CN111253939A - 三维非铅无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料及合成与应用 - Google Patents

三维非铅无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料及合成与应用 Download PDF

Info

Publication number
CN111253939A
CN111253939A CN201811452919.9A CN201811452919A CN111253939A CN 111253939 A CN111253939 A CN 111253939A CN 201811452919 A CN201811452919 A CN 201811452919A CN 111253939 A CN111253939 A CN 111253939A
Authority
CN
China
Prior art keywords
indium
double perovskite
bismuth
perovskite material
containing compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811452919.9A
Other languages
English (en)
Inventor
韩克利
韩沛耿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Original Assignee
Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian Institute of Chemical Physics of CAS filed Critical Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Priority to CN201811452919.9A priority Critical patent/CN111253939A/zh
Publication of CN111253939A publication Critical patent/CN111253939A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/7428Halogenides
    • C09K11/7435Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开了一系列三维非铅全无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料,其步骤包括将氯化铯、含氯化银、含铋化合物、含铟化合物加入到反应釜中,再加入浓盐酸,在160‑180℃反应15h;反应结束后,冷却至室温,快速抽滤,将得到的晶体放入真空烘箱中60±5℃保持12h。本发明制备方法简单,解决了铅基钙钛矿的毒性问题,并提高了有机无机钙钛矿的稳定性。同时作为一种单一暖白光荧光粉,覆盖在商业紫外发光二极管上,组装成暖白光发光二极管器件,在光电领域具有良好的应用前景。

