CN111244132B - 有机发光二极管器件 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光二极管器件，包括：包括多个子像素的衬底；在多个子像素中的每个子像素中的薄膜晶体管(TFT)，其中，TFT具有至少一个无机层；在有机发光层上的封装层，其中，封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层；以及暴露TFT的无机层的开口，其中，开口将至少一个无机封装层与TFT的无机层连接。

Description

有机发光二极管器件
本申请要求于2018年11月28日、2018年12月4日和2018年12月28日提交的韩国专利申请第10-2018-0149489号、第10-2018-0154485号和第10-2018-0172125号的优先权和权益，分别出于所有目的通过引用将其整体并入本文，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及一种有机发光二极管(OLED)器件。
背景技术
随着信息社会的到来，随着对用于处理和显示大量信息的信息显示器的兴趣以及对便携式信息介质的需求增加，显示领域迅速发展。因此，已经开发出各种轻薄的平板显示器件。在平板显示器件中，有机发光二极管(OLED)显示器是自发光型显示器，并且不需要用于作为非自发光显示器的液晶显示器(LCD)中的背光单元。结果，OLED显示器重量轻，并且具有薄的外形。
另外，与LCD相比，OLED显示器在视角、对比度和功耗方面具有优势。此外，OLED显示器可以用低直流(DC)电压驱动并且可以具有快速的响应速度。此外，因为OLED显示器的内部元件具有固相，所以OLED显示器具有抵抗外部冲击的高耐久性并且具有宽的可用温度范围。具体地，因为通过简单的工艺制造OLED显示器，所以与传统的LCD相比可以降低制造成本。因此，已经研究了即使在像纸一样弯曲的情况下也保持显示性能的柔性OLED。
柔性OLED使用由塑料而不是玻璃材料制成的薄膜晶体管(TFT)衬底，并且可以被分为具有高耐久性的不可破坏的显示器、可弯曲显示器、可卷曲显示器和/或可折叠显示器。柔性OLED显示器在空间使用、室内装饰和设计方面具有优势，并且可以应用于各种领域。近来，为了实现超薄和/或轻质的外形以及大尺寸的显示区，已经研究了在折叠状态下便携并且在展开状态下显示图像的柔性OLED显示器。柔性OLED可以应用于各种设备，例如，诸如移动电话、超移动PC、电子书或电子报纸、电视机和/或监视器的移动设备。然而，由于柔性OLED显示器的重复折叠，有机发光层可能被剥离(或脱离)，并且OLED显示器的可靠性可能下降。此外，当诸如外部湿气和空气的杂质渗透到OLED显示器中时，OLED显示器有缺陷并且其寿命降低。
其中通过用户的手或物体触摸屏幕以输入用户的指令的触摸显示器已经被广泛使用。触摸显示器可以分为附加型、单元型和内嵌型。关于附加型触摸显示器，可以分别制造显示面板和触摸面板，然后将触摸面板附接在显示面板上。关于单元型触摸显示器，构成触摸面板的元件可以直接形成在显示面板的上衬底上。关于内嵌式触摸显示器，触摸面板被嵌入在显示面板中，并且该触摸显示器具有薄的外形和外部光的低表面反射的优点。触摸型显示器被应用于OLED显示器，使得OLED显示器感测并处理触摸输入。此外，为了感测柔性OLED显示器中的触摸输入，已经研究了构成柔性OLED显示器中的触摸面板的元件的配置。
发明内容
因此，本公开内容旨在提供一种有机发光二极管器件，该有机发光二极管器件基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的上述问题中的一个或更多个。
本公开内容的一方面在于提供一种OLED器件，其可以减轻施加至其上的压缩应力和拉伸应力，可以抑制有机发光层的剥离并改善有机发光层的粘附性，并且可以实现优异的可靠性。
本公开内容的另一方面在于提供一种OLED器件，其可以最小化或减小由于弯曲引起的连续且重复的应力所造成的破坏，并且可以防止诸如外部湿气和空气的杂质渗透。
本公开内容的另一方面在于提供一种OLED器件，该OLED器件可以处理触摸输入，并且可以具有减小该设备的厚度和边框区域的尺寸的结构，并且因此被适当地应用于柔性OLED器件。
附加特征和方面将在随后的描述中阐述，并且部分特征将从描述中变得明显，或者可以通过实践本文提供的发明构思来获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的结构或从其衍生的结构，其权利要求书以及附图来实现和获得。
为了实现本文所实施和广义描述的发明构思的这些和其他方面，提供了一种柔性有机发光二极管(OLED)器件，其包括：包括多个子像素的衬底，多个子像素中的每个子像素包括驱动TFT；覆盖驱动TFT的层间绝缘层；在层间绝缘层上的外覆层；在外覆层上并且在多个子像素中的每个子像素中的第一电极；覆盖第一电极的边缘部分的堤部；在第一电极上的有机发光层；在有机发光层上的第二电极；以及在第二电极上的保护膜，其中，第一孔的位置基于堤部的位置，并且在覆盖层、堤部和保护膜中的至少一个中。
另外，提供了一种有机发光二极管(OLED)器件，其包括：包括多个子像素的衬底；在多个子像素中的每个子像素中的薄膜晶体管(TFT)，其中，TFT具有至少一个无机层；在有机发光层上的封装层，其中，封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层；以及暴露TFT的无机层的开口，其中，开口将至少一个无机封装层与TFT的无机层连接。
另外，提供了一种柔性有机发光二极管(OLED)器件，其包括：包括多个子像素的衬底，多个子像素中的每个子像素包括驱动TFT；覆盖驱动TFT的层间绝缘层；在层间绝缘层上的外覆层；在外覆层上并且在多个子像素中的每个子像素中的第一电极；覆盖第一电极的边缘部分的堤部；在第一电极上的有机发光层；在有机发光层上的第二电极；以及在第二电极上的保护膜，其中保护膜包括至少一个无机层，其中第一孔的位置基于堤部的位置，并且暴露外覆层、堤部以及保护膜中的至少一个，并且第二孔的位置基于第一孔的位置。
另外，提供了一种可折叠有机发光二极管(OLED)器件，其包括：包括多个子像素的衬底；以及平坦区域，平坦区域包括：平坦区域中的每个子像素中的第一薄膜晶体管(TFT)；在第一TFT上并且完全在衬底上方的第一绝缘层和第二绝缘层；在第二绝缘层上的第一发光元件；以及依次位于第一发光元件上并位于平坦区域的整个子像素上方的第一无机封装层、第一有机封装层和第三无机封装层；以及折叠区域，折叠区域包括：在平坦区域中的每个子像素中的第二TFT；在第二绝缘层中从而暴露其下方的第一绝缘层的开口；在第二绝缘层上的第二发光元件；在第二发光元件上并且延伸至开口的侧表面以封装第二发光元件的第三无机封装层；在第二发光元件上方、第三无机封装层上的呈岛形状的第二有机封装层；以及在第三无机封装层上并且延伸到开口的侧表面从而封装第三无机封装层的第四无机封装层，其中，开口的一部分区域暴露在折叠区域的一个子的第四无机封装层与折叠区域的相邻子像素的第四无机封装层之间。
另外，提供了一种有机发光二极管(OLED)器件，其包括：第一衬底；在第一衬底上的薄膜晶体管(TFT)；覆盖TFT的钝化层；以及在钝化层上的封装层，其中，封装孔在封装层中以暴露钝化层的一部分，并且其中，触摸电极在钝化层的暴露部分上，并且连接至TFT的漏极电极或第一衬底上的第一信号线。
应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。
附图说明
本发明包括附图以提供对本公开内容的进一步理解并且附图被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释各种原理。在附图中：
图1A至图1C示出根据本公开内容的示例实施方式的柔性OLED器件的折叠状态和展开状态；
图2示出了根据本公开内容的第一示例实施方式的柔性OLED器件中的包括三个子像素的单元像素的结构；
图3是沿图2的III-III线的截面图；
图4A和图4B示出了施加的应力在弯曲工作中被释放的原理；
图5是示意性地示出根据本公开内容的第一示例实施方式的OLED器件的另一示例的截面图；
图6是示意性地示出根据本公开内容的第二示例实施方式的柔性OLED器件的每个子像素的一部分的截面图；
图7是示意性地放大根据本公开内容的第三示例实施方式的柔性OLED器件的子像素的一部分的截面图；
图8是示出根据本公开内容的第四示例实施方式的OLED器件的结构的截面图；
图9A至图9C示出了具有根据本公开内容的第四示例性实施方式的结构的柔性OLED器件；
图10A是示出其中没有形成弯曲区域的一般结构的柔性OLED器件的截面图；
图10B是示出其中弯曲区域的结构被去除的柔性OLED器件的截面图；
图11是示出根据本公开内容的第五示例实施方式的OLED器件的截面图；
图12是示出根据本公开内容的第六示例实施方式的OLED器件的截面图；
图13是将图12的区域A放大的截面图；
图14是示出根据本公开内容的第七示例实施方式的OLED器件的截面图；
图15是将图14的区域C放大的截面图；
图16示出了根据本公开内容的第八示例实施方式的可折叠OLED器件；
图17是示出根据本公开内容的第八示例性实施方式的可折叠OLED器件的截面图；
图18是示出包括触摸面板的OLED面板的截面图；
图19A是示出根据本公开内容的第九示例实施方式的OLED面板的截面图；
图19B是示出根据本公开内容的第十示例实施方式的OLED面板的截面图；以及
图20示出了根据本公开内容的第十一示例实施方式的OLED器件。
具体实施方式
现在将详细参考示例实施方式，其可以在附图中示出。在所有附图中，将尽可能使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。通过以下参考附图描述的示例实施方式，将阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的示例实施方式。相反，提供这些示例实施方式以使得本公开内容将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。
在附图中公开的用于描述本公开内容的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例。因此，本公开内容不限于所示出的细节。除非另有说明，否则相似的附图标记始终指代相似的元件。在以下描述中，当确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开内容的要点模糊时，可以省略这种已知功能或配置的详细描述。在使用本说明书中描述的术语“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部分，除非使用诸如“仅”之类的更限制性的术语。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释元件时，即使没有明确描述这种误差或公差范围，该元件也被解释为包括误差或公差范围。在描述位置关系时，当将两个部分之间的位置关系描述为例如“上”、“上方”、“下”或“旁边”时，一个或更多个其他部分可以设置在这两个部分之间，除非使用更限制性的术语如“紧接”或“直接”。在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“下一个”或“之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用更多限制性术语例如“紧接”、“立即”或“直接”。将理解的是，尽管在本文中可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种元件，但是由于这些元件不用于限定特定的顺序，因此这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开内容的元件时，可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”之类的术语。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开，并且相应元件的实质、顺序、次序或数量不应受到这些术语的限制。另外，当元件或层被描述为“连接”、“耦接”或“粘附”至另一元件或层时，除非另有说明，否则该元件或层不仅可以直接连接或粘附至该另一元件或层，而且还可以间接地连接或粘附至另一元件或层，其中一个或更多个中间元件或层“设置”在该元件或层之间。术语“至少一个”应该被理解为包括相关联的所列项的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义涵盖从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。
在实施方式的描述中，当将结构描述为位于另一结构的“上或上方”或“下或下方”时，该描述应被解释为包括其中结构彼此接触的情况以及其中在其之间设置第三结构的情况。附图中所示的每个元件的尺寸和厚度仅是为了便于描述而给出的，并且除非另有说明，否则本公开内容的实施方式不限于此。如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以彼此不同地互操作并且在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。现在将详细参考在附图中示出的本公开内容的示例实施方式。在所有附图中，将尽可能使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
图1A至图1C示出了根据本公开内容的示例实施方式的柔性OLED器件的折叠状态和展开状态。在该示例实施方式中，将可折叠OLED器件描述为柔性OLED器件100。该示例实施方式可以应用于其他类型的OLED器件，例如弯折OLED器件、可弯曲OLED器件、可卷曲OLED器件和/或可伸缩OLED器件。
