KR20210095632A - 유전체 전자기 구조 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 어레이로 배열된 제1 복수의 오목부들(recess) 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계; 상기 제1 복수의 오목부들을, 완전 경화 후 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전하는 단계; 상기 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전된 제1 복수의 오목부들 중 다수의 오목부의 상부 위에 및 다수의 오목부를 가로질러 기판을 배치하고, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계; 및 상기 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 제거하여, 기판과, 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하는 단계로, 각각의 복수의 유전체(Dk) 형태는 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 의해 정의된 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 단계;를 포함한다.

Description

유전체 전자기 구조 및 이의 제조방법

(관련 출원의 상호 참조)

본 출원은 2018년 12월 4일에 출원된 미국 가출원 번호 제62/775,069호의 이익을 주장하며, 이 내용 전체는 본 명세서에 참조로 포함된다.

본 개시 내용은 일반적으로 유전체(dielectric, Dk) 전자기(electromagnetic, EM) 구조 및 이의 제조방법에 관한 것이고, 특히 고성능 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 비용 효율적인 방법에 관한 것이다.

예시적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조 및 이를 제조하는 예시적인 방법은 본 출원인에게 양도된 WO 2017/075177 A1에 개시되어 있다.

기존의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조 및 이를 제조하는 방법은 이들의 의도된 목적에 적합할 수 있지만, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조와 관련된 기술은 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 비용 효율적인 방법의 적용에 의해 진보될 것이다.

하나의 양태는, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 어레이로 배열된 제1 복수의 오목부들(recess) 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계; 상기 제1 복수의 오목부들을, 완전 경화 후 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전하는 단계; 상기 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전된 제1 복수의 오목부들 중 다수의 오목부의 상부 위에 및 다수의 오목부를 가로질러 기판을 배치하고, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계; 및 상기 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 제거하여, 기판과, 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하는 단계로, 각각의 복수의 유전체(Dk) 형태는 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 의해 정의된 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법을 제공한다.

다른 양태는, 하나 이상의 제1 유전체 부분(1DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 어레이로 배열되고, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하도록 구성된 제1 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계로, 상기 제1 몰드 부분은 복수의 오목부들 중 인접한 오목부를 상호 연결하는 복수의 비교적 얇은 연결 채널을 더 포함하는 것인, 단계; 완전 경화 후 공기보다 큰 평균 유전 상수를 갖는 경화성 유전체(Dk) 조성물로 비교적 얇은 연결 채널 및 제1 복수의 오목부들을 충전하는 단계; 제1 몰드 부분의 상부 위에 제2 몰드 부분을 그 사이에 배치된 경화성 유전체(Dk) 조성물과 함께 배치하는 단계; 제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하고, 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계; 제1 몰드 부분에 대해 제2 몰드 부분을 분리시키는 단계; 및 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 생성하는 단계로, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태의 각각은 제1 복수의 오목부 및 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태를 가지며, 상기 제1 복수의 오목부들에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태는 전자기(EM) 구조에서 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 제공하는 것인, 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법을 제공한다.

다른 양태는, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 유전체(Dk) 재료의 시트를 제공하는 단계; 어레이로 배열된 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 시트 내에 형성하고, 시트의 비-오목 부분은 복수의 오목부들 중 개별 오목부들 사이에 연결 구조를 형성하는 단계; 완전 경화 후에 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 유전체(Dk) 조성물로 복수의 오목부를 충전하는 단계로, 유전체(Dk) 재료의 시트는 제1 평균 유전 상수와 상이한 제2 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 및 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법을 제공한다.

다른 양태는, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조로서, 제1 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하는 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분; 및 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 노출된 면의 적어도 일부 상에 등각으로 배치되는 수 불침투성 층(water impervious layer), 수 배리어 층(water barrier layer), 또는 발수층(water repellent layer);을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 포함한다.

본 발명의 상기 특징 및 이점 및 다른 특징 및 이점은 첨부된 도면과 관련하여 본 발명의 하기 상세한 설명으로부터 쉽게 명백하다.

첨부된 도면에서, 유사한 요소가 유사하게 번호가 매겨지거나 유사한 요소가 유사하게 번호가 매겨지지만 다른 선행 번호를 갖는 예시적인 비제한적인 도면을 참조하면:
도 1a, 1b, 및 1c는 하나의 양태에 따른 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 대안적인 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 1d는 하나의 양태에 따른 도 1a에 도시된 대안적인 공정 단계의 측 단면도 및 대응하는 평면도를 도시하고;
도 2a, 2b, 및 2c는 하나의 양태에 따른 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 다른 대안적인 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 3a는 하나의 양태에 따른 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 다른 대안적인 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 3b는 하나의 양태에 따른 도 3a의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 방법의 개략적인 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 4a, 4b 및 4c는 하나의 양태에 따른 도 1a-1d, 2a-2c, 및 3a-3b의 유사하지만 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 측 단면도로 도시하고;
도 4d는 하나의 양태에 따른 도 4c의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 하향식 평면도를 도시하고;
도 5a는 하나의 양태에 따른 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 다른 대안적인 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 5b는 하나의 양태에 따른 도 5a에 도시된 방법에 따라 제조된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 측 단면도로 도시하고;
도 6a는 하나의 양태에 따른 도 1a-1d, 2a-2c, 3a-3b, 4a-4c, 및 5a-5b의 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하기 위한 예시적인 몰드를 회전 등각 투영도로 도시하고;
도 6b는 하나의 양태에 따른 도 6a의 몰드의 유닛 셀을 회전 등각 투영도로 도시하고;
도 6c는 하나의 양태에 따른 도 6a 및 6b의 몰드로부터 제조되는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 투명 회전 등각 투영도, 대응하는 고체 회전 등각 투영도, 및 대응하는 평면도를 도시하고;
도 7a, 7b, 7c, 7d, 및 7e는 하나의 양태에 따른 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 대안적인 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 8은 하나의 양태에 따른 다중 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 형성하기 위한 패널-수준 가공의 예를 하향식 평면도로 도시하고;
도 9a, 9b, 및 9c는 하나의 양태에 따른 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 9d는 하나의 양태에 따른 도 9a-9c에 도시된 방법에 따라 제조된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 측 단면도로 도시하고;
도 9e는 하나의 양태에 따른 도 9d의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 하향식 평면도를 도시하고;
도 9f 및 9g는 하나의 양태에 따른 도 9a-9d에 도시된 방법에 따라 제조된 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 측단면도로 도시하고;
도 10a, 10b, 10c, 및 10d는 하나의 양태에 따른 스탬핑 형태의 제조방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 11a 및 11b는 하나의 양태에 따른 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 대안적인 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 12a, 12b, 및 12c는 하나의 양태에 따른 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 대안적인 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 13a, 13b, 및 13c는 하나의 양태에 따른 대안적인 스탬핑 형태를 제조하는 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 14a 및 14b는 하나의 양태에 따른 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는 대안적인 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 15a 및 15b는 하나의 양태에 따른 대안적인 스탬핑 형태를 제조하는 방법의 블록 다이어그램 표시를 측 단면도로 도시하고;
도 16a 및 16b는 하나의 양태에 따른 용도를 위한 각각 대안적인 3차원(3D) 및 2차원(2D) 형태를 도시한다.

하기 상세한 설명은 예시의 목적을 위해 많은 세부 사항을 포함하지만, 당업자는 하기 세부 사항에 대한 많은 변형 및 변경이 첨부된 청구항의 범위 내에 있음을 이해할 것이다. 따라서, 하기의 예시적인 실시예들은 본 명세서에 개시된 청구된 발명에 대한 일반성의 손실 없이, 이에 제한을 부과하지 않고 설명된다.

다양한 도면 및 첨부된 텍스트에 의해 도시 및 기재된 예시적인 양태는 대안적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조 및 이의 제조방법을 제공하며, 이는 몰딩, 사출 성형(injection molding), 압축 성형(compression molding), 롤 대 롤 몰드 드럼(roll-to-roll mold drum)을 통한 몰딩, 각인(imprinting), 스탬핑(stamping), 엠보싱(embossing), 스텐실링(stenciling), 열 성형(thermo-forming), 포토리소그래피, 그레이 스케일 포토리소그래피(grayscale photolithography), 또는 템플릿 충전(template filling)을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 이러한 방법은 단일층 다중층 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하는데 적용될 수 있고, 여기서 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는 단일 유전체(Dk) 유전체(EM) 구조, 복수의 유전체(Dk) 유전체(EM) 구조, 유전체(Dk) 유전체(EM) 구조의 패널 또는 어레이, 또는 유전체(Dk) 유전체(EM) 구조의 다중 패널 또는 어레이일 수 있다. 본 명세서에 개시되는 유전체(Dk) 유전체(EM) 구조의 양태는, 예를 들면, 안테나; 유전체 공진기 안테나(dielectric resonator antenna, DRA); 안테나 또는 DRA의 어레이; 유전체 렌즈(dielectric lens); 및/또는 유전체 도파관(dielectric waveguide)을 포함하는 응용 분야에 유용할 수 있다. 본 명세서에 예시 및 기재되는 양태가 특정 횡단면 프로파일 (x-y, x-z 또는 y-z, 횡단면 프로파일)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 도시하지만, 이러한 프로파일은 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 변형될 수 있음을 이해할 것이다. 이와 같이, 본 명세서의 개시 내용의 범위에 속하고 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 임의의 프로파일은 본 명세서에 개시된 양태를 보완하는 것으로 생각 및 고려된다. 본 명세서에 예시 및 기재되는 양태는 특정 어레이 크기를 갖거나 갖도록 암시된 유전체(Dk) 전자기(EM) 어레이 구조를 도시하지만, 이러한 크기는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 변형될 수 있음을 이해할 것이다. 이와 같이, 본 명세서의 개시 내용의 범위에 속하고 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 임의의 어레이 크기는 본 명세서에 개시된 양태를 보완하는 것으로 생각 및 고려된다.

하기의 예시적인 양태가 개별적으로 제시되지만, 본 명세서의 하기에 기재된 모든 양태를 완전히 읽음으로써 특징 및/또는 공정의 일부 교차를 가능하게 하는 개별 양태 사이에 유사성이 존재할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 이와 같이, 이러한 개별적인 특징 및/또는 공정 중 임의의 조합은 본 명세서의 개시 내용과 일관성을 유지하면서 그러한 조합이 명시적으로 예시되었는지 여부에 관계없이 양태에 따라 적용될 수 있다.

하기의 예시적인 양태 중 하나 이상과 관련된 여러 도면들은 서로에 대한 대응하는 특징의 구조적 관계에 대한 기준 프레임을 제공하는 x-y-z 축의 직교 세트를 묘사하며, 여기서 x-y 평면은 하향식 평면도와 일치하고, x-z 또는 y-z 평면은 대응하는 양태의 측면 입면도와 일치한다.

본 명세서에 제공된 여러 도면들이 복수의 제1 유전체 부분(1DP) 및 제2 유전체 부분(2DP)를 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 측면 입면도만을 묘사하지만, 본 명세서에 제공된 전체 개시 내용을 읽어보면, 본 명세서에 제공된 다른 도면들의 하향식 평면도 또는 회전 등각 투영도가, 대응하는 입면도의 연관된 제1 유전체 부분(1DP) 및 제2 유전체 부분(2DP)이 어레이로 배열되는 대응하는 입면도와 연관된 어레이 구성의 대표적인 예시로서 사용될 수 있는 것이 이해될 것이다 (예를 들면, 도 1C, 4D, 6A, 8, 및 9E에 도시된 어레이 참조).

제1 실시 양태: 방법(1100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(1500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(1500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(1100)에 대한 하기 설명은 특히 도 1a, 1b, 1c 및 1d를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 1a는 방법 단계(1102, 1104, 1106, 1108, 1110, 1112, 및 1114), 및 대응하는 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(1500)을 도시하고, 도 1b는 방법 단계(1122, 1124, 1126, 1128, 1130, 1132, 1134, 및 1136), 및 대응하는 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(1500)를 도시하고, 도 1c는 방법 단계(1122, 1124, 1126, 1128', 1130', 1134', 및 1136), 및 도 1b에 대안으로 대응하는 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(1500)를 도시하고, 도 1d는 비교적 얇은 연결 채널(1516) 및 대응하는 구조(1518)를 도시하는 중간 방법 단계의 횡단면 입면도 및 대응하는 평면도를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 1a를 참조하여, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(1500)를 제조하는 예시적인 방법(1100)은 하기 단계: 어레이로 배열된 제1 복수의 오목부들(recess)(1504) 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분(1502)을 제공하는 단계(1102); 상기 제1 복수의 오목부들(1504)을, 완전 경화 후 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)로 충전하는 단계; 상기 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)로 충전된 제1 복수의 오목부들(1504) 중 다수의 오목부의 상부 위에 및 다수의 오목부를 가로질러 기판(1508)을 배치하고(1106), 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계; 및 기판(1508)의 상부 위에 제2 몰드 부분(1510)을 배치하는 선택적인 단계; 제1 몰드 부분(1502)을 향해서 제2 몰드 부분(1510)을 압축하고(1110), 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)을 적어도 부분적으로 경화하는 다른 선택적인 단계; 및 제1 몰드 부분(1502)에 대해 제2 몰드 부분(1510)을 분리시키는(1112) 다른 선택적인 단계; 및 상기 제1 몰드 부분(1502)으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)과 함께 기판(1508)을 제거하여(1114), 기판(1508)과, 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)을 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태(1514)를 포함하는 어셈블리(1512)를 생성하는 단계로, 각각의 복수의 유전체(Dk) 형태(1514)는 제1 복수의 오목부들(1504) 중 대응하는 오목부에 의해 정의된 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 단계;를 포함한다.

본 명세서에서 사용되는 용어 사실상(substantially)은 제조 허용 오차(tolerance)를 설명하기 위한 것이다. 이러한, 사실상 동일한 구조는, 대응하는 구조를 제조하기 위한 제조 허용 오차가 0인 경우에 동일하다.

하나의 양태에서, 상기 기판(1508)은 하기: 유전체(Dk)층; 금속층; 유전체(Dk)층과 금속층의 조합; 복수의 슬롯(slot)을 갖는 금속층-복수의 슬롯의 각각은 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨-; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(substrate integrated waveguide, SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크(signal feed network); 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

하나의 양태에서 및 특히 도 1b를 참조하여, 상기 방법(1100)은 하기 단계: 제1 몰드 부분(1502)을 제공하는 단계(1102) 전에, 제1 몰드 부분(1502)의 어레이로 배열된 제2 복수의 오목부들(1524) 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 예비-몰드 부분(first pre-mold portion)(1522)을 제공하는 단계(1122)로, 제2 복수의 오목부들(1524)의 각각은 제1 복수의 오목부들(1504) 중 대응하는 오목부보다 큰 것인, 단계; 상기 제2 복수의 오목부들(1524)을, 완전 경화 후 공기의 유전 상수보다 크고 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)로 충전하는 단계(1124); 상기 제1 예비-몰드 부분(1522)의 상부 위에 제2 예비-몰드 부분(1528)을 배치하는 단계(1126)로, 제2 예비-몰드 부분(1528)은 제2 복수의 오목부들(1524)의 각각의 오목부와 일대일 대응으로 및 제1 몰드 부분(1502)의 어레이로 배열된 복수의 개구부(opening)(1530)를 갖는 것인, 단계; 상기 제2 예비-몰드 부분(1528)의 상부 위에 제3 예비-몰드 부분(1532)을 배치하는 단계(1128)로, 상기 제3 예비-몰드 부분(1532)은 제1 몰드 부분(1502)의 어레이로 배열된 돌출부(projection)들(1534) 중 복수의 사실상 동일한 돌출부를 가지며, 돌출부들(1534) 중 사실상 동일한 돌출부는 제2 예비-몰드 부분(1528)의 개구부의 대응하는 개구부(1530), 및 제2 복수의 오목부(1524)의 대응하는 오목부에 삽입되어, 제2 복수의 오목부들(1524) 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료(1526)를 제공된 돌출부(1534)의 부피와 동일한 부피만큼 대체시키는(displacing) 단계; 제2 예비-몰드 부분(1528)을 향해 제3 예비-몰드 부분(1532)을 압축하고(1130), 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계; 및 제2 예비-몰드 부분(1528)에 대해 제3 예비-몰드 부분(1532)을 분리시켜(1132), 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)을 그 안에 갖는 몰드 형태를 수득하는(1134) 단계로, 상기 몰드 형태는 제1 몰드 부분(1502)을 제공하는 역할을 하고, 어레이로 배열된 제1 복수의 오목부들(1504) 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분(1502, 1536)을 제공하는 단계를 확립하는 것인, 단계;를 더 포함하고, 상기 제거 단계(1114)는 제1 몰드 부분(1502, 1536)으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물(1506) 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)과 함께 기판(1508)을 제거하여(1136), 기판(1508), 및 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)의 어레이 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)의 대응하는 어레이를 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태(1540)를 포함하는 어셈블리(1538)를 생성하고, 복수의 유전체(Dk) 형태(1540)의 각각은 제1 복수의 오목부(1504) 및 제2 복수의 오목부(1524)의 대응하는 오목부에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태(1540)를 갖는다.

하나의 양태에서 및 특히 도 1b와 결합하여 도 1c를 참조하여, 도 1b의 참조 번호 1128, 1130, 1132, 및 1134는 도 1c의 참조 번호 1128', 1130', 및 1134'와 관련된 단계, 모든 다른 단계 및 필수적으로 이들을 유지하는 대응하는 구조로 대체될 수 있음이 이해될 것이다. 도 1c에 도시되는 바와 같이, 도 1b의 배치하는 단계(1128)는, 제2 예비-몰드 부분(1528)(도 1b 참조)의 상부 위에, 기판(1508) 및 그 위에 형성된 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)을 갖는 복수의 유전체(Dk) 형태(1514)를 갖는 상기 언급된 어셈블리(1512)를 배치하는 단계(1128')와 대체될 수 있고, 상기 어셈블리(1512)는, 제2 예비-몰드 부분(1528)의 개구부(1530)의 대응하는 개구부, 및 제2 복수의 오목부(1524)의 대응하는 오목부에 삽입되는 복수의 유전체(Dk) 형태(1514)를 가져, 제공된 유전체(Dk) 형태(1514)의 부피와 동일한 부피만큼 제2 복수의 오목부들(1524) 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료(1526)를 대체시킨다. 또한, 도 1b의 압축(1130) 단계는, 제2 예비-몰드 부분(1528)을 향해 어셈블리(1512)를 압축하고(1130'), 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)을 적어도 부분적으로 경화하는 단계로 대체될 수 있다. 또한, 도 1b의 분리 단계(1132)는 생략될 수 있고, 도 1b의 수득 단계(1134)는 어셈블리(1512) 및 그 안에 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)을 갖는 몰드 형태(1536)를 수득하는 단계(1134')로 대체될 수 있다. 또한, 상기 제거하는 단계(1114)는, 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물(1506) 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)을 갖는 기판(1508)을 제1 몰드 부분(1502, 1536)으로부터 제거하여(1136), 기판(1508)과, 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)의 어레이 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)의 어레이를 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태(1540)를 포함하는 어셈블리(1538)를 생성하는 단계로, 각각의 복수의 유전체(Dk) 형태(1540)는 제1 복수의 오목부들(1504) 및 제2 복수의 오목부들(1524) 중 대응하는 오목부에 의해 정의된 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 단계;를 포함한다.

하나의 양태에서, 복수의 유전체(Dk) 형태(1514)는 기판(1508) 상에 배치되는 복수의 유전체 공진기 안테나(dielectric resonator antenna, DRA)를 제공하고, 각각의 유전체 공진기 안테나(DRA)는 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)에 의해 제공된 유전체(Dk) 물질의 부피 또는 층을 갖는 단일층 유전체 공진기 안테나(DRA)이다.

하나의 양태에서, 복수의 유전체(Dk) 형태(1540)는 기판(1508) 상에 배치되는 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA)를 제공하고, 각각의 유전체 공진기 안테나(DRA)는 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)에 의해 제공되는 유전체(Dk) 물질의 제1 내부 부피 또는 층, 및 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)에 의해 제공되는 유전체(Dk) 물질의 제2 외부 부피 또는 층을 갖는 2개층 유전체 공진기 안테나(DRA)이다.

하나의 양태에서, 복수의 유전체(Dk) 형태(1540)는 기판(1508) 상에 배치되는 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA)(1506) 또는 상기 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA)와 일대일 대응으로 배치되는 유전체 도파관(dielectric waveguide)(1526)을 제공하고, 각각의 유전체 공진기 안테나(DRA)는 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)에 의해 제공되는 유전체(Dk) 물질의 부피 또는 층을 갖는 단일-부피 또는 단일-층 유전체 공진기 안테나(DRA)이고, 각각의 대응하는 렌즈 또는 도파관은 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)에 의해 제공되는 유전체(Dk) 물질의 부피 또는 층을 갖는 단일-부피 또는 단일-층 유전체 공진기 안테나(DRA)이다.

하나의 양태에서 및 특히 도 1a와 결합하여 도 1c를 참조하여, 상기 제1 몰드 부분(1502)은 제1 복수의 오목부들(1504) 중 인접한 오목부와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널(connecting channel)(1516)을 포함하고, 이는 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)로 제1 복수의 오목부들을 충전하는 단계(1104) 동안 충전되어, 기판(1508), 및 복수의 유전체(Dk) 형태(1514) 중 인접하는 유전체(Dk) 형태와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 구조(1518)와 함께 복수의 유전체(Dk) 형태(1514)를 포함하는 어셈블리(1512)를 생성하고, 여기서 비교적 얇은 연결 구조(1518)는 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물(1506), 비교적 얇은 연결 구조(1518) 및 단일 모놀리식(single monolithic)을 형성하는 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)을 갖는 충전된 제1 복수의 오목부로 구성된다.

하나의 양태에서 및 특히 도 1b와 결합하여 도 1c를 참조하여, 제2 예비-몰드 부분(1528)은 제2 복수의 오목부들(1524) 중 인접한 오목부와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널(1516)을 포함하고, 이는 제공된 돌출부(1534)의 부피와 동일한 부피만큼 제2 복수의 오목부들(1524) 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료(1526)를 대체시키는 동안 충전되어, 기판(1508), 및 복수의 유전체(Dk) 형태(1540) 중 인접하는 유전체(Dk) 형태와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 구조(1518)와 함께 복수의 유전체(Dk) 형태(1540)를 포함하는 어셈블리(1538)를 생성하고, 여기서 비교적 얇은 연결 구조(1518)는 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물(1526), 비교적 얇은 연결 구조(1518) 및 단일 모놀리식을 형성하는 제2 유전체(Dk) 조성물(1526)을 갖는 충전된 제2 복수의 오목부를 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 제1 복수의 오목부(1104)를 충전하는 단계, 제2 복수의 오목부(1124)를 충전하는 단계, 또는 제1 및 제2 복수의 오목부 모두를 충전하는 단계는, 각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 대응하는 오목부로 붓고(pouring) 스퀴징(squeegeeing)하는 단계를 더 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 제1 복수의 오목부(1104)를 충전하는 단계, 제2 복수의 오목부(1124)를 충전하는 단계, 또는 제1 및 제2 복수의 오목부 모두를 충전하는 단계는, 각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 유전체 필름을 대응하는 오목부로 각인(imprinting)하는 단계를 더 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)을 압축 및 적어도 부분적으로 경화하는 단계, 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물1526을 압축 및 적어도 부분적으로 경화하는 단계, 또는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물 및 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물 모두를 압축 및 적어도 부분적으로 경화하는 단계는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함한다.

상기 방법(1100)의 하나의 양태에서, 상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상이고, 대안적으로 9 이상이고, 추가 대안적으로 18 이상이고, 100 이하이다.

상기 방법(1100)의 하나의 양태에서, 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다.

상기 방법(1100)의 하나의 양태에서, 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다.

상기 방법(1100)의 하나의 양태에서, 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(1506)은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(1100)의 하나의 양태에서, 제공된 유전체(Dk) 형태(1514)의 3차원(3D) 형태(1540)는 x-y 평면 횡단면(x-y plane cross-section)에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

본 명세서에 개시되는 임의의 양태에서, 기판은, 예를 들면 실리콘 웨이퍼와 같은 웨이퍼, 또는 본 명세서에 개시되는 목적에 적합한 임의의 다른 전가 기판일 수 있다.

제2 실시 양태: 방법(2100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(2500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(2500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(2100)에 대한 하기 설명은 특히 도 2a, 2b, 및 2c를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 2a는 방법 단계(2102, 2106, 2108, 2110, 2112, 및 2114), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(2500)의 어레이를 도시하고, 도 2b는 방법 단계(2117), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(2500)를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 2a를 참조하여, 하나 이상의 제1 유전체 부분(1DP)(2512)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(2500)의 제조방법으로서, 상기 방법은, 하기 단계: 어레이로 배열되고, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(2512)을 형성하도록 구성된 제1 복수의 오목부들(2504) 중 사실상 동일한 오목부를 갖는 제1 몰드 부분(2502)을 제공하는 단계(2102)로, 상기 제1 몰드 부분(2502)은 복수의 오목부들(2504) 중 인접한 오목부를 상호 연결하는 복수의 비교적 얇은 연결 채널(2104)을 더 갖는 것인, 단계; 완전 경화 후 공기보다 큰 평균 유전 상수를 갖는 경화성 유전체(Dk) 조성물(2506)로 비교적 얇은 연결 채널(2104) 및 제1 복수의 오목부들(2504)을 충전하는 단계(2106); 제1 몰드 부분(2502)의 상부 위에 제2 몰드 부분(2508)을 그 사이에 배치된 경화성 유전체(Dk) 조성물(2506)과 함께 배치하는 단계(2108); 제1 몰드 부분(2502)을 향해 제2 몰드 부분(2508)을 압축하고(2110), 경화성 유전체(Dk) 조성물(2506)을 적어도 부분적으로 경화하는 단계; 제1 몰드 부분(2502)에 대해 제2 몰드 부분(2508)을 분리시키는 단계(2112); 및 제1 몰드 부분(2502)으로부터 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물(2506)을 제거하여, 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물(2506)을 포함하는 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)를 생성하는 단계로, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)의 각각은 제1 복수의 오목부(2504) 및 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널(2104)에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태를 가지며, 상기 제1 복수의 오목부(2504)에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태는 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널(2104)의 충전된 채널을 통해 형성되는 비교적 얇은 연결 구조(2514)를 통해 상호 연결되는 복수의 제1 유전체 부분(2512)을 갖는 전자기(EM) 구조(2500)을 제공한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 2a를 참조하여, 제2 몰드 부분(2508)은 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)에 정렬 특징(alignment feature)(2516)을 제공하기 위해 배치된 적어도 하나의 오목부(2116)를 포함하고, 상기 제1 몰드 부분(2502)을 향해 제2 몰드 부분(2508)을 압축하는 단계(2110)는, 경화성 유전체(Dk) 조성물(2506)의 일부를 적어도 하나의 오목부(2116)로 대체시키는 단계를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 2a와 결합하여 도 2b를 참조하여, 상기 제1 몰드 부분(2502)은 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)에 정렬 특징(구체적으로 도시되지 않지만, 돌출부(2118)에 의해 형성되는 연결 구조(2514)의 개구로 당업자에게 이해될 것임)을 제공하기 위해 배치된 적어도 하나의 제1 돌출부(2118)를 포함하고, 상기 제1 몰드 부분(2502)을 향해 제2 몰드 부분(2508)을 압축하는 단계(2110)는, 경화성 유전체(Dk) 조성물(2506)의 일부를 적어도 하나의 제1 돌출부(2118) 주변에 대체시키는 단계를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 2a를 참조하여, 제1 몰드 부분(2502) 및 제2 몰드 부분(2508)의 적어도 하나는 어레이(2501)의 형태로 분할된 패널 세트를 제공하기 위한 복수의 오목부들(2504)의 서브 세트(subset) 주변에 분할 돌출부(segmenting projection)(2120)를 포함하고, 상기 제1 몰드 부분(2502)을 향해 제2 몰드 부분(2508)을 압축하는 단계(2110)는, 분할 돌출부(2120)에 근접한 제1 몰드 부분(2502)과 제2 몰드 부분(2508) 사이에 면대면 접촉으로부터 멀리 경화성 유전체(Dk) 조성물(2506)의 일부를 대체시키는 단계를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 2a 및 2b와 결합하여 도 2c를 참조하여, 상기 제1 몰드 부분(2502)은 제2 복수의 오목부들(2122)을 더 포함하고, 제2 복수의 오목부들(2122)의 각각의 오목부는 제1 복수의 오목부들(2504) 중 하나와 일대일 대응으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)(2512)에 대한 적어도 하나의 유전체(Dk) 절연체(2518)(도 2b 참조)를 제공하기 위해, 제1 몰드 부분(2502)의 하향식 평면도에서 관측되는 바와 같이, 제1 복수의 오목부들(2504) 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치된다. 하나의 양태에서, 유전체(Dk) 절연체(2518)는 제1 유전체 부분(1DP)(2512)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP) 주변에 유전체(Dk) 조성물(2506)의 연속 고리를 형성한다. 하나의 양태에서, 유전체(Dk) 형태(2510)는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(2512), 비교적 얇은 연결 구조(2514), 및 적어도 하나의 유전체(Dk) 절연체(2518)의 통합 형성된 정렬을 포함하는 유전체(Dk) 조성물(2506)의 모놀리식이다.

