CN111211240A - 显示面板 - Google Patents

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CN111211240A CN201911035013.1A CN201911035013A CN111211240A CN 111211240 A CN111211240 A CN 111211240A CN 201911035013 A CN201911035013 A CN 201911035013A CN 111211240 A CN111211240 A CN 111211240A
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Abstract

提供一种显示面板。所述显示面板包括:基底,包括开口区域、显示区域和第一非显示区域,第一非显示区域位于开口区域与显示区域之间;多个显示元件,布置在显示区域中;薄膜封装层,覆盖显示元件,薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层;凹槽,位于第一非显示区域中;平坦化层,位于第一非显示区域中,平坦化层覆盖凹槽;第一无机绝缘层,位于平坦化层下方使得第一无机绝缘层位于平坦化层与基底之间;以及第二无机绝缘层,位于平坦化层之上。

Description

显示面板
于2018年11月21日在韩国知识产权局提交的名称为“Display Panel(显示面板)”的第10-2018-0144678号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种包括开口区域和/或开口的显示面板以及一种包括该显示面板的显示设备。
背景技术
显示设备已经用于各种目的。此外,由于显示设备的厚度和重量已经减小,因此显示设备的使用范围已经扩大。
发明内容
实施例涉及一种显示面板,所述显示面板包括:基底,包括开口区域、显示区域和第一非显示区域,第一非显示区域位于开口区域与显示区域之间;多个显示元件,布置在显示区域中;薄膜封装层,覆盖显示元件,薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层;凹槽,位于第一非显示区域中;平坦化层,位于第一非显示区域中,平坦化层覆盖凹槽;第一无机绝缘层,位于平坦化层下方使得第一无机绝缘层位于平坦化层与基底之间;以及第二无机绝缘层,位于平坦化层之上。
薄膜封装层可以位于第一无机绝缘层下方。
第一无机绝缘层可以直接接触无机封装层。
第一无机绝缘层可以具有小于无机封装层的厚度的厚度。
在第一非显示区域的第一区域中,第二无机绝缘层可以直接接触第一无机绝缘层的上表面,第一无机绝缘层可以直接接触无机封装层的上表面。
显示面板还可以包括位于第一非显示区域中的阻挡壁。第一区域可以与阻挡壁对应。
第一无机绝缘层和第二无机绝缘层可以覆盖第一非显示区域和显示区域。
基底还可以包括围绕显示区域的第二非显示区域。第一无机绝缘层和第二无机绝缘层中的至少一个可以在第二非显示区域中进一步延伸超出无机封装层的边缘。
第二无机绝缘层可以具有大于第一无机绝缘层的厚度的厚度。
基底可以包括与开口区域对应的开口。第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的相应端部可以位于与其上设置有基底的端部的竖直线相同的竖直线上,基底的端部限定开口。
显示面板还可以包括位于第二无机绝缘层上的上绝缘层。
显示面板还可以包括显示区域中的输入感测层,输入感测层包括导电层和绝缘层。第二无机绝缘层和上绝缘层中的至少一个可以包括与输入感测层的绝缘层中的一个绝缘层中包括的材料相同的材料。
平坦化层可以具有在第一非显示区域中围绕开口区域的环形状。
平坦化层可以包括与有机封装层中包括的材料相同的材料。
实施例也涉及一种显示面板,所述显示面板包括:基底,包括开口区域、显示区域以及位于开口区域与显示区域之间的中间区域,基底包括与开口区域对应的开口;多个显示元件,位于显示区域中;第一阻挡壁,位于中间区域中;薄膜封装层,覆盖显示元件,薄膜封装层包括位于第一阻挡壁的一侧上的有机封装层和无机封装层;平坦化层,位于中间区域中;第一无机绝缘层,位于平坦化层下方使得第一无机绝缘层位于平坦化层与基底之间;以及第二无机绝缘层,位于平坦化层之上。
第一无机绝缘层可以在无机封装层上并与无机封装层直接接触。
显示面板还可以包括比第一阻挡壁靠近开口的第二阻挡壁。
显示面板还可以包括位于开口与第二阻挡壁之间并与有机封装层分隔开的有机材料层。有机材料层可以包括与有机封装层中包括的材料相同的材料。
平坦化层可以仅位于中间区域中。
平坦化层可以包括沿开口的边缘延伸的孔以及基于孔彼此分隔开的第一部分和第二部分。
第二无机绝缘层和第一无机绝缘层可以经由平坦化层中的孔彼此接触。
第一无机绝缘层和第二无机绝缘层中的每个可以接触平坦化层。
薄膜封装层还可以包括下无机封装层。有机封装层可以位于下无机封装层与无机封装层之间。
无机封装层和下无机封装层可以在中间区域的区域中彼此接触,该中间区域的区域位于开口与第一阻挡壁之间。
基底还可以包括围绕显示区域的外部区域。第一无机绝缘层和第二无机绝缘层中的至少一个可以在外部区域中进一步延伸超出无机封装层的边缘。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例,特征对于本领域技术人员将变得明显,在附图中:
图1示出了根据实施例的显示设备的透视图;
图2示出了根据实施例的显示设备的剖视图;
图3示出了根据实施例的显示面板的平面图;
图4示出了根据实施例的显示面板中的像素的等效电路图;
图5示出了部分地示出根据实施例的显示面板的平面图;
图6示出了部分地示出根据实施例的显示面板的平面图;
图7示出了根据实施例的显示面板的剖视图;
图8示出了示出根据实施例的输入感测层的示例的平面图;
图9A和图9B示出了根据实施例的输入感测层中的第一导电层和第二导电层的平面图;图9C是根据实施例的输入感测层的剖视图;
图10A和图10B示出了根据另一实施例的输入感测层中的第一导电层和第二导电层的平面图;图10C是根据另一实施例的输入感测层的剖视图;
图11A和图11B示出了根据另一实施例的输入感测层中的第一导电层和第二导电层的平面图;图11C是根据另一实施例的输入感测层的剖视图;
图12示出了根据实施例的显示面板的剖视图;
图13示出了图12中的区域XIII的剖视图;
图14示出了图12中的区域XIV的剖视图;
图15示出了部分地示出根据实施例的显示面板中的开口区域周围的平坦化层的平面图;
图16示出了根据另一实施例的显示面板的剖视图;
图17示出了根据实施例的显示面板中的第一无机封装层和第二无机封装层以及第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的平面图;
图18示出了沿图17的线XVIII-XVIII'截取的剖视图;以及
图19和图20分别示出了根据另一实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
现在,将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例;然而,它们可以以不同的形式实施,并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的,并将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
在附图中,为了说明的清楚性,可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是,当层或元件被称为“在”另一层或基底“上”时,该层或元件可以直接在所述另一层或基底上,或者也可以存在中间层。此外,将理解的是,当层被称为“在”另一层“下方”时,该层可以直接在所述另一层下方,或者也可以存在一个或更多个中间层。另外,还将理解的是,当层被称为“在”两个层“之间”时,该层可以是所述两个层之间唯一的层,或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终指同样的元件。