柔性OLED器件100可以用于大型电子设备，例如电视机、外部广告板、小型和/或中型电子设备。这样的电子设备可以是移动电话、个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、车辆导航器、游戏控制台、便携式电子设备、手表式电子设备和/或相机。如图1A所示，柔性OLED器件100可以包括可以在设备表面上限定并且彼此分开的多个区域。柔性OLED器件100可以包括第一显示区域EA1和第二显示区域EA2，第一显示区域EA1和第二显示区域EA2可以关于折叠轴FX彼此分开，并且显示相应图像。如图1B所示，随着第二显示区域EA2围绕折叠轴FX顺时针旋转，柔性OLED器件100可以处于外部折叠状态，使得第一显示区域EA1和第二显示区域EA2彼此背对，例如，面向相反的外部方向。
如图1C所示，随着第二显示区域EA2绕折叠轴FX逆时针旋转，柔性OLED器件100可以处于内部折叠状态，使得第一显示区域EA1和第二显示区域EA2彼此面对。该示例实施方式的上述柔性OLED器件100可以向内和向外极度折叠，可以防止发光二极管(例如，图3的E)剥离，并且可以防止外部湿气和物质渗透到OLED器件中。结果，可以防止柔性OLED器件100的可靠性降低。
图2示出了根据本公开内容的第一示例实施方式的柔性OLED器件中的包括三个子像素的单元像素的结构。图3是沿着图2的III-III线的截面图。图4A和图4B示出了施加的应力在折叠工作中被释放的原理。柔性OLED器件100可以根据所发射的光的透射方向被分为顶部发光类型或底部发光类型。通过示例描述底部发光类型。
如图2所示，柔性OLED器件100的单元像素P可以包括三个子像素R-SP、G-SP和B-SP。每个子像素可以包括发光区域EA和可以沿着发光区域EA的外围部分限定的非发光区域NEA。堤部119可以位于非发光区域NEA处。红色子像素R-SP、绿色子像素G-SP和蓝色子像素B-SP可以以相同的宽度平行布置。可替选地，子像素R-SP、G-SP和B-SP可以具有不同宽度的不同配置。
开关薄膜晶体管(TFT)STr和驱动TFT DTr可以形成在每个子像素的非发光区域NEA的一部分处。在每个子像素的发光区域EA处，可以形成包括第一电极111、有机发光层113和第二电极115的发光二极管E。开关TFT STr和驱动TFT DTr可以彼此连接，并且驱动TFT DTr可以连接至发光二极管E。栅极线SL、数据线DL和电源线VDD可以布置在衬底101上以限定子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个。
开关TFT STr可以形成在对应的栅极线GL和对应的数据线DL的交叉部分处，并且可以用于选择对应的子像素。开关TFT STr可以包括从栅极线SL分支的栅极电极SG、半导体层103、源极电极SS和漏极电极SD。驱动TFT DTr可以操作由相应的开关TFT STr选择的子像素的发光二极管E。驱动TFT DTr可以包括连接至开关TFT STr的漏极电极SD的栅极电极DG、半导体层103、连接至电源线VDD的源极电极DS和漏极电极DD。
驱动TFT DTr的漏极电极DD可以连接至发光二极管E的第一电极111。有机发光层113可以插入在第一电极111和第二电极115之间。子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的有机发光层113可以发射相同的白光。例如，在柔性OLED器件100中，有机发光层113可以不由发射分别对应于子像素R-SP、G-SP和B-SP的不同颜色的不同发光材料形成，而是可以由发射对应于所有子像素R-SP、G-SP和B-SP的相同的白光的发光材料形成。
可以省略形成分别对应于子像素R-SP、G-SP和B-SP的不同发光材料的阴影掩模工艺。因此，可以防止由阴影掩模工艺引起的问题，并且可以有效地实现高分辨率。此外，可以防止由于不同发光材料的降解率之间的差异引起的颜色变化。如在图3中进一步示出的，半导体层103可以位于每个子像素的非发光区域NEA的开关区域TrA处。半导体层103可以由硅制成，可以在其中心部分包括作为沟道的有源区103a，并且可以包括位于有源区103a的两侧的、高度掺杂有杂质的源极区103b和漏极区103c。可以在半导体层103上形成栅极绝缘层105。可以在与有源区103a对应的栅极绝缘层105上形成栅极电极DG。沿着一定方向延伸的栅极线GL可以形成在栅极绝缘层103上。
第一层间绝缘层109a可以位于栅极电极DG和栅极线GL上。第一层间绝缘层109a和栅极绝缘层105可以包括分别暴露源极区103b和漏极区103c的第一半导体接触孔116和第二半导体接触孔116。源极电极DS和漏极电极DD可以形成在第一层间绝缘层109a上并且彼此间隔开。源极电极DS和漏极电极DD可以分别通过第一半导体接触孔116和第二半导体接触孔116接触源极区103b和漏极区103c。
第二层间绝缘层109b可以形成在源极电极DS和漏极电极DD上，以及第一层间绝缘层109a上。源极电极DS和漏极电极DD、半导体层103以及半导体层103上的栅极电极DG和栅极绝缘层105可以形成驱动TFT DTr。即使在图3中未示出，开关TFT STr也可以具有与驱动TFT DTr基本相同的结构，并且可以连接至驱动TFT DTr。
在该示例实施方式中，通过示例的方式描述了具有形成为多晶硅层或氧化物半导体层的半导体层103的共面结构(或顶栅结构)的驱动TFT DTr和开关TFT STr。可替选地，驱动TFT DTr和开关TFT STr之一或两者可以具有底栅结构，其中半导体层103形成为非晶硅层。衬底101可以由具有可弯曲特性的透明塑料材料例如聚酰亚胺制成。在这方面，考虑到在衬底101上进行高温沉积工艺，可以使用具有高耐热性的聚酰亚胺。至少一个缓冲层可以形成在衬底101的整个表面上。
开关区域TrA中的驱动TFT DTr可以具有阈值电压因光而偏移的特性，并且为了防止这种情况，柔性OLED器件100还可以包括位于半导体层103下方的遮光层。遮光层可以形成在衬底101和半导体层103之间，以屏蔽有源层111免受通过衬底100朝向半导体层103入射的光的影响，因此可以使由外部光引起的TFT的阈值电压变化最小化，防止其变化或减小其变化。遮光层可以被缓冲层覆盖。
可以在与每个子像素的发光区域EA对应的第二层间绝缘层109b上形成波长转换层106。波长转换层106可以包括滤色器，该滤色器透射从发光二极管E朝着衬底101发射的白光中的可以在每个子像素处设置(或限定)的彩色光的波长。例如，波长转换层106可以透射红色、绿色或蓝色的波长。例如，红色子像素R-SP可以包括红色滤色器，绿色子像素G-SP可以包括绿色滤色器，并且蓝色子像素B-SP可以包括蓝色滤色器。可替选地，波长转换层106可以包括具有一定尺寸以根据从发光二极管E向衬底101发射的白光重新发射的量子点，并且输出在每个子像素处设置的颜色的光。
量子点可以选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、CdZnSeS、GaAs、GaP、GaAs-P、Ga-Sb、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP和/或AlSb。例如，红色子像素R-SP的波长转换层106可以包括CdSe或InP的量子点，绿色子像素G-SP的波长转换层106可以包括CdZnSeS的量子点，并且蓝色子像素B-SP的波长转换层106可以包括ZnSe的量子点。使用具有量子点的波长转换层106的柔性OLED器件100可以具有高的色彩再现范围。可替选地，波长转换层106可以由包含量子点的滤色器形成。因此，红色子像素R-SP、绿色子像素G-SP和蓝色子像素B-SP可以分别发射红色、绿色和蓝色的光，因此柔性OLED器件100可以显示具有高亮度的全色图像。
此外，柔性OLED器件100的单元像素P还可以包括白色子像素。白色子像素不包括任何波长转换层。可以在波长转换层106上形成第三层间绝缘层109c。可以在第三层间绝缘层109c上形成外覆层108。外覆层108以及第二层间绝缘层109b和第三层间绝缘层190c可以具有暴露驱动TFT DTr的漏极电极DD的漏极接触孔PH。第一层间绝缘层至第三层间绝缘层109a、109b和109c中的每一个可以由无机绝缘材料例如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiO2)制成。外覆层108可以由有机绝缘材料例如光丙烯酸制成，以补偿由开关TFT STr和驱动TFTDTr和/或数据线DL引起的台阶以进行表面平坦化。
第一电极111可以形成在外覆层108上。第一电极111可以连接至驱动TFT DTr的漏极电极DD，并且可以用作发光二极管E的阳极。第一电极111可以由金属氧化物材料(例如ITO和/或IZO)、金属和氧化物材料的混合物(例如ZnO：Al和SnO2：Sb)和/或导电聚合物(例如，聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2)-噻吩](PEDT)、聚吡咯和/或聚苯胺制成。可替选地，第一电极111可以由碳纳米管(CNT)、石墨烯和/或银纳米线形成。第一电极111可以单独地位于相应子像素R-SP、G-SP和B-PS处，并且堤部119可以位于子像素R-SP、G-SP和B-PS的第一电极111之间。例如，第一电极111可以以堤部119作为每个像素区域SP的边界部分彼此分开。
柔性OLED器件100可以包括可以位于堤部119上并且可以具有倒锥形状的间隔件104。该间隔件140可以被称为倒置间隔件104。倒置间隔件104可以用于缓冲衬底101和保护膜102之间的空的空间，从而最小化或减少受外部冲击损坏的柔性OLED器件100的量。特别地，由于间隔件104可以形成为具有倒锥形状，间隔件104可以用于减轻在折叠柔性OLED器件100的工作中对包括有机发光层113的一层或更多层的弯曲应力。
有机发光层113可以位于第一电极111和倒置的间隔件104上。第二电极115可以完全位于有机发光层113上，并且可以用作阴极。第一电极111、有机发光层113和第二电极115可以形成发光二极管E。通过倒置的间隔件104，位于倒置的间隔件104上方的有机发光层113和第二电极115的沉积(或粘附)面积可以增大。因此，可以提高有机发光层113和第二电极115的粘附力。此外，由于保护膜102的粘附面积也可以增大，所以这可以导致使有机发光层113固定的效果。因此，即使可以施加弯曲应力，也可以避免有机发光层113的剥离。此外，即使可以施加弯曲应力并且有机发光层113的剥离继续进行，但是倒置的间隔件104也可以阻挡该剥离的扩散。结果，可以最小化或减小有机发光层113的剥离。
有机发光层113可以形成有由发光材料制成的单层。可替选地，为了提高发光效率，有机发光层113可以形成有多层，该多层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。第二电极115可以由具有相对较低的功函数的金属材料制成，以用作阴极。例如，第二电极115可以由镁(Mg)和/或银(Ag)的合金和/或镁(Mg)和/或铝(Al)的合金制成。当分别向第一电极111和第二电极115施加电压时，来自第一电极111的空穴和来自第二电极113的电子可以被传输到有机发光层113，从而形成激子。当激子从激发态转变为基态时，会产生并发射白光。
白光可以穿过红色子像素R-SP、绿色子像素G-SP和蓝色子像素B-SP的相应第一电极111，然后可以在穿过红色子像素R-SP、绿色子像素G-SP和蓝色子像素B-SP的颜色转换层106的同时被转换成红色、绿色和蓝色的光。因此，柔性OLED器件100可以以高亮度显示全色图像。薄膜形式的保护膜102可以形成在驱动薄膜晶体管DTr和发光二极管E上方，使得柔性OLED器件100可以被保护膜102封装。
为了防止外部氧气和湿气渗透到柔性OLED器件100中，保护膜102可以包括第一保护膜至第三保护膜102a、102b和102c。第一保护膜102a和第三保护膜102c均可以由无机绝缘层形成，第二保护膜102b可以由有机绝缘层形成以补充第一保护膜102a和第三保护膜102c的耐冲击性。在一些示例实施方式中，形成有其中有机绝缘层和无机绝缘层可以交替且重复地堆叠的第一保护膜至第三保护膜102a至102c的结构。在这样的示例实施方式中，为了防止湿气和氧气渗透通过由有机绝缘层形成的第二保护膜102b的侧表面，第一保护膜102a和第三保护膜102c可以完全覆盖第二保护膜102b。因此，柔性OLED器件100可以防止湿气和氧气从外部渗透到柔性OLED器件100中。
在柔性OLED器件100中，第二保护膜102b可以包括在其中形成的多个孔H1。每个孔H1可以沿着非发光区域NEA以网格结构形成。通过孔H1，第二保护膜102b可以被子像素划分。可以通过使用掩模对第二保护膜102b进行蚀刻(例如干法蚀刻)来形成孔H1。例如，可以使用离子束蚀刻、射频(RF)溅射蚀刻、等离子体蚀刻或反应性离子蚀刻。可以将掩模定位在第二保护膜102b上方以对应于非发光区域NEA中的堤部119，然后可以蚀刻第二保护膜102b直到第一保护膜102a的一部分暴露。因此，可以在第二保护膜102b中形成孔H1。因此，在没有附加材料和工艺来形成结构的情况下，使用现有的层，可以在第二保护膜102b中形成孔H1。
在第一保护膜102a至第三保护膜102c中的第二保护膜102b中形成孔H1可以是因为由有机绝缘层形成的第二保护膜102b的厚度可以大于第一保护膜102a和第三保护膜102c中的每一个的厚度。就此而言，第一保护膜102a和第三保护膜102c中的每一个可以具有约1微米的厚度，并且第二保护膜102b可以具有约6微米的厚度。在柔性OLED器件100中第二保护膜102b可以具有最大的厚度。因为可以在具有最大厚度的第二保护膜102b中并且沿着每个子像素的非发光区域NEA形成孔H1，所以柔性OLED器件100可以最小化或减小弯曲应力。参照图4A和4B进一步详细解释。
