CN116417548A - 发光显示设备 - Google Patents

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朴泰翰
金容宰
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LG Display Co Ltd
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Abstract

一种发光显示设备包括：基板；像素驱动电路层，其设置在基板中；平坦化层，其设置在像素驱动电路层上；以及阳极电极，其设置在平坦化层上，其中，阳极电极连接到包括在像素驱动电路层中的驱动晶体管，像素驱动电路层包括第一主电极以及在其间具有绝缘层的情况下设置在第一主电极上的第二主电极，并且第一低反射电极设置在第一主电极下方，第二低反射电极设置在第二主电极下方。

Description

发光显示设备
技术领域
本公开涉及一种发光显示设备。
背景技术
偏振膜附着在用于发光显示设备的发光显示面板上，以防止外部光的反射。
在这种情况下，由于应该添加偏振膜，所以发光显示设备的制造成本增加，并且由于应该添加将偏振膜附着在发光显示面板上的工艺，所以发光显示设备的制造工艺变得复杂。
此外，发光显示设备的厚度由于偏振膜而增加，并且因此，无法满足用户减小发光显示设备的厚度的要求。
发明内容
因此，本公开将提供一种发光显示设备，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
更具体地，本公开将提供一种发光显示设备，其中低反射电极设置在像素驱动电路层中所包括的主电极下方并且低反射电极和主电极的侧表面由黑色材料覆盖。
本公开的附加优点和特征将在以下描述中部分地阐述并且对于本领域普通技术人员而言部分地将在检查以下内容时变得显而易见，或者可从本公开的实践学习。本公开的其它优点可通过所撰写的说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点并且根据本公开的目的，如本文具体实现和广义描述的，一种发光显示设备包括：基板；像素驱动电路层，其设置在基板中；平坦化层，其设置在像素驱动电路层上；以及阳极电极，其设置在平坦化层上，其中，阳极电极连接到包括在像素驱动电路层中的驱动晶体管，像素驱动电路层包括第一主电极以及在其间具有绝缘层的情况下设置在第一主电极上的第二主电极，并且第一低反射电极设置在第一主电极下方，第二低反射电极设置在第二主电极下方。
将理解，本公开的以上一般描述和以下详细描述是示例性和说明性的，旨在提供要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供本公开的进一步理解并且被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出本公开的各方面并与说明书一起用于说明本公开的原理。
附图中：
图1是示出根据本公开的发光显示设备的配置的示例图；
图2是示出根据本公开的用于发光显示设备的像素的结构的示例图；
图3是根据本公开的发光显示设备的发光显示面板的横截面图；
图4是示出根据本公开的发光显示设备的第一金属层中所包括的第一主电极的示例图；
图5是示出根据本公开的发光显示设备的第二金属层中所包括的第二主电极的示例图；
图6是示出图4所示的第一主电极和图5所示的第二主电极的示例图；
图7是示出沿着图6所示的线A-A’截取的横截面图的示例图；
图8是示出沿着图6所示的线B-B’截取的横截面图的示例图；
图9是用于描述发光显示面板中发生光反射的现象的示例图；以及
图10是示出沿着图6所示的线A-A’截取的横截面图的另一示例图。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的示例性方面，其示例例示在所附附图中。只要可能，在全部附图中，相同的标号将用于指代相同或相似的部件。
本公开的优点和特征及其实现方法将通过参照附图描述的以下方面来阐明。然而，本公开可按不同的形式具体实现，不应被解释为限于本文所阐述的方面。相反，提供这些方面以使得本公开将彻底和完整，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。
为了描述本公开的各方面而在附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本公开不限于所示细节。相似的标号始终表示相似的元件。在以下描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本公开的重点时，将省略详细描述。当使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”时，除非使用“仅”，否则可添加另一部分。除非相反指示，否则单数形式的术语可包括复数形式。