如这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。贯穿公开内容,表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种组件,但是这样的组件不限于上述术语。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
除非在上下文中具有明显不同的含义,否则以单数使用的表述包含复数的表述。
在本说明书中,将理解的是,术语“包含”、“具有”和“包括”意图表示在说明书中公开的特征、数字、步骤、动作、组件、部件或其组合的存在,而不意图排除可以存在或可以添加一个或更多个其它特征、数字、步骤、动作、组件、部件或其组合的可能性。
图1示出了根据实施例的显示设备1的透视图。
参照图1,显示设备1可以包括发射光的显示区域DA和不发射光的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以与显示区域DA相邻。显示设备1可以经由从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光提供预定的图像。
显示设备1可以包括至少部分地被显示区域DA围绕的开口区域OA。作为实施例,图1示出了开口区域OA完全地被显示区域DA围绕。其中未布置像素的中间区域可以设置在开口区域OA与显示区域DA之间。显示区域DA可以被其中未设置像素的外部区域(或外围区域)围绕。中间区域和外部区域是其中未设置像素的相应的非显示区域。在下文中,中间区域和外部区域分别被描述为第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以完全地围绕开口区域OA,显示区域DA可以完全地围绕第一非显示区域NDA1。第二非显示区域NDA2可以完全地围绕显示区域DA。第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2可以被统称为非显示区域NDA。
在下文中,根据实施例,显示设备1被描述为有机发光显示设备。在一些实施方式中,显示设备1可以是无机发光显示设备、量子点发光显示设备等。
图1示出了设置一个开口区域OA并且开口区域OA具有圆形形状。在一些实施方式中,可以设置两个或更多个开口区域OA,并且每个开口区域OA可以具有诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状、星形形状、菱形形状等的各种形状。
图2示出了根据实施例的沿图1的线II-II’截取的显示设备1的剖视图。
参照图2,显示设备1可以包括显示面板10、位于显示面板10上的输入感测层40以及可以被窗60覆盖的光学功能层50。显示设备1可以是例如诸如移动电话、膝上型计算机、智能手表等的各种电子装置中的一种。
显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的像素。每个像素可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管、量子点发光二极管等。
输入感测层40可以获取根据外部输入(例如,触摸事件)产生的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以布置在显示面板10上。输入感测层40可以通过互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接布置在显示面板10上,或者可以单独地形成然后经由诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合到显示面板10。例如,输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续地布置。在这种情况下,可以省略输入感测层40与显示面板10之间的粘合层。图2示出了其中输入感测层40布置在显示面板10与光学功能层50之间的实施例。在一些实施方式中,输入感测层40可以布置在光学功能层50上。
光学功能层50可以包括防反射层。防反射层可以减小从外部经由窗60入射到显示面板10的光(外部光)的反射率。防反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型。延迟器可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以是膜型或液晶涂覆型。膜型偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜。液晶涂覆型偏振器可以包括以预定取向排列的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器自身或保护膜可以被定义为防反射层的基体层。
作为另一实施例,防反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从显示面板10中的每个像素发射的光的颜色来布置滤色器。作为另一实施例,防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉,因此可以减小外部光的反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示面板10发射的光的发光效率或者可以减小色差。透镜层可以包括具有凹透镜或凸透镜形状的层并且/或者可以包括具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括抗反射层和透镜层两者,或者可以包括防反射层或透镜层。
显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以均包括开口。关于此,
图2示出了显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括彼此叠置的第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H。第一开口10H从显示面板10的顶表面通过到达显示面板10的底表面。第二开口40H从输入感测层40的顶表面通过到达输入感测层40的底表面。第三开口50H从光学功能层50的顶表面通过到达光学功能层50的底表面。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H可以设置为与开口区域OA对应。作为另一实施例,显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的至少一个可以不包括开口。例如,可以从选自于显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或两个元件中省略开口。术语“开口区域OA”可以表示其中显示面板10、输入感测层40和光学功能层50的第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H中的至少一个所在的区域。例如,在说明书中,开口区域OA可以是其中显示面板10的第一开口10H所在的区域。
