CN111326307A - 一种渗透磁体用的涂覆材料及高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法 - Google Patents

一种渗透磁体用的涂覆材料及高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于稀土永磁材料领域，涉及一种渗透磁体用的涂覆材料及高矫顽力钕铁硼磁体制备方法。所述涂覆材料包括：合金粉末A和低熔点金属粉末B；所述合金粉末A为R粉末或RM合金粉末或RMH合金粉末；其中，R为Dy和/或Tb重稀土元素，M为Fe、或Co、或Fe和Co组成的合金，H为氢元素；所述低熔点金属粉末B为Zn、Al、Ga中一种或两种。所述制备方法包括以下步骤：将所述涂覆材料制成浆料，将浆料涂覆在钕铁硼基体表面，经过两级扩散热处理，再回火处理，得高矫顽力钕铁硼磁体。

Description

一种渗透磁体用的涂覆材料及高矫顽力钕铁硼磁体的制备 方法
技术领域
本发明属于稀土永磁材料领域，涉及一种渗透磁体用的涂覆材料及高矫顽力钕铁硼磁体制备方法。
背景技术
自1983年烧结钕铁硼问世以来，由于其优异的磁性能而广泛的应用在了IT，医疗，家电，新能源汽车等领域，被誉为“磁王”。随着市场发展，不仅要求烧结钕铁硼磁体有高磁性还要求高的耐温特性，因而需要磁体有更高的矫顽力。因此，在保证磁体磁性的同时提升磁体矫顽力成为技术研发热点。目前大多数企业提升矫顽力还是集中在熔炼时添加重稀土元素Dy(Tb)，使得相中的轻稀土元素(主要是Nd和Pr)被重稀土元素置换，通过提高晶粒各向异性场来提升矫顽力。但是该方法存在以下问题：首先Dy(Tb)进入主相形成低饱和磁化强度的Dy(Tb)2Fe14B相，进而导致磁体磁性大幅度降低，且因为Dy(Tb)大部分进入主相，只有少部分分布于晶界造成Dy(Tb)的利用率低，而大量添加Dy(Tb)无疑会增加产品成本。
晶界扩散法是指在钕铁硼烧结磁体周围提供Tb、Dy或者其化合物，在高温下使晶界相熔融，使Tb或Dy沿磁体的晶界从表面扩散到烧结磁体内部的一种方法。该技术通过将Dy(Tb)扩散热处理方式从磁体表面进入磁体晶界及晶粒外延层，起到晶界边界磁硬化作用而提升矫顽力。由于Dy(Tb)不进入主相内部，因此产品磁性基本不下降，而主相边界的“磁硬化”则大幅提升磁体矫顽力。
关于使用晶界扩散法提高磁体矫顽力的方法，日立(CN 107004500A)公开了将RLM合金粉末(RL为Nd和/或Pr，M为Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的一种或以上)涂覆在磁体表面，然后将Tb或者Dy的氧化物与树脂成分形成的片状成型体置于RLM颗粒层上，磁体放入烧结炉进行高温及时效处理使Tb或者Dy沿晶界进入烧结磁体内部。信越(CN 102468027A)公开了将粉末或薄膜形式的含HR(HR是选自Dy、Tb和Ho中的至少一种元素)的金属、化合物或金属间化合物放置在烧结体的表面上以包覆烧结体，对烧结体进行高温热处理，Dy、Tb和Ho进入磁体晶界相。这些方法本质上均是通过高温烧结使得Dy或Tb经晶界扩散到烧结磁体主相内，改善晶界和主相结合部的组织结构和成分。
但是目前的晶界扩散法也存在问题：1、扩散材料利用率相对较低，但是重稀土元素价格昂贵，存在很大的浪费；2、扩散性能一致性和均匀性较差。
发明内容
本发明针对上述现有技术中的不足之处，提供一种钕铁硼磁体渗透用表面涂覆材料以及钕铁硼磁体的制备方法，通过涂覆材料在磁体内的晶界扩散，能够有效提高钕铁硼磁体的矫顽力，还能够保持磁体的剩磁和最大磁能积。
本发明的第一个方面是提供一种渗透磁体用的涂覆材料，所述涂覆材料包括：
合金粉末A和低熔点金属粉末B；
所述合金粉末A为R粉末或RM合金粉末或RMH合金粉末；其中，R为Dy和/或Tb重稀土元素，M为Fe、或Co、或Fe和Co组成的合金，H为氢元素；
