所述SDP具有大于空气的介电常数并且等于或小于9的第二介电常数Dk2。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的器件，其中：
所述SDP具有在侧视图中观察到的总高度尺寸HS，并且所述SDP的近端具有在侧视图中观察到的总宽度尺寸W1；并且
HS等于或大于W1的2.5倍并且等于或小于W1的55倍。
11.根据权利要求4至9中任一项所述的器件，还包括：
电磁反射EMR结构，其具有多个电磁反射器，所述多个电磁反射器中的每个反射器被设置在所述多个介电结构中的对应介电结构周围并且与所述多个介电结构中的对应介电结构一一对应；
所述EMR结构被设置成与所述馈源衬底的所述第二部分电气连通；以及
所述EMR结构被设置成与设置在所述第一EM信号馈源与所述第二EM信号馈源之间的所述加高导电区域电气连通。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中：
所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源中的每个借助于所述上导电层的传导材料的缺失而形成在所述上导电层中。
13.根据权利要求12所述的器件，其中，所述馈源衬底是衬底集成波导SIW，并且还包括：
下导电层；
介电层，其被设置在所述下导电层与所述上导电层之间；
多个导电孔，其被设置在所述下导电层与所述上导电层之间并且被设置成与所述下导电层和所述上导电层电气连通，所述多个导电孔被布置成形成所述SIW的第一电磁EM波导和第二电磁EM波导，所述第一电磁EM波导和所述第二电磁EM波导分别与所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源电磁协作；
其中，所述SIW的第一部分包括具有所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源的共面信号馈源结构；
其中，所述SIW的第二部分提供针对多个介质谐振器结构的支承，并且是所述SIW的所述第一部分的延伸；
其中，所述多个介质谐振器结构的第一集合被设置为与所述第一EM波导电磁协作，并且所述多个介质谐振器结构的第二集合被设置为与所述第二EM波导电磁协作；
其中，所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源被设置在所述第一部分上并且不在所述第二部分上。
14.根据权利要求12至13中任一项所述的器件，其中：
所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源中的每个具有信号输入区域和信号输出区域；
所述信号输出区域被设置成与所述第二部分相距距离d；并且
d大于零且等于或小于λ/20，其中λ是所述器件的操作频率处的操作波长。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的器件，还包括：
电磁反射EMR结构，其具有多个电磁反射器，所述多个电磁反射器中的每个反射器被设置在所述多个介质谐振器结构中的对应介质谐振器结构周围并且与所述多个介质谐振器结构中的对应介质谐振器结构一一对应；
所述EMR结构被设置成与所述SIW的所述第二部分上的上导电层电气连通；
所述EMR结构被设置成与设置在所述第一EM信号馈源与所述第二EM信号馈源之间的所述加高导电区域电气连通。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的器件，其中：
所述共面信号馈源结构的所述第一EM信号馈源和所述第二EM信号馈源中的每个具有约50欧姆的信号输入阻抗和大于50欧姆的信号输出阻抗。
17.根据权利要求12至15中任一项所述的器件，其中：
所述第一EM波导和所述第二EM波导中的对应EM波导的多个导电孔被设置在对应EM信号馈源的每一侧并且接近所述对应EM信号馈源，并且所述多个导电孔被彼此相关地布置以形成在所述SIW的侧视图中观察到的一排交叠的孔，以减少来自所述对应EM信号馈源的侧向信号泄漏。
18.根据权利要求12至13中任一项所述的器件，其中，所述多个介质谐振器结构中的每个介质谐振器结构包括：
第一介电部分FDP，其具有近端和远端，所述FDP包括除空气外的介电材料；以及
第二介电部分SDP，其具有近端和远端，所述SDP的近端被设置成接近所述FDP的远端，所述SDP包括除空气外的介电材料；
其中，所述FDP的介电材料的平均介电常数大于所述SDP的介电材料的平均介电常数。
19.根据权利要求18所述的器件，其中：
所述FDP具有等于或大于10并且等于或小于20的第一介电常数Dkl；并且
所述SDP具有大于空气的介电常数并且等于或小于9的第二介电常数Dk2。
20.根据权利要求18至19中任一项所述的器件，其中：
所述SDP具有在侧视图中观察到的总高度尺寸HS，并且所述SDP的近端具有在侧视图中观察到的总宽度尺寸W1；并且
HS等于或大于W1的2.5倍并且等于或小于W1的55倍。
21.一种电磁器件，包括：
多个介电结构，所述多个介电结构中的每个介电结构包括：
第一介电部分FDP，其具有近端和远端，所述FDP包括除空气外的介电材料；以及
第二介电部分SDP，其具有近端和远端，所述SDP的近端被设置成接近所述FDP的远端，所述SDP包括除空气外的介电材料；
其中，所述FDP的介电材料的平均介电常数大于所述SDP的介电材料的平均介电常数；
其中，所述SDP具有在侧视图中观察到的总高度尺寸HS，并且所述SDP的近端具有在侧视图中观察到的总宽度尺寸W1；
其中，HS等于或大于W1的2.5倍，并且等于或小于W1的55倍。
22.根据权利要求21所述的器件，其中，HS等于或大于W1的3倍。
23.根据权利要求21至22中任一项所述的器件，其中，所述SDP具有大体上圆柱形形状。
24.根据权利要求21至23中任一项所述的器件，其中，每个SDP的远端具有将相邻SDP整体互连的相对薄的连接结构，其中，所述相对薄的连接结构具有与W1相比相对薄的厚度t。
25.根据权利要求21至24中任一项所述的器件，还包括：
衬底集成波导SIW，其上设置有所述多个介电结构。
26.根据权利要求25所述的器件，其中，所述SIW包括：
下导电层；
上导电层；
介电层，其被布置在所述下导电层与所述上导电层之间；
多个导电孔，其被设置在所述下导电层与所述上导电层之间并且与所述下导电层和所述上导电层电气连通，所述多个导电孔被布置成形成所述SIW的电磁EM波导；
其中，所述SIW的第一部分包括借助于所述上导电层的传导材料的缺失而形成在所述上导电层中的共面信号馈源，所述信号馈源被设置成与所述EM波导电磁协作；
其中，所述SIW的第二部分提供对所述多个介电结构的支承，并且是所述SIW的所述第一部分的延伸，所述多个介电结构被设置成与所述EM波导电磁协作；
其中，所述信号馈源被设置在所述第一部分上并且不在所述第二部分上。
27.根据权利要求26所述的器件，其中：
所述信号馈源具有信号输入区域和信号输出区域；
所述信号输出区域被设置成与所述第二部分相距距离d；并且
d大于零并且等于或小于λ/20，其中λ是所述器件的操作频率处的操作波长。
28.根据权利要求26至27中任一项所述的器件，还包括：
电磁反射EMR结构，其具有多个电磁反射器，所述多个电磁反射器中的每个反射器被设置在所述多个介电结构中的对应介电结构周围并且所述多个介电结构中的对应介电结构一一对应；
所述EMR结构被设置成与所述SIW的所述第二部分上的上导电层电气连通。
29.根据权利要求28所述的器件，其中：
所述EMR结构具有等于或小于HS的0.25倍的高度HR。
30.根据权利要求26至27中任一项所述的器件，其中：
所述共面信号馈源具有约50欧姆的信号输入阻抗和大于50欧姆的信号输出阻抗。
31.根据权利要求26至27中任一项所述的器件，其中：
所述EM波导的多个导电孔的一部分被设置在所述信号馈源的每一侧并且接近所述信号馈源，并且被彼此相关地布置以形成在所述SIW的侧视图中观察到的一排交叠的孔，以减少来自所述信号馈源的侧向信号泄漏。
32.根据权利要求26至27中任一项所述的器件，其中：
给定SIW内的多个介电结构中的每个介电结构具有平行于所述器件的z轴的中心竖直轴线，所述中心竖直轴线是在所述器件的平面视图中观察到的在对应SIW的范围内相对于彼此的侧向偏移。
33.根据权利要求32所述的器件，其中：
给定SIW内的多个介电结构中最靠近的相邻介电结构的中心竖直轴线被设置成彼此相距的距离为λ/2。
34.根据权利要求28所述的器件，其中：
响应于所述信号馈源处的处于约52.5GHz与约65GHz之间的频率处的电激励，所述器件能够进行操作以辐射具有至少四个横电波TE辐射模式的电磁辐射场。
35.根据权利要求34所述的器件，其中：
所述器件能够在所述四个TE辐射模式下以至少10dBi的增益进行操作。
36.一种电磁阵列，包括彼此并排整体布置的多个根据权利要求28所述的器件，其中，每个下导电层是连续的，每个上导电层是连续的，每个介电层是连续的，并且每个器件的每个EMR结构的组合形成聚合EMR结构，其中：
所述聚合EMR结构具有包括所述多个电磁反射器的第一部分以及包括多个电磁反射EMR延伸部的第二部分，每个信号馈源的每一侧与所述多个EMR延伸部中的一个EMR延伸部相接，所述EMR延伸部用于改进所述信号馈源中的相邻信号馈源之间的信号隔离。
37.根据权利要求36所述的阵列，其中：
给定SIW内的多个介电结构中最靠近的相邻介电结构的中心竖直轴线被设置成彼此相距的距离为λ/2。
38.根据权利要求37所述的阵列，其中：
相邻SIW中的多个介电结构中最靠近的相邻介电结构的中心竖直轴线被设置成彼此相距的距离为λ/4。
39.根据权利要求36至38中任一项所述的阵列，其中：
所述FDP具有第一介电常数值Dkl；
所述SDP具有第二介电常数值Dk2；
所述SIW的所述介电层具有第三介电常数值Dk3；
Dk2小于Dk1，并且Dk3小于Dk1。
40.根据权利要求39所述的阵列，其中：
Dk3等于或大于Dk2。
41.根据权利要求39所述的阵列，其中：
Dk3等于或小于Dkl的0.5倍。
CN201980008374.9A 2018-01-15 2019-01-15 具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线 Pending CN111602297A (zh)

Applications Claiming Priority (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862617358P 2018-01-15 2018-01-15
US62/617,358 2018-01-15
US201862633256P 2018-02-21 2018-02-21
US62/633,256 2018-02-21
US201862693057P 2018-07-02 2018-07-02
US62/693,057 2018-07-02
US16/246,880 2019-01-14
US16/246,880 US10892544B2 (en) 2018-01-15 2019-01-14 Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions
US16/246,886 US11616302B2 (en) 2018-01-15 2019-01-14 Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions
US16/246,892 2019-01-14
US16/246,886 2019-01-14
US16/246,892 US10910722B2 (en) 2018-01-15 2019-01-14 Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions
PCT/US2019/013579 WO2019140421A1 (en) 2018-01-15 2019-01-15 Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111602297A true CN111602297A (zh) 2020-08-28

Family

ID=67213083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980008374.9A Pending CN111602297A (zh) 2018-01-15 2019-01-15 具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11616302B2 (zh)
JP (1) JP7209716B2 (zh)
KR (1) KR20200105656A (zh)
CN (1) CN111602297A (zh)
DE (1) DE112019000417T5 (zh)
GB (1) GB2584566B (zh)
TW (3) TWI800593B (zh)
WO (1) WO2019140421A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284737A (zh) * 2021-12-31 2022-04-05 湖南大学 一种全透明超宽带高增益的液体介质谐振器天线

