TW202021118A - 有機發光二極體裝置 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光二極體裝置包含：一基板，包含多個子像素；在該些子像素中各包含一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體具有至少一無機層；一封裝層，在一有機發光層上，其中該封裝層包含至少一有機封裝層和至少一無機封裝層；以及一開口，暴露該薄膜電晶體的該無機層，其中該開口將該至少一無機封裝層與該薄膜電晶體的該無機層連接。

Description

有機發光二極體裝置
本發明要求將2018年11月28日、2018年12月4日和2018年12月28日提交的韓國專利申請第10-2018-0149489號、第10-2018-0154485號和第10-2018-0172125號的優先權和權益，通過引用將其全部內容整體併入本文，如同在本文完整闡述的所有目的一樣。
本發明涉及一種有機發光二極體（OLED）裝置。
隨著資訊社會的到來，伴隨對用於處理和顯示大量資訊的資訊顯示器的興趣以及對便攜式資訊媒體的需求增加，顯示領域得到了快速發展。因此，開發了各種輕薄的平板顯示裝置。在平板顯示裝置中，有機發光二極體顯示器是自發光型顯示器，並且不需要使用例如非自發光顯示器的液晶顯示器（LCD）中的背光單元。結果，有機發光二極體顯示器重量輕，並且具有薄的輪廓。
另外，與液晶顯示器相比，有機發光二極體顯示器在視角、對比度和功耗方面具有優勢。此外，有機發光二極體顯示器可以以低直流（DC）電壓驅動並且可以具有快速的響應速度。而且，由於有機發光二極體顯示器的內部元件為固相，因此有機發光二極體顯示器具有抵抗外部衝擊的高耐久性並且具有寬的可用溫度範圍。具體地，因為有機發光二極體顯示器是通過簡單的製程製造的，所以與傳統的液晶顯示器相比，可以降低製造成本。因此，已經研究了即使彎曲得像紙一樣也保持顯示性能的可撓性有機發光二極體。
可撓性有機發光二極體使用由塑膠材料而不是玻璃材料製成的薄膜電晶體基板，並且可以歸類為具有高耐久性的牢不可破的顯示器、可彎曲的顯示器、可捲曲的顯示器和/或可折疊的顯示器。可撓性有機發光二極體顯示器在空間利用、室內裝飾和設計上具有優勢，並且可應用於各個領域。近來，為了實現超薄和/或輕巧的外形以及大尺寸的顯示區域，已經研究了可折疊性有機發光二極體顯示器，該顯示器在折疊狀態下便攜並且在展開狀態下顯示圖像。可撓性有機發光二極體可以應用於各種裝置，例如移動裝置（如移動電話、超行動PC、電子書或電子報紙）、電視和/或監視器。然而，由於可撓性有機發光二極體顯示器的重複折疊，有機發光層可能被分離（或剝離），並且有機發光二極體顯示器的可靠性可能降低。此外，當如外部濕氣和空氣的雜質滲透到有機發光二極體顯示器中時，有機發光二極體顯示器有缺陷，並且其壽命縮短。
透過用戶的手或物體觸摸螢幕以輸入用戶的指令的觸控顯示器已經被廣泛使用。觸控顯示器可以分類為外掛型（add-on type）、外嵌型（on-cell type）和內嵌型（in-cell type）。關於外掛型觸控顯示器，可以分別製造顯示面板和觸控面板，然後將觸控面板附接在顯示面板上。關於外嵌型觸控顯示器，構成觸控面板的元件可以直接形成在顯示面板的上基板上。關於內嵌型觸控顯示器，觸控面板被嵌入在顯示面板中，並且該觸控顯示器具有薄的外形和外部光的低面反射的優點。觸摸型顯示器被應用於有機發光二極體顯示器，使得有機發光二極體顯示器感測並處理觸控輸入。此外，為了感測可撓性有機發光二極體顯示器的觸控輸入，已經研究了構成可撓性有機發光二極體顯示器中的觸控面板的元件的配置。
因此，本發明旨在提供一種有機發光二極體裝置，該有機發光二極體裝置基本上消除了由於相關技術的限制和缺點而導致的上述問題中的一個或多個。
本發明的一方面在於提供一種有機發光二極體裝置，其可以減輕施加到有機發光二極體裝置上的壓應力和拉應力、可以抑制有機發光層的剝離並改善有機發光層的黏附性，以及可以實現優異的可靠性。
本發明的另一個方面是提供一種有機發光二極體裝置，該有機發光二極體裝置可以最小化或減少由於彎曲引起的連續和重複應力的破壞，並且可以防止如外部濕氣和空氣的雜質滲透。
本發明的另一方面在於提供一種的有機發光二極體裝置，可以處理觸控輸入，並且可以具有減小裝置的厚度和減小邊框區域的尺寸的結構，並且因此適用於可撓性有機發光二極體裝置。
附加特徵和方面將在以下描述中闡述，並且部分特徵將從描述中變得顯而易見，或者可以通過實踐本文提供的發明構思來獲悉。本發明構思的其他特徵和方面可以通過在書面描述中特別指出的結構或從其衍生的結構、申請專利範圍以及圖式來實現和獲得。
為了實現本文所體現和廣泛描述的本發明構思的這些和其他方面，提供了一種可撓性有機發光二極體裝置，包含：一基板，包含多個子像素，該些子像素各包含一驅動薄膜電晶體；一層間絕緣層，覆蓋該驅動薄膜電晶體；一外塗層，在該層間絕緣層上；一第一電極，在該外塗層上且在該些子像素的每一個中；一堤部，覆蓋該第一電極的一邊緣部；一有機發光層，在該第一電極上；一第二電極，在該有機發光層上；以及一保護膜，在該第二電極上，其中一第一孔的位置基於該堤部的位置，並且該第一孔的位置是在該外塗層、該堤部和該保護膜中的至少其中之一者當中。
另外，提供了一種有機發光二極體裝置，包含：一基板，包含多個子像素；在該些子像素中各包含一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體具有至少一無機層；一封裝層，在一有機發光層上，其中該封裝層包含至少一有機封裝層和至少一無機封裝層；以及一開口，暴露該薄膜電晶體的該無機層，其中該開口將該至少一無機封裝層與該薄膜電晶體的該無機層連接。
另外，提供了一種可撓性有機發光二極體裝置，包含：一基板，包含多個子像素，該些子像素的每一個包含一驅動薄膜電晶體；一層間絕緣層，覆蓋該驅動薄膜電晶體；一外塗層，在該層間絕緣層上；一第一電極，在該外塗層上且在該些子像素的每一個中；一堤部，覆蓋該第一電極的一邊緣部；一有機發光層，在該第一電極上；一第二電極，在該有機發光層上；以及一保護膜，在該第二電極上，其中該保護膜包含至少一無機層，其中一第一孔的位置基於該堤部的位置，並且暴露該外塗層、該堤部和該保護膜中的至少其中之一者，且一第二孔的位置是基於該第一孔的該位置。
另外，提供了一種可折疊有機發光二極體裝置包含：一基板，包含多個子像素；以及一平坦區域，包含：一第一薄膜電晶體在該平坦區域的該些子像素的每一個中；一第一絕緣層和一第二絕緣層，在該第一薄膜電晶體上且該第一絕緣層和該第二絕緣層完全在該基板上；一第一發光元件，在該第二絕緣層上；以及一第一無機封裝層、一第一有機封裝層和一第二無機封裝層依序位於該第一發光元件上，並且在該平坦區域的整個該些子像素上；以及一折疊區域，包含：一第二薄膜電晶體，在該折疊區域中的該些子像素的每一個中；一開口，在該第二絕緣層中，從而露出在該第二絕緣層下方的該第一絕緣層；一第二發光元件，在該第二絕緣層上；一第三無機封裝層，在該第二發光元件上並延伸至該開口的一側表面以封裝該第二發光元件；島狀的一第二有機封裝層，在該第二發光元件上的該第三無機封裝層上的一中；以及一第四無機封裝層，在該第三無機封裝層上並延伸到該開口的該側表面，從而封裝該第三無機封裝層，其中該開口的一部分的一區域暴露於該折疊區域的一子像素的該第四無機封裝層與該折疊區域的一相鄰子像素的該第四無機封裝層之間。
另外，提供了一種有機發光二極體裝置，包含：一第一基板；一薄膜電晶體，在該第一基板上；一鈍化層，覆蓋該薄膜電晶體；以及一封裝層，在該鈍化層上，其中一封裝孔位於該封裝層中，以暴露該鈍化層的一部分，以及其中一觸控電極在該鈍化層的暴露的該部分上，並且該觸控電極連接至該薄膜電晶體的一汲極或該第一基板上的一第一訊號線。
應當理解，前面的一般描述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，並且旨在提供對所要求保護的發明構思的進一步解釋。
現在將詳細參考示例實施例，其可以在圖式中示出。在所有圖式中，將盡可能使用相同的圖式標記表示相同或相似的部件。通過以下參考圖式描述的示例實施例，將闡明本發明的優點和特徵及其實現方法。然而，本發明可以以不同的形式實施，並且不應被解釋為限於本文闡述的示例實施例。相反，提供這些示例實施例以使得本發明將是透徹和完整的，並將向本領域通常知識者充分傳達本發明的範圍。
在圖式中揭示的用於描述本發明的實施例的形狀、尺寸、比率、角度和數量僅是示例。因此，本發明不限於所示出的細節。除非另有說明，否則相似的參考標號始終表示相似的元件。在以下描述中，當確定相關的已知功能或配置的詳細描述不必要地使本發明的要點模糊時，可以省略這種已知功能或配置的詳細描述。在使用本說明書中描述的術語“包含”、“具有”和“包含”的情況下，可以添加另一部分，除非使用諸如“僅”之類的更限制性的術語。除非相反地指出，否則單數形式的術語可以包含複數形式。
在構造元件時，即使沒有明確描述這種誤差或公差範圍，該元件也被解釋為包含誤差或公差範圍。在描述位置關係時，例如將兩個部分之間的位置關係描述為“上”、“之上”、“下”或“下一個”時，除非使用更嚴格的術語，例如“僅”或“直接”，否則一個或多個其他部分可以設置在兩個部分之間。在描述時間關係時，當時間順序被描述為例如“之後”、“隨後”、“下一個”或“之前”時。除非使用更嚴格的術語，例如“僅”、“立即”或“直接”，否則可以包含不連續的情況。將理解的是，儘管在本文中可以使用諸如“第一”、“第二”等的術語來描述各種元件，但是由於這些元件不用於定義特定的順序，因此這些元件不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元件和另一個元件。例如，在不脫離本發明的範圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，並且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。
在描述本發明的元件時，可以使用如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“（a）”和“（b）”之類的術語。這些術語僅用於將一個元件與另一元件區分開，並且相應元件的實質、順序、次序或數量不應受到這些術語的限制。同樣，當一個元件或層被描述為“連接”、“耦合”或“黏附”到另一個元件或層時，該元件或層不僅可以直接連接或黏附到另一個元件或層，除非另有說明，還可以通過“設置”在元件或層之間的一個或多個中間元件或層以間接連接或黏附到另一元件或層。術語“至少其中之一者”應該被理解為包含一個或多個相關聯的所列項的任何和所有組合。例如，“第一項、第二項和第三項中的至少一個”的含義包含由第一項、第二項和第三項以及第一項、第二項或第三項中的兩個或多個項的所有項的組合。
在實施例的描述中，當一個結構被描述為定位在另一結構“上或之上”或“下或之下”時，該描述應被解釋為包含結構彼此接觸的情況以及其中第三結構設置在它們之間的情況。圖式中所示的每個元件的尺寸和厚度僅是為了便於描述而給出的，並且除非另有說明，否則本發明的實施方式不限於此。如本領域技術人員可以充分理解的，本發明的各種實施例的特徵可以部分地或整體地彼此耦合或組合，並且可以彼此不同地互操作並且在技術上被驅動。本發明的實施例可以彼此獨立地執行，或者可以以相互依賴的關係一起執行。現在將詳細參考在圖式中示出的本發明的示例實施例。在所有圖式中，將盡可能使用相同的圖式標記表示相同或相似的部件。
圖1A至圖1C示出了根據本發明的示例性實施方式的可撓性有機發光二極體裝置的折疊狀態和展開狀態。在該示例實施例中，可折疊有機發光二極體裝置被描述為可撓性有機發光二極體裝置100。該示例實施例可以應用於其他類型的有機發光二極體裝置，例如，彎曲的有機發光二極體裝置、可彎曲的有機發光二極體裝置、可捲曲的有機發光二極體裝置和/或可伸展的有機發光二極體裝置。
可撓性有機發光二極體裝置100可以用於大型電子裝置，例如電視、外部廣告板、中小型電子裝置。這樣的電子裝置可以是行動電話、個人計算機、膝上型計算機、個人數字終端、車輛導航器、遊戲機、便攜式電子裝置、手錶式電子裝置和/或照相機。如圖1A所示，可撓性有機發光二極體裝置100可以包含多個區域，這些區域可以被定義在裝置表面上並且彼此分開。可撓性有機發光二極體裝置100可以包含第一顯示區域EA1和第二顯示區域EA2，第一顯示區域EA1和第二顯示區域EA2可以相對於折疊軸FX彼此分開，並顯示相應的圖像。如圖1B所示，隨著第二顯示區域EA2繞著折疊軸FX順時針旋轉，可撓性有機發光二極體裝置100可以處於外部折疊狀態，使得第一顯示區域EA1和第二顯示區域EA2彼此背離，例如面向相反的外部方向。
如圖1C所示，隨著第二顯示區域EA2圍繞折疊軸FX逆時針旋轉，可撓性有機發光二極體裝置100可以處於內部折疊狀態，使得第一顯示區域EA1和第二顯示區域EA2彼此面對。該示例實施例的上述可撓性有機發光二極體裝置100可以向內和向外極度折疊，可以防止發光二極體（例如，圖3中的E）剝離，並且可以防止外部濕氣和物質滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中。結果，可以防止可撓性有機發光二極體裝置100的可靠性降低。
圖2示出了根據本發明的第一示例實施例的在可撓性有機發光二極體裝置中包含三個子像素的單位像素的結構。圖3是沿圖2的III-III線的截面圖。圖4A和圖4B示出了在折疊作業中減輕所施加的應力的原理。可撓性有機發光二極體裝置100可以根據所發射的光的透射方向分為頂部發射型或底部發射型。通過示例描述底部發射類型。
如圖2所示，可撓性有機發光二極體裝置100的單位像素P可以包含三個子像素(子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP)。每個子像素可以包含發光區域EA和可以沿著發光區域EA的周圍部分定義的非發光區域NEA。堤部119可以位於非發光區域NEA處。紅色子像素R-SP、綠色子像素G-SP和藍色子像素B-SP可以以相同寬度平行排列。可替代地，子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP可以具有以不同寬度排列的不同配置。