하나의 양태에서 및 특히 도 2a 및 2b와 결합하여 여전히 도 2c를 참조하여, 제1 몰드 부분(2502)은 제2 복수의 오목부들(2122) 중 하나와 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제2 돌출부(2124)를 더 포함하고, 각각의 제2 돌출부(2124)는 제2 복수의 오목부들(2122)의 대응하는 오목부 내에 중앙으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)(2512)에 대한 대응하는 향상된 유전체(Dk) 절연체(2520)를 제공하기 위해 제1 복수의 오목부들(2504) 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치된다. 하나의 양태에서, 향상된 유전체(Dk) 절연체(2520)는 제1 유전체 부분(1DP)(2512)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP) 주변에 유전체(Dk) 조성물(2506)의 연속 고리를 형성한다. 하나의 양태에서, 유전체(Dk) 형태(2510)는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(2512), 비교적 얇은 연결 구조(2514), 및 대응하는 향상된 유전체(Dk) 절연체(2520)의 통합 형성된 정렬을 포함하는 유전체(Dk) 조성물(2506)의 모놀리식이다.

하나의 양태에서 및 특히 도 2a 및 2b와 결합하여 여전히 도 2c를 참조하여, 상기 제2 몰드 부분(2508)은 제1 몰드 부분(2502)의 제2 복수의 오목부들(2122) 중 하나와 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제3 돌출부(2126)를 더 포함하고, 각각의 제3 돌출부(2126)는 제1 몰드 부분(2502)의 제2 복수의 오목부들(2122) 중 대응하는 오목부 내에 중앙으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)(2512)에 대한 향상된 유전체(Dk) 절연체(2522)를 제공하기 위해 제1 몰드 부분(2502)의 제1 복수의 오목부들(2504) 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치된다. 하나의 양태에서, 향상된 유전체(Dk) 절연체(2522)는 제1 유전체 부분(1DP)(2512)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP) 주변에 유전체(Dk) 조성물(2506)의 연속 고리를 형성한다. 하나의 양태에서, 유전체(Dk) 형태(2510)는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(2512), 비교적 얇은 연결 구조(2514), 및 대응하는 향상된 유전체(Dk) 절연체(2522)의 통합 형성된 정렬을 포함하는 유전체(Dk) 조성물(2506)의 모놀리식이다.

하나의 양태에서, 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(2506)을 적어도 부분적으로 경화하는 것을 포함하는 단계(2110)는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물(2506)을 가열하는 단계를 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 방법(2100)은, 제1 몰드 부분(2502)으로부터 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물(2506)을 제거하는 단계(2114) 후에: 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)를 완전히 경화하고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)의 후면에 접착제(2524)를 적용하는 단계를 더 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(2506)의 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하이다.

상기 방법(2100)의 양태에서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(2506)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(2506)은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(2100)의 하나의 양태에서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(2512)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

하나의 양태에서 및 특히 도 2a와 결합하여 도 2b를 참조하여, 상기 방법(2100)은, 기판(2526)을 제공하고, 상기 기판(2526) 상에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)를 배치하는 단계를 더 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 기판(2526)은, 하기: 유전체(Dk)층; 금속층; 유전체(Dk)층과 금속층의 조합; 복수의 슬롯(slot)을 갖는 금속층-복수의 슬롯의 각각은 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨-; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

하나의 양태에서, 상기 기판(2526) 상에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)를 배치하는 단계는, 기판(2526) 상에 대응하는 수용 특징(reception feature)(도시된 기판(2526)의 파선에서 개구부로 일반적으로 도시됨)을 갖는 정렬 특징(alignment feature)(2516)을 정렬하고, 기판(2526)에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태(2510)를 접착제(2524)를 통해 접착시키는 단계를 더 포함한다.

제3 실시 양태: 방법(3100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(3500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(3500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(3100)에 대한 하기 설명은 특히 도 3a 및 3b를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 3a는 방법 단계(3102, 3104, 3106, 3107, 3108, 및 3110), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(3500)를 복수의 오목부들(3504) 중 대응하는 오목부의 중앙을 통한 단면 입면도로 도시하고, 도 3b는 방법 단계(3120 및 3122)를 포함하는 제조 공정을 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a를 참조하여, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(3500)를 제조하는 예시적인 방법(3100)은, 하기 단계: 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트를 제공하는 단계(3102); 어레이로 배열된 복수의 오목부들(3504) 중 사실상 동일한 오목부를 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트 내에 형성하고(3104), 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트의 비-오목 부분은 복수의 오목부들(3504) 중 개별 오목부들 사이에 연결 구조(3505)를 형성하고, 하나의 양태에서, 복수의 오목부들(3504)의 각각의 오목부는 둘러싸는 벽을 갖는 포켓 오목부인, 단계; 완전 경화 후에 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 유전체(Dk) 조성물(3506)로 복수의 오목부(3504)를 충전하는 단계(3106)로, 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트는 제1 평균 유전 상수와 상이한 제2 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 및 경화성 유전체(Dk) 조성물(3506)을 적어도 부분적으로 경화하는 단계(3107);를 포함한다.

상기 방법(3100)의 양태에서, 상기 제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수보다 작다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a를 여전히 참조하여, 상기 방법(3100)은, 경화성 유전체(Dk) 조성물(3107)을 적어도 부분적으로 경화하는 단계 이후에, 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트를 개별 타일(3508)로 커팅하는 단계로, 각각의 타일(3508)은 이들 사이에 배치되는 연결 구조(3505)의 일부와 함께, 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물(3506)을 갖는 복수의 오목부들(3504)의 서브세트의 어레이를 갖는 것인, 단계;를 더 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 형성 단계(3104)는, 하향식(top-down manner)으로 복수의 오목부들을 스탬핑(stamping) 또는 각인하는 단계를 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 형성 단계(3104)는, 상향식(bottom-up manner)으로 복수의 오목부들(3504)을 엠보싱(embossing)하는 단계를 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 충전 단계(3106)는, 경화성 유전체(Dk) 조성물(3506)의 유동성 형태를 복수의 오목부(3504)로 붓고 스퀴징하는 단계를 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 형성 단계(3104)는, 시트의 제1면으로부터, 복수의 오목부들(3504) 중 사실상 동일한 오목부를 시트(3502) 내에 형성하는 단계로, 복수의 오목부들(3504)의 각각은 깊이(H5)를 갖는, 단계; 및 시트(3502)의 대향하는 제2면으로부터, 복수의 오목부들(3504)과 일대일 대응으로 복수의 함몰부(depression)(3510)들을 형성하는 단계로, 복수의 함몰부들(3510)의 각각은 깊이(H6)를 가지며, 여기서 깊이(H6)는 깊이(H5) 이하인 것인, 단계;를 더 포함한다.

하나의 양태에서, 복수의 오목부들(3504)의 각각은 포켓 오목부(pocket recess)이고, 복수의 함몰부들(3510) 중 각각은 복수의 오목부들(3504)의 대응하는 오목부에서 측벽(3511)을 둘러싸는 블라인드 포켓(blind pocket)을 형성하여, 각각의 포켓 오목부(3504) 내의 유전체(Dk) 조성물(3506)이 대응하는 중앙으로 배치된 함몰부(3510)를 둘러싼다.

하나의 양태에서, 복수의 함몰부들(3510)의 각각은 복수의 오목부들(3504) 중 대응하는 오목부에 대해 중앙으로 배치된다.

하나의 양태에서, 경화성 유전체(Dk) 조성물(3506)을 적어도 부분적으로 경화하는 단계(3107)는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계(3506);를 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 제공 단계(3102)는, 평평한 형태로 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 충전 단계(3106)는, 평평한 형태의 시트의 복수의 오목부들(3504)을 한 번에 하나 이상의 오목부(3504)를 충전하는 단계를 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a와 결합하여 도 3b를 참조하여, 상기 제공 단계(3102)는, 롤(3520) 상에 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트를 제공하고, 형성 단계(3104) 이후의 단계를 위해 상기 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트를 펼치는(unrolling) 단계(3122)를 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a와 결합하여 도 3b를 참조하여, 상기 방법(3100)은, 패턴 롤러(pattern roller)(3522) 및 유전체(Dk) 재료(3502)의 롤(3520)의 다운스트림에 대향하는 압축 롤러(compression roller)(3524)를 제공하는 단계; 패턴 롤(3522)의 다운스트림에 유전체(Dk) 조성물(3506)의 디스펜서 유닛(dispenser unit)(3526)을 제공하는 단계; 상기 디스펜서 유닛(3526)의 다운스트림에 경화 유닛(curing unit)(3528)을 제공하는 단계; 및 상기 경화 유닛(3528)의 다운스트림에 마감 롤러(finish roller)(3530)를 제공하는 단계;를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a와 결합하여 도 3b를 참조하여, 상기 방법(3100)은, 상기 패턴 롤러(3522)의 다운스트림에, 상기 디스펜서 유닛(3526)의 업스트림에 제1 인장 롤러(tensioning roller)(3532)를 제공하는 단계; 및 상기 제1 인장 롤러(3532)의 다운스트림에, 상기 경화 유닛(3528)의 업스트림에 제2 인장 롤러(3534)를 제공하는 단계;를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a와 결합하여 도 3b를 참조하여, 상기 방법(3100)은, 제2 인장 롤러(3534)와 협조하고 제2 인장 롤러에 대향하도록 배치된 스퀴즈 유닛(squeegee unit)(3536)을 제공하는 단계;를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a와 결합하여 도 3b를 참조하여, 상기 방법(3100)은, 하기 단계: 유전체(Dk) 재료의 롤(3520)로부터 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트를 펼치는 단계(3122); 펼쳐진 유전체(Dk) 재료(3502)의 시트를 패턴 롤러(3522)와 대향하는 압축 롤러(3524) 사이에 통과시키는 단계로, 여기서 어레이로 배열된 복수의 오목부들(3504) 중 사실상 동일한 오목부를 시트 내에 형성하는 단계(3104)(도 3a 참조)가 발생하여, 패터닝된 시트(3512)를 생성하는, 단계; 상기 패터닝된 시트(3512)를 디스펜서 유닛(3526)에 근접하게 통과시키는 단계로, 경화성 유전체(Dk) 조성물(3506)로 복수의 오목부들(3504)을 충전하는 단계(3106)(도 3a 참조)가 발생하여, 충전된 패터닝된 시트(3514)를 생성하는, 단계; 상기 충전된 패터닝된 시트(3514)를 경화 유닛(3528)에 근접하게 통과시키는 단계로, 경화성 유전체(Dk) 조성물(3506)을 적어도 부분적으로 경화하는 단계(3107)가 발생하여, 적어도 부분적으로 경화된 시트(3518)를 생성하는, 단계; 및 적어도 부분적으로 경화된 시트(3518)를 후속 가공을 위한 마감 롤러(3530)로 통과시키는 단계;를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a와 결합하여 도 3b를 참조하여, 상기 방법(3100)은, 하기 단계: 상기 패터닝된 시트(3512)를 디스펜서 유닛(3526)에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 패터닝된 시트(3512)를 제1 인장 롤러(3532)와 연결하는 단계로, 이는 하나의 양태에서, 패터닝된 시트(3512)의 공정 중 장력을 제어하기 위해 위치 조정 가능한 것인, 단계; 및 상기 충전된 패터닝된 시트(3514)를 경화 유닛(3528)에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 충전된 패터닝된 시트(3514)를 제2 인장 롤러(3534)와 연결하는 단계로, 이는 하나의 양태에서, 충전된 패터닝된 시트(3514)의 공정 중 장력을 제어하기 위해 위치 조정 가능한 것인, 단계;를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 3a와 결합하여 도 3b를 참조하여, 상기 방법(3100)은, 하기 단계: 상기 충전된 패터닝된 시트(3514)를 경화 유닛(3528)에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 충전된 패터닝된 시트(3514)를 스퀴즈 유닛(3536)과 대향하는 제2 인장 롤러(3534)와 연결하여, 충전 및 스퀴징된 패터닝된 시트(3516)를 생성하는 단계;를 더 포함한다.

상기 방법(3100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(3506)의 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하이다.

상기 방법(3100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(3506)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다.

상기 방법(3100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(3506)은 무기 미립자 재료를 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(3100)의 하나의 양태에서, 복수의 오목부들 중 각각의 오목부(3504)는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

제4 실시 양태: 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)

예시적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)의 하기 설명은 특히 도 4a, 4b, 4c 및 4d를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 4a는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)의 대안적인 형태의 단면 입면도를 도시하고, 도 4b 및 4c는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)의 대안인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500.1 및 4500.2)의 단면 입면도를 도시하고, 도 4d는 예시적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500, 4500.1 및 4500.2)의 하향식 평면도를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 4a를 참조하여, 예시적인 유전체(Dk) 전자기(Em) 구조(4500)는, 제1 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하는 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520); 및 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)의 노출된 면의 적어도 일부 상에 등각으로 배치되는 수 불침투성 층(water impervious layer)(4504);을 포함한다. 하나의 양태에서, 상기 수 불침투성 층(4504)은 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)의 적어도 노출된 상부면 위에 등각으로 배치되고, 추가로 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)의 노출된 최외각 측면 상에 등각으로 배치될 수 있다(도 4a 참조). 하나의 양태에서, 상기 수 불침투성 층(4504)은 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)의 모든 노출된 면 상에 등각으로 배치된다. 하나의 양태에서, 상기 수 불침투성 층(4504)은 30 미크론 이하, 대안적으로 10 미크론 이하, 추가 대안적으로 3 미크론 이하, 더욱 추가 대안적으로 1 미크론 이하이다. 하나의 양태에서, 상기 수 불침투성 층(4504)은 280 ℃ 이상의 납땜 온도(soldering temperature)에서 견딜 수 있다. 하나의 양태에서, 상기 수 불침투성 층(4504)은 발수층(water repellent layer)(본 명세서에서 참조 번호 4504라고도 함)으로 대체된다. 하나의 양태에서, 상기 수 불침투성 층 또는 발수층은, 나이트라이드(nitride), 실리콘 나이트라이드(silicon nitride), 아크릴레이트, 실리콘 모노옥사이드(SiO), 마그네슘 옥사이드(MgO) 등과 같은 선택적인 첨가제를 갖는 아크릴레이트 층, 폴리-에틸렌, 또는 소수성 폴리머계 재료(hydrophobic polymer based material)를 포함한다.

본 명세서에서 사용되는 구문 "공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 갖는"은 반드시 공기가 아닌 유전체(Dk) 재료를 포함하지만, 발포체(foam)를 포함하는 공기도 포함할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 구문 "공기를 포함하는"은 반드시 공기를 포함하지만, 발포체를 포함하는 공기가 아닌 유전체(Dk) 재료를 배제하지 않는다. 또한, 용어 "공기"는 보다 일반적으로 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 유전 상수를 갖는 가스로 지칭되고 간주될 수 있다.

하나의 양태에서 및 특히 도 4a를 참조하여, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)은 유전체(Dk) 성분(4520)의 어레이를 형성하는 x × y 배열로 배열되는 복수의 유전체(Dk) 성분(4520)을 포함한다(도 4a에 구체적으로 도시되지 않았지만, 적어도 도 8을 참조하여 당업자에 의해 이해되는 어레이로 배열된 도 4a에 도시된 복수의 유전체(Dk) 성분(4520)).

하나의 양태에서 및 특히 도 4a를 여전히 참조하여, 복수의 유전체(Dk) 성분(4520)의 각각은 비교적 얇은 연결 구조(4528)를 통해 복수의 유전체(Dk) 성분(4520) 중 적어도 하나의 다른 유전체(Dk) 성분에 물리적으로 연결되고, 각각의 연결 구조(4528)는 복수의 유전체(Dk) 성분(4520) 중 하나의 전체 외측 치수에 비해 비교적 얇고, 각각의 연결 구조(4528)는 각각 연결된 유전체(Dk) 성분(4520)의 전체 높이(H1)보다 낮은 횡단면 전체 높이(H0)를 가지며, 유전체(Dk) 성분(4520)의 유전체(Dk) 재료로부터 형성되고, 각각의 비교적 얇은 연결 구조(4528) 및 복수의 유전체(Dk) 성분(4520)은 단일 모놀리식(일반적으로 참조 번호 4520이라고도 함)을 형성한다. 하나의 양태에서, 비교적 얇은 연결 구조(4528)는 모놀리식(4520)으로 통합 형성된 적어도 하나의 정렬 특징(4508)을 포함한다. 하나의 양태에서, 상기 적어도 하나의 정렬 특징(4508)은 하기: 돌출부, 오목부, 중공(hole), 또는 이들 정렬 특징의 임의의 조합 중 어느 것일 수 있다.

하나의 양태에서 및 특히 도 4a를 여전히 참조하여, 상기 유전체(Dk) 성분(4520)의 어레이는 복수의 유전체(Dk) 성분(4520) 중 각각의 유전체 성분과 일대일 대응으로 배열되는 복수의 유전체(Dk) 절연체(4510)를 포함하고, 각각의 유전체(Dk) 절연체(4510)는 복수의 유전체(Dk) 성분(4520)의 대응하는 유전체 성분을 사실상 둘러싸도록 배치된다. 하나의 양태에서, 각각의 유전체(Dk) 절연체(4510)는 유전체(Dk) 성분(4520)의 대응하는 유전체 성분의 주변에 연속 고리를 형성한다. 하나의 양태에서, 복수의 유전체(Dk) 절연체(4510)의 각각은 복수의 유전체(Dk) 성분(4520)의 높이(H1) 이하의 높이(H2)를 갖는다. 하나의 양태에서, 상기 유전체(Dk) 절연체(4510)의 각각은 비어 있는(hollow) 내부 부분을 포함한다(도 2c에서 융기된 유전체(Dk) 절연체(2520, 2522) 참조). 하나의 양태에서, 비어 있는 내부는 상부에서 개방되거나(도 2c에서 융기된 유전체(Dk) 절연체(2520) 참조), 하부에서 개방된다(도 2c에서 유전체(Dk) 절연체(2522) 참조). 하나의 양태에서, 상기 복수의 유전체(Dk) 절연체(4510)는 비교적 얇은 연결 구조(4528)를 통해 복수의 유전체(Dk) 성분(4520)으로 통합 형성되어 모놀리식을 형성한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 4a를 여전히 참조하여, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)의 각각의 유전체(Dk) 성분은 제1 유전체 부분(1DP)(4522)을 포함하고, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)의 각각의 유전체(Dk) 성분은 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(4532)을 더 포함하고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)(4532)은 제2 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하고, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(4522)은 가까운 단부(proximal end)(4524) 및 먼 단부(distal end)(4526)를 가지고; 각각의 제2 유전체 부분(2DP)(4532)은 가까운 단부(4534) 및 먼 단부(4536)를 가지고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)(4532)의 가까운 단부(4534)는 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)(4522)의 먼 단부(4526) 부근에 배치되고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)(4532)의 먼 단부(4536)는 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)(4522)의 먼 단부(4526)에서 정의된 거리만큼 떨어져 배치되고, 제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수보다 작다. 하나의 양태에서 및 측 단면 입면도에서 관측되는 바와 같이(도 4a 참조), 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(4522)은 전체 높이(H1)를 가지고, 각각의 제2 유전체 부분(2DP)(4532)은 전체 높이(H3)을 가지고, 여기서 H3은 H1보다 크고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)(4532)의 먼 단부(4536).

하나의 양태에서, 각각의 제2 유전체 부분(2DP)(4532)은 비교적 얇은 연결 구조(4538)를 통해 제2 유전체 부분(2DP)(4532)들 중 인접한 제2 유전체 부분(2DP)과 통합 형성되어, 비교적 얇은 연결 구조(4538)와 함께 제2 유전체 부분(2DP)(4532)의 모놀리식을 형성한다.

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)의 하나의 양태에서, 상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하이다.

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)의 하나의 양태에서 및 특히 도 4b의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500.1)와 결합하여 도 4a의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)를 참조하여, 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)의 각각은 높이(H1)를 갖는 제1 유전체 부분(1DP)(4522)을 포함하고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분(4520)의 각각은 제2 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하는 높이(H3)를 갖는 제2 유전체 부분(2DP)(4532)을 더 포함하고, 상기 제2 유전체 부분(2DP)(4532)의 유전체(Dk) 재료는 복수의 오목부들(4533)을 포함하고, 상기 복수의 오목부들의 각각의 오목부(4533)는 제1 유전체 부분(1DP)(4522)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)(4522)으로 충전되고, 상기 제2 유전체 부분(2DP)(4532)의 각각은 제1 유전체 부분(1DP)(4522)의 대응하는 유전체 부분을 사실상 둘러싸고; 상기 제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수 보다 작다. 하나의 양태에서, 상기 제2 유전체 부분(2DP)(4532)의 각각은 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(450)의 평면도에서 관측되는 바와 같이 1 유전체 부분(1DP)(4522)의 대응하는 유전체 부분 주변에 1 유전체 부분(1DP)(4522)보다 비교적 더 적은 유전체(Dk) 재료의 연속 고리를 형성한다. 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500), 도 4b의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500.1)의 하나의 양태에서, 높이(H1)는 높이(H3)와 동일하다.

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)의 하나의 양태에서 및 특히 도 4c의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500.2)와 결합하여 도 4a의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500)를 참조하여, 상기 제2 유전체 부분(2DP)(4532)은 제1 유전체 부분(1DP)(4522)의 각각에 종속된 비교적 얇은 연결 구조(4538)를 포함하고, 상기 제2 유전체 부분(2DP)(4532) 및 비교적 얇은 연결 구조(4538)는 모놀리식을 형성하고, 높이(H1)는 높이(H3)보다 작다.

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500.1 및 4500.2)의 하나의 양태에서, 상기 수 불침투성 층은 어레이의 모든 노출된 면 상에 등각으로 배치된다.

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500, 4500.1 및 4500.2)의 하나의 양태에서, 상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하이다.

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500, 4500.1 및 4500.2)의 하나의 양태에서, 제1 평균 유전 상수를 갖는 유전체(Dk) 재료는 유전체(DK) 미립자 재료를 포함하는 적어도 부분적으로 경화된 수지를 포함한다. 유전체(Dk) 구조(4500, 4500.1 및 4500.2)의 하나의 양태에서, 유전체(Dk) 미립자 재료는 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드이다.

유전체(Dk) 구조(4500, 4500.1 및 4500.2)의 하나의 양태에서, 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각의 유전체(Dk) 성분(4520)은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조). 유전체(Dk) 구조(4500, 4500.1 및 4500.2)의 하나의 양태에서, 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각의 유전체(Dk) 성분은 유전체 공진기 안테나(DRA)이다. 유전체(Dk) 구조(4500, 4500.1 및 4500.2)의 하나의 양태에서, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)(4532)은 유전체 렌즈 또는 도파관이다.

도 4c는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500, 4500.2)의 측 단면 입면도를 도시하고, 도 4d는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(4532)으로 둘러싸인 어레이로 배열된 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(4522)를 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(4500, 4500.2)의 하향식 평면도를 도시한다(이는 실선으로 도시된 바와 같이 직사각형이거나, 점선으로 도시된 바와 같이 원형이거나, 또는 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 다른 형태일 수 있음).

제5 실시 양태: 방법(5100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(5500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(5500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(5100)에 대한 하기 설명은 특히 도 5a 및 5b를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 5a는 방법 단계(5102, 5104, 5106, 5108, 5110, 5112, 5114, 5116, 5120), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(5500)의 어레이(5501)를 도시하고, 도 5b는 생성된 예시적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(5500)를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 5a 및 5b를 총괄하여 참조하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(5510), 및 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(5510)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(5500)를 제조하는 예시적인 방법으로서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(5510)은 가까운 단부(5512) 및 먼 단부(5514)를 가지며, 제공된 제1 유전체 부분(1DP)(5510)의 먼 단부(5514)는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 제공된 제1 유전체 부분(1DP)(5510)의 가까운 단부(5512)의 횡단면보다 작은, x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같은 횡단면을 가지며, 상기 방법은, 하기 단계: 지지체 형태(5502)를 제공하는 단계(5102); 적어도 하나의 어레이로 배열되는 제2 유전체 부분(2DP)(5520) 중 복수의 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 단계(5104)로, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)은 적어도 부분적으로 경화되고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)은 가까운 단부(5522) 및 먼 단부(5524)를 포함하고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 각각의 가까운 단부(5522)는 블라인드 단부를 갖는 중앙으로 배치된 함몰부(5526)를 포함하고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)을 지지체 형태(5502) 상에 배치하고(5106), 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 각각의 함몰부(5526)는 충전되는 경우 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(5510) 중 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하도록 구성되는 것인, 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(5506)의 유동성 형태(flowable form)를 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 함몰부(5526)에 충전시키는 단계(5108)로, 상기 유전체(Dk) 조성물(5506)은 완전히 경화될 때 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 제2 평균 유전 상수보다 큰, 완전히 경화될 때 제1 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 지지체 형태(5502) 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 가까운 단부(5522)를 가로질러 스퀴징하여(5110), 임의의 과잉 경화성 유전체(Dk) 조성물(5506)을 제거하고, 유전체(Dk) 조성물(5506)을 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 가까운 단부(5522)와 적어도 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(5506)을 적어도 부분적으로 경화하여(5112), 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(5510)의 적어도 하나의 어레이(5501)를 형성하는 단계; 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 적어도 하나의 어레이(5501)와 그 안에 형성되는 제1 유전체 부분(1DP)(5510)의 적어도 하나의 어레이(5501)를 포함하는 생성된 어셈블리(5530)를 지지체 형태(5502)로부터 제거하는 단계(5120);를 포함한다.

상기 방법(5100)의 하나의 양태에서, 상기 지지체 형태(5502)는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 적어도 하나의 어레이(5501) 중 제공된 어레이 주변에 융기된 벽(raised wall)(5504)을 포함하고, 상기 충전(5108) 및 스퀴징(5110) 단계는, 경화성 유전체(Dk) 조성물(5506)의 유동성 형태를 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 함몰부(5526) 및 지지체 형태(5502)의 융기된 벽(5504)의 에지(edge)(5508)까지 충전시켜(5114), 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 함몰부(5526)가 충전되고, 관련된 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 가까운 단부(5522)가 특정 두께(H6)로 유전체(Dk) 조성물(5506)로 커버되는 것인, 단계; 및 지지체 형태(5502)의 융기된 벽(5504)을 가로질러 스퀴징하여(5116), 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물(5506)을 제거하고, 유전체(Dk) 조성물(5506)을 융기된 벽(5504)의 상부 에지(5508)와 같은 높이로 남겨두는 단계로, 두께(H6)의 유전체(Dk) 조성물(5506)은 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(5510)과 통합 형성되는 연결 구조(5516)(도 5b 참조)를 제공하여, 모놀리식을 형성하는 것인, 단계;를 더 포함한다. 상기 방법(5100)의 하나의 양태에서, 두께(H6)는 약 0.002인치이다.