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210044022A1 (en) * 2015-10-28 2021-02-11 Rogers Corporation Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same
US10476164B2 (en) 2015-10-28 2019-11-12 Rogers Corporation Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same
US11367959B2 (en) 2015-10-28 2022-06-21 Rogers Corporation Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same
US11876295B2 (en) 2017-05-02 2024-01-16 Rogers Corporation Electromagnetic reflector for use in a dielectric resonator antenna system
US11283189B2 (en) 2017-05-02 2022-03-22 Rogers Corporation Connected dielectric resonator antenna array and method of making the same
GB2575946B (en) 2017-06-07 2022-12-14 Rogers Corp Dielectric resonator antenna system
KR101952247B1 (ko) * 2017-11-16 2019-02-26 홍익대학교 산학협력단 슈퍼스트레이트를 이용한 배열 안테나 장치 및 슈퍼스트레이트를 이용한 배열 안테나 튜닝 방법
US11616302B2 (en) 2018-01-15 2023-03-28 Rogers Corporation Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions
US11031697B2 (en) * 2018-11-29 2021-06-08 Rogers Corporation Electromagnetic device
KR20210095632A (ko) 2018-12-04 2021-08-02 로저스코포레이션 유전체 전자기 구조 및 이의 제조방법
US11387565B2 (en) * 2020-03-25 2022-07-12 City University Of Hong Kong Antenna and methods of fabricating the antenna and a resonator of the antenna
US11482790B2 (en) 2020-04-08 2022-10-25 Rogers Corporation Dielectric lens and electromagnetic device with same
US20220013915A1 (en) * 2020-07-08 2022-01-13 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer dielectric resonator antenna and antenna module
US11824268B2 (en) * 2021-05-27 2023-11-21 Rogers Corporation Multi-resonator array
US11735825B1 (en) * 2022-06-09 2023-08-22 City University Of Hong Kong Antenna

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952972A (en) * 1996-03-09 1999-09-14 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Industry Through The Communications Research Centre Broadband nonhomogeneous multi-segmented dielectric resonator antenna system
CN1643729A (zh) * 2002-03-26 2005-07-20 安蒂诺瓦有限公司 电介质谐振器天线
US20090051613A1 (en) * 2005-10-05 2009-02-26 Sony Deutschland Gmbh Microwave alignment apparatus
US20100220024A1 (en) * 2007-06-19 2010-09-02 Snow Jeffrey M Aperture antenna with shaped dielectric loading
CN102130377A (zh) * 2011-01-26 2011-07-20 浙江大学 同轴馈电的三频介质谐振天线
US20150035714A1 (en) * 2013-07-30 2015-02-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phased array for millimeter-wave mobile handsets and other devices
US20150346334A1 (en) * 2013-02-13 2015-12-03 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Millimeter-Wave Dielectric Lens Antenna and Speed Sensor Using Same
CN105390809A (zh) * 2015-11-17 2016-03-09 西安电子工程研究所 基于平面单极子贴片激励的宽带介质谐振器天线
US20160294066A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Huawei Technologies Canada Co., Ltd. Apparatus and Method for a High Aperture Efficiency Broadband Antenna Element with Stable Gain
WO2017075184A1 (en) * 2015-10-28 2017-05-04 Rogers Corporation Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same

Family Cites Families (309)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR60492E (zh) 1949-08-19 1954-11-03
GB947238A (en) 1961-10-03 1964-01-22 Fairey Eng Spherical microwave lens
US3321821A (en) 1962-10-30 1967-05-30 Armstrong Cork Co Three-dimensional dielectric lens and method and apparatus for forming the same
US3255453A (en) 1963-03-26 1966-06-07 Armstrong Cork Co Non-uniform dielectric toroidal lenses
US3212454A (en) 1963-10-10 1965-10-19 Mcdowell Wellman Eng Co Railroad car pushing apparatus
US4274097A (en) 1975-03-25 1981-06-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Embedded dielectric rod antenna
US4366484A (en) 1978-12-29 1982-12-28 Ball Corporation Temperature compensated radio frequency antenna and methods related thereto
GB2050231B (en) 1979-05-31 1983-05-25 Hall M J Methods and apparatus for forming articles from settable liquid plastics
US4288795A (en) 1979-10-25 1981-09-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Anastigmatic three-dimensional bootlace lens
US4458249A (en) 1982-02-22 1984-07-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multi-beam, multi-lens microwave antenna providing hemispheric coverage
US5236637A (en) 1984-08-08 1993-08-17 3D Systems, Inc. Method of and apparatus for production of three dimensional objects by stereolithography
US4575330A (en) 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
US4929402A (en) 1984-08-08 1990-05-29 3D Systems, Inc. Method for production of three-dimensional objects by stereolithography
FR2582864B1 (fr) 1985-06-04 1987-07-31 Labo Electronique Physique Modules unitaires d'antenne hyperfrequences et antenne hyperfrequences comprenant de tels modules
US4922325A (en) * 1987-10-02 1990-05-01 American Telephone And Telegraph Company Multilayer ceramic package with high frequency connections
US5184307A (en) 1988-04-18 1993-02-02 3D Systems, Inc. Method and apparatus for production of high resolution three-dimensional objects by stereolithography
DE68927908T2 (de) 1988-04-18 1997-09-25 3D Systems Inc Verringerung des stereolithographischen Verbiegens
EP0747203B1 (en) 1988-04-18 2001-06-27 3D Systems, Inc. Stereolithographic curl reduction
US4983910A (en) * 1988-05-20 1991-01-08 Stanford University Millimeter-wave active probe
US5061943A (en) * 1988-08-03 1991-10-29 Agence Spatiale Europenne Planar array antenna, comprising coplanar waveguide printed feed lines cooperating with apertures in a ground plane
FR2647599B1 (fr) 1989-05-24 1991-11-29 Alcatel Espace Structure de realisation de circuits et composants appliquee aux hyperfrequences
US5234636A (en) 1989-09-29 1993-08-10 3D Systems, Inc. Methods of coating stereolithographic parts
JP2846081B2 (ja) 1990-07-25 1999-01-13 日立化成工業株式会社 トリプレート型平面アンテナ
US5125111A (en) * 1990-09-04 1992-06-23 Rockwell International Corporation Resistive planar ring double-balanced mixer