在解释元件时，尽管没有误差或容差范围的明确描述，但元件被解释为包括这种误差或容差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为例如“在…上”、“在…上方”、“在…下方”和“在…旁边”时，除非使用诸如“恰好”或“直接”的更限制性术语，否则一个或更多个其它部分可设置在这两个部分之间。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为例如“在…之后”、“随后”、“接下来”和“在…之前”时，除非使用诸如“刚刚”、“立即”或“直接”的更限制性术语，否则可包括不连续的情况。
将理解，尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，类似地，第二元件可被称为第一元件。
在描述本公开的元件时，可使用术语“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”、“(b)”等。这些术语旨在相对于其它元件识别对应元件，对应元件的基础、顺序或数量不应受这些术语限制。元件“连接”、“联接”或“粘附”到另一元件或层的表达，除非另外指明，否则该元件或层不仅可直接连接或粘附到另一元件或层，而且可间接连接或粘附到另一元件或层，一个或更多个中间元件或层“设置”或“插置”在元件或层之间。
术语“至少一个”应该被理解为包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义表示从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个提出的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目。
本公开的各种方面的特征可彼此部分或全部联接或组合，并且可彼此不同地互操作并且技术上如本领域技术人员可充分理解那样驱动。本公开的各方面可彼此独立地实施，或者可按照相互依赖的关系一起实施。
以下，将参照附图详细描述本公开的各方面。
图1是示出根据本公开的发光显示设备的配置的示例图，图2是示出根据本公开的用于发光显示设备的像素的结构的示例图。
根据本公开的发光显示设备可配置各种电子装置。例如，电子装置可包括智能电话、平板个人计算机(PC)、电视(TV)和监视器。
如图1所示，根据本公开的发光显示设备可包括：发光显示面板100，其包括用于显示图像的显示区域120和设置在显示区域120之外的非显示区域130；选通驱动器200，其用于向设置在发光显示面板100的显示区域120中的多条选通线GL1至GLg供应选通信号；数据驱动器300，其向设置在发光显示面板100中的多条数据线DL1至DLd供应数据电压；控制器400，其控制选通驱动器200和数据驱动器300的驱动；以及电源500，其向控制器400、选通驱动器200、数据驱动器300和发光显示面板100供电。
首先，发光显示面板100可包括显示区域120和非显示区域130。
用于显示图像的像素110可设置在显示区域120中，并且非显示区域130至少部分地或完全围绕显示区域120。
选通线GL1至GLg、数据线DL1至DLd以及像素110可设置在显示区域120中。因此，显示区域120可显示图像。这里，g和d可各自为自然数。
如图2所示，包括在发光显示面板100中的像素110可包括发射区域，发射区域包括像素驱动电路PDC(包括开关晶体管Tsw1、存储电容器Cst、驱动晶体管Tdr和感测晶体管Tsw2)以及发光装置ED。
驱动晶体管Tdr的第一端子可连接到供应高电压EVDD的高电压供应线PLA，驱动晶体管Tdr的第二端子可连接到发光装置ED。发光装置ED的第二电极可连接到供应低电压EVSS的低电压供应线PLB。
开关晶体管Tsw1的第一端子可连接到数据线DL，开关晶体管Tsw1的第二端子可连接到驱动晶体管Tdr的栅极，开关晶体管Tsw1的栅极可连接到选通线GL。
数据电压Vdata可被供应给数据线DL，选通信号GS可被供应给选通线GL。
感测晶体管Tsw2可提供用于测量驱动晶体管的阈值电压或迁移率。感测晶体管Tsw2的第一端子可连接到驱动晶体管Tdr的第二端子和发光装置ED，感测晶体管Tsw2的第二端子可连接到供应基准电压Vref的基准电压线RL，感测晶体管Tsw2的栅极可连接到供应感测控制信号SS的感测控制线SCL。
包括在发光显示面板100中的像素110的结构不限于图2所示的结构。因此，像素110的结构可改变为各种类型。
配置像素110的各种金属电极和绝缘层可设置在诸如膜或玻璃基板的基础基板(以下简称为基板)上。即，发光显示面板100可包括基板以及设置在基板上的绝缘层和金属电极。
数据驱动器300可安装在附着在显示面板100上的膜上芯片(COF)上。在这种情况下，数据驱动器300可连接到控制器400和包括在发光显示面板100中的数据线DL1至DLd。
数据驱动器300可直接配备在发光显示面板100中，然后可连接到设置在主基板上的控制器400。
数据驱动器300可连同控制器400一起被实现为一个集成电路(IC)。在这种情况下，IC可安装在COF上，或者可直接配备在发光显示面板100中。