상기 방법(5100)의 하나의 양태에서, 복수의 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 적어도 하나의 어레이는 지지체 형태(5502) 상에 배치되는 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)(5528)의 복수의 어레이 중 하나이고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)은 열가소성 폴리머를 포함하고, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(5510)은 열경화성 유전체(Dk) 재료(5506)를 포함하고, 적어도 부분적으로 경화하는 단계(5112)는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물(5506)을 경화하는 단계를 포함한다. 상기 방법(5100)의 하나의 양태에서, 상기 열가소성 폴리머는 고온 폴리머(high temperature polymer)이고; 상기 유전체(Dk) 재료는 무기 미립자 재료를 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(5100)의 하나의 양태에서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(5510)의 각각 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(5520)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

제6 실시 양태: 몰드(6100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)를 제조하기 위한 예시적인 몰드(6100)의 하기 설명은 특히 도 6a, 6b 및 6c를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 6a는 예시적인 몰드(6100)를 도시하고, 도 6b는 몰드(6100)의 유닛 셀(6050)을 도시하고, 도 6c는 몰드(6100)로부터 생산 가능한 예시적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 6a, 6b 및 6c를 총괄하여 참조하여, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)를 제조하기 위한 예시적인 몰드(6100)로서, 상기 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)는, 제1 평균 유전 상수를 갖는 제1 영역(6510); 제2 평균 유전 상수를 가지고, 제1 영역의 바깥쪽(outboard)에 z축에 대해 방사상으로 배치되는 제2 영역(6520); 제3 평균 유전 상수를 가지고, 제2 영역의 바깥쪽에 z축에 대해 방사상으로 배치되는 제3 영역(6530); 및 제2 평균 유전 상수를 가지고, 제3 영역의 바깥쪽에 z축에 대해 방사상으로 배치되는 제4 영역(6540);을 포함하고, 상기 몰드는, 서로 함께 또는 서로 결합되어 통합 형성되어 연속 몰드(6100)를 제공하는 복수의 유닛 셀(6050)을 포함하고, 각각의 유닛 셀은, 전자기(EM) 구조(6500)의 제1 영역(6510)을 형성하도록 배치 및 구성된 제1 부분(6110); 전자기(EM) 구조(6500)의 제2 영역(6520)을 형성하도록 배치 및 구성된 제2 부분(6120); 전자기(EM) 구조(6500)의 제3 영역(6530)을 형성하도록 배치 및 구성된 제3 부분(6130); 전자기(EM) 구조(6500)의 제4 영역(6540)을 형성하도록 배치 및 구성된 제4 부분(6140); 및 각각의 유닛 셀(6050)의 외부 경계를 형성 및 정의하도록 배치 및 구성된 제5 부분(6150);을 포함하고, 상기 제1 부분(6110), 제2 부분(6120), 제3 부분(6130), 제4 부분(6140), 및 제5 부분(6150)은 모두 모놀리식 유닛 셀(6050)을 제공하기 위해 단일 재료로부터 서로 통합 형성되고, 상기 제1 부분(6110) 및 제5 부분(6150)은 모놀리식 유닛 셀(6050)의 단일 재료를 포함하고, 상기 제2 부분(6120) 및 제4 부분(6140)은 모놀리식 유닛 셀(6050)의 단일 재료가 없고, 상기 제3 부분(6130)은 모놀리식 유닛 셀(6050)의 단일 재료의 존재 및 부재의 조합을 가지며, 및 상기 제2 부분(6120) 및 제4 부분(6140), 및 제3 부분(6130)의 단지 일부는 경화성 유전체(Dk) 조성물(6506)의 유동성 형태를 수용하도록 구성된다.

몰드(6100)의 하나의 양태에서 및 특히 도 6a 및 6b와 결합하여 도 6c를 참조하여, 몰드(6100)의 유닛 셀(6050)로부터 제조되는 단일 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)는 가까운 단부(6502) 및 먼 단부(6504)를 갖는 유전체(Dk) 조성물(6506)의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조되는 3차원(3D) 바디(body)(6501)를 포함하고; 상기 3차원(3D) 바디(6501)는 3차원(3D) 바디(6501)의 (대응하는 z축에 대해) 사실상 중앙으로 배치되는 제1 영역(6510)을 포함하고, 상기 제1 영역(6510)은 3차원(3D) 바디(6501)의 먼 단부(6504)로 연장되고 공기를 포함하며; 상기 3차원(3D) 바디(6501)는, 제2 평균 유전 상수가 제1 평균 유전 상수보다 큰 유전체(Dk) 조성물(6506)의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조된 제2 영역(6520)을 더 포함하고, 상기 제2 영역(6520)은 3차원(3D) 바디(6501)의 가까운 단부(6502)에서 먼 단부(6504)로 연장되며; 상기 3차원(3D) 바디(6501)는, 제3 평균 유전 상수가 제2 평균 유전 상수보다 작은, 유전체(Dk) 조성물(6506)의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터, 부분적으로 공기와 같은 다른 유전체 매질로부터 제조된 제3 영역(6530)을 포함하고, 상기 제3 영역(6530)은 3차원(3D) 바디(6501)의 가까운 단부(650)에서 먼 단부(6504)로 연장되며; 상기 제3 영역(6530)은 제2 영역(6520)과 통합되고 모놀리식이며, 제2 영역으로부터 바깥쪽으로, z-축에 대해 방사상으로 연장되는 유전체(Dk) 조성물(6506)의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조되는 돌출부(6532)를 포함하고; 상기 돌출부(6532)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 횡단면 전체 길이(L1), 및 횡단면 전체 폭(W1)을 가지며, 횡단면 전체 길이(L1) 및 횡단면 전체 폭(W1)이 각각 λ 미만이고, 여기서 λ는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)가 전자기적으로 여기되는 경우 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)의 작동 파장이고; 3차원(3D) 바디(6501)의 적어도 제2 영역(6520)의 모든 노출된 면은 3차원(3D) 바디(6501)의 가까운 단부(6502)에서 먼 단부(6504)로 몰드(6100)의 드래프트된(drafted) 측벽을 통해 안쪽으로 드래프트된다. 상기 몰드(6100)의 하나의 양태에서, 상기 몰드(6100)의 유닛 셀(6050)로부터 제조된 단일 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)는, x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형상, 및 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형상을 각각 갖는 3차원(3D) 바디(6501)의 제1 영역(6510) 및 제2 영역(652)을 더 포함한다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조). 하나의 양태에서, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)는 본 명세서에 개시된 목적을 위해 본 명세서에 개시된 임의의 기판 형태로 존재할 수 있는 기판(6508) 상에 배치된다. 도 6c가 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)의 크기와 관련하여 0-4 mm 규모로 도시되지만, 이 규모는 예시 목적만을 위한 것이며, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)의 물리적 크기의 제한이 아니며, 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 임의의 크기일 수 있는 것이 이해될 것이다.

상술한 내용으로부터, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(6500)의 양태는 단일 단계로 몰드/형태(6100)을 통해 신호 공급 보드 상에 몰딩되거나 그렇지 않으면 형성될 수 있고, 이는 본 명세서에 개시된 목적에 유용한 기존 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 기존 제조 방법과 관련하여 처리 시간 및 비용을 크게 감소시키는 것으로 고려되는 것이 이해될 것이다.

제7 실시 양태: 방법(7100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(7500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(7500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(7100)에 대한 하기 설명은 특히 도 7a, 7b, 7c, 7d 및 7e를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 7a는 방법 단계(7102, 7104, 7106, 7108, 7110, 7112, 7114 및 7116), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(7500) 및 이의 어레이(7501)를 도시하고, 도 7b는 추가적인 방법 단계(7118)를 도시하고, 도 7c는 추가적인 방법 단계(7120, 7122, 7124, 7126 및 7128), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(7500) 및 이의 어레이(7501)를 도시하고, 도 7d는 추가적인 단계(7130)를 도시하고, 도 7e는 추가적인 방법 단계(7132, 7134, 7136, 7138 및 7140), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(7500) 및 이의 어레이(7501)를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 7a를 참조하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(7500)를 제조하는 예시적인 방법(7100)으로서, 상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)은 가까운 단부(7512) 및 먼 단부(7514)를 가지며, x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이, 먼 단부(7514)는 가까운 단부(7512)의 횡단면보다 작은 횡단면을 가지며, 상기 방법은, 하기 단계: 캐리어(carrier)(7150)를 제공하는 단계(7102); 상기 캐리어(7150) 상에 기판(7530)을 배치하는 단계(7104); 상기 기판(7530) 상에 제1 스텐실링 마스크(stenciling mask)(7152)를 배치하는 단계(7106)로, 상기 제1 스텐실링 마스크(7152)는 적어도 하나의 어레이로 배열되는 복수의 개구부(7154)를 포함하고, 각각의 개구부(7154)는 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하기 위한 형태를 포함하는 것인, 단계; 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(7506)의 제1 유동성 형태를 제1 스텐실링 마스크(7152)의 개구부(7154)로 충전하는 단계(7108)로, 제1 유전체(Dk) 조성물(7506)은 경화 후 제1 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 제1 스텐실링 마스크(7152)의 상부면을 가로 질러 스퀴징하여(7110), 임의의 과잉 제1 유전체(Dk) 조성물(7506)을 제거하고, 남아 있는 제1 유전체(Dk) 조성물(7506)을 제1 스텐실링 마스크(7152)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(7506)을 적어도 부분적으로 경화하고(7112), 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 적어도 하나의 어레이(7501)를 형성하는 단계; 제1 스텐실링 마스크(7152)를 제거하는 단계(7114); 및 기판(7530) 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 적어도 하나의 어레이(7501)를 포함하는 생성된 어셈블리(7500)를 캐리어(7150)로부터 제거하는 단계(7116);를 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 7a와 조합하여 도 7b 및 7c를 참조하여, 상기 방법(7100)은 하기 단계: 제1 스텐실링 마스크(7152)를 제거(7114)한 후에, 기판(7530) 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 적어도 하나의 어레이를 제거하는(7116) 단계 전에, 기판(7530) 상에 제2 스텐실링 마스크(7156)를 배치하는 단계(7118)로, 제2 스텐실링 마스크(7156)는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이(7501)를 형성하기 위해 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 서브세트를 둘러싸도록 구성 및 배치되는 격벽(partitioning wall)(7160)으로 둘러싸인 개구부(7158)를 포함하고, 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 어레이(7501) 각각은 제2 유전체 부분(2DP)(7520)에 감싸지는 것인, 단계; 및 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물(7507)의 제2 유동성 형태를 제2 스텐실링 마스크(7156)의 개구부(7158)로 충전하는 단계(7120)로, 상기 제2 유전체(Dk) 조성물(7507)은 경화 후 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 제2 스텐실링 마스크(7156)의 상부면을 가로질러 스퀴징하여(7122), 임의의 과잉 제2 유전체(Dk) 조성물(7507)을 제거하고, 제2 유전체(Dk) 조성물(7507)을 제2 스텐실링 마스크(7156)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물(7507)을 적어도 부분적으로 경화하고(7124), 제2 유전체 부분(2DP)(7520)에 감싸지는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 어레이(7501)를 형성하는 단계; 제2 스텐실링 마스크(7156)를 제2 유전체 부분(2DP)(7520)에 감싸지는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 어레이(7501)로부터 제거하는 단계(7126); 및 기판(753) 및 여기에 부착된 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)(7520)에 감싸지는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 어레이(7501)를 포함하는 생성된 어셈블리(7500)를 캐리어(7150)로부터 제거하는 단계(7128);를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 7a-7c와 조합하여 도 7d 및 7e를 참조하여, 상기 방법(7100)은 하기 단계: 제1 스텐실링 마스크(7152)를 제거(7114)한 후에, 기판(7530) 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 적어도 하나의 어레이를 제거하는(7116) 단계 전에, 기판(7530) 상에 제2 스텐실링 마스크(7162)를 배치하는 단계(7130)로, 제2 스텐실링 마스크(7162)는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 대응하는 개별 제1 유전체 부분(1DP)을 커버하는 커버(7164), 평면도에서 관측되는 바와 같이, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 개별 제1 유전체 부분(1DP)을 둘러싸는 개구부(7166), 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510) 중 각각의 제1 유전체 부분(1DP)이 전기 전도성 구조(7516)로 둘러싸이는(도 7e 참조), 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 어레이(7501)를 형성하기 위해 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 서브세트를 둘러싸는 격벽(7168)을 포함하는 것인, 단계; 경화성 조성물(7508)의 유동성 형태를 제2 스텐실링 마스크(7162)의 개구부(7166)로 충전하는 단계(7132)로, 상기 경화성 조성물(7508)은 완전히 경화되는 경우에 전기 전도성인 것인, 단계; 제2 스텐실링 마스크(7162)의 상부면을 가로 질러 스퀴징하여(7134), 임의의 과잉 경화성 조성물(7508)을 제거하고, 상기 경화성 조성물을 제2 스텐실링 마스크(7162)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 평면도에서 관측되는 바와 같이, 상기 경화성 조성물(7508)을 적어도 부분적으로 경화하고(7136), 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)이 전기 전도성 구조(7516)로 둘러싸이는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 어레이(7501)를 형성하는 단계; 제2 스텐실링 마스크(7162)를 복수의 어레이(7501)로부터 제거하는 단계(7138); 및 기판(7530) 및 여기에 부착되는 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)이 전기 전도성 구조(7516)로 둘러싸이는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 어레이(7501)를 포함하는 생성된 어셈블리(7500)를 캐리어(7150)로부터 제거하는 단계(7140);를 더 포함한다.

하나의 양태에서, 제1 스텐실링 마스크(7152)는 수직의, 기울어지거나 굽어진, 측벽을 가져, 제1 유전체(Dk) 조성물(7506)로부터 제조되는 제1 유전체 부분(7510)에 임의의 바람직한 형태를 제공할 수 있다.

상기 방법(7100)의 하나의 양태에서, 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(7506)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다. 상기 방법(7100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물(7506)은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(7100)의 하나의 양태에서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(7510)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

상기 방법(7100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 조성물(7508)은 금속 입자를 포함하는 폴리머; 구리 입자를 포함하는 폴리머; 알루미늄 입자를 포함하는 폴리머; 은(silver) 입자를 포함하는 폴리머; 전기 전도성 잉크(electrically conductive ink); 카본 잉크(carbon ink); 또는 상기 경화성 조성물의 조합 중 어느 하나를 포함한다.

상기 방법(7100)의 하나의 양태에서, 상기 전기 전도성 구조(7516)는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

상기 방법(7100)의 하나의 양태에서, 상기 기판(7530)은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍(slotted aperture)을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함한다.

제8 실시 양태: 방법(8100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(8500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(8500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(8100)에 대한 하기 설명은 특히 도 8을 참조하여 이루어진다. 도 8과 관련해서 본 명세서에서 하기에 방법(8100) 및 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(8500)이 기재되지만, 동일한 방법이 상술한 방법(1100, 2100, 3100, 5100, 6100 및 7100) 중 어느 것에 적용될 수 있고, 예시된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(8500)가 적용 가능하고 상술한 임의의 유전체(DK) 전자기(EM) 구조(1500, 2500, 3500, 4500, 5500, 6500, 및 7500) 중 어느 것을 나타낼 수 있는 것이 이해될 것이다. 따라서, 도 8의 방법(8100) 및 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(8500)에 대한 임의의 참조는 도 1a-7e에서 도시된 상기 방법 및 구조들 중 어느 하나의 관점에서 판독되어야 한다.

하나의 양태에서, 예시적인 방법(8100)은 상기 방법들 중 어느 것과 관련되고, 여기서 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(8500)는 적어도 하나의 제1 유전체 부분(1DP)(상술한 제1 유전체 부분(1DP)의 어느 것)의 어레이(8501)(어레이(8501)에 대해 치환될 수 있는, 1501, 2501, 5501, 7501 참조)를 포함하고, 이는 적어도 하나의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이의 다중 어레이(8501)가 참조 번호 8500이라고도 하는 패널의 형태로 단일 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(8500) 상에 형성되는 패널 수준 가공(panel-level processing) 공정에 의해 형성된다.

상기 방법(8100)의 하나의 양태에서, 상기 패널(8500)은, 기판(8508)(예를 들면, 본 명세서에 개시된 기판들 중 어느 것들 참조), 또는 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 더 포함한다.

제9 실시 양태: 방법(9100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(9500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(9500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(9100)에 대한 하기 설명은 특히 도 9a, 9b, 9c, 9d, 9e, 9f 및 9g를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 9a는 공정 단계(9102, 9104, 9106)를 도시하고, 도 9b는 공정 단계(9106.1)를 도시하고, 도 9c는 공정 단계(9106.2)를 도시하고, 도 9d는 공정 단계(9108, 9110, 9112, 9114), 및 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(9500)의 측 단면 입면도를 도시하고, 도 9e는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(9520)으로 둘러싸인 어레이로 배열된 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(9500)의 하향식 평면도를 도시하고(이는 실선으로 도시된 바와 같이 직사각형이거나, 점선으로 도시된 바와 같이 원형이거나, 또는 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 다른 형태일 수 있음), 도 9f는 공정 단계(9116)의 대안인 공정 단계(9118)를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 9a-9e를 참조하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(9520)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(9500)를 제조하는 예시적인 방법으로서(도 9d 및 9e 참조), 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)은 가까운 단부(9512) 및 먼 단부(9514)를 가지며, 상기 방법은, 하기 단계: 지지체 형태(support form)(9150)를 제공하는 단계(9102); 상기 지지체 형태(9150) 상에 폴리머(9522)의 시트를 배치하는 단계(9104); 스탬핑 형태(stamping form)(9152)를 제공하고, 지지체 형태(9150)에 의해 지지되는 폴리머(9522)의 시트를 아래(9106.1)에서 위로(9106.2) 스탬핑하는 단계(9106)로, 상기 스탬핑 형태(9152)는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 구성된 돌출부(9154)를 포함하며, 상기 스탬핑(9106)은 폴리머(9522)의 시트의 대체된 재료, 폴리머(9522)의 시트 내에 어레이로 배열된 블라인드 단부를 갖는 복수의 함몰부(9524), 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)을 형성하기 위한 복수의 함몰부(9524), 및 복수의 함몰부(9524) 각각을 둘러싸는 폴리머(9522)의 시트의 복수의 융기된 벽(9526)을 생성하고, 여기서 복수의 융기된 벽(9526)은 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(9520)을 형성하는 것인, 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(9506)의 유동성 형태를 복수의 함몰부(9524)로 충전하는 단계(9108)로, 상기 복수의 함몰부의 각각의 함몰부는 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하고, 폴리머(9522)의 시트는 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 가지고, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)의 먼 단부(9514)는 폴리머(9522)의 시트의 복수의 융기된 벽(9526)의 상부면(9528)에 가까운 것인, 단계; 임의로, 폴리머(9522)의 시트의 복수의 융기된 벽(9526)의 상부면(9528) 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하고(9110), 상기 유전체(Dk) 조성물(9506)을 복수의 융기된 벽(9526)의 상부면(9528)과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(9506)을 적어도 부분적으로 경화하여(9112), 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)의 적어도 하나의 어레이(9501)를 형성하는 단계; 및 복수의 융기된 벽(9526), 복수의 함몰부(9524), 및 상기 복수의 함몰부(9524)에 형성되는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510) 및 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)을 둘러싸는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(9520)의 적어도 하나의 어레이(9501)를 갖는 폴리머 재료(9522)의 스탬핑된 시트를 포함하는 생성된 어셈블리(9500)를 지지체 형태(9150)로부터 제거하는 단계(9114);를 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 9a-9e와 결합하여 도 9f를 참조하여, 상기 방법(9100)은, 하기 단계: 기판(9530)을 제공하고, 상기 기판(9530) 상에 배치되는 스탬핑된 폴리머 시트(9522)를 갖는 기판(9530) 상에 어셈블리(9500)를 배치하여(9116), 각각의 제1 유전체 부분(9510)의 가까운 단부(9512)는 기판(9530) 부근에 배치되고, 각각의 제1 유전체 부분(9510)의 먼 단부(9514)는 기판(9530)으로부터 먼 거리에 배치되는 단계;를 더 포함한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 9a-9e와 결합하여 도 9g를 참조하여, 상기 방법(9100)은, 하기 단계: 기판(9530)을 제공하고, 상기 기판(9530) 상에 배치되는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)의 먼 단부(9514) 및 상기 기판(9530)으로부터 먼 거리에 배치되는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)의 가까운 단부(9514)를 적어도 갖는 기판(9530) 상에 어셈블리(9500)를 배치하는(9118) 단계;를 더 포함한다.

상기 방법(9100)의 하나의 양태에서, 상기 기판(9530)은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함한다.

상기 방법(9100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(9506)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다.

상기 방법(9100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(9506)은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(9100)의 하나의 양태에서, 상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(9510)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

상기 방법(9100)의 하나의 양태에서, 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)(9520)의 각각의 융기된 벽(9526)은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

상기 방법(9100)의 하나의 양태에서, 적어도 부분적으로 경화하는 단계(9112)는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계를 포함한다.

제10 실시 양태: 방법(10100), 스탬핑 형태(10500)

스탬핑 형태(10500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(10100)에 대한 하기 설명은 특히 도 10a, 10b, 10c, 및 10d를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 10a는 공정 단계(10102 및 10104)를 도시하고, 도 10b는 방법 단계(10105, 10108, 및 10110)를 도시하고, 도 10c는 방법 단계(10112 및 10114)를 도시하고, 도 10d는 방법 단계(10116, 10118, 및 10120), 및 생성되는 스탬핑 형태(10500)를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 10a-10d를 참조하여, 예시적인 방법(10100)은, 예를 들면 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(9500)와 같이, 스탬핑 형태를 통해 형성되는 상술한 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조 중 어느 것을 제조하는 단계에 따라 사용하기 위한 스탬핑 형태(10500)(도 10d 참조)를 제조하기 위한 것으로, 상기 방법(10100)은 하기 단계: 기판(10150)의 상부 위에 금속층(10152)을 갖는 기판(10150)을 제공하는 단계(10102)로, 상기 금속층(10152)은 기판(10150)을 커버하는 것인, 단계; 금속층(10152)의 상부 위에, 금속층(10152)을 커버하는 포토레지스트(10154)를 배치하는 단계(10104); 상기 포토레지스트(10154)의 상부 위에 포토마스크(10156)를 배치하는 단계(10106)로, 상기 포토마스크(10156)는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부(10158)를 포함하여 노출된 포토레지스트(10160)를 제공하는 것인, 단계; 적어도 노출된 포토레지스트(10160)를 전자기(EM) 방사선(10109)에 노출시키는 단계(10108); 금속층(10152)으로부터 전자기(EM) 방사선(10109)에 노출된(10108) 상기 노출된 포토레지스트(10160)를 제거하여, 어레이로 배열된 나머지 포토레지스트(10164)에 사실상 동일하게 구성된 복수의 포켓(10162)을 생성하는 단계; 복수의 포켓을 그 안에(10162) 갖는 남아 있는 포토레지스트(10164)의 모든 노출된 면에 금속 코팅(10510)을 적용하는 단계(10112); 복수의 포켓(10162)을 충전하고(10114), 남아 있는 금속 코팅된 포토레지스트(10510)를 스탬프-적합성 금속(stamp-suitable metal)(10512)으로 금속층(10152)의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 커버하는 단계; 상기 금속층(10152)의 바닥으로부터 기판(10150)을 제거하는 단계(10116); 상기 금속층(10152)을 제거하는 단계(10118); 및 남아 있는 포토레지스트(10164)를 제거하여(10120), 스탬핑 형태(10500)를 생성하는 단계;를 포함한다. 하나의 양태에서, 스탬프-적합성 금속(10512)으로 충전하는 단계(10114)는 금속 전기 주조(metal electroforming)를 포함하고, 이는 하나의 양태에서 기존 금속 표면을 시드층(seed layer)으로서 사용하여 금속을 전기 도금하는 것을 포함한다.

상기 방법(10100)의 하나의 양태에서, 기판(10150)은 금속; 전기 절연성 재료; 웨이퍼; 실리콘 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 다이옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 알루미늄 옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 사파이어 기판 또는 웨이퍼; 게르마늄 기판 또는 웨이퍼; 갈륨 비소 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 및 게르마늄의 합금 기판 또는 웨이퍼; 또는 인듐 포스파이드 기판 또는 웨이퍼; 중 어느 하나를 포함하고; 상기 포토레지스트(10154)는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선(10109)은 X선 또는 UV 방사선이고; 상기 금속 코팅(10510)은, 예를 들면 금속 증발 또는 다중 경사 각도로 스퍼터링하는 것과 같은 금속 적층을 통해 적용하여, 모든 측면 상에 커버리지를 달성하고; 상기 스탬프-적합성 금속(10512)은 니켈 또는 니켈 합금을 포함하고; 상기 기판(10150)은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고(10116); 상기 금속층(10152)은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고(10118); 노출된 포토레지스트(10160) 및 남아 있는 포토레지스트(10164)는 에칭을 통해 제거된다(10120).

하나의 양태에서, 포토레지스트 층은 또한 저-흡수 레지스트 층일 수 있다(예를 들면, 부피 기준으로 1 % 미만의 수분 흡수).

제11 실시 양태: 방법(11100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(11500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(11500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(11100)에 대한 하기 설명은 특히 도 11a 및 11b를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 11a는 방법 단계(11102, 11104, 및 11106)를 도시하고, 도 11b는 방법 단계(11108, 11110, 11112, 11114, 11116, 11118, 11120, 및 11122), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(11500)를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 11a-11b를 참조하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(11510), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(11520)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(11500)를 제조하는 예시적인 방법(11100)으로서, 상기 방법은, 하기 단계: 지지체 형태(11150)를 제공하는 단계(11102); 상기 지지체 형태(11150)의 상부 위에 포토레지스트(11522)의 층을 배치하는 단계(11104); 상기 포토레지스트(11522)의 상부 위에 포토마스크(11152)를 배치하는 단계(11106)로, 상기 포토마스크(11152)는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부(11154)를 포함하여 노출된 포토레지스트(11524)를 제공하는 것인, 단계; 적어도 노출된 포토레지스트(11524)를 전자기(EM) 방사선(11109)에 노출시키는 단계(11108); 지지체 형태(11150)로부터 전자기(EM) 방사선(11109)에 노출된(11108) 상기 노출된 포토레지스트(11524)를 제거하여(11110), 어레이로 배열된 나머지 포토레지스트(11528)에 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부(11526)를 생성하는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(11506)의 유동성 형태를 남아 있는 포토레지스트(11528) 내의 복수의 개구부(11526)로 충전하는 단계로, 복수의 충전된 개구부(11526)는 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(11510) 중 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 제공하고, 남아 있는 포토레지스트는 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(11520)을 제공하는 것인, 단계; 임의로, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(11520)의 상부면(11521) 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물(11506)을 제거하여(11114), 유전체(Dk) 조성물(11506)을 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(11520)의 상부면(11521)과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(11506)을 적어도 부분적으로 경화하여(11116), 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(11510)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계; 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(11520) 및 그 안에 형성되는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(11510)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리(11500)를 지지체 형태(11150)로부터 제거하는 단계(11118);를 포함한다.

하나의 양태에서, 상기 방법(11100)은, 하기 단계: 기판(11530)을 제공하고(11120), 상기 기판(11530)에 생성된 어셈블리(11500)를 부착하는 단계;를 더 포함하고, 상기 기판(11530)은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고; 상기 포토레지스트(11522)는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선(11109)은 X선 또는 UV 방사선이고; 노출된 포토레지스트(11524) 및 남아 있는 포토레지스트(11528)는 에칭을 통해 제거되고(11110); 적어도 부분적으로 경화하는 단계(11116)는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물(11506)을 경화하는 단계를 포함한다.

상기 방법(11100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(11506)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다.

상기 방법(11100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(11506)은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(11100)의 하나의 양태에서, 상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(11510)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

상기 방법(11100)의 하나의 양태에서, 상기 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(11520)의 각각의 개구부(11526)는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

제12 실시 양태: 방법(12100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(12500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(12500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(12100)에 대한 하기 설명은 특히 도 12a, 12b 및 12c를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 12a는 방법 단계(12102, 12104, 및 12106)를 도시하고, 도 12b는 방법 단계(12108 및 12110)를 도시하고, 도 12c는 방법 단계(12112, 12114, 12116, 12118, 및 12120), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(12500)를 도시한다.

하나의 양태에서 및 특히 도 12a-12c를 참조하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12510), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(12520)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(12500)를 제조하는 예시적인 방법(12100)으로서, 상기 방법은 하기 단계: 기판(12530)을 제공하는 단계(12102); 상기 기판(12530)의 상부 위에 포토레지스트(12512)의 층을 배치하는 단계(12106); 상기 포토레지스트(12512)의 상부 위에 포토마스크(12150)를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크(12150)는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일한 형태의 불투명한 커버(12152)를 포함하여, 불투명한 커버(12152)로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트(12514), 및 불투명한 커버(12152)로 커버되지 않는 영역에 노출된 포토레지스트(12516)를 제공하는, 단계; 적어도 노출된 포토레지스트(12516)를 전자기(EM) 방사선(12109)에 노출시키는 단계(12108); 기판(12530)으로부터 비-노출된 포토레지스트(12514)를 제거하여, 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12510)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하는 어레이로 배열된 남아 있는 포토레지스트(12518)의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 생성하는, 단계; 임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)(12510)(또는 남아 있는 포토레지스트(12518)을 스탬핑 형태(예를 들면, 도 13c 참조)를 통해 볼록한 먼 단부(12519)를 갖는 돔 구조로 성형하는 단계(12112); 경화성 유전체(Dk) 조성물(12507)의 유동성 형태를 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12510)들 사이의 공간(12524)으로 충전하는 단계(12114)로, 충전된 공간(12524)은 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(12520) 중 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 것인, 단계; 임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12510)의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하여(12116), 유전체(Dk) 조성물(12507)을 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12510)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(12507)을 적어도 부분적으로 경화하여(12118), 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(12520)에 의해 둘러싸인 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12510)의 적어도 하나의 어레이의 형태로 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(12500)를 생성하는 단계;를 포함한다.