開關薄膜電晶體STr和驅動薄膜電晶體DTr可以形成在每個子像素的非發光區域NEA的一部分處。在每個子像素的發光區域EA處，可以形成包含第一電極111、有機發光層113和第二電極115的發光二極體E。開關薄膜電晶體STr和驅動薄膜電晶體DTr可以彼此連接，且驅動薄膜電晶體DTr可以連接到發光二極體E。閘極線GL、資料線DL和電源線VDD可以設置在基板101上，以定義子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP中的每一個。
開關薄膜電晶體STr可以形成在對應的閘極線GL和對應的資料線DL的交叉部分處，並可以起到選擇相應的子像素的作用。開關薄膜電晶體STr可以包含從閘極線GL分支的閘極SG、半導體層103、源極SS和汲極SD。驅動薄膜電晶體DTr可以操作由相應的開關薄膜電晶體STr選擇的子像素的發光二極體E。驅動薄膜電晶體DTr可以包含連接至開關薄膜電晶體STr的汲極SD的閘極DG、半導體層103、連接至電源線VDD的源極DS以及汲極DD。
驅動薄膜電晶體DTr的汲極DD可以連接至發光二極體E的第一電極111。有機發光層113可以插入在第一電極111和第二電極115之間。每一個子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP的有機發光層113可以發出相同的白光。例如，在可撓性有機發光二極體裝置100中，有機發光層113可能不是由發射分別對應於子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP的不同顏色的不同發光材料形成的，但可以由發射對應於所有的子像素R-SP、子像素G-SP，和子像素B-SP的相同的白光的發光材料形成。
可以省略形成分別對應於子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP的不同發光材料的陰影光罩製程。因此，可以防止由陰影光罩製程引起的問題，並且可以有效地實現高解析度。此外，可以防止由於不同發光材料的降解率之間的差異引起的顏色變化。如圖3進一步所示，半導體層103可以位於每個子像素的非發光區域NEA的開關區域TrA處。半導體層103可以由矽製成，可以在半導體層103中心部包含主動區103a作為通道，並且可以包含高度摻雜有雜質並且位於主動區103a的兩側的源極區103b和汲極區103c。閘極絕緣層105可以形成在半導體層103上。閘極DG可以形成在與主動區103a相對應的閘極絕緣層105上。沿著方向延伸的閘極線GL可以形成在閘極絕緣層105上。
第一層間絕緣層109a可以位於閘極DG和閘極線GL上。第一層間絕緣層109a和閘極絕緣層105可以包含分別暴露源極區103b和汲極區103c的第一半導體接觸孔116和第二半導體接觸孔116。源極DS和汲極DD可以形成在第一層間絕緣層109a上並且彼此間隔開。源極DS和汲極DD可以分別通過第一半導體接觸孔116和第二半導體接觸孔116接觸源極區103b和汲極區103c。
第二層間絕緣層109b可以形成在源極DS和汲極DD以及第一層間絕緣層109a上。源極DS和汲極DD、半導體層103以及半導體層103上的閘極DG和閘極絕緣層105可以形成驅動薄膜電晶體DTr。即使在圖3中未示出，開關薄膜電晶體STr也可以具有與驅動薄膜電晶體DTr基本相同的結構，並且連接到驅動薄膜電晶體DTr。
在該示例實施例中，通過示例的方式描述了具有共面結構（或頂閘結構）的驅動薄膜電晶體DTr和開關薄膜電晶體STr，其中半導體層103形成為多晶矽層或氧化物半導體層。可替代地，驅動薄膜電晶體DTr和開關薄膜電晶體STr之一或兩者可以具有底閘結構，其中半導體層103形成為非晶矽層。基板101可以由具有可彎曲特性的透明塑膠材料例如聚醯亞胺製成。在這方面，考慮到在基板101上進行高溫沉積製程，可以使用具有高耐熱性的聚醯亞胺。可以在基板101的整個表面上形成至少一個緩衝層。
開關區域TrA中的驅動薄膜電晶體DTr可能具有被光移動的閾值電壓的特性，為了防止這種情況，可撓性有機發光二極體裝置100可以進一步包含位於半導體層103下方的遮光層。遮光層可以形成在基板101和半導體層103之間，以遮蔽主動區103a免受通過基板101入射到半導體層103的光的影響，因此，可以最小化、防止或減小由外部光引起的薄膜電晶體的閾值電壓變化。遮光層可以被緩衝層覆蓋。
波長轉換層106可以形成在與每個子像素的發光區域EA相對應的第二層間絕緣層109b上。波長轉換層106可以包含彩色濾光片，該彩色濾光片將從發光二極體E發射的白光中的彩色光的波長朝向基板101透射，該彩色濾光片可以在每個子像素處設置（或定義）。例如，波長轉換層106可以透射紅色、綠色或藍色的波長。例如，紅色子像素R-SP可以包含紅色彩色濾光片，綠色子像素G-SP可以包含綠色彩色濾光片，而藍色子像素B-SP可以包含藍色彩色濾光片。可替代地，波長轉換層106可以包含量子點，量子點具有根據發光二極體E向基板101發射的白光重新發射的尺寸，並輸出在每個子像素設置的顏色光。
量子點可以選自硫化鎘(CdS)、CdSe(硒化鎘)、碲化鎘(CdTe)、硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、CdZnSeS、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAs-P)、銻化鎵(Ga-Sb)、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、砷化鋁(AlAs)、磷化鋁(AlP)和/或銻化鋁(AlSb)。例如，紅色子像素R-SP的波長轉換層106可以包含CdSe或InP的量子點，綠色子像素G-SP的波長轉換層106可以包含CdZnSeS的量子點，且藍色子像素B-SP的波長轉換層106可以包含ZnSe的量子點。使用具有量子點的波長轉換層106的可撓性有機發光二極體裝置100可以具有高的色再現範圍。可替代的，波長轉換層106可以由包含量子點的彩色濾光片形成。因此，紅色子像素R-SP、綠色子像素G-SP和藍色子像素B-SP可能分別發出紅光、綠光和藍光，因此，可撓性有機發光二極體裝置100可以顯示具有高亮度的全彩色圖像。
此外，可撓性有機發光二極體裝置100的單位像素P還可包含白色子像素。白色子像素不包含任何波長轉換層。第三層間絕緣層109c可以形成在波長轉換層106上。外塗層108可以形成在第三層間絕緣層109c上。外塗層108以及第二層間絕緣層109b和第三層間絕緣層190c可以具有汲極接觸孔PH，該汲極接觸孔PH暴露驅動薄膜電晶體DTr的汲極DD。第一層間絕緣層109a、第二層間絕緣層109b、和第三層間絕緣層109c中的每一個可以由無機絕緣材料製成，例如，氮化矽（SiNx）或二氧化矽（SiO2 ）。外塗層108可以由有機絕緣材料（例如光丙烯酸）製成，以補償由開關薄膜電晶體STr和驅動薄膜電晶體DTr和/或資料線DL引起的台階，以進行表面平坦化。
第一電極111可以形成在外塗層108上。第一電極111可以連接至驅動薄膜電晶體DTr的汲極DD，並且可以用作發光二極體E的陽極。第一電極111可以由如氧化銦錫(ITO)和/或氧化銦鋅(IZO)的金屬氧化物材料、金屬和氧化物材料的混合物（例如氧化鋅(ZnO)：鋁(Al)和二氧化錫(SnO2)：銻(Sb)），和/或導電聚合物(例如聚（3-甲基噻吩）(Poly(3-methylthiophene))、聚[3，4-（乙烯-1，2）-噻吩]（Poly[3，4-(ethylene-1，2)-thiophene]，PEDT）、聚吡咯(polypyrrole)和/或聚苯胺(polyaniline))製成。可替代地，第一電極111可以由奈米碳管（CNT）、石墨烯和/或銀奈米線形成。第一電極111可以分別位於各自的子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP，並且堤部119可以位於子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP的多個第一電極111之間。例如，第一電極111可以以堤部119作為每個像素區域SP的邊界部分彼此分離。
可撓性有機發光二極體裝置100可以包含隔離物104，隔離物104可以位於堤部119上並且可以具有倒錐形狀。該隔離物104可以被稱為倒置的隔離物104。倒置的隔離物104可用於緩衝基板101和保護膜102之間的空間，從而最小化或減少由於外部衝擊而損壞的可撓性有機發光二極體裝置100的量。特別地，由於隔離物104可以形成為具有倒錐形狀，在折疊可撓性有機發光二極體裝置100的作業中，隔離物104可起到減輕包含有機發光層113的一層或多層的彎曲應力的作用。
有機發光層113可以位於第一電極111和倒置的隔離物104上。第二電極115可以完全位於有機發光層113上，並且可以用作陰極。第一電極111、有機發光層113和第二電極115可以形成發光二極體E。通過倒置的隔離物104，位於倒置的隔離物104上方的有機發光層113和第二電極115的沉積（或黏附）面積可以增加。因此，可以提高有機發光層113和第二電極115的黏附力。此外，由於保護膜102的附著面積也可能增加，因此可以產生固定有機發光層113的效果。因此，即使施加彎曲應力，也可以防止有機發光層113的剝離。此外，即使施加彎曲應力並且發生有機發光層113的剝離，倒置的隔離物104也可以阻止該剝離的擴展。結果，可以最小化或減少有機發光層113的剝離。
有機發光層113可以具有由發光材料的單層形成。可替代地，為了提高發射效率，有機發光層113可以形成有多層，多層可以包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層。第二電極115可以由具有相對較低的功函的金屬材料製成，以用作陰極。例如，第二電極115可以由鎂（Mg）和/或銀（Ag）的合金和/或鎂（Mg）和/或鋁（Al）的合金製成。當第一電極111和第二電極115被施加各自的電壓時，來自第一電極111的電洞和來自第二電極115的電子可以被傳輸到有機發光層113，從而形成激子。當激子從激發態轉變為基態時，會產生並發射白光。
白光可以穿過紅色子像素R-SP、綠色子像素G-SP和藍色子像素B-SP的相應的第一電極111，然後可以穿過紅色子像素R-SP、綠色子像素G-SP和藍色子像素B-SP的顏色波長轉換層106的同時被轉換成紅光、綠光和藍光。因此，可撓性有機發光二極體裝置100可以以高亮度顯示全彩色圖像。薄膜形式的保護膜102可以形成在驅動薄膜電晶體DTr和發光二極體E上方，使得可撓性有機發光二極體裝置100可以被保護膜102封裝。
為了防止外部氧氣和濕氣滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中，保護膜102可以包含第一保護膜102a、第二保護膜102b和第三保護膜102c。第一保護膜102a和第三保護膜102c可以由無機絕緣層形成，且第二保護膜102b可以由有機絕緣層形成以補充第一保護膜102a和第三保護膜102c的抗衝擊性。在一些示例實施例中，第一保護膜102a至第三保護膜102c的結構可以交替且重複地堆疊有機絕緣層和無機絕緣層。在這樣的示例實施例中，為了防止濕氣和氧氣透過由有機絕緣層形成的第二保護膜102b的側表面滲透，第一保護膜102a和第三保護膜102c可以完全覆蓋第二保護膜102b。因此，可撓性有機發光二極體裝置100可以防止濕氣和氧氣從外部滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中。
在可撓性有機發光二極體裝置100中，第二保護膜102b可以包含形成在第二保護膜102b中的多個孔H1。每個孔H1可以沿著非發光區域NEA以網狀結構形成。通過形成孔H1，第二保護膜102b可以被子像素劃分。可以通過使用光罩對第二保護膜102b進行蝕刻（例如乾蝕刻）來形成孔H1。例如，可以使用離子束蝕刻、射頻（RF）濺射蝕刻、電漿蝕刻或反應性離子蝕刻。可以將光罩放置在第二保護膜102b上以對應於非發光區域NEA中的堤部119，然後可以蝕刻第二保護膜102b，直到第一保護膜102a的一部分暴露。因此，可以在第二保護膜102b中形成孔H1。如此一來，在沒有附加材料和製程來形成結構的情況下，使用現有的層排列在第二保護膜102b中形成孔H1。
在第一保護膜102a至第三保護膜102c中的第二保護膜102b中形成孔H1，原因可能是由於有機絕緣層形成的第二保護膜102b的厚度可以大於第一保護膜102a和第三保護膜102c的厚度。在這方面，第一保護膜102a和第三保護膜102c皆可以具有大約1微米的厚度，且第二保護膜102b可以具有大約6微米的厚度。第二保護膜102b在可撓性有機發光二極體裝置100中可以具有最大的厚度。因為孔H1可以形成在具有最大厚度的第二保護膜102b中並且沿著每個子像素的非發光區域NEA形成，可撓性有機發光二極體裝置100可以最小化或減小彎曲應力。參考圖4A和圖4B進一步詳細解釋。
圖4A是示出當第一層201和第二層202可以折疊以具有一定的曲率半徑時施加到第二層202的應力（例如，彎曲應力）的視圖，第一層201和第二層202可以各自連續地形成。在這方面，當可以連續形成的第二層202位於連續形成的第一層201上時，可以向第二層202施加拉應力A，並且可以向第一層201施加壓應力B。
應力是當將載荷施加到材料上時，在材料中產生的抵抗載荷大小（例如，外力）的抵抗力，所述載荷例如是壓縮、拉伸、彎曲和/或扭曲。應力隨著外力的增加而增加，但是應力可能會受到限制。因此，當應力達到材料的唯一極限時，該材料可能無法抵抗外力並可能被破壞。當施加不同方向的應力時，在第一層201和第二層202中可能會產生裂紋，並且因此在第一層201和第二層202之間發生剝離。