开口区域OA可以是其中用于向显示设备1添加各种功能的组件20所在的一种组件区域(例如,传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。组件20可以位于如由图2中的实线表示的第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H中。在一些实施方式中,组件20可以如虚线表示地布置在显示面板10下方。在这种情况下,可以从显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或更多个中省略开口。作为实施例,当显示面板10不包括开口时,显示面板10的至少一个元件(其中,所述元件位于开口区域OA中并且稍后将参照图12等描述)包括与开口区域OA对应的孔或者开口,并且可以存在其它元件。作为实施例,当显示面板10不包括开口时,可以在开口区域OA中布置不必具有相对高的透射率的组件20(例如,红外线(IR)传感器等)。
组件20可以包括电子元件。例如,组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如,电子元件可以包括诸如IR传感器的使用光的传感器、通过接收光来捕获图像的相机、用于输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、照明光的小型灯、用于输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、IR光、紫外(UV)线等的各种波段的光。在一些实施例中,开口区域OA可以被认为是传输区域,从组件20输出的光和/或声音可以穿过开口区域OA输出到外部,或者朝向电子元件行进的光和/或声音可以通过该传输区域。
在实施例中,当显示设备1用在智能手表或用于车辆的仪表板中时,组件20可以包括具有时钟针或指示预定信息(例如,车辆速度等)的针的构件。当显示设备1包括时钟针或用于车辆的仪表板时,组件20可以在穿透窗60之后暴露于外部,并且窗60可以包括与开口区域OA对应的开口。
组件20可以包括与如上所述的显示面板10的功能相关的元件,或者可以包括诸如增加显示面板10的美感的附件的元件。例如,包括OCA等的层可以位于窗60与光学功能层50之间。
图3示出了根据实施例的显示面板10的平面图。图4是显示面板10中的像素的等效电路图。
参照图3,显示面板10可以包括开口区域OA、显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。图3包括显示面板10中的基底100。例如,可以理解的是,基底100包括开口区域OA、显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个像素P。每个像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件,例如,有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以经由有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光或蓝光,或者可以经由有机发光二极管OLED发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管并且连接到扫描线SL和数据线DL。第二薄膜晶体管T2可以根据从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2传输的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1是连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst的驱动薄膜晶体管。第一薄膜晶体管T1可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流入有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如,阴极)可以被供应有第二电源电压ELVSS。
作为示例,图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而改变。
返回参照图3,第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第一非显示区域NDA1是其中不存在发射光的诸如有机发光二极管的显示元件的区域。用于向开口区域OA周围的像素P提供信号的迹线可以穿过第一非显示区域NDA1。第二非显示区域NDA2可以包括用于给每个像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、用于给每个像素P提供数据信号的数据驱动器1200以及用于供应第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电源线。作为示例,图3示出了数据驱动器1200布置为与基底100的一侧相邻。在一些实施方式中,数据驱动器1200可以布置在柔性印刷电路板(FPCB)上,其中,柔性印刷电路板(FPCB)电连接到布置在显示面板10的一侧处的垫(pad,又称为“焊盘”或“焊垫”)。
图5示出了示出根据实施例的显示面板10的一部分和位于第一非显示区域NDA1中的信号线的平面图。
参照图5,像素P可以布置在开口区域OA周围的显示区域DA中,并且第一非显示区域NDA1可以位于开口区域OA与显示区域DA之间。
像素P可以在开口区域OA周围的平面上彼此分离。例如,两个像素P可以彼此分隔开,并且开口区域OA位于所述两个像素P之间。如图5中所示,像素P可以布置在开口区域OA上方或下方(例如,在y方向上分隔开),或者可以布置在开口区域OA的左侧和右侧上(例如,在x方向上分隔开)。
在向像素P供应信号的信号线之中,与开口区域OA相邻的信号线可以绕过(或绕开)开口区域OA。穿过显示区域DA的一些数据线DL可以在y轴方向上延伸,以向布置在开口区域OA上方或下方的像素P提供数据信号。这些数据线DL可以沿第一非显示区域NDA1中的开口区域OA的边缘绕行。穿过显示区域DA的一些扫描线SL可以在x轴方向上延伸,以向布置在开口区域OA的左侧和右侧上的像素P提供扫描信号。这些扫描线SL可以沿第一非显示区域NDA1中的开口区域OA的边缘绕行。
图6示出了示出根据实施例的显示面板10的一部分和位于第一非显示区域NDA1中的凹槽G的平面图。
参照图6,一个或更多个凹槽可以位于开口区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1中。作为示例,图6示出了位于开口区域OA与显示区域DA之间的三个凹槽G。
凹槽G可以以在平面中完全地围绕开口区域OA的环(或圆环)形状形成在第一非显示区域NDA1中。每个凹槽G在平面上相对于开口区域OA的中心C的半径可以大于开口区域OA的半径。凹槽G可以彼此分隔开。
参照图5和图6,凹槽G可以比围绕开口区域OA的边缘绕行的数据线DL和/或扫描线SL的拱形部分靠近开口区域OA。
图7示出了根据实施例的显示面板10的沿图6的线VII-VII’截取的剖视图。
参照图7,像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED可以布置在显示区域DA中。像素电路PC布置在基底100上,并且有机发光二极管OLED可以位于像素电路PC上。像素电路PC可以包括位于基底100上的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。像素电极221可以电连接到薄膜晶体管TFT。
基底100可以包括聚合物树脂或玻璃材料。在一个实施例中,基底100可以包括聚合物树脂,诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。在这种情况下,基底100可以是柔性的。基底100可以包括主要包含SiO2的玻璃材料或诸如增强塑料的树脂。在这种情况下,基底100可以是刚性的。基底100可以具有堆叠结构,该堆叠结构包括聚合物树脂层和位于聚合物树脂层上的阻挡层以提高基底100的柔性。阻挡层可以包括氮化硅(SiNx,x>0)、氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx,x>0)等。