상기 방법(12100)의 하나의 양태에서, 임의로 성형하는 단계(12112)는, 리플로우(reflow)를 유발하지만 포토레지스트(12518)의 경화를 일으키지 않는 온도에서 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12519)에 스탬핑 형태(예를 들면, 도 13c 참조)를 적용함으로써 성형한 후, 성형된 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12519)을 적어도 부분적으로 경화하여(12120) 돔 형상을 유지하는 단계를 포함한다.

상기 방법(12100)의 하나의 양태에서, 상기 기판(12530)은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고; 상기 포토레지스트(12512)는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선(12109)은 X선 또는 UV 방사선이고; 비-노출된 포토레지스트(12514)는 에칭을 통해 제거되고(12110), 적어도 부분적으로 경화하는 단계(12118)는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함한다.

상기 방법(12100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(12507)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다.

상기 방법(12100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(12100)의 하나의 양태에서, 상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12510)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

상기 방법(12100)의 하나의 양태에서, 각각의 불투명한 커버(12152)는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

제13 실시 양태: 방법(13100), 스탬핑 형태(13500)

스탬핑 형태(13500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(13100)에 대한 하기 설명은 특히 도 13a, 13b 및 13c를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 13a는 방법 단계(13102, 13104)를 도시하고, 도 13b는 방법 단계(13106, 13108, 13110)를 도시하고, 도 13c는 방법 단계(13112, 13114, 13116, 13118, 13120, 13122, 및 13124), 및 생성된 스탬핑 형태(13500)를 도시한다.

하나의 양태에서, 예시적인 방법(13100)은 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(12500)를 제조하는 것에 따라 사용하기 위한 스탬핑 형태(13500)를 제조하는데, 더욱 특히 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(12510)을 볼록한 먼 단부(12519)를 갖는 돔 구조로 제조하는데 유용하고, 상기 방법(13100)은 하기 단계: 기판의 상부 위에 금속층(13152)을 갖는 기판(13150)을 제공하는 단계(13102)로, 상기 금속층(13152)은 기판(13150)을 커버하는 것인, 단계; 금속층(13152)의 상부 위에, 금속층(13152)을 커버하는 포토레지스트(13154)의 층을 배치하는 단계(13104); 상기 포토레지스트(13154)의 상부 위에 포토마스크(13156)를 배치하는 단계(13106)로, 상기 포토마스크(13156)는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일한 형태의 불투명한 커버(13158)를 포함하여, 불투명한 커버(13158)로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트(13160)를 제공하고, 불투명한 커버(13158)로 커버되지 않는 영역에 노출된 포토레지스트(13162)를 제공하는 것인, 단계; 적어도 노출된 포토레지스트(13162)를 전자기(EM) 방사선(13109)에 노출시키는 단계(13108); 금속층(13152)으로부터 전자기(EM) 방사선(13109) 노출된(13108) 상기 노출된 포토레지스트(13162)를 제거하여(13110), 어레이로 배열된 남아 있는 포토레지스트(13164)의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 생성하는 단계; 리플로우(reflow)를 유발하지만 포토레지스트(13164)를 경화시키지 않는 온도에서 성형된 포토레지스트(13166)를 형성하도록 남아 있는 포토레지스트(13164)의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분의 각각에 성형 형태(예를 들면 도 15b에서 스탬핑 형태(15500) 참조)를 적용함으로써 성형한(13112) 후, 남아 있는 포토레지스트의 성형된 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 적어도 부분적으로 경화하여(13114), 복수의 사실상 동일하게 형성된 형태(13166)를 유지하는 단계로, 하나의 양태에서, 형성된 형태(13166)는 볼록한 먼 단부를 갖는 돔 구조인 것인, 단계; 사실상 동일하게 형성된 형태(13166)를 갖는 남아 있는 포토레지스트의 모든 노출된 면에 금속 코팅(13168)을 적용하는 단계(13116); 사실상 동일하게 형성된 형태들(13166) 사이의 공간(13170)을 충전하고(13118), 남아 있는 금속 코팅된 포토레지스트를 금속층(13152)의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 스탬프-적합성 금속(13172)으로 커버하는 단계; 금속층(13152)의 바닥으로부터 기판(13150)을 제거하는 단계(13120); 금속층(13152)을 제거하는 단계(13122); 및 남아 있는 포토레지스트(13166)를 제거하여(13124), 스탬핑 형태(13500)를 생성하는 단계;를 포함한다.

상기 방법(13100)의 하나의 양태에서, 상기 기판(13150)은, 금속; 전기 절연성 재료; 웨이퍼; 실리콘 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 다이옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 알루미늄 옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 사파이어 기판 또는 웨이퍼; 게르마늄 기판 또는 웨이퍼; 갈륨 비소 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 및 게르마늄의 합금 기판 또는 웨이퍼; 또는 인듐 포스파이드 기판 또는 웨이퍼; 중 어느 하나를 포함하고; 상기 포토레지스트(13154)는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선(13108)은 X선 또는 UV 방사선이고; 상기 금속 코팅(13168)은 금속 적층을 통해 적용되고; 상기 스탬프-적합성 금속(13172)은 니켈을 포함하고; 상기 기판(13150)은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고(13120); 상기 금속층(13152)은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고(13122); 노출된 포토레지스트(13162) 및 남아 있는 포토레지스트(13166)는 에칭을 통해 제거된다.

제14 실시 양태: 방법(14100), 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(14500)

유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(14500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(14100)에 대한 하기 설명은 특히 도 14a 및 14b를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 14a는 방법 단계(14102, 14104, 14106, 및 14108)를 도시하고, 도 14b는 방법 단계(14110, 14112, 14114 및 14116), 및 생성된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(14500)를 도시한다.

하나의 양태에서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(14510), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(14520)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(14500)를 제조하는 예시적인 방법(14100)으로서, 상기 방법은, 하기 단계: 기판(14530)을 제공하는 단계(14102); 상기 기판(14530)의 상부 위에 포토레지스트(14512)의 층을 배치하는 단계(14104); 상기 포토레지스트(14512)의 상부 위에 그레이 스케일 포토마스크(14150)를 배치하는 단계(14106)로, 상기 그레이 스케일 포토마스크(14150)는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일한 형태의 커버(14152)를 포함하고, 상기 그레이 스케일 포토마스크(14150)의 커버(14152)는 부분적으로 반투명한 외부 영역(14156)으로 전이되는 불투명한 중앙 영역(14154)을 포함하여, 불투명한 중앙 영역(14154)으로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트(14513), 부분적으로 반투명한 영역(14156)으로 커버되는 영역에 부분적으로 노출된 포토레지스트(14514), 커버(14152)로 커버되지 않는 영역에 완전히 노출된 포토레지스트(14515)를 제공하는 것인, 단계; 그레이 스케일 포토마스크(14150) 및 완전히 노출된 포토레지스트(14515)를 전자기(EM) 방사선(14109)에 노출시키는 단계(14108); 전자기(EM) 방사선(14109)에 노출된(14108) 부분적으로 노출된 포토레지스트(14514) 및 완전히 노출된 포토레지스트(14515)를 제거하여(14110), 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(14510)을 형성하는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 남아 있는 포토레지스트(14516)를 생성하는 단계로, 하나의 양태에서 성형된 형태는 볼록한 먼 단부를 갖는 돔 구조인 것인, 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(14507)의 유동성 형태를 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(14510)들 사이의 공간(14522)으로 충전하는 단계(14112)로, 충전된 공간은 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(14520) 중 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 것인, 단계; 임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(14510)의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물(14507)을 제거하여(14114), 유전체(Dk) 조성물(14507)을 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(14510)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물(14507)을 적어도 부분적으로 경화하여(14116), 기판(14530) 및 상기 기판(14530) 상에 배치되는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)(14520)에 의해 둘러싸이는 사실상 동일하게 성형된 형태(14516)를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(14510)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 어셈블리(14500)를 생성하는 단계;를 포함한다. 하나의 양태에서, 상기 포토레지스트(14512)는, 예를 들면 세라믹 충전체로 충전되지 않거나 충전될 수 있는 비교적 높은 유전체(Dk) 재료(제1 평균 유전 상수)이다.

상기 방법(14100)의 하나의 양태에서, 상기 기판(14530)은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고; 상기 포토레지스트(14512)는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선(14109)은 X선 또는 UV 방사선이고; 부분적으로(14514) 및 완전히(14515) 노출된 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되고(14110); 적어도 부분적으로 경화하는 단계(14116)는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함한다.

상기 방법(14100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(14507)은 경화성 수지를 포함하고, 바람직하게는 상기 경화성 수지는 유전체(Dk) 재료를 포함한다.

상기 방법(14100)의 하나의 양태에서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물(14507)은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함한다.

상기 방법(14100)의 하나의 양태에서, 상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(14510)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(도 16b, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

상기 방법(14100)의 하나의 양태에서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)(14510)의 각각은 돔 형태; 원뿔 형태; 절두 원뿔(frustoconical) 형태; 원통 형태; 고리 형태; 또는 직사각 형태; 중 어느 하나를 갖는다(도 16a, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태 참조).

제15 실시 양태: 방법(15100), 스탬핑 형태(15500)

스탬핑 형태(15500)를 제조하기 위한 예시적인 방법(15100)에 대한 하기 설명은 특히 도 15a 및 15b를 총괄하여 참조하여 이루어지고, 여기서 도 15a는 방법 단계(15102, 15104, 15106, 및 15108)를 도시하고, 도 15b는 방법 단계(15110, 15112, 15114, 15116, 15118, 및 15120), 및 생성된 스탬핑 형태(15500)를 도시한다.

하나의 양태에서, 예시적인 방법(15100)은 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조(12500)를 제조하는 것에 따라 사용하기 위한 스탬핑 형태(15500)를 제조하기에 유용하고, 상기 방법(15100)은 하기 단계: 기판(15150)의 상부 위에 금속층(15152)을 갖는 기판(15150)을 제공하는 단계(15102)로, 상기 금속층(15152)은 기판(15150)을 커버하는 것인, 단계; 금속층(15152)의 상부 위에, 금속층(15152)을 커버하는 포토레지스트(15154)의 층을 배치하는 단계(15104); 상기 포토레지스트(15154)의 상부 위에 그레이 스케일 포토마스크(15156)를 배치하는 단계(15106)로, 상기 그레이 스케일 포토마스크(15156)는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일한 형태의 커버(15158)를 포함하고, 상기 그레이 스케일 포토마스크(15156)의 커버(15158)는 부분적으로 반투명한 외부 영역(15162)으로 전이되는 불투명한 축방향으로 중앙 영역(15160)을 포함하여, 불투명한 영역(15160)으로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트(15164), 부분적으로 반투명한 영역(15162)으로 커버되는 영역에 부분적으로 노출된 포토레지스트(15166), 커버(15158)로 커버되지 않는 영역에 완전히 노출된 포토레지스트(15168)를 제공하는 것인, 단계; 그레이 스케일 포토마스크(15156) 및 완전히 노출된 포토레지스트(15168)를 전자기(EM) 방사선(15109)에 노출시키는 단계(15108); 전자기(EM) 방사선(15109)에 노출된(15108) 부분적으로(15166) 및 완전히(15168) 노출된 포토레지스트를 제거하여(15110), 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태(15170)의 남아 있는 포토레지스트(15172)를 생성하는 단계로, 하나의 양태에서, 성형된 형태(15170)는 볼록한 먼 단부를 갖는 돔 구조인 것인, 단계; 사실상 동일하게 성형된 형태(15170)를 갖는 남아 있는 포토레지스트(15172)의 전체 노출된 표면에 금속 코팅(15502)을 적용하는 단계(15112); 금속 코팅된 사실상 동일하게 성형된 형태들(15504) 사이의 공간(15174)을 충전하고(15114), 금속 코팅된 사실상 동일하게 성형된 형태(15504)를 금속층(15152)의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 스탬프-적합성 금속(15506)으로 커버하는 단계; 금속층(15152)의 바닥으로부터 기판(15150)을 제거하는 단계(15116); 금속층(15152)을 제거하는 단계(15118); 및 남아 있는 포토레지스트(15170)를 제거하여(15120), 스탬핑 형태(15500)를 생성하는 단계;를 포함한다.

상기 방법(15100)의 하나의 양태에서, 상기 기판(15150)은, 금속; 전기 절연성 재료; 웨이퍼; 실리콘 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 다이옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 알루미늄 옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 사파이어 기판 또는 웨이퍼; 게르마늄 기판 또는 웨이퍼; 갈륨 비소 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 및 게르마늄의 합금 기판 또는 웨이퍼; 또는 인듐 포스파이드 기판 또는 웨이퍼; 중 어느 하나를 포함하고; 상기 포토레지스트(15154)는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선(15109)은 X선 또는 UV 방사선이고; 상기 금속 코팅(15502)은 금속 적층을 통해 적용되고; 상기 스탬프-적합성 금속(15504)은 니켈을 포함하고; 상기 기판(15150)은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고; 상기 금속층(15152)은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고; 노출된 포토레지스트(15168) 및 남아 있는 포토레지스트(15170)는 에칭을 통해 제거된다.

상기 방법(15100)의 하나의 양태에서, 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태(15170)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는다(16b 참조, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태에 대한).

상기 방법(15100)의 하나의 양태에서, 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태(15170)의 각각은 돔 형태; 원뿔 형태; 절두 원뿔(frustoconical) 형태; 원통 형태; 고리 형태; 또는 직사각 형태; 중 어느 하나를 갖는다(16a 참조, 예를 들면 본 명세서에서 고려되는 다른 예시적인 형태에 대한).

일반적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조

본 명세서에 개시된 예시적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하기 위한 방법 단계의 상술한 설명으로부터, 본 명세서에 개시된 또는 본 명세서에 개시된 목적에 적합하다고 간주되는 임의의 다른 방법에 추가하여 사출 또는 압축 성형 방법이 제1 및 제2 몰드 부분이 본 명세서에 개시되는 경우에 적용될 수 있음이 이해될 것이다.

이제, 도 16a 및 16b를 참조한다. 본 명세서에 개시된 특정 양태가 원통형 또는 돔형 3D 형상을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 도시하지만, 이는 단지 예시 및 논의 목적을 위한 것이며, 본 명세서에 개시된 임의의 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 임의의 3차원(3D) 형상일 수 있고, 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 임의의 2차원(2D) 횡단면 형태를 가질 수 있음이 이해될 것이다. 제한이 아닌 예로서, 도 16a는 하기 비-제한적인 3차원(3D) 형태: 돔 형태(1602); 원뿔 형태(1604); 절두 원뿔(frustoconical) 형태(1606); 원통 형태(1608); 고리 형태(1610); 콘센트릭 링(1612) 형태; 중앙 홀 또는 보이드(1614)와 같은 원통과 같은 임의의 형태; 예를 들면, 단일 또는 다중 스탬핑, 엠보싱, 또는 포토리소그래피 공정을 사용하여, 적층된 원통 형태(1616), 적층된 직사각 형태(1518) 또는 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 임의의 다른 형태 또는 적층된 형태로, 형성될 수 있는 서로에 대해 적층된 임의의 형태를 도시한다. 제한이 아닌 예로서, 도 16b는 하기 비-제한적인 2차원(2D) x-y 평면 횡단면 형태: 원 형태(1652); 원통 형태(1654); 타원 형태(1656); 직사각 형태(1658); 사각 형태(1660); 삼각 형태(1662); 오각 형태(1664); 육각 형태(1666), 팔각 형태(1668), 또는 본 명세서에 개시된 목적에 적합한 임의의 형태를 도시한다.

본 명세서에 개시된 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 상술한 모든 설명에 추가하여, 및 본 개시 내용의 완전성을 위해, 본 명세서에 개시된 목적을 위한 신호 공급(signal feed)으로 유용할 수 있는 상기 기판들(1508, 2526, 6508, 7530, 8508, 9530, 11530, 12530, 및 14530) 중 어느 하나는 하기(본 명세서에서 상기 참조 번호들 중 대응하는 하나로 표시됨): 유전체(Dk) 층 또는 유전체 패널; 금속 층 또는 금속 패널; 유전체 층과 금속 층의 조합; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 복수의 제1 유전체 부분(1DP) 또는 유전체 공진기 안테나(DRA)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP) 또는 유전체 공진기 안테나(DRA)와 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍(slotted aperture)을 포함하는 금속 패널; 복수의 슬롯을 갖는 금속층-복수의 슬롯들 중 각각의 슬롯은 대응하는 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나의 형태일 수 있다.

특히, 도 6c에 도시된 기판(6508)을 참조하여, 예시된 기판(6508)이 연관된 제1 유전체 부분(1DP) 또는 유전체 공진기 안테나(DRA)를 전자기적으로 여기시키기위한 슬롯형 구멍 신호 공급 구조를 갖는 2개의 전도성 층들 사이에 배치된 유전체 매질의 적층 배열을 도시하는 것이 당업자에 의해 인식될 것이다.

일반적인 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조 재료

본 명세서에 개시된 임의의 경화성 조성물은 일반적으로 경화성 폴리머 성분 및 임의로 유전체 충전제를 포함하고, 각각은 본 명세서에 개시된 목적에 부합하는 유전 상수 및 10 기가헤르츠 (GHz), 23 ℃에서 측정되는 바와 같이 0.01 미만, 또는 0.008 이하의 유전 손실 (소산 계수(dissipation factor)라고도 함)을 갖는 완전히 경화된 재료를 제공하도록 선택된다. 일부 측면에서, 유전 상수는 10 초과, 또는 15 초과, 예를 들면 10 내지 25 또는 15 내지 25이고; 소산 계수는 23 ℃에서, 10 GHz의 주파수에서 0.007 이하, 또는 0.006 이하, 또는 0.0001 내지 0.007이다. 소산 계수는 IPC-TM-650 X-밴드 스트립 라인법(IPC-TM-650 X-band strip line method) 또는 스플리트 공진기법(Split Resonator method)에 의해 측정될 수 있다.

경화성 조성물은 방사선-경화성 또는 열-경화성일 수 있다. 일부 측면에서, 경화성 조성물의 성분은 적어도 2개의 상이한 경화 메커니즘(예를 들면, 조사 및 열 경화) 또는 적어도 2개의 상이한 경화 조건(예를 들면, 저온 경화 및 고온 경화)을 갖도록 선택된다. 경화성 조성물의 성분은 모노머, 프리폴리머(prepolymer), 가교제 등과 같은 공-반응성 성분(co-reactive component)뿐만 아니라 경화제 (촉매, 경화 촉진제, 경화 촉진제 등을 포함함)를 포함할 수 있다. 공-반응성 성분은 에폭시기, 이소시아네이트기, 활성 수소-함유기 (예를 들면, 하이드록시 또는 1차 아미노기), 에틸렌계 불포화기 (예를 들면, 비닐, 알릴, (메트)아크릴), 등과 같은 공-반응성기를 포함할 수 있다. 특정 공-반응 성분의 예는 1,2-폴리부타디엔 (PBD), 올리부타디엔-폴리이소프렌 공중합체, 알릴화된 폴리페닐 렌 에테르 (예를 들면, OPE-2ST 1200 또는 OPE-2ST 2200 (Mitsubishi Gas Chemical Co.에서 시판됨) 또는 NORYL SA9000 (Sabic Innovative Plastics에서 시판됨)), 시아네이트 에스테르(cyanate ester), 트리알릴 시아누레이트(triallyl cyanurate), 트리알릴 이소시아누레이트(triallyl isocyanurate), 1,2,4-트리비닐 사이클로헥산(1,2,4-trivinyl cyclohexane), 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate), 또는 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트(trimethylolpropane trimethacrylate) 등을 포함한다.

하나의 측면에서, 공-반응성 성분은 부타디엔, 이소프렌 또는 이들의 조합을 선택적으로 다른 공-반응성 단량체, 예를 들면 치환되거나 비치환된 비닐방향족 모노머 (예를 들면, 스티렌, 3-메틸스티렌, 3,5-디에틸스티렌, 4-n-프로필스티렌, 알파-메틸스티렌, 알파-메틸 비닐톨루엔, 파라-히드록시스티렌, 파라-메톡시 스티렌, 알파-클로로스티렌, 알파-브로모스티렌, 디클로로스티렌, 디브로모스티렌, 테트라-클로로 스티렌 등), 또는 치환되거나 비치환된 디비닐방향족 모노머 (예를 들면, 디비닐벤젠, 디비닐톨루엔, 등)와 함께 포함한다. 공-반응성 모노머의 조합도 사용될 수 있다. 이러한 모노머의 중합으로부터 유래된 완전히 경화된 조성물은 "열경화성 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌(thermoset polybutadiene or polyisoprene)"이고, 이는 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 부타디엔 호모폴리머, 이소프렌 호모폴리머, 및 부타디엔, 이소프렌, 또는 이들의 조합으로부터 유래되는 단위를 포함하는 공중합체 및 선택적으로 부타디엔-스티렌과 같은 공-반응성 모노머(co-rective monomer), 이소프렌-스티렌 공중합체와 같은 공중합체 등을 포함한다. 예를 들면, 폴리부타디엔 호모폴리머와 폴리(부타디엔-이소프렌) 공중합체의 조합과 같은 조합이 또한 사용될 수 있다. 또한, 신디오택틱 폴리부타디엔(syndiotactic polybutadiene)을 포함하는 조합이 사용될 수 있다. 공-반응성 성분은 에폭시-, 말레산 무수물-, 또는 우레탄-개질된 폴리머 또는 부타디엔 또는 이소프렌의 공중합체와 같은 반응 후 프리 폴리머 또는 폴리머를 포함할 수 있다.

다른 공-반응성 성분은 특정한 특성 또는 가공 변형을 위해 존재할 수 있다. 예를 들면, 유전 강도의 안정성 및 완전 경화된 유전체의 기계적 특성을 개선하기 위해, 저 분자량 에틸렌-프로필렌 엘라스토머, 즉 공중합체, 3량체(terpolymer), 또는 주로 에틸렌과 프로필렌을 포함하는 기타 폴리머가 중합체가 존재할 수 있다. 에틸렌-프로필렌 엘라스토머는 EPM 공중합체 (에틸렌 및 프로필렌 모노머의 공중합체) 및 EPDM 3량체 (에틸렌, 프로필렌 및 디엔 모노머의 3량체)를 포함한다. 에틸렌-프로필렌 엘라스토머의 분자량은 10,000 g/mol(gram per mole) 점도 평균 분자량(Mv) 미만, 예를 들면 5,000 내지 8,000 g/mol Mv일 수 있다. 에틸렌-프로필렌 엘라스토머는 경화성 조성물의 총 중량을 기준으로, 각각 경화성 조성물의 총 중량에 대해 20 중량% 이하, 예를 들면 4 내지 20 중량%, 또는 6 내지 12 중량%와 같은 양으로 경화성 조성물에 존재할 수 있다.

공-경화성 성분의 다른 유형은 불포화 폴리부타디엔- 또는 폴리이소프렌-함유 엘라스토머이다. 이러한 성분은 주로 1,3-첨가 부타디엔(1,3-addition butadiene) 또는 이소프렌과 에틸렌성 불포화 모노머, 예를 들면 비닐방향족 화합물, 예를 들면 스티렌 또는 알파-메틸 스티렌 (메트)아크릴레이트, 예를 들면 메틸 메타크릴레이트, 또는 아크릴로니트릴의 랜덤 또는 블록 공중합체일 수 있다. 엘라스토머는 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌 블록, 및 스티렌 또는 알파-메틸 스티렌과 같은 모노비닐 방향족 모노머로부터 유도될 수 있는 열가소성 블록을 갖는 선형 또는 그래프트형 블록 공중합체를 포함하는 고체, 열가소성 엘라스토머일 수 있다. 이러한 유형의 블록 공중합체는 스티렌-부타디엔-스티렌 트리블록 공중합체, 예를 들면 상품명 VECTOR 8508M^TM로서 텍사스 휴스턴 소재의 Dexco Polymers로부터 입수 가능한 것, 상품명 SOL-T-6302^TM로서 텍사스 휴스턴 소재의 Enichem Elastomers America로부터 입수 가능한 것, 및 상품명 CALPRENE^TM 401로서 Dynasol Elastomers로부터 입수 가능한 것; 및 스티렌-부타디엔 2블럭 공중합체 및 스티렌 및 부타디엔을 함유하는 혼합된 3 블럭 및 2 블럭 공중합체, 예를 들면 상품명 KRATON D1118로서 Kraton Polymers (텍사스, 휴스톤)로부터 입수 가능한 것을 포함한다. KRATON D1118은 33 중량%의 스티렌을 함유하는 혼합된 2블럭/3블럭 스티렌 및 부타디엔 함유 공중합체이다.

선택적인 폴리부타디엔- 또는 폴리이소프렌-함유 엘라스토머는, 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌 블록이 수소화되어 폴리에틸렌 블록 (폴리부타디엔의 경우) 또는 에틸렌-프로필렌 공중합체 블록 (폴리이소프렌의 경우)을 형성하는 것을 제외하고는 상기 기재된 것과 유사한 제2 블록 공중합체를 추가로 포함할 수 있다. 상기 기재된 공중합체와 결합하여 사용되는 경우, 조도가 더 큰 재료가 제조될 수 있다. 이러한 유형의 예시적인 제2 블럭 공중합체는 KRATON GX1855 (Kraton Polymers로부터 시판됨)이고, 이는 스티렌-고(high) 1,2-부타디엔-스티렌 블록 공중합체 및 스티렌-(에틸렌-프로필렌)-스티렌 블록 공중합체의 조합으로 믿어진다. 불포화 폴리부타디엔- 또는 폴리이소프렌-함유 엘라스토머 성분은 유전체 재료의 총 중량에 대해 2 내지 60 중량%, 구체적으로 5 내지 50 중량%, 또는 10 내지 40 또는 50 중량%의 양으로 경화성 조성물에 존재할 수 있다. 특정한 특성 또는 가공 변형을 위해 첨가될 수 있는 또 다른 공-경화성 폴리머는 폴리에틸렌 및 에틸렌 옥사이드 공중합체와 같은 에틸렌의 호모폴리머 또는 공중합체, 천연 고무; 폴리디사이클로펜타디엔과 같은 노르보르넨 폴리머; 수소화된 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체 및 부타디엔-아크릴로 니트릴 공중합체; 불포화 폴리에스테르; 등을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다. 이러한 공중합체의 수준은 일반적으로 경화성 조성물에서 총 유기 성분의 50 중량% 미만이다.

또한, 특정한 특징 또는 가공 변형, 예를 들면 경화 후 시스템의 가교 결합 밀도를 증가시키기 위해서, 프리 라디칼-경화성 모노머(free radical-curable monomer)가 첨가될 수 있다. 적합한 가교 결합제일 수 있는 예시적인 모노머는, 예를 들면 적어도 하나의 디, 트리-, 또는 더 높은 에틸렌성 불포화 모노머, 예를 들면 디비닐 벤젠, 트리알릴 시아누레이트, 디알릴 프탈레이트, 또는 다작용성 아크릴레이트 모노머 (예를 들면, 미국 펜실베니아 뉴타운 스퀘어 소재의 Sartomer 제품인 SARTOMER^TM 폴리머)를 포함하고, 이들 모두는 시판된다. 가교 결합제는 사용되는 경우에 유전체 조성물의 총 중량을 기준으로 20 중량% 이하 또는 1 내지 15 중량%의 양으로 경화성 성분으로 존재할 수 있다.

경화제는 올레핀계 반응성 부위를 갖는 폴리엔의 경화 반응을 가속화하기 위해 유전체 조성물에 첨가될 수 있다. 경화제는 유기 퍼옥사이드, 예를 들면 디쿠밀 퍼옥사이드(dicumyl peroxide), t-부틸 퍼벤조에이트(t-butyl perbenzoate), 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시)헥산, α,α-디-비스(t-부틸 퍼옥시)디이소프로필벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시)헥신-3(2,5-dimethyl-2,5-di(t-butyl peroxy) hexyne-3), 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 조합을 포함할 수 있다. 탄소-탄소 개시제, 예를 들면 2,3-디메틸-2,3 디페닐부탄이 사용될 수 있다. 경화제 또는 개시제는 단독으로 또는 조합으로 사용될 수 있다. 경화제의 양은 유전체 조성물에서 폴리머의 총 중량을 기준으로 1.5 내지 10 중량%일 수 있다.

일부 측면에서, 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌 폴리머는 카르복시-작용화된다(carboxy-functionalized). 작용화(Functionalization)는, (i) 탄소-탄소 이중 결합 또는 탄소-탄소 삼중 결합, 및 (ii) 카르복실산, 무수물, 아미드, 에스테르 또는 산 할라이드를 포함하는 적어도 하나의 카르복시기 모두를 분자 내에 갖는 다작용성 화합물을 사용하여 수행될 수 있다. 특정한 카르복시기는 카르복실산 또는 에스테르이다. 카르복실산 작용기를 제공할 수 있는 다작용성 화합물의 예는 말레산, 말레산 무수물, 푸마르산, 또는 시트르산 중 적어도 하나를 포함한다. 특히, 말레산 무수물과 부가되는 폴리부타디엔은 열경화성 조성물에 사용될 수 있다. 적합한 말레인화 폴리부타디엔 폴리머는, 예를 들면 상품명 RICON로서 Cray Valley or Sartomer로부터 시판된다.