如圖4B所示，可以在第二層202中形成多個孔H。即使第一層201和第二層202可以以相同的曲率半徑彎曲，可以通過孔H分散施加到第二層202的拉應力B，因此可以減輕施加到第二層202的應力。因此，可以減小施加到第一層201和第二層202的應力，並且因此可以最小化或減少在第一層201和第二層202中產生的裂紋。因為可以在具有最大厚度的第二保護膜102b中形成孔H1並且孔H1可以沿著子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP的非發光區域NEA形成，因此第二保護膜102b的孔H1可以分散彎曲應力。因此，可以最小化或減小可撓性有機發光二極體裝置100的彎曲應力，並且因此可防止有機發光層113的剝離。
此外，由於施加至第一保護膜102a至第三保護膜102c的彎曲應力所產生的裂紋可能引起外部濕氣和物質滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中，而孔H1可以防止外部濕氣和物質滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中。即使有機發光層113的剝離部分地發生，也可以通過孔H1防止該剝離的擴展。即使在第一保護膜102a至第三保護膜102c中可能產生裂紋，也可以防止外部濕氣和物質的擴散。結果，可以改善可撓性有機發光二極體裝置100的可靠性。
為了有效地防止外部濕氣和氧氣滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中，保護膜102可具有約8微米或更大的厚度。在這方面，由無機絕緣材料製成的第一保護膜102a和第三保護膜102c皆可以具有大約1微米的厚度。當第二保護膜102b由有機材料（例如負型聚丙烯酸酯）製成時，負型聚丙烯酸酯可以在大約85攝氏度的低溫下使用，如圖5所示，第二保護膜102b可以形成為第一子膜102b和第二子膜102d的雙層結構。在這方面，因為基板101可以由塑膠材料製成以具有可彎曲的特性，可使用低於200攝氏度的低溫製程來製造可撓性有機發光二極體裝置100。因此，第二保護膜102b可以由有機材料製成，例如負型聚丙烯酸酯，負型聚丙烯酸酯可以在低於200攝氏度的低溫過程中使用。然而，如負型聚丙烯酸酯的有機材料可以允許以約3微米的最大厚度形成為層。包含由這種有機材料製成的第二保護膜102b的可撓性有機發光二極體裝置100可能不足以防止外部濕氣和氧氣滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中。
如圖5所示，第一保護膜102a上的第二保護膜可以配置成包含有分別形成的第一子膜102b和第二子膜102d，第三保護膜102c可以形成在第二子膜102d上。因此，第一子膜102b和第二子膜102d可以使用如負型聚丙烯酸酯的有機材料形成，並且因此可以防止外部濕氣和氧氣滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中。在圖5中，以示例的方式描述了分別包含孔H1和孔H2的第一子膜102b和第二子膜102d，孔H1和孔H2可以使用不同的蝕刻製程形成。可替代地，第一子膜102b和第二子膜102d的孔H1和孔H2可以使用分批蝕刻製程（或同時蝕刻製程）形成。
因為孔H1可以形成在保護膜102的第一子膜102b中，並且孔H1可以沿著子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP的非發光區域NEA形成，在可撓性有機發光二極體裝置100的折疊和展開的重複作業中可以最小化或減小彎曲應力產生。因此，可以防止有機發光層113的剝離。
此外，可以防止外部濕氣和氧氣滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中。即使有機發光層113的剝離部分地發生，也可以通過孔H1防止該剝離的擴展。即使在第一保護膜102a至第三保護膜102c中可能產生裂紋，也可以防止外部濕氣和物質的擴散。結果，可以提高可撓性有機發光二極體裝置100的可靠性。
圖6是示意性地示出根據本發明的第二示例實施例的可撓性有機發光二極體裝置的每個子像素的一部分的截面圖。如圖6所示，包含半導體層103、閘極絕緣層105、閘極DG以及源極DS和汲極DD的驅動薄膜電晶體DTr可以位於基板101上的每個子像素的非發光區域NEA的開關區域TrA處。第一電極111可以形成在外塗層108上，並且可以通過在第二層間絕緣層109b和第三層間絕緣層109c以及外塗層108中的汲極接觸孔PH連接到驅動薄膜電晶體DTr的汲極DD。
第一電極111可以由如ITO和/或IZO的金屬氧化物材料、金屬和氧化物材料的混合物（例如ZnO：Al和SnO2 ：Sb），和/或導電聚合物(例如聚（3-甲基噻吩）(Poly(3-methylthiophene))、聚[3,4-（乙烯-1,2）-噻吩]（Poly[3,4-(ethylene-1,2)-thiophene]，PEDT）、聚吡咯(polypyrrole)和/或聚苯胺(polyaniline))製成。可替代地，第一電極111可以由奈米碳管（CNT）、石墨烯和/或銀奈米線形成。第一電極111可以分別位於各自的子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP，並且堤部119可以位於子像素R-SP的第一電極111、子像素G-SP的第一電極111和子像素B-SP的第一電極111之間。例如，第一電極111可以以堤部119作為每個像素區域SP的邊界部分彼此分離。
倒置的隔離物104可以位於堤部119上。倒置的隔離物104可用於緩衝基板101和保護膜102之間的空間，從而最小化或減少由於外部衝擊而損壞的可撓性有機發光二極體裝置100的量。在折疊可撓性有機發光二極體裝置100的作業中，倒置的隔離物104可以起到減輕一層或多層(包含有機發光層113的)的彎曲應力的作用。有機發光層113和第二電極115可以依序地位於第一電極111、堤部119和倒置的隔離物104上。有機發光層113可以由發光材料製成的單層形成。可替代地，為了提高發射效率，有機發光層113可以形成有多層結構，該多層結構可以包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層。
第二電極115可以由具有相對較低的功函的金屬材料製成，以用作陰極。例如，第二電極115可以由鎂（Mg）和/或銀（Ag）的合金和/或鎂（Mg）和/或鋁（Al）的合金製成。第一電極111、有機發光層113和第二電極115可以形成發光二極體E。可以在驅動薄膜電晶體DTr和發光二極體E上方形成薄膜形式的保護膜120，使得可撓性有機發光二極體裝置100可以被保護膜120封裝。
為了防止外部氧氣和濕氣滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中，保護膜120可以包含第一保護膜120a、第二保護膜120b和第三保護膜120c。第一保護膜120a和第三保護膜120c可以使用原子層沉積（ALD）方法形成。例如，第一保護膜120a和第三保護膜120c可以由硫化鋅、硒化鋅、碲化鋅(ZnTe)硫化鎘、碲化鎘、硫化鋅：錳(Mn)、硫化鈣(CaS)：鈰(Ce)硫化鍶(SrS)：錳、砷化鎵、砷化鋁、磷化鎵、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、二氟化鈣(CaF2 )、二氟化鍶(SrF2 )、矽(Si)、鉬(Mo)和/或鎢(W)製成。可替代地，第一保護膜120a和第三保護膜120c可以由如氧化鋁(AlOx)、氮氧化鋁(AlOxNy)、氧化鈦(TiOx)、氧化矽(SiOx)、氧化鋅(ZnOx)和/或氧化鋯(ZrOx)的氧化物製成。因為第一保護膜120a和第三保護膜120c可以通過堆疊原子層來形成，所以第一保護膜120a和第三保護膜120c可以以非常薄的膜形成。第一保護膜120a和第三保護膜120c可以具有例如大約0.01微米至大約0.1微米的厚度，厚度和組成可以微調。
可以在大型基板上形成均勻的膜，並且階梯覆蓋(Step coverage)能力可以是優異的。因此，利用覆蓋驅動薄膜電晶體DTr和發光二極體E的第一保護膜120a可以進一步改善可撓性有機發光二極體裝置100的可靠性。此外，第二保護膜120b可以由無機絕緣材料例如SiNx或SiOx形成。這造成在第一保護膜120a和第三保護膜120c之間的第二保護膜120b可以防止外部濕氣和氧氣與第一保護膜120a和第三保護膜120c一起滲透到可撓性有機發光二極體裝置100中。這也可以進一步增加第一保護膜120a和第三保護膜120c的剛度。可替代地，保護膜120可以形成為包含至少三個無機層的五層結構，每個無機層可以使用ALD方法形成。
該示例實施例的保護膜120的厚度可以形成為比第一示例實施例的保護膜102小得多的厚度。因此，該示例性實施方式的可撓性有機發光二極體裝置100可以具有進一步的可撓性。在該示例實施例的可撓性有機發光二極體裝置100中，孔H3可以位於倒置的隔離物104的一側並形成在有機發光層113、第二電極115和保護膜120中。
可以通過孔H3暴露位於有機發光層113下方的堤部119。孔H3可以沿著每個子像素的非發光區域形成。孔H3可以具有網狀結構。每個子像素的左側和右側都可以設置有孔H3，或者每個子像素的左側和右側中的其中一者設置有孔H3，使得第二電極115在子像素R-SP、子像素G-SP和子像素B-SP上具有連續連接的結構。即使由於可撓性有機發光二極體裝置100的反覆折疊和展開而引起的彎曲應力施加在保護膜120中產生裂紋，並且有機發光層113部分發生剝離，孔H3可以防止剝離變得嚴重。此外，即使在保護膜120中可能產生裂紋，外部濕氣和物質的擴散能夠防止。結果，可以提高可撓性有機發光二極體裝置100的可靠性。
圖7是示意性地放大根據本發明的第三示例性實施方式的可撓性有機發光二極體裝置的子像素的一部分的截面圖。可以在堤部119和第一電極111中形成第一孔H4，該第一電極111對應於紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素（例如，圖6的R-SP、G-SP和B-SP）各自的非發光區域NEA，且第二孔H5可以形成在與第一孔H4相對應的外塗層108中。第二孔H5可以暴露第三層間絕緣層109c。第二孔H5的寬度d2可以大於第一孔H4的寬度d1，使得第一電極111和外塗層108可以形成底切U。在這方面，第一電極111中的第一孔H4的底部寬度d1可以小於外塗層108中的第二孔H5的頂部寬度d2。例如，由於第二孔H5的頂部寬度d2可以大於靠近有機發光層113的第一孔H4的底部寬度d1，第一電極111可以在第二孔H5上橫向突出。
第一孔H4和第二孔H5可以通過使用光罩對堤部119和外塗層108以批蝕刻製程形成。堤部119和外塗層108可以以不同的蝕刻速率乾蝕刻。例如，可以使用離子束蝕刻、RF濺射蝕刻、電漿蝕刻或反應性離子蝕刻。有機發光層113和第二電極115可以依序地位於具有第一孔H4和第二孔H5的基板101上。第一保護膜120a至第三保護膜120c可以依序地位於第二電極115上。每個有機發光層113、第二電極115、第一保護膜120a至第三保護膜120c可以具有由第一孔H4和第二孔H5分開的結構。
即使由於折疊和展開可撓性有機發光二極體裝置100的重複作業而引起的彎曲應力可能在保護膜120中產生裂紋而致使有機發光層113會部分剝離，第一孔H4和第二孔H5可以防止剝離變得嚴重。此外，即使在保護膜120中可能產生裂紋，也可以防止外部濕氣和物質的擴散。結果，可以改善可撓性有機發光二極體裝置100的可靠性。特別地，因為第二孔H5可以形成在外塗層108中，所以外塗層108可以由子像素分開。因此，彎曲應力可以最小化或減小，並且可以防止在外塗層108中產生的裂紋擴展到有機發光層113或驅動薄膜電晶體（例如，圖6的DTr）。
更詳細地，由於可撓性有機發光二極體裝置100的重複折疊和展開而引起的彎曲應力可能會經常在外塗層108中產生裂紋。這可能是因為在包含使用ALD法形成的保護膜120的可撓性有機發光二極體裝置100中，外塗層108具有的厚度最大。因而，第二孔H5可以形成在外塗層108中，因此彎曲應力可以被第二孔H5分散並且被最小化或減小。隨著彎曲應力的最小化或減小，可以防止由於外塗層108的裂紋擴展到位於外塗層108附近的有機發光層113或靠近外塗層108的驅動薄膜電晶體所可能造成的有機發光層113的剝離以及驅動薄膜電晶體DTr的剝離。在可撓性有機發光二極體裝置100中，第一電極111和外塗層108可以形成底切U，並且因此有機發光層113和第二電極115可能不會在底切U的區域形成，其中有機發光層113和第二電極115可以在垂直方向上筆直地沉積。因此，有機發光層113和第二電極115可以在每個子像素的左側和右側處分開，或在每個子像素的左側和右側的其中之一者處分開。
在垂直方向、水平方向和傾斜方向上沉積有衍射物的保護膜120可以具有比第二電極115和有機發光層113更好的階梯覆蓋程度，因此保護膜120可以形成在底切U的區域。第一保護膜120a至第三保護膜120c可具有尖端形狀以完全覆蓋並包圍形成底切U的第一電極111。因此，尖端形狀可以防止第一電極111和第二電極115的暴露。即使在堤部119和外塗層108中分別形成第一孔H4和第二孔H5，可以以防止有機發光層113的剝離以及外部濕氣和物質的擴散是正確的。因此，可以防止由於第一電極111和第二電極115的暴露引起的第一電極111和第二電極115的氧化。
因為可以在堤部119、第一電極113和外塗層108中形成第一孔H4和第二孔H5，即使由於彎曲應力引起有機發光層113的剝離，也可以防止該剝離的擴展。此外，即使在保護膜120中可能產生裂紋，也可以防止外部濕氣和物質的擴散。結果，可以提高可撓性有機發光二極體裝置100的可靠性。此外，由於第二孔H5可以形成在可撓性有機發光二極體裝置100中具有最大厚度的外塗層108中，彎曲應力可以通過第二孔H5分散並最小化或減小。因此，可能是由於外塗層108的裂紋擴展到有機發光層113或位於外塗層108附近的驅動薄膜電晶體所造成的有機發光層113的剝離和/或驅動薄膜電晶體DTr的剝離可以防止。