所述低熔点金属粉末B为Zn、Al、Ga中一种或多种。
作为优选，所述涂覆材料中低熔点金属粉末B的含量为3-10wt％。
作为优选，所述合金粉末A的平均粒度为1-5μm，所述低熔点金属粉末B的平均粒度为0.1-0.5μm。
作为优选，所述RM合金粉末或RMH合金粉末中，M的占比≤10wt％。
作为优选，所述M为Fe和Co组成的合金，Fe和Co元素的质量比为(1-2)：1。
作为优选，所述合金粉末A为RMH合金粉末。
作为优选，所述RMH合金粉末的制备方法包括以下步骤：
熔炼获得RM合金铸锭或铸片，通过氢碎后不脱氢处理进而得到RMH合金，将氢碎后的RMH合金经粉碎后得到RMH合金粉末，粉末平均粒度为1-2μm。
本发明的另一个方面是提供一种高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：
将本发明的第一个方面的涂覆材料制成浆料，将浆料涂覆在钕铁硼基体表面，经过两级扩散热处理，再回火处理，得高矫顽力钕铁硼磁体。
作为优选，所述浆料由以下质量百分比成分组成：
涂覆材料50-70wt％，
热塑性树脂0-8wt％，
有机溶剂为余量。
作为优选，所述两级扩散热处理为：在600-800℃下扩散5-15h，再在850-1000℃下扩散10-20h。
作为优选，所述回火处理为在350-550℃下回火4-6h。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
(1)本发明采用低熔点金属粉末B与包含Dy和/或Tb重稀土元素的合金粉末A作为涂覆材料，并采用在600-800℃下扩散5-15h，再在850-1000℃下扩散10-20h的两级扩散热处理；一方面低熔点金属粉末B的添加在热处理过程先行进入磁体晶界，打开晶界通道，提高重稀土元素的扩散效率、扩散深度以及扩散均匀性，提高磁体的矫顽力；从另一角度来说，低熔点金属粉末B的添加相对来说减少了重稀土元素含量，有效降低了成本；因此，本发明达到了降低成本的同时还能获得较高矫顽力的技术效果。
(2)本发明的RMH合金粉末，M为Fe和Co组成的合金，Fe和Co元素的质量比为(1-2)：1。Fe和Co的复配使用更有利于重稀土元素在晶界扩散的效率以及均匀一致性，且Fe、Co元素扩散进磁体的晶界处，达到修饰晶界缺陷以及细化晶粒的效果，在维持磁体剩磁和最大磁能积性能的同时提高磁体矫顽力。
(3)本发明使用热塑性树脂与涂覆材料形成浆料，热塑性树脂具有良好的粘连作用，可以提高涂覆材料与磁体的粘合力，有效防止涂覆材料的掉落。
本发明的技术方案获得的钕铁硼磁体具有均一性、一致性好，重稀土元素扩散深的优点，能够保持磁体的剩磁和最大磁能积的同时，获得较高的矫顽力。
具体实施方式
在下文中，针对本发明的涂覆材料以及高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法将详细地描述实施方式，然而，这些实施方式是示例性的，本发明公开内容不限于此。
本发明的一些实施方式中，所述渗透钕铁硼磁体用的涂覆材料包括：
合金粉末A和低熔点金属粉末B；
所述合金粉末A为R粉末或RM合金粉末或RMH合金粉末；其中，R为Dy和/或Tb重稀土元素，M为Fe和/或Co元素，H为氢元素；
所述低熔点金属粉末B为Zn、Al、Ga中一种或多种。
本发明的一些实施方式通过添加低熔点金属粉末作为扩散材料的一部分能有助于提升Dy和/或Tb重稀土元素在磁体基体晶界的扩散能力，而低成本的低熔炼金属粉末部分替代含Dy和/或Tb重稀土元素的合金粉末制作成涂覆材料，能有效降低成本。
合金粉末A和低熔点金属粉末B采用物理混合，物理混合的方法不限，可以采用常规的粉体混合设备，例如V型混合机。