경화성 조성물은, 유전 상수, 소산 계수, 또는 열팽창 계수 중 적어도 하나를 조절하도록 선택될 수 있는 미립자 유전체 재료(particulate dielectric material)(충전제 조성물(filler composition))를 포함할 수 있다. 충전제 조성물은 적어도 하나의 유전체 충전제, 예를 들면 티타늄 다이옥사이드(루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트(barium titanate), 스트론튬 티타네이트(strontium titanate), 실리카(융합된 비결정질 실리카(fused amorphous silica)를 포함), 커런덤(corundum), 규회석(wollastonite), Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구(solid glass sphere), 합성 중공 유리 구(synthetic hollow glass sphere), 세라믹 중공 구(ceramic hollow sphere), 석영, 보론 나이트라이드(boron nitride), 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride), 실리콘 카바이드(silicon carbide), 베릴리아(beryllia), 알루미나(alumina), 알루미나 트리하이드레이트(alumina trihydrate), 마그네시아(magnesia), 운모(mica), 탈크(talc), 나노 클레이(nanoclay), 마그네슘 하이드록사이드(magnesium hydroxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유전체 충전제는 미립자, 섬유, 또는 위스커(whisker) 중 적어도 하나일 수 있다.

충전제 조성물은 다중 모드 입자 크기 분포(multimodal particle size distribution)를 가질 수 있으며, 여기서 다중 모드 입자 크기 분포의 제1 모드의 피크는 다중 모드 입자 크기 분포의 제2 모드의 피크의 적어도 7배이다. 다중 입자 크기 분포는, 예를 들면 이중 모드, 삼중 모드, 또는 사중 모드일 수 있다. 존재하는 경우, 완전히 경화된 유전체 재료는 경화성 조성물의 총 부피를 기준으로 1 내지 80 부피% (부피%), 또는 10 내지 70 부피%, 또는 20 내지 60 부피%, 또는 40 내지 60 부피%의 유전체 충전제를 포함할 수 있다.

선택적으로, 유전체 충전제는 커플링제, 예를 들면 유기 작용성 알콕시 실란 커플링제, 지르코네이트 커플링제, 또는 티타네이트 커플링제로 표면 처리될 수 있다. 이러한 커플링제는 경화성 조성물에서 유전체 충전제의 분산을 개선하거나, 완전히 경화된 조성물의 수분 흡수를 감소시킬 수 있다.

경화성 조성물은 난연성 화합물(flame retardant compound) 또는 미립자 충전제, 예를 들면 난연성 인-함유 화합물, 난연성 브롬 함유 화합물, 알루미나, 마그네시아, 마그네슘 하이드록사이드, 안티몬-함유 화합물 등을 추가로 포함할 수 있다.

본 명세서에 개시되는 고온 폴리머는 일반적으로 열분해 온도(thermal decomposition temperature)가 200 ℃ 이상, 바람직하게는 220 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 250 ℃ 이상인 재료이다. 400 ℃가 실제 상한이 될 수 있지만, 특별한 상한은 없다. 이러한 폴리머는 일반적으로 방향족 기, 예를 들면 액정 폴리머(LCP), 폴리프탈아미드(PPA), 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 폴리아릴에테르케톤(PAEK), 폴리에테르에테르 케톤(PEEK), 폴리에테르케톤케톤(PEKK), 폴리에테르설폰(PES), 폴리페닐렌설폰(PPSU), 폴리페닐렌설폰 요소(polyphenylenesulfone urea), 자기-강화된 폴리페닐렌(self-reinforced polyphenylene, SRP), 등을 갖는다. 상이한 폴리머의 조합이 사용될 수 있다. 하나의 측면에서, 고온 폴리머는 LCP이다. LCP는 열경화성, 예를 들면 에폭시와 컴파운딩함으로써 또는 작용화함으로써 열경화성 수지(thermoset)로 사용될 수도 있지만, 열가소성일 수 있다. 기판되는 LCP의 예는 상품명 VECTRA (켄터키, 플로렌스 소재의 Ticona), XYDAR (Amoco Polymers), ZENITE (델라웨어, 윌밍턴 소재의 Dow DuPont)로서 시판되는 것, 및 로부터 이용 가능한 것, 예를 들면 RTP-3400 series LCPs를 포함한다.

본 명세서에 개시되거나 언급된 임의의 접착제, 접착 또는 접착층의 경우, 접착제 층은 목적하는 특성에 따라 선택될 수 있으며, 예를 들면 용융 온도가 낮은 열경화성 폴리머, 또는 2개의 유전체 층 또는 전도층을 유전체 층에 결합하기 위한 다른 조성물일 수 있다. 접착층은 폴리(아릴렌 에테르), 부타디엔, 이소프렌 또는 부타디엔과 이소프렌 단위를 포함하고 공-경화성 단량체 단위가 0 내지 50 중량% 이하인 카르복시-작용화 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌 폴리머를 포함할 수 있다. 접착제 층의 접착제 조성물은 유전체 조성물과 상이할 수 있다. 접착제 층은 2 내지 15 평당 미터 당 그램(grams per square meter)의 양으로 존재할 수 있다. 폴리(아릴렌 에테르)는 카르복시-작용화 폴리(아릴렌 에테르)를 포함할 수 있다. 폴리(아릴렌 에테르)는 폴리(아릴렌 에테르)와 사이클릭 무수물의 반응 생성물 또는 폴리(아릴렌 에테르)와 말레산 무수물의 반응 생성물일 수 있다. 카르복시-작용화 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌 폴리머는 카르복시-작용화 부타디엔-스티렌 공중합체일 수 있다. 카르복시-작용화 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌 폴리머는 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌 폴리머와 사이클릭 무수물의 반응 생성물일 수 있다. 카르복시-작용화 폴리부타디엔 또는 폴리이소프렌 폴리머는 말레인화 폴리부타디엔-스티렌 또는 말레인화 폴리이소프렌-스티렌 공중합체일 수 있다.

접착제 층은 이의 유전 상수를 조절하기 위해 유전체 충전제(예를 들면, 세라믹 입자)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 접착제 층의 유전 상수는 전자기 장치(예를 들면, 유전체 공진기 안테나(DRA) 장치)의 성능을 개선하거나 그렇제 않으면 변형하도록 조절될 수 있다.

개별 특징 및/또는 공정의 특정 조합이 본 명세서에 기재 및 예시되었지만, 이러한 특정한 특징 및/또는 공정의 조합은 단지 예시 목적을 위한 것이며, 이러한 개별 특징 및/또는 공정의 임의의 조합은, 이러한 조합이 명시적으로 예시되고, 본 명세서의 개시 내용과 일치하는지 여부에 관계없이 양태에 따라 적용될 수 있는 것이 이해될 것이다. 본 명세서에 개시된 바와 같은 특징 및/또는 공정의 임의의 및 모든 이러한 조합은 본 명세서에서 고려되고, 애플리케이션 전체를 고려할 때 당업자의 이해 범위 내에 있는 것으로 간주되고, 당업자에 의해 이해되는 방식으로 첨부된 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.

본 발명은 실시 양태를 참조하여 본 명세서에 기재하였지만, 당업자는 다양한 변경이 이루어질 수 있고, 청구 범위를 벗어나지 않고 그 요소를 균등물로 대체할 수 있음을 이해할 것이다. 본 발명의 본질적인 범위를 벗어나지 않고, 본 발명의 교시에 특정 상황 또는 재료를 적용하기 위해 다수의 수정이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 본 발명을 수행하기 위해 고려되는 최선의 또는 유일한 모드로서 본 명세서에 개시된 특정 양태 또는 양태들로 제한되지 않고, 본 발명은 첨부된 청구항의 범위 내에 속하는 모든 양태를 포함할 것이다. 도면 및 설명에서, 실시 양태가 개시되었으며, 특정 용어 및/또는 치수가 적용될 수 있지만, 달리 언급되지 않는 한, 제한의 목적이 아닌 일반적인, 예시 및/또는 설명적인 의미로만 사용되며, 따라서 청구항의 범위는 그렇게 제한되지 않는다. 요소가 다른 요소에 "위에(on)" 있는 것으로 언급되는 경우, 다른 요소 위에 직접 있을 수도 있고, 개재되는 요소가 존재할 수도 있다. 대조적으로, 요소가 다른 요소의 "바로 위에(directly on)" 있는 것으로 언급되는 경우, 개재되는 요소가 존재하지 않는다. 용어 제1, 제2 등의 사용은 순서나 중요성을 나타내지 않고, 대신 용어 제1, 제2 등은 요소를 다른 요소와 구별하는데 사용된다. 용어 a, an 등의 사용은 양의 제한을 나타내지 않고, 대신 참조된 항목 중 적어도 하나의 존재를 나타낸다. 본 명세서에 사용된 용어 "포함하는(comprising)"은 하나 이상의 추가 특징의 가능한 포함을 배제하지 않는다. 또한, 본 명세서에 제공된 배경 정보는 출원인이 본 명세서에 공개된 발명과 관련이 있을 수 있다고 생각하는 정보를 나타내기 위해 제공된다. 임의의 이러한 배경 정보가 본 명세서에 개시된 발명의 양태에 대한 종래 기술을 구성하는 것을 반드시 인정하거나 해석해서는 안된다.

상기 모든 관점에서, 구조의 다양한 측면이 본 명세서에서 개시되며, 이는 적어도 하기의 측면 및 측면들의 조합에 따르지만, 이에 제한되지 않음을 이해할 것이다.

측면 1: 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 어레이로 배열된 제1 복수의 오목부들(recess) 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계; 상기 제1 복수의 오목부들을, 완전 경화 후 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전하는 단계;상기 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전된 제1 복수의 오목부들 중 다수의 오목부의 상부 위에 및 다수의 오목부를 가로질러 기판을 배치하고, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계; 및 상기 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 제거하여, 기판과, 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하는 단계로, 각각의 복수의 유전체(Dk) 형태는 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 의해 정의된 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 2: 측면 1에 있어서, 상기 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전된 제1 복수의 오목부들 중 다수의 오목부의 상부 위에 및 다수의 오목부를 가로질러 기판을 배치하는 단계 후에, 및 상기 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 제거하는 단계 전에, 기판의 상부 위에 제2 몰드 부분을 배치하는 단계; 제1 몰드 부분을 향해서 제2 몰드 부분을 압축하고, 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계; 및 제1 몰드 부분에 대해 제2 몰드 부분을 분리시키는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 3: 측면 1 또는 2에 있어서, 상기 기판은, 유전체(Dk)층; 금속층; 유전체(Dk)층과 금속층의 조합; 복수의 슬롯(slot)을 갖는 금속층-복수의 슬롯의 각각은 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨-; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(substrate integrated waveguide, SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크(signal feed network);를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 4: 측면 1 또는 2에 있어서, 상기 방법은, 제1 몰드 부분을 제공하는 단계 전에, 어레이로 배열된 제2 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 예비-몰드 부분(first pre-mold portion)을 제공하는 단계로, 제2 복수의 오목부들의 각각은 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부보다 큰 것인, 단계; 상기 제2 복수의 오목부들을, 완전 경화 후 공기의 유전 상수보다 크고 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물로 충전하는 단계; 상기 제1 예비-몰드 부분의 상부 위에 제2 예비-몰드 부분을 배치하는 단계로, 제2 예비-몰드 부분은 제2 복수의 오목부들의 각각의 오목부와 일대일 대응으로 및 어레이로 배열된 복수의 개구부(opening)를 갖는 것인, 단계; 상기 제2 예비-몰드 부분의 상부 위에 제3 예비-몰드 부분을 배치하는 단계로, 상기 제3 예비-몰드 부분은 어레이로 배열된 돌출부(projection)들 중 복수의 사실상 동일한 돌출부를 가지며, 돌출부들 중 사실상 동일한 돌출부는 제2 예비-몰드 부분의 개구부의 대응하는 개구부 및 제2 복수의 오목부의 대응하는 오목부에 삽입되어, 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료를 제공된 돌출부의 부피와 동일한 부피만큼 대체시키는(displacing) 단계; 제2 예비-몰드 부분을 향해 제3 예비-몰드 부분을 압축하고, 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계; 및 제2 예비-몰드 부분에 대해 제3 예비-몰드 부분을 분리시켜, 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물을 그 안에 갖는 몰드 형태를 수득하는 단계로, 상기 몰드 형태는 제1 몰드 부분을 제공하는 역할을 하고, 어레이로 배열된 제1 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계를 확립하는 것인, 단계;를 더 포함하고, 상기 제거 단계는 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 제거하여, 기판, 및 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물의 어레이 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물의 대응하는 어레이를 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하고, 복수의 유전체(Dk) 형태의 각각은 제1 복수의 오목부 및 제2 복수의 오목부의 대응하는 오목부에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 5: 측면 1 또는 2에 있어서, 복수의 유전체(Dk) 형태는 기판 상에 배치되는 복수의 유전체 공진기 안테나(dielectric resonator antenna, DRA)를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 6: 측면 4에 있어서, 복수의 유전체(Dk) 형태는 기판 상에 배치되는 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA) 및 상기 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA)와 일대일 대응으로 배치되는 제2 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체 렌즈(dielectric lense) 또는 유전체 도파관(dielectric waveguide)을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 7: 측면 1에 있어서, 상기 제1 몰드 부분은 제1 복수의 오목부들 중 인접한 오목부와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널(connecting channel)을 포함하고, 이는 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물로 제1 복수의 오목부들을 충전하는 단계 동안 충전되어, 기판, 및 복수의 유전체(Dk) 형태 중 인접하는 유전체(Dk) 형태와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 구조와 함께 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하고, 여기서 비교적 얇은 연결 구조는 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물, 비교적 얇은 연결 구조 및 단일 모놀리식(single monolithic)을 형성하는 충전된 제1 복수의 오목부를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 8: 측면 4에 있어서, 상기 제2 예비-몰드 부분은 제2 복수의 오목부들 중 인접한 오목부와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널을 포함하고, 이는 제공된 돌출부의 부피와 동일한 부피만큼 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료를 대체시키는 동안 충전되어, 기판, 및 복수의 유전체(Dk) 형태 중 인접하는 유전체(Dk) 형태와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 구조와 함께 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하고, 여기서 비교적 얇은 연결 구조는 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물, 비교적 얇은 연결 구조 및 단일 모놀리식을 형성하는 충전된 제2 복수의 오목부를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 9: 측면 1 내지 8 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 복수의 오목부를 충전하는 단계, 제2 복수의 오목부를 충전하는 단계, 또는 제1 및 제2 복수의 오목부 모두를 충전하는 단계는, 각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 대응하는 오목부로 붓고(pouring) 스퀴징(squeegeeing)하는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 10: 측면 1 내지 8 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 복수의 오목부를 충전하는 단계, 제2 복수의 오목부를 충전하는 단계, 또는 제1 및 제2 복수의 오목부 모두를 충전하는 단계는, 각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 유전체 필름을 대응하는 오목부로 각인(imprinting)하는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 11: 측면 1 내지 10 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계, 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계, 또는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물 및 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물 모두를 적어도 부분적으로 경화하는 단계는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 12: 측면 1 내지 11 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상이고, 대안적으로 9 이상이고, 추가 대안적으로 18 이상이고, 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 13: 측면 1 내지 12 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔(1,2-butadiene), 2,3-부탄디엔(2,3-butadiene), 이소프렌(isoprene), 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시(epoxy), 알릴화 폴리페닐렌 에테르(allylated polyphenylene ether), 시아네이트 에스테르(cyanate ester), 임의로 공-경화성 가교 결합제(co-curable crosslinking agent), 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 14: 측면 13에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드(titanium dioxide) (루틸(rutile) 및 아나타제(anatase)), 바륨 티타네이트(barium titanate), 스트론튬 티타네이트(strontium titanate), 실리카(융합된 비결정질 실리카(fused amorphous silica)를 포함), 커런덤(corundum), 규회석(wollastonite), Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구(solid glass sphere), 합성 중공 유리 구(synthetic hollow glass sphere), 세라믹 중공 구(ceramic hollow sphere), 석영, 보론 나이트라이드(boron nitride), 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride), 실리콘 카바이드(silicon carbide), 베릴리아(beryllia), 알루미나(alumina), 알루미나 트리하이드레이트(alumina trihydrate), 마그네시아(magnesia), 운모(mica), 탈크(talc), 나노 클레이(nanoclay), 마그네슘 하이드록사이드(magnesium hydroxide), 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 15: 측면 1 내지 14 중 어느 하나에 있어서, 3차원(3D) 형태는 x-y 평면 횡단면(x-y plane cross-section)에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 16: 측면 1 또는 2에 있어서, 제1 몰드 부분을 제공하기 전에, 어레이로 배열된 제2 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 예비-몰드 부분을 제공하는 단계로, 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부는 제1 복수의 오목부들의 대응하는 오목부보다 더 큰 것인, 단계; 제1 평균 유전 상수보다 작고 완전 경화 후 공기보다 큰 제2 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물로 제2 복수의 오목부들을 충전하는 단계; 제1 예비-몰드 부분의 상부 위에 제2 예비-몰드 부분을 배치하는 단계로, 제2 예비-몰드 부분은 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부와 일대일 대응으로 및 어레이로 배열되는 복수의 개구부를 갖는 것인, 단계; 기판, 및 제2 예비-몰드 부분의 상부 위에 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 배치하는 단계로, 상기 어셈블리는 제2 예비-몰드 부분의 개구부들 중 대응하는 개구부 및 제2 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 삽입되는 복수의 유전체(Dk) 형태를 가져, 제공된 유전체(Dk) 형태의 부피와 동일한 부피만큼 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료를 대체시키는 것인, 단계; 제2 예비-몰드 부분을 향해 어셈블리를 압축하고, 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계; 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 분리 및 제거하여, 기판, 및 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물의 어레이 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물의 대응하는 어레이를 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하는 단계로, 복수의 유전체(Dk) 형태의 각각은 제1 복수의 오목부들 및 제2 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 17: 측면 16에 있어서, 상기 기판은, 유전체(Dk)층; 금속층; 유전체(Dk)층과 금속층의 조합; 복수의 슬롯(slot)을 갖는 금속층-복수의 슬롯의 각각은 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨-; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 18: 측면 16 또는 17에 있어서, 상기 복수의 유전체(Dk) 형태는 기판 상에 배치된 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA)를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 19: 측면 16 또는 17에 있어서, 복수의 유전체(Dk) 형태는 기판 상에 배치되는 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA) 및 복수의 DRA과 일대일 대응으로 배치되는 제2 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체 렌즈 또는 유전체 도파관을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 20: 측면 16 내지 19 중 어느 하나에 있어서, 상기 제2 예비-몰드 부분은 제2 복수의 오목부들 중 인접한 오목부와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널을 포함하고, 이는 제공된 유전체(Dk) 형태의 부피와 동일한 부피만큼 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부에 제2 유전체(Dk) 재료를 대체시키는 단계 동안 충전되어, 기판, 및 복수의 유전체(Dk) 형태 중 인접하는 유전체(Dk) 형태와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 구조와 함께 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하고, 여기서 비교적 얇은 연결 구조는 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물, 비교적 얇은 연결 구조 및 단일 모놀리식(single monolithic)을 형성하는 충전된 제2 복수의 오목부를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 101: 하나 이상의 제1 유전체 부분(1DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 어레이로 배열되고, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하도록 구성된 제1 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계로, 상기 제1 몰드 부분은 복수의 오목부들 중 인접한 오목부를 상호 연결하는 복수의 비교적 얇은 연결 채널을 더 포함하는 것인, 단계; 완전 경화 후 공기보다 큰 평균 유전 상수를 갖는 경화성 유전체(Dk) 조성물로 비교적 얇은 연결 채널 및 제1 복수의 오목부들을 충전하는 단계; 제1 몰드 부분의 상부 위에 제2 몰드 부분을 그 사이에 배치된 경화성 유전체(Dk) 조성물과 함께 배치하는 단계; 제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하고, 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계; 제1 몰드 부분에 대해 제2 몰드 부분을 분리시키는 단계; 및 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 생성하는 단계로, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태의 각각은 제1 복수의 오목부 및 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태를 가지며, 상기 제1 복수의 오목부들에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태는 전자기(EM) 구조에서 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 제공하는 것인, 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 102: 측면 101에 있어서, 상기 제2 몰드 부분은 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태에 정렬 특징(alignment feature)을 제공하기 위해 배치된 적어도 하나의 오목부를 포함하고, 상기 제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하는 단계는, 경화성 유전체(Dk) 조성물의 일부를 적어도 하나의 오목부로 대체시키는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 103: 측면 101에 있어서, 상기 제1 몰드 부분은 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태에 정렬 특징을 제공하기 위해 배치된 적어도 하나의 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하는 단계는, 경화성 유전체(Dk) 조성물의 일부를 적어도 하나의 제1 돌출부 주변에 대체시키는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 104: 측면 101 내지 103 중 어느 하나에 있어서, 제1 몰드 부분 및 제2 몰드 부분의 적어도 하나는 어레이의 형태로 분할된 패널 세트를 제공하기 위한 복수의 오목부들의 서브 세트(subset) 주변에 분할 돌출부(segmenting projection)를 포함하고, 상기 제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하는 단계는, 분할 돌출부에 근접한 제1 몰드 부분과 제2 몰드 부분 사이에 면대면 접촉으로부터 멀리 경화성 유전체(Dk) 조성물의 일부를 대체시키는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 105: 측면 101 내지 104 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 몰드 부분은 제2 복수의 오목부들을 더 포함하고, 제2 복수의 오목부들의 각각의 오목부는 제1 복수의 오목부들 중 하나와 일대일 대응으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 대한 유전체(Dk) 절연체를 제공하기 위해 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 106: 측면 105에 있어서, 상기 제1 몰드 부분은 제2 복수의 오목부들 중 하나와 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제2 돌출부를 더 포함하고, 각각의 제2 돌출부는 제2 복수의 오목부들의 대응하는 오목부 내에 중앙으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 대한 향상된 유전체(Dk) 절연체를 제공하기 위해 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 107: 측면 105에 있어서, 상기 제2 몰드 부분은 제1 몰드 부분의 제2 복수의 오목부들 중 하나와 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제3 돌출부를 더 포함하고, 각각의 제3 돌출부는 제1 몰드 부분의 제2 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부 내에 중앙으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 대한 향상된 유전체(Dk) 절연체를 제공하기 위해 제1 몰드 부분의 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 108: 측면 101 내지 107 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 가열하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 109: 측면 101 내지 108 중 어느 하나에 있어서, 상기 방법은, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 완전히 경화하고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태의 후면에 접착제를 적용하는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 110: 측면 101 내지 109 중 어느 하나에 있어서, 상기 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 111: 측면 101 내지 110 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 112: 측면 111에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 113: 측면 101 내지 112 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 114: 측면 102 내지 113 중 어느 하나에 있어서, 상기 방법은, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 배치하는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 115: 측면 114에 있어서, 상기 기판은, 유전체(Dk)층; 금속층; 유전체(Dk)층과 금속층의 조합; 복수의 슬롯(slot)을 갖는 금속층-복수의 슬롯의 각각은 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨-; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 116: 측면 114 또는 115에 있어서, 상기 기판 상에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 배치하는 단계는, 기판 상에 대응하는 수용 특징(reception feature)을 갖는 정렬 특징(alignment feature)을 정렬하고, 기판에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 접착시키는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 201: 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 유전체(Dk) 재료의 시트를 제공하는 단계; 어레이로 배열된 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 시트 내에 형성하고, 시트의 비-오목 부분은 복수의 오목부들 중 개별 오목부들 사이에 연결 구조를 형성하는 단계; 완전 경화 후에 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 유전체(Dk) 조성물로 복수의 오목부를 충전하는 단계로, 유전체(Dk) 재료의 시트는 제1 평균 유전 상수와 상이한 제2 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 및 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 202: 측면 201에 있어서, 상기 제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수보다 작은 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 203: 측면 201 또는 202에 있어서, 상기 방법은, 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계 이후에, 시트를 각각의 타일로 커팅하는 단계로, 각각의 타일은 이들 사이에 배치되는 연결 구조의 일부와 함께, 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물을 갖는 복수의 오목부들의 서브세트의 어레이를 포함하는 것인, 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 204: 측면 201 내지 203 중 어느 하나에 있어서, 상기 형성 단계는, 하향식(top-down manner)으로 복수의 오목부들을 스탬핑(stamping) 또는 각인하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 205: 측면 201 내지 203 중 어느 하나에 있어서, 상기 형성 단계는, 상향식(bottom-up manner)으로 복수의 오목부들을 엠보싱(embossing)하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 206: 측면 201 내지 205 중 어느 하나에 있어서, 상기 충전 단계는, 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 오목부로 붓고 스퀴징하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 207: 측면 201 내지 206 중 어느 하나에 있어서, 상기 형성 단계는, 시트의 제1면으로부터, 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 시트 내에 형성하는 단계로, 복수의 오목부들의 각각은 깊이(H5)를 갖는, 단계; 및 시트의 대향하는 제2면으로부터, 복수의 오목부들과 일대일 대응으로 복수의 함몰부(depression)들을 형성하는 단계로, 복수의 함몰부들의 각각은 깊이(H6)를 가지며, 여기서 깊이(H6)는 깊이(H5) 이하인 것인, 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 208: 측면 207에 있어서, 복수의 함몰부들의 각각은 복수의 오목부들 중 각각의 대응하는 오목부에서 측벽을 둘러싸는 블라인드 포켓(blind pocket)을 형성하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 209: 측면 207 내지 2087 중 어느 하나에 있어서, 복수의 함몰부들의 각각은 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 대해 중앙으로 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 210: 측면 201 내지 209 중 어느 하나에 있어서, 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 211: 측면 201 내지 210 중 어느 하나에 있어서, 상기 제공 단계는, 평평한 형태로 유전체(Dk) 재료의 시트를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 충전 단계는, 평평한 형태의 시트의 복수의 오목부들을 한 번에 하나 이상의 오목부를 충전하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 212: 측면 201 내지 210 중 어느 하나에 있어서, 상기 제공 단계는, 롤 상에 유전체(Dk) 재료의 시트를 제공하고, 형성 단계 이후의 단계를 위해 상기 유전체(Dk) 재료의 시트를 펼치는(unrolling) 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 213: 측면 212에 있어서, 상기 방법은, 패턴 롤러(pattern roller) 및 유전체(Dk) 재료의 롤의 다운스트림에 대향하는 압축 롤러(compression roller)를 제공하는 단계; 패턴 롤의 다운스트림에 유전체(Dk) 조성물의 디스펜서 유닛(dispenser unit)을 제공하는 단계; 상기 디스펜서 유닛의 다운스트림에 경화 유닛(curing unit)을 제공하는 단계; 및 상기 경화 유닛의 다운스트림에 마감 롤러(finish roller)를 제공하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 214: 측면 213에 있어서, 상기 방법은, 상기 패턴 롤러의 다운스트림에, 상기 디스펜서 유닛의 업스트림에 제1 인장 롤러(tensioning roller)를 제공하는 단계; 및 상기 제1 인장 롤러의 다운스트림에, 상기 경화 유닛의 업스트림에 제2 인장 롤러를 제공하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 215: 측면 214에 있어서, 상기 방법은, 제2 인장 롤러와 협조하고 제2 인장 롤러에 대향하도록 배치된 스퀴즈 유닛(squeegee unit)을 제공하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 216: 측면 213 내지 215 중 어느 하나에 있어서, 상기 방법은, 유전체(Dk) 재료의 롤로부터 유전체(Dk) 재료의 시트를 펼치는 단계; 펼쳐진 유전체(Dk) 재료의 시트를 패턴 롤러와 대향하는 압축 롤러 사이에 통과시키는 단계로, 여기서 어레이로 배열된 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 시트 내에 형성하는 단계가 발생하여, 패터닝된 시트를 생성하는, 단계; 상기 패터닝된 시트를 디스펜서 유닛에 근접하게 통과시키는 단계로, 경화성 유전체(Dk) 조성물로 복수의 오목부들을 충전하는 단계가 발생하여, 충전된 패터닝된 시트를 생성하는, 단계; 상기 충전된 패터닝된 시트를 경화 유닛에 근접하게 통과시키는 단계로, 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계가 발생하여, 적어도 부분적으로 경화된 시트를 생성하는, 단계; 및 적어도 부분적으로 경화된 시트를 후속 가공을 위한 마감 롤러로 통과시키는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 217: 측면 216에 있어서, 상기 방법은, 상기 패터닝된 시트를 디스펜서 유닛에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 패터닝된 시트를 제1 인장 롤러와 연결하는 단계; 및 상기 충전된 패터닝된 시트를 경화 유닛에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 충전된 패터닝된 시트를 제2 인장 롤러와 연결하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 218: 측면 217에 있어서, 상기 방법은, 상기 충전된 패터닝된 시트를 경화 유닛에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 충전된 패터닝된 시트를 스퀴즈 유닛과 대향하는 제2 인장 롤러와 연결하여, 충전 및 스퀴징된 패터닝된 시트를 생성하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 219: 측면 201 내지 218 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 220: 측면 201 내지 219 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 221: 측면 220에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 222: 측면 201 내지 221 중 어느 하나에 있어서, 복수의 오목부들의 각각의 오목부는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 301: 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조로서, 제1 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하는 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분; 및 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 노출된 면의 적어도 일부 상에 등각으로 배치되는 수 불침투성 층(water impervious layer), 수 배리어 층(water barrier layer), 또는 발수층(water repellent layer);을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 302: 측면 301에 있어서, 상기 수 불침투성 층, 수 배리어 층, 또는 발수층은 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 적어도 노출된 상부 및 최외각 측면 상에 등각으로 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 303: 측면 301 또는 302에 있어서, 상기 수 불침투성 층, 수 배리어 층, 또는 발수층은 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 모든 노출된 면 상에 등각으로 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 304: 측면 301 내지 303 중 어느 하나에 있어서, 상기 수 불침투성 층, 수 배리어 층, 또는 발수층은 30 미크론 이하, 대안적으로 10 미크론 이하, 대안적으로 3 미크론 이하, 대안적으로 1 미크론 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 305: 측면 301 내지 304 중 어느 하나에 있어서, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분은 유전체(Dk) 성분의 어레이를 형성하는 x × y 배열로 배열되는 복수의 유전체(Dk) 성분을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 306: 측면 305에 있어서, 복수의 유전체(Dk) 성분의 각각은 비교적 얇은 연결 구조를 통해 복수의 유전체(Dk) 성분 중 적어도 하나의 다른 유전체(Dk) 성분에 물리적으로 연결되고, 각각의 연결 구조는 복수의 유전체(Dk) 성분 중 하나의 전체 외측 치수에 비해 비교적 얇고, 각각의 연결 구조는 각각 연결된 유전체(Dk) 성분의 전체 높이보다 낮은 횡단면 전체 높이를 가지며, 유전체(Dk) 성분의 유전체(Dk) 재료로부터 형성되고, 각각의 비교적 얇은 연결 구조 및 복수의 유전체(Dk) 성분은 단일 모놀리식을 형성하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 307: 측면 306에 있어서, 비교적 얇은 연결 구조는 모놀리식으로 통합 형성된 적어도 하나의 정렬 특징을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 308: 측면 307에 있어서, 상기 적어도 하나의 정렬 특징은 돌출부, 오목부, 중공(hole), 또는 이들 정렬 특징의 임의의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 309: 측면 305 내지 308 중 어느 하나에 있어서, 상기 유전체(Dk) 성분의 어레이는 복수의 유전체(Dk) 성분 중 각각의 유전체 성분과 일대일 대응으로 배열되는 복수의 유전체(Dk) 절연체를 포함하고, 각각의 유전체(Dk) 절연체는 복수의 유전체(Dk) 성분의 대응하는 유전체 성분을 사실상 둘러싸도록 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 310: 측면 309에 있어서, 복수의 유전체(Dk) 절연체의 각각은 복수의 유전체(Dk) 성분의 높이(H1) 이하의 높이(H2)를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 311: 측면 309 또는 310에 있어서, 상기 유전체(Dk) 절연체의 각각은 비어 있는(hollow) 내부 부분을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 312: 측면 311에 있어서, 비어 있는 내부는 상부에서 개방되거나, 하부에서 개방되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 313: 측면 309 내지 312 중 어느 하나에 있어서, 상기 복수의 유전체(Dk) 절연체는 복수의 유전체(Dk) 성분과 통합 형성되어 모놀리식을 형성하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 314: 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각은 제1 유전체 부분(1DP)을 포함하고, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각은 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 더 포함하고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 제2 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하고, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 가까운 단부(proximal end) 및 먼 단부(distal end)를 가지고, 각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 가지고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)의 가까운 단부는 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)의 먼 단부 부근에 배치되고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)의 먼 단부는 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)의 먼 단부에서 정의된 거리만큼 떨어져 배치되고, 제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수보다 작은 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 315: 측면 314에 있어서, 각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 제2 유전체 부분(2DP)들 중 인접한 제2 유전체 부분(2DP)과 통합 형성되어, 제2 유전체 부분(2DP)의 모놀리식을 형성하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 316: 측면 301 내지 315 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 317: 측면 305에 있어서, 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각은 높이(H1)를 갖는 제1 유전체 부분(1DP)을 포함하고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각은 제2 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하는 높이(H3)를 갖는 제2 유전체 부분(2DP)을 더 포함하고, 상기 제2 유전체 부분(2DP)은 복수의 오목부들을 포함하고, 상기 복수의 오목부들의 각각의 오목부는 제1 유전체 부분(1DP)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)으로 충전되고, 상기 제2 유전체 부분(2DP)은 제1 유전체 부분(1DP)의 각각을 사실상 둘러싸고, 상기 제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수 보다 작은 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 318: 측면 317에 있어서, 높이(H1)는 높이(H3)와 동일한 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 319: 측면 317에 있어서, 상기 제2 유전체 부분(2DP)은 제1 유전체 부분(1DP)의 각각에 종속된 비교적 얇은 연결 구조를 포함하고, 상기 제2 유전체 부분(2DP) 및 비교적 얇은 연결 구조는 모놀리식을 형성하고, 높이(H1)는 높이(H3)보다 작은 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 320: 측면 305 내지 319 중 어느 하나에 있어서, 상기 수 불침투성 층, 수 배리어 층, 또는 발수층은 어레이의 모든 노출된 면 상에 등각으로 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 321: 측면 301 내지 320 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 322: 측면 301 내지 321 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1 평균 유전 상수를 갖는 유전체(Dk) 재료는 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 경화성 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 것인, 방법.