特別地，由於第一孔H4和第二孔H5可以形成底切U，並且可以形成尖端形狀，可以防止有機發光層113的剝離以及外部濕氣和物質的擴散，並且可以防止第一電極111和第二電極115暴露。在上述示例實施例中，以示例的方式描述了在堤部119上形成的一倒置的隔離物104。然而，可以在堤部119上形成多個隔離物104。第二示例實施例的孔H3可以位於相鄰的倒置的隔離物104之間，第三示例實施例的第一孔H4和第二孔H5可以位於相鄰的倒置隔離物104之間。此外，在可撓性有機發光二極體裝置100中可以沒有形成倒置的隔離物104。第一示例實施例的孔H1可以形成在堤部119上。此外，具有錐形（例如，非倒錐形狀）的隔離物可以位於倒置的隔離物104的一側。錐形隔離物的高度可以大於倒置的隔離物104的高度，並且因此可以進一步緩衝基板101與保護膜102或保護膜120之間的空間。
在第四示例實施例至第八示例實施例中的任何一個有機發光二極體裝置中，可以最小化或減少如濕氣和空氣的異物向下部電極和有機發光層的滲透。特別地，為了最小化或減少由可撓性有機發光二極體裝置的彎曲區域處的連續且重複的應力引起的裂紋，在彎曲區域可以形成開口，該開口處沒有形成封裝層和堤部。此外，在有機發光二極體的第四示例性實施例至第八示例性實施例中的任何一個的裝置中，滲透進入可撓性有機發光二極體裝置的外來物質如濕氣和空氣可以有效地最小化或減少。在一般的有機發光二極體裝置（例如，非可撓性顯示裝置），下基板和上基板可以由如玻璃的剛性材料形成，其中下基板可以形成電極和有機發光層。因此，如濕氣和空氣的異物不會透過有機發光二極體裝置的上部滲透。
然而，在可撓性有機發光二極體裝置中，下基板可以使用具有可撓性的塑膠基板，且上基板可以使用由可撓性材料製成的保護膜。因此，可能導致如濕氣和空氣的異物滲透。因此，在第四示例實施例至第八示例實施例中的任何一個的可撓性有機發光二極體裝置中，可以堆疊多個無機絕緣層和有機絕緣層以形成可以防止異物滲透的結構。特別地，為了最小化或減少如濕氣和空氣之類的異物通過可能未形成封裝層的開口滲透，可以在發光元件的一側形成封裝層以完全封裝發光元件。
圖8是示出根據本發明的第四示例實施例的有機發光二極體裝置的結構的截面圖。多個子像素可以以n*m矩陣形式排列在可撓性有機發光二極體裝置中（其中n和m可以是大於或等於1的整數）。圖8中顯示了兩個相鄰的子像素。如圖8所示，可以在可撓性有機發光二極體裝置200中形成（或定義）彎曲區域B。可撓性有機發光二極體裝置200中的特定區域可能沒有彎曲，且可以安裝並以曲線狀態（或彎曲狀態）使用可撓性有機發光二極體裝置200，或也可以反覆彎曲展開可撓性有機發光二極體裝置200。
因此，可以在整個可撓性有機發光二極體裝置200上連續且重複地施加應力，且因此彎曲區域B可以在可撓性有機發光二極體裝置200的整個區域上產生。然而，可能在其中部件可以由可撓性材料形成的區域處產生實際的彎曲。例如，使用者可以在平坦狀態下使用可撓性有機發光二極體裝置，然後可撓性有機發光二極體裝置以一定曲率半徑處於彎曲狀態。可以在可撓性有機發光二極體裝置200的整個區域上沿彎曲方向產生彎曲，但是實際的彎曲區域可以是可由可撓性材料形成的區域。在該示例實施例中，可以在彎曲區域處去除堤部、第一無機封裝層、有機封裝層、第二無機封裝層和平坦化層。因此，以施加連續的和重複的應力在各層處的裂紋可以被最小化或減少，並且可以最小化或減少由於裂紋的擴展而造成的裝置破壞。
在可撓性有機發光二極體裝置200中，彎曲區域B可以形成在子像素與其相鄰的子像素之間。在這方面，由於金屬層可以形成在子像素中的發光元件（或發光二極體）中並且具有很小的可撓性，當可撓性有機發光二極體裝置200彎曲時，彎曲區域B可形成在相鄰子像素之間。緩衝層222可以形成在第一基板210上。驅動薄膜電晶體可以位於緩衝層222上。第一基板210可以由透明且可撓性的塑膠製成，例如聚醯亞胺。緩衝層222可以形成為具有無機層的單層結構，也可以形成為具有無機層和有機層的多層結構。無機層可以由如SiOx或SiNx的無機絕緣材料製成，並且有機層可以由如聚丙烯酸的有機絕緣材料製成。
因為緩衝層222可以形成為包含無機層的單層結構，或者形成為包含無機層的多層結構，透過對濕氣和空氣抵抗力弱的塑膠的濕氣和空氣可以被最小化或減少，並且因此有機發光層的降解可以被最小化或減少。可以在每個子像素中形成驅動薄膜電晶體。驅動薄膜電晶體可以包含在緩衝層222上的半導體層211、在緩衝層222上的閘極絕緣層224、在閘極絕緣層224上的閘極212、在閘極212上的層間絕緣層226，以及在層間絕緣層226上的源極214和汲極216。源極214和汲極216可以通過層間絕緣層226中的相應接觸孔214a和接觸孔216a接觸半導體層211。閘極絕緣層224可以完全形成在第一基板210上方，且層間絕緣層226可以完全形成在第一基板210上方。
半導體層211可以由多晶矽或如IGZO的氧化物半導體材料製成。半導體層211可以包含在其中心區域的通道部分以及在通道部分的兩側的摻雜部分。源極214和汲極216可以接觸相應的摻雜部分。可替代地，半導體層211可以由非晶矽和/或有機半導體材料製成。閘極212可以使用金屬例如鉻(Cr)、鉬(Mo)鉭(Ta)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鋁(Al)和/或鋁合金形成為具有單層或多層的結構。閘極絕緣層224可以使用無機材料如SiOx和/或SiNx形成為單層結構，或者使用SiOx層和/或SiNx層形成為雙層結構。層間絕緣層226可以使用如SiOx或SiNx的無機材料形成為單層或多層結構。源極214和汲極216可以使用如鉻、鉬、鉭、銅、鈦、鋁和/或鋁合金的金屬製成。
通過示例描述特定結構的驅動薄膜電晶體。但是，驅動薄膜電晶體可以具有其他結構。鈍化層228可以形成在具有驅動薄膜電晶體的第一基板210上，而平坦化層229可以形成在鈍化層228上。鈍化層228可以使用無機材料形成為單層結構，或者使用無機材料和有機材料形成為多層結構。平坦化層229可以由有機材料製成，例如光丙烯酸。一有機發光二極體E可以形成在鈍化層228上，並透過形成在鈍化層228和平坦化層229中的接觸孔228a連接到的驅動薄膜電晶體的汲極216。所述有機發光二極體E可包含通過接觸孔228A連接到汲極216的第一電極252、在第一電極252上的有機發光層254，以及在有機發光層254上的第二電極256。
第一電極111可以使用如鈣、鋇、鎂、鋁、銀和/或其合金的金屬形成為單層或多層結構。第一電極111可以連接到驅動薄膜電晶體的汲極216，並且可以接收圖像訊號。第一電極252可以用作反射器，以將從有機發光層254發射的光朝著向上的方向（例如，與第一基板110相反的方向）反射。此外，第一電極111可以由如ITO和/或IZO的透明金屬氧化物形成。第二電極256可以由如ITO和/或IZO的透明金屬氧化物形成。可替代地，第二電極256可以使用如鈣、鋇、鎂、鋁、銀和/或其合金的金屬以單層或多層結構形成。第二電極256可以用作反射器，以將從有機發光層254發射的光朝著較低的方向（例如，朝向第一基板110的方向）反射。
當可撓性有機發光二極體裝置200是底部發射型裝置以向下方輸出發射的光時，第一電極252可以由透明金屬氧化物形成，且第二電極256可以由反射光的金屬或金屬化合物形成。當可撓性有機發光二極體裝置200是頂部發射型裝置以向上方輸出發射光時，第一電極252可以由金屬和/或金屬化合物作為反射器形成，並且第二電極256可以由透明金屬氧化物形成。
有機發光層254可以分別在紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素中分開形成。紅色子像素中的有機發光層254可以是發出紅光的紅色有機發光層。在綠色子像素中形成的有機發光層254可以是發出綠光的綠色有機發光層。在藍色子像素中形成的有機發光層254可以是發出藍光的藍色有機發光層。可替代地，有機發光層254可以完全形成在可撓性有機發光二極體裝置200上，並且可以是發射白光的白色有機發光層。在白色有機發光層中，紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素中的白色有機發光層上可以形成紅色彩色濾光片、綠色彩色濾光片和藍色彩色濾光片，以將白光轉換為紅光、綠光和藍光。白色有機發光層可以由分別發射紅光、綠光和藍光的有機材料的混合物形成，和/或由堆疊的紅色有機發光層、綠色有機發光層和藍色有機發光層形成。可替代地，有機發光層254可由例如量子點的無機發光材料製成的無機發光層代替。
有機發光層254可以包含發光材料層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。堤部232可以形成在子像素的邊界區域上的平坦化層229上。堤部232可以用作分隔牆，以將子像素彼此分開，並且因此從相鄰子像素輸出的不同顏色的光可以混合，然後可以最小化或減小輸出。舉例來說，圖8中描述了位於第一電極252上的堤部232的一部分。可替代地，堤部232可以形成在平坦化層229上，並且第一電極252可以形成在堤部232的側表面上。如果第一電極252在堤部232的側表面上延伸，第一電極252可以形成在堤部232和平坦化層229之間的邊界的邊緣區域。因此，即使在邊緣區域處也可以將訊號施加到有機發光層254，並且甚至在邊緣區域處也可以產生發射，並且因此即使在邊緣區域也可以產生圖像。因此，可以最小化或減少在子像素中未顯示圖像的非顯示區域。
第一封裝層242可以形成在有機發光二極體E和堤部232上。第一封裝層242可以由如SiNx和/或SiX的無機材料形成。第二封裝層244可以形成在有機發光二極體E上方的第一封裝層242上。第二封裝層244可以由有機材料製成。例如，第二封裝層244可以由聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醯亞胺(polyimide)、聚乙烯磺酸鹽(polyethylene sulfonate)、聚甲醛(polyoxymethylene)和/或聚丙烯酸酯(polyacrylate)製成。第二封裝層244可以在第一封裝層242上以島狀形成。第二封裝層244可以完全覆蓋（或完全遮蓋）第二封裝層244下面的有機發光二極體E。
這樣，第二封裝層244可以在其對應的子像素中單獨形成以具有島狀，並且可以不在相鄰的子像素中形成。因此，當可撓性有機發光二極體裝置200彎曲時，施加到各個第二封裝層244的應力可以將其限制在其對應的子像素的第二封裝層244中，並且可以不轉移到相鄰子像素的第二封裝層244中，第二封裝層244可以分別形成在沿著彎曲區域排列的一系列子像素中。因此，可以分散施加到彎曲區域的應力，並且可以最小化或減少在第二封裝層244處通過彎曲產生的裂紋。
第三封裝層246可以形成在第一封裝層242和第二封裝層244上。第三封裝層246可以由如SiNx和/或SiX的無機材料形成。第三封裝層246可以完全覆蓋第二封裝層244的頂表面和側表面，並且因此第二封裝層244可以被第一封裝層242和第三封裝層246完全封裝（或封閉）。
可以在第三封裝層246上塗覆透明的填充構件248，第二基板270可以位於填充構件248上。第一基板210和第二基板270可以通過填充構件248彼此耦合。填充構件248可以由具有高黏附性、耐熱性和/或耐水性的任何材料製成。例如，填充構件248可以由基於環氧的化合物、基於丙烯酸酯的化合物和/或熱固性樹脂（如基於丙烯酸的橡膠）製成。填充構件248可以由光敏樹脂或熱固性樹脂製成，並且可以將光或熱施加到黏合劑層上以硬化填充構件248。填充構件248可用於耦合第一基板210和第二基板270和/或用作封裝層，以最小化或減少濕氣滲透到可撓性有機發光二極體裝置200中。因此，填充構件248可以被稱為黏合構件或第四封裝層。
第二基板270可以用作封裝帽以封裝可撓性有機發光二極體裝置200。可以使用保護膜形成第二基板270，保護膜例如聚苯乙烯（polystyrene，PS）膜、聚乙烯（polyethylene，PE）膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜（polyethylene naphthalate film PEN）或聚醯亞胺（polyimide，PI）膜。具有預定寬度的分隔壁234可形成在相鄰子像素之間的堤部232上。金屬層217可以形成在層間絕緣層226上並且在相鄰的有機發光二極體E之間。分隔壁234可用於阻擋濕氣和空氣通過堤部232和第一封裝層242的界面滲透。分隔壁234可以利用有機材料或無機材料形成為單層結構，或者利用無機層和有機層形成為多層結構。
可以在形成驅動薄膜電晶體的源極214和汲極216的相同過程中形成金屬層217。金屬層217可以用於防止濕氣和空氣通過相鄰的子像素之間（例如，通過彎曲區域B）向薄膜電晶體擴散。彎曲區域B可以在兩個相鄰的子像素之間產生，更具體地說，可以在兩個相鄰的有機發光二極體E之間產生。由於形成第一電極252和第二電極256的金屬具有較低的可撓性，因此當可撓性有機發光二極體裝置200彎曲時，彎曲區域可能不是有機發光二極體E所在的區域，而可能是相鄰的有機發光二極體E之間的區域。因此，可以在可撓性有機發光二極體裝置200的相鄰有機發光二極體E之間產生可撓性有機發光二極體裝置200的彎曲區域B。
在可撓性有機發光二極體裝置200中，彎曲區域B處的平坦化層229的一部分可以被去除以形成開口218。這可能是為了最小化或減少由於連續和重複彎曲而可能施加的應力對彎曲區域B處的平坦化層229的破壞。此外，堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246可以在彎曲開口B的平坦化層229被去除的區域內延伸，例如在開口218內。特別地，堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246可以沿著形成開口218的平坦化層229的側表面（或內側表面）形成。
堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246可以沿著兩個開口218的側表面形成在每個子像素中，兩個開口218分別在每個子像素與相鄰的右邊子像素和相鄰的左邊子像素之間的兩個邊界處形成。因此，每個子像素的有機發光二極體E可以從在每個子像素的兩側產生的彎曲區域B的開口218完全封裝。當堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246在開口218內延伸時，堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246可以形成在開口218下方的鈍化層228的一部分的區域。因此，在開口218內部延伸的每個子像素的堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246可以形成在鈍化層228的頂表面的一部分上。另外，在開口218內部延伸的至少一個子像素的堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246可以在鈍化層228的頂表面的一部分上形成，並且可以形成在開口218的下方。鈍化層228的頂表面的另一部分可以通過開口218暴露。例如，開口218的中心區域可以是未形成堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246的區域。填充構件248可以填充開口218的區域，該區域沒有形成堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246。
可撓性有機發光二極體裝置200可以以彎曲狀態使用，或者以平坦狀態使用然後處於彎曲狀態。因此，由於長時間的彎曲狀態或重複的彎曲，可能對可撓性有機發光二極體100，尤其是彎曲區域B施加連續且重複的應力。連續且重複的應力導致可撓性有機發光二極體裝置200的內部部件可能被破壞。特別地，連續和重複的應力可能集中在由無機材料和有機材料形成的各種層上而產生裂紋。
當在各個層中產生裂紋時，裂紋可能在可撓性有機發光二極體裝置200內部擴展。該擴展可能導致可撓性有機發光二極體裝置200損壞，從而可能成為有缺陷的產品。在該示例實施例中，因為可以不在彎曲區域B處形成平坦化層229、堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246，以並且填充構件248填充露出鈍化層228的開口218，此處為裂紋產生的結構不存在。因此，即使施加連續且重複的應力，在可撓性有機發光二極體裝置200中也不會產生裂紋，並且因此，由裂紋的擴展引起的可撓性有機發光二極體裝置的破壞可以最小化或減少。此外，在本示例實施例中，開口218的側表面可以被第一封裝層242和第三封裝層246完全封裝，並且因此位於每個子像素中的有機發光二極體E可能完全密封而與外界隔絕。因此，外部濕氣和空氣可能不會滲透到有機發光二極體E中，特別是濕氣和空氣可能不會通過彎曲區域B滲入有機發光二極體E中。
不採用附加組件來最小化或減少結構的破壞或不採用附加組件來防止如濕氣和空氣之類的雜質，彎曲區域B處的平坦化層229的一部分可以被去除。去除在邊界區域B處的平坦化層229的一部分形成開口218，堤部232、第一封裝層242和第三封裝層246可在開口218內延伸。因此，在不添加新結構的情況下，可以以不同的形式形成現有層的結構，並且因此可以最小化或減少由於裂紋的擴展而造成的破壞，並且可以阻擋濕氣和空氣的滲透。因此，可以防止濕氣和空氣的滲透，而無需額外的製程和成本。
圖9A至圖9C示出了具有根據本發明的第四示例實施例的結構的可撓性有機發光二極體裝置。如圖9A所示，可撓性有機發光二極體裝置200可以在長邊（或長尺寸）方向上(例如在水平方向上)彎曲。因為可撓性有機發光二極體裝置可以不是在特定區域彎曲，而是在沿著長邊方向的整個區域彎曲，彎曲區域B1、B2、…和Bn可以沿著可撓性有機發光二極體裝置200的整個長度方向(例如沿著可撓性方向)在整個區域上產生。此外，可撓性有機發光二極體裝置200可以沿著長邊方向以各種曲率彎曲，並且不同的彎曲區域可以以不同的曲率彎曲。平坦化層229的多個開口218可以在短邊（或短尺寸）方向上形成，例如，沿著每個彎曲區域在垂直方向上形成。沿著短邊方向排列的每個子像素可以通過第一封裝層242和第三封裝層246密封而與其他區域隔絕，第一封裝層242和第三封裝層246可以形成在開口218的內側壁上。
如圖9B所示，可撓性有機發光二極體裝置200可以在短邊方向上彎曲，例如在水平方向上彎曲。在該結構中，可以沿著多個彎曲區域B1、B2、…和Bm的長邊方向形成平坦化層229的多個開口218。沿著長邊方向排列的每個子像素可以通過第一封裝層242和第三封裝層246密封而與其他區域隔絕，第一封裝層242和第三封裝層246可以形成在開口218的內側壁處。如圖9C所示，可撓性有機發光二極體裝置200可以在短邊方向和長邊方向上都彎曲，例如在水平方向和垂直方向上都彎曲。在該結構中，可以沿著多個彎曲區域B11、B12、...、B1m、B21、B22，...和B2n的長邊方向和短邊方向分別形成平坦化層229的多個開口218。可以通過可以在開口218的內側壁上形成的第一封裝層242和第三封裝層246，將位於某個區域的子像素與其他區域隔絕。
可以設置彎曲區域B，並且可以在彎曲區域B處形成開口218。因此，所有可能被彎曲破壞的結構都可以被移除，並且通過彎曲區域B的開口218暴露的所有區域可以被密封。因此，透過彎曲區域B的結構的部分的濕氣和空氣滲透可以被去除、最小化或減小。下面將對此進行詳細說明。
圖10A是示出其中未形成彎曲區域的一般結構的可撓性有機發光二極體裝置的截面圖。圖10B是示出其中彎曲區域的結構被去除的可撓性有機發光二極體裝置的截面圖。參照圖10A和圖10B進一步說明該示例性實施方式的可撓性有機發光二極體裝置200的優點。如圖10A所示，在一般結構的可撓性有機發光二極體裝置1中，平坦化層29上的有機發光二極體E可以完全在第一基板10上。此外，堤部32可以形成在相鄰的子像素之間，例如相鄰的有機發光二極體E之間的平坦化層29上。第一封裝層42和第三封裝層46可以完全形成在第一基板10上。此外，第二基板70可以通過填充構件（未繪示）耦接到第三封裝層46。
在可撓性有機發光二極體裝置1中，可以通過彎曲產生連續且重複的應力，並且該應力可能施加至第一封裝層42和第三封裝層46。因此，由於連續和重複的應力，第一封裝層42和第三封裝層46可能被破壞，並且可能會產生裂紋，裂紋可能會在可撓性有機發光二極體裝置1的整個區域擴展。因此，可撓性有機發光二極體裝置1的耐久性可能會降低，並且可能會破壞可撓性有機發光二極體裝置1。
如圖10B所示，在可撓性有機發光二極體裝置1中，第一封裝層42和第三封裝層46可以在彎曲區域B處去除，在該彎曲區域B上可以施加連續和重複的應力。因為不存在可能被施加連續和重複應力的第一封裝層42和第三封裝層46，第一封裝層42和第三封裝層46沒有裂紋產生，並且可以最小化或減少由於裂紋擴展而引起的缺陷。然而，在該結構中，外部濕氣和空氣滲透通過第一封裝層42和第三封裝層46被去除的區域。滲透的濕氣和空氣可以通過平坦化層29擴散到有機發光二極體E，並且有機發光二極體E可能被降解。
在該示例實施例中，由於第一封裝層242和第三封裝層246沒有形成在彎曲區域B處，第一封裝層242和第三封裝層246的裂紋不會由於連續和重複的應力而產生，並且因此，由於裂紋的擴展引起的缺陷可以最小化或減少。此外，因為作為濕氣和空氣的滲透路徑的平坦化層229可以被第一封裝層242和第三封裝層246完全封裝，濕氣和空氣的滲透路徑會被阻擋，因此，可以解決有機發光二極體E的降解。
圖11是示出根據本發明的第五示例性實施方式的有機發光二極體裝置的截面圖。如圖11所示，在可撓性有機發光二極體裝置300中，可以去除彎曲區域B的平坦化層329以形成開口318。堤部332、第一封裝層342和第三封裝層346可以在開口318內延伸。因此，堤部332、第一封裝層342和第三封裝層346可以不形成在彎曲區域B處。因此，第一封裝層342和第三封裝層346不會由於彎曲引起的連續且重複的應力產生裂紋。因此，可以最小化或減少由於裂紋的擴展而導致的可撓性有機發光二極體裝置300的耐久性或缺陷的降低。
此外，在該示例實施例中，堤部332和第一封裝層342和第三封裝層346可以在開口318的兩個側表面上形成，例如，在子像素的平坦化層329的壁表面上形成。子像素可以彼此相鄰，且開口318位於相鄰的兩個子像素之間。因此，堤部332以及第一封裝層342和第三封裝層346可以在彎曲區域B處完全密封平坦化層329的側表面（例如，去除的表面）。外部濕氣和空氣通過彎曲區域B的開口318的滲透可能會被完全阻擋，並且因此由於濕氣和空氣等雜質引起的有機發光二極體E的劣化可以最小化或減少。
特別地，在該示例實施例中，位於開口318的平坦化層329的最外部的第三封裝層346可以具有台階346a，該台階346a可以以預定的寬度位於鈍化層328的頂表面上，該鈍化層328可以是開口318的底部。因此，與第四實施例的可撓性有機發光二極體裝置相比，第三封裝層346與鈍化層328的頂表面的接觸面積可以增加，並且可以有效地最小化或減少通過鈍化層328和第三封裝層346之間的界面滲透濕氣和空氣。此外，與第四示例實施例的可撓性有機發光二極體裝置相比，通過位於開口318的兩側的台階346a可進一步減小暴露的鈍化層328的寬度a。因此，可以有效地阻擋濕氣和空氣通過鈍化層328滲透到薄膜電晶體中。如圖11所示，可撓性有機發光二極體裝置300還包括第一基板310、半導體層311、閘極312、源極314、汲極316、金屬層317、緩衝層322、閘極絕緣層324、層間絕緣層326、分隔壁334、第二封裝層344、透明填充構件348、第一電極352、有機發光層354、第二電極356和第二基板370。
圖12是示出根據本發明的第六示例性實施方式的有機發光二極體裝置的截面圖。圖13是放大圖12的區域A的圖。如圖12和圖13所示，在可撓性有機發光二極體裝置400中，可以去除彎曲區域B的平坦化層429以形成開口418，且堤部432、第一封裝層442和第三封裝層446可以在開口418內延伸。因此，堤部432、第一封裝層442和第三封裝層446可以不形成在彎曲區域B處，因此，由於彎曲引起的連續且重複的應力而導致的第一封裝層442和第三封裝層446的裂紋不會產生。因此，可以最小化或減少由於裂紋的擴展而導致的可撓性有機發光二極體裝置400的耐久性的降低或破壞。
此外，在該結構中，有機發光二極體E的有機發光層454和第二電極456可以沿著開口418的側表面（例如切割表面）延伸至鈍化層428，且第一封裝層442可以形成在第二電極456上。此外，可以在有機發光二極體E上方的第一封裝層442上形成島狀的第二封裝層444。有機發光層454、第二電極456和第一封裝層442的一部分可以形成台階。這些台階可以在開口418中的鈍化層428上，和/或在有機發光層454的側端表面上。形成台階的第二電極456和第一封裝層442可以在開口418中暴露。
第三封裝層446可以從開口418中的第一封裝層442的側表面延伸至鈍化層428，並且可以密封有機發光層454、第二電極456和第一封裝層442的側端面。第三封裝層446的一部分可以在開口418中的鈍化層428上形成台階446a。因此，有機發光層454、第二電極456以及第一封裝層442和第三封裝層446可以形成在子像素的平坦化層429的壁表面上，並從而可以完全密封在彎曲區域B處的平坦化層429的側表面（例如，已移除的表面）。外部濕氣和空氣通過彎曲區域B的開口418的滲透可以被完全阻擋，並且可以最小化或減少因為濕氣和空氣等雜質引起的有機發光二極體E的劣化。
此外，暴露在開口418中的有機發光層454和第二電極456的側端面可以被第三封裝層446封裝，並且因此，濕氣和空氣透過有機發光層454和第二電極456的側端面的滲透可以最小化或減少。此外，在該示例實施例中，封裝有機發光層454和第二電極456的側端面的第三封裝層446可以具有預定寬度的台階446a。因此，第三封裝層446與鈍化層428的頂表面的接觸面積可以增加，並且因此，濕氣和空氣通過鈍化層428和第三封裝層446之間的界面的滲透可以被最小化或進一步有效地減少。此外，通過位於開口418兩側的台階446a，可以減小暴露的鈍化層428的寬度。因此，可以有效地阻擋濕氣和空氣通過鈍化層428滲透到薄膜電晶體中。如圖12所示，可撓性有機發光二極體裝置400還包括第一基板410、半導體層411、閘極412、源極414、汲極416、緩衝層422、閘極絕緣層424、層間絕緣層426、透明填充構件448、第一電極452和第二基板470。
圖14是示出根據本發明的第七示例性實施方式的有機發光二極體裝置的截面圖。圖15是放大圖14的區域C的圖。如圖14和圖15所示，在可撓性有機發光二極體裝置500中，可以去除彎曲區域B的平坦化層529以形成開口518，且堤部532、第一封裝層542和第三封裝層546可在開口518內延伸。因此，堤部532、第一封裝層542和第三封裝層546可以不形成在彎曲區域B處，因此由於彎曲引起的連續且重複的應力而導致的第一封裝層542和第三封裝層546的裂紋不會產生。因此，由於裂紋的擴展而導致可撓性有機發光二極體裝置500的耐久性的降低或破壞可以最小化或減少。
此外，在該結構中，有機發光二極體E的有機發光層554和第二電極556可以沿著開口518的側表面（例如切割表面）延伸至鈍化層528，且第一封裝層542可以形成在第二電極556上。此外，可以在有機發光二極體E上方的第一封裝層542上形成島狀的第二封裝層544，且第三封裝層546可以形成在第一封裝層542和第二封裝層544上。有機發光層554、第二電極556、第一封裝層542和第三封裝層546的一部分可以形成台階。這些台階可以在開口518中的鈍化層528上，以及有機發光層554、第二電極556、第一封裝層542和第三封裝層546的側端面上，從而形成可以在開口518中暴露的台階。