控制器400可使用从外部系统传送的定时同步信号来使从外部系统传送的输入视频数据重新对齐，并且可生成要供应给数据驱动器300的数据控制信号DCS和要供应给选通驱动器200的选通控制信号GCS。
为此，控制器400可包括：数据对齐器，其使输入视频数据重新对齐以生成图像数据Data并将图像数据Data供应给数据驱动器300；控制信号发生器，其使用定时同步信号来生成选通控制信号GCS和数据控制信号DCS；输入单元，其接收从外部系统传送的定时同步信号和输入视频数据并将定时同步信号和输入视频数据分别传送至数据对齐器和控制信号发生器；以及输出单元，其向数据驱动器300供应数据对齐器所生成的图像数据Data和控制信号发生器所生成的数据控制信号DCS，并且向选通驱动器200供应控制信号发生器所生成的选通控制信号GCS。
外部系统可执行驱动控制器400和电子装置的功能。例如，当电子装置是TV时，外部系统可经由通信网络接收各种声音信息、视频信息和字母信息，并且可将所接收的视频信息传送至控制器400。在这种情况下，图像信息可包括输入视频数据。
电源500可生成各种电力并且可将所生成的电力供应给控制器400、选通驱动器200、数据驱动器300和发光显示面板100。
最后，选通驱动器200可将选通脉冲供应给选通线GL1至GLg。当选通驱动器200所生成的选通脉冲被供应给包括在像素110中的开关晶体管Tsw1的栅极时，开关晶体管Tsw1可导通。当开关晶体管Tsw1导通时，通过数据线供应的数据电压可被供应给像素110。当选通驱动器200所生成的选通截止信号被供应给开关晶体管Tsw1时，开关晶体管Tsw1可截止。当开关晶体管Tsw1截止时，数据电压可不再被供应给像素110。供应给选通线GL的选通信号GS可包括选通脉冲和选通截止信号。
图3是根据本公开的用于发光显示设备的发光显示面板的横截面图，具体地，图3是示出驱动晶体管Tdr和发光装置ED的横截面图。
如图3所示，应用于本公开的发光显示面板可包括：基板101；像素驱动电路层PDL，其设置在基板101上；平坦化层105，其设置在像素驱动电路层PDL上并覆盖像素驱动电路层PDL；阳极电极AE，其设置在平坦化层105上；发光层EL，其设置在阳极电极AE上；阴极电极CE，其设置在发光层EL上；以及封装层106，其覆盖阴极电极CE。
首先，基板101可以是玻璃基板或塑料基板，此外，可包括各种类型的膜。
包括驱动晶体管Tdr的像素驱动电路层PDL可设置在基板101上。
包括驱动晶体管Tdr的像素驱动电路PDC可设置在像素驱动电路层PDL中。如上面参照图2描述的，像素驱动电路PDC可包括开关晶体管Tsw1、存储电容器Cst、驱动晶体管Tdr和感测晶体管Tsw2。即，像素驱动电路层PDL可包括至少两个晶体管。其它电路布局可以具有更多的晶体管和/或电容器。
各个晶体管可包括：有源层AC，其包括半导体；栅极绝缘层103，其设置在有源层AC上；以及栅极G，其设置在栅极绝缘层103上。栅极G可由钝化层104覆盖，钝化层104可由平坦化层105覆盖。
例如，驱动晶体管Tdr可包括：有源层AC，其设置在缓冲层102上；栅极绝缘层103，其设置在有源层AC上；栅极G，其设置在栅极绝缘层103上；以及钝化层104，其覆盖栅极G的上端。在这种情况下，其它晶体管可被配置成与图3所示的驱动晶体管Tdr类似的类型。
然而，驱动晶体管Tdr和其它晶体管中的每一个的结构不限于图3所示的驱动晶体管Tdr的结构。即，驱动晶体管Tdr和其它晶体管中的每一个的结构可改变为各种类型。
在这种情况下，如图3所示，挡光板LS可设置在驱动晶体管Tdr下方，以在发光显示设备的制造期间或使用发光显示设备时阻挡外部光穿透到有源层AC中。另外，挡光板LS可连接到驱动晶体管Tdr的栅极、第一栅电极和第二栅电极之一。另外，挡光板LS可用作各种线(例如，数据线)。因此，挡光板LS可设置在浮置状态，并且还可连接到供应电压的信号线。在这种情况下，设置在浮置状态的挡光板LS或连接到信号线的挡光板LS可以是第一电极。
挡光板LS可设置在像素驱动电路层PDL中所包括的其它晶体管下方，或者可不设置。即，挡光板LS可设置在除了驱动晶体管Tdr的下端之外需要阻挡光的其它晶体管的下端，或者可设置在未设置晶体管的区域当中的需要阻挡光的区域中。
挡光板LS可设置在基板101上并且可由缓冲层102覆盖，并且有源层AC可设置在缓冲层102上。
此外，像素驱动电路层PDL可包括连接到像素驱动电路PDC的数据线DL、选通线GL、感测控制线SCL、感测线SL和电压供应线PLA。
以下，数据线DL、选通线GL、感测控制线SCL、感测线SL和电压供应线PLA可被称为信号线。即，至少一条信号线可包括在像素驱动电路层PDL中。
缓冲层102、栅极绝缘层103和钝化层104中的每一个可由至少一个无机层或至少一个有机层形成，或者可由至少一个无机层和至少一个有机层形成。缓冲层102、栅极绝缘层103和钝化层104可被称为绝缘层。可省略钝化层104。
驱动晶体管Tdr的栅极、挡光板LS和信号线可包括金属。包括栅极、挡光板LS和信号线中的至少一个的层可被称为金属层。