本发明的一些实施方式中，合金粉末A和低熔点金属粉末B混合后，低熔点金属粉末B的含量为3-10wt％。低熔点金属粉末B在涂覆材料中的含量比例对Dy和/或Tb在晶界的扩散具有较大的影响，低熔点金属粉末B含量过高，会降低磁体的矫顽力，而低熔点金属粉末B含量过低，则无法对Dy和/或Tb在晶界的扩散起到较好的导向作用。
本发明的另一些实施方式中，低熔点金属粉末B的含量为6-8wt％，低熔点金属粉末B含量在该范围内具有更好的效果。
本发明的一些实施方式中，所述合金粉末A的平均粒度为1-5μm，所述低熔点金属粉末B的平均粒度为0.1-0.5μm。粉末粒度细化和均匀化，有利于元素扩散均匀性，扩散效率高，扩散元素能更好地包裹主相，提高磁体的密度。低熔点金属粉末B的平均粒度优选为小于合金粉末A的，粉末的粒度与熔点有关，粒度较小其熔点也会相应降低，选择平均粒度更小的低熔点金属粉末B，这在烧结时更有利于低熔点金属粉末B和合金粉末A在磁体晶界的循序扩散。
本发明的一些实施方式中，所述RM合金粉末或RMH合金粉末中，M的占比≤10wt％。R元素与M元素形成的合金熔点低于单质R元素的熔点，R元素以RM合金形式扩散可以降低后续的热处理温度，减少能量损耗；RM合金形式降低液相熔点，为扩散提供更多通道，扩散更容易进行，更多的R元素扩散进入磁体内部。M的占比控制在10wt％以内，过多的M反而会影响R元素扩散效率。进一步优选，M的占比为3-8wt％。
RM合金粉末可以通过如熔盐电解法、还原法等方法制备而得，熔盐电解法举例为：R的氧化物在氟化物熔体(如Dy2F3、LiF、TbF3、NaF、LiF、BaF2等)中电解出单质R再与M元素合金化，浇铸粉碎而得。RM合金粉末的平均粒度为1-5μm。
RMH合金粉末制备方法优选为包括以下步骤：熔炼获得RM合金铸锭或铸片，通过氢碎后不脱氢处理进而得到RMH合金，将氢碎后的RMH合金经粉碎后得到RMH合金粉末，粉末平均粒度为1-2μm。
氢碎工艺过程包括：将RM合金铸锭或铸片置于氢破炉中，通入氢气，使得炉中氢压为0.01-1MPa，吸氢一段时间破碎得到RMH合金，吸氢时间长短与RMH合金粉末中的H元素含量高低有关，可根据实际需要控制吸氢时间。
氢碎后的粉碎可为常规的粉碎工艺，如气流磨粉碎。所述气流磨粉碎较佳地在氧含量20ppm以下的氮气或氩气惰性气氛中进行。气流磨粉碎获得平均粒度为1-2μm的粉末。
本发明的一些优选实施方式中，M为Fe和Co组成的合金，Fe和Co元素的质量比为(1-2)：1。Fe和Co的复配使用更有利于重稀土元素在晶界扩散的效率以及均匀一致性，Fe、Co元素扩散进磁体的晶界处，达到修饰晶界缺陷以及细化晶粒的效果。
本发明的一些优选实施方式中，所述合金粉末A为RMH合金粉末，R粉末或RM粉末在制备过程中易氧化，RMH合金粉末中因氢元素的存在可以有效阻隔其与氧发生反应而被氧化，从而一定程度上提高了磁性能。H元素含量没有具体限制，可根据实际需要引入，通过控制吸氢工艺来控制H元素的含量。
本发明的一些实施方式中，高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤：
将涂覆材料制成浆料，将浆料涂覆在钕铁硼基体表面，经过两级扩散热处理，再回火处理，得高矫顽力钕铁硼磁体。
所述涂覆材料包括：
合金粉末A和低熔点金属粉末B；
所述合金粉末A为R粉末或RM合金粉末或RMH合金粉末；其中，R为Dy和/或Tb重稀土元素，M为Fe、或Co、或Fe和Co组成的合金，H为氢元素；
所述低熔点金属粉末B为Zn、Al、Ga中一种或两种。
本发明的一些实施方式中，所述浆料由以下质量百分比成分组成：
涂覆材料50-70wt％，
热塑性树脂0-8wt％，
有机溶剂为余量。
所述热塑性树脂可列举为聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩乙醛、聚乙烯醇等，所述有机溶剂为醇类(如甲醇、乙醇)、酮类(如丙酮等)有机溶剂。