图4A是示出当可以各自连续形成的第一层201和第二层202可以折叠以具有一定的曲率半径时施加至第二层202的应力(例如，弯曲应力)的视图。就此而言，当可以连续形成的第二层202可以位于连续形成的第一层201上时，可以向第二层202施加拉应力A，并且可以向第一层201施加压缩应力B。
应力是当载荷被施加至材料上时在材料中产生的抵抗载荷(例如外力)的幅度的抵抗力，所述载荷例如是压缩、拉伸、弯曲和/或扭曲。应力随着外力的增大而增大，但是应力可能会受到限制。因此，当应力达到材料的唯一极限时，该材料可能无法抵抗外力并可能被破坏。当施加不同方向上的应力时，在第一层201和第二层202中可能产生裂纹，从而在第一层201和第二层202之间发生剥离。
如图4B中所示，可以在第二层202中形成多个孔H。即使第一层201和第二层202可以以相同的曲率半径弯曲，也可以通过孔H来分散施加至第二层202的拉伸应力B，从而可以减轻施加至第二层202的应力。因此，可以减小施加至第一层201和第二层202的应力，从而可以最小化或减小在第一层201和第二层202中产生的裂纹。因此，因为可以在具有最大厚度的第二保护膜102b中并且沿着子像素R-SP、G-SP和B-SP的非发光区域NEA形成孔H1，所以可以通过第二保护膜102b的孔H1分散弯曲应力。因此，可以最小化或减小柔性OLED器件100的弯曲应力，因此可以防止有机发光层113的剥离。
此外，可以防止由于至第一保护膜至第三保护膜102a至102c的弯曲应力所产生的裂纹而导致的外部湿气和物质渗透到柔性OLED器件100中。即使有机发光层113的剥离部分地发生，也可以通过孔H1防止该剥离的扩散。即使在第一保护膜至第三保护膜102a至102c中可能产生裂纹，也可以防止外部湿气和物质的扩散。结果，可以提高柔性OLED器件100的可靠性。
为了有效地防止外部湿气和氧气渗透到柔性OLED器件100中，保护膜102可以具有大约8微米或更大的厚度。就此而言，由无机绝缘材料制成的第一保护膜102a和第三保护膜102c中的每一个可以具有约1微米的厚度。当第二保护膜102b由可以在约85摄氏度的低温下获得的有机材料(例如，负型聚丙烯酸酯)制成时，第二保护膜102b可以形成为如图5所示的第一子膜102b和第二子膜102d的双层结构。就此而言，因为衬底101可以由塑料材料制成以具有可弯曲的特性，所以可以使用低于200摄氏度的低温工艺来制造柔性OLED器件100。因此，第二保护膜102b可以由可以在低于200摄氏度的低温工艺中获得的有机材料(例如，负型聚丙烯酸酯)制成。然而，诸如负型聚丙烯酸酯的有机材料可以以约3微米的允许最大厚度形成层。包括由这样的有机材料制成的保护膜102b的柔性OLED器件100可能不足以防止外部湿气和氧气渗透到柔性OLED器件100中。
如图5所示，第一保护膜102a上的第二保护膜上可以配置有在其中分别形成的第一子膜102b和第二子膜102d，并且可以在第二子膜102d上形成第三保护膜102c。因此，第二保护膜102b和102d可以使用诸如负型聚丙烯酸酯的有机材料形成，因此，可以防止外部湿气和氧气渗透到柔性OLED器件100中。在图5中，以示例的方式描述了包括可以使用不同的蚀刻工艺形成的相应的孔H1和H2的第一子膜102b和第二子膜102d。可替选地，可以使用第一子膜102b和第二子膜102d的分批蚀刻工艺(或同时蚀刻工艺)形成孔H1和H2。
因为可以在保护膜102的第二保护膜102b中并且沿着子像素R-SP、G-SP和B-SP的非发光区域NEA形成孔H1，所以可以最小化或减小折叠和展开柔性OLED器件100的重复工作中产生的弯曲应力。因此，可以防止有机发光层113的剥离。
此外，可以防止外部湿气和氧气渗透到柔性OLED器件100中。即使有机发光层113的剥离部分地发生，也可以通过孔H1防止该剥离的扩散。即使在第一保护膜至第三保护膜102a至102c中可能产生裂纹，也可以防止外部湿气和物质的扩散。结果，可以提高柔性OLED器件100的可靠性。
图6是示意性示出根据本公开内容的第二示例实施方式的柔性OLED器件的每个子像素的一部分的截面图。如图6所示，包括半导体层103、栅极绝缘层105、栅极电极DG以及源极电极DS和漏极电极DD的驱动TFT DTr可以位于衬底101上的每个子像素的非发光区域NEA的开关区域TrA处。第一电极111可以形成在外覆层108上，并且可以通过第二层间绝缘层109b和第三层间绝缘层109c以及外覆层108中的漏极接触孔PH而连接至驱动TFT DTr的漏极电极DD。
第一电极111可以由金属氧化物材料(例如，ITO和/或IZO)、金属和氧化物材料的混合物(例如，ZnO：Al和SnO2：Sb)和/或导电聚合物(例如，聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2)-噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺)制成。可替选地，第一电极111可以由碳纳米管(CNT)、石墨烯和/或银纳米线形成。第一电极111可以分别位于相应子像素R-SP、G-SP和B-PS处，并且堤部119可以位于子像素R-SP、G-SP和B-PS的第一电极111之间。例如，第一电极111可以以堤部119作为每个像素区域SP的边界部分彼此分开。
倒置的间隔件104可以位于堤部119上。倒置的间隔件104可以用于缓冲衬底101和保护膜120之间的空的空间，从而最小化或减少被外部冲击损坏的柔性OLED器件100的数量。倒置的间隔件104可以用于在折叠柔性OLED器件100的工作中减轻对包括有机发光层113的一层或更多层的弯曲应力。有机发光层113和第二电极115可以依次位于第一电极111、堤部119和倒置的间隔件104上。有机发光层113可以形成有由发光材料制成的单层。可替选地，为了提高发光效率，有机发光层113可以形成有多层，该多层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
第二电极115可以由具有相对较低的功函数的金属材料制成，以用作阴极。例如，第二电极115可以由镁(Mg)和/或银(Ag)的合金和/或镁(Mg)和/或铝(Al)的合金制成。第一电极111、有机发光层113和第二电极115可以形成发光二极管E。可以在驱动薄膜晶体管DTr和发光二极管E上方形成薄膜形式的保护膜120，使得柔性OLED器件100可以被保护膜120封装。
为了防止外部氧气和湿气渗透到柔性OLED器件100中，保护膜120可以包括第一保护膜至第三保护膜102a、102b和102c。可以使用原子层沉积(ALD)方法形成第一保护膜120a和第三保护膜120c中的每一个。例如，第一保护膜120a和第三保护膜120c中的每一个可以由ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdTe、ZnS：Mn，CaS：Ce、SrS：M、GaAs、AlAs、GaP、AlN、GaN、TiN、TaN、CaF2、SrF2、Si、Mo和/或W制成。可替选地，第一保护膜120a和第三保护膜120c中的每一个可以由诸如AlOx、AlOxNy、TiOx、SiOx、ZnOx和/或ZrOx的氧化物制成。因为可以通过堆叠原子层来形成第一保护膜120a和第三保护膜120c，所以可以将第一保护膜120a和第三保护膜120c中的每一个形成为非常薄的膜。第一保护膜120a和第三保护膜120c中的每一个可以具有例如大约0.01微米至大约0.1微米的厚度，并且可以对其厚度和组成进行微调。
可以在大尺寸衬底上形成均匀的膜，并且台阶覆盖能力可以是优异的。因此，利用覆盖驱动TFT DTr和发光二极管E的第一保护膜120a，可以进一步提高柔性OLED器件100的可靠性。此外，第二保护膜120b可以由诸如SiNx或SiOx的无机绝缘材料形成。这可以导致在第一保护膜120a和第三保护膜120c之间的第二保护膜120b与第一保护膜120a和第三保护膜120一起防止外部湿气和氧气渗透到柔性OLED器件100中。这还可以进一步增加第一保护膜和第三保护膜120a和120c的刚度。可替选地，保护膜120可以形成为包括均可以使用ALD方法形成的至少三个无机层的五层结构。
该示例实施方式的保护膜120可以形成为可以比第一示例实施方式的保护膜102的厚度小得多的厚度。因此，该示例实施方式的柔性OLED器件100可以具有进一步的柔性特性。在该示例实施方式的柔性OLED器件100中，孔H3可以位于倒置的间隔件104的一侧，并且可以形成在有机发光层113、第二电极115和保护膜120中。
通过孔H3可以暴露位于有机发光层113下方的堤部119。可以沿着每个子像素的非发光区域形成孔H3。孔H3可以具有网格结构。孔H3可以位于每个子像素的左侧和右侧中的每一个处，或者位于每个子像素的左侧和右侧中的一个处，使得第二电极115在子像素R-SP、G-SP和B-SP上方具有连续连接的结构。即使由于折叠和展开柔性OLED器件100的重复工作而引起的弯曲应力可能在保护膜120中产生裂纹并且部分发生有机发光层113的剥离，也可以通过孔H3来防止该剥离。此外，即使在保护膜120中可能产生裂纹，也可以防止外部湿气和物质的扩散。结果，可以提高柔性OLED器件100的可靠性。
图7是示意性地放大根据本公开内容的第三示例实施方式的柔性OLED器件的子像素的一部分的截面图。第一孔H4可以形成在与红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素(例如，R-SP、G-SP和B-SP)中的每一个的非发光区域NEA对应的堤部119和第一电极111中，并且第二孔H5可以形成在与第一孔H4对应的外覆层108中。第二孔H5可以暴露第三层间绝缘层109c。第二孔H5可以具有比第一孔H4的宽度d1大的宽度d2，使得第一电极111和外覆层108可以形成底切U。就此而言，第一电极111中的第一孔H4的底部宽度d1可以小于外覆层108中的第二孔H5的顶部宽度d2。例如，因为第二孔H5的顶部宽度d2可以大于第一孔H1的靠近有机发光层113的底部宽度d1，所以第一电极111可以在第二孔H2上方横向突出。
第一孔H1和第二孔H2可以通过使用掩模的堤部119和外覆层108的分批蚀刻工艺形成。可以以不同的蚀刻速率干蚀刻堤部119和外覆层108。例如，可以使用离子束蚀刻、RF溅射蚀刻、等离子体蚀刻或反应性离子蚀刻。有机发光层113和第二电极115可以依次位于具有第一孔H4和第二孔H5的衬底101上。第一保护膜至第三保护膜120a至120c可以依次位于第二电极115上。有机发光层113、第二电极115以及第一保护膜至第三保护膜120a至120c中的每一个可以通过第一孔H4和第二孔H5具有分开的结构。
即使由于折叠和展开柔性OLED器件100的重复工作而导致的弯曲应力可能在保护膜120中产生裂纹，从而部分地发生有机发光层113的剥离，也可以通过第一孔H4和第二孔H5防止有机发光层113的剥离。此外，即使在保护膜120中可能产生裂纹，也可以防止外部湿气和物质的扩散。结果，可以提高柔性OLED器件100的可靠性。特别地，因为第二孔H5可以形成在外覆层108中，所以外覆层108可以被子像素分开。因此，可以最小化或减小弯曲应力，并且可以防止在外覆层108中产生的裂纹传播到有机发光层113或驱动TFT(例如，图6的DTr)。
更详细地，由于因重复折叠和展开柔性OLED器件100而引起的弯曲应力，在外覆层108中可能经常产生裂纹。这可能是因为在包括使用ALD方法形成的保护膜120的柔性OLED器件100中外覆层108具有最大的厚度。因此，第二孔H5可以形成在外覆层108中，因此弯曲应力可以被第二孔H5分散并且最小化或减小。随着弯曲应力被最小化或减小，可以防止驱动TFT DTr的断开，此断开可能是由于外覆层108的裂纹向位于外覆层108附近的有机发光层113或驱动TFT的传播所引起的。在柔性OLED器件100中，第一电极111和外覆层108可以形成底切U，因此在底切U的区域处可以不形成可以在竖直方向上直地沉积的有机发光层113和第二电极115。因此，有机发光层113和第二电极115中的每一个可以在每个子像素的左侧和右侧中的每一个或在每个子像素的左侧和右侧中的一个处分开。
在竖直方向、水平方向和倾斜方向上以衍射方式沉积的保护膜120可以具有比第二电极115和有机发光层113更好的台阶覆盖率，因此可以形成在底切U的区域处。第一保护膜至第三保护膜120a至120c可以具有尖端形状以完全覆盖并包围形成底切U的第一电极111。因此，可以通过尖端形状防止第一电极111和第二电极115的暴露。即使第一孔H4和第二孔H5可分别形成在堤部119和外覆层108中也是如此，以防止有机发光层113的剥离以及外部湿气和物质的扩散。因此，可以防止由于第一电极111和第二电极115的暴露而引起的第一电极111和第二电极115的氧化。
因为可以在堤部119、第一电极113和外覆层108中形成孔H4和H5，所以即使由于弯曲应力发生有机发光层113的剥离，也可以防止该剥离的扩散。此外，即使在保护膜120中可能产生裂纹，也可以防止外部湿气和物质的扩散。结果，可以提高柔性OLED器件100的可靠性。此外，因为第二孔H5可以形成在柔性OLED器件100中具有最大厚度的外覆层108中，所以弯曲应力可以被第二孔H5分散并且被最小化或减小。因此，可以防止有机发光层113的剥离和/或驱动TFT的断开，其可能是由于外覆层108的裂纹向位于外覆层108附近的有机发光层113或驱动TFT DTr的传播而引起的。