即，至少两个金属层和至少两个绝缘层可包括在像素驱动电路层PDL中。
平坦化层105可设置在像素驱动电路层PDL上。
平坦化层105可执行使像素驱动电路层PDL的不平坦的上表面平坦化的功能。即，平坦化层105可形成为厚度大于像素驱动电路层PDL的厚度，因此，平坦化层105的上表面可为平坦表面。
平坦化层105可由至少一个无机层或至少一个有机层形成，或者可由至少一个无机层和至少一个有机层形成。
阳极电极AE可设置在平坦化层105上。阳极电极AE可配置发光装置ED的一部分。
如图2和图3所示，阳极电极AE可电连接到包括在像素驱动电路层PDL中的驱动晶体管Tdr并且可针对各个像素110进行构图。
阳极电极AE可包括诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明电极。
即，在应用于本公开的发光显示面板中，如图3所示，从发光装置ED发射的光可在朝着基板101的方向(即，朝着发光显示面板的下端的方向)上照射。这种发射类型可被称为底部发射类型。
在这种情况下，从发光层EL发射的光应该穿过阳极电极AE。因此，阳极电极AE可包括透明电极。
堤BN可设置在平坦化层105上并且可包括暴露阳极电极AE的开口部分。
即，堤BN可覆盖阳极电极AE的外侧部分，因此，可形成一个像素110中输出光的开口部分。即，图3所示的阳极电极AE的未被堤BN覆盖的区域可以是开口部分。
为了提供附加描述，堤BN可覆盖阳极电极AE的外侧部分并且可设置在基板101的显示区域120中以使得阳极电极AE暴露。
堤BN可防止光在相邻像素之间交叠的现象。
堤BN可由至少一个无机层或至少一个有机层形成，或者可由至少一个无机层和至少一个有机层形成。
随后，发光层EL可设置在基板101的整个表面上以覆盖阳极电极AE和堤BN。
发光层EL可包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层之一，或者可包括有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的层叠或组合结构。
发光层EL可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、空穴阻挡层(HBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、电子阻挡层(EBL)和电荷生成层(CGL)。
在发光层EL发射白光的情况下，发光层EL可包括依次层叠在阳极电极AE上的空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)、蓝色有机层、电子注入层(EIL)/电荷生成层(CGL)/电子传输层(ETL)、红色有机层、黄绿色有机层、电子注入层(EIL)/电荷生成层(CGL)/电子传输层(ETL)、蓝色有机层、电子注入层(EIL)/电子传输层(ETL)和有机缓冲层。
除了具有上述层叠顺序的层之外，发光层EL可包括具有各种层叠顺序的层。
随后，阴极电极CE可设置在发光层EL上，具体地，可按照板形状设置在显示区域120和非显示区域130中。
应用于本公开的发光层EL可使用如上所述的底部发射类型。在这种情况下，阴极电极CE可执行将从发光层EL发射的光朝着阳极电极AE反射的功能。为此，阴极电极CE可包括诸如铜和铝的金属。
在发光装置ED发射白光的情况下，滤色器可设置在阳极电极AE下方，或者在顶部发光显示器的情况下，滤色器可设置在阴极电极CE上。
最后，阴极电极CE可由封装层106覆盖。
封装层106可由至少一个有机层或至少一个无机层形成，或者可由至少一个无机层和至少一个有机层形成。
从外部流入的水和氧可被封装层106阻挡并且无法渗透到发光层EL中。
滤色器可设置在封装层106上。在这种情况下，滤色器和封装层106可由封装基板覆盖。
图4是示出根据本公开的发光显示设备的第一金属层中所包括的第一主电极的示例图。图5是示出根据本公开的发光显示设备的第二金属层中所包括的第二主电极的示例图。图6是示出图4所示的第一主电极和图5所示的第二主电极的示例图。具体地，图4至图6示出彼此相邻的四个像素R、G、B和W中所包括的第一主电极和第二主电极。
如上所述，本公开中的发光显示面板的像素驱动电路层PDL可包括至少两个金属层和至少两个绝缘层。以下，两个金属层可被称为第一金属层150和第二金属层160。
首先，第一金属层150设置在与图3所示的挡光板LS类似的位置处。
如图4所示，第一主电极1M可包括在第一金属层150中。
即，第一金属层150可包括第一主电极1M。在这种情况下，第一低反射电极1MTO可设置在第一主电极1M下方。因此，第一金属层150可包括第一低反射电极1MTO和第一主电极1M。
此外，包括在第一金属层150中的第一低反射电极1MTO和第一主电极1M可以是下面将描述的第一电极1ME。
为了提供附加描述，包括在第一金属层150中的第一主电极1M可用作诸如选通线和感测控制线SCL的各种线，此外，可用作挡光板LS。因此，下述第一电极1ME可表示各种线或挡光板LS之一。