측면 323: 측면 322에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 방법.

측면 324: 측면 301 내지 323 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각의 유전체(Dk) 성분은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 325: 측면 301 내지 324 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각의 유전체(Dk) 성분은 유전체 공진기 안테나(DRA)인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 326: 측면 314 내지 325 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 유전체 렌즈 또는 도파관인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.

측면 401: 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 가지며, 제공된 제1 유전체 부분(1DP)의 먼 단부는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 제공된 제1 유전체 부분(1DP)의 가까운 단부의 횡단면보다 작은 횡단면을 가지며, 상기 방법은, 지지체 형태를 제공하는 단계; 적어도 하나의 어레이로 배열되는 제2 유전체 부분(2DP) 중 복수의 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 단계로, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)은 적어도 부분적으로 경화되고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 포함하고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 가까운 단부는 블라인드 단부를 갖는 중앙으로 배치된 함몰부를 포함하고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)를 지지체 형태 상에 배치하고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 함몰부는 복수의 제1 유전체 부분(1DP) 중 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하도록 구성되는 것인, 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태(flowable form)를 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 함몰부에 충전시키는 단계로, 상기 유전체(Dk) 조성물은 완전히 경화될 때 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 제2 평균 유전 상수보다 큰, 완전히 경화될 때 제1 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 지지체 형태 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 가까운 단부를 가로질러 스퀴징하여 임의의 과잉 경화성 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 유전체(Dk) 조성물을 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)의 가까운 단부와 적어도 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계; 제2 유전체 부분(2DP)의 적어도 하나의 어레이와 그 안에 형성되는 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 지지체 형태로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 402: 측면 401에 있어서, 상기 지지체 형태는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 적어도 하나의 어레이 중 제공된 어레이 주변에 융기된 벽(raised wall)을 포함하고, 상기 충전 및 스퀴징 단계는, 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 함몰부 및 지지체 형태의 융기된 벽의 에지(edge)까지 충전시켜, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 함몰부가 충전되고, 관련된 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 가까운 단부가 특정 두께(H6)로 유전체(Dk) 조성물로 커버되는 것인, 단계; 및 지지체 형태의 융기된 벽을 가로질러 스퀴징하여 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 유전체(Dk) 조성물을 융기된 벽의 에지와 같은 높이로 남겨두는 단계로, 두께(H6)의 유전체(Dk) 조성물은 복수의 제1 유전체 부분(1DP)과 통합 형성되는 연결 구조를 제공하는 것인, 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 403: 측면 401 또는 402에 있어서, 복수의 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)의 적어도 하나의 어레이는 지지체 형태 상에 배치되는 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)의 복수의 어레이 중 하나이고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)은 열가소성 폴리머를 포함하고, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)은 열경화성 유전체(Dk) 재료를 포함하고, 적어도 부분적으로 경화하는 단계는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 404: 측면 403에 있어서, 상기 열가소성 폴리머는 고온 폴리머이고; 상기 유전체(Dk) 재료는 무기 미립자 재료를 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 405: 측면 402 내지 404 중 어느 하나에 있어서, 두께(H6)는 약 0.002 인치인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 406: 측면 401 내지 405 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 501: 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하기 위한 몰드로서, 상기 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는, 제1 평균 유전 상수를 갖는 제1 영역; 제2 평균 유전 상수를 갖는 제1 영역의 바깥쪽의 제2 영역; 제3 평균 유전 상수를 갖는 제2 영역의 바깥쪽의 제3 영역; 및 제2 평균 유전 상수를 갖는 제3 영역의 바깥쪽의 제4 영역;을 포함하고, 상기 몰드는, 서로 함께 또는 서로 결합되어 통합 형성되는 복수의 유닛 셀을 포함하고, 각각의 유닛 셀은, 전자기(EM) 구조의 제1 영역을 형성하도록 구성된 제1 부분; 전자기(EM) 구조의 제2 영역을 형성하도록 구성된 제2 부분; 전자기(EM) 구조의 제3 영역을 형성하도록 구성된 제3 부분; 전자기(EM) 구조의 제4 영역을 형성하도록 구성된 제4 부분; 유닛 셀의 외부 경계를 형성 및 정의하도록 구성된 제5 부분;을 포함하고, 상기 제1 부분, 제2 부분, 제3 부분, 제4 부분, 및 제5 부분은 모두 모놀리식 유닛 셀을 제공하기 위해 단일 재료로부터 서로 통합 형성되고; 상기 제1 부분 및 제5 부분은 모놀리식 유닛 셀의 단일 재료를 포함하고, 상기 제2 부분 및 제4 부분은 모놀리식 유닛 셀의 단일 재료가 없고, 상기 제3 부분은 모놀리식 유닛 셀의 단일 재료의 존재 및 부재의 조합을 가지며; 및 상기 제2 부분 및 제4 부분, 및 제3 부분의 단지 일부는 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 수용하도록 구성되는 것인, 몰드.

측면 502: 측면 501에 있어서, 몰드의 유닛 셀로부터 제조되는 단일 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는 가까운 단부 및 먼 단부를 갖는 유전체(Dk) 조성물의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조되는 3차원(3D) 바디(body)를 포함하고, 상기 3차원(3D) 바디는 3차원(3D) 바디의 중앙으로 배치되는 제1 영역을 포함하고, 제1 영역은 3차원(3D) 바디의 먼 단부로 연장되고 공기를 포함하며, 상기 3차원(3D) 바디는, 제2 평균 유전 상수가 제1 평균 유전 상수보다 큰 유전체(Dk) 조성물의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조된 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 3차원(3D) 바디의 가까운 단부에서 먼 단부로 연장되며, 상기 3차원(3D) 바디는, 제3 평균 유전 상수가 제2 평균 유전 상수보다 작은 유전체(Dk) 조성물의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터, 부분적으로 공기로부터 제조된 제3 영역을 포함하고, 상기 제3 영역은 3차원(3D) 바디의 가까운 단부에서 먼 단부로 연장되며, 상기 제3 영역은 제2 영역과 통합되고 모놀리식이며, 제2 영역으로부터 바깥쪽으로, z-축에 대해 방사상으로 연장되는 유전체(Dk) 조성물의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조되는 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 횡단면 전체 길이(L1), 및 횡단면 전체 폭(W1)을 가지며, 횡단면 전체 길이(L1) 및 횡단면 전체 폭(W1)이 각각 λ 미만이고, 여기서 λ는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조가 전자기적으로 여기되는 경우 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 작동 파장이고, 3차원(3D) 바디의 적어도 제2 영역의 모든 노출된 면은 3차원(3D) 바디의 가까운 단부에서 먼 단부로 몰드의 드래프트된(drafted) 측벽을 통해 안쪽으로 드래프트되는 것인, 몰드.

측면 503: 측면 502에 있어서, 상기 몰드의 유닛 셀로부터 제조된 단일 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는, x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형상, 및 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형상을 각각 갖는 3차원(3D) 바디의 제1 영역 및 제2 영역을 더 포함하는 것인, 몰드.

측면 601: 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 가지며, x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이, 먼 단부는 가까운 단부의 횡단면보다 작은 횡단면을 가지며, 상기 방법은, 캐리어(carrier)를 제공하는 단계; 상기 캐리어 상에 기판을 배치하는 단계; 상기 기판 상에 제1 스텐실링 마스크(stenciling mask)를 배치하는 단계로, 상기 제1 스텐실링 마스크는 적어도 하나의 어레이로 배열되는 복수의 개구부를 포함하고, 각각의 개구부는 제1 유전체 부분(1DP)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하기 위한 형태를 포함하는 것인, 단계; 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물의 제1 유동성 형태를 제1 스텐실링 마스크의 개구부로 충전하는 단계로, 제1 유전체(Dk) 조성물은 경화 후 제1 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 제1 스텐실링 마스크의 상부면을 가로 질러 스퀴징하여 임의의 과잉 제1 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 제1 유전체(Dk) 조성물을 제1 스텐실링 마스크의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 및 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하고, 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계; 제1 스텐실링 마스크를 제거하는 단계; 및 기판 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 캐리어로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 602: 측면 601에 있어서, 상기 방법은, 제1 스텐실링 마스크를 제거한 후에, 기판 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 제거하는 단계 전에, 기판 상에 제2 스텐실링 마스크를 배치하는 단계로, 제2 스텐실링 마스크는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 형성하기 위해 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 서브세트를 둘러싸도록 구성 및 배치되는 격벽(partitioning wall)으로 둘러싸인 개구부를 포함하고, 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이 각각은 제2 유전체 부분(2DP)에 감싸지는 것인, 단계; 및 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물의 제2 유동성 형태를 제2 스텐실링 마스크의 개구부로 충전하는 단계로, 상기 제2 유전체(Dk) 조성물은 경화 후 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 제2 스텐실링 마스크의 상부면을 가로질러 스퀴징하여 임의의 과잉 제2 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 제2 유전체(Dk) 조성물을 제2 스텐실링 마스크의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하고, 제2 유전체 부분(2DP)에 감싸지는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 형성하는 단계; 제2 스텐실링 마스크를 제거하는 단계; 및 기판 및 여기에 부착된 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)에 감싸지는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 캐리어로부터 제거하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 603: 측면 601에 있어서, 상기 방법은, 제1 스텐실링 마스크를 제거한 후에, 기판 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 제거하는 단계 전에, 기판 상에 제2 스텐실링 마스크를 배치하는 단계로, 제2 스텐실링 마스크는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 개별 제1 유전체 부분(1DP)을 커버하는 커버, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 개별 제1 유전체 부분(1DP)을 둘러싸는 개구부, 복수의 제1 유전체 부분(1DP) 중 각각의 제1 유전체 부분(1DP)이 전기 전도성 구조로 둘러싸이는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 형성하기 위해 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 서브세트를 둘러싸는 격벽을 포함하는 것인, 단계; 경화성 조성물의 유동성 형태를 제2 스텐실링 마스크의 개구부로 충전하는 단계로, 상기 경화성 조성물은 완전히 경화되는 경우에 전기 전도성인 것인, 단계; 제2 스텐실링 마스크의 상부면을 가로 질러 스퀴징하여 임의의 과잉 경화성 조성물을 제거하고, 상기 경화성 조성물을 제2 스텐실링 마스크의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 상기 경화성 조성물을 적어도 부분적으로 경화하고, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)이 전기 전도성 구조로 둘러싸이는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 형성하는 단계; 제2 스텐실링 마스크를 제거하는 단계; 및 기판 및 여기에 부착되는 각각의 제1 유전체 부분(1DP)이 전기 전도성 구조로 둘러싸이는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 캐리어로부터 제거하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 604: 측면 601 내지 603 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 605: 측면 604에 있어서, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 606: 측면 601 내지 605 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 607: 측면 603 내지 606 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 조성물은, 금속 입자를 포함하는 폴리머; 구리 입자를 포함하는 폴리머; 알루미늄 입자를 포함하는 폴리머; 은(silver) 입자를 포함하는 폴리머; 전기 전도성 잉크(electrically conductive ink); 카본 잉크(carbon ink); 또는 상기 경화성 조성물의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 608: 측면 603 내지 607 중 어느 하나에 있어서, 상기 전기 전도성 구조는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 609: 측면 601 내지 608 중 어느 하나에 있어서, 상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍(slotted aperture)을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 701: 측면 601 내지 609 중 어느 하나에 있어서, 적어도 하나의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 포함하는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는 적어도 하나의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이의 다중 어레이가 단일 패널(single panel) 상에 형성되는 패널 수준 가공(panel-level processing) 공정에 의해 형성되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 702: 측면 701에 있어서, 상기 단일 패널은, 기판 또는 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 801: 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 가지며, 상기 방법은, 지지체 형태(support form)를 제공하는 단계; 상기 지지체 형태 상에 폴리머의 시트를 배치하는 단계; 스탬핑 형태(stamping form)를 제공하고, 지지체 형태에 의해 지지되는 폴리머의 시트를 아래에서 위로 스탬핑하는 단계로, 상기 스탬핑 형태는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 구성된 돌출부를 포함하며, 상기 스탬핑은 폴리머의 시트의 대체된 재료, 폴리머의 시트 내에 어레이로 배열된 블라인드 단부를 갖는 복수의 함몰부, 및 복수의 함몰부 각각을 둘러싸는 폴리머의 시트의 복수의 융기된 벽을 생성하고, 여기서 복수의 융기된 벽은 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 형성하는 것인, 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 함몰부로 충전하는 단계로, 상기 복수의 함몰부의 각각의 함몰부는 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하고, 폴리머의 시트는 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 가지고, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)의 먼 단부는 폴리머의 시트의 복수의 융기된 벽의 상부면에 가까운 것인, 단계; 임의로, 폴리머의 시트의 복수의 융기된 벽의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 상기 유전체(Dk) 조성물을 복수의 융기된 벽의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계; 및 복수의 융기된 벽, 복수의 함몰부, 및 상기 복수의 함몰부에 형성되는 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 갖는 폴리머 재료의 스탬핑된 시트를 포함하는 생성된 어셈블리를 지지체 형태로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 802: 측면 801에 있어서, 상기 방법은, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 배치되는 스탬핑된 폴리머 시트를 갖는 기판 상에 어셈블리를 배치하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 803: 측면 801에 있어서, 상기 방법은, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 배치되는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 먼 단부를 갖는 기판 상에 어셈블리를 배치하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 804: 측면 802 또는 803에 있어서, 상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 805: 측면 801 내지 804 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 806: 측면 805에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 807: 측면 801 내지 806 중 어느 하나에 있어서, 상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 808: 측면 801 내지 807 중 어느 하나에 있어서, 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 융기된 벽은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 809: 측면 801 내지 808 중 어느 하나에 있어서, 적어도 부분적으로 경화하는 단계는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 901: 이에 따라 사용하기 위한 측면 801 내지 809 중 어느 하나의 스탬핑 형태를 제조하는 방법으로서, 상기 방법은, 기판의 상부 위에 금속층을 갖는 기판을 제공하는 단계로, 상기 금속층은 기판을 커버하는 것인, 단계; 금속층의 상부 위에, 금속층을 커버하는 포토레지스트를 배치하는 단계; 상기 포토레지스트의 상부 위에 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부를 포함하여 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계; 적어도 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계; 금속층으로부터 전자기(EM) 방사선에 노출된 상기 노출된 포토레지스트를 제거하여, 어레이로 배열된 나머지 포토레지스트에 사실상 동일하게 구성된 복수의 포켓을 생성하는 단계; 복수의 포켓을 그 안에 갖는 남아 있는 포토레지스트의 모든 노출된 면에 금속 코팅을 적용하는 단계; 복수의 포켓을 충전하고, 남아 있는 금속 코팅된 포토레지스트를 스탬프-적합성 금속(stamp-suitable metal)으로 금속층의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 커버하는 단계; 상기 금속층의 바닥으로부터 기판을 제거하는 단계; 상기 금속층을 제거하는 단계; 및 남아 있는 포토레지스트를 제거하여 스탬핑 형태를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

측면 902: 측면 901에 있어서, 상기 기판은, 금속; 전기 절연성 재료; 웨이퍼; 실리콘 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 다이옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 알루미늄 옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 사파이어 기판 또는 웨이퍼; 게르마늄 기판 또는 웨이퍼; 갈륨 비소 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 및 게르마늄의 합금 기판 또는 웨이퍼; 또는 인듐 포스파이드 기판 또는 웨이퍼; 중 어느 하나를 포함하고; 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고; 상기 금속 코팅은 금속 적층을 통해 적용되고; 상기 스탬프-적합성 금속은 니켈을 포함하고; 상기 기판은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고; 상기 금속층은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고; 노출된 포토레지스트 및 남아 있는 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

측면 1001: 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 지지체 형태를 제공하는 단계; 상기 지지체 형태의 상부 위에 포토레지스트의 층을 배치하는 단계; 상기 포토레지스트의 상부 위에 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부를 포함하여 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계; 적어도 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계; 지지체 형태로부터 전자기(EM) 방사선에 노출된 상기 노출된 포토레지스트를 제거하여, 어레이로 배열된 나머지 포토레지스트에 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부를 생성하는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 남아 있는 포토레지스트 내의 복수의 개구부로 충전하는 단계로, 복수의 충전된 개구부는 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP) 중 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 제공하고, 남아 있는 포토레지스트는 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 것인, 단계; 임의로, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 유전체(Dk) 조성물을 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계; 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP) 및 그 안에 형성되는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 지지체 형태로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1002: 측면 1001에 있어서, 상기 방법은, 기판을 제공하고, 상기 기판에 생성된 어셈블리를 부착하는 단계;를 더 포함하고, 상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고, 노출된 포토레지스트 및 남아 있는 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되고, 적어도 부분적으로 경화하는 단계는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1003: 측면 1001 또는 1002에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1004: 측면 1003에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1005: 측면 1001 내지 1004 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1006: 측면 1001 내지 1005 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 개구부는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1101: 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 상부 위에 포토레지스트의 층을 배치하는 단계; 상기 포토레지스트의 상부 위에 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일한 형태의 불투명한 커버를 포함하여, 불투명한 커버로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트, 및 불투명한 커버로 커버되지 않는 영역에 노출된 포토레지스트를 제공하는, 단계; 적어도 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계; 기판으로부터 비-노출된 포토레지스트를 제거하여, 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하는 어레이로 배열된 남아 있는 포토레지스트의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 생성하는, 단계; 임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)을 스탬핑 형태를 통해 볼록한 먼 단부를 갖는 돔 구조로 성형하는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 제1 유전체 부분(1DP)들 사이의 공간으로 충전하는 단계로, 충전된 공간은 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP) 중 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 것인, 단계; 임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 유전체(Dk) 조성물을 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)에 의해 둘러싸인 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1102: 측면 1101에 있어서, 임의로 성형하는 단계는, 리플로우(reflow)를 유발하지만 포토레지스트의 경화를 일으키지 않는 온도에서 복수의 제1 유전체 부분(1DP)에 스탬핑 형태를 적용함으로써 성형한 후, 성형된 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 적어도 부분적으로 경화하여 돔 형상을 유지하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1103: 측면 1101 또는 1102에 있어서, 상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고, 상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고, 비-노출된 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되고, 적어도 부분적으로 경화하는 단계는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1104: 측면 1101 내지 1103 중 어느 하나에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1105: 측면 1104에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1106: 측면 1101 내지 1105 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1107: 측면 1101 내지 1106 중 어느 하나에 있어서, 각각의 불투명한 커버는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1201: 이에 따라 사용하기 위한 측면 1101 내지 1107 중 어느 하나의 스탬핑 형태를 제조하는 방법으로서, 상기 방법은, 기판의 상부 위에 금속층을 갖는 기판을 제공하는 단계로, 상기 금속층은 기판을 커버하는 것인, 단계; 금속층의 상부 위에, 금속층을 커버하는 포토레지스트의 층을 배치하는 단계; 상기 포토레지스트의 상부 위에 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일한 형태의 불투명한 커버를 포함하여, 불투명한 커버로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트를 제공하고, 불투명한 커버로 커버되지 않는 영역에 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계; 적어도 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계; 금속층으로부터 전자기(EM) 방사선 노출된 상기 노출된 포토레지스트를 제거하여, 어레이로 배열된 남아 있는 포토레지스트의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 생성하는 단계; 리플로우(reflow)를 유발하지만 포토레지스트를 경화시키지 않는 온도에서 성형된 포토레지스트를 형성하도록 남아 있는 포토레지스트의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분의 각각에 성형 형태를 적용함으로써 성형한 후, 남아 있는 포토레지스트의 성형된 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 적어도 부분적으로 경화하여 복수의 사실상 동일하게 형성된 형태를 유지하는 단계; 사실상 동일하게 형성된 형태를 갖는 남아 있는 포토레지스트의 모든 노출된 면에 금속 코팅을 적용하는 단계; 사실상 동일하게 형성된 형태들 사이의 공간을 충전하고, 남아 있는 금속 코팅된 포토레지스트를 금속층의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 스탬프-적합성 금속으로 커버하는 단계; 금속층의 바닥으로부터 기판을 제거하는 단계; 금속층을 제거하는 단계; 및 남아 있는 포토레지스트를 제거하여, 스탬핑 형태를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

측면 1202: 측면 1201에 있어서, 상기 기판은, 금속; 전기 절연성 재료; 웨이퍼; 실리콘 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 다이옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 알루미늄 옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 사파이어 기판 또는 웨이퍼; 게르마늄 기판 또는 웨이퍼; 갈륨 비소 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 및 게르마늄의 합금 기판 또는 웨이퍼; 또는 인듐 포스파이드 기판 또는 웨이퍼; 중 어느 하나를 포함하고; 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고; 상기 금속 코팅은 금속 적층을 통해 적용되고; 상기 스탬프-적합성 금속은 니켈을 포함하고; 상기 기판은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고; 상기 금속층은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고; 노출된 포토레지스트 및 남아 있는 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

측면 1301: 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 상부 위에 포토레지스트의 층을 배치하는 단계; 상기 포토레지스트의 상부 위에 그레이 스케일 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 그레이 스케일 포토마스크는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일한 형태의 커버를 포함하고, 상기 그레이 스케일 포토마스크의 커버는 부분적으로 반투명한 외부 영역으로 전이되는 불투명한 중앙 영역을 포함하여, 불투명한 영역으로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트, 부분적으로 반투명한 영역으로 커버되는 영역에 부분적으로 노출된 포토레지스트, 커버로 커버되지 않는 영역에 완전히 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계; 그레이 스케일 포토마스크 및 완전히 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계; 전자기(EM) 방사선에 노출된 부분적으로 및 완전히 노출된 포토레지스트를 제거하여, 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 남아 있는 포토레지스트를 생성하는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 제1 유전체 부분(1DP)들 사이의 공간으로 충전하는 단계로, 충전된 공간은 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP) 중 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 것인, 단계; 임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 유전체(Dk) 조성물을 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여, 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)에 의해 둘러싸이는 사실상 동일하게 성형된 형태를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 어셈블리를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1302: 측면 1301에 있어서, 상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고, 상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고, 부분적으로 및 완전히 노출된 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되고, 적어도 부분적으로 경화하는 단계는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1303: 측면 1301 또는 1302에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1304: 측면 1303에 있어서, 상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1305: 측면 1301 내지 1304 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1306: 측면 1301 내지 1305 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 돔 형태; 원뿔 형태; 절두 원뿔(frustoconical) 형태; 원통 형태; 고리 형태; 또는 직사각 형태; 중 어느 하나를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.