涂覆材料可直接添加至有机溶剂中形成浆料，也可与热塑性树脂一起添加至有机溶剂中形成浆料。涂覆材料在热塑性树脂存在下形成的浆料具有更好的涂覆包裹均匀性和扩散一致性，因此优选添加热塑性树脂的浆料，热塑性树脂在浆料中的含量优选为2-5wt％。
将浆料涂覆在钕铁硼基体表面，涂覆的形式有很多种，可以列举为喷射法、浸渍或浸泡法、利用分配器的涂布等。本发明优选为浸泡，即将钕铁硼基体浸泡在所述浆料中。本发明对所述涂覆的用量没有特别限制，可以根据实际产品要求进行调整，以满足均匀全面涂覆即可。本发明优选为浆料涂覆量为钕铁硼基体的0.7-2.0wt％。
本发明的一些实施方式中，将浆料涂覆在钕铁硼基体表面后，经过两级扩散热处理，第一级扩散热处理在600-800℃下进行，扩散5-15h，第二级扩散热处理在850-1000℃下进行，扩散10-20h。
在600-800℃温度下，涂覆材料中的低熔点金属粉末先行熔化进入晶界，对重稀土元素的扩散具有导向作用，并改善晶界渗透效果，为重稀土元素的扩散提供更多通道。再在850-1000℃下扩散热处理，RMH凭借晶界低熔点通道快速扩散，提高扩散效率、扩散深度以及扩散均匀性，同时使磁体完全脱氢。
第一级扩散热处理时间和第二级扩散热处理时间不宜太短和太长，热处理时间太短，元素还未完全渗入磁体，而时间太长，晶粒长大，均不利于磁体磁性能。
两级扩散热处理后进行低温回火处理，所述回火处理为在350-550℃下回火4-6h。
所述两级扩散热处理和回火处理均在惰性气氛下或真空环境中进行，惰性气体优选使用氦、氩气体。
下面通过具体实施例对本发明的技术方案作进一步描述说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。如果无特殊说明，本发明的实施例中所采用的原料均为本领域常用的原料，实施例中所采用的方法，均为本领域的常规方法。
涂覆材料实施例1
本实施例涂覆材料由94wt％Dy-Fe合金粉末和6wt％Al粉混合而成。Dy-Fe合金粉末的平均粒度为2μm，Al粉的平均粒度为0.3μm。
Dy-Fe合金粉末中，Fe含量为8wt％。
涂覆材料实施例2
本实施例涂覆材料由94wt％Dy-Fe-H合金粉末和6wt％Al粉混合而成。Dy-Fe-H合金粉末的平均粒度为2μm，Al粉的平均粒度为0.3μm。
Dy-Fe-H合金粉末中，Fe含量为8wt％，H元素含量为0.8％。
涂覆材料实施例3
本实施例涂覆材料由94wt％Dy-Fe-Co-H合金粉末和6wt％Al粉混合而成。Dy-Fe-Co-H合金粉末的平均粒度为2μm，Al粉的平均粒度为0.3μm。
Dy-Fe-Co-H合金粉末中，Fe含量为4wt％，Co含量为4wt％，H元素含量为0.8％。
涂覆材料实施例4
实施例4的涂覆材料与实施例3的区别仅在于，实施例4的Dy-Fe-Co-H合金粉末中，Fe含量为2wt％，Co含量为6wt％，H元素含量为0.8％。其它与实施例3相同。
涂覆材料实施例5
实施例5的涂覆材料与实施例3的区别仅在于，实施例5的涂覆材料由96wt％Dy-Fe-Co-H合金粉末和4wt％Al粉混合而成。其它与实施例3相同。
涂覆材料实施例6
实施例6的涂覆材料与实施例3的区别仅在于，实施例6的涂覆材料由98wt％Dy-Fe-Co-H合金粉末和2wt％Al粉混合而成。其它与实施例3相同。
涂覆材料实施例7
实施例7的涂覆材料与实施例3的区别仅在于，实施例7的涂覆材料由88wt％Dy-Fe-Co-H合金粉末和12wt％Al粉混合而成。其它与实施例3相同。
涂覆材料实施例8
实施例8的涂覆材料与实施例3的区别仅在于，实施例8的Dy-Fe-Co-H合金粉末中，Fe含量为6wt％，Co含量为6wt％，H元素含量为0.8％。其它与实施例3相同。
涂覆材料实施例9
实施例9的涂覆材料与实施例3的区别仅在于，实施例9的Dy-Fe-Co-H合金粉末的平均粒度为0.3μm，Al粉的平均粒度为2μm。