第一金属层150可设置在基板101上，并且第一主电极1M可包括在第一金属层150中。
第一主电极1M可以是上述挡光板LS和信号线之一。由第一主电极1M形成的信号线可被称为第一信号线。
第一主电极1M可包括铜(Cu)，或者可由除了Cu之外的各种金属材料中的至少一种形成。例如，第一主电极1M可包括诸如钼、铝、钨和钛的金属或其合金。另外，第一主电极1M可包括诸如Cu的单一金属，或者可通过层叠两个或更多个金属层来形成。
第二金属层160可表示包括图3中的驱动晶体管Tdr的栅极G的层。
如图5所示，第二主电极2M可包括在第二金属层160中。
即，第二金属层160可包括第二主电极2M。在这种情况下，第二低反射电极2MTO可设置在第二主电极2M下方。因此，第二金属层160可包括第二低反射电极2MTO和第二主电极2M。
此外，包括在第二金属层160中的第二低反射电极2MTO和第二主电极2M可以是下面将描述的第二电极2ME。
为了提供附加描述，包括在第二金属层160中的第二主电极2M可用作诸如数据线和电力线的各种线，此外，可用作晶体管的电极。因此，下述第二电极2ME可表示各种类型的线之一或配置晶体管的电极之一。
第二金属层160可在其间具有绝缘层的情况下与第一金属层150交叠。第二金属层160可在其间具有绝缘层的情况下设置在第一金属层150上，并且第二主电极2M可包括在第二金属层160中。这里，绝缘层可以是缓冲层102和栅极绝缘层103中的至少一个。
如上所述，第二主电极2M可以是驱动晶体管Tdr的栅极G、其它晶体管的栅极G以及信号线之一。由第二主电极2M形成的信号线可被称为第二信号线。
第二主电极2M可由包括铜以及钼和钛的合金(MoTi)的双层形成。然而，第二主电极2M可仅由钼和钛的合金(MoTi)形成。然而，本公开不限于此，第二主电极2M可包括蚀刻速率低于第二低反射电极2MTO的蚀刻速率的金属材料。例如，第二主电极2M的蚀刻速率可低于设置在第二主电极2M下方的第二低反射电极2MTO的蚀刻速率。
图7是示出沿着图6所示的线A-A’截取的横截面图的示例图，图8是示出沿着图6所示的线B-B’截取的横截面图的示例图，图9是用于描述发光显示面板中发生光反射的现象的示例图。
如上所述，本公开中的发光显示面板的像素驱动电路层PDL可包括至少两个金属层和至少两个绝缘层。
在这种情况下，第一主电极1M可包括在设置在基板101上的第一金属层150中，第二主电极2M可包括在隔着绝缘层设置在第一金属层150上的第二金属层160中。
即，像素驱动电路层PDL可包括在其间具有绝缘层的情况下设置在第一主电极1M上的第二主电极2M。
在这种情况下，如图7所示，第一低反射电极1MTO可设置在第一主电极1M下方，第二低反射电极2MTO可设置在第二主电极2M下方。
第一主电极1M可包括铜，第二主电极2M可包括铜以及钼和钛的合金(MoTi)，并且第一低反射电极1MTO和第二低反射电极2MTO可包括氧化钼钽(MTO)。更详细地，第一低反射电极1MTO和第二低反射电极2MTO可以是氧化钼钽(MoTaOx)。
在这种情况下，除了氧化钼钽(MoTaOx)之外，第一低反射电极1MTO和第二低反射电极2MTO可包括诸如氧化钼钛(MoTiOx)、氧化钼铬(MoCrOx)和氧化钨(Wox)的氧化物金属。
第一主电极1M和第二主电极2M可包括不同的金属，并且氧化钼钽(MTO)可设置在第一主电极1M和第二主电极2M中的每一个下方。具体地，第二主电极2M可由包括合金(MoTi)和铜的双层形成，并且第一主电极1M可包括铜。然而，如上所述，第一主电极1M可由多层形成，并且第二主电极2M可由单层形成。
在这种情况下，包括第一主电极1M和第一低反射电极1MTO的第一电极1ME可以是包括在像素驱动电路层中的第一信号线或挡光板LS。
即，第一主电极1M可以是挡光板LS或第一信号线，但在本公开中，包括具有低反射率的材料的第一低反射电极1MTO可设置在第一主电极1M下方，以防止外部光被第一主电极1M反射。因此，包括第一主电极1M和第一低反射电极1MTO的第一电极1ME可以是挡光板LS或第一信号线。
此外，包括第二主电极2M和第二低反射电极2MTO的第二电极2ME可以是晶体管的栅极G或包括在像素驱动电路层中的第二信号线。
即，第二主电极2M可以是栅极G或第二信号线，但在本公开中，包括具有低反射率的材料的第二低反射电极2MTO可设置在第二主电极2M下方，以防止外部光被第二主电极2M反射。因此，包括第二主电极2M和第二低反射电极2MTO的第二电极2ME可以是晶体管的栅极G或第二信号线。
在这种情况下，绝缘层可设置在第一电极1ME和第二电极2ME之间，并且可以是缓冲层102和栅极绝缘层103中的至少一个。
在本公开中，如图7和图8所示，第二电极2ME的不与第一电极1ME交叠的第一区域C1的外侧部分可由黑色材料BM覆盖。黑色材料BM可以是具有黑色并用作黑色基底的材料之一，或者可以是具有黑色并用作黑堤的材料之一。例如，黑色材料BM可包括负性光刻胶(RP)。