缓冲层201可以位于基底100上,以帮助防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括诸如SiNx、SiON和SiOx的无机绝缘材料,并且可以具有包括无机绝缘材料的单层或多层结构。
像素电路PC可以布置在缓冲层201上。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图7中示出的薄膜晶体管TFT可以对应于以上参照图4描述的驱动薄膜晶体管。图7示出了薄膜晶体管TFT作为其中栅电极GE位于半导体层Act之上且栅极绝缘层203设置在栅电极GE与半导体层Act之间的顶栅型晶体管。在一些实施方式中,薄膜晶体管TFT可以是底栅型晶体管。
半导体层Act可以包括多晶硅。在一些实施方式中,半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料。栅电极GE可以具有单层结构或多层结构。
栅极绝缘层203可以位于半导体层Act与栅电极GE之间,并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。栅极绝缘层203可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
源电极SE和漏电极DE可以包括高导电材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料。源电极SE和漏电极DE可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。作为实施例,源电极SE和漏电极DE可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
存储电容器Cst可以包括在z方向上彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2,并且第一层间绝缘层205设置在下电极CE1与上电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。关于此,图7示出了其中薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1的结构。在一些实施方式中,存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以均包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被平坦化绝缘层209覆盖。平坦化绝缘层209可以具有平坦的上表面。平坦化绝缘层209可以包括通用聚合物(例如,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。例如,平坦化绝缘层209可以包括聚酰亚胺。在一些实施方式中,平坦化绝缘层209可以包括无机绝缘材料,或无机绝缘材料和有机绝缘材料。
像素电极221可以形成在平坦化绝缘层209上。像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在一些实施方式中,像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物的反射层。在一些实施方式中,像素电极221还可以包括位于反射层上和/或下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
像素限定层211可以形成在像素电极221上。像素限定层211可以包括使像素电极221的上表面暴露的开口,同时覆盖像素电极221的边缘。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。在一些实施方式中,像素限定层211可以包括诸如SiNx、SiON或SiOx的无机绝缘材料。在一些实施方式中,像素限定层211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222可以包括发射层222b。中间层222可以包括位于发射层222b下方的第一功能层222a和/或位于发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可以包括聚合物或低分子量有机材料以发射预定颜色的光。
第一功能层222a可以具有单层结构或多层结构。例如,当第一功能层222a包括聚合物材料时,第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。空穴传输层(HTL)可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层222a包括低分子量材料时,第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层222c是可选择的。例如,当第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料时,可以形成第二功能层222c。第二功能层222c可以具有单层结构或多层结构。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层222的发射层222b可以布置在显示区域DA的所有像素P中。发射层222b可以与像素电极221的通过像素限定层211中的开口暴露的上表面接触。与发射层222b不同,中间层222的第一功能层222a和第二功能层222c可以布置在第一非显示区域NDA1(见图12等)以及图7的显示区域DA中。
对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如,对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。在一些实施方式中,对电极223还可以包括位于包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223可以形成在第一非显示区域NDA1以及显示区域DA中。中间层222和对电极223可以通过热蒸发方法来形成。
盖层230可以位于对电极223上。例如,盖层230可以包括LiF并且可以通过热蒸发方法来形成。在一些实施方式中,盖层230可以包括诸如SiOx、SiNx和SiON的无机绝缘材料。在一些实施方式中,可以省略盖层230。
间隔件213可以形成在像素限定层211上。在一些实施方式中,间隔件213可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。在一些实施方式中,间隔件213可以包括诸如SiNx和SiOx的无机绝缘材料。在一些实施方式中,间隔件213可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
在一些实施方式中,间隔件213可以包括与像素限定层211中包括的材料不同的材料。在一些实施方式中,间隔件213可以包括与像素限定层211中包括的材料相同的材料。在这种情况下,像素限定层211和间隔件213可以通过使用半色调掩模等的掩模工艺一起制造。作为实施例,像素限定层211和间隔件213可以包括聚酰亚胺。
有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。有机封装层和无机封装层的堆叠顺序和数量可以改变。例如,如图7中所示,薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及设置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的一种或更多种无机绝缘材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积(CVD)来制造。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅基树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。