特别地，因为第一孔H4和第二孔H5可以形成底切U并且可以形成尖端形状，所以可以防止有机发光层113的剥离以及外部湿气和物质的扩散，并且可以防止第一电极111和第二电极115的暴露。在以上示例实施方式中，通过示例的方式描述了在堤部119上形成的一个倒置的间隔件104。然而，可以在堤部119上形成多个间隔件104。第二示例实施方式的孔H3可以位于相邻的倒置的间隔件104之间，并且第三示例实施方式的第一孔H4和第二孔H5可以位于相邻的倒置的间隔件104之间。此外，在柔性OLED器件100中可以不形成倒置的间隔件104。第一示例实施方式的孔H1可以形成在堤部119上。此外，具有锥形状(例如，非倒置锥形状)间隔件可以位于倒置的间隔件104的一侧。该锥形状的间隔件的高度可以大于倒置的间隔件104的高度，因此可以进一步缓冲衬底101和保护膜102或120之间的空的空间。
在第四至第八示例实施方式中的任何一个的OLED器件中，可以最小化或减小诸如湿气和空气的异物向下部电极和有机发光层的渗透。特别地，为了最小化或减小由在柔性OLED器件的弯曲区域处的连续且重复的应力引起的裂纹，可以在弯曲区域处形成不形成封装层和堤部的开口。此外，在第四至第八示例实施方式中的任何一个的OLED器件中，可以有效地最小化或减小诸如湿气和空气的异物向柔性OLED器件中的渗透。在普通的OLED器件(例如，非柔性显示器件)中，可以形成电极和有机发光层的下衬底和上衬底可以由诸如玻璃的刚性材料形成。因此，诸如湿气和空气的异物不会渗透通过OLED器件的上部。
然而，在柔性OLED器件中，下衬底可以使用具有柔性的塑料衬底，并且上衬底可以使用由柔性材料制成的保护膜。因此，可能导致诸如湿气和空气的异物渗透。因此，在第四至第八示例实施方式中的任何一个的柔性OLED器件中，可以堆叠多个无机绝缘层和有机绝缘层以形成可以阻止异物渗透的结构。特别地，为了最小化或减小诸如湿气和空气之类的异物通过不形成封装层的开口而渗透，可以在发光元件的侧面形成封装层以完全封装发光元件。
图8是示出了根据本公开内容的第四示例实施方式的OLED器件的结构的截面图。多个子像素可以以n*m矩阵形式布置在柔性OLED器件中(其中n和m中的每一个可以是大于或等于1的整数)。在图8中示出了两个相邻的子像素。如图8中所示，可以在柔性OLED器件200中形成(或限定)弯曲区域B。在柔性OLED器件200中可以不弯曲特定区域，并且柔性OLED器件200可以在弯折状态(或弯曲状态)下安装和使用，或者可以重复地弯折和展开。
因此，可以在整个柔性OLED器件200上方连续和重复地施加应力，因此可以在柔性OLED器件200的整个区域上方产生弯曲区域B。然而，实际的弯曲可以在其中部件可能由柔性材料形成的区域处生产。例如，用户可以在平坦状态下使用柔性OLED器件，然后在弯折状态下以一定的曲率半径使用柔性OLED器件。这可以在柔性OLED器件200的整个区域上方沿弯折的方向产生弯曲，但是实际的弯曲区域可以是可以由柔性材料形成的区域。在该示例实施方式中，可以在弯曲区域处去除堤部层、第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层和平坦化层。因此，可以最小化或减小由连续的和重复的应力的施加而在层处产生的裂纹，并且可以最小化或减小由于裂纹的传播而导致的对器件的破坏。
在柔性OLED器件200中，弯曲区域B可以形成在子像素与其相邻的子像素之间。在这方面，因为金属层可以形成在子像素中的发光元件(或发光二极管)中并且具有小的柔性，所以当柔性OLED器件200被弯折时，弯曲区域B可以形成在相邻的子像素之间。缓冲层222可以形成在第一衬底210上。驱动TFT可以位于缓冲层222上。第一衬底210可以由透明且柔性的塑料例如聚酰亚胺制成。缓冲层222可以形成为包括无机层的单层结构，或者形成为包括无机层和有机层的多层结构。无机层可以由无机绝缘材料例如SiOx或SiNx制成，并且有机层可以由有机绝缘材料诸如聚丙烯酸制成。
因为缓冲层222可以形成为包括无机层的单层结构，或者形成为包含无机层的多层结构，所以可以最小化或减少通过对湿气和空气弱的塑料传递的湿气和空气，并且因此可以最小化或减小有机发光层的劣化。驱动TFT可以形成在每个子像素中。驱动TFT可以包括在缓冲层222上的半导体层211、在半导体层211上的栅绝缘层224、在栅绝缘层224上的栅极电极212、在栅极电极212上的层间绝缘层226以及在层间绝缘层226上的源极电极214和漏极电极216。源极电极214和漏极电极216可以通过层间绝缘层226中的相应的接触孔214a和216a接触半导体层211。栅绝缘层224可以完全形成在第一衬底210上方，并且层间绝缘层226可以完全形成在第一衬底210上方。
半导体层211可以由多晶硅或氧化物半导体材料例如IGZO制成。半导体层211可以包括在其中心区域的沟道部分以及在沟道部分的两侧的掺杂部分。源极电极214和漏极电极216可以接触相应的掺杂部分。可替选地，半导体层211可以由非晶硅和/或有机半导体材料制成。栅极电极212可以使用金属例如Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al和/或Al合金形成为单层结构或多层结构。栅绝缘层224可以使用无机材料例如SiOx和/或SiNx形成为单层结构，或者使用SiOx的层和/或SiNx的层形成为双层结构。层间绝缘层226可以使用无机材料例如SiOx或SiNx形成为单层结构或多层结构。源极电极214和漏极电极216可以由金属例如Cr、Mo、Ta、Cu、Ti、Al和/或Al合金制成。
通过示例的方式描述特定结构的驱动TFT。然而，驱动TFT可以具有其他结构。钝化层228可以形成在具有驱动TFT的衬底210上，并且平坦化层229可以形成在钝化层228上。钝化层228可以使用无机材料形成为单层结构，或者使用无机材料和有机材料形成为多层结构。平坦化层229可以由有机材料例如光丙烯酸制成。有机发光二极管E可以形成在平坦化层229上，并且通过在钝化层228和平坦化层229中形成的接触孔228a连接至驱动TFT的漏极电极216。有机发光二极管E可以包括通过接触孔228a连接至漏极电极216的第一电极252、在第一电极252上的有机发光层254和在有机发光层254上的第二电极256。
第一电极252可以使用金属例如Ca、Ba、Mg、Al、Ag和/或其一个或更多个合金形成为单层结构或多层结构。第一电极252可以连接至驱动TFT的漏极电极216，并且可以接收图像信号。第一电极252可以用作反射器以将从有机发光层254发射的光朝向上方向(例如，与第一衬底210相对的方向)反射。此外，第一电极252可以由透明金属氧化物例如ITO和/或IZO形成。第二电极256可以由透明金属氧化物例如ITO和/或IZO形成。可替选地，第二电极256可以使用金属例如Ca、Ba、Mg、Al、Ag和/或其一个或更多个合金形成为单层结构或多层结构。第二电极256可以用作反射器以将从有机发光层254发射的光朝向下方向(例如，朝向第一衬底210的方向)反射。
当OLED器件200是朝向下方向输出发射的光的底部发光型器件时，第一电极252可以由透明金属氧化物形成，并且第二电极256可以由反射光的金属或金属化合物形成。当OLED器件200是朝向上方向输出发射的光的顶部发光型器件时，第一电极252可以由作为反射器的金属和/或金属化合物形成，并且第二电极256可以由透明金属氧化物形成。
有机发光层254可以分别形成在红色、绿色和蓝色子像素中的每一个中。红色子像素中的有机发光层254可以是发射红色光的红色有机发光层。形成在绿色子像素中的有机发光层254可以是发射绿色光的绿色有机发光层。形成在蓝色子像素中的有机发光层254可以是发射蓝色光的蓝色有机发光层。可替选地，有机发光层254可以完全形成在OLED器件200上方，并且可以是发射白色光的白色有机发光层。在白色有机发光层中，可以在红色、绿色和蓝色子像素中的白色有机发光层上形成红色、绿色和蓝色滤色器以将白色光转换为红色、绿色和蓝色光。白色有机发光层可以由分别发射红色、绿色和蓝色光的有机材料的混合物形成，以及/或者形成为堆叠的红色、绿色和蓝色有机发光层。可替选地，有机发光层254可以用由无机发光材料例如量子点制成的无机发光层替换。
有机发光层254可以包括发光材料层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。堤部232可以形成在子像素的边界区域处的平坦化层229上。堤部232可以用作将子像素彼此分开的分隔壁，因此可以最小化或减小从相邻的子像素输出的不同颜色的光被混合并且然后被输出。在图8中，通过示例的方式描述了位于第一电极252上的堤部232的一部分。可替选地，堤部232可以形成在平坦化层229上，并且第一电极252可以形成在堤部232的侧表面上。如果第一电极252在堤部232的侧表面上延伸，则第一电极252可以形成在堤部232与平坦化层229之间的边界的边缘区域处。因此，即使在边缘区域处，也可以将信号施加至有机发光层254，并且即使在边缘区域处也可以产生发光，因此即使在边缘区域处也可以产生图像。因此，可以最小化或减小在子像素中的未显示图像的非显示区域。
第一封装层242可以形成在有机发光二极管E和堤部232上。第一封装层242可以由无机材料例如SiNx和/或SiOx形成。第二封装层244可以形成在有机发光二极管E上方的第一封装层242上。第二封装层244可以由有机材料制成。例如，第二封装层244可以由聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、磺酸聚乙烯、聚甲醛和/或聚丙烯酸酯制成。第二封装层244可以在第一封装层242上呈岛形状。第二封装层244可以完全覆盖(或完全屏蔽)其下方的有机发光二极管E。
像这样，第二封装层244可以在其对应的子像素中分别形成为具有岛形状，并且可以不形成在相邻的子像素中。因此，当OLED器件200被弯折时，施加至每个第二封装层244的应力可以被限于其对应的子像素的第二封装层244并且可以不被传送至相邻的子像素的第二封装层244，所述第二封装层244可以分别形成在可以沿弯曲区域布置的一系列子像素中。因此，可以分散施加至弯曲区域的应力，并且可以最小化或减小通过弯折而在第二封装层244处产生的裂纹。
第三封装层246可以形成在第一封装层242和第二封装层244上。第三封装层246可以由诸如SiNx和/或SiOx的无机材料形成。第三封装层246可以完全覆盖第二封装层244的顶表面和侧表面，因此第二封装层244可以完全被第一封装层242和第三封装层246封装(或包围)。
透明填充构件248可以涂覆在第三封装层246上，并且第二衬底270可以位于填充构件248上。第一衬底210和第二衬底270可以通过填充构件248彼此耦接。填充构件248可以由具有高粘附性、耐热性和/或耐水性的任何材料制成。例如，填充构件248可以由基于环氧的化合物、基于丙烯酸酯的化合物和/或热固性树脂例如基于丙烯酸的橡胶制成。填充构件248可以由光敏树脂或热固性树脂制成，并且可以将光或热施加至粘合剂层以使填充构件248硬化。填充构件248可以用于耦接第一衬底210和第二衬底270以及/或者用作封装层以最小化或减小湿气向OLED器件200中的渗透。因此，填充构件248可以被称为粘合剂构件或第四封装层。
第二衬底270可以用作封装OLED器件200的封装盖。第二衬底270可以使用保护膜例如，PS(聚苯乙烯)膜、PE(聚乙烯)膜、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)膜或PI(聚酰亚胺)膜形成。具有预定宽度的分隔壁234可以形成在相邻子像素之间的堤部232上。金属层217可以形成在层间绝缘层226上且在相邻的有机发光二极管E之间。分隔壁234可以用于阻挡湿气和空气渗透通过堤部232与第一封装层242之间的界面。分隔壁234可以使用有机材料或无机材料形成为单层结构，或者使用无机层和有机层形成为多层结构。
可以在形成驱动TFT的源极电极214和漏极电极216的同一过程中形成金属层217。金属层217可以用于阻挡湿气和空气渗透通过相邻子像素之间的区域(例如，通过弯曲区域B)朝向TFT的传播。弯曲区域B可以在两个相邻的子像素之间产生，并且更具体地，在两个相邻的有机发光二极管E之间产生。因为形成第一电极252和第二电极256的金属具有低的柔性，所以当柔性OLED器件200被弯折时弯曲区域可以不是有机发光二极管E所位于的区域，而可以是相邻的有机发光二极管E之间的区域。因此，柔性OLED器件200的弯曲区域B可以在柔性OLED器件200的相邻的有机发光二极管E之间产生。
在OLED器件200中，可以去除平坦化层229的在弯曲区域B处的一部分以形成开口218。这可以是为了最小化或减小由应力而对弯曲区域B处的平坦化层229的破坏，应力可以由于连续和重复的弯折而施加。此外，堤部232、第一封装层242和第三封装层246可以在去除了弯曲区域B的平坦化层229的区域内部，例如在开口218内部延伸。具体地，堤部232、第一封装层242和第三封装层246可以沿形成开口218的平坦化层229的侧表面(或内侧表面)形成。
每个子像素中的堤部232、第一封装层242和第三封装层246可以沿两个开口218的侧表面形成，开口218形成在每个子像素与相邻的右子像素和左子像素之间的两个边界处。因此，每个子像素的有机发光二极管E可以从弯曲区域B的开口218被完全封装，开口218在每个子像素的两侧产生。当堤部232、第一封装层242和第三封装层246在开口218内部延伸时，堤部232、第一封装层242和第三封装层246可以形成在开口218下方的钝化层228的一部分的区域处。因此，每个子像素的在开口218内部延伸的堤部232、第一封装层242和第三封装层246可以形成在钝化层228的顶表面的一部分上。另外，至少一个子像素的在开口218内部延伸的堤部232、第一封装层242和第三封装层246可以形成在钝化层228的顶表面的一部分上，并且可以形成在开口218下方。钝化层228的顶表面的另一部分可以通过开口218暴露。钝化层228的顶表面的另一部分可以通过开口218暴露。例如，开口218的中心区域可以是没有形成堤部232、第一封装层242和第三封装层246的区域。填充构件248可以填充开口218的没有形成堤部232、第一封装层242和第三封装层246的区域。