측면 1401: 이에 따라 사용하기 위한 측면 1101 내지 1107 중 어느 하나의 스탬핑 형태를 제조하는 방법으로서, 상기 방법은, 기판의 상부 위에 금속층을 갖는 기판을 제공하는 단계로, 상기 금속층은 기판을 커버하는 것인, 단계; 금속층의 상부 위에, 금속층을 커버하는 포토레지스트의 층을 배치하는 단계; 상기 포토레지스트의 상부 위에 그레이 스케일 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 그레이 스케일 포토마스크는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일한 형태의 커버를 포함하고, 상기 그레이 스케일 포토마스크의 커버는 부분적으로 반투명한 외부 영역으로 전이되는 불투명한 중앙 영역을 포함하여, 불투명한 영역으로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트, 부분적으로 반투명한 영역으로 커버되는 영역에 부분적으로 노출된 포토레지스트, 커버로 커버되지 않는 영역에 완전히 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계; 그레이 스케일 포토마스크 및 완전히 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계; 전자기(EM) 방사선에 노출된 부분적으로 및 완전히 노출된 포토레지스트를 제거하여, 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 남아 있는 포토레지스트를 생성하는 단계; 사실상 동일하게 성형된 형태를 갖는 남아 있는 포토레지스트의 전체 노출된 표면에 금속 코팅을 적용하는 단계; 금속 코팅된 사실상 동일하게 성형된 형태들 사이의 공간을 충전하고, 금속 코팅된 사실상 동일하게 성형된 형태를 금속층의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 스탬프-적합성 금속으로 커버하는 단계; 금속층의 바닥으로부터 기판을 제거하는 단계; 금속층을 제거하는 단계; 및 남아 있는 포토레지스트를 제거하여, 스탬핑 형태를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

측면 1402: 측면 1401에 있어서, 상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고; 상기 금속 코팅은 금속 적층을 통해 적용되고; 상기 스탬프-적합성 금속은 니켈을 포함하고; 상기 기판은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고; 상기 금속층은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고; 노출된 포토레지스트 및 남아 있는 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

측면 1403: 측면 1401 또는 1402에 있어서, 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

측면 1404: 측면 1401 내지 1403 중 어느 하나에 있어서, 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 각각은 돔 형태; 원뿔 형태; 절두 원뿔(frustoconical) 형태; 원통 형태; 고리 형태; 또는 직사각 형태; 중 어느 하나를 갖는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

Claims (140)

1. 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서,
   상기 방법은,
   어레이로 배열된 제1 복수의 오목부들(recess) 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계;
   상기 제1 복수의 오목부들을, 완전 경화 후 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전하는 단계;
   상기 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전된 제1 복수의 오목부들 중 다수의 오목부의 상부 위에 및 다수의 오목부를 가로질러 기판을 배치하고, 상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계; 및
   상기 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 제거하여, 기판과, 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하는 단계로, 각각의 복수의 유전체(Dk) 형태는 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 의해 정의된 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 방법은,
   상기 제1 유전체(Dk) 조성물로 충전된 제1 복수의 오목부들 중 다수의 오목부의 상부 위에 및 다수의 오목부를 가로질러 기판을 배치하는 단계 후에, 및 상기 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 제거하는 단계 전에,
   기판의 상부 위에 제2 몰드 부분을 배치하는 단계;
   제1 몰드 부분을 향해서 제2 몰드 부분을 압축하고, 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계; 및
   제1 몰드 부분에 대해 제2 몰드 부분을 분리시키는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 기판은, 유전체(Dk)층; 금속층; 유전체(Dk)층과 금속층의 조합; 복수의 슬롯(slot)을 갖는 금속층-복수의 슬롯의 각각은 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨-; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(substrate integrated waveguide, SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크(signal feed network);를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 방법은,
   제1 몰드 부분을 제공하는 단계 전에, 어레이로 배열된 제2 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 예비-몰드 부분(first pre-mold portion)을 제공하는 단계로, 제2 복수의 오목부들의 각각은 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부보다 큰 것인, 단계;
   상기 제2 복수의 오목부들을, 완전 경화 후 공기의 유전 상수보다 크고 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물로 충전하는 단계;
   상기 제1 예비-몰드 부분의 상부 위에 제2 예비-몰드 부분을 배치하는 단계로, 제2 예비-몰드 부분은 제2 복수의 오목부들의 각각의 오목부와 일대일 대응으로 및 어레이로 배열된 복수의 개구부(opening)를 갖는 것인, 단계;
   상기 제2 예비-몰드 부분의 상부 위에 제3 예비-몰드 부분을 배치하는 단계로, 상기 제3 예비-몰드 부분은 어레이로 배열된 돌출부(projection)들 중 복수의 사실상 동일한 돌출부를 가지며, 돌출부들 중 사실상 동일한 돌출부는 제2 예비-몰드 부분의 개구부의 대응하는 개구부 및 제2 복수의 오목부의 대응하는 오목부에 삽입되어, 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료를 제공된 돌출부의 부피와 동일한 부피만큼 대체시키는(displacing) 단계;
   제2 예비-몰드 부분을 향해 제3 예비-몰드 부분을 압축하고, 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계; 및
   제2 예비-몰드 부분에 대해 제3 예비-몰드 부분을 분리시켜, 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물을 그 안에 갖는 몰드 형태를 수득하는 단계로, 상기 몰드 형태는 제1 몰드 부분을 제공하는 역할을 하고, 어레이로 배열된 제1 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계를 확립하는 것인, 단계;를 더 포함하고,
   상기 제거 단계는 제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 제거하여, 기판, 및 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물의 어레이 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물의 대응하는 어레이를 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하고, 복수의 유전체(Dk) 형태의 각각은 제1 복수의 오목부 및 제2 복수의 오목부의 대응하는 오목부에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   복수의 유전체(Dk) 형태는 기판 상에 배치되는 복수의 유전체 공진기 안테나(dielectric resonator antenna, DRA)를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
6. 제4항에 있어서,
   복수의 유전체(Dk) 형태는 기판 상에 배치되는 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA) 및 상기 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA)와 일대일 대응으로 배치되는 제2 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체 렌즈(dielectric lense) 또는 유전체 도파관(dielectric waveguide)을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
7. 제1항에 있어서,
   상기 제1 몰드 부분은 제1 복수의 오목부들 중 인접한 오목부와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널(connecting channel)을 포함하고, 이는 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물로 제1 복수의 오목부들을 충전하는 단계 동안 충전되어, 기판, 및 복수의 유전체(Dk) 형태 중 인접하는 유전체(Dk) 형태와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 구조와 함께 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하고, 여기서 비교적 얇은 연결 구조는 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물, 비교적 얇은 연결 구조 및 단일 모놀리식(single monolithic)을 형성하는 충전된 제1 복수의 오목부를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
8. 제4항에 있어서,
   상기 제2 예비-몰드 부분은 제2 복수의 오목부들 중 인접한 오목부와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널을 포함하고, 이는 제공된 돌출부의 부피와 동일한 부피만큼 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료를 대체시키는 동안 충전되어, 기판, 및 복수의 유전체(Dk) 형태 중 인접하는 유전체(Dk) 형태와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 구조와 함께 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하고, 여기서 비교적 얇은 연결 구조는 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물, 비교적 얇은 연결 구조 및 단일 모놀리식을 형성하는 충전된 제2 복수의 오목부를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 복수의 오목부를 충전하는 단계, 제2 복수의 오목부를 충전하는 단계, 또는 제1 및 제2 복수의 오목부 모두를 충전하는 단계는,
   각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 대응하는 오목부로 붓고(pouring) 스퀴징(squeegeeing)하는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
   
10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 복수의 오목부를 충전하는 단계, 제2 복수의 오목부를 충전하는 단계, 또는 제1 및 제2 복수의 오목부 모두를 충전하는 단계는,
    각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 유전체 필름을 대응하는 오목부로 각인(imprinting)하는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계, 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계, 또는 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물 및 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물 모두를 적어도 부분적으로 경화하는 단계는,
    약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 각각의 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상이고, 대안적으로 9 이상이고, 추가 대안적으로 18 이상이고, 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔(1,2-butadiene), 2,3-부탄디엔(2,3-butadiene), 이소프렌(isoprene), 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시(epoxy), 알릴화 폴리페닐렌 에테르(allylated polyphenylene ether), 시아네이트 에스테르(cyanate ester), 임의로 공-경화성 가교 결합제(co-curable crosslinking agent), 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
14. 제13항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드(titanium dioxide) (루틸(rutile) 및 아나타제(anatase)), 바륨 티타네이트(barium titanate), 스트론튬 티타네이트(strontium titanate), 실리카(융합된 비결정질 실리카(fused amorphous silica)를 포함), 커런덤(corundum), 규회석(wollastonite), Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구(solid glass sphere), 합성 중공 유리 구(synthetic hollow glass sphere), 세라믹 중공 구(ceramic hollow sphere), 석영, 보론 나이트라이드(boron nitride), 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride), 실리콘 카바이드(silicon carbide), 베릴리아(beryllia), 알루미나(alumina), 알루미나 트리하이드레이트(alumina trihydrate), 마그네시아(magnesia), 운모(mica), 탈크(talc), 나노 클레이(nanoclay), 마그네슘 하이드록사이드(magnesium hydroxide), 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    3차원(3D) 형태는 x-y 평면 횡단면(x-y plane cross-section)에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
16. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제1 몰드 부분을 제공하기 전에,
    어레이로 배열된 제2 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 예비-몰드 부분을 제공하는 단계로, 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부는 제1 복수의 오목부들의 대응하는 오목부보다 더 큰 것인, 단계;
    제1 평균 유전 상수보다 작고 완전 경화 후 공기보다 큰 제2 평균 유전 상수를 갖는 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물로 제2 복수의 오목부들을 충전하는 단계;
    제1 예비-몰드 부분의 상부 위에 제2 예비-몰드 부분을 배치하는 단계로, 제2 예비-몰드 부분은 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부와 일대일 대응으로 및 어레이로 배열되는 복수의 개구부를 갖는 것인, 단계;
    기판, 및 제2 예비-몰드 부분의 상부 위에 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 배치하는 단계로, 상기 어셈블리는 제2 예비-몰드 부분의 개구부들 중 대응하는 개구부 및 제2 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 삽입되는 복수의 유전체(Dk) 형태를 가져, 제공된 유전체(Dk) 형태의 부피와 동일한 부피만큼 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부의 제2 유전체(Dk) 재료를 대체시키는 것인, 단계;
    제2 예비-몰드 부분을 향해 어셈블리를 압축하고, 경화성 제2 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계;
    제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물과 함께 기판을 분리 및 제거하여, 기판, 및 적어도 부분적으로 경화된 제1 유전체(Dk) 조성물의 어레이 및 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물의 대응하는 어레이를 포함하는 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하는 단계로, 복수의 유전체(Dk) 형태의 각각은 제1 복수의 오목부들 및 제2 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태를 갖는 것인, 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
17. 제16항에 있어서,
    상기 기판은, 유전체(Dk)층; 금속층; 유전체(Dk)층과 금속층의 조합; 복수의 슬롯(slot)을 갖는 금속층-복수의 슬롯의 각각은 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨-; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 복수의 유전체(Dk) 형태는 기판 상에 배치된 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA)를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
19. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    복수의 유전체(Dk) 형태는 기판 상에 배치되는 제1 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체 공진기 안테나(DRA) 및 복수의 DRA과 일대일 대응으로 배치되는 제2 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 복수의 유전체 렌즈 또는 유전체 도파관을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
20. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 예비-몰드 부분은 제2 복수의 오목부들 중 인접한 오목부와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널을 포함하고, 이는 제공된 유전체(Dk) 형태의 부피와 동일한 부피만큼 제2 복수의 오목부들 중 각각의 오목부에 제2 유전체(Dk) 재료를 대체시키는 단계 동안 충전되어, 기판, 및 복수의 유전체(Dk) 형태 중 인접하는 유전체(Dk) 형태와 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 구조와 함께 복수의 유전체(Dk) 형태를 포함하는 어셈블리를 생성하고, 여기서 비교적 얇은 연결 구조는 적어도 부분적으로 경화된 제2 유전체(Dk) 조성물, 비교적 얇은 연결 구조 및 단일 모놀리식(single monolithic)을 형성하는 충전된 제2 복수의 오목부를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
21. 하나 이상의 제1 유전체 부분(1DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 방법은,
    어레이로 배열되고, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하도록 구성된 제1 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 포함하는 제1 몰드 부분을 제공하는 단계로, 상기 제1 몰드 부분은 복수의 오목부들 중 인접한 오목부를 상호 연결하는 복수의 비교적 얇은 연결 채널을 더 포함하는 것인, 단계;
    완전 경화 후 공기보다 큰 평균 유전 상수를 갖는 경화성 유전체(Dk) 조성물로 비교적 얇은 연결 채널 및 제1 복수의 오목부들을 충전하는 단계;
    제1 몰드 부분의 상부 위에 제2 몰드 부분을 그 사이에 배치된 경화성 유전체(Dk) 조성물과 함께 배치하는 단계;
    제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하고, 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계;
    제1 몰드 부분에 대해 제2 몰드 부분을 분리시키는 단계; 및
    제1 몰드 부분으로부터 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 생성하는 단계로, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태의 각각은 제1 복수의 오목부 및 상호 연결되는 복수의 비교적 얇은 연결 채널에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태를 가지며, 상기 제1 복수의 오목부들에 의해 정의되는 3차원(3D) 형태는 전자기(EM) 구조에서 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 제공하는 것인, 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
22. 제21항에 있어서,
    상기 제2 몰드 부분은 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태에 정렬 특징(alignment feature)을 제공하기 위해 배치된 적어도 하나의 오목부를 포함하고,
    상기 제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하는 단계는, 경화성 유전체(Dk) 조성물의 일부를 적어도 하나의 오목부로 대체시키는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
23. 제21항에 있어서,
    상기 제1 몰드 부분은 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태에 정렬 특징을 제공하기 위해 배치된 적어도 하나의 제1 돌출부를 포함하고,
    상기 제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하는 단계는, 경화성 유전체(Dk) 조성물의 일부를 적어도 하나의 제1 돌출부 주변에 대체시키는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
24. 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 몰드 부분 및 제2 몰드 부분의 적어도 하나는 어레이의 형태로 분할된 패널 세트를 제공하기 위한 복수의 오목부들의 서브 세트(subset) 주변에 분할 돌출부(segmenting projection)를 포함하고,
    상기 제1 몰드 부분을 향해 제2 몰드 부분을 압축하는 단계는, 분할 돌출부에 근접한 제1 몰드 부분과 제2 몰드 부분 사이에 면대면 접촉으로부터 멀리 경화성 유전체(Dk) 조성물의 일부를 대체시키는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
25. 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 몰드 부분은 제2 복수의 오목부들을 더 포함하고, 제2 복수의 오목부들의 각각의 오목부는 제1 복수의 오목부들 중 하나와 일대일 대응으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 대한 유전체(Dk) 절연체를 제공하기 위해 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 몰드 부분은 제2 복수의 오목부들 중 하나와 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제2 돌출부를 더 포함하고, 각각의 제2 돌출부는 제2 복수의 오목부들의 대응하는 오목부 내에 중앙으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 대한 향상된 유전체(Dk) 절연체를 제공하기 위해 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
27. 제25항에 있어서,
    상기 제2 몰드 부분은 제1 몰드 부분의 제2 복수의 오목부들 중 하나와 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제3 돌출부를 더 포함하고, 각각의 제3 돌출부는 제1 몰드 부분의 제2 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부 내에 중앙으로 배치되고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태로 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 대한 향상된 유전체(Dk) 절연체를 제공하기 위해 제1 몰드 부분의 제1 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부를 사실상 둘러싸도록 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
28. 제21항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계는,
    약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 가열하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
29. 제21항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 완전히 경화하고, 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태의 후면에 접착제를 적용하는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
30. 제21항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
31. 제21항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
32. 제31항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
33. 제21항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
34. 제22항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 배치하는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
35. 제34항에 있어서,
    상기 기판은, 유전체(Dk)층; 금속층; 유전체(Dk)층과 금속층의 조합; 복수의 슬롯(slot)을 갖는 금속층-복수의 슬롯의 각각은 복수의 충전된 오목부의 충전된 오목부와 일대일 대응으로 배치됨-; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 또는 기판 집적형 도파관(SIW); 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
36. 제34항 또는 제35항에 있어서,
    상기 기판 상에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 배치하는 단계는,
    기판 상에 대응하는 수용 특징(reception feature)을 갖는 정렬 특징(alignment feature)을 정렬하고, 기판에 적어도 하나의 유전체(Dk) 형태를 접착시키는 단계를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
37. 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서,
    상기 방법은,
    유전체(Dk) 재료의 시트를 제공하는 단계;
    어레이로 배열된 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 시트 내에 형성하고, 시트의 비-오목 부분은 복수의 오목부들 중 개별 오목부들 사이에 연결 구조를 형성하는 단계;
    완전 경화 후에 공기보다 큰 제1 평균 유전 상수를 갖는 경화성 유전체(Dk) 조성물로 복수의 오목부를 충전하는 단계로, 유전체(Dk) 재료의 시트는 제1 평균 유전 상수와 상이한 제2 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계; 및
    경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
38. 제37항에 있어서,
    상기 제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수보다 작은 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
39. 제37항 또는 제38항에 있어서,
    상기 방법은,
    경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계 이후에, 시트를 각각의 타일로 커팅하는 단계로, 각각의 타일은 이들 사이에 배치되는 연결 구조의 일부와 함께, 적어도 부분적으로 경화된 유전체(Dk) 조성물을 갖는 복수의 오목부들의 서브세트의 어레이를 포함하는 것인, 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
40. 제37항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형성 단계는, 하향식(top-down manner)으로 복수의 오목부들을 스탬핑(stamping) 또는 각인하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
41. 제37항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형성 단계는, 상향식(bottom-up manner)으로 복수의 오목부들을 엠보싱(embossing)하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
42. 제37항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 충전 단계는, 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 오목부로 붓고 스퀴징하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
43. 제37항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형성 단계는,
    시트의 제1면으로부터, 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 시트 내에 형성하는 단계로, 복수의 오목부들의 각각은 깊이(H5)를 갖는, 단계; 및
    시트의 대향하는 제2면으로부터, 복수의 오목부들과 일대일 대응으로 복수의 함몰부(depression)들을 형성하는 단계로, 복수의 함몰부들의 각각은 깊이(H6)를 가지며, 여기서 깊이(H6)는 깊이(H5) 이하인 것인, 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
44. 제43항에 있어서,
    복수의 함몰부들의 각각은 복수의 오목부들 중 각각의 대응하는 오목부에서 측벽을 둘러싸는 블라인드 포켓(blind pocket)을 형성하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
45. 제43항 또는 제44항에 있어서,
    복수의 함몰부들의 각각은 복수의 오목부들 중 대응하는 오목부에 대해 중앙으로 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
46. 제37항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서,
    경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계는,
    약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
47. 제37항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제공 단계는, 평평한 형태로 유전체(Dk) 재료의 시트를 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 충전 단계는, 평평한 형태의 시트의 복수의 오목부들을 한 번에 하나 이상의 오목부를 충전하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
48. 제37항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제공 단계는, 롤 상에 유전체(Dk) 재료의 시트를 제공하고, 형성 단계 이후의 단계를 위해 상기 유전체(Dk) 재료의 시트를 펼치는(unrolling) 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
49. 제48항에 있어서,
    상기 방법은,
    패턴 롤러(pattern roller) 및 유전체(Dk) 재료의 롤의 다운스트림에 대향하는 압축 롤러(compression roller)를 제공하는 단계;
    패턴 롤의 다운스트림에 유전체(Dk) 조성물의 디스펜서 유닛(dispenser unit)을 제공하는 단계;
    상기 디스펜서 유닛의 다운스트림에 경화 유닛(curing unit)을 제공하는 단계; 및
    상기 경화 유닛의 다운스트림에 마감 롤러(finish roller)를 제공하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
50. 제49항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 패턴 롤러의 다운스트림에, 상기 디스펜서 유닛의 업스트림에 제1 인장 롤러(tensioning roller)를 제공하는 단계; 및
    상기 제1 인장 롤러의 다운스트림에, 상기 경화 유닛의 업스트림에 제2 인장 롤러를 제공하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
51. 제50항에 있어서,
    상기 방법은,
    제2 인장 롤러와 협조하고 제2 인장 롤러에 대향하도록 배치된 스퀴즈 유닛(squeegee unit)을 제공하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
52. 제49항 내지 제51항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은,
    유전체(Dk) 재료의 롤로부터 유전체(Dk) 재료의 시트를 펼치는 단계;
    펼쳐진 유전체(Dk) 재료의 시트를 패턴 롤러와 대향하는 압축 롤러 사이에 통과시키는 단계로, 여기서 어레이로 배열된 복수의 오목부들 중 사실상 동일한 오목부를 시트 내에 형성하는 단계가 발생하여, 패터닝된 시트를 생성하는, 단계;
    상기 패터닝된 시트를 디스펜서 유닛에 근접하게 통과시키는 단계로, 경화성 유전체(Dk) 조성물로 복수의 오목부들을 충전하는 단계가 발생하여, 충전된 패터닝된 시트를 생성하는, 단계;
    상기 충전된 패터닝된 시트를 경화 유닛에 근접하게 통과시키는 단계로, 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계가 발생하여, 적어도 부분적으로 경화된 시트를 생성하는, 단계; 및
    적어도 부분적으로 경화된 시트를 후속 가공을 위한 마감 롤러로 통과시키는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
53. 제52항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 패터닝된 시트를 디스펜서 유닛에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 패터닝된 시트를 제1 인장 롤러와 연결하는 단계; 및
    상기 충전된 패터닝된 시트를 경화 유닛에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 충전된 패터닝된 시트를 제2 인장 롤러와 연결하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
54. 제53항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 충전된 패터닝된 시트를 경화 유닛에 근접하게 통과시키는 단계 전에, 충전된 패터닝된 시트를 스퀴즈 유닛과 대향하는 제2 인장 롤러와 연결하여, 충전 및 스퀴징된 패터닝된 시트를 생성하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
55. 제37항 내지 제54항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
56. 제37항 내지 제55항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
57. 제56항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
58. 제37항 내지 제57항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 오목부들의 각각의 오목부는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
59. 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조로서,
    제1 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하는 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분; 및
    상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 노출된 면의 적어도 일부 상에 등각으로 배치되는 수 불침투성 층(water impervious layer), 수 배리어 층(water barrier layer), 또는 발수층(water repellent layer);을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
60. 제59항에 있어서,
    상기 수 불침투성 층, 수 배리어 층, 또는 발수층은 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 적어도 노출된 상부 및 최외각 측면 상에 등각으로 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
61. 제59항 또는 제60항에 있어서,
    상기 수 불침투성 층, 수 배리어 층, 또는 발수층은 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 모든 노출된 면 상에 등각으로 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
62. 제59항 내지 제61항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수 불침투성 층, 수 배리어 층, 또는 발수층은 30 미크론 이하, 대안적으로 10 미크론 이하, 대안적으로 3 미크론 이하, 대안적으로 1 미크론 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
63. 제59항 내지 제62항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분은 유전체(Dk) 성분의 어레이를 형성하는 x × y 배열로 배열되는 복수의 유전체(Dk) 성분을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
64. 제63항에 있어서,
    복수의 유전체(Dk) 성분의 각각은 비교적 얇은 연결 구조를 통해 복수의 유전체(Dk) 성분 중 적어도 하나의 다른 유전체(Dk) 성분에 물리적으로 연결되고, 각각의 연결 구조는 복수의 유전체(Dk) 성분 중 하나의 전체 외측 치수에 비해 비교적 얇고, 각각의 연결 구조는 각각 연결된 유전체(Dk) 성분의 전체 높이보다 낮은 횡단면 전체 높이를 가지며, 유전체(Dk) 성분의 유전체(Dk) 재료로부터 형성되고, 각각의 비교적 얇은 연결 구조 및 복수의 유전체(Dk) 성분은 단일 모놀리식을 형성하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
65. 제64항에 있어서,
    비교적 얇은 연결 구조는 모놀리식으로 통합 형성된 적어도 하나의 정렬 특징을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
66. 제65항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 정렬 특징은 돌출부, 오목부, 중공(hole), 또는 이들 정렬 특징의 임의의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
67. 제63항 내지 제66항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전체(Dk) 성분의 어레이는 복수의 유전체(Dk) 성분 중 각각의 유전체 성분과 일대일 대응으로 배열되는 복수의 유전체(Dk) 절연체를 포함하고,
    각각의 유전체(Dk) 절연체는 복수의 유전체(Dk) 성분의 대응하는 유전체 성분을 사실상 둘러싸도록 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
68. 제67항에 있어서,
    복수의 유전체(Dk) 절연체의 각각은 복수의 유전체(Dk) 성분의 높이(H1) 이하의 높이(H2)를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
69. 제67항 또는 제68항에 있어서,
    상기 유전체(Dk) 절연체의 각각은 비어 있는(hollow) 내부 부분을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
70. 제69항에 있어서,
    비어 있는 내부는 상부에서 개방되거나, 하부에서 개방되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
71. 제67항 내지 제70항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 유전체(Dk) 절연체는 복수의 유전체(Dk) 성분과 통합 형성되어 모놀리식을 형성하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
72. 제63항 내지 제71항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각은 제1 유전체 부분(1DP)을 포함하고, 상기 적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각은 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 더 포함하고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 제2 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하고,
    각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 가까운 단부(proximal end) 및 먼 단부(distal end)를 가지고;
    각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 가지고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)의 가까운 단부는 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)의 먼 단부 부근에 배치되고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)의 먼 단부는 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)의 먼 단부에서 정의된 거리만큼 떨어져 배치되고,
    제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수보다 작은 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
73. 제72항에 있어서,
    각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 제2 유전체 부분(2DP)들 중 인접한 제2 유전체 부분(2DP)과 통합 형성되어, 제2 유전체 부분(2DP)의 모놀리식을 형성하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
74. 제59항 내지 제73항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
75. 제63항에 있어서,
    적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각은 높이(H1)를 갖는 제1 유전체 부분(1DP)을 포함하고,
    적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각은 제2 평균 유전 상수를 갖는 공기 이외의 유전체(Dk) 재료를 포함하는 높이(H3)를 갖는 제2 유전체 부분(2DP)을 더 포함하고,
    상기 제2 유전체 부분(2DP)은 복수의 오목부들을 포함하고, 상기 복수의 오목부들의 각각의 오목부는 제1 유전체 부분(1DP)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)으로 충전되고,
    상기 제2 유전체 부분(2DP)은 제1 유전체 부분(1DP)의 각각을 사실상 둘러싸고;
    상기 제2 평균 유전 상수는 제1 평균 유전 상수 보다 작은 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
76. 제75항에 있어서,
    높이(H1)는 높이(H3)와 동일한 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
77. 제75항에 있어서,
    상기 제2 유전체 부분(2DP)은 제1 유전체 부분(1DP)의 각각에 종속된 비교적 얇은 연결 구조를 포함하고, 상기 제2 유전체 부분(2DP) 및 비교적 얇은 연결 구조는 모놀리식을 형성하고, 높이(H1)는 높이(H3)보다 작은 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
78. 제63항 내지 제77항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수 불침투성 층, 수 배리어 층, 또는 발수층은 어레이의 모든 노출된 면 상에 등각으로 배치되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
79. 제59항 내지 제78항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 평균 유전 상수는 5 이상, 대안적으로 9 이상, 추가 대안적으로 18 이상, 및 100 이하인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
80. 제59항 내지 제79항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 평균 유전 상수를 갖는 유전체(Dk) 재료는 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 경화성 유전체(Dk) 조성물을 포함하는 것인, 방법.
    
81. 제80항에 있어서,
    상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 방법.
    
82. 제59항 내지 제81항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각의 유전체(Dk) 성분은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
83. 제59항 내지 제82항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 유전체(Dk) 성분의 각각의 유전체(Dk) 성분은 유전체 공진기 안테나(DRA)인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
84. 제72항 내지 제83항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 유전체 렌즈 또는 도파관인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조.
    