US5192559A (en) 1990-09-27 1993-03-09 3D Systems, Inc. Apparatus for building three-dimensional objects with sheets
EP0506616B1 (de) 1991-03-27 1998-01-21 Ciba SC Holding AG Photoempfindliches Gemisch auf Basis von Acrylaten
US5453752A (en) 1991-05-03 1995-09-26 Georgia Tech Research Corporation Compact broadband microstrip antenna
JPH0665334A (ja) 1991-08-21 1994-03-08 Nippon Kayaku Co Ltd 電子部品用樹脂組成物
GB9219226D0 (en) 1992-09-11 1992-10-28 Secr Defence Dielectric resonator antenna with wide bandwidth
US5453754A (en) 1992-07-02 1995-09-26 The Secretary Of State For Defence In Her Brittanic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Dielectric resonator antenna with wide bandwidth
US5418112A (en) 1993-11-10 1995-05-23 W. R. Grace & Co.-Conn. Photosensitive compositions useful in three-dimensional part-building and having improved photospeed
SE9303977L (sv) 1993-11-30 1995-01-09 Corimed Gmbh Förfarande för framställning av keramiskt implantatmaterial, företrädesvis hydroxylapatit uppvisande keramiskt implantatmaterial
JP3484739B2 (ja) 1993-11-30 2004-01-06 株式会社村田製作所 誘電体共振器及び誘電体共振器の共振周波数調整方法
GB9417450D0 (en) 1994-08-25 1994-10-19 Symmetricom Inc An antenna
JP3060871B2 (ja) 1995-01-09 2000-07-10 株式会社村田製作所 アンテナ
US6198450B1 (en) 1995-06-20 2001-03-06 Naoki Adachi Dielectric resonator antenna for a mobile communication
CA2176656C (en) 1995-07-13 2003-10-28 Matthew Bjorn Oliver Broadband circularly polarized dielectric resonator antenna
US5677796A (en) 1995-08-25 1997-10-14 Ems Technologies, Inc. Luneberg lens and method of constructing same
JP3163981B2 (ja) 1996-07-01 2001-05-08 株式会社村田製作所 送受信装置
JP3134781B2 (ja) 1996-07-19 2001-02-13 株式会社村田製作所 多層誘電体線路回路
JP3119176B2 (ja) 1996-10-23 2000-12-18 株式会社村田製作所 誘電体線路用アンテナ共用分配器および送受信装置
WO1998019843A1 (en) 1996-11-08 1998-05-14 Nu-Cast Inc. Improved truss structure design
JP3186622B2 (ja) 1997-01-07 2001-07-11 株式会社村田製作所 アンテナ装置および送受信装置
WO1998035403A1 (de) 1997-02-06 1998-08-13 Robert Bosch Gmbh Mikrowellen-antennenanordnung für ein kraftfahrzeug-radarsystem
JPH10224141A (ja) 1997-02-10 1998-08-21 Toshiba Corp モノリシックアンテナ
US5828271A (en) 1997-03-06 1998-10-27 Northrop Grumman Corporation Planar ferrite toroid microwave phase shifter
JPH10341108A (ja) 1997-04-10 1998-12-22 Murata Mfg Co Ltd アンテナ装置およびレーダモジュール
US6061031A (en) 1997-04-17 2000-05-09 Ail Systems, Inc. Method and apparatus for a dual frequency band antenna
JP3120757B2 (ja) 1997-06-17 2000-12-25 株式会社村田製作所 誘電体線路装置
EP1091915B1 (en) 1998-05-29 2004-09-29 Nokia Corporation Composite injection mouldable material
JP3731354B2 (ja) 1998-07-03 2006-01-05 株式会社村田製作所 アンテナ装置および送受信装置
JP3269458B2 (ja) 1998-07-06 2002-03-25 株式会社村田製作所 アンテナ装置および送受信装置
DE19836952A1 (de) 1998-08-17 2000-04-20 Philips Corp Intellectual Pty Sende- und Empfangsvorrichtung
DE19837266A1 (de) 1998-08-17 2000-02-24 Philips Corp Intellectual Pty Dielektrische Resonatorantenne
JP3178428B2 (ja) 1998-09-04 2001-06-18 株式会社村田製作所 高周波放射源アレー、アンテナモジュールおよび無線装置
US6147647A (en) 1998-09-09 2000-11-14 Qualcomm Incorporated Circularly polarized dielectric resonator antenna
JP3510593B2 (ja) 1998-09-30 2004-03-29 アンリツ株式会社 平面アンテナ
DE19858799A1 (de) 1998-12-18 2000-06-21 Philips Corp Intellectual Pty Dielektrische Resonatorantenne
DE19858790A1 (de) 1998-12-18 2000-06-21 Philips Corp Intellectual Pty Dielektrische Resonatorantenne
GB9904373D0 (en) 1999-02-25 1999-04-21 Microsulis Plc Radiation applicator
US6292141B1 (en) 1999-04-02 2001-09-18 Qualcomm Inc. Dielectric-patch resonator antenna
US6344833B1 (en) 1999-04-02 2002-02-05 Qualcomm Inc. Adjusted directivity dielectric resonator antenna
WO2000076030A1 (en) 1999-06-07 2000-12-14 Spike Broadband Systems, Inc. Multimode sectored antenna systems
US20050154567A1 (en) 1999-06-18 2005-07-14 President And Fellows Of Harvard College Three-dimensional microstructures
US6556169B1 (en) 1999-10-22 2003-04-29 Kyocera Corporation High frequency circuit integrated-type antenna component
US6452565B1 (en) 1999-10-29 2002-09-17 Antenova Limited Steerable-beam multiple-feed dielectric resonator antenna
US6621381B1 (en) 2000-01-21 2003-09-16 Tdk Corporation TEM-mode dielectric resonator and bandpass filter using the resonator
GB2360133B (en) 2000-03-11 2002-01-23 Univ Sheffield Multi-segmented dielectric resonator antenna
EP1266428B1 (en) 2000-03-11 2004-10-13 Antenova Limited Dielectric resonator antenna array with steerable elements
EP1134838A1 (en) 2000-03-14 2001-09-19 Lucent Technologies Inc. Antenna radome
KR100365294B1 (ko) 2000-04-21 2002-12-18 한국과학기술연구원 저온소결 저손실 고주파유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법
KR100365295B1 (ko) 2000-05-03 2002-12-18 한국과학기술연구원 저온소결 저손실 고주파 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법
EP1292852B1 (en) 2000-06-15 2005-11-09 3M Innovative Properties Company Microfabrication of organic optical elements
US6528145B1 (en) 2000-06-29 2003-03-04 International Business Machines Corporation Polymer and ceramic composite electronic substrates
JP3638889B2 (ja) 2000-07-27 2005-04-13 大塚化学ホールディングス株式会社 誘電性樹脂発泡体及びそれを用いた電波レンズ
DE10042229A1 (de) 2000-08-28 2002-03-28 Epcos Ag Elektrisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
JP3562454B2 (ja) 2000-09-08 2004-09-08 株式会社村田製作所 高周波用磁器、誘電体アンテナ、支持台、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置
US6512494B1 (en) 2000-10-04 2003-01-28 E-Tenna Corporation Multi-resonant, high-impedance electromagnetic surfaces
JP3664094B2 (ja) 2000-10-18 2005-06-22 株式会社村田製作所 複合誘電体成形物、その製造方法、およびそれを用いたレンズアンテナ
GB0101567D0 (en) 2001-01-22 2001-03-07 Antenova Ltd Dielectric resonator antenna with mutually orrthogonal feeds
US6437747B1 (en) 2001-04-09 2002-08-20 Centurion Wireless Technologies, Inc. Tunable PIFA antenna
US7084058B2 (en) * 2001-04-17 2006-08-01 Micron Technology Inc. Method of forming low-loss coplanar waveguides