柔性OLED器件200可以在弯折状态下使用，或者在平坦状态下并且然后在弯折状态下使用。因此，由于长时间的弯折状态或重复的弯折，连续和重复的应力可以被施加至柔性OLED器件200，并且特别是施加至弯曲区域B。通过连续的和重复的应力，柔性OLED器件200的内部部件可能被破坏。特别地，连续的和重复的应力可以集中在由无机材料和有机材料形成的各个层上以产生裂纹。
当在各个层中产生裂纹时，裂纹可能在柔性OLED器件200内部传播。该传播可能导致对柔性OLED器件200的破坏，柔性OLED器件200可能成为有缺陷的产品。在该示例实施方式中，因为平坦化层229、堤部232、第一封装层242和第三封装层246可以不形成在弯曲区域B处，并且填充构件248填充暴露钝化层228的开口218，所以不存在产生裂纹的结构。因此，即使当施加连续和重复的应力时，在柔性OLED器件200中也不会产生裂纹，因此，可以最小化或减小由裂纹的传播引起的对柔性OLED器件的破坏。此外，在该示例实施方式中，开口218的侧表面可以完全被第一封装层242和第三封装层246封装，因此位于每个子像素中的有机发光二极管E可以从外部被完全密封。因此，外部湿气和空气可能不会渗透到有机发光二极管E中，并且特别地，湿气和空气可能不会通过弯曲区域B渗透到有机发光二极管E中。
在不采用附加部件以最小化或减小对结构的破坏或附加部件以阻挡诸如湿气和空气的杂质的情况下，可以去除平坦化层229的在弯曲区域B处的一部分。这形成开口218。堤部232、第一封装层242和第三封装层246可以在开口218内部延伸。因此，在不添加新结构的情况下，可以以不同的形式形成现有层的结构，因此可以最小化或减小由裂纹的传播而造成的破坏，并且可以阻挡湿气和空气的渗透。因此，可以防止湿气和空气的渗透，而无需附加过程和成本。
图9A至图9C示出了具有根据本公开内容的第四示例实施方式的结构的柔性OLED器件。如图9A中所示，柔性OLED器件200可以在长边(或长尺寸)方向上，例如在水平方向上弯折。因为柔性OLED器件可以不在特定区域处而是在整个区域处沿长边方向弯折，所以可以在柔性OLED器件200的整个区域上方沿长边方向，例如沿柔性方向产生弯曲区域B1、B2、...和Bn。此外，柔性OLED器件200可以以各种曲率沿长边方向弯折，并且可以以不同的曲率弯折不同的弯曲区域。平坦化层229的多个开口218可以在短边(或短尺寸)方向上，例如在竖直方向上沿每个弯曲区域形成。沿短边方向布置的多个子像素中的每个子像素子像素可以相对于其他区域被第一封装层242和第三封装层246密封，所述第一封装层242和第三封装层246可以形成在开口218的内侧壁处。
如图9B中所示，柔性OLED器件200可以在短边方向上，例如在竖直方向上弯折。在该结构中，平坦化层229的多个开口218可以在长边方向上沿多个弯曲区域B1、B2、...和Bm中的每一个形成。沿长边方向布置的多个子像素中的每个子像素子像素可以相对于其他区域被第一封装层242和第三封装层246密封，所述第一封装层242和第三封装层246可以在开口218的内侧壁处形成。如图9C中所示，柔性OLED器件200可以在短边方向和长边方向两者上，例如在水平方向和竖直方向两者上都弯折。在该结构中，平坦化层229的多个开口218可以在长边方向和短边方向中的每一个上沿多个弯曲区域B11、B12、...、B1m、B21、B22、...和B2n中的每一个形成。位于一个区域的子像素可以相对于其他区域被第一封装层242和第三封装层246密封，第一封装层242和第三封装层246可以在开口218的内侧壁处形成。
可以设置弯曲区域B，并且可以在弯曲区域B处形成开口218。因此，可以去除可能被弯曲破坏的所有结构，并且通过弯曲区域B的开口218暴露的所有区域可以被密封。因此，最小化或减小湿气和空气通过弯曲区域B的结构可以被去除的部分的渗透。下面将对此进行详细说明。
图10A是示出了未形成弯曲区域的一般结构的柔性OLED器件的截面图。图10B是示出了弯曲区域的结构被去除的柔性OLED器件的截面图。参照图10A和图10B进一步说明该示例实施方式的柔性OLED器件200的优点。如图10A中所示，在一般结构的柔性OLED器件1中，其上形成有有机发光二极管E的平坦化层29可以完全在第一衬底10上方。此外，堤部32可以形成在相邻子像素之间例如，相邻的有机发光二极管E之间的平坦化层29上。第一封装层42和第三封装层46可以完全形成在第一衬底10上方。此外，第二衬底70可以通过填充构件(未示出)耦接至第三封装层46。
在该柔性OLED器件1中，可以通过弯折来产生连续和重复的应力，并且该应力可以被施加至第一封装层42和第三封装层46。因此，由于连续和重复的应力，第一封装层42和第三封装层46可能会被破坏并且可能会产生裂纹，并且裂纹可能会在柔性OLED器件1的整个区域上方传播。因此，可能会降低柔性OLED器件1的耐久性，并且进一步，柔性OLED器件1可能会被破坏。
如图10B中所示，在柔性OLED器件1中，可以在弯曲区域B处去除第一封装层42和第三封装层46，在该弯曲区域B处可以施加连续和重复的应力。因为不存在可以施加连续和重复的应力的第一封装层42和第三封装层46，所以在第一封装层42和第三封装层46处不会产生裂纹，并且可以最小化或减小由于裂纹的传播而产生的缺陷。然而，在该结构中，外部的湿气和空气渗透通过可以去除第一封装层42和第三封装层46的区域。渗透的湿气和空气可以通过平坦化层29传播至有机发光二极管E，并且可能会劣化有机发光二极管E。
在该示例实施方式中，因为第一封装层242和第三封装层246未形成在弯曲区域B处，所以由于连续和重复的应力而造成的第一封装层242和第三封装层246的裂纹可能不会产生，因此，可以最小化或减小由于裂纹的传播而产生的缺陷。此外，因为作为湿气和空气的渗透路径的平坦化层229可以完全被第一封装层242和第三封装层246封装，所以湿气和空气的渗透路径可能会被阻挡，因此有机发光二极管E的劣化可以被解决。
图11是示出了根据本公开内容的第五示例实施方式的OLED器件的截面图。如图11中所示，在柔性OLED器件300中，可以去除弯曲区域B的平坦化层329以形成开口318。堤部332、第一封装层342和第三封装层346可以在开口318内部延伸。因此，堤部332、第一封装层342和第三封装层346可以不形成在弯曲区域B处。因此，由于通过弯折导致的连续和重复的应力而引起的第一封装层342和第二封装层346的裂纹可能不会产生。因此，可以最小化或减小由于裂纹的传播而导致的柔性OLED器件300的耐久性的降低或缺陷。
此外，在该示例实施方式中，堤部332以及第一封装层342和第三封装层346可以形成在开口318的两个侧表面例如，子像素的平坦化层329的壁表面处，所述子像素可以通过其间的开口318彼此相邻。因此，堤部332以及第一封装层342和第三封装层346可以在弯曲区域B处完全密封平坦化层329的侧表面(例如，去除的表面)。外部的湿气和空气通过弯曲区域B的开口318的渗透可以被完全阻挡，因此可以最小化或减小由于诸如湿气和空气的杂质引起的有机发光二极管E的劣化。
特别地，在该示例实施方式中，位于开口318的平坦化层329的最外部的第三封装层346可以具有台阶346a，该台阶346a可以以预定宽度位于钝化层328的顶表面上，该钝化层328可以是开口318的底部。因此，与第四示例实施方式的柔性OLED器件相比，第三封装层346与钝化层328的顶表面的接触面积可以增大，并且可以有效地最小化或减小湿气和空气通过钝化层328与第三封装层346之间的界面的渗透。此外，与第四示例实施方式的柔性OLED器件相比，通过位于开口318的两侧的台阶346a，可以进一步减小暴露的钝化层328的宽度a。因此，可以有效地阻挡湿气和空气通过钝化层328向TFT中的渗透。
图12是示出了根据本公开内容的第六示例实施方式的OLED器件的截面图。图13是放大图12的区域A的图。如图12至图13所示，在柔性OLED器件400中，可以去除弯曲区域B的平坦化层429以形成开口418，并且堤部432、第一封装层442和第三封装层446可以在开口418内部延伸。因此，堤部432、第一封装层442和第三封装层446可以不形成在弯曲区域B处，因此由于通过弯折导致的连续和重复的应力引起的第一封装层442和第三封装层446的裂纹可能不会产生。因此，可以最小化或减小由于裂纹的传播而导致的柔性OLED器件400的耐久性的降低或破坏。
此外，在该结构中，有机发光二极管E的有机发光层454和第二电极456可以沿开口418的侧表面(例如，切割表面)延伸至钝化层428，并且可以在第二电极456上形成第一封装层442。此外，第二封装层444可以在有机发光二极管E上方的第一封装层442上形成为岛形状。有机发光层454、第二电极456和第一封装层442的部分可以形成台阶。这些台阶可以在开口418中的钝化层428上，和/或在有机发光层454的侧端表面上。形成台阶的第二电极456和第一封装层442可以在开口418中暴露。
第三封装层446可以从开口418中的第一封装层442的侧表面延伸至钝化层428，并且可以密封有机发光层454、第二电极456和第一封装层442的侧端表面。第三封装层446的一部分可以在开口418中的钝化层428上形成台阶446a。因此，有机发光层454、第二电极456以及第一封装层442和第三封装层446可以形成在子像素的平坦化层429的壁表面处，并且因此可以在弯曲区域B处完全密封平坦化层429的侧表面(例如，去除表面)。外部的湿气和空气通过弯曲区域B的开口418的渗透可以被完全阻挡，因此可以最小化或减小由于诸如湿气和空气的杂质引起的有机发光二极管E的劣化。
此外，暴露在开口418中的有机发光层454和第二电极456的侧端表面可以被第三封装层446封装，并且因此可以最小化或减小湿气和空气通过有机发光层454和第二电极456的侧端表面的渗透。此外，在该示例实施方式中，封装有机发光层454和第二电极456的侧端表面的第三封装层446可以具有预定宽度的台阶446a。因此，第三封装层446与钝化层428的顶表面的接触面积可以增大，并且因此可以更有效地最小化或减小湿气和空气通过钝化层428与第三封装层446之间的界面的渗透。此外，通过位于开口418的两侧的台阶446a，可以减小暴露的钝化层428的宽度。因此，可以有效地阻挡湿气和空气通过钝化层428向TFT中的渗透。
图14是示出了根据本公开内容的第七示例实施方式的OLED器件的截面图。图15是放大图14的区域C的图。如图14和图15所示，在柔性OLED器件500中，可以去除弯曲区域B的平坦化层529以形成开口518，并且堤部532、第一封装层542和第三封装层546可以在开口518内部延伸。因此，堤部532、第一封装层542和第三封装层546可以不形成在弯曲区域B处，因而由于通过弯折导致的连续和重复的应力引起的第一封装层542和第三封装层546的裂纹可能不会产生。因此，可以最小化或减小由于裂纹的传播而导致的柔性OLED器件500的耐久性的降低或破坏。
此外，在该结构中，有机发光二极管E的有机发光层554和第二电极556可以沿开口518的侧表面(例如，切割表面)延伸至钝化层528，并且可以在第二电极556上形成第一封装层542。此外，第二封装层544在有机发光二极管E上方的第一封装层542上形成为岛形状，并且第三封装层546可以在第一封装层542和第二封装层544上形成。有机发光层554、第二电极556、第一封装层542和第三封装层546的部分可以形成台阶。这些台阶可以在开口518中的钝化层528上，并且可以在有机发光层554、第二电极556、第一封装层542和第三封装层546的侧端表面上，从而形成可以在开口518中暴露的台阶。
第四封装层549可以形成在第三封装层546上，并且可以形成在有机发光层554、第二电极556、第一封装层542的侧表面上。第四封装层549可以由无机材料制成，并且可以封装有机发光层554、第二电极556、第一封装层542和第三封装层546的暴露的侧端表面。因此，有机发光层554、第二电极556以及第一封装层542、第三封装层546和第四封装层549可以形成在子像素的平坦化层529的壁表面处，并且因此可以在弯曲区域B处完全密封平坦化层529的侧表面(例如，去除表面)。可以完全阻挡外部的湿气和空气通过弯曲区域B的开口518的渗透，并且因此可以最小化或减小由于诸如湿气和空气的杂质引起的有机发光二极管E的劣化。
此外，暴露在开口518中的有机发光层554和第二电极556的侧端表面可以被第四封装层549封装，并且因此可以最小化或减小湿气和空气通过有机发光层554和第二电极556的侧端表面的渗透。此外，在该示例实施方式中，三层无机封装层542、546和549可以形成在位于开口518处的有机发光层554和第二电极556上，并且因此可以进一步阻挡外部的湿气和空气的渗透。此外，通过位于开口518的两侧的台阶，可以减小暴露的钝化层528的宽度。因此，可以有效地阻挡湿气和空气通过钝化层528向TFT中的渗透。
在以上的第四示例实施方式至第七示例实施方式中，由于连续和重复的应力而导致的对柔性OLED显示器的弯曲区域的破坏可以被最小化或减小，并且诸如湿气和空气的杂质通过该弯曲区域的渗透可以被最小化或减小。如图16中所示，可折叠OLED器件600可以不在整个器件上方弯折，而是可以在特定部分处折叠，使得其可以根据需要使用在折叠状态和非折叠状态中。因此，OLED器件600可以包括可以折叠的折叠区域F和不可以折叠的平坦区域P。OLED器件600实际上弯曲的弯曲区域B可以在折叠区域F处产生，并且可以不产生在平坦区域P处。在附图中，可以通过示例的方式示出在一个方向上折叠的OLED器件600。然而，OLED器件600可以在长边方向和短边方向两者上折叠。此外，可以形成一个或更多个折叠区域F。如果形成了两个或更多个折叠区域F，则OLED器件600可以在折叠区域F的位置处折叠。