即，黑色材料BM可通过将基于铬的金属材料或基于碳的有机材料与包括光聚合引发剂、粘结剂树脂、聚合物单体和溶剂的光刻胶混合来形成。另外，黑色材料BM可包括使用包括炭黑的有机材料的黑色基底，或者可包括使用复合金属氧化物的黑色基底，或者可包括使用无机材料的黑色基底，或者可包括包括炭黑的有机材料。
以下，将简要描述黑色材料设置在第二电极2ME的不与第一电极1ME交叠的第一区域C1的外侧部分的原因。
例如，第一主电极1M可包括铜，第二主电极2M可包括铜以及钼和钛的合金(MoTi)，第一低反射电极1MTO和第二低反射电极2MTO可包括氧化钼钽(MTO)。
第一低反射电极1MTO可设置用于防止穿透到第一主电极1M的下端中的光被第一主电极1M反射，第二低反射电极2MTO可设置用于防止穿透到第二主电极2M的下端中的光被第二主电极2M反射。
为此，在发光显示面板的制造工艺中，包括在第一电极1ME中的氧化钼钽(MTO)和铜可依次沉积在基板上。随后，可通过蚀刻工艺来蚀刻氧化钼钽(MTO)和铜以形成第一电极1ME。
在这种情况下，由于氧化钼钽(MTO)的蚀刻特性与铜类似，所以氧化钼钽(MTO)和铜可作为相似的类型被蚀刻。
通过这种工艺，可形成第一电极1ME，然后，第一电极1ME可由缓冲层102和栅极绝缘层103覆盖。
包括在第二电极2ME中的材料(即，氧化钼钽(MTO)、铜和MoTi)可依次沉积在栅极绝缘层103上。
随后，可通过蚀刻工艺来蚀刻氧化钼钽(MTO)、铜和MoTi以形成第二电极2ME。
在这种情况下，包括在第二主电极2M中的MoTi可具有MoTi比包括在第二低反射电极2MTO中的氧化钼钽(MTO)更少被蚀刻的特性。
因此，在氧化钼钽(MTO)、铜和MoTi被蚀刻之后形成的第二电极2ME中，如图7和图8中，第二主电极2M的端部可比第二低反射电极2MTO的端部更突出。如上所述，蚀刻速率小于第二低反射电极2MTO的蚀刻速率的第二主电极2M的端部可比第二低反射电极2MTO的端部更突出。
如本公开中，在使用底部发射类型的发光显示设备中，外部光可从朝着基板101的方向入射在发光显示面板100的内侧部分上。
在这种情况下，在如图9所示的现有技术的发光显示面板中，由于第二主电极2M的端部比第二低反射电极2MTO的端部更突出，所以外部光可通过突出的第一区域C1被反射，然后可通过基板101释放到发光显示设备的外部。然而，由于第二低反射电极2MTO设置在第二区域C2中，所以光在第二区域C2中不会被反射。
为了防止光如图9所示在第一区域C1中被反射，在本公开中，第二主电极2M的端部比第二低反射电极2MTO的端部更突出的第一区域C1可由黑色材料BM覆盖。
第一区域C1可表示第二电极2ME的不与第一电极1ME交叠的区域。具体地，第一区域C1可表示第二电极2ME的端部的不与第一电极1ME交叠的区域。
即，如图7所示，在第二电极2ME的与第一电极1ME交叠的第二区域C2中，尽管第二主电极2M的端部比第二低反射电极2MTO的端部更突出，突出的部分可由第一电极1ME覆盖。因此，穿透基板101的光不会穿透到第二区域C2中，因此，外部光在第二区域C2中不会被反射。
因此，黑色材料BM可不设置在第二区域C2中。
然而，黑色材料BM可被设置为覆盖全部的第二电极2ME。
以下，将参照图7和图8描述本公开的特征。这里，图7示出第一电极1ME与第二电极2ME的一部分交叠的区域的横截面图。图8示出第一电极1ME不与第二电极2ME交叠的区域的横截面图，即，仅设置有第二电极2ME的区域的横截面图。
首先，绝缘层可设置在第一电极1ME和第二电极2ME之间并且可以是缓冲层102和栅极绝缘层103中的至少一个。
在这种情况下，第一电极1ME可如图7所示与第二电极2ME交叠，或者可如图8所示不与第二电极2ME交叠。另外，如图7所示，第二电极2ME的仅一部分可与第一电极1ME交叠，第二电极2ME的全部可与第一电极1ME交叠。
当第二电极2ME与第一电极1ME完全交叠时，如上所述，外部光可穿透到第二电极2ME中，因此，在第二电极2ME中不会发生反射。因此，省略第二电极2ME与第一电极1ME完全交叠的情况的描述。
随后，如上所述，第二电极2ME的不与第一电极1ME交叠的第一区域C1的外侧部分可由黑色材料BM覆盖。
在这种情况下，如图7和图8所示，黑色材料BM和第二电极2ME可由钝化层104覆盖，并且钝化层104可由平坦化层105覆盖。
然而，可省略钝化层104。在下述方面，也可省略钝化层104。
随后，如图7所示，第二电极2ME的与第一电极1ME交叠的第二区域C2的外侧部分可由钝化层104覆盖，并且钝化层104可由平坦化层105覆盖。
随后，如图8所示，当第二电极2ME不与第一电极1ME交叠时，第二电极2ME的不与第一电极1ME交叠的整个外侧部分可由黑色材料BM覆盖。
在这种情况下，黑色材料BM和第二电极2ME可由钝化层104覆盖，并且钝化层104可由平坦化层105覆盖。
随后，如上所述，第二主电极2M的端部可在向外方向上比第二低反射电极2MTO的端部更突出。
即，由于在蚀刻工艺中包括在第二主电极2M中的MoTi比包括在第二低反射电极2MTO中的氧化钼钽(MTO)被蚀刻得更少，所以第二主电极2M的端部可在向外方向上比第二低反射电极2MTO的端部更突出。