输入感测层40可以布置在显示面板10上。作为示例,如图7中所示,输入感测层40可以直接形成在显示面板10上并且可以接触薄膜封装层300。
图8示出了根据实施例的输入感测层40的示例的平面图。图8示出了与图7中示出的显示区域DA对应的输入感测层40的一部分。
参照图8,输入感测层40可以包括位于显示区域DA中的第一感测电极SP1和第二感测电极SP2。第一感测电极SP1可以在x轴方向上布置,第二感测电极SP2在y轴方向上布置并与第一感测电极SP1相交。第一感测电极SP1和第二感测电极SP2可以彼此垂直地相交。
第一感测电极SP1和第二感测电极SP2可以布置为使得第一感测电极SP1和第二感测电极SP2的角部彼此相邻。第一感测电极SP1可以经由第一连接电极CP1彼此电连接,第二感测电极SP2可以经由第二连接电极CP2彼此电连接。
图9A和图9B示出了根据实施例的输入感测层40中的第一导电层410和第二导电层420的平面图。图9C示出了根据实施例的沿图8的线VIII-VIII’截取的输入感测层40的剖视图。
参照图9A和图9B,第一感测电极SP1和第二感测电极SP2可以布置在同一层上。第一导电层410可以包括第一连接电极CP1(见图9A),第二导电层420可以包括第一感测电极SP1、第二感测电极SP2和第二连接电极CP2(见图9B)。
第二感测电极SP2可以经由与第二感测电极SP2布置在同一层上的第二连接电极CP2彼此连接。第一感测电极SP1在x轴方向上布置,并且可以经由布置在与第一感测电极SP1的层不同的层中的第一连接电极CP1彼此连接。
参照图9C,第二绝缘层403可以布置在第一导电层410与第二导电层420之间。布置在第二导电层420中的第一感测电极SP1可以经由第二绝缘层403中的接触孔CNT连接到布置在第一导电层410中的第一连接电极CP1。第二导电层420可以被第三绝缘层405覆盖,第一绝缘层401可以布置在第一导电层410下方。第一绝缘层401和第二绝缘层403可以包括诸如SiNx的无机绝缘层或有机绝缘层。第三绝缘层405可以包括有机绝缘层或无机绝缘层。第一导电层410和第二导电层420可以均包括金属层或透明导电层。金属层可以包括Mo、Mg、Ag、Ti、Cu、Al或其合金,并且可以具有单层或多层结构。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、ITZO等的透明导电氧化物材料。另外,透明导电层可以包括诸如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等的导电聚合物。
图9C示出了第一绝缘层401布置在薄膜封装层300与第一导电层410之间。在一些实施方式中,可以省略第一绝缘层401,并且第一导电层410可以直接位于薄膜封装层300上。
图10A和图10B示出了根据另一实施例的输入感测层40中的第一导电层410和第二导电层420的平面图,图10C示出了根据另一实施例的沿图8的线VIII-VIII’截取的输入感测层40的剖视图。
参照图10A和图10B,第一导电层410包括第一感测电极SP1和用于连接第一感测电极SP1的第一连接电极CP1。第二导电层420包括第二感测电极SP2和用于连接第二感测电极SP2的第二连接电极CP2。第一导电层410还可以包括连接到第二感测电极SP2的第二辅助感测电极S-SP2,第二导电层420还可以包括连接到第一感测电极SP1的第一辅助感测电极S-SP1。在一些实施方式中,可以省略第一辅助感测电极S-SP1和第二辅助感测电极S-SP2。
参照图10A的放大视图,每个第一感测电极SP1可以具有包括多个孔H的网格结构。每个孔H可以与像素P的发光区域P-E叠置。尽管未在附图中示出,但是第二感测电极SP2、第一辅助感测电极S-SP1和第二辅助感测电极S-SP2可以均具有包括如图10A的放大视图中所示分别与像素P的发光区域P-E对应的多个孔H的网格结构。
参照图10C,第一辅助感测电极S-SP1可以经由第二绝缘层403中的接触孔CNT连接到第一感测电极SP1。通过上述构造,可以减小第一感测电极SP1的电阻。同样地,第二感测电极SP2可以经由第二绝缘层403中的接触孔CNT连接到第二辅助感测电极S-SP2。第一绝缘层401和第二绝缘层403可以包括诸如SiNx的无机绝缘层或有机绝缘层,第三绝缘层405可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。第一导电层410与第二导电层420可以均包括金属层或透明导电层。金属层可以包括Mo、Mg、Ag、Ti、Cu、Al或其合金,并且可以具有包括上述金属的单层结构或多层结构。透明导电层可以包括如上所述的透明导电氧化物材料或石墨烯。
图11A和图11B示出了根据另一实施例的输入感测层40中的第一导电层410和第二导电层420的平面图,图11C示出了根据另一实施例的沿图8的线VIII-VIII’截取的输入感测层40的剖视图。
参照图11A和图11B,第一导电层410可以包括第一感测电极SP1和用于连接第一感测电极SP1的第一连接电极CP1。第二导电层420可以包括第二感测电极SP2和用于连接第二感测电极SP2的第二连接电极CP2。
参照图11C,第二绝缘层403可以布置在第一导电层410与第二导电层420之间。第二绝缘层403可以不包括附加接触孔,第一感测电极SP1和第二感测电极SP2可以彼此电绝缘,并且第二绝缘层403设置在第一感测电极SP1与第二感测电极SP2之间。第二导电层420可以被第三绝缘层405覆盖。包括无机材料或有机材料的第一绝缘层401可以进一步设置在第一导电层410下方。第二绝缘层403和第三绝缘层405可以包括有机绝缘层。在另一实施例中,第二绝缘层403和第三绝缘层405可以包括无机绝缘层或有机绝缘层和无机绝缘层两者。第一导电层410与第二导电层420可以均包括金属层或透明导电层。金属层可以包括Mo、Mg、Ag、Ti、Cu、Al或其合金,并且可以具有包括上述金属的单层结构或多层结构。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、ITZO等的透明导电氧化物材料。透明导电层可以包括诸如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等的导电聚合物。
图12示出了根据实施例的沿图6的线XII-XII’截取的显示面板10的剖视图,图13和图14示出了示出图12的区域XIII和区域XIV的示例的剖视图,图15示出了根据实施例的在显示面板10中的开口区域OA周围的平坦化层720的平面图,图16示出了根据另一实施例的显示面板10的剖视图。
参照图12,显示面板10可以包括开口区域OA、显示区域DA以及位于开口区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1。显示面板10可以包括与开口区域OA对应的第一开口10H。
在显示区域DA中,可以包括位于基底100上的像素电路PC、连接到像素电路PC的像素电极221以及顺序地堆叠在像素电极221上的中间层222和对电极223。
基底100可以具有多层结构。例如,基底100可以包括以所述顺序顺序地堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103可以均包括聚合物树脂。例如,第一基体层101和第二基体层103可以包括诸如PES、PAR、PEI、PEN、PET、PPS、PI、PC、TAC、CAP等的聚合物树脂。聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104可以帮助防止外部杂质的渗透。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以均具有包括诸如SiNx和/或SiOx的无机材料的单层结构或多层结构。