图17是示出了图16的可折叠OLED器件的结构的图。如图17中所示，可折叠OLED器件600可以包括折叠区域F和平坦区域P，并且弯曲区域B可以形成在折叠区域F中。在位于折叠区域F和平坦区域P中的每一个中的子像素中，可以形成包括半导体层611、栅极电极612以及源极电极614和漏极电极616的TFT。可以在TFT上形成钝化层628和平坦化层629。
堤部632可以形成在相邻子像素之间的平坦化层629上，并且有机发光二极管E可以形成在相邻的堤部632之间。有机发光二极管E可以包括第一电极、第二电极以及在第一电极与第二电极之间的有机发光层。第一封装层642、第二封装层644和第三封装层646可以形成在具有有机发光二极管E的第一衬底610上。第一封装层642和第三封装层646可以由无机材料形成，并且第二封装层644可以由有机材料形成。
在平坦区域P中，可以依次形成第一封装层642、第二封装层644和第三封装层646。在折叠区域F中，可以形成去除了平坦化层629的一部分的开口618，并且可以沿开口618的壁表面形成第一封装层642和第三封装层646以完全封装子像素的侧表面。此外，在折叠区域F中，第二封装层644可以在第一封装层642上形成为岛形状，并且第二封装层644可以完全被第一封装层642和第三封装层646封装。此外，填充构件648可以涂覆在第三封装层646上，并且第二衬底670可以位于填充构件648上。第一衬底610和第二衬底670可以使用填充构件648彼此耦接。在折叠区域F中，填充构件648可以填充开口618的内部。
在该示例实施方式的可折叠OLED器件600中，开口618可以不在平坦区域P中形成，并且第一封装层642、第二封装层644和第三封装层646可以完全在平坦区域P上方依次形成。开口618可以形成在折叠区域F中，并且第一封装层642、第二封装层644和第三封装层646可以不形成在开口618的区域处。因此，当在折叠区域F处折叠可折叠OLED器件600时，可避免在第一封装层642、第二封装层644和第三封装层646中产生裂纹的情况，因此由于裂纹的传播而导致的对可折叠OLED器件600的破坏可以被最小化或减小。
此外，在该示例实施方式的可折叠OLED器件600中，折叠区域F的开口618的壁表面可以完全被第一封装层642和第三封装层646封装，并且因此湿气和空气通过折叠区域F向有机发光二极管E中的渗透可以被最小化或减小。像这样，在该示例实施方式的可折叠OLED器件600中，通过弯折或折叠产生的连续和重复的应力可以不被施加至平坦区域P，其不被折叠。因此，平坦区域P可以具有如图10A中所示的结构。可以施加通过弯折或折叠产生的连续和重复的应力的折叠区域F可以具有如图8中所示的防止由应力产生的破坏和杂质的渗透的结构。可替选地，折叠区域F可以具有如图11、12或14中所示的结构。可替选地，平坦区域P和折叠区域F两者都可以具有如图8、11、12或14中所示的结构。
图18是示出了包括触摸面板的OLED面板的截面图。如图18中所示，OLED面板可以包括显示面板710和触摸面板720。可以在第一衬底711(或阵列衬底)上形成包括有源区712c以及源区712a和漏区712b的半导体层712。可以在半导体层712上形成栅绝缘层713。可以在栅绝缘层713上形成栅极电极714、层间绝缘层715以及源极电极716a和漏极电极716b。半导体层712、栅绝缘层713、栅极电极714、层间绝缘层715以及源极电极716a和漏极电极716b可以形成TFT Tr。
钝化层717和有机发光二极管E可以依次形成在TFT Tr上。有机发光二极管E可以包括阳极(或第一电极)EA、有机绝缘层EO和阴极(或第二电极)EC。堤部718可以包围(或围绕)有机发光二极管E的侧表面。可以在有机发光二极管E上形成使用有机层和无机层的多层结构的封装层719以防止湿气向有机发光二极管E中的渗透。
触摸面板720可以包括触摸电极721、传送触摸输入驱动信号的Tx线(或触摸驱动线)(未示出)、传送触摸输入感测信号的Rx线(或触摸感测线)(未示出)以及向触摸电极提供驱动电力的驱动电力线。触摸面板720可以形成在封装层719上。触摸面板720可以处理用户对显示器的触摸输入。然而，因为可以在封装层719上形成包括触摸电极721的触摸面板720，所以增加了OLED器件的厚度。因为柔性显示器的厚度增加，该柔性显示器可以是各种类型例如可弯曲类型、可卷曲类型、可折叠类型和/或弯折类型中的任何一种，所以可以减小可变形的范围，因此可以降低柔性。此外，为了包括触摸面板驱动电路，该触摸面板驱动电路将触摸输入驱动信号提供给Tx线并从Rx线接收触摸输入感测信号，可能需要在显示器的边框区域中为触摸面板驱动电路提供单独的空间。这阻碍了在小型柔性OLED器件中的空间的利用。
图19A是示出了根据本公开内容的第九示例实施方式的OLED面板的截面图。为了使用OLED面板实现柔性显示器，第一衬底801(或阵列衬底)可以由具有柔性的塑料材料制成。该塑料材料可以是聚酰亚胺。可以在第一衬底801上形成作为缓冲层的多缓冲层802。多缓冲层802可以防止湿气、氧气和其他物质从第一衬底801的渗透。多缓冲层802可以形成为交替堆叠的SiNx的层和SiOx的层。
可以在多缓冲层802上形成作为另一缓冲层的有源缓冲层803。有源缓冲层803可以保护半导体层804并阻挡湿气、氧气和其他物质从第一衬底801的渗透。有源缓冲层803可以由非晶硅形成。半导体层804可以形成在有源缓冲层803上。半导体层804可以由非晶硅、多晶硅和/或氧化物半导体材料形成。作为沟道的有源区804c可以位于半导体层804的中心部分，并且高度掺杂有杂质的源区804a和漏区804b可以位于有源区804c的两侧。
栅绝缘层805可以形成在半导体层804上。栅绝缘层805可以阻挡在半导体层804与栅极电极806之间的电流流动。栅绝缘层805可以由无机绝缘材料例如SiOx或SiNx，或有机绝缘材料形成。栅极电极806可以形成在与有源区804c对应的栅绝缘层805上。沿一定方向延伸的栅极线(未示出)可以形成在栅绝缘层805上。栅极电极806可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu和/或其合金形成。栅极电极可以具有单层结构或多层结构。
可以在栅极电极806和栅极线上形成层间绝缘层807。层间绝缘层807可以由无机绝缘材料例如，SiOx和/或SiNx或有机绝缘材料制成。层间绝缘层807可以具有暴露半导体层804的源区804a和漏区804b中的每一个的接触孔809。源极电极808a和漏极电极808b可以形成在层间绝缘层807上。源极电极808a和漏极电极808b可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu和/或其一个或更多个合金制成。源极电极808a和漏极电极808b可以具有单层结构或多层结构。
半导体层804、栅绝缘层805、栅极电极806、层间绝缘层807以及源极电极808a和漏极电极808b可以形成TFT Tr。钝化层810可以形成在源极电极808a和漏极电极808b上。钝化层810可以保护源极电极808a和漏极电极808b免受湿气、氧气和其他物质的影响。平坦化层811可以形成在钝化层810上。平坦化层811可以保护TFT Tr并使第一衬底801的表面平坦化。平坦化层811可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)中的至少一种制成。平坦化层811可以具有单层结构或多层结构。
钝化层810和平坦化层811的部分可以被去除以形成漏极接触孔812，从而暴露漏极电极808b。第一电极813可以形成在平坦化层811上并且用作有机发光二极管的阳极。第一电极813可以通过漏极接触孔812电连接至TFT Tr的漏极电极808b。如果OLED器件是底部发光型，则第一电极813可以由透明导电材料例如ITO和/或IZO制成。如果OLED器件是顶部发光型，则第一电极813可以由具有高反射率的不透明导电材料例如Ag、Al、Au、Mo、W、Cr和/或其一个或更多个合金制成。
有机发光层814可以位于第一电极813上。有机发光层814可以形成为由发光材料制成的单层。可替选地，为了提高发光效率，有机发光层814可以形成为多层，该多层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。有机发光层814可以发射红色、绿色或蓝色光。在这方面，可以在红色、绿色和蓝色子像素中分别对红色、绿色和蓝色有机材料进行图案化。
第二电极815可以位于有机发光层814上并且用作有机发光二极管的阴极。如果OLED器件是顶部发光型，则第二电极815可以由透明导电材料例如ITO和/或IZO制成。如果OLED器件是底部发光型，则第二电极815可以由具有高反射率的不透明导电材料例如Ag、Al、Au、Mo、W、Cr和/或其一个或更多个合金制成。当第一电极813和第二电极815根据输入至TFT Tr的数据信号施加有相应的电压时，来自第一电极813的空穴和来自第二电极815的电子可以被传输至有机发光层814并形成一个激子。当发生激子从激发态至基态的转变时，可能会产生并发射光。发射的光可以穿过第一电极813或第二电极815，因此OLED器件可以显示图像。
可以在有机发光二极管的一侧形成堤部816。堤部816可以具有由子像素隔开的结构。堤部816可以由无机绝缘材料例如SiOx或SiNx，或有机绝缘材料例如BCB、丙烯酸树脂或酰亚胺树脂制成。封装层可以形成在堤部816和第二电极815上，并且可以包括可以依次位于堤部816和第二电极815上的第一封装层817、有机层818和第二封装层819。第一封装层817和第二封装层819中的每一个可以由SiOx、SiNx和/或AlOx制成并且可以用于防止湿气、氧气和/或其他物质向有机发光层814中的渗透。
有机材料的有机层818可以在第一封装层817与第二封装层819之间以使衬底的表面平坦化，因此可以防止产生由台阶导致的显示品质的降低。通过示例的方式来描述交替堆叠的第一封装层817和第二封装层819的无机封装层以及有机层818。可替选地，可以交替地堆叠多个有机层和多个无机封装层，并且可以防止湿气、氧气和/或其他物质向有机发光层814中的渗透。
封装层可以以薄膜形式形成为有机层和无机层，使得封装层可以比玻璃的封装层更轻和/或更薄并且具有柔性。因此，该示例实施方式的封装层可以被应用于柔性OLED器件。可以在堤部816的可能不形成有机发光二极管的区域中形成封装孔(或封装接触孔)820，并且封装孔820可以暴露在其下方的钝化层810。为了暴露钝化层810，封装孔820可以形成在平坦化层811、堤部816、第一封装层817、有机层818和第二封装层819中。例如，平坦化层811、堤部816、第一封装层817、有机层818和第二封装层819可以依次去除以在其中形成封装孔820。
封装孔820的外围可以被第一封装层817和第二封装层819围绕。触摸电极911可以形成在钝化层810的暴露在封装孔820中的一部分上。TFT Tr的漏极电极808b可以延伸至钝化层810的暴露部分的区域并连接至触摸电极911。可替选地，触摸电极911可以连接至在第一衬底801上形成的信号线。触摸电极911可以通过可以电连接至TFT Tr的数据线和/或通过形成在第一衬底801上的信号线来接收触摸输入驱动信号。当感测到触摸输入时，触摸输入感测信号可以通过数据线或形成在第一衬底801上的信号线从触摸电极911传送，然后可以处理触摸输入。
在该示例实施方式中，触摸面板可以不形成在第二封装层819上。触摸面板可以包括触摸电极、Tx线和Rx线。在不形成触摸面板的情况下，可以去除第一封装层817、有机层818和第二封装层819以形成封装孔820。此外，可以在封装孔820中形成触摸电极911。通过除去封装层上的触摸面板，可以减小OLED面板的总厚度。此外，由于可以减小OLED面板的厚度，所以可变形范围可以增加，因此可以容易地将OLED面板制成可弯曲类型、可卷曲类型、可折叠类型或弯折类型，因此OLED面板可以具有适合于柔性显示器的结构。
此外，包括数据线的信号线可以用作Tx线和Rx线，可以在封装层上除去Tx线和/或Rx线。因此，可能不需要在OLED面板的侧表面部分的边框区域中设置触摸面板驱动电路，该触摸面板驱动电路将触摸输入驱动信号提供给Tx线并且从Rx线接收触摸输入感测信号，因此可以减小边框区域的尺寸。由于边框区域被减小，因此可以更好地利用空间，并且可以实现各种设计中的柔性OLED器件。此外，可以通过形成在第一衬底上的信号线来提供用于驱动触摸电极911的驱动电力，因此可以除去位于封装层上的驱动电力线。
图19B是示出了根据本公开内容的第十示例实施方式的OLED面板的截面图。该示例实施方式的OLED面板与第九示例实施方式的OLED面板的不同之处在于，该示例实施方式的钝化层810可以形成为具有与源极电极808a和漏极电极808b对应的岛形状(或分开的结构)。例如，钝化层810可以是位于源极电极808a和漏极电极808b中的每一个上并覆盖源极电极808a和漏极电极808b中的每一个的岛图案(或分开的图案)。该配置可以减轻钝化层810的应力，并且可以防止裂纹以及由裂纹导致的应力向其他区域的传播。
像第九示例实施方式一样，在该示例实施方式中，可以形成封装孔820并且触摸电极911可以位于封装孔820中，因此可以除去封装层上的触摸面板。因此，可以通过减小OLED面板的厚度来增加柔性，并且可以从边框区域除去触摸驱动电路，因此可以减小边框区域的尺寸，从而可以增加空间的利用，并且可以实现柔性OLED器件。