如图7和图8所示，第二主电极2M的端部的不与第一电极1ME交叠的第一区域C1的外侧部分可由黑色材料BM覆盖。在这种情况下，第二主电极2M的端部的与第一电极1ME交叠的第二区域C2的外侧部分、黑色材料BM和第二主电极2M可如图7所示由钝化层104覆盖，并且钝化层104可由平坦化层105覆盖。
然而，如图8所示，当第二主电极2M的端部不存在与第一电极1ME交叠的第二区域时，包括在第一区域C1中的第二主电极2M和黑色材料BM可由钝化层104覆盖，并且钝化层104可由平坦化层105覆盖。
最后，第二主电极2M的端部与第二低反射电极2MTO的端部之间的距离可大于第一主电极1M的端部与第一低反射电极1MTO的端部之间的距离。
即，由于包括在第二主电极2M中的MoTi比包括在第二低反射电极2MTO中的氧化钼钽(MTO)被蚀刻得更少，所以第二主电极2M的端部可在向外方向上比第二低反射电极2MTO的端部更突出。
然而，包括在第一主电极1M中的铜的蚀刻特性可几乎与包括在第一低反射电极1MTO中的氧化钼钽(MTO)的蚀刻特性类似。
因此，第二主电极2M的端部与第二低反射电极2MTO的端部之间的距离可大于第一主电极1M的端部与第一低反射电极1MTO的端部之间的距离。
第二主电极2M的端部的不与第一电极1ME交叠的第一区域C1的外侧部分可由黑色材料BM覆盖，第二主电极2M的端部的与第一电极1ME交叠的第二区域C2的外侧部分、黑色材料BM和第二主电极2M可由钝化层104覆盖，并且钝化层104可由平坦化层105覆盖。
然而，如图8所示，当第二主电极2M的端部不存在与第一电极1ME交叠的第二区域时，包括在第一区域C1中的第二主电极2M和黑色材料BM可由钝化层104覆盖，并且钝化层104可由平坦化层105覆盖。
如上所述，根据本公开，由于第二主电极2M的端部的不与第一电极1ME交叠的第一区域C1的外侧部分被黑色材料BM覆盖，所以在第一区域C1中不会发生外部光的反射，从而增强发光显示设备的质量。
图10是示出沿着图6所示的线A-A’截取的横截面图的另一示例图。
如上所述，包括在第二电极2ME中的第二主电极2M可包括蚀刻速率低于第二低反射电极2MTO的金属材料。在这种情况下，如上面参照图7至图9所描述的，第二主电极2M的端部可未被第二低反射电极2MTO覆盖并且可暴露，因此，如图9所示，在第二主电极2M的端部可能发生光的反射。
然而，在第一电极1ME以及第二电极2ME中也可能发生上述现象。
例如，在第一电极1ME包括第一主电极1M和第一低反射电极1MTO的情况下，当第一主电极1M包括蚀刻速率低于第一低反射电极1MTO的金属材料时，在第一电极1ME中可能发生光被反射的现象。
在这种情况下，如图10所示，黑色材料BM可设置在第一电极1ME的端部，因此，穿透到第一电极1ME的端部中的光不会被反射。
在这种情况下，诸如氧化硅(SiO2)的绝缘层可按图案形状设置在第一低反射电极1MTO下方，或者可设置为一个层。
为了提供附加描述，本公开可应用于当金属电极由低反射电极和金属材料形成时由于低反射电极和金属材料之间的蚀刻速率差异而导致金属材料的端部不被低反射电极覆盖的各种情况。
根据本公开，由于低反射电极设置在主电极下方，所以从主电极的下端反射到外部的反射光可减少。
在这种情况下，主电极的外侧部分的未被低反射电极覆盖的区域可由黑色材料覆盖。因此，从主电极的外侧部分反射到外部的反射光可减少。
因此，由发光显示设备反射到外部的反射光可被去除或减少，因此，即使没有偏振膜也可增强发光显示设备的图像质量。
本公开的上述特征、结构和效果包括在本公开的至少一个方面中，但不限于仅一个方面。此外，在本公开的至少一个方面中描述的特征、结构和效果可由本领域技术人员通过其它方面的组合或修改来实现。因此，与组合和修改关联的内容应该被解释为在本公开的范围内。
对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可对本公开进行各种修改和变化。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变化，只要它们落在所附权利要求及其等同物的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求2021年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2021-0194755的优先权，其整体通过引用并入本文。

Claims (20)

1.一种发光显示设备，该发光显示设备包括：
基板；
像素驱动电路层，该像素驱动电路层设置在所述基板中并且包括驱动晶体管；
平坦化层，该平坦化层设置在所述像素驱动电路层上；以及
阳极电极，该阳极电极设置在所述平坦化层上并且连接到所述像素驱动电路层的所述驱动晶体管，
其中，所述像素驱动电路层还包括第一主电极以及设置在所述第一主电极上的第二主电极，并且所述第一主电极和所述第二主电极之间具有绝缘层，