涂覆材料实施例10
本实施例涂覆材料由93wt％Tb-Fe-Co-H合金粉末和7wt％Zn粉混合而成。Tb-Fe-Co-H合金粉末的平均粒度为1.5μm，Zn粉的平均粒度为0.4μm。
Tb-Fe-Co-H合金粉末中，Fe含量为4wt％，Co含量为3wt％，H元素含量为0.5％。
制备方法实施例1-9
分别将涂覆材料实施例1-实施例9的涂覆材料与聚乙烯醇缩丁醛一起加入乙醇溶液中，形成浆料，浆料的涂覆材料和聚乙烯醇缩丁醛的质量百分比分别为65wt％和3wt％。
将9块经熔炼、制粉、成型、烧结步骤制备的牌号为38H的钕铁硼基体(50mm*50mm*3mm)，分别放入涂覆材料实施例1-实施例9形成的浆料中浸泡涂覆，使其表面均匀涂覆有浆料，浆料涂覆量为钕铁硼基体的1wt％，取出烘干，将涂覆浆料的钕铁硼基体放入烧结炉中，抽真空至0.01Pa，然后通入氩气气氛，在氩气气氛中，700℃下进行第一级扩散热处理7h，接着升温至980℃，进行第二级扩散热处理13h，再降温至500℃回火处理5h，得到钕铁硼磁体1-9。
制备方法实施例10
将涂覆材料实施例10的涂覆材料与聚乙烯醇缩乙醛一起加入乙醇溶液中，形成浆料，浆料的涂覆材料和聚乙烯醇缩乙醛的质量百分比分别为60wt％和4wt％。
将经熔炼、制粉、成型、烧结步骤制备的牌号为N50的钕铁硼基体(50mm*50mm*3mm)，放入涂覆材料实施例10形成的浆料中浸泡涂覆，使其表面均匀涂覆有浆料，浆料涂覆量为钕铁硼基体的1.5wt％，取出烘干，将涂覆浆料的钕铁硼基体放入烧结炉中，抽真空至0.01Pa，然后通入氩气气氛，在氩气气氛中，600℃下进行第一级扩散热处理9h，接着升温至950℃，进行第二级扩散热处理15h，再降温至400℃回火处理4h，得到钕铁硼磁体10。
制备方法实施例11
制备方法实施例11与制备方法实施例3的区别仅在于：将涂覆浆料的钕铁硼基体放入烧结炉中，抽真空至0.01Pa，然后通入氩气气氛，在氩气气氛中，700℃下进行第一级扩散热处理2h，接着升温至980℃，进行第二级扩散热处理13h，再降温至500℃回火处理5h，得到钕铁硼磁体11。
制备方法实施例12
制备方法实施例12与制备方法实施例3的区别仅在于：将涂覆浆料的钕铁硼基体放入烧结炉中，抽真空至0.01Pa，然后通入氩气气氛，在氩气气氛中，700℃下进行第一级扩散热处理7h，接着升温至980℃，进行第二级扩散热处理8h，再降温至500℃回火处理5h，得到钕铁硼磁体12。
制备方法对比例1
制备方法对比例1与制备方法实施例3的区别仅在于：将涂覆浆料的钕铁硼基体放入烧结炉中，抽真空至0.01Pa，然后通入氩气气氛，在氩气气氛中，980℃进行扩散热处理13h，再降温至500℃回火处理5h，得到钕铁硼磁体13。
制备方法对比例2
制备方法对比例2与制备方法实施例3的区别仅在于：将涂覆浆料的钕铁硼基体放入烧结炉中，抽真空至0.01Pa，然后通入氩气气氛，在氩气气氛中，980℃进行扩散热处理16h，再降温至500℃回火处理5h，得到钕铁硼磁体14。
制备方法对比例3
制备方法对比例3与制备方法实施例3的区别仅在于：将涂覆浆料的钕铁硼基体放入烧结炉中，抽真空至0.01Pa，然后通入氩气气氛，在氩气气氛中，980℃进行扩散热处理20h，再降温至500℃回火处理5h，得到钕铁硼磁体15。
将制备的钕铁硼磁体1-15进行磁体性能测试，数据如表1所示。
钕铁硼磁体 剩磁(kGs) 最大磁能积(MGOe) 矫顽力(kOe)
38H钕铁硼基体 12.41 37.3 17.4
N50钕铁硼基体 14.11 48.2 13.5
钕铁硼磁体1 12.20 36.5 24.8
钕铁硼磁体2 12.40 37.1 27.0
钕铁硼磁体3 12.43 37.4 28.5
钕铁硼磁体4 12.41 37.2 27.4
钕铁硼磁体5 12.37 36.9 26.2
钕铁硼磁体6 12.22 36.3 24.2