第四封裝層549可以形成在第三封裝層546上以及有機發光層554、第二電極556、第一封裝層542的側表面上。第四封裝層549可以由無機材料製成，並且可以封裝有機發光層554、第二電極556、第一封裝層542和第三封裝層546的暴露的側端面。因此，有機發光層554、第二電極556以及第一封裝層542、第三封裝層546和第四封裝層549可以形成在子像素的平坦化層529的壁表面上，並且從而可以完全密封彎曲區域B處的平坦化層529的側表面（例如，已移除的表面）。外部濕氣和空氣通過彎曲區域B的開口518的滲透可以被完全阻擋，並且因此最小化或減少由於濕氣和空氣等雜質引起的有機發光二極體E的劣化。
此外，暴露在開口518中的有機發光層554和第二電極556的側端面可以被第四封裝層549封裝，並且因此，可以最小化或減少濕氣和空氣透過有機發光層554和第二電極556的側端面滲透。此外，在該示例實施例中，三層無機封裝層（第一封裝層542、第三封裝層546和第四封裝層549）可以形成在位於開口518處的有機發光層554和第二電極556上，並且因此，可能會進一步阻擋外部濕氣和空氣的滲透。此外，通過位於開口518兩側的台階，暴露的鈍化層528的寬度可以減小。因此，可以有效地阻擋濕氣和空氣通過鈍化層528滲透到薄膜電晶體中。如圖14所示，可撓性有機發光二極體裝置500還包括第一基板510、半導體層511、閘極512、源極514、汲極516、緩衝層522、閘極絕緣層524、層間絕緣層526、透明填充構件548、第一電極552和第二基板570。
在以上第四示例實施例至第七示例實施例中，由於連續和重複的應力而導致的可撓性有機發光二極體顯示器的彎曲區域的破壞可以被最小化或減少，並且可以最小化或減少雜質如濕氣和空氣通過彎曲區域滲透。如圖16所示，可折疊有機發光二極體裝置600可能不會在整個裝置上彎曲，但是可以在一定位置折疊，以便可以根據需要以折疊狀態和展開狀態使用。因此，可折疊有機發光二極體裝置600可以包含可以折疊的折疊區域F和可能無法折疊的平坦區域P。可以在折疊區域F處產生實際上彎曲可折疊有機發光二極體裝置600的彎曲區域B，且可能不會在平坦區域P上產生實際上彎曲可折疊有機發光二極體裝置600的彎曲區域B。在圖式中，可以舉例說明在一個方向上折疊的可折疊有機發光二極體裝置600。然而，可折疊有機發光二極體裝置600可以在長邊方向和短邊方向兩者上折疊。此外，可以形成一個或多個折疊區域F。如果形成兩個或多個折疊區域F，可折疊有機發光二極體裝置600可以在折疊區域F的位置處折疊。
圖17是示出圖16的可折疊有機發光二極體裝置的結構的視圖。如圖17所示，可折疊有機發光二極體裝置600可以包含折疊區域F和彎曲區域P，並且彎曲區域B可以形成在折疊區域F中。位於每個折疊區域F和平坦區域P中的一子像素中，可以形成包含半導體層611、閘極612和源極614以及汲極616的薄膜電晶體。薄膜電晶體上可以形成鈍化層628和平坦化層629。
堤部632可以形成在相鄰子像素之間的平坦化層629上，且在相鄰的堤部632之間可以形成有機發光二極體E。有機發光二極體E可以包含第一電極、第二電極以及在第一電極和第二電極之間的有機發光層。第一封裝層642、第二封裝層644和第三封裝層646可以形成在具有有機發光二極體E的第一基板610上。第一封裝層642和第三封裝層646可以由無機材料形成，並且第二封裝層644可以由有機材料形成。
在平坦區域P中，可以依序形成第一封裝層642、第二封裝層644和第三封裝層646。在折疊區域F中，可以形成去除了部分平坦化層629的開口618，且第一封裝層642和第三封裝層646可以沿著開口618的壁表面形成以完全封裝子像素的側表面。此外，在折疊區域F中，第二封裝層644可以形成島狀在第一封裝層642上，且第二封裝層644可以被第一封裝層642和第三封裝層646完全封裝。此外，填充構件648可以塗覆在第三封裝層646上，並且第二基板670可以位於填充構件648上。第一基板610和第二基板670可以使用填充構件648彼此耦合。在折疊區域F中，填充構件648可以填充開口618的內部。
在該示例實施例的可折疊有機發光二極體裝置600中，開口618可以不形成在平坦區域P中，且第一封裝層642、第二封裝層644和第三封裝層646可以依序地整個形成在平坦區域P上。開口618可以形成在折疊區域F中，且第一封裝層642、第二封裝層644和第三封裝層646可以不形成在開口618的區域。因此，當在折疊區域F處折疊可折疊有機發光二極體裝置600時，可以避免在第一封裝層642、第二封裝層644和第三封裝層646中產生裂紋，並且因此，可以最小化或減少由於裂紋的擴展而導致的可折疊有機發光二極體裝置600的破壞。如圖17所示，可折疊有機發光二極體裝置600還包括金屬層617、緩衝層622、閘極絕緣層624、層間絕緣層626和第一電極652。
此外，在該示例實施例的可折疊有機發光二極體裝置600中，折疊區域F的開口618的壁表面可以被第一封裝層642和第三封裝層646完全封裝，並且因此，可以最小化或減少濕氣和空氣通過折疊區域F滲透到有機發光二極體E中。這樣，在本示例實施例的可折疊有機發光二極體裝置600中，彎曲或折疊產生的連續且重複的應力可能不會施加到平坦區域P上並且不會折疊平坦區域P。因此，平坦區域P可以具有如圖10A所示的結構。如圖8所示，可以通過彎曲或折疊被施加連續且重複的應力的折疊區域F具有防止應力破壞和雜質滲透的結構。可替代地，折疊區域F的結構可能如圖11、圖12或圖14所示。可替代地，平坦區域P和折疊區域F都可以具有如圖8、圖11、圖12或圖14所示的結構。
圖18是示出包含觸控面板的有機發光二極體面板的截面圖。如圖18所示，有機發光二極體面板可包含顯示面板710和觸控面板720。可以在第一基板711（或陣列基板）上形成包含主動區712c以及源極區712a和汲極區712b的半導體層712。閘極絕緣層713可以形成在半導體層712上。閘極714、層間絕緣層715以及源極716a和汲極716b可以形成在閘極絕緣層713上。半導體層712、閘極絕緣層713、閘極714、層間絕緣層715以及源極716a和汲極716b可以形成薄膜電晶體Tr。
鈍化層717和有機發光二極體E可以依序地形成在薄膜電晶體Tr上。有機發光二極體E可以包含陽極（或第一電極）EA、有機絕緣層EO和陰極（或第二電極）EC。堤部718可以包圍（或圍繞）有機發光二極體E的側表面。可以在有機發光二極體E上形成使用有機層和無機層的多層結構的封裝層719，以防止濕氣滲透到有機發光二極體E中。
觸控面板720可以包含觸控電極721、傳送觸控輸入驅動訊號的Tx線（或觸摸驅動線）（未示出）、傳送觸控輸入感測訊號的Rx線（或觸摸感測線）（未示出），和向觸控電極提供驅動功率的驅動功率線。觸控面板720可以形成在封裝層719上。觸控面板720可以處理用戶對顯示器的觸控輸入。然而，因為可以在封裝層719上形成包含觸控電極721的觸控面板720，所以有機發光二極體裝置的厚度增加。作為可撓性顯示器，其可以是例如可彎曲型、可捲曲型、可折疊型和/或彎曲型的各種類型中的任何一種、厚度增加、可變形範圍可被減小，因此可撓性可能減小。此外，為了包含將觸控輸入驅動訊號提供給Tx線並從Rx線接收觸控輸入感測訊號的觸控面板驅動電路，在顯示器的邊框區域中可能需要為觸控面板驅動電路提供一個單獨的空間。這阻礙了在小型可撓性有機發光二極體裝置的使用空間。
圖19A是示出根據本發明的第九示例實施方式的有機發光二極體面板的截面圖。為了使用有機發光二極體面板實現可撓性顯示器，第一基板801（或陣列基板）可以由具有可撓性的塑膠材料製成。該塑膠材料可以是聚醯亞胺。可以在第一基板801上形成作為緩衝層的多層緩衝層802。多層緩衝層802可以防止濕氣、氧氣和其他物質從第一基板801滲透。多層緩衝層802可以形成有交替堆疊的SiNx層和SiOx層。
可以在多層緩衝層802上形成作為另一緩衝層的活性緩衝層803。活性緩衝層803可以保護半導體層804，並阻止濕氣、氧氣和其他物質從第一基板801滲透。活性緩衝層803可以由非晶矽形成。半導體層804可以形成在活性緩衝層803上。半導體層804可以由非晶矽、多晶矽和/或氧化物半導體材料形成。作為通道的主動區804c可以位於半導體層804的中心部分，且具有高摻雜雜質的源極區804a和汲極區804b可以位於主動區804c的兩側。
可以在半導體層804上形成一個閘極絕緣層805。閘極絕緣層805可以阻止在半導體層804和閘極806之間的電流。閘極絕緣層805可以由例如SiOx或SiNx的無機絕緣材料或有機絕緣材料形成。閘極806可以形成在主動區804c所對應的閘極絕緣層805上。沿著方向延伸的閘極線（未示出）可以形成在閘極絕緣層805上。閘極806可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu和/或其合金形成。閘極可以具有單層或多層結構。
層間絕緣層807可以形成在閘極806和閘極線上。層間絕緣層807可以由如SiOx和/或SiNx的無機絕緣材料製成，或者由有機絕緣材料製成。層間絕緣層807可以具有暴露半導體層804的源極區804a和汲極區804b中的每個的接觸孔809。源極808a和汲極808b可以形成在層間絕緣層807上。源極808a和汲極808b可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu和/或其合金製成。源極808a和汲極808b可以具有單層或多層結構。
半導體層804、閘極絕緣層805、閘極806、層間絕緣層807以及源極808a和汲極808b可以形成薄膜電晶體Tr。鈍化層810可以形成在源極808a和汲極808b上。鈍化層810可以保護源極808a和汲極808b免受濕氣、氧氣和其他物質的影響。平坦化層811可以形成在鈍化層810上。平坦化層811可以保護薄膜電晶體Tr並使第一基板801的表面平坦化。平坦化層811可以由聚丙烯酸酯樹脂（polyacrylates resin）、環氧樹脂（epoxy resin）、酚醛樹脂（phenolic resin）、聚醯胺樹脂（polyamides resin）、聚醯亞胺樹脂（polyimides resin）、不飽和聚酯樹脂（unsaturated polyesters resin）、聚苯醚樹脂（poly-phenylenethers resin）、聚苯硫醚樹脂（polyphenylenesulfides resinn）和/或苯並環丁烯（benzocyclobutene，BCB）中的至少一種製成。平坦化層811可以具有單層或多層結構。
可以去除鈍化層810和平坦化層811的一部分以形成汲極接觸孔812，從而露出汲極808b。第一電極813可以形成在平坦化層811上，並用作有機發光二極體的陽極。第一電極813可以通過汲極接觸孔812電連接到薄膜電晶體Tr的汲極808b。如果有機發光二極體裝置是底部發射型，則第一電極813可以由透明導電材料製成，例如，ITO和/或IZO。如果有機發光二極體裝置是頂部發射型，則第一電極813可以由具有高反射率的不透明導電材料製成，例如Ag、Al、Au、Mo、W、Cr和/或其合金。
有機發光層814可以位於第一電極813上。有機發光層814可以由發光材料製成的單層形成。可替代地，為了增加發射效率，有機發光層814可以形成有多層，該多層可以包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層。有機發光層814可以發射紅光、綠光或藍光。這方面，紅色有機材料、綠色有機材料和藍色有機材料可以分別在紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素中被圖案化。
第二電極815可以位於有機發光層814上，並用作有機發光二極體的陰極。如果有機發光二極體裝置是頂部發射型，則第二電極815可以由透明導電材料製成，例如，ITO和/或IZO。如果有機發光二極體裝置是底部發射型，則第二電極815可以由具有高反射率的不透明導電材料製成，例如Ag、Al、Au、Mo、W、Cr和/或其合金。當根據輸入到薄膜電晶體Tr的資料訊號向第一電極813和第二電極815施加各自的電壓時，來自第一電極813的電洞和來自第二電極815的電子可以被傳輸到有機發光層814並形成激子。當激子從激發態轉變為基態時，可能會產生並發射光。發射的光可以穿過第一電極813或第二電極815，因此有機發光二極體裝置可以顯示圖像。
堤部816可以形成在有機發光二極體的一側。堤部816可以具有由子像素分開的結構。堤部816可以由無機絕緣材料例如SiOx或SiNx製成，或由有機絕緣材料例如BCB、丙烯酸樹脂或醯亞胺樹脂製成。可以在堤部816和第二電極815上形成封裝層，並且封裝層可以包含可以依序位於堤部816和第二電極815上的第一封裝層817、有機層818和第二封裝層819。第一封裝層817和第二封裝層819可以由SiOx、SiNx和/或AlOx製成，並且可以用於防止濕氣、氧氣和/或其他物質滲透到有機發光層814中。
由有機材料形成的有機層818可以在第一封裝層817和第二封裝層819之間，以平坦化基板的表面，並且因此由於產生台階而導致的顯示質量降低可以防止。以示例的方式描述了交替堆疊的第一封裝層817和第二封裝層819的無機封裝層，以及有機層818。可替代地，可以交替地堆疊多個有機層和多個無機封裝層，並且可以防止濕氣、氧氣和/或其他物質滲透到有機發光層814中。
封裝層可以以具有有機層和無機層的薄膜形式形成，使得封裝層可以比玻璃封裝層更輕和/或更薄，並且具有可撓性。因此，該示例實施例的封裝層可以應用於可撓性有機發光二極體裝置。可以在堤部816的可能不形成有機發光二極體的區域中形成封裝孔（或封裝接觸孔）820，並且封裝孔820可以暴露在堤部816下方的鈍化層810。為了露出鈍化層810，可以在平坦化層811、堤部816、第一封裝層817、有機層818和第二封裝層819中形成封裝孔820。例如，可以依序去除平坦化層811、堤部816、第一封裝層817、有機層818和第二封裝層819，以在其中形成封裝孔820。