第一低反射电极，该第一低反射电极设置在所述第一主电极下方；以及
第二低反射电极，该第二低反射电极设置在所述第二主电极下方。
2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一低反射电极和所述第二低反射电极包括氧化物金属。
3.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一主电极和所述第一低反射电极构成第一电极，并且所述第二主电极和所述第二低反射电极构成第二电极，并且
其中，所述绝缘层设置在所述第一电极和所述第二电极之间。
4.根据权利要求3所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括覆盖所述第一电极和所述第二电极彼此不交叠的第一区域的黑色材料。
5.根据权利要求4所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括覆盖所述黑色材料和所述第二电极的钝化层。
6.根据权利要求5所述的发光显示设备，其中，所述钝化层覆盖所述第一电极和所述第二电极彼此交叠的第二区域。
7.根据权利要求3所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括覆盖所述第二电极的不与所述第一电极交叠的外侧区域的黑色材料。
8.根据权利要求7所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括覆盖所述黑色材料和所述第二电极的钝化层，
其中，所述钝化层由所述平坦化层覆盖。
9.根据权利要求3所述的发光显示设备，其中，所述第二主电极的端部比所述第二低反射电极的端部更突出。
10.根据权利要求9所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括：
黑色材料，该黑色材料覆盖所述第二主电极不与所述第一电极交叠的第一区域；以及
钝化层，该钝化层覆盖所述第二主电极的端部、所述黑色材料以及所述第二主电极与所述第一电极交叠的第二区域，
其中，所述钝化层由所述平坦化层覆盖。
11.根据权利要求3所述的发光显示设备，其中，所述第二主电极的端部与所述第二低反射电极的端部之间的距离大于所述第一主电极的端部与所述第一低反射电极的端部之间的距离。
12.根据权利要求11所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括：
黑色材料，该黑色材料覆盖所述第二主电极不与所述第一电极交叠的第一区域，
钝化层，该钝化层覆盖所述第二主电极的端部、所述黑色材料、所述第二主电极与所述第一电极交叠的第二区域，
其中，所述钝化层由所述平坦化层覆盖。
13.根据权利要求3所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括当所述第一主电极的蚀刻速率低于所述第一低反射电极的蚀刻速率时，覆盖所述第一电极的外侧部分的黑色材料。
14.根据权利要求3所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括当所述第二主电极的蚀刻速率低于所述第二低反射电极的蚀刻速率时，覆盖所述第二电极的外侧部分的黑色材料，
其中，所述第二电极的端部未被所述第一电极覆盖。
15.根据权利要求14所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括当所述第一主电极的蚀刻速率小于所述第一低反射电极的蚀刻速率时，覆盖所述第一电极的外侧部分的黑色材料。
16.一种发光显示设备，该发光显示设备包括：
基板；
第一低反射电极，该第一低反射电极设置在所述基板上；
第一主电极，该第一主电极设置在所述第一低反射电极上；
绝缘层，该绝缘层设置在所述基板上并且覆盖所述第一低反射电极和所述第一主电极；
第二低反射电极，该第二低反射电极设置在所述绝缘层上；
第二主电极，该第二主电极设置在所述第二低反射电极上；以及
黑色材料，该黑色材料覆盖所述第二主电极的与所述第一主电极交叠的一部分。
17.根据权利要求16所述的发光显示设备，该发光显示设备还包括覆盖所述黑色材料和所述绝缘层的钝化层。
18.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第二主电极的第一端部比所述第二低反射电极的第一端部更突出。
19.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第二主电极的第二端部比所述第二低反射电极的第二端部更突出，并且
其中，所述第二主电极的第二端部与所述第一低反射电极和所述第一主电极交叠。
20.根据权利要求16所述的发光显示设备，其中，所述第一主电极的两个端部比所述第一低反射电极的两个端部更突出，并且
其中，所述第一主电极的两个端部被所述黑色材料覆盖。
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