FI118403B (fi) 2001-06-01 2007-10-31 Pulse Finland Oy Dielektrinen antenni
US6661392B2 (en) 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Resonant antennas
US6801164B2 (en) 2001-08-27 2004-10-05 Motorola, Inc. Broad band and multi-band antennas
US6867741B2 (en) 2001-08-30 2005-03-15 Hrl Laboratories, Llc Antenna system and RF signal interference abatement method
US6552687B1 (en) 2002-01-17 2003-04-22 Harris Corporation Enhanced bandwidth single layer current sheet antenna
US6800577B2 (en) 2002-03-20 2004-10-05 Council Of Scientific And Industrial Research Microwave dielectric ceramic composition of the formula xmo-yla2o3-ztio2 (m=sr, ca; x:y:z=1:2:4, 2:2:5, 1:2:5 or 1:4:9), method of manufacture thereof and devices comprising the same
JP4892160B2 (ja) 2002-03-26 2012-03-07 日本特殊陶業株式会社 誘電体磁器組成物および誘電体共振器
GB2388964B (en) 2002-05-15 2005-04-13 Antenova Ltd Improvements relating to attaching dielectric antenna structures to microstrip transmission line feed structures
DE10227251B4 (de) 2002-06-19 2004-05-27 Diehl Munitionssysteme Gmbh & Co. Kg Kombinations-Antenne für Artilleriemunition
GB0218820D0 (en) 2002-08-14 2002-09-18 Antenova Ltd An electrically small dielectric resonator antenna with wide bandwith
FR2843832A1 (fr) 2002-08-21 2004-02-27 Thomson Licensing Sa Antenne large bande a resonateur dielectrique
US7088290B2 (en) 2002-08-30 2006-08-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric loaded antenna apparatus with inclined radiation surface and array antenna apparatus including the dielectric loaded antenna apparatus
FR2844399A1 (fr) 2002-09-09 2004-03-12 Thomson Licensing Sa Antennes de type resonateur dielectrique
JP3937433B2 (ja) 2002-09-17 2007-06-27 日本電気株式会社 平面回路−導波管接続構造
US7310031B2 (en) 2002-09-17 2007-12-18 M/A-Com, Inc. Dielectric resonators and circuits made therefrom
BE1015130A3 (fr) 2002-10-04 2004-10-05 Prayon Technologies Distributeur pour filtre rotatif et filtre rotatif muni d'un tel distributeur.
US7705782B2 (en) 2002-10-23 2010-04-27 Southern Methodist University Microstrip array antenna
TWI281782B (en) 2002-12-25 2007-05-21 Quanta Comp Inc Portable wireless device
NO20030347D0 (no) 2003-01-23 2003-01-23 Radionor Comm As Antenneelement og gruppeantenne
JP4217709B2 (ja) 2003-02-18 2009-02-04 財団法人国際科学振興財団 携帯端末用アンテナおよびそれを用いた携帯端末
FR2851852B1 (fr) 2003-02-27 2005-04-01 Alstom Antenne pour detecter des decharges partielles dans une cuve d'appareillage electrique
US20040257176A1 (en) 2003-05-07 2004-12-23 Pance Kristi Dhimiter Mounting mechanism for high performance dielectric resonator circuits
US6879287B2 (en) 2003-05-24 2005-04-12 Agency For Science, Technology And Research Packaged integrated antenna for circular and linear polarizations
GB2402552A (en) 2003-06-04 2004-12-08 Andrew Fox Broadband dielectric resonator antenna system
GB2403069B8 (en) 2003-06-16 2008-07-17 Antenova Ltd Hybrid antenna using parasiting excitation of conducting antennas by dielectric antennas
US6816128B1 (en) 2003-06-25 2004-11-09 Rockwell Collins Pressurized antenna for electronic warfare sensors and jamming equipment
US8144059B2 (en) 2003-06-26 2012-03-27 Hrl Laboratories, Llc Active dielectric resonator antenna
CA2435830A1 (en) 2003-07-22 2005-01-22 Communications Research Centre Canada Ultra wideband antenna
US6995715B2 (en) 2003-07-30 2006-02-07 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Antennas integrated with acoustic guide channels and wireless terminals incorporating the same
WO2005022689A1 (ja) 2003-08-27 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. アンテナおよびその製造方法
JP4440213B2 (ja) 2003-09-08 2010-03-24 財団法人大阪産業振興機構 フラクタル構造体、フラクタル構造集合体およびそれらの用途
US7161555B2 (en) 2003-09-11 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric antenna and radio device using the same
FR2860107B1 (fr) 2003-09-23 2006-01-13 Cit Alcatel Antenne reseau reflecteur reconfigurable a faibles pertes
JP4044505B2 (ja) 2003-09-29 2008-02-06 独立行政法人科学技術振興機構 光酸発生剤
DE112004001821T5 (de) 2003-10-03 2006-10-19 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo Dielektrische Linse, dielektrische Linsenvorrichtung, Entwurfsverfahren einer dielektrischen Linse, Herstellungsverfahren und Sende-Empfangs-Ausrüstung einer dielektrischen Linse
US6965354B2 (en) 2003-11-12 2005-11-15 Imperial College Innovations Limited Narrow beam antenna
KR100624414B1 (ko) 2003-12-06 2006-09-18 삼성전자주식회사 회절 렌즈 어레이 몰드의 제조 방법 및 ｕｖ 디스펜서
EP1622221A1 (en) 2004-02-11 2006-02-01 Sony Deutschland GmbH Circular polarised array antenna
FR2866480B1 (fr) 2004-02-17 2006-07-28 Cit Alcatel Dispositif rayonnant compact multipolarisation a alimentation orthogonale par ligne(s) a champ de surface
US20060194690A1 (en) 2004-02-23 2006-08-31 Hideyuki Osuzu Alumina-based ceramic material and production method thereof
DE102004022177B4 (de) * 2004-05-05 2008-06-19 Atmel Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Koplanarleitungssystem auf einem Substrat und nach einem derartigen Verfahren hergestelltes Bauelement zur Übertragung von elektromagnetischen Wellen
US7649029B2 (en) 2004-05-17 2010-01-19 3M Innovative Properties Company Dental compositions containing nanozirconia fillers
JP4118835B2 (ja) 2004-05-25 2008-07-16 日本電波工業株式会社 機能平面アレーアンテナ
US7071879B2 (en) 2004-06-01 2006-07-04 Ems Technologies Canada, Ltd. Dielectric-resonator array antenna system
US7009565B2 (en) 2004-07-30 2006-03-07 Lucent Technologies Inc. Miniaturized antennas based on negative permittivity materials
JP4712365B2 (ja) 2004-08-13 2011-06-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体記憶装置および半導体記憶装置
WO2006028806A2 (en) 2004-09-01 2006-03-16 Appleton Papers Inc. Encapsulated cure systems
EP1808931A4 (en) 2004-11-05 2007-11-07 Pioneer Corp DIELECTRIC ANTENNA SYSTEM
US7379030B1 (en) 2004-11-12 2008-05-27 Lockheed Martin Corporation Artificial dielectric antenna elements