Description

三维非铅无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料及合成与应用
技术领域
本发明属于发光二极管技术领域,具体涉及一种新型发光二极管发光材料合成和应用。
背景技术
有机-无机铅基钙钛矿材料具有良好的光电性质,已被用于制备发光二极管、太阳能电池和光电探测器等设备。照明耗电占了整个人类用电的20%左右,所以白光钙钛矿材料受到全世界科研工作者的广泛关注。但是,铅的毒性和有机阳离子的不稳定性,严重制约了其大规模应用。
因此,为了环境友好和可持续发展,采用无毒或低毒的非铅元素代替铅,相对稳定的无机阳离子代替有机阳离子,是钙钛矿材料发展的必然趋势。目前,具有白色荧光的全无机三维非铅钙钛矿材料还没有被报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一系列非铅全无机铋掺杂银铟基双钙钛矿暖白光材料及其制备方法,该材料制备简单,环保无毒,光电性能优异,有望用于发光二极管等光电器件。
一系列三维非铅全无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料,其特征在于,所述双钙钛矿材料化学式为Cs2AgBixIn1-xCl6(0<x≤0.125),该双钙钛矿材料是由铋离子取代铟离子,且不破坏Cs2AgInCl6的面心立方结构。
所述三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的制备方法如下:
按所需计量比将氯化铯、含氯化银、含铟化合物、含铋化合物、加入到20ml反应釜中,再加入盐酸,在160-180℃反应15h;反应结束后,4℃/h冷却至室温,抽滤,将得到的晶体放入真空干燥箱中60±5℃保持12h。
所述的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的合成方法,其特征在于:制备过程中所用的含铟化合物为氯化铟或氧化铟中的一种。
所述的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的合成方法,其特征在于:制备过程中所用的含铋化合物为氯化铋或三氧化二铋中的一种。
所述的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的合成方法,其特征在于制备过程中:每合成1mmol Cs2AgBixIn1-xCl6(0<x≤0.125)需要5-8ml 12mol/L浓盐酸。
所述的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的应用,其特点在于该材料的光学带隙在2.93eV,激发态寿命可以达到910ns,可作为光敏材料适合用于紫外光电探测器中。
所述的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的应用,其特点在于该材料在室温下有很强的暖白荧光,荧光峰很宽,覆盖了整个可见光区,峰中心位置在600nm,可作为单一暖白光荧光粉,适合用于暖白光发光二极管的荧光层。
所述的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的应用,其特点在于该材料的荧光量子产率高达70.3%,可作为发光材料用于发光二极管中电致发光。
所述的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料,其特征在于该材料可以在25℃、55%相对湿度或在0.6个太阳光照下稳定均超过3个月。
所述的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料,其特征在于该材料在518℃以上才会分解,表现出良好的热稳定性。
有益效果:本发明提供一种环保无毒的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料,铋元素取代了部分铟元素,使得制备的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料具有很强的暖白色荧光,以及优异的稳定性,具有很好的光电应用前景。
本发明制备方法简单,解决了铅基钙钛矿的毒性问题,并提高了有机无机钙钛矿的稳定性。同时作为一种单一暖白光荧光粉,覆盖在商业紫外发光二极管上,组装成暖白光发光二极管器件,在光电领域具有良好的应用前景。
附图说明
图1为本发明两种三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的粉末XRD衍射谱图。
图2为本发明两种三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料的紫外-可见吸收光谱及室温稳态荧光光谱。
图3为本发明两种三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料分别作为单一组分的荧光粉与商业紫外发光二极管组成的暖白光LED器件,a,b,c分别对应商业紫外LED灯,覆盖Cs2AgBi0.125In0.875Cl6粉末的暖白光LED灯,覆盖Cs2AgBi0.05In0.95Cl6粉末的暖白光LED灯。
具体实施方式
下面结合附图及具体的实施案例对本发明做进一步描述:
实施例1
将336.8mg氯化铯、143.3mg氯化银、193.6mg三氯化铟和39.4mg三氯化铋加入到20ml反应釜中,再加入8ml12mol/L浓盐酸,混合物在在180℃反应15h。反应结束后,4℃/h冷却至室温,快速抽滤,将得到的晶体放入真空烘箱中55℃保持12h。
经粉末XRD衍射测试,如图1所示,获得的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料结晶度高,具有明显的面心立方结构。
实施列2
将336.8mg氯化铯、143.3mg氯化银、131.9mg氧化铟和11.7mg三氧化二铋加入到20ml反应釜中,再加入8ml12mol/L浓盐酸,混合物在在170℃反应15h。反应结束后,4℃/h冷却至室温,快速抽滤,将得到的晶体放入真空烘箱中65℃保持12h。
经粉末XRD衍射测试,如图1所示,获得的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料结晶度高,具有明显的面心立方结构。
经紫外-可见吸收测试和稳态荧光测试,如图2所示,获得的三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料在可见光范围内具有较宽的荧光发射光谱。
图3为本发明两种三维铋掺杂银铟基双钙钛矿材料分别作为单一组分的荧光粉与商业紫外发光二极管组成的暖白光LED器件,a,b,c分别对应商业紫外LED灯,覆盖Cs2AgBi0.125In0.875Cl6粉末的暖白光LED灯,覆盖Cs2AgBi0.05In0.95Cl6粉末的暖白光LED灯。
以上所述的实施例只是本发明的较佳方案,仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案,均落在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.三维非铅全无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料,其特征在于,所述双钙钛矿材料化学式为Cs2AgBixIn1-xCl6(0<x≤0.125,优选x=0.875,0.9或0.95),该双钙钛矿材料是由铋离子取代铟离子,且不破坏Cs2AgInCl6的面心立方结构,材料为面心立方结构。
2.按照权利要求1所述的三维双钙钛矿材料,其特征在于:该材料可以在25℃、55%相对湿度或在0.6个太阳光照下稳定均超过3个月。
3.按照权利要求1所述的三维双钙钛矿材料,其特征在于:该材料在518℃以上才会分解,表现出良好的热稳定性。
4.一种权利要求1-3任一所述的三维双钙钛矿材料的合成方法,其特征在于,按照以下步骤进行:
(一)按所需计量比将氯化铯、氯化银、含铟化合物、含铋化合物、加入到反应釜中,再加入浓盐酸,在160-180℃反应15h以上;
(二)反应结束后,2-10℃/h冷却至室温,抽滤,将得到的晶体放入真空干燥箱中60±5℃保持12h以上。
5.根据权利要求4所述的三维双钙钛矿材料的合成方法,其特征在于:制备过程中所用的含铟化合物为氯化铟或氧化铟中的一种。
6.根据权利要求4所述的三维双钙钛矿材料的合成方法,其特征在于:制备过程中所用的含铋化合物为氯化铋或三氧化二铋中的一种。
7.根据权利要求4所述的三维双钙钛矿材料的合成方法,其特征在于制备过程中:每合成1mmol Cs2AgBixIn1-xCl6(0<x≤0.125)需要5-8ml 12mol/L浓盐酸。
8.一种权利要求1-3任一所述的三维双钙钛矿材料的应用,其特征在于:该材料的光学带隙在2.93eV,激发态寿命可以达到910ns,可作为光敏材料适合用于紫外光电探测器中。
9.一种权利要求1-3任一所述的三维双钙钛矿材料的应用,其特征在于:该材料在室温下有很强的暖白荧光,荧光峰很宽,覆盖了整个可见光区,峰中心位置在600nm,可作为单一暖白光荧光粉,适合用于暖白光发光二极管的荧光层。
10.一种权利要求1-3任一所述的三维双钙钛矿材料的应用,其特征在于:该材料的荧光量子产率高达70.3%,可作为发光材料用于发光二极管中电致发光。
CN201811452919.9A 2018-11-30 2018-11-30 三维非铅无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料及合成与应用 Pending CN111253939A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811452919.9A CN111253939A (zh) 2018-11-30 2018-11-30 三维非铅无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料及合成与应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811452919.9A CN111253939A (zh) 2018-11-30 2018-11-30 三维非铅无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料及合成与应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111253939A true CN111253939A (zh) 2020-06-09