像素电路PC可以布置在基底100上。像素电路PC可以包括薄膜晶体管、存储电容器等。包括像素电极221、中间层222的发射层以及对电极223的有机发光二极管OLED可以发射预定的光。有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300覆盖。布置在显示区域DA中的元件可以与以上参照图7描述的元件相同。
参照图12的第一非显示区域NDA1,第一非显示区域NDA1可以包括相对靠近显示区域DA的第一子非显示区域SNDA1和相对靠近开口区域OA或第一开口10H的第二子非显示区域SNDA2。
第一子非显示区域SNDA1可以是信号线(例如,以上参照图5描述的数据线DL)穿过的区域。在这方面,图12中示出的数据线DL可以在开口区域OA周围绕行。第一子非显示区域SNDA1可以是数据线DL穿过其的布线区域或者绕行或绕过区域。
如图12中所示,数据线DL可以交替地布置,并且绝缘层设置在数据线DL之间。在一些实施方式中,数据线DL可以布置在同一绝缘层(例如,第二层间绝缘层207)上。当彼此相邻的数据线DL分别布置在绝缘层(例如,第二层间绝缘层207)上和下方时,可以减小彼此相邻的数据线DL之间的间隙(间距)并且可以减小第一非显示区域NDA1的宽度。图12示出了数据线DL位于第一子非显示区域SNDA1中。如以上参照图5描述的在开口区域OA周围绕行的扫描线(SL,见图5)可以位于第一子非显示区域SNDA1中。
第二子非显示区域SNDA2是其中布置有凹槽G的凹槽区域。凹槽G的数量可以改变。例如,图12示出了位于第二子非显示区域SNDA2中的五个凹槽G。
每个凹槽G可以以包括第一层和第二层的多层结构形成,其中,第一层和第二层具有彼此不同的材料。例如,如图12中所示,凹槽G可以形成在基底100的子层中。
参照图12和图13,凹槽G可以通过部分地去除第二阻挡层104和第二基体层103来形成。穿透第二阻挡层104的孔H2和形成在第二基体层103中的凹陷R1可以在空间上彼此连接以形成凹槽G。第二基体层103可以与上述多层结构中的第一层对应,第二阻挡层104可以与上述多层结构中的第二层对应。
在形成凹槽G的工艺中,可以部分地去除位于第二阻挡层104上的缓冲层201和第二阻挡层104以形成孔H2。这里,尽管缓冲层201和第二阻挡层104被描述为彼此单独的元件,但在一些实施方式中,位于基底100上的缓冲层201可以是具有多层结构的第二阻挡层104的子层。
在凹槽G中,穿过第二阻挡层104的部分(例如,孔H2)的宽度可以小于穿过第二基体层103的部分(例如,凹陷R1)的宽度。孔H2的宽度W2(或直径)可以小于凹陷R1的宽度W1(或直径),并且凹槽G可以具有底切剖面。
第二阻挡层104的限定孔H2的侧表面可以比第二基体层103的限定凹陷R1的侧表面朝向凹槽G的中心突出得多。第二阻挡层104的朝向凹槽G的中心的突出部分可以形成一对檐口(或一对突出尖端或尖端,PT)。缓冲层201也可以与第二阻挡层104一起形成一对檐口。
凹槽G可以在形成中间层222之前形成。中间层222的部分222'(例如,延伸到第一非显示区域NDA1的第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以在凹槽G中断开。同样地,对电极223和包括LiF的盖层230可以在凹槽G中断开。一对尖端PT中的每个的长度l可以小于2.0μm。在一个实施例中,长度l可以为约1.0μm至约1.8μm,或者可以为约1.0μm至约1.5μm。
在图12和图13中,凹槽G的底表面示出为位于第二基体层103的底表面与上表面之间的虚拟平面上。在一些实施方式中,凹槽G的底表面可以与第二基体层103的底表面位于同一平面上。例如,在用于形成凹槽G的蚀刻工艺中,凹陷R1的深度dp可以基本等于第二基体层103的厚度t。在这种情况下,凹槽G的底表面可以与第二基体层103的底表面位于同一平面上。凹陷R1的深度dp可以等于或大于2.0μm。例如,凹陷R1的深度dp可以等于或大于2.5μm。或者凹陷R1的深度dp可以等于或大于3.0μm。当凹陷R1的深度dp等于第二基体层103的厚度t时,凹陷R1可以是穿透第二基体层103的孔。
如图12中所示,薄膜封装层300可以延伸以覆盖第一非显示区域NDA1。例如,第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸到第一非显示区域NDA1。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积(CVD)等来形成,并且可以具有相对优于中间层222中的部分222'或对电极223的台阶覆盖的台阶覆盖。因此,第一无机封装层310和第二无机封装层330可以连续地形成而不在凹槽G中断开。第一无机封装层310可以覆盖凹槽G的内表面。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有彼此不同的厚度。例如,第一无机封装层310可以具有约1μm的厚度,第二无机封装层330可以具有约0.7μm的厚度。例如,第二无机封装层330的厚度可以小于第一无机封装层310的厚度。
图12和图13示出了其中包括LiF的盖层230在凹槽G中断开的结构。在一些实施方式中,当盖层230包括诸如SiNx、SiOx和SiON的无机材料时,类似于第一无机封装层310,盖层230可以连续地覆盖凹槽G的内表面而不在凹槽G中断开。
如图12中所示,有机封装层320可以覆盖显示区域DA,有机封装层320的端部320E可以位于第一阻挡壁510的一侧处。有机封装层320可以通过施用单体并使单体硬化来形成。可以通过第一阻挡壁510来控制单体的流动,并且也可以通过第一阻挡壁510来控制有机封装层320的厚度。当有机封装层320(例如,有机封装层320的端部320E)与开口区域OA分隔开时,通过第一开口10H渗透的外部湿气可以不行进到显示区域DA中的有机发光二极管OLED。
有机材料层320A可以与有机封装层320分开预定的距离,并且可以布置为与开口区域OA和/或第一开口10H相邻。有机材料层320A可以以与形成有机封装层320的工艺相同的工艺形成,并且可以包括与有机封装层320的材料相同的材料。类似地,可以在形成有机封装层320的工艺中通过第一阻挡壁510来控制单体的流动。可以通过第二阻挡壁520来调节有机材料层320A,并且有机材料层320A的端部320AE可以位于第二阻挡壁520的一侧处。如图12中所示,第一无机封装层310和第二无机封装层330可以以彼此接触的方式位于第一非显示区域NDA1中。如果第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的接触面积等于或大于特定的值,则第一无机封装层310和第二无机封装层330或者相邻的层(例如,稍后将描述的平坦化层720)会由于第一无机封装层310和第二无机封装层330上的应力而被剥离。然而,根据实施例,有机材料层320A可以布置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间,因此可以避免上述层的剥离。当有机材料层320A与有机封装层320分开设置时,第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在有机封装层320的端部320E与有机材料层320A的端部320AE之间的区域(或区)中彼此接触。
平坦化层720可以布置在第一非显示区域NDA1中。平坦化层720可以包括有机绝缘层。平坦化层720可以包括聚合物类材料。例如,平坦化层720可以包括硅基树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI、聚乙烯等。聚合物类材料可以是透明的。在一个实施例中,平坦化层720可以包括与有机封装层320中包括的材料不同的材料。例如,有机封装层320可以包括硅基树脂,平坦化层720可以包括丙烯酸类树脂。在另一实施例中,有机封装层320和平坦化层720可以包括相同的材料。