封裝孔820的周圍可以被第一封裝層817和第二封裝層819圍繞。觸控電極911可以形成在封裝孔820中暴露的鈍化層810的一部分上。薄膜電晶體Tr的汲極808b可以延伸到鈍化層810暴露的部分的區域並且連接到觸控電極911。可替代地，觸控電極911可以連接到在第一基板801上形成的訊號線。觸控電極911可以通過可以電連接到薄膜電晶體Tr的資料線和/或通過在第一基板801上形成的訊號線來接收觸控輸入驅動訊號。當感測到觸控輸入時，可以通過形成在第一基板801上的資料線或訊號線從觸控電極911傳送觸控輸入感測訊號，然後可以處理觸控輸入。
在該示例實施例中，觸控面板可以不形成在第二封裝層819上。觸控面板可以包含觸控電極、Tx線和Rx線。在不形成觸控面板的情況下，可以去除第一封裝層817、有機層818和第二封裝層819以形成封裝孔820。而且，觸控電極911可以形成在封裝孔820中。通過消去封裝層上的觸控面板，可以減小有機發光二極體面板的總厚度。此外，由於可以減小有機發光二極體面板的厚度，所以可變形範圍可以增加，因此可以容易地將有機發光二極體面板製成可彎曲型、可捲曲型、可折疊型或曲線型，並且因此有機發光二極體面板可以具有適合於可撓性顯示器的結構。
此外，包含資料線的訊號線可以用作Tx線和Rx線，Tx線和/或Rx線可以在封裝層上消去。因此，將觸控輸入驅動訊號提供給Tx線，並從Rx線接收觸控輸入感測訊號的觸控面板驅動電路可以不需要在有機發光二極體面板的側表面部的邊框區域中提供，因此可以減小邊框區域的尺寸。隨著減小邊框區域，可以更好地利用空間，並且可以實現各種設計中的可撓性有機發光二極體裝置。此外，可以通過形成在第一基板上的訊號線來提供用於驅動觸控電極911的驅動功率，因此可以消去位於封裝層上的驅動功率線。
圖19B是示出根據本發明的第十示例實施方式的有機發光二極體面板的截面圖。該示例實施例的有機發光二極體面板與第九示例實施例的有機發光二極體面板的不同之處在於該示例實施例的鈍化層810可以形成為具有與源極808a和汲極808b相對應的島狀（或分離的結構）。例如，鈍化層810可以是位於源極808a和汲極808b上並覆蓋源極808a和汲極808b中的島狀圖案（或單獨的圖案）。該配置可以減輕鈍化層810的應力，並且可以防止裂紋以及由裂紋引起的應力向其他區域的擴展。
與第九示例實施例類似，在該示例實施例中，可以形成封裝孔820，並且觸控電極911可以位於封裝孔820中，並且因此可以消去封裝層上的觸控面板。因此，可通過減小有機發光二極體面板的厚度來增加可撓性。並且可以從邊框區域消去觸摸驅動電路，從而可以減小邊框區域的尺寸，而且可以增加空間的利用，並且可以實現可撓性有機發光二極體裝置。
圖20示出了根據本發明的第十一示例實施方式的有機發光二極體裝置。如圖20所示，有機發光二極體裝置可以包含顯示面板800、觸控面板驅動部1300、時序控制部1400、閘極驅動部1500和資料驅動部1600。顯示面板800可以包含矩陣形式的多個子像素P並顯示圖像。顯示面板800可以使用第九示例實施例或第十示例實施例的有機發光二極體面板。在顯示面板800的第一基板上，可以形成可以彼此間隔開並且彼此平行的多個閘極線GL1至GLn以及與閘極線GL1至GLn交叉以定義子像素的多個資料線DL1至GLm。
子像素P可以包含發光的有機發光二極體、根據資料訊號調整有機發光二極體發光量的薄膜電晶體，以及保持資料訊號的電壓直到下一幀的存儲電容器。觸控電極911可以形成在位於子像素P上的封裝孔（例如，圖19A或圖19B的820）中，並且可以感測觸控輸入。感測觸控輸入的類型可以分類為電阻型、電磁型或電容型。電容型可以是感測觸控電極的類型，其中，電壓根據觸摸引起的電容的變化而改變，從而確定可能進行觸控輸入的位置。在該示例實施例中，通過示例描述了電容型。
觸控面板驅動部1300可以傳送觸控輸入驅動訊號TD，並從觸控電極911接收觸控輸入感測訊號RD，然後將觸控輸入感測訊號RD轉換為數位資料DD，然後處理觸控輸入。為此，觸控面板驅動部1300可以包含觸控輸入控制部1310、Tx驅動部1320和Rx驅動部1330。觸控輸入控制部1310可以生成用於控制Tx驅動部1320的第一設置訊號SS1和用於控制Rx驅動部1330的第二設置訊號SS2。
觸控輸入控制部1310可以向Rx驅動部1330提供用於控制採樣時序的開關控制訊號SCS，並且控制Rx驅動部1330對從觸控電極911傳送來的觸控輸入感測訊號RD進行採樣。此外，觸控輸入控制部1310可以將ADC時序訊號AD_CLK提供給可以包含在Rx驅動部1330中的類比數位轉換器ADC，並控制類比數位轉換器將採樣的觸控輸入感測訊號RD轉換為數位資料DD。此外，觸控輸入控制部1310可以使用數位資料DD和觸控輸入感測算法，並找出（或確定）進行觸控輸入的座標，然後將包含座標訊息的觸控輸入資料HIDxy發送到主機系統1700。主機系統1700可以使用應用程序來處理來自觸控輸入控制部1310的觸控輸入資料HIDxy。觸控輸入控制部1310可以配置有微控制器單元。
各種方法可以用於微控制器單元感測的算法。例如，可以將具有流過觸控電極的電流量的數位資料存儲為參考資料R。當可以進行實際的觸控輸入時，原始資料r可以是由Rx驅動部1330轉換的數位資料。原始資料r可以與參考資料R進行比較。如果原始資料r小於參考資料R，則觸控輸入可能沒有發生。如果原始資料r大於參考資料R，則可能發生觸控輸入。當確定發生觸控輸入時，微控制器單元可以生成包含進行觸控輸入的位置和識別碼的觸控輸入資料HIDxy，並將觸控輸入資料HIDxy發送到主機系統1700。
Tx驅動部1320可以根據第一設置訊號SS1設置傳輸驅動脈衝的觸控輸入驅動訊號TD的資料線，並發送觸控輸入驅動訊號TD到設置資料線。Rx驅動部1330可以根據第二設置訊號SS2設置傳輸觸控輸入感測訊號RD的資料線。此外通過示例進行描述Rx驅動部1330可以根據從觸控輸入控制部1310輸入的開關控制訊號SCS對觸控輸入感測訊號RD進行採樣，然後將採樣的觸控輸入感測訊號RD轉換為數位資料DD，然後將數位資料DD發送到觸控輸入控制部1310。Tx驅動部1320向觸控電極911提供觸控輸入驅動訊號TD，且Rx驅動部1330通過資料線從觸控電極接收觸控輸入感測訊號RD。然而，可以使用除了資料線以外的在第一基板上形成的訊號線。
形成在封裝孔處的觸控電極911可通過第一基板上的資料線或其他訊號線從Tx驅動部1320接收觸控輸入驅動訊號TD。然後，感測到觸控輸入的觸控電極911可以通過第一基板上的資料線或其他訊號線將觸控輸入感測訊號RD傳送到Rx驅動部1330，然後可以處理觸控輸入。通過示例來描述通過電容的變化感測的觸控輸入。然而，可以將感測熱、壓力和/或濕氣中的至少一種的功能添加到觸控電極911，並且可以實現各種附加功能。
時序控制部1400可以生成用於控制閘極驅動部1500的操作的閘極控制訊號GCS和用於控制資料驅動部1600的操作的資料控制訊號DCS。可以使用從主機系統1700輸入的時序控制訊號TCS來生成這些訊號，然後可以將閘極控制訊號GCS和資料控制訊號DCS提供給閘極驅動部1500和資料驅動部1600。此外，時序控制部1400可以將圖像訊號RGB提供給資料驅動部1600。閘極驅動部1500可以根據包含在閘極控制訊號GCS中的閘極移位時序GSC來移位包含在閘極控制訊號GCS中的閘極起始脈衝GSP，並向閘極線GL1至GLn依序提供使薄膜電晶體導通的閘極高訊號VGH。此外，閘極驅動部1500可以在未提供閘極高訊號VGH的剩餘時間期間將閘極低訊號VGL提供給閘極線GL1至GLn。
資料驅動部1600可以根據包含在閘極控制訊號GCS中的源極移位時序SSC來移位包含在資料控制訊號DCS中的源極起始脈衝SSP，以產生採樣訊號。此外，資料驅動部1600可以根據採樣訊號可以鎖存根據源極移位時序SSC輸入的圖像訊號RGB。然後，資料驅動部可以將鎖存的圖像訊號RGB轉換為資料訊號，然後響應於源輸出使能SOE訊號按行將圖像資料訊號提供給資料線DL1至DLm。時序控制部1400、閘極驅動部1500、資料驅動部1600可以操作顯示面板800，並且可以被包含在顯示面板驅動部IDA中。此外，作為觸控面板驅動電路的Tx驅動部1320和Rx驅動部1330可以從顯示區域一側的邊框區域移除，並且可以位於其他非顯示區域，因此可以減小邊框區域的尺寸。因此，可以實現增加空間利用的可撓性有機發光二極體裝置。
本發明的上述特徵、結構和效果包含在至少一個示例實施例中，但不僅限於一個示例實施例。此外，本領域技術人員可以通過對其他示例實施例的組合或修改來實現在至少一個示例實施例中描述的特徵、結構和效果。因此，與組合和修改相關聯的內容應被解釋為在本發明的範圍內。對於本領域技術人員將顯而易見的是，在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變化。因此，本發明旨在覆蓋本發明的修改和變型，只要它們落入所附申請專利範圍及其等同物的範圍內。
1:可撓性有機發光二極體裝置 10:第一基板 29:平坦化層 32:堤部 42:第一封裝層 46:第三封裝層 70:第二基板 100:可撓性有機發光二極體裝置 101:基板 102:保護膜 102a:第一保護膜 102b:第二保護膜 102b:第一子膜 102d:第二子膜 102c:第三保護膜 103:半導體層 103a:主動區 103b:源極區 103c:汲極區 104:隔離物 105:閘極絕緣層 106:波長轉換層 106a:第一層間絕緣層 108:外塗層 109a:第一層間絕緣層 109b:第二層間絕緣層 109c:第三層間絕緣層 110:第一基板 111:第一電極 113:有機發光層 115:第二電極 116:第一半導體接觸孔 116:第二半導體接觸孔 119:堤部 120:保護膜 120a:第一保護膜 120b:第二保護膜 120c:第三保護膜 200:可撓性有機發光二極體裝置 201:第一層 202:第二層 210:第一基板 211:半導體層 214:源極 214a:接觸孔 216:汲極 216a:接觸孔 212:閘極 217:金屬層 218:開口 222:緩衝層 224:閘極絕緣層 226:層間絕緣層 228:鈍化層 228a:接觸孔 229:平坦化層 232:堤部 234:分隔壁 242:第一封裝層 244:第二封裝層 246:第三封裝層 248:填充構件 252:第一電極 254:有機發光層 256:第二電極 270:第二基板 300:可撓性有機發光二極體裝置 310:第一基板 311:半導體層 312:閘極 314:源極 316:汲極 317:金屬層 318:開口 322:緩衝層 324:閘極絕緣層 326:層間絕緣層 328:鈍化層 329:平坦化層 332:堤部 334:分隔壁 342:第一封裝層 344:第二封裝層 346:第三封裝層 346a:台階 348:透明填充構件 352:第一電極 354:有機發光層 356:第二電極 370:第二基板 400:可撓性有機發光二極體裝置 410:第一基板 411:半導體層 412:閘極 414:源極 416:汲極 418:開口 422:緩衝層 424:閘極絕緣層 426:層間絕緣層 428:鈍化層 429:平坦化層 432:堤部 442:第一封裝層 444:第一封裝層 446:第三封裝層 446a:台階 448:透明填充構件 452:第一電極 454:有機發光層 456:第二電極 470:第二基板 500:可撓性有機發光二極體裝置 510:第一基板 511:半導體層 512:閘極 514:源極 516:汲極 518:開口 522:緩衝層 524:閘極絕緣層 526:層間絕緣層 528:鈍化層 529:平坦化層 532:堤部 542:第一封裝層 544:第二封裝層 546:第三封裝層 548:透明填充構件 549:第四封裝層 552:第一電極 554:有機發光層 556:第二電極 570:第二基板 600:可折疊有機發光二極體裝置 610:第一基板 611:半導體層 612:閘極 614:源極 616:汲極 617:金屬層 618:開口 622:緩衝層 624:閘極絕緣層 626:層間絕緣層 628:鈍化層 629:平坦化層 632:堤部 642:第一封裝層 644:第二封裝層 646:第三封裝層 648:填充構件 652:第一電極 670:第二基板 710:顯示面板 711:第一基板 712:半導體層 712a:源極區 712b:汲極區 712c:主動區 713:閘極絕緣層 714:閘極 715:層間絕緣層 716a:源極 716b:汲極 717:鈍化層 718:堤部 719:封裝層 720:觸控面板 721:觸控電極 800:顯示面板 801:第一基板 802:多層緩衝層 803:活性緩衝層 804:半導體層 804a:源極區 804b:汲極區 804c:主動區 805:閘極絕緣層 806:閘極 807:層間絕緣層 808a:源極 808b:汲極 809:接觸孔 810:鈍化層 811:平坦化層 812:汲極接觸孔 813:第一電極 814:有機發光層 815:第二電極 816:堤部 817:第一封裝層 818:有機層 819:第二封裝層 820:封裝孔 911:觸控電極 1300:觸控面板驅動部 1310:觸控輸入控制部 1320:Tx驅動部 1330:Rx驅動部 1400:時序控制部 1500:閘極驅動部 1600:資料驅動部 1700:主機系統 R-SP、G-SP、B-SP:子像素 EA:發光區域 EA1:第一顯示區域 EA2:第二顯示區域 NEA:非發光區域 FX:折疊軸 PH:汲極接觸孔 TrA:開關區域 DTr:驅動薄膜電晶體 DD:汲極 DG:閘極 DS:源極 H1:孔 E:發光二極體