US7796080B1 (en) 2004-12-08 2010-09-14 Hrl Laboratories, Llc Wide field of view millimeter wave imager
JP4394567B2 (ja) 2004-12-20 2010-01-06 京セラ株式会社 液晶部品モジュールおよび誘電率制御方法
GB0500856D0 (en) 2005-01-17 2005-02-23 Antenova Ltd Pure dielectric antennas and related devices
KR100637450B1 (ko) 2005-02-16 2006-10-23 한양대학교 산학협력단 플루오로알킬술폰늄염의 광산발생기가 치환된 화합물과 이를 중합한 공중합체
US7812775B2 (en) 2005-09-23 2010-10-12 California Institute Of Technology Mm-wave fully integrated phased array receiver and transmitter with on-chip antennas
US7450790B1 (en) 2005-09-27 2008-11-11 The Regents Of The University Of California Non-electronic radio frequency front-end with immunity to electromagnetic pulse damage
KR100699472B1 (ko) * 2005-09-27 2007-03-26 삼성전자주식회사 아이솔레이션 소자를 포함하는 평판형 미모 어레이 안테나
ES2322655T5 (es) 2005-11-18 2019-06-27 Agfa Nv Método para fabricar una plancha de impresión litográfica
US7636063B2 (en) 2005-12-02 2009-12-22 Eswarappa Channabasappa Compact broadband patch antenna
US7876283B2 (en) 2005-12-15 2011-01-25 Stmicroelectronics S.A. Antenna having a dielectric structure for a simplified fabrication process
US8018397B2 (en) 2005-12-30 2011-09-13 Industrial Technology Research Institute High dielectric antenna substrate and antenna thereof
US7504721B2 (en) 2006-01-19 2009-03-17 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for packaging dielectric resonator antennas with integrated circuit chips
US20070191506A1 (en) 2006-02-13 2007-08-16 3M Innovative Properties Company Curable compositions for optical articles
IL173941A0 (en) 2006-02-26 2007-03-08 Haim Goldberger Monolithic modules for high frequecney applications
WO2007124092A2 (en) 2006-04-21 2007-11-01 Cornell Research Foundation, Inc. Photoacid generator compounds and compositions
US7570219B1 (en) 2006-05-16 2009-08-04 Rockwell Collins, Inc. Circular polarization antenna for precision guided munitions
US7443363B2 (en) 2006-06-22 2008-10-28 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Compact dielectric resonator antenna
US7595765B1 (en) 2006-06-29 2009-09-29 Ball Aerospace & Technologies Corp. Embedded surface wave antenna with improved frequency bandwidth and radiation performance
US7524615B2 (en) 2006-08-14 2009-04-28 Gary Ganghui Teng Negative laser sensitive lithographic printing plate having specific photosensitive composition
US7710325B2 (en) 2006-08-15 2010-05-04 Intel Corporation Multi-band dielectric resonator antenna
US8092735B2 (en) 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
US7619564B2 (en) 2006-08-23 2009-11-17 National Taiwan University Wideband dielectric resonator monopole antenna
EP2111671B1 (en) 2006-10-09 2017-09-06 Advanced Digital Broadcast S.A. Dielectric antenna device for wireless communications
US7292204B1 (en) 2006-10-21 2007-11-06 National Taiwan University Dielectric resonator antenna with a caved well
US20080094309A1 (en) 2006-10-23 2008-04-24 M/A-Com, Inc. Dielectric Resonator Radiators
CN101523750B (zh) 2006-10-27 2016-08-31 株式会社村田制作所 带电磁耦合模块的物品
US7834815B2 (en) 2006-12-04 2010-11-16 AGC Automotive America R & D, Inc. Circularly polarized dielectric antenna
US20080129617A1 (en) 2006-12-04 2008-06-05 Agc Automotive Americas R&D, Inc. Wideband Dielectric Antenna
US7498969B1 (en) 2007-02-02 2009-03-03 Rockwell Collins, Inc. Proximity radar antenna co-located with GPS DRA fuze
US9944031B2 (en) 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
RU2009133826A (ru) * 2007-02-28 2011-04-10 Новелис Инк. (Ca) Совместное литье металлов с прямым охлаждением
US7382322B1 (en) 2007-03-21 2008-06-03 Cirocomm Technology Corp. Circularly polarized patch antenna assembly
WO2008136249A1 (ja) 2007-04-27 2008-11-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. 共振素子および、その製造方法
TWI332727B (en) 2007-05-02 2010-11-01 Univ Nat Taiwan Broadband dielectric resonator antenna embedding a moat and design method thereof
TWI324839B (en) 2007-05-07 2010-05-11 Univ Nat Taiwan Wideband dielectric resonator antenna and design method thereof
US7750869B2 (en) 2007-07-24 2010-07-06 Northeastern University Dielectric and magnetic particles based metamaterials
TWI345336B (en) 2007-10-23 2011-07-11 Univ Nat Taiwan Dielectric resonator antenna
US7843288B2 (en) 2007-11-15 2010-11-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and system for transmitting power wirelessly
TWI353686B (en) 2007-11-20 2011-12-01 Univ Nat Taiwan A circularly-polarized dielectric resonator antenn
US7538728B1 (en) 2007-12-04 2009-05-26 National Taiwan University Antenna and resonant frequency tuning method thereof
TWI338975B (en) 2007-12-14 2011-03-11 Univ Nat Taiwan Circularly-polarized dielectric resonator antenna
TWI354399B (en) 2008-01-18 2011-12-11 Univ Nat Taiwan A dielectric resonator antenna with a transverse-r
FI20085304A0 (fi) 2008-04-11 2008-04-11 Polar Electro Oy Resonaattorirakenne pienikokoisissa radiolaitteissa
US7825860B2 (en) 2008-04-16 2010-11-02 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Antenna assembly
CN101565300A (zh) 2008-04-25 2009-10-28 浙江大学 一种低损耗微波介质陶瓷
US7835600B1 (en) 2008-07-18 2010-11-16 Hrl Laboratories, Llc Microwave receiver front-end assembly and array
US7920342B2 (en) 2008-07-01 2011-04-05 Aptina Imaging Corporation Over-molded glass lenses and method of forming the same
US9018616B2 (en) 2008-07-25 2015-04-28 Ramot At Tel-Aviv University Ltd. Rectifying antenna device with nanostructure diode
US8736502B1 (en) 2008-08-08 2014-05-27 Ball Aerospace & Technologies Corp. Conformal wide band surface wave radiating element
KR20100028303A (ko) 2008-09-04 2010-03-12 삼성전기주식회사 저유전손실의 유전체 페이스트 및 그를 이용한 유전체의 제조방법
US20110204531A1 (en) 2008-09-22 2011-08-25 Akiko Hara Method of Manufacturing Wafer Lens
US7999749B2 (en) 2008-10-23 2011-08-16 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Antenna assembly