平坦化层720可以覆盖位于第一非显示区域NDA1中的至少一个凹槽G。平坦化层720可以至少覆盖第一非显示区域NDA1的不被有机封装层320覆盖的区域,以增大显示面板10在开口区域OA周围的平坦度。因此可以最小化或防止布置在显示面板10上的输入感测层40(见图2)和/或光学功能层50(见图2)的分离或剥离。平坦化层720可以与有机封装层320部分地叠置。平坦化层720的端部(例如,与显示区域DA相邻的第一端部720E1)可以位于第一非显示区域NDA1中的有机封装层320上。平坦化层720的第一端部720E1可以比最靠近第一非显示区域NDA1的像素的发光区域(例如,像素限定层的开口)靠近开口区域OA。关于此,图12示出了平坦化层720的第一端部720E1可以位于第一子非显示区域SNDA1与最靠近第一非显示区域NDA1的像素的发光区域之间。在一些实施方式中,平坦化层720的第一端部720E1可以位于第一子非显示区域SNDA1中,使得平坦化层720可以部分地覆盖位于第一子非显示区域SNDA1中的数据线DL。在一些实施方式中,平坦化层720的第一端部720E1可以位于第一子非显示区域SNDA1与第二子非显示区域SNDA2之间,以不覆盖位于第一子非显示区域SNDA1中的数据线DL。
可以通过曝光和显影工艺等在第一非显示区域NDA1中形成平坦化层720。在用于形成平坦化层720的一些工艺(例如,清洗工艺)中,如果外部杂质(例如,湿气)将在显示面板10的横向方向(例如,平行于xy平面的方向)上行进,则显示区域DA中的有机发光二极管OLED会被损坏。然而,根据一个或更多个实施例,第一无机绝缘层710可以布置在平坦化层720下方,第二无机绝缘层730可以布置在平坦化层720上,因此在形成平坦化层720的工艺期间和之后可以防止湿气渗透或使湿气渗透最小化。
第一无机绝缘层710可以直接位于平坦化层720下方,第二无机绝缘层730可以直接位于平坦化层720上。第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730中的每个可以包括诸如SiOx、SiNx和SiON的无机绝缘材料。第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以包括彼此相同的材料或彼此不同的材料。第二无机绝缘层730可以具有大于第一无机绝缘层710的厚度的厚度。在一些实施方式中,第二无机绝缘层730的厚度可以等于或小于第一无机绝缘层710的厚度。
第一无机绝缘层710可以直接接触薄膜封装层300。例如,第一无机绝缘层710可以直接接触第二无机封装层330的上表面。第一无机绝缘层710可以包括与第二无机封装层330的材料相同或不同的材料。在一个实施例中,第一无机绝缘层710和第二无机封装层330可以包括相同的材料,例如,SiNx。即使当第一无机绝缘层710和第二无机封装层330两者包括SiNx时,第一无机绝缘层710和第二无机封装层330也可以在单独的工艺中分别形成,并且其详细的组成比例(例如,硅与氮之间的含量比)可以改变。界面可以位于第一无机绝缘层710与第二无机封装层330之间。第一无机绝缘层710可以具有小于第二无机封装层330的厚度的厚度。
平坦化层720可以包括基于第一阻挡壁510而彼此分开的第一部分720A和第二部分720B。参照图12和图14,当第一部分720A和第二部分720B彼此分开时,平坦化层720可以包括位于第一部分720A与第二部分720B之间的孔720H。当平坦化层720包括孔720H时,可以在第一非显示区域NDA1中部分地产生位于无机绝缘材料之间的接触区域。例如,第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以以彼此接触的方式顺序地堆叠在与平坦化层720的孔720H对应的第一阻挡壁510上。
第一阻挡壁510可以包括多层。例如,如图14中所示,第一阻挡壁510可以包括无机层IL1、IL2和IL3以及有机层OL1和OL2。有机层OL1和OL2可以完全地覆盖无机层IL1、IL2和IL3。例如,有机层OL1和OL2可以覆盖无机层IL1、IL2和IL3的堆叠体的上表面和侧表面。无机层IL1、IL2和IL3可以分别包括与栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的材料相同的材料。有机层OL1和OL2可以分别包括与平坦化绝缘层209和像素限定层211的材料相同的材料。在一些实施方式中,第一阻挡壁510中包括的层的数量可以大于或小于图14中示出的层的数量。
第一上绝缘层810和第二上绝缘层820可以布置在第二无机绝缘层730上。第二上绝缘层820可以包括与以上参照图8至图11C描述的输入感测层40中的第三绝缘层405的材料相同的材料。第二上绝缘层820可以与第三绝缘层405一体地形成。第一上绝缘层810可以包括与输入感测层40中的第二绝缘层403的材料相同的材料,并且可以与第二绝缘层403一体地形成。在实施例中,第一上绝缘层810可以包括无机绝缘材料,第二上绝缘层820可以包括有机绝缘材料。第二无机绝缘层730可以整体地形成在基底100上以覆盖显示区域DA和第一非显示区域NDA1。第二无机绝缘层730可以被认为是包括多个子层的第二绝缘层403的一部分。布置在第二无机绝缘层730下方的第一无机绝缘层710可以包括与输入感测层40中的第一绝缘层401的材料相同的材料,并且可以与第一绝缘层401一体地形成。根据实施例,第二无机绝缘层730和第一上绝缘层810可以与输入感测层40中的第二绝缘层403的子层一体地形成,第一无机绝缘层710可以与输入感测层40的第一绝缘层401一体地形成。在这种情况下,第二无机绝缘层730和第一上绝缘层810可以包括彼此不同或相同的材料。即使当第二无机绝缘层730和第一上绝缘层810包括相同的材料(例如,SiNx)时,第二无机绝缘层730和第一上绝缘层810也可以在单独的工艺中形成。因此,第二无机绝缘层730和第一上绝缘层810可以具有硅与氮之间的不同的组成比,并且可以在它们之间具有界面。在一些实施方式中,第一上绝缘层810可以与输入感测层40的第二绝缘层403一体地形成,第二无机绝缘层730可以与输入感测层40的第一绝缘层401一体地形成。
图12中示出的剖面结构可以被理解为围绕第一开口10H和开口区域OA的结构。例如,开口区域OA与显示区域DA之间的凹槽G可以具有如以上参照图6描述的围绕第一开口10H和开口区域OA的环形状。同样地,图12的平坦化层720可以具有如图15中所示的围绕第一开口10H和开口区域OA的环形状。
参照图15,平坦化层720可以具有围绕开口区域OA的环形状。平坦化层720的孔720H也具有围绕第一开口10H和开口区域OA的环形状,并且基于孔720H而彼此分开的第一部分720A和第二部分720B可以均具有环形状。第一阻挡壁510和第二阻挡壁520也可以具有围绕第一开口10H和开口区域OA的环形状。
显示面板10的第一开口10H可以通过在基底100上形成上述组件和层之后执行切割或划线工艺来形成。例如,图12的剖面结构可以被理解为通过沿第一线SCL1执行切割或划线工艺制造的显示面板10的剖面。位于基底100上的层的端部部分可以位于与基底100的端部100E的竖直线相同的竖直线上,其中端部100E限定第一开口10H。例如,第一无机绝缘层710的端部710E、平坦化层720的第二端部720E2以及第二无机绝缘层730的端部730E可以位于与基底100的限定基底100中的开口100H的端部100E的竖直线相同的竖直线上。同样地,第一无机封装层310的端部和第二无机封装层330的端部、有机材料层320A的端部以及第一上绝缘层810的端部和第二上绝缘层820的端部可以位于与基底100的端部100E的竖直线相同的竖直线上。
图12中示出的从第一线SCL1到第n线SCLn的区域可以被理解为在制造显示面板10期间执行切割或划线工艺的区域CA。即,可以沿第一线SCL1至第n线SCLn中的一条执行切割或划线工艺,并且其剖面结构可以与根据实施例的显示面板10的结构对应。图16可以与沿第n线SCLn对其执行切割或划线工艺的显示面板10的剖面结构对应。
图17示出了示出根据实施例的显示面板10中的第一无机封装层310和第二无机封装层330以及第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730的平面图。图18示出了沿图17的线XVIII-XVIII’截取的剖视图。
参照图17,第一无机封装层310和第二无机封装层330可以位于基底100上并且可以完全地覆盖显示区域DA。此外,如以上参照图12等描述的,第一无机封装层310和第二无机封装层330可以完全地覆盖第一非显示区域NDA1并且可以部分地覆盖第二非显示区域NDA2。在图17的平面上,第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括位于与基底100的左边缘、右边缘和上边缘的竖直线基本相同的竖直线上的边缘。第一无机封装层310的与垫部分PAD相邻的边缘310E以及第二无机封装层330的与垫部分PAD相邻的边缘330E可以与垫部分PAD分开预定距离。例如,第一无机封装层310的边缘310E和第二无机封装层330的边缘330E可以部分地围绕垫部分PAD。
第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以完全地覆盖基底100的显示区域DA和第一非显示区域NDA1,并且可以部分地覆盖第二非显示区域NDA2。第二非显示区域NDA2中的部分(其中,所述部分被第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730覆盖)的面积可以大于第二非显示区域NDA2中的部分(其中,所述部分被第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖)的面积。在一个实施例中,第一无机封装层310的与垫部分PAD相邻的边缘310E以及第二无机封装层330的与垫部分PAD相邻的边缘330E可以与垫部分PAD分别分开预定距离,但第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以覆盖第二非显示区域NDA2的除了孔710H和孔730H之外的剩余部分,其中,孔710H和孔730H使包括在垫部分PAD中的多个垫暴露。参照图18,第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以朝向垫部分PAD进一步延伸超出第一无机封装层310的边缘310E和第二无机封装层330的边缘330E。当第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730如上所述进一步延伸时,可以阻碍或防止诸如湿气的杂质在以上参照图12描述的形成平坦化层720的一些工艺(例如,清洗工艺)期间沿与基底100的上表面平行的方向朝向显示区域DA行进。
图19和图20示出了根据其它实施例的显示面板10'和显示面板10”的剖视图。在以上参照图12的描述中,平坦化层720可以包括孔720H,并且可以在第一非显示区域NDA1中布置为岛。在图19的显示面板10'和图20的显示面板10”中,除了平坦化层720的结构之外的组件与图12的组件相同,并且在下文中将描述不同之处。
参照图19,平坦化层720可以布置在第一非显示区域NDA1中并且可以不包括孔。例如,平坦化层720可以完全地覆盖第一非显示区域NDA1。第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以不在第一非显示区域NDA1中彼此接触。例如,由于具有环形状的平坦化层720可以类似于参照图15示出的示例位于第一非显示区域NDA1中,因此第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以在未布置平坦化层720的区域中彼此接触。当第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730如以上参照图17描述地覆盖显示区域DA和第二非显示区域NDA2时,第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以在显示区域DA和/或第二非显示区域NDA2中彼此接触。在一些实施方式中,当平坦化层720的第一端部720E1位于第二子非显示区域SNDA2中时,第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以在第一子非显示区域SNDA1中彼此接触。
在图12至图19中,平坦化层720可以布置在第一非显示区域NDA1中。在一些实施方式中,平坦化层720可以如图20中所示进一步延伸到显示区域DA。平坦化层720可以包括聚合物类透明材料。在这种情况下,第一无机绝缘层710和第二无机绝缘层730可以不在第一非显示区域NDA1和显示区域DA中彼此接触,而仅在第二非显示区域NDA2中彼此接触。
图19和图20中分别示出的剖面结构可以被理解为通过沿第一线SCL1执行切割或划线工艺制造的显示面板10'和显示面板10”的剖面。在另一实施例中,图19和图20中示出的从第一线SCL1到第n线SCLn的区域可以对应于其中在制造显示面板的工艺期间执行切割或划线工艺的区域CA。可以沿第一线SCL1至第n线SCLn中的一条执行切割或划线工艺,并且根据该工艺的剖面结构可以对应于根据实施例的显示面板的结构。
通过总结和回顾,在显示设备中,在增大显示区域的同时可以添加附着到或链接到显示设备的各种功能。为了在增大显示区域的同时为显示装置添加各种功能,可以在显示区域中设置开口。然而,存在这样的风险:在包括开口的显示设备中,膜或层会根据开口的结构和布置在开口周围的元件而在开口周围被剥离或分离。
一个或更多个实施例包括一种显示面板,在所述显示面板中设置有具有改善的质量的开口。
一个或更多个实施例提供包括开口区域和/或开口的显示面板和显示设备。显示面板和显示设备可以保护显示元件免受沿与显示面板中的基底的上表面平行的方向(例如,在横向方向上)渗透的湿气的影响。
这里已经公开了示例实施例,并且尽管采用了特定术语,但是仅以一般性和描述性的意义来使用和解释它们,而不是为了限制的目的。在一些情况下,如本领域普通技术人员将清楚的,除非另外明确地指出,否则自提交本申请之时起,结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用,或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合起来使用。因此,本领域技术人员将理解的是,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以在形式上和细节上进行各种改变。

Claims (25)

1.一种显示面板,所述显示面板包括:
基底,包括开口区域、显示区域和第一非显示区域,所述第一非显示区域位于所述开口区域与所述显示区域之间;
多个显示元件,布置在所述显示区域中;
薄膜封装层,覆盖所述显示元件,所述薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层;
凹槽,位于所述第一非显示区域中;
平坦化层,位于所述第一非显示区域中,所述平坦化层覆盖所述凹槽;
第一无机绝缘层,位于所述平坦化层下方使得所述第一无机绝缘层位于所述平坦化层与所述基底之间;以及
第二无机绝缘层,位于所述平坦化层之上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述薄膜封装层位于所