本文所包含的圖式示出了本發明的實施例，提供對本發明的進一步理解並且被併入並構成本發明的一部分，並且與說明書一起用於解釋各種原理。在圖式中： 圖1A至圖1C示出了根據本發明的示例性實施方式的可撓性有機發光二極體裝置的折疊狀態和展開狀態。 圖2示出了根據本發明的第一示例實施例的在可撓性有機發光二極體裝置中包含三個子像素的單位像素的結構。 圖3是沿著圖2的III-III線的截面圖。 圖4A和圖4B示出了在彎曲作業中釋放的應力的原理。 圖5是示意性地示出根據本發明的第一示例性實施方式的有機發光二極體裝置的另一示例的截面圖。 圖6是示意性地示出根據本發明的第二示例實施例的可撓性有機發光二極體裝置的每個子像素的一部分的截面圖。 圖7是示意性地放大根據本發明的第三示例性實施例的可撓性有機發光二極體裝置的子像素的一部分的截面圖。 圖8是示出根據本發明的第四示例實施例的有機發光二極體裝置的結構的截面圖。 圖9A至圖9C示出了具有根據本發明的第四示例性實施方式的結構的可撓性有機發光二極體裝置。 圖10A是示出其中沒有形成彎曲區域的一般結構的可撓性有機發光二極體裝置的截面圖。 圖10B是示出其中彎曲區域的結構被去除的可撓性有機發光二極體裝置的截面圖。 圖11是示出根據本發明的第五示例性實施方式的有機發光二極體裝置的截面圖。 圖12是示出根據本發明的第六示例性實施方式的有機發光二極體裝置的截面圖。 圖13是將圖12的區域A放大的截面圖。 圖14是示出根據本發明的第七示例性實施方式的有機發光二極體裝置的截面圖。 圖15是放大圖14的區域C的截面圖。 圖16示出了根據本發明的第八示例實施例的可折疊有機發光二極體裝置。 圖17是示出根據本發明的第八示例實施例的可折疊有機發光二極體裝置的截面圖。 圖18是示出包含觸控面板的有機發光二極體面板的截面圖。 圖19A是示出根據本發明的第九示例實施方式的有機發光二極體面板的截面圖。 圖19B是示出根據本發明的第十示例實施方式的有機發光二極體面板的截面圖。 圖20示出了根據本發明的第十一示例實施方式的有機發光二極體裝置。
100:可撓性有機發光二極體裝置
101:基板
102:保護膜
102a:第一保護膜
102b:第二保護膜
102c:第三保護膜
103:半導體層
103a:主動區
103b:源極區
103c:汲極區
104:隔離物
105:閘極絕緣層
106:波長轉換層
106a:第一層間絕緣層
108:外塗層
109a:第一層間絕緣層
109b:第二層間絕緣層
109c:第三層間絕緣層
111:第一電極
113:有機發光層
115:第二電極
116:第一半導體接觸孔
116:第二半導體接觸孔
119:堤部
R-SP、G-SP、B-SP:子像素
EA:發光區域
NEA:非發光區域
PH:汲極接觸孔
TrA:開關區域
DTr:驅動薄膜電晶體
DD:汲極
DG:閘極
DS:源極
H1:孔
E:發光二極體

Claims (49)

  1. 一種可撓性有機發光二極體裝置，包含： 一基板，包含多個子像素，該些子像素各包含一驅動薄膜電晶體； 一層間絕緣層，覆蓋該驅動薄膜電晶體； 一外塗層，在該層間絕緣層上； 一第一電極，在該外塗層上且在該些子像素的每一個中； 一堤部，覆蓋該第一電極的一邊緣部； 一有機發光層，在該第一電極上； 一第二電極，在該有機發光層上；以及 一保護膜，在該第二電極上， 其中一第一孔的位置基於該堤部的位置，並且該第一孔的位置是在該外塗層、該堤部和該保護膜的至少其中之一者當中。
  2. 如請求項1所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中： 該保護膜包含由一無機絕緣材料形成的一第一保護膜和一第三保護膜和由一有機絕緣材料形成的一第二保護膜，以及 該第一孔位在該第二保護膜中。
  3. 如請求項1所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中： 該保護膜包含由一無機絕緣材料形成的一第一保護膜和一第三保護膜和由一有機絕緣材料形成的一第二保護膜和一第四保護膜，以及 其中該第一孔位在該第二保護膜和該第四保護膜中。
  4. 如請求項3所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中： 一第二孔的位置基於該第一孔的位置，並且該第二孔的位置在該第四保護膜中。
  5. 如請求項1所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第一孔在該堤部上並穿過該有機發光層、該第二電極和該保護膜。
  6. 如請求項5所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該保護膜是使用原子層沉積法（atomic layer deposition method）形成的。
  7. 如請求項5所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第一孔位於該些子像素的每一個的至少兩側，或在位於該些子像素的每一個的至少兩側的其中之一者處。
  8. 如請求項1所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第一孔位於該堤部下方的該第一電極中，一第二孔的位置基於該第一孔的位置，並且該第二孔的位置在該外塗層中。
  9. 如請求項8所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該保護膜是使用原子層沉積法形成的。
  10. 如請求項8所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第二孔的寬度大於該第一孔的寬度，以使該第一電極和該外塗層形成一底切。
  11. 如請求項10所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中位於該底切的一區域的該保護膜具有一尖端形狀。
  12. 如請求項8所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第二孔暴露該層間絕緣層。
  13. 如請求項1所述之可撓性有機發光二極體裝置更包含一隔離物在該堤部上，其中該隔離物有一倒錐形狀。
  14. 一種有機發光二極體裝置，包含： 一基板，包含多個子像素； 在該些子像素中各包含一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體具有至少一無機層； 一封裝層，在一有機發光層上，其中該封裝層包含至少一有機封裝層和至少一無機封裝層；以及 一開口，暴露該薄膜電晶體的該無機層， 其中該開口將該至少一無機封裝層與該薄膜電晶體的該無機層連接。
  15. 如請求項14所述之有機發光二極體裝置，其中該薄膜電晶體的該無機層是一絕緣層或一鈍化層。
  16. 如請求項14所述之有機發光二極體裝置，其中該開口在一彎曲區域中定義出至少一區域，用於減小由彎曲該有機發光二極體裝置引起的應力。
  17. 如請求項16所述之有機發光二極體裝置，其中該區域包含至少一子像素。
  18. 如請求項16所述之有機發光二極體裝置，其中該區域被無機材料封裝。
  19. 如請求項14所述之有機發光二極體裝置，其中該開口暴露一觸控電極。
  20. 如請求項19所述之有機發光二極體裝置，其中該觸控電極連接到該薄膜電晶體的一汲極或該基板上的一第一訊號線。
  21. 如請求項20所述之有機發光二極體裝置，更包含： 一觸控面板驅動部，在除了一邊框區域以外的一非顯示區域處， 其中該觸控面板驅動部被配置為通過該第一訊號線向該觸控電極提供一觸控輸入驅動訊號，以及 其中該觸控電極被配置為通過該第一訊號線向該觸控面板驅動部提供一觸控輸入感測訊號。
  22. 如請求項20所述之有機發光二極體裝置，其中 該第一訊號線為一資料線。
  23. 如請求項20所述之有機發光二極體裝置，其中一驅動功率通過該第一訊號線提供給該觸控電極。
  24. 如請求項14所述之有機發光二極體裝置更包含一填充構件在該至少一個無機封裝層上，並且該填充構件填充該開口。
  25. 如請求項14所述之有機發光二極體裝置，其中該基板為一可撓基板。
  26. 一種可撓性有機發光二極體裝置，包含： 一基板，包含多個子像素，該些子像素的每一個包含一驅動薄膜電晶體； 一層間絕緣層，覆蓋該驅動薄膜電晶體； 一外塗層，在該層間絕緣層上； 一第一電極，在該外塗層上且在該些子像素的每一個中； 一堤部，覆蓋該第一電極的一邊緣部； 一有機發光層，在該第一電極上； 一第二電極，在該有機發光層上；以及 一保護膜，在該第二電極上，其中該保護膜包含至少一無機層， 其中一第一孔的位置基於該堤部的位置，並且該第一孔暴露該外塗層、該堤部和該保護膜至少其中之一者，且一第二孔的位置是基於該第一孔的位置。
  27. 如請求項26所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第二孔的寬度大於該第一孔的寬度，以使該第一電極和該外塗層形成一底切。
  28. 如請求項27所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該底切具有一尖端形狀。
  29. 如請求項27所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第一電極在該底切處連接至該保護膜的該無機層，並且該第一電極被配置為減少濕氣向該有機發光層滲透。
  30. 如請求項26所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第一電極包含一金屬材料。
  31. 如請求項26所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第一孔和該第二孔在一彎曲區域中定義出至少一區域，用於減小由彎曲該有機發光二極體裝置引起的應力。
  32. 如請求項26所述之可撓性有機發光二極體裝置更包含一有機封裝層，該有機封裝層在該至少一無機封裝層的一第一無機封裝層和一第二無機封裝層之間。
  33. 如請求項32所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該有機封裝層由該第一無機封裝層和該第二無機封裝層封裝。
  34. 如請求項32所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第一無機封裝層包含一台階。
  35. 如請求項32所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第二無機封裝層包含一台階。
  36. 如請求項32所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該第二無機封裝層封裝該有機發光層和該第二電極的多個表面。
  37. 如請求項32所述之可撓性有機發光二極體裝置，其中該至少一無機封裝層更包含一第三無機封裝層，該第三無機封裝層封裝該有機發光層和該第二電極的多個表面。
  38. 一種可折疊有機發光二極體裝置，包含： 一基板，包含多個子像素；以及 一平坦區域，包含： 一第一薄膜電晶體 (TFT)，在該平坦區域的該些子像素的每一個中； 一第一絕緣層和一第二絕緣層，在該第一薄膜電晶體上，且該第一絕緣層和該第二絕緣層完全在該基板上； 一第一發光元件，在該第二絕緣層上；以及 一第一無機封裝層、一第一有機封裝層和一第二無機封裝層，依序位於該第一發光元件上，並且在該平坦區域的整個該些子像素上；以及 一折疊區域，包含： 一第二薄膜電晶體，在該折疊區域中的該些子像素的每一個中； 一開口，在該第二絕緣層中，從而露出在該第二絕緣層下方的該第一絕緣層； 一第二發光元件，在該第二絕緣層上； 一第三無機封裝層，在該第二發光元件上並延伸至該開口的一側表面以封裝該第二發光元件； 島狀的一第二有機封裝層，在該第二發光元件上的該第三無機封裝層上；以及 一第四無機封裝層，在該第三無機封裝層上並延伸到該開口的該側表面，從而封裝該第三無機封裝層， 其中該開口的一部分的一區域暴露於該折疊區域的一子像素的該第四無機封裝層與該折疊區域的一相鄰子像素的該第四無機封裝層之間。
  39. 如請求項38所述之可折疊有機發光二極體裝置，其中該第一發光元件和該第二發光元件的每一個包含： 一第一電極； 一有機發光層，在該第一電極上；以及 一第二電極，在該有機發光層上。
  40. 如請求項39所述之可折疊有機發光二極體裝置，其中該有機發光層和該第二發光元件的該第二電極在該開口中的該第一絕緣層上延伸。
  41. 如請求項38所述之可折疊有機發光二極體裝置，其中該第一無機封裝層與該第三無機封裝層整體形成，而該第二無機封裝層與該第四無機封裝層整體形成。
  42. 一種有機發光二極體 (OLED) 裝置，包含： 一第一基板； 一薄膜電晶體，在該第一基板上； 一鈍化層，覆蓋該薄膜電晶體；以及 一封裝層，在該鈍化層上， 其中一封裝孔位於該封裝層中，以暴露該鈍化層的一部分，以及 其中一觸控電極在該鈍化層的暴露的該部分上，並且該觸控電極連接至該薄膜電晶體的一汲極或該第一基板上的一第一訊號線。
  43. 如請求項42所述之有機發光二極體裝置，其中該第一基板包含聚醯亞胺。
  44. 如請求項42所述之有機發光二極體裝置，其中該封裝層包含一第一封裝層、一第二封裝層和在該第一封裝層和第該二封裝層之間的一有機層。
  45. 如請求項42所述之有機發光二極體裝置，更包含： 一多層緩衝層，在該第一基板上； 一活性緩衝層，在該多層緩衝層上且在該薄膜電晶體下方； 一平坦化層，在該鈍化層上且在該薄膜電晶體上；以及 一有機發光二極體和一堤部，在該平坦化層上，其中該堤部圍繞該有機發光二極體， 其中該封裝層在該有機發光二極體和該堤部上，以及 其中該封裝孔位於該封裝層、該堤部和該平坦化層的被去除的多個部分處，從而暴露出該鈍化層的該部分。
  46. 如請求項42所述之有機發光二極體裝置，其中該鈍化層在該薄膜電晶體的一源極和該汲極上分別具有一島狀圖案。
  47. 如請求項42所述之有機發光二極體裝置，更包含： 一觸控面板驅動部，在除了一邊框區域以外的一非顯示區域處， 其中該觸控面板驅動部被配置為通過該第一訊號線向該觸控電極提供一觸控輸入驅動訊號，以及 其中該觸控電極被配置為通過該第一訊號線向該觸控面板驅動部提供一觸控輸入感測訊號。
  48. 如請求項47所述之有機發光二極體裝置，其中 該第一訊號線為一資料線。
  49. 如請求項47所述之有機發光二極體裝置，其中一驅動功率被通過該第一訊號線提供給該觸控電極。
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