钕铁硼磁体7 12.28 36.5 25.3
钕铁硼磁体8 12.37 36.8 25.1
钕铁硼磁体9 12.38 37.0 26.4
钕铁硼磁体10 14.12 48.1 22.1
钕铁硼磁体11 12.28 36.7 25.4
钕铁硼磁体12 12.21 36.5 25.0
钕铁硼磁体13 12.13 36.1 23.6
钕铁硼磁体14 12.15 36.3 23.9
钕铁硼磁体15 12.11 36.0 23.8
钕铁硼磁体1和钕铁硼磁体2的磁体性能数据表明：Dy-Fe-H合金粉末中H元素的存在一定程度上提高了磁体性能。分析钕铁硼磁体2-4的数据可知，Fe和Co的复配使用更有利于Dy元素的扩散，最终提高磁体性能，Fe和Co元素的质量比控制在(1-2)：1相对而言具有更好的效果。低熔点金属粉末B在涂覆材料中的比例对重稀土元素在晶界扩散具有很大的影响，比较钕铁硼磁体3、5-7的性能数据可知，Al粉含量过高和过低均不利于Dy元素扩散，表现出磁体性能尤其是矫顽力的降低。钕铁硼磁体8的Fe和Co占比Dy-Fe-Co-H合金粉末的12wt％，矫顽力的降低显著。钕铁硼磁体11的第一级扩散热处理时间和钕铁硼磁体12的第二级扩散热处理时间较短，元素渗透不完全，磁体性能下降显著。钕铁硼磁体13-15直接采用980℃的高温热处理，Dy-Fe-Co-H合金和Al粉几乎同步渗入磁体内部，Dy的扩散效率、扩散深度及扩散均匀性下降，表现出磁体性能下降。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (10)

1.一种渗透磁体用的涂覆材料，其特征在于，所述涂覆材料包括：
合金粉末A和低熔点金属粉末B；
所述合金粉末A为R粉末或RM合金粉末或RMH合金粉末；其中，R为Dy和/或Tb重稀土元素，M为Fe、或Co、或Fe和Co组成的合金，H为氢元素；
所述低熔点金属粉末B为Zn、Al、Ga中一种或多种。
2.根据权利要求1所述的涂覆材料，其特征在于，所述涂覆材料中低熔点金属粉末B的含量为3-10wt％。
3.根据权利要求1所述的涂覆材料，其特征在于，所述合金粉末A的平均粒度为1-5μm，所述低熔点金属粉末B的平均粒度为0.1-0.5μm。
4.根据权利要求1所述的涂覆材料，其特征在于，所述RM合金粉末或RMH合金粉末中，M的占比≤10wt％。
5.根据权利要求1或4所述的涂覆材料，其特征在于，所述M为Fe和Co组成的合金，Fe和Co元素的质量比为(1-2)：1。
6.根据权利要求1所述的涂覆材料，其特征在于，所述合金粉末A为RMH合金粉末，所述RMH合金粉末的制备方法包括以下步骤：
熔炼获得RM合金铸锭或铸片，通过氢碎后不脱氢处理进而得到RMH合金，将氢碎后的RMH合金经粉碎后得到RMH合金粉末，粉末平均粒度为1-2μm。
7.一种高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
将权利要求1所述的涂覆材料制成浆料，将浆料涂覆在钕铁硼基体表面，经过两级扩散热处理，再回火处理，得高矫顽力钕铁硼磁体。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述浆料由以下质量百分比成分组成：
涂覆材料50-70wt％，
热塑性树脂0-8wt％，
有机溶剂为余量。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述两级扩散热处理为：在600-800℃下扩散5-15h，再在850-1000℃下扩散10-20h。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述回火处理为在350-550℃下回火4-6h。
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