US7688263B1 (en) 2008-12-07 2010-03-30 Roger Dale Oxley Volumetric direction-finding system using a Luneberg Lens
JP4862883B2 (ja) 2008-12-11 2012-01-25 株式会社デンソー 誘電体装荷アンテナ
US8498539B1 (en) 2009-04-21 2013-07-30 Oewaves, Inc. Dielectric photonic receivers and concentrators for radio frequency and microwave applications
US8098197B1 (en) 2009-08-28 2012-01-17 Rockwell Collins, Inc. System and method for providing hybrid global positioning system/height of burst antenna operation with optimizied radiation patterns
US8149181B2 (en) 2009-09-02 2012-04-03 National Tsing Hua University Dielectric resonator for negative refractivity medium
FR2952240B1 (fr) 2009-11-02 2012-12-21 Axess Europ Antenne a resonateur dielectrique a double polarisation
US8547287B2 (en) 2009-11-24 2013-10-01 City University Of Hong Kong Light transmissible resonators for circuit and antenna applications
KR101067118B1 (ko) 2009-12-08 2011-09-22 고려대학교 산학협력단 다층 기판에 내장된 유전체 공진기 안테나
US20110163921A1 (en) 2010-01-06 2011-07-07 Psion Teklogix Inc. Uhf rfid internal antenna for handheld terminals
KR101119354B1 (ko) 2010-04-13 2012-03-07 고려대학교 산학협력단 대역폭 향상을 위한 다층 기판에 내장된 유전체 공진기 안테나
US8902115B1 (en) 2010-07-27 2014-12-02 Sandia Corporation Resonant dielectric metamaterials
JP6083925B2 (ja) 2010-08-20 2017-02-22 シチズン時計株式会社 光学構造を備えた基板及びそれを用いた光学素子
US9774076B2 (en) 2010-08-31 2017-09-26 Siklu Communication ltd. Compact millimeter-wave radio systems and methods
KR20120088484A (ko) 2010-10-13 2012-08-08 한국전자통신연구원 다층 기판을 이용한 안테나 구조
WO2012082642A2 (en) 2010-12-13 2012-06-21 Skyworks Solutions, Inc. Novel enhanced high q material compositions and methods of preparing same
CN102130376B (zh) 2011-01-26 2013-06-26 浙江大学 一种微带缝隙耦合馈电的三频介质谐振天线
US8928544B2 (en) 2011-02-21 2015-01-06 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of National Defence Wideband circularly polarized hybrid dielectric resonator antenna
JP5669043B2 (ja) * 2011-02-24 2015-02-12 株式会社 アムシス ポスト壁導波路アンテナ及びアンテナモジュール
CA2830269A1 (en) 2011-03-23 2012-10-26 The Curators Of The University Of Missouri High dielectric constant composite materials and methods of manufacture
US8803749B2 (en) 2011-03-25 2014-08-12 Kwok Wa Leung Elliptically or circularly polarized dielectric block antenna
CN102715751A (zh) 2011-03-30 2012-10-10 朱雪兵 凝胶垫及其紫外固化生产方法
US8624788B2 (en) 2011-04-27 2014-01-07 Blackberry Limited Antenna assembly utilizing metal-dielectric resonant structures for specific absorption rate compliance
US8901688B2 (en) 2011-05-05 2014-12-02 Intel Corporation High performance glass-based 60 ghz / mm-wave phased array antennas and methods of making same
KR101757719B1 (ko) 2011-05-11 2017-07-14 한국전자통신연구원 안테나
CA2843415C (en) 2011-07-29 2019-12-31 University Of Saskatchewan Polymer-based resonator antennas
KR101309469B1 (ko) 2011-09-26 2013-09-23 삼성전기주식회사 알에프 모듈
KR101255947B1 (ko) 2011-10-05 2013-04-23 삼성전기주식회사 대역폭 조절 가능한 유전체 공진기 안테나
KR20130050105A (ko) 2011-11-07 2013-05-15 엘지전자 주식회사 안테나 장치 및 이를 구비하는 이동 단말기
EP2595243B1 (en) 2011-11-15 2017-10-25 Alcatel Lucent Wideband antenna
US20130120193A1 (en) 2011-11-16 2013-05-16 Schott Ag Glass ceramics for use as a dielectric for gigahertz applications
KR101856084B1 (ko) * 2011-11-18 2018-05-10 삼성전기주식회사 유전체 캐비티 안테나
TWI496346B (zh) * 2011-12-30 2015-08-11 Ind Tech Res Inst 介質天線以及天線模組
GB201200638D0 (en) 2012-01-13 2012-02-29 Sarantel Ltd An antenna assembly
US8773319B1 (en) 2012-01-30 2014-07-08 L-3 Communications Corp. Conformal lens-reflector antenna system
US9608330B2 (en) 2012-02-07 2017-03-28 Los Alamos National Laboratory Superluminal antenna
JP6108158B2 (ja) 2012-02-29 2017-04-05 国立大学法人京都大学 擬似多重極アンテナ
US9123995B2 (en) 2012-03-06 2015-09-01 City University Of Hong Kong Dielectric antenna and method of discretely emitting radiation pattern using same
US10361480B2 (en) 2012-03-13 2019-07-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Antenna isolation using a tuned groundplane notch
US20130278610A1 (en) 2012-04-19 2013-10-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Topped-post designs for evanescent-mode electromagnetic-wave cavity resonators
WO2013190392A2 (en) 2012-06-22 2013-12-27 University Of Manitoba Dielectric strap waveguides, antennas, and microwave devices
KR20140021380A (ko) 2012-08-10 2014-02-20 삼성전기주식회사 유전체 공진기 어레이 안테나
CA2885890A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 The Antenna Company International N.V. Lens antenna, method of manufacturing and using such an antenna, and antenna system
US9225070B1 (en) 2012-10-01 2015-12-29 Lockheed Martin Corporation Cavity backed aperture coupled dielectrically loaded waveguide radiating element with even mode excitation and wide angle impedance matching
US11268771B2 (en) 2012-10-01 2022-03-08 Fractal Antenna Systems, Inc. Enhanced gain antenna systems employing fractal metamaterials
US20140091103A1 (en) 2012-10-02 2014-04-03 Rockline Industries, Inc. Lid
JP6121680B2 (ja) 2012-10-05 2017-04-26 日立オートモティブシステムズ株式会社 レーダモジュールおよびそれを用いた速度計測装置
US8854257B2 (en) 2012-10-22 2014-10-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Conformal array, luneburg lens antenna system
CN108741393B (zh) 2012-12-19 2021-06-11 新平衡运动公司 定制鞋类以及用于设计且制造其的方法
CA2899236C (en) 2013-01-31 2023-02-14 Atabak RASHIDIAN Meta-material resonator antennas
ES2588485T5 (es) 2013-02-12 2020-02-27 Carbon Inc Impresión de interfaz líquida continua
JP6373010B2 (ja) 2013-03-12 2018-08-15 キヤノン株式会社 発振素子
US9320316B2 (en) 2013-03-14 2016-04-26 Under Armour, Inc. 3D zonal compression shoe
US9525524B2 (en) 2013-05-31 2016-12-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US10069336B2 (en) 2013-06-28 2018-09-04 Siemens Aktiengesellschaft Inductive charging device, electric vehicle, charging station, and method for inductive charging
US9780457B2 (en) 2013-09-09 2017-10-03 Commscope Technologies Llc Multi-beam antenna with modular luneburg lens and method of lens manufacture