Family

ID=70923495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811452919.9A Pending CN111253939A (zh) 2018-11-30 2018-11-30 三维非铅无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料及合成与应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111253939A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112357958A (zh) * 2020-11-19 2021-02-12 桂林理工大学 一种含铯无铅卤化物双钙钛矿材料Cs2NaBi1-xSnxCl6-x的制备方法
CN113817467A (zh) * 2021-10-28 2021-12-21 江南大学 一种球磨制备掺杂双钙钛矿荧光粉的方法
CN113831914A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 中国科学院大连化学物理研究所 铜掺杂零维全无机锌卤化合物材料及合成和应用
CN114085669A (zh) * 2021-10-26 2022-02-25 兰州大学 一种应用于x射线探测器的无铅双钙钛矿闪烁体制备方法
CN117089343A (zh) * 2023-08-25 2023-11-21 昆明理工大学 一种近红外发光的铟基双钙钛矿制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107299393A (zh) * 2017-06-08 2017-10-27 华中科技大学 一种多元钙钛矿材料及其制备与应用

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107299393A (zh) * 2017-06-08 2017-10-27 华中科技大学 一种多元钙钛矿材料及其制备与应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BIN YANG: "Lead-Free Direct Band Gap Double-Perovskite Nanocrystals with Bright Dual-Color Emission", 《JOURNAL OF THE AMERIACAN CHEMICAL SOCIETY》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113831914A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 中国科学院大连化学物理研究所 铜掺杂零维全无机锌卤化合物材料及合成和应用
CN113831914B (zh) * 2020-06-24 2023-10-27 中国科学院大连化学物理研究所 铜掺杂零维全无机锌卤化合物材料及合成和应用
CN112357958A (zh) * 2020-11-19 2021-02-12 桂林理工大学 一种含铯无铅卤化物双钙钛矿材料Cs2NaBi1-xSnxCl6-x的制备方法
CN114085669A (zh) * 2021-10-26 2022-02-25 兰州大学 一种应用于x射线探测器的无铅双钙钛矿闪烁体制备方法
CN113817467A (zh) * 2021-10-28 2021-12-21 江南大学 一种球磨制备掺杂双钙钛矿荧光粉的方法
CN117089343A (zh) * 2023-08-25 2023-11-21 昆明理工大学 一种近红外发光的铟基双钙钛矿制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111253939A (zh) 三维非铅无机铋掺杂银铟基双钙钛矿材料及合成与应用
CN113563873B (zh) 新型未掺杂与锑掺杂非铅铟氯卤素钙钛矿材料
CN111205861B (zh) 一种Sb掺杂Cs2AInCl6双钙钛矿材料及其制备方法和应用
CN112358876A (zh) 一种Te掺杂Cs2ZrCl6钙钛矿衍生物材料及其制备方法和应用
CN110452683B (zh) 量子点复合转光材料及其制备方法
CN102899029B (zh) 一种碘化亚铜基配合物发光材料及其制备方法
CN113683642B (zh) 零维有机无机杂化金属卤化物(TMA)2SbCl5·DMF材料及其制备方法和应用
CN112480912A (zh) 一种钠铟基双钙钛矿纳米晶体材料及其制备和应用
CN114716324B (zh) 有机无机杂化金属卤化物钙钛矿化合物、制备方法及应用
CN111253940A (zh) 一系列三维非铅铟铋混合双钙钛矿黄光材料及合成与应用
CN114032100A (zh) 一种Sb3+离子激活且颜色可调的钙钛矿型氯化物发光材料
CN114181104B (zh) 一种n-乙酰基乙二胺金属卤化物低维钙钛矿单晶材料、制备方法及其应用
CN104893715A (zh) 一种含有Cu4I4簇芯的碘化亚铜膦配合物发光材料
CN115745811A (zh) 未掺杂或锑掺杂非铅杂化铟基卤素钙钛矿材料及合成与应用
CN112940722B (zh) 一种Mn掺杂(Cs/K)3BiCl6钙钛矿衍生物材料及其制备方法和应用
CN117623946A (zh) 一种宽光谱Mn-Sb基卤化物钙钛矿材料及其制备方法和应用
CN110845741B (zh) 一种一维银簇配位聚合物及其制备方法和应用
CN114703539B (zh) 一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法
CN113969170B (zh) 一种锡掺杂三元金属卤化物材料及制备方法
CN103865523B (zh) 一种双核碘化亚铜配合物发光材料
CN112680212B (zh) 一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法
CN114214063A (zh) 一种单基质白光发射碳点荧光粉的制备方法
CN114605659A (zh) 一种双螺旋结构的Cd-MOF材料及其制备方法和应用
CN114316958A (zh) 一种Cs2AgxLi1-xInCl6:Bi双钙钛矿量子点及其制备方法
CN117363347B (zh) 一种类双钙钛矿结构的绿光发光材料及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200609