图20示出了根据本公开内容的第十一示例实施方式的OLED器件。如图20中所示，OLED器件可以包括显示面板800、触摸面板驱动部分1300、定时控制部分1400、栅极驱动部分1500和数据驱动部分1600。显示面板800可以包括矩阵形式的多个子像素P并显示图像。显示面板800可以使用第九或第十示例实施方式的OLED面板。在显示面板800的第一衬底上，可以形成用于限定子像素的多条栅极线GL1至GLn和多条数据线DL1至DLm，所述多条栅极线GL1至GLn可以彼此间隔开且彼此平行，所述多条数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn交叉。
子像素P可以包括：发射光的有机发光二极管；根据数据信号来调节有机发光二极管的发光的量的TFT；以及保持数据信号的电压直到下一帧的存储电容器。触摸电极911可以形成在位于子像素P中的封装孔(例如，图19A或图19B的820)中，并且可以感测触摸输入。感测触摸输入的类型可以被分类为电阻型、电磁型或电容型。电容型可以是感测触摸电极的类型，在该触摸电极中电压根据通过触摸的电容的变化而改变，从而确定可以进行触摸输入的位置。在该示例实施方式中，通过示例的方式描述了电容型。
触摸面板驱动部分1300可以发送触摸输入驱动信号(TD)，并且从触摸电极911接收触摸输入感测信号(RD)，然后将触摸输入感测信号(RD)转换为数字数据(DD)并且然后处理触摸输入。为此，触摸面板驱动部分1300可以包括触摸输入控制部分1310、Tx驱动部分1320和Rx驱动部分1330。触摸输入控制部分1310可以生成控制Tx驱动部分1320的第一设置信号(SS1)和控制Rx驱动部分1330的第二设置信号(SS2)。
触摸输入控制部分1310可以将控制采样定时的开关控制信号(SCS)提供给Rx控制部分1330，并且控制Rx控制部分1330以对从触摸电极911传送的触摸输入感测信号(RD)进行采样。此外，触摸输入控制部分1310可以将ADC时钟信号(AD_CLK)提供给可以包括在Rx驱动部分1330中的模拟数字转换器(ADC)，并且控制该模拟数字转换器以将采样的触摸输入感测信号(RD)转换为数字数据(DD)。此外，触摸输入控制部分1310可以使用数字数据(DD)和触摸输入感测算法，并找出(或确定)进行触摸输入的坐标，然后将包括坐标信息的触摸输入数据HIDxy发送给主机系统1700。主机系统1700可以使用应用程序来处理来自触摸输入控制部分1310的触摸输入数据HIDxy。触摸输入控制部分1310可以被配置为微控制器单元。
各种方法可以被用于微控制器单元进行感测的算法。例如，可以将具有在触摸电极上流动的电流的量的数字数据存储为参考数据(R)。当可以进行实际的触摸输入时，原始数据(r)可以是由Rx驱动部分1330转换的数字数据。原始数据(r)可以与参考数据(R)进行比较。如果原始数据(r)小于参考数据(R)，则可能不会发生触摸输入。如果原始数据(r)大于参考数据(R)，则可能会发生触摸输入。当确定发生触摸输入时，微控制器单元可以生成包括进行触摸输入的位置和识别码的触摸输入数据HIDxy，并且将触摸输入数据HIDxy发送给主机系统1700。
Tx驱动部分1320可以根据第一设置信号(SS1)来设置传送一个或更多个驱动脉冲的触摸输入驱动信号(TD)的数据线，并且将触摸输入驱动信号(TD)发送给设置的数据线。Rx驱动部分1330可以根据第二设置信号(SS2)来设置传送触摸输入感测信号(RD)的数据线。此外，Rx驱动部分1330可以根据从触摸输入控制部分1310输入的开关控制信号(SCS)对触摸输入感测信号(RD)进行采样，然后将采样的触摸输入感测信号(RD)转换为数字数据(DD)，并且然后将数字数据(DD)发送给触摸输入控制部分1310。通过示例的方式描述了Tx驱动部分1320和Rx驱动部分1330，所述Tx驱动部分1320通过数据线将触摸输入驱动信号(TD)提供给触摸电极911，所述Rx驱动部分1330通过数据线从触摸电极接收触摸输入感测信号(RD)。然而，可以使用除数据线之外的形成在第一衬底上的信号线。
形成在封装孔处的触摸电极911可以通过数据线或在第一衬底上的其他信号线从Tx驱动部分1320接收触摸输入驱动信号(TD)。然后，感测到触摸输入的触摸电极911可以通过数据线或在第一衬底上的其他信号线将触摸输入感测信号(RD)发送给Rx驱动部分1330，并且然后可以处理触摸输入。通过示例的方式描述了通过电容的变化感测触摸输入。然而，可以将感测热、压力和/或湿气中的至少一种的功能添加至触摸电极911，并且可以实现各种另外的功能。
定时控制部分1400可以生成用于控制栅极驱动部分1500的操作的栅极控制信号GCS和用于控制数据驱动部分1600的操作的数据控制信号DCS。这些信号可以使用从主机系统1700输入的定时控制信号TCS来生成，并且然后可以将栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS提供给栅极驱动部分1500和数据驱动部分1600。此外，定时控制部分1400可以将图像信号RGB提供给数据驱动部分1600。栅极驱动部分1500可以根据包括在栅极控制信号GCS中的栅极移位时钟(GSC)来移位包括在栅极控制信号GCS中的栅极起始脉冲(GSP)，并且将使TFT接通的栅极高信号(VGH)依次提供给栅极线GL1至GLn。此外，栅极驱动部分1500可以在未提供栅极高信号(VGH)的剩余时间期间将栅极低信号(VGL)提供给栅极线GL1至GLn。
数据驱动部分1600可以根据包括在栅极控制信号GCS中的源极移位时钟(SSC)来移位包括在数据控制信号DCS中的源极起始脉冲(SSP)以生成采样信号。此外，数据驱动部分1600可以根据采样信号锁存可以根据源极移位时钟(SSC)输入的图像数据RGB。然后，数据驱动部分可以将锁存的图像数据RGB转换为数据信号，并且然后响应于源极输出使能(SOE)信号按行线将图像数据信号提供给数据线DL1至DLm。定时控制部分1400、栅极驱动部分1500、数据驱动部分1600可以操作显示面板800，并且可以被包括在显示面板驱动部分IDA中。此外，作为触摸面板驱动电路的Tx驱动部分1320和Rx驱动部分1330可以从显示区域的一侧处的边框区域去除并且可以位于其他非显示区域，因此可以减小边框区域的尺寸。因此，可以实现具有增加的空间的利用的柔性OLED器件。
本公开内容的上述的特征、结构和效果被包括在至少一个示例实施方式中，但不仅限于一个示例实施方式。此外，本领域技术人员可以通过对其他示例实施方式的组合或修改来实现在至少一个示例实施方式中描述的特征、结构和效果。因此，与组合和修改相关联的内容应被解释为在本公开内容的范围内。对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，可以在本公开内容中进行各种修改和变化。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变型，只要其落入所附权利要求及其等同物的范围内。
发明构思
本发明提供了以下发明构思：
1.一种柔性有机发光二极管OLED器件，包括：
包括多个子像素的衬底，所述多个子像素中的每个子像素包括驱动薄膜晶体管TFT；
覆盖所述驱动TFT的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上的外覆层；
在所述外覆层上并且在所述多个子像素中的每个子像素中的第一电极；
覆盖所述第一电极的边缘部分的堤部；
在所述第一电极上的有机发光层；
在所述有机发光层上的第二电极；以及
在所述第二电极上的保护膜，
其中，第一孔的位置基于所述堤部的位置，并且在所述外覆层、所述堤部和所述保护膜中的至少一个中。
2.根据发明构思1所述的柔性OLED器件，其中：
所述保护膜包括均由无机绝缘材料形成的第一保护膜和第三保护膜、以及由有机绝缘材料形成的第二保护膜，并且
所述第一孔在所述第二保护膜中。
3.根据发明构思1所述的柔性OLED器件，其中：
所述保护膜包括均由无机绝缘材料形成的第一保护膜和第三保护膜、以及均由有机绝缘材料形成的第二保护膜和第四保护膜，并且
其中，所述第一孔在所述第二保护膜和所述第四保护膜中。
4.根据发明构思3所述的柔性OLED器件，其中：
所述第一孔在所述第二保护膜中，并且
第二孔的位置基于所述第一孔的位置并且在所述第四保护膜中。
5.根据发明构思1所述的柔性OLED器件，其中，所述第一孔在所述堤部上并且穿过所述有机发光层、所述第二电极和所述保护膜。
6.根据发明构思5所述的柔性OLED器件，其中，所述保护膜使用原子层沉积法来形成。
7.根据发明构思5所述的柔性OLED器件，其中，所述第一孔位于所述多个子像素中的每个子像素的至少两侧，或者位于所述多个子像素中的每个子像素的所述至少两侧中的一侧。
8.根据发明构思1所述的柔性OLED器件，其中，所述第一孔在位于所述堤部的下方的所述第一电极中，并且第二孔的位置基于所述第一孔的位置并且在所述外覆层中。
9.根据发明构思8所述的柔性OLED器件，其中，所述保护膜使用原子层沉积法来形成。
10.根据发明构思8所述的柔性OLED器件，其中，所述第二孔的宽度大于所述第一孔的宽度，使得所述第一电极和所述外覆层形成底切。
11.根据发明构思10所述的柔性OLED器件，其中，位于所述底切的区域处的所述保护膜具有尖端形状。
12.根据发明构思8所述的柔性OLED器件，其中，所述第二孔暴露所述层间绝缘层。
13.根据发明构思1所述的柔性OLED器件，还包括在所述堤部上的间隔件，其中，所述间隔件具有倒锥形状。
14.一种有机发光二极管OLED器件，包括：
包括多个子像素的衬底；
在所述多个子像素中的每个子像素中的薄膜晶体管TFT，其中，所述TFT具有至少一个无机层；
在有机发光层上的封装层，其中，所述封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层；以及
暴露所述TFT的所述无机层的开口，
其中，所述开口将所述至少一个无机封装层与所述TFT的所述无机层连接。
15.根据发明构思14所述的OLED器件，其中，所述TFT的所述无机层是绝缘层或钝化层。
16.根据发明构思14所述的OLED器件，其中，所述开口限定弯曲区域中的至少一个区，以便减小由弯曲所述OLED器件引起的应力。
17.根据发明构思16所述的OLED器件，其中，所述区包括至少一个子像素。
18.根据发明构思16所述的OLED器件，其中，所述区被无机材料封装。
19.根据发明构思14所述的OLED器件，其中，所述开口暴露触摸电极。
20.根据发明构思19所述的OLED器件，其中，所述触摸电极连接至所述TFT的漏极电极或所述衬底上的第一信号线。
21.根据发明构思20所述的OLED器件，还包括：
在除了边框区域以外的非显示区域处的触摸面板驱动部分，
其中，所述触摸面板驱动部分被配置成将触摸输入驱动信号通过所述第一信号线提供至所述触摸电极，并且
其中，所述触摸电极被配置成将触摸输入感测信号通过所述第一信号线提供至所述触摸面板驱动部分。
22.根据发明构思20所述的OLED器件，其中，所述第一信号线是数据线。
23.根据发明构思20所述的OLED器件，其中，驱动电力被配置成通过所述第一信号线被提供至所述触摸电极。
24.根据发明构思14所述的OLED器件，还包括在所述至少一个无机封装层上并且填充所述开口的填充构件。
25.根据发明构思14所述的OLED器件，其中，所述衬底是柔性衬底。
26.一种柔性有机发光二极管OLED器件，包括：
包括多个子像素的衬底，所述多个子像素中的每个子像素包括驱动薄膜晶体管TFT；
覆盖所述驱动TFT的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上的外覆层；
在所述外覆层上并且在所述多个子像素中的每个子像素中的第一电极；
覆盖所述第一电极的边缘部分的堤部；
在所述第一电极上的有机发光层；
在所述有机发光层上的第二电极；以及
在所述第二电极上的保护膜，其中，所述保护膜包括至少一个无机层，
其中，第一孔的位置基于所述堤部的位置，并且暴露所述外覆层、所述堤部和所述保护膜中的至少一个；并且第二孔的位置基于所述第一孔的位置。
27.根据发明构思26所述的柔性OLED器件，其中，所述第二孔的宽度大于所述第一孔的宽度，使得所述第一电极和所述外覆层形成底切。
28.根据发明构思27所述的柔性OLED器件，其中，所述底切具有尖端形状。
29.根据发明构思27所述的柔性OLED器件，其中，所述第一电极在所述底切处连接至所述保护膜的所述无机层，并且被配置成减小向所述有机发光层的湿气渗透。
30.根据发明构思26所述的柔性OLED器件，其中，所述第一电极包括金属材料。
31.根据发明构思26所述的柔性OLED器件，其中，所述第一孔和所述第二孔限定弯曲区域中的至少一个区，以便减小由弯曲所述OLED器件引起的应力。
32.根据发明构思26所述的柔性OLED器件，还包括在所述至少一个无机封装层中的第一无机封装层和第二无机封装层之间的有机封装层。
33.根据发明构思32所述的柔性OLED器件，其中，所述有机封装层被所述第一无机封装层和所述第二无机封装层封装。
34.根据发明构思32所述的柔性OLED器件，其中，所述第一无机封装层包括台阶。
35.根据发明构思32所述的柔性OLED器件，其中，所述第二无机封装层包括台阶。
36.根据发明构思32所述的柔性OLED器件，其中，所述第二无机封装层封装所述有机发光层和所述第二电极的多个表面。
37.根据发明构思32所述的柔性OLED器件，还包括所述至少一个无机封装层中的封装所述有机发光层和所述第二电极的多个表面的第三无机封装层。
38.一种可折叠有机发光二极管OLED器件，包括：
包括多个子像素的衬底；以及
平坦区域，所述平坦区域包括：
在所述平坦区域中的每个子像素中的第一薄膜晶体管TFT；
在所述第一TFT上并且完全在所述衬底上方的第一绝缘层和第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上的第一发光元件；以及
依次位于所述第一发光元件上并且在所述平坦区域的整个子像素上方的第一无机封装层、第一有机封装层和第二无机封装层；以及折叠区域，所述折叠区域包括：
在所述折叠区域中的每个子像素中的第二TFT；