JP5788452B2 (ja) 2013-09-13 2015-09-30 東光株式会社 誘電体導波管共振器およびそれを用いた誘電体導波管フィルタ
EP3075028B1 (en) 2013-12-20 2021-08-25 University of Saskatchewan Dielectric resonator antenna arrays
EP3083940A4 (en) 2013-12-20 2017-08-23 President and Fellows of Harvard College Low shear microfluidic devices and methods of use and manufacturing thereof
US9339975B2 (en) 2013-12-31 2016-05-17 Nike, Inc. 3D printer with native spherical control
US10886613B2 (en) 2013-12-31 2021-01-05 3M Innovative Properties Company Volume based gradient index lens by additive manufacturing
US9496617B2 (en) 2014-01-17 2016-11-15 Qualcomm Incorporated Surface wave launched dielectric resonator antenna
KR20150087595A (ko) 2014-01-22 2015-07-30 한국전자통신연구원 유전체 공진기 안테나
US10005126B2 (en) 2014-03-19 2018-06-26 Autodesk, Inc. Systems and methods for improved 3D printing
US9825368B2 (en) 2014-05-05 2017-11-21 Fractal Antenna Systems, Inc. Method and apparatus for folded antenna components
CN104037505B (zh) 2014-05-27 2016-03-23 东南大学 一种三维放大透镜
US9768515B2 (en) 2014-06-24 2017-09-19 Board Of Regents, The University Of Texas System Anisotropic metamaterials for electromagnetic compatibility
WO2016022661A1 (en) 2014-08-05 2016-02-11 University Of Washington Three-dimensional printed mechanoresponsive materials and related methods
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10665947B2 (en) 2014-10-15 2020-05-26 Rogers Corporation Array apparatus comprising a dielectric resonator array disposed on a ground layer and individually fed by corresponding signal feeds, thereby providing a corresponding magnetic dipole vector
US9985354B2 (en) 2014-10-15 2018-05-29 Rogers Corporation Array apparatus comprising a dielectric resonator array disposed on a ground layer and individually fed by corresponding signal lines, thereby providing a corresponding magnetic dipole vector
JP2018503707A (ja) 2014-11-18 2018-02-08 オーエフエス ファイテル，エルエルシー 低密度ｕｖ硬化性光ファイバコーティング剤、それとともに製造されるファイバ、及びファイバ製造方法
US10505252B2 (en) 2014-11-20 2019-12-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Communication system having a coupler for guiding electromagnetic waves through interstitial areas formed by a plurality of stranded uninsulated conductors and method of use
US10505249B2 (en) 2014-11-20 2019-12-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Communication system having a cable with a plurality of stranded uninsulated conductors forming interstitial areas for guiding electromagnetic waves therein and method of use
AU2015352006A1 (en) 2014-11-28 2017-07-20 Paris Michaels Inter-satellite space communication system - method and apparatus
US10547118B2 (en) 2015-01-27 2020-01-28 Huawei Technologies Co., Ltd. Dielectric resonator antenna arrays
US9583837B2 (en) * 2015-02-17 2017-02-28 City University Of Hong Kong Differential planar aperture antenna
US20160263823A1 (en) 2015-03-09 2016-09-15 Frederick Matthew Espiau 3d printed radio frequency absorber
CN107428892B (zh) 2015-03-23 2021-05-04 陶氏环球技术有限责任公司 用于三维打印的光固化性组合物
US20160294068A1 (en) 2015-03-30 2016-10-06 Huawei Technologies Canada Co., Ltd. Dielectric Resonator Antenna Element
US9785912B2 (en) 2015-04-23 2017-10-10 Kiosgo Llc Automated retail machine
US10361476B2 (en) 2015-05-26 2019-07-23 Qualcomm Incorporated Antenna structures for wireless communications
US10033107B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US9793611B2 (en) 2015-08-03 2017-10-17 City University Of Hong Kong Antenna
US9711860B2 (en) * 2015-08-13 2017-07-18 Sony Corporation Wideband antennas including a substrate integrated waveguide
US10418716B2 (en) 2015-08-27 2019-09-17 Commscope Technologies Llc Lensed antennas for use in cellular and other communications systems
WO2017040883A1 (en) 2015-09-04 2017-03-09 Carbon, Inc. Cyanate ester dual cure resins for additive manufacturing
US9825373B1 (en) 2015-09-15 2017-11-21 Harris Corporation Monopatch antenna
US10610122B2 (en) 2015-09-29 2020-04-07 Avraham Suhami Linear velocity imaging tomography
US10355367B2 (en) 2015-10-16 2019-07-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna structure for exchanging wireless signals
US11367959B2 (en) 2015-10-28 2022-06-21 Rogers Corporation Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same
US10601137B2 (en) 2015-10-28 2020-03-24 Rogers Corporation Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same
US10355361B2 (en) 2015-10-28 2019-07-16 Rogers Corporation Dielectric resonator antenna and method of making the same
US10476164B2 (en) 2015-10-28 2019-11-12 Rogers Corporation Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same
US10056683B2 (en) 2015-11-03 2018-08-21 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Dielectric resonator antenna array system
CN105490005A (zh) 2015-11-17 2016-04-13 西安电子工程研究所 Ku波段圆极化介质天线单元及阵列
EP3382800B1 (en) 2015-11-24 2021-08-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Luneburg lens antenna device
KR102425825B1 (ko) 2015-12-16 2022-07-27 삼성전자주식회사 다중 공진 안테나 장치
US10056692B2 (en) 2016-01-13 2018-08-21 The Penn State Research Foundation Antenna apparatus and communication system
DE102016002588A1 (de) 2016-03-03 2017-09-07 Kathrein-Werke Kg Mobilfunkantenne
GB2548115B (en) * 2016-03-08 2019-04-24 Cambium Networks Ltd Antenna array assembly with a T-shaped isolator bar
US10381735B2 (en) 2016-03-21 2019-08-13 Huawei Technologies Co., Ltd. Multi-band single feed dielectric resonator antenna (DRA) array
US11431100B2 (en) 2016-03-25 2022-08-30 Commscope Technologies Llc Antennas having lenses formed of lightweight dielectric materials and related dielectric materials
DE102016105647B4 (de) 2016-03-28 2021-08-12 Krohne Messtechnik Gmbh Führungselement für eine Antenne und Verfahren zur Herstellung eines solchen Führungselementes
EP3242358B1 (en) 2016-05-06 2020-06-17 Amphenol Antenna Solutions, Inc. High gain, multi-beam antenna for 5g wireless communications