85. 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)에 일대일 대응으로 배치되는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 가지며, 제공된 제1 유전체 부분(1DP)의 먼 단부는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 제공된 제1 유전체 부분(1DP)의 가까운 단부의 횡단면보다 작은 횡단면을 가지며,
    상기 방법은,
    지지체 형태를 제공하는 단계;
    적어도 하나의 어레이로 배열되는 제2 유전체 부분(2DP) 중 복수의 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 단계로, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)은 적어도 부분적으로 경화되고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 포함하고, 제공된 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 가까운 단부는 블라인드 단부를 갖는 중앙으로 배치된 함몰부를 포함하고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)를 지지체 형태 상에 배치하고, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 함몰부는 복수의 제1 유전체 부분(1DP) 중 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하도록 구성되는 것인, 단계;
    경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태(flowable form)를 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 함몰부에 충전시키는 단계로, 상기 유전체(Dk) 조성물은 완전히 경화될 때 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 제2 평균 유전 상수보다 큰, 완전히 경화될 때 제1 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계;
    지지체 형태 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 가까운 단부를 가로질러 스퀴징하여 임의의 과잉 경화성 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 유전체(Dk) 조성물을 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 제2 유전체 부분(2DP)의 가까운 단부와 적어도 같은 높이로 남겨두는 단계;
    경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계;
    제2 유전체 부분(2DP)의 적어도 하나의 어레이와 그 안에 형성되는 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 지지체 형태로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
86. 제85항에 있어서,
    상기 지지체 형태는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 적어도 하나의 어레이 중 제공된 어레이 주변에 융기된 벽(raised wall)을 포함하고, 상기 충전 및 스퀴징 단계는,
    경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 함몰부 및 지지체 형태의 융기된 벽의 에지(edge)까지 충전시켜, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 함몰부가 충전되고, 관련된 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 가까운 단부가 특정 두께(H6)로 유전체(Dk) 조성물로 커버되는 것인, 단계; 및
    지지체 형태의 융기된 벽을 가로질러 스퀴징하여 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 유전체(Dk) 조성물을 융기된 벽의 에지와 같은 높이로 남겨두는 단계로, 두께(H6)의 유전체(Dk) 조성물은 복수의 제1 유전체 부분(1DP)과 통합 형성되는 연결 구조를 제공하는 것인, 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
87. 제85항 또는 제86항에 있어서,
    복수의 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)의 적어도 하나의 어레이는 지지체 형태 상에 배치되는 통합 형성된 제2 유전체 부분(2DP)의 복수의 어레이 중 하나이고,
    복수의 제2 유전체 부분(2DP)은 열가소성 폴리머를 포함하고,
    복수의 제1 유전체 부분(1DP)은 열경화성 유전체(Dk) 재료를 포함하고,
    적어도 부분적으로 경화하는 단계는, 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
88. 제87항에 있어서,
    상기 열가소성 폴리머는 고온 폴리머이고;
    상기 유전체(Dk) 재료는 무기 미립자 재료를 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
89. 제86항 내지 제88항 중 어느 한 항에 있어서,
    두께(H6)는 약 0.002 인치인 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
90. 제85항 내지 제89항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
91. 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조를 제조하기 위한 몰드로서,
    상기 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는, 제1 평균 유전 상수를 갖는 제1 영역; 제2 평균 유전 상수를 갖는 제1 영역의 바깥쪽의 제2 영역; 제3 평균 유전 상수를 갖는 제2 영역의 바깥쪽의 제3 영역; 및 제2 평균 유전 상수를 갖는 제3 영역의 바깥쪽의 제4 영역;을 포함하고,
    상기 몰드는, 서로 함께 또는 서로 결합되어 통합 형성되는 복수의 유닛 셀을 포함하고,
    각각의 유닛 셀은, 전자기(EM) 구조의 제1 영역을 형성하도록 구성된 제1 부분; 전자기(EM) 구조의 제2 영역을 형성하도록 구성된 제2 부분; 전자기(EM) 구조의 제3 영역을 형성하도록 구성된 제3 부분; 전자기(EM) 구조의 제4 영역을 형성하도록 구성된 제4 부분; 유닛 셀의 외부 경계를 형성 및 정의하도록 구성된 제5 부분;을 포함하고,
    상기 제1 부분, 제2 부분, 제3 부분, 제4 부분, 및 제5 부분은 모두 모놀리식 유닛 셀을 제공하기 위해 단일 재료로부터 서로 통합 형성되고,
    상기 제1 부분 및 제5 부분은 모놀리식 유닛 셀의 단일 재료를 포함하고, 상기 제2 부분 및 제4 부분은 모놀리식 유닛 셀의 단일 재료가 없고, 상기 제3 부분은 모놀리식 유닛 셀의 단일 재료의 존재 및 부재의 조합을 가지며, 및
    상기 제2 부분 및 제4 부분, 및 제3 부분의 단지 일부는 경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 수용하도록 구성되는 것인, 몰드.
    
92. 제91항에 있어서,
    몰드의 유닛 셀로부터 제조되는 단일 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는 가까운 단부 및 먼 단부를 갖는 유전체(Dk) 조성물의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조되는 3차원(3D) 바디(body)를 포함하고,
    상기 3차원(3D) 바디는 3차원(3D) 바디의 중앙으로 배치되는 제1 영역을 포함하고, 제1 영역은 3차원(3D) 바디의 먼 단부로 연장되고 공기를 포함하며,
    상기 3차원(3D) 바디는, 제2 평균 유전 상수가 제1 평균 유전 상수보다 큰 유전체(Dk) 조성물의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조된 제2 영역을 포함하고, 상기 제2 영역은 3차원(3D) 바디의 가까운 단부에서 먼 단부로 연장되며,
    상기 3차원(3D) 바디는, 제3 평균 유전 상수가 제2 평균 유전 상수보다 작은 유전체(Dk) 조성물의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터, 부분적으로 공기로부터 제조된 제3 영역을 포함하고, 상기 제3 영역은 3차원(3D) 바디의 가까운 단부에서 먼 단부로 연장되며,
    상기 제3 영역은 제2 영역과 통합되고 모놀리식이며, 제2 영역으로부터 바깥쪽으로, z-축에 대해 방사상으로 연장되는 유전체(Dk) 조성물의 적어도 부분적으로 경화된 형태로부터 제조되는 돌출부를 포함하고,
    상기 돌출부의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 횡단면 전체 길이(L1), 및 횡단면 전체 폭(W1)을 가지며, 횡단면 전체 길이(L1) 및 횡단면 전체 폭(W1)이 각각 λ 미만이고, 여기서 λ는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조가 전자기적으로 여기되는 경우 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 작동 파장이고,
    3차원(3D) 바디의 적어도 제2 영역의 모든 노출된 면은 3차원(3D) 바디의 가까운 단부에서 먼 단부로 몰드의 드래프트된(drafted) 측벽을 통해 안쪽으로 드래프트되는 것인, 몰드.
    
93. 제92항에 있어서,
    상기 몰드의 유닛 셀로부터 제조된 단일 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는,
    x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형상, 및 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형상을 각각 갖는 3차원(3D) 바디의 제1 영역 및 제2 영역을 더 포함하는 것인, 몰드.
    
94. 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 가지며, x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이, 먼 단부는 가까운 단부의 횡단면보다 작은 횡단면을 가지며,
    상기 방법은,
    캐리어(carrier)를 제공하는 단계;
    상기 캐리어 상에 기판을 배치하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 스텐실링 마스크(stenciling mask)를 배치하는 단계로, 상기 제1 스텐실링 마스크는 적어도 하나의 어레이로 배열되는 복수의 개구부를 포함하고, 각각의 개구부는 제1 유전체 부분(1DP)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하기 위한 형태를 포함하는 것인, 단계;
    경화성 제1 유전체(Dk) 조성물의 제1 유동성 형태를 제1 스텐실링 마스크의 개구부로 충전하는 단계로, 제1 유전체(Dk) 조성물은 경화 후 제1 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계;
    제1 스텐실링 마스크의 상부면을 가로 질러 스퀴징하여 임의의 과잉 제1 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 제1 유전체(Dk) 조성물을 제1 스텐실링 마스크의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계; 및
    경화성 제1 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하고, 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계;
    제1 스텐실링 마스크를 제거하는 단계; 및
    기판 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 캐리어로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
95. 제94항에 있어서,
    상기 방법은,
    제1 스텐실링 마스크를 제거한 후에, 기판 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 제거하는 단계 전에,
    기판 상에 제2 스텐실링 마스크를 배치하는 단계로, 제2 스텐실링 마스크는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 형성하기 위해 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 서브세트를 둘러싸도록 구성 및 배치되는 격벽(partitioning wall)으로 둘러싸인 개구부를 포함하고, 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이 각각은 제2 유전체 부분(2DP)에 감싸지는 것인, 단계; 및
    경화성 제2 유전체(Dk) 조성물의 제2 유동성 형태를 제2 스텐실링 마스크의 개구부로 충전하는 단계로, 상기 제2 유전체(Dk) 조성물은 경화 후 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 것인, 단계;
    제2 스텐실링 마스크의 상부면을 가로질러 스퀴징하여 임의의 과잉 제2 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 제2 유전체(Dk) 조성물을 제2 스텐실링 마스크의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계;
    경화성 제2 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하고, 제2 유전체 부분(2DP)에 감싸지는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 형성하는 단계;
    제2 스텐실링 마스크를 제거하는 단계; 및
    기판 및 여기에 부착된 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)에 감싸지는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 캐리어로부터 제거하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
96. 제94항에 있어서,
    상기 방법은,
    제1 스텐실링 마스크를 제거한 후에, 기판 및 여기에 부착된 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 제거하는 단계 전에,
    기판 상에 제2 스텐실링 마스크를 배치하는 단계로, 제2 스텐실링 마스크는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 개별 제1 유전체 부분(1DP)을 커버하는 커버, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 개별 제1 유전체 부분(1DP)을 둘러싸는 개구부, 복수의 제1 유전체 부분(1DP) 중 각각의 제1 유전체 부분(1DP)이 전기 전도성 구조로 둘러싸이는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 형성하기 위해 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 서브세트를 둘러싸는 격벽을 포함하는 것인, 단계;
    경화성 조성물의 유동성 형태를 제2 스텐실링 마스크의 개구부로 충전하는 단계로, 상기 경화성 조성물은 완전히 경화되는 경우에 전기 전도성인 것인, 단계;
    제2 스텐실링 마스크의 상부면을 가로 질러 스퀴징하여 임의의 과잉 경화성 조성물을 제거하고, 상기 경화성 조성물을 제2 스텐실링 마스크의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계;
    상기 경화성 조성물을 적어도 부분적으로 경화하고, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)이 전기 전도성 구조로 둘러싸이는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 형성하는 단계;
    제2 스텐실링 마스크를 제거하는 단계; 및
    기판 및 여기에 부착되는 각각의 제1 유전체 부분(1DP)이 전기 전도성 구조로 둘러싸이는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 캐리어로부터 제거하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
97. 제94항 내지 제96항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
98. 제97항에 있어서,
    상기 경화성 제1 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
99. 제94항 내지 제98항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
    
100. 제96항 내지 제99항 중 어느 한 항에 있어서,
     상기 경화성 조성물은, 금속 입자를 포함하는 폴리머; 구리 입자를 포함하는 폴리머; 알루미늄 입자를 포함하는 폴리머; 은(silver) 입자를 포함하는 폴리머; 전기 전도성 잉크(electrically conductive ink); 카본 잉크(carbon ink); 또는 상기 경화성 조성물의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
101. 제96항 내지 제100항 중 어느 한 항에 있어서,
     상기 전기 전도성 구조는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
102. 제94항 내지 제101항 중 어느 한 항에 있어서,
     상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍(slotted aperture)을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
103. 제94항 내지 제102항 중 어느 한 항에 있어서,
     적어도 하나의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이를 포함하는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조는 적어도 하나의 제1 유전체 부분(1DP)의 어레이의 다중 어레이가 단일 패널(single panel) 상에 형성되는 패널 수준 가공(panel-level processing) 공정에 의해 형성되는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
104. 제103항에 있어서,
     상기 단일 패널은, 기판 또는 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
105. 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)은 가까운 단부 및 먼 단부를 가지며,
     상기 방법은,
     지지체 형태(support form)를 제공하는 단계;
     상기 지지체 형태 상에 폴리머의 시트를 배치하는 단계;
     스탬핑 형태(stamping form)를 제공하고, 지지체 형태에 의해 지지되는 폴리머의 시트를 아래에서 위로 스탬핑하는 단계로, 상기 스탬핑 형태는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 구성된 돌출부를 포함하며, 상기 스탬핑은 폴리머의 시트의 대체된 재료, 폴리머의 시트 내에 어레이로 배열된 블라인드 단부를 갖는 복수의 함몰부, 및 복수의 함몰부 각각을 둘러싸는 폴리머의 시트의 복수의 융기된 벽을 생성하고, 여기서 복수의 융기된 벽은 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 형성하는 것인, 단계;
     경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 함몰부로 충전하는 단계로, 상기 복수의 함몰부의 각각의 함몰부는 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하고, 폴리머의 시트는 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 가지고, 각각의 제1 유전체 부분(1DP)의 먼 단부는 폴리머의 시트의 복수의 융기된 벽의 상부면에 가까운 것인, 단계;
     임의로, 폴리머의 시트의 복수의 융기된 벽의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하고, 상기 유전체(Dk) 조성물을 복수의 융기된 벽의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계;
     경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계; 및
     복수의 융기된 벽, 복수의 함몰부, 및 상기 복수의 함몰부에 형성되는 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 갖는 폴리머 재료의 스탬핑된 시트를 포함하는 생성된 어셈블리를 지지체 형태로부터 제거하는 단계;
     를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
106. 제105항에 있어서,
     상기 방법은, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 배치되는 스탬핑된 폴리머 시트를 갖는 기판 상에 어셈블리를 배치하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
107. 제105항에 있어서,
     상기 방법은,
     기판을 제공하고, 상기 기판 상에 배치되는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 먼 단부를 갖는 기판 상에 어셈블리를 배치하는 단계;를 더 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
108. 제106항 또는 제107항에 있어서,
     상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
109. 제105항 내지 제108항 중 어느 한 항에 있어서,
     상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
110. 제109항에 있어서,
     상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
111. 제105항 내지 제110항 중 어느 한 항에 있어서,
     상기 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
112. 제106항 내지 제111항 중 어느 한 항에 있어서,
     대응하는 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 융기된 벽은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
113. 제105항 내지 제112항 중 어느 한 항에 있어서,
     적어도 부분적으로 경화하는 단계는,
     약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
114. 이에 따라 사용하기 위한 제105항 내지 제113항 중 어느 한 항의 스탬핑 형태를 제조하는 방법으로서,
     상기 방법은,
     기판의 상부 위에 금속층을 갖는 기판을 제공하는 단계로, 상기 금속층은 기판을 커버하는 것인, 단계;
     금속층의 상부 위에, 금속층을 커버하는 포토레지스트를 배치하는 단계;
     상기 포토레지스트의 상부 위에 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부를 포함하여 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계;
     적어도 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계;
     금속층으로부터 전자기(EM) 방사선에 노출된 상기 노출된 포토레지스트를 제거하여, 어레이로 배열된 나머지 포토레지스트에 사실상 동일하게 구성된 복수의 포켓을 생성하는 단계;
     복수의 포켓을 그 안에 갖는 남아 있는 포토레지스트의 모든 노출된 면에 금속 코팅을 적용하는 단계;
     복수의 포켓을 충전하고, 남아 있는 금속 코팅된 포토레지스트를 스탬프-적합성 금속(stamp-suitable metal)으로 금속층의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 커버하는 단계;
     상기 금속층의 바닥으로부터 기판을 제거하는 단계; 상기 금속층을 제거하는 단계; 및
     남아 있는 포토레지스트를 제거하여 스탬핑 형태를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.
     
115. 제114항에 있어서,
     상기 기판은, 금속; 전기 절연성 재료; 웨이퍼; 실리콘 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 다이옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 알루미늄 옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 사파이어 기판 또는 웨이퍼; 게르마늄 기판 또는 웨이퍼; 갈륨 비소 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 및 게르마늄의 합금 기판 또는 웨이퍼; 또는 인듐 포스파이드 기판 또는 웨이퍼; 중 어느 하나를 포함하고;
     상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고;
     상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고;
     상기 금속 코팅은 금속 적층을 통해 적용되고;
     상기 스탬프-적합성 금속은 니켈을 포함하고;
     상기 기판은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고;
     상기 금속층은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고;
     노출된 포토레지스트 및 남아 있는 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.
     
116. 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서,
     상기 방법은,
     지지체 형태를 제공하는 단계;
     상기 지지체 형태의 상부 위에 포토레지스트의 층을 배치하는 단계;
     상기 포토레지스트의 상부 위에 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부를 포함하여 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계;
     적어도 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계;
     지지체 형태로부터 전자기(EM) 방사선에 노출된 상기 노출된 포토레지스트를 제거하여, 어레이로 배열된 나머지 포토레지스트에 복수의 사실상 동일하게 구성된 개구부를 생성하는 단계;
     경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 남아 있는 포토레지스트 내의 복수의 개구부로 충전하는 단계로, 복수의 충전된 개구부는 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP) 중 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 제공하고, 남아 있는 포토레지스트는 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 것인, 단계;
     임의로, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 유전체(Dk) 조성물을 복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계;
     경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 형성하는 단계; 및
     복수의 제2 유전체 부분(2DP) 및 그 안에 형성되는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 생성된 어셈블리를 지지체 형태로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
117. 제116항에 있어서,
     상기 방법은, 기판을 제공하고, 상기 기판에 생성된 어셈블리를 부착하는 단계;를 더 포함하고,
     상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고,
     상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고; 상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고,
     노출된 포토레지스트 및 남아 있는 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되고,
     적어도 부분적으로 경화하는 단계는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
118. 제116항 또는 제117항에 있어서,
     상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
119. 제118항에 있어서,
     상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
120. 제116항 내지 제119항 중 어느 한 항에 있어서,
     복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
121. 제116항 내지 제120항 중 어느 한 항에 있어서,
     복수의 제2 유전체 부분(2DP)의 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)의 각각의 개구부는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 내부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
122. 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서,
     상기 방법은,
     기판을 제공하는 단계;
     상기 기판의 상부 위에 포토레지스트의 층을 배치하는 단계;
     상기 포토레지스트의 상부 위에 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일한 형태의 불투명한 커버를 포함하여, 불투명한 커버로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트, 및 불투명한 커버로 커버되지 않는 영역에 노출된 포토레지스트를 제공하는, 단계;
     적어도 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계;
     기판으로부터 비-노출된 포토레지스트를 제거하여, 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 대응하는 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하는 어레이로 배열된 남아 있는 포토레지스트의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 생성하는, 단계;
     임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각의 제1 유전체 부분(1DP)을 스탬핑 형태를 통해 볼록한 먼 단부를 갖는 돔 구조로 성형하는 단계;
     경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 제1 유전체 부분(1DP)들 사이의 공간으로 충전하는 단계로, 충전된 공간은 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP) 중 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 것인, 단계;
     임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 유전체(Dk) 조성물을 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계;
     경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여, 복수의 제2 유전체 부분(2DP)에 의해 둘러싸인 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
123. 제122항에 있어서,
     임의로 성형하는 단계는, 리플로우(reflow)를 유발하지만 포토레지스트의 경화를 일으키지 않는 온도에서 복수의 제1 유전체 부분(1DP)에 스탬핑 형태를 적용함으로써 성형한 후, 성형된 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 적어도 부분적으로 경화하여 돔 형상을 유지하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
124. 제122항 또는 제123항에 있어서,
     상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고,
     상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고,
     상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고,
     비-노출된 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되고,
     적어도 부분적으로 경화하는 단계는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
125. 제122항 내지 제124항 중 어느 한 항에 있어서,
     상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
126. 제125항에 있어서,
     상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
127. 제122항 내지 제126항 중 어느 한 항에 있어서,
     복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
128. 제122항 내지 제127항 중 어느 한 항에 있어서,
     각각의 불투명한 커버는 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
129. 이에 따라 사용하기 위한 제116항 내지 제122항 중 어느 한 항의 스탬핑 형태를 제조하는 방법으로서,
     상기 방법은,
     기판의 상부 위에 금속층을 갖는 기판을 제공하는 단계로, 상기 금속층은 기판을 커버하는 것인, 단계;
     금속층의 상부 위에, 금속층을 커버하는 포토레지스트의 층을 배치하는 단계;
     상기 포토레지스트의 상부 위에 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 포토마스크는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일한 형태의 불투명한 커버를 포함하여, 불투명한 커버로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트를 제공하고, 불투명한 커버로 커버되지 않는 영역에 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계;
     적어도 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계;
     금속층으로부터 전자기(EM) 방사선 노출된 상기 노출된 포토레지스트를 제거하여, 어레이로 배열된 남아 있는 포토레지스트의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 생성하는 단계;
     리플로우(reflow)를 유발하지만 포토레지스트를 경화시키지 않는 온도에서 성형된 포토레지스트를 형성하도록 남아 있는 포토레지스트의 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분의 각각에 성형 형태를 적용함으로써 성형한 후, 남아 있는 포토레지스트의 성형된 복수의 사실상 동일하게 구성된 부분을 적어도 부분적으로 경화하여 복수의 사실상 동일하게 형성된 형태를 유지하는 단계;
     사실상 동일하게 형성된 형태를 갖는 남아 있는 포토레지스트의 모든 노출된 면에 금속 코팅을 적용하는 단계;
     사실상 동일하게 형성된 형태들 사이의 공간을 충전하고, 남아 있는 금속 코팅된 포토레지스트를 금속층의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 스탬프-적합성 금속으로 커버하는 단계;
     금속층의 바닥으로부터 기판을 제거하는 단계;
     금속층을 제거하는 단계; 및
     남아 있는 포토레지스트를 제거하여, 스탬핑 형태를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.
     
130. 제129항에 있어서,
     상기 기판은, 금속; 전기 절연성 재료; 웨이퍼; 실리콘 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 다이옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 알루미늄 옥사이드 기판 또는 웨이퍼; 사파이어 기판 또는 웨이퍼; 게르마늄 기판 또는 웨이퍼; 갈륨 비소 기판 또는 웨이퍼; 실리콘 및 게르마늄의 합금 기판 또는 웨이퍼; 또는 인듐 포스파이드 기판 또는 웨이퍼; 중 어느 하나를 포함하고;
     상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고;
     상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고;
     상기 금속 코팅은 금속 적층을 통해 적용되고;
     상기 스탬프-적합성 금속은 니켈을 포함하고;
     상기 기판은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고;
     상기 금속층은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고;
     노출된 포토레지스트 및 남아 있는 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.
     
131. 복수의 제1 유전체 부분(1DP), 및 복수의 제2 유전체 부분(2DP)을 갖는 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법으로서,
     상기 방법은,
     기판을 제공하는 단계;
     상기 기판의 상부 위에 포토레지스트의 층을 배치하는 단계;
     상기 포토레지스트의 상부 위에 그레이 스케일 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 그레이 스케일 포토마스크는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일한 형태의 커버를 포함하고, 상기 그레이 스케일 포토마스크의 커버는 부분적으로 반투명한 외부 영역으로 전이되는 불투명한 중앙 영역을 포함하여, 불투명한 영역으로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트, 부분적으로 반투명한 영역으로 커버되는 영역에 부분적으로 노출된 포토레지스트, 커버로 커버되지 않는 영역에 완전히 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계;
     그레이 스케일 포토마스크 및 완전히 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계;
     전자기(EM) 방사선에 노출된 부분적으로 및 완전히 노출된 포토레지스트를 제거하여, 제1 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)을 형성하는 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 남아 있는 포토레지스트를 생성하는 단계;
     경화성 유전체(Dk) 조성물의 유동성 형태를 복수의 제1 유전체 부분(1DP)들 사이의 공간으로 충전하는 단계로, 충전된 공간은 제1 평균 유전 상수보다 작은 제2 평균 유전 상수를 갖는 복수의 제2 유전체 부분(2DP) 중 대응하는 제2 유전체 부분(2DP)을 제공하는 것인, 단계;
     임의로, 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 상부면 위에 임의의 과잉 유전체(Dk) 조성물을 제거하여, 유전체(Dk) 조성물을 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 상부면과 같은 높이로 남겨두는 단계;
     경화성 유전체(Dk) 조성물을 적어도 부분적으로 경화하여, 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 복수의 제2 유전체 부분(2DP)에 의해 둘러싸이는 사실상 동일하게 성형된 형태를 갖는 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 적어도 하나의 어레이를 포함하는 어셈블리를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
132. 제131항에 있어서,
     상기 기판은, 유전체 패널; 금속 패널; 유전체 패널과 금속 패널의 조합; 인쇄된 회로판; 플렉서블한 회로판; 기판 집적형 도파관(SIW); 복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 제공된 제1 유전체 부분(1DP)과 일대일 대응으로 배치되는 복수의 슬롯형 구멍을 포함하는 금속 패널; 또는 전자기(EM) 신호 공급 네트워크; 중 어느 하나를 포함하고,
     상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고,
     상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고,
     부분적으로 및 완전히 노출된 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되고,
     적어도 부분적으로 경화하는 단계는 약 1시간 이상의 기간 동안 약 170 ℃ 이상의 온도에서 경화성 유전체(Dk) 조성물을 경화하는 단계를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
133. 제131항 또는 제132항에 있어서,
     상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 1,2-부탄디엔, 2,3-부탄디엔, 이소프렌, 또는 이들의 호모폴리머 또는 코폴리머, 에폭시, 알릴화 폴리페닐렌 에테르, 시아네이트 에스테르, 임의로 공-경화성 가교 결합제, 및 임의로 경화제를 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
134. 제133항에 있어서,
     상기 경화성 유전체(Dk) 조성물은 무기 미립자 재료를 더 포함하고, 바람직하게는 상기 무기 미립자 재료는 티타늄 다이옥사이드 (루틸 및 아나타제), 바륨 티타네이트, 스트론튬 티타네이트, 실리카(융합된 비결정질 실리카를 포함), 커런덤, 규회석, Ba₂Ti₉O₂₀, 고체 유리 구, 합성 중공 유리 구, 세라믹 중공 구, 석영, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 실리콘 카바이드, 베릴리아, 알루미나, 알루미나 트리하이드레이트, 마그네시아, 운모, 탈크, 나노 클레이, 마그네슘 하이드록사이드, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
135. 제131항 내지 제134항 중 어느 한 항에 있어서,
     복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
136. 제131항 내지 제135항 중 어느 한 항에 있어서,
     복수의 제1 유전체 부분(1DP)의 각각은 돔 형태; 원뿔 형태; 절두 원뿔(frustoconical) 형태; 원통 형태; 고리 형태; 또는 직사각 형태; 중 어느 하나를 갖는 것인, 유전체(Dk) 전자기(EM) 구조의 제조방법.
     
137. 이에 따라 사용하기 위한 제116항 내지 제122항 중 어느 한 항의 스탬핑 형태를 제조하는 방법으로서,
     상기 방법은,
     기판의 상부 위에 금속층을 갖는 기판을 제공하는 단계로, 상기 금속층은 기판을 커버하는 것인, 단계;
     금속층의 상부 위에, 금속층을 커버하는 포토레지스트의 층을 배치하는 단계;
     상기 포토레지스트의 상부 위에 그레이 스케일 포토마스크를 배치하는 단계로, 상기 그레이 스케일 포토마스크는 어레이로 배열되는 복수의 사실상 동일한 형태의 커버를 포함하고, 상기 그레이 스케일 포토마스크의 커버는 부분적으로 반투명한 외부 영역으로 전이되는 불투명한 중앙 영역을 포함하여, 불투명한 영역으로 커버되는 영역에 비-노출된 포토레지스트, 부분적으로 반투명한 영역으로 커버되는 영역에 부분적으로 노출된 포토레지스트, 커버로 커버되지 않는 영역에 완전히 노출된 포토레지스트를 제공하는 것인, 단계;
     그레이 스케일 포토마스크 및 완전히 노출된 포토레지스트를 전자기(EM) 방사선에 노출시키는 단계;
     전자기(EM) 방사선에 노출된 부분적으로 및 완전히 노출된 포토레지스트를 제거하여, 어레이로 배열된 복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 남아 있는 포토레지스트를 생성하는 단계;
     사실상 동일하게 성형된 형태를 갖는 남아 있는 포토레지스트의 전체 노출된 표면에 금속 코팅을 적용하는 단계;
     금속 코팅된 사실상 동일하게 성형된 형태들 사이의 공간을 충전하고, 금속 코팅된 사실상 동일하게 성형된 형태를 금속층의 상부면에 대해 특정 두께(H7)로 스탬프-적합성 금속으로 커버하는 단계;
     금속층의 바닥으로부터 기판을 제거하는 단계;
     금속층을 제거하는 단계; 및
     남아 있는 포토레지스트를 제거하여, 스탬핑 형태를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.
     
138. 제137항에 있어서,
     상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트이고;
     상기 전자기(EM) 방사선은 X선 또는 UV 방사선이고;
     상기 금속 코팅은 금속 적층을 통해 적용되고;
     상기 스탬프-적합성 금속은 니켈을 포함하고;
     상기 기판은 에칭 또는 그라인딩을 통해 제거되고;
     상기 금속층은 연마, 에칭 또는 연마 및 에칭의 조합을 통해 제거되고;
     노출된 포토레지스트 및 남아 있는 포토레지스트는 에칭을 통해 제거되는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.
     
139. 제137항 또는 제138항에 있어서,
     복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 각각은 x-y 평면 횡단면에서 관측되는 바와 같이 원형인 외부 횡단면 형태를 갖는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.
     
140. 제137항 내지 제139항 중 어느 한 항에 있어서,
     복수의 사실상 동일하게 성형된 형태의 각각은 돔 형태; 원뿔 형태; 절두 원뿔(frustoconical) 형태; 원통 형태; 고리 형태; 또는 직사각 형태; 중 어느 하나를 갖는 것인, 스탬핑 형태를 제조하는 방법.

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