在所述第二绝缘层中从而暴露其下方的所述第一绝缘层的开口；
在所述第二绝缘层上的第二发光元件；
在所述第二发光元件上并且延伸至所述开口的侧表面以封装所述第二发光元件的第三无机封装层；
在所述第二发光元件上方、所述第三无机封装层上的呈岛形状的第二有机封装层；以及
在所述第三无机封装层上并且延伸至所述开口的所述侧表面从而封装所述第三无机封装层的第四无机封装层，
其中，所述开口的一部分的区域暴露在所述折叠区域的一个子像素的所述第四无机封装层与所述折叠区域的相邻的子像素的所述第四无机封装层之间。
39.根据发明构思38所述的可折叠OLED器件，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每一个包括：
第一电极；
在所述第一电极上的有机发光层；以及
在所述有机发光层上的第二电极。
40.根据发明构思39所述的可折叠OLED器件，其中，所述第二发光元件的所述有机发光层和所述第二电极在所述开口中、所述第一绝缘层上方延伸。
41.根据发明构思38所述的可折叠OLED器件，其中，所述第一无机封装层与所述第三无机封装层一体地形成，并且所述第二无机封装层与所述第四无机封装层一体地形成。
42.一种有机发光二极管OLED器件，包括：
第一衬底；
在所述第一衬底上的薄膜晶体管TFT；
覆盖所述TFT的钝化层；以及
在所述钝化层上的封装层，
其中，封装孔在所述封装层中以暴露所述钝化层的一部分，并且
其中，触摸电极在所述钝化层的暴露部分上，并且连接至所述TFT的漏极电极或所述第一衬底上的第一信号线。
43.根据发明构思42所述的OLED器件，其中，所述第一衬底包括聚酰亚胺。
44.根据发明构思42所述的OLED器件，其中，所述封装层包括第一封装层、第二封装层以及在所述第一封装层与所述第二封装层之间的有机层。
45.根据发明构思42所述的OLED器件，还包括：
在所述第一衬底上的多缓冲层；
在所述多缓冲层上并且在所述TFT下方的有源缓冲层；
在所述钝化层上并且在所述TFT上的平坦化层；以及
在所述平坦化层上的有机发光二极管和堤部，其中，所述堤部围绕所述有机发光二极管，
其中，所述封装层在所述有机发光二极管和所述堤部上，并且
其中，所述封装孔位于所述封装层、所述堤部和所述平坦化层的被去除部分处，从而暴露所述钝化层的所述部分。
46.根据发明构思42所述的OLED器件，其中，所述钝化层在所述TFT的源极电极和所述漏极电极中的每一个上具有岛图案。
47.根据发明构思42所述的OLED器件，还包括：
在除了边框区域以外的非显示区域处的触摸面板驱动部分，
其中，所述触摸面板驱动部分被配置成将触摸输入驱动信号通过所述第一信号线提供至所述触摸电极，并且
其中，所述触摸电极被配置成将触摸输入感测信号通过所述第一信号线提供至所述触摸面板驱动部分。
48.根据发明构思47所述的OLED器件，其中，所述第一信号线是数据线。
49.根据发明构思47所述的OLED器件，其中，驱动电力被配置成通过所述第一信号线被提供至所述触摸电极。

Claims (44)

1.一种柔性有机发光二极管OLED器件，包括：
包括多个子像素的衬底，所述多个子像素中的每个子像素包括驱动薄膜晶体管TFT；
覆盖所述驱动TFT的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上的外覆层；
在所述外覆层上并且在所述多个子像素中的每个子像素中的第一电极；
覆盖所述第一电极的边缘部分的堤部；
在所述第一电极上的有机发光层；
在所述有机发光层上的第二电极；以及
在所述第二电极上的保护膜，所述保护膜包括：均由无机绝缘材料形成的第一保护膜和第三保护膜；以及在所述第一保护膜与所述第三保护膜之间的由有机绝缘材料形成的第二保护膜，
其中，第一孔的位置基于所述堤部的位置，并且在所述保护膜中，使得在所述第一孔的一侧的所述第一保护膜、所述第二保护膜和所述第三保护膜分别与在所述第一孔的相对侧的所述第一保护膜、所述第二保护膜和所述第三保护膜分离。
2.根据权利要求1所述的柔性OLED器件，其中：
所述保护膜还包括在所述第二保护膜与所述第三保护膜之间的由有机绝缘材料形成的第四保护膜，并且
其中，所述第一孔在所述第一保护膜、所述第二保护膜、所述第三保护膜和所述第四保护膜中。
3.根据权利要求1所述的柔性OLED器件，其中，所述第一孔在所述堤部上并且穿过所述有机发光层、所述第二电极和所述保护膜。
4.根据权利要求3所述的柔性OLED器件，其中，所述保护膜使用原子层沉积法来形成。
5.根据权利要求3所述的柔性OLED器件，其中，所述第一孔位于所述多个子像素中的每个子像素的至少两侧，或者位于所述多个子像素中的每个子像素的所述至少两侧中的一侧。
6.根据权利要求1所述的柔性OLED器件，其中，所述第一孔在位于所述堤部的下方的所述第一电极中，并且第二孔的位置基于所述第一孔的位置并且在所述外覆层中。
7.根据权利要求6所述的柔性OLED器件，其中，所述保护膜使用原子层沉积法来形成。
8.根据权利要求6所述的柔性OLED器件，其中，所述第二孔的宽度大于所述第一孔的宽度，使得所述第一电极和所述外覆层形成底切。
9.根据权利要求8所述的柔性OLED器件，其中，位于所述底切的区域处的所述保护膜具有尖端形状。
10.根据权利要求6所述的柔性OLED器件，其中，所述第二孔暴露所述层间绝缘层。
11.根据权利要求1所述的柔性OLED器件，还包括在所述堤部上的间隔件，其中，所述间隔件具有倒锥形状。
12.一种有机发光二极管OLED器件，包括：
包括多个子像素的衬底；
在所述多个子像素中的每个子像素中的薄膜晶体管TFT，其中，所述TFT具有至少一个无机层；
在有机发光层上的封装层，其中，所述封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层；以及
暴露所述TFT的所述无机层的开口，
其中，所述开口将所述至少一个无机封装层与所述TFT的所述无机层连接，并且
其中，在所述开口的一侧的所述至少一个有机封装层和所述至少一个无机封装层分别与在所述开口的相对侧的所述至少一个有机封装层和所述至少一个无机封装层分离。
13.根据权利要求12所述的OLED器件，其中，所述TFT的所述无机层是绝缘层或钝化层。
14.根据权利要求12所述的OLED器件，其中，所述开口限定弯曲区域中的至少一个区，以便减小由弯曲所述OLED器件引起的应力。
15.根据权利要求14所述的OLED器件，其中，所述区包括至少一个子像素。
16.根据权利要求14所述的OLED器件，其中，所述区被无机材料封装。
17.根据权利要求12所述的OLED器件，其中，所述开口暴露触摸电极。
18.根据权利要求17所述的OLED器件，其中，所述触摸电极连接至所述TFT的漏极电极或所述衬底上的第一信号线。
19.根据权利要求18所述的OLED器件，还包括：
在除了边框区域以外的非显示区域处的触摸面板驱动部分，
其中，所述触摸面板驱动部分被配置成将触摸输入驱动信号通过所述第一信号线提供至所述触摸电极，并且
其中，所述触摸电极被配置成将触摸输入感测信号通过所述第一信号线提供至所述触摸面板驱动部分。
20.根据权利要求18所述的OLED器件，其中，所述第一信号线是数据线。
21.根据权利要求18所述的OLED器件，其中，驱动电力被配置成通过所述第一信号线被提供至所述触摸电极。
22.根据权利要求12所述的OLED器件，还包括在所述至少一个无机封装层上并且填充所述开口的填充构件。
23.根据权利要求12所述的OLED器件，其中，所述衬底是柔性衬底。
24.一种柔性有机发光二极管OLED器件，包括：
包括多个子像素的衬底，所述多个子像素中的每个子像素包括驱动TFT；
覆盖所述驱动TFT的层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上的外覆层；
在所述外覆层上并且在所述多个子像素中的每个子像素中的第一电极；
覆盖所述第一电极的边缘部分的堤部；
在所述第一电极上的有机发光层；
在所述有机发光层上的第二电极；以及
在所述第二电极上的保护膜，其中，所述保护膜包括：均由无机绝缘材料形成的第一保护膜和第三保护膜；以及在所述第一保护膜与所述第三保护膜之间的由有机绝缘材料形成的第二保护膜，
其中，第一孔的位置基于所述堤部的位置，并且暴露所述外覆层和所述堤部中的至少一个；并且第二孔的位置基于所述第一孔的位置，并且
其中，在所述第一孔的一侧的所述第一保护膜、所述第二保护膜和所述第三保护膜通过所述第一孔和所述第二孔分别与在所述第一孔的相对侧的所述第一保护膜、所述第二保护膜和所述第三保护膜分离。
25.根据权利要求24所述的柔性OLED器件，其中，所述第二孔的宽度大于所述第一孔的宽度，使得所述第一电极和所述外覆层形成底切。
26.根据权利要求25所述的柔性OLED器件，其中，所述底切具有尖端形状。
27.根据权利要求25所述的柔性OLED器件，其中，所述第一电极在所述底切处连接至所述保护膜的所述第一保护膜，并且被配置成减小向所述有机发光层的湿气渗透。
28.根据权利要求24所述的柔性OLED器件，其中，所述第一电极包括金属材料。
29.根据权利要求24所述的柔性OLED器件，其中，所述第一孔和所述第二孔限定弯曲区域中的至少一个区，以便减小由弯曲所述OLED器件引起的应力。
30.根据权利要求24所述的柔性OLED器件，其中，所述第二保护膜被所述第一保护膜和所述第三保护膜封装。
31.根据权利要求24所述的柔性OLED器件，其中，所述第一保护膜包括台阶。
32.根据权利要求24所述的柔性OLED器件，其中，所述第三保护膜包括台阶。
33.根据权利要求24所述的柔性OLED器件，其中，所述第三保护膜封装所述有机发光层和所述第二电极的多个表面。
34.一种可折叠有机发光二极管OLED器件，包括：
包括多个子像素的衬底；以及
平坦区域，所述平坦区域包括：
在所述平坦区域中的每个子像素中的第一TFT；
在所述第一TFT上并且完全在所述衬底上方的第一绝缘层和第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上的第一发光元件；以及
依次位于所述第一发光元件上并且在所述平坦区域的整个子像素上方的第一无机封装层、第一有机封装层和第二无机封装层；以及折叠区域，所述折叠区域包括：
在所述折叠区域中的每个子像素中的第二TFT；
在所述第二绝缘层中从而暴露其下方的所述第一绝缘层的开口；
在所述第二绝缘层上的第二发光元件；
在所述第二发光元件上并且延伸至所述开口的侧表面以封装所述第二发光元件的第三无机封装层；
在所述第二发光元件上方、所述第三无机封装层上的呈岛形状的第二有机封装层；以及
在所述第三无机封装层上并且延伸至所述开口的所述侧表面从而封装所述第三无机封装层的第四无机封装层，
其中，在所述开口的一侧的所述第二有机封装层、所述第三无机封装层和所述第四无机封装层分别与在所述开口的相对侧的所述第二有机封装层、所述第三无机封装层和所述第四无机封装层分离，使得所述开口的一部分的区域暴露在所述折叠区域的一个子像素的所述第四无机封装层与所述折叠区域的相邻的子像素的所述第四无机封装层之间。
35.根据权利要求34所述的可折叠OLED器件，其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件中的每一个包括：
第一电极；
在所述第一电极上的有机发光层；以及
在所述有机发光层上的第二电极。
36.根据权利要求35所述的可折叠OLED器件，其中，所述第二发光元件的所述有机发光层和所述第二电极在所述开口中、所述第一绝缘层上方延伸。
37.根据权利要求34所述的可折叠OLED器件，其中，所述第一无机封装层与所述第三无机封装层一体地形成，并且所述第二无机封装层与所述第四无机封装层一体地形成。
38.一种有机发光二极管OLED器件，包括：
第一衬底；
在所述第一衬底上的薄膜晶体管TFT；
覆盖所述TFT的钝化层；以及
在所述钝化层上的封装层，所述封装层包括第一封装层、第二封装层、以及在所述第一封装层与所述第二封装层之间的有机层，
其中，封装孔在所述封装层中以暴露所述钝化层的一部分，使得在所述封装孔的一侧的所述第一封装层和所述第二封装层以及所述有机层分别与在所述封装孔的相对侧的所述第一封装层和所述第二封装层以及所述有机层分离，并且
其中，触摸电极在所述钝化层的暴露部分上并且处于在所述封装孔的一侧的所述第一封装层和所述第二封装层以及所述有机层中的每一个与在所述封装孔的相对侧的所述第一封装层和所述第二封装层以及所述有机层中的每一个之间的空间中，并且所述触摸电极连接至所述TFT的漏极电极或所述第一衬底上的第一信号线。
39.根据权利要求38所述的OLED器件，其中，所述第一衬底包括聚酰亚胺。
40.根据权利要求38所述的OLED器件，还包括：
在所述第一衬底上的多缓冲层；
在所述多缓冲层上并且在所述TFT下方的有源缓冲层；
在所述钝化层上并且在所述TFT上的平坦化层；以及
在所述平坦化层上的有机发光二极管和堤部，其中，所述堤部围绕所述有机发光二极管，
其中，所述封装层在所述有机发光二极管和所述堤部上，并且
其中，所述封装孔位于所述封装层、所述堤部和所述平坦化层的被去除部分处，从而暴露所述钝化层的所述部分。
41.根据权利要求38所述的OLED器件，其中，所述钝化层在所述TFT的源极电极和所述漏极电极中的每一个上具有岛图案。
42.根据权利要求38所述的OLED器件，还包括：
在除了边框区域以外的非显示区域处的触摸面板驱动部分，
其中，所述触摸面板驱动部分被配置成将触摸输入驱动信号通过所述第一信号线提供至所述触摸电极，并且
其中，所述触摸电极被配置成将触摸输入感测信号通过所述第一信号线提供至所述触摸面板驱动部分。
43.根据权利要求42所述的OLED器件，其中，所述第一信号线是数据线。
44.根据权利要求42所述的OLED器件，其中，驱动电力被配置成通过所述第一信号线被提供至所述触摸电极。
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