US10299896B2 (en) 2016-06-20 2019-05-28 Dentsply Sirona Inc. Three-dimensional fabricating material systems and methods for producing layered dental products
US10531526B2 (en) 2016-06-30 2020-01-07 Nxp Usa, Inc. Solid state microwave heating apparatus with dielectric resonator antenna array, and methods of operation and manufacture
CN107623174B (zh) 2016-07-14 2021-02-12 华为技术有限公司 介质透镜以及劈裂天线
US20180090815A1 (en) 2016-09-28 2018-03-29 Movandi Corporation Phased Array Antenna Panel Having Quad Split Cavities Dedicated to Vertical-Polarization and Horizontal-Polarization Antenna Probes
CN106299672A (zh) 2016-10-18 2017-01-04 哈尔滨工业大学 一种极化可调的锥形介质谐振天线
JP6623293B2 (ja) 2016-10-18 2019-12-18 テレフオンアクチーボラゲット エルエム エリクソン（パブル） 伝導性ｏｔａテスト冶具
DE102017103161B4 (de) 2017-02-16 2018-11-29 Kathrein Se Antennenvorrichtung und Antennenarray
US11283189B2 (en) 2017-05-02 2022-03-22 Rogers Corporation Connected dielectric resonator antenna array and method of making the same
GB2575946B (en) 2017-06-07 2022-12-14 Rogers Corp Dielectric resonator antenna system
RU2660385C1 (ru) 2017-07-24 2018-07-06 Общество с ограниченной ответственностью "Радио Модуль НН" Сканирующая линзовая антенна
US20190115668A1 (en) 2017-10-13 2019-04-18 ETS-Lindgren Inc. Rf lens and method of manufacture
US10965032B2 (en) 2018-01-08 2021-03-30 City University Of Hong Kong Dielectric resonator antenna
US10910722B2 (en) 2018-01-15 2021-02-02 Rogers Corporation Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions
US11616302B2 (en) 2018-01-15 2023-03-28 Rogers Corporation Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions
US10727555B2 (en) * 2018-03-19 2020-07-28 Nokia Technologies Oy Multi-filtenna system
US11276934B2 (en) 2018-06-07 2022-03-15 City University Of Hong Kong Antenna
US11552390B2 (en) 2018-09-11 2023-01-10 Rogers Corporation Dielectric resonator antenna system
TWI820237B (zh) 2018-10-18 2023-11-01 美商羅傑斯公司 聚合物結構、其立體光刻製造方法以及包含該聚合物結構之電子裝置
CN110212310B (zh) 2019-06-19 2021-07-16 西安电子科技大学 加载qcto透镜的共形相控阵天线
CN110380230B (zh) 2019-07-25 2021-01-05 东南大学 一种基于三维阻抗匹配透镜的超宽带高增益透镜天线及其设计方法
US11482790B2 (en) 2020-04-08 2022-10-25 Rogers Corporation Dielectric lens and electromagnetic device with same
CN216288983U (zh) 2021-10-19 2022-04-12 广东福顺天际通信有限公司 一种分层式电磁波透镜

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952972A (en) * 1996-03-09 1999-09-14 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Industry Through The Communications Research Centre Broadband nonhomogeneous multi-segmented dielectric resonator antenna system
CN1643729A (zh) * 2002-03-26 2005-07-20 安蒂诺瓦有限公司 电介质谐振器天线
US20090051613A1 (en) * 2005-10-05 2009-02-26 Sony Deutschland Gmbh Microwave alignment apparatus
US20100220024A1 (en) * 2007-06-19 2010-09-02 Snow Jeffrey M Aperture antenna with shaped dielectric loading
CN102130377A (zh) * 2011-01-26 2011-07-20 浙江大学 同轴馈电的三频介质谐振天线
US20150346334A1 (en) * 2013-02-13 2015-12-03 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Millimeter-Wave Dielectric Lens Antenna and Speed Sensor Using Same
US20150035714A1 (en) * 2013-07-30 2015-02-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phased array for millimeter-wave mobile handsets and other devices
US20160294066A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Huawei Technologies Canada Co., Ltd. Apparatus and Method for a High Aperture Efficiency Broadband Antenna Element with Stable Gain
CN107408760A (zh) * 2015-03-30 2017-11-28 华为技术有限公司 用于具有稳定增益的高孔径效率宽带天线元件的装置和方法
WO2017075184A1 (en) * 2015-10-28 2017-05-04 Rogers Corporation Broadband multiple layer dielectric resonator antenna and method of making the same
CN108292805A (zh) * 2015-10-28 2018-07-17 罗杰斯公司 宽带多层介质谐振器天线及制造宽带多层介质谐振器天线的方法
CN105390809A (zh) * 2015-11-17 2016-03-09 西安电子工程研究所 基于平面单极子贴片激励的宽带介质谐振器天线

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BRATIN GHOSH; YAHIA M. M. ANTAR: "《CPW-fed DRA》" *
封荣: "《微波锁相介质振荡器的研制》" *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284737A (zh) * 2021-12-31 2022-04-05 湖南大学 一种全透明超宽带高增益的液体介质谐振器天线

Also Published As

Publication number Publication date
US20190221939A1 (en) 2019-07-18
JP7209716B2 (ja) 2023-01-20
TWI799493B (zh) 2023-04-21
TW201941498A (zh) 2019-10-16
TWI800593B (zh) 2023-05-01
WO2019140421A1 (en) 2019-07-18
TW201941499A (zh) 2019-10-16
GB202012399D0 (en) 2020-09-23
US11616302B2 (en) 2023-03-28
KR20200105656A (ko) 2020-09-08
JP2021510948A (ja) 2021-04-30
GB2584566A (en) 2020-12-09
TW201933676A (zh) 2019-08-16
DE112019000417T5 (de) 2020-11-05
GB2584566B (en) 2023-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111602297A (zh) 具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线
US10910722B2 (en) Dielectric resonator antenna having first and second dielectric portions
CN107039772B (zh) 用于无线充电系统的天线
JP4972144B2 (ja) ミリメートル波帯域パッチアンテナ
US9184505B2 (en) Dielectric cavity antenna
CN1914766B (zh) 可调装置
US10727565B2 (en) Apparatus for multiple resonance antenna
CN101814651B (zh) 使用了波导构造的天线及印刷电路板
US6906674B2 (en) Aperture antenna having a high-impedance backing
US7446712B2 (en) Composite right/left-handed transmission line based compact resonant antenna for RF module integration
KR20200100636A (ko) 제1 및 제2 유전체 부분들을 가지는 유전체 공진기 안테나
CN108432037A (zh) 平行导电表面之间的间隙中的波导和传输线
CN207611862U (zh) 一种实现多模态涡旋电磁波的阵列天线
CN113169451A (zh) 电磁设备
WO2018025084A1 (en) Radio frequency isolator
CN111342185A (zh) 波导装置、天线装置以及通信装置
JP2002171119A (ja) 平面アンテナ基板
CN110783680A (zh) 波导装置、天线装置以及雷达装置
KR20210092206A (ko) 커플링된 유전체 공진기 및 유전체 도파관
TWI791925B (zh) 電磁裝置及其陣列
WO2023215995A1 (en) Pseudo grid dielectric resonator antennas
JP2002198728A (ja) 誘電体導波管スロットアンテナ
Rigaudeau et al. Compact LTCC millimeter wave radiating filter dedicated to antenna array

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20231117

AD01 Patent right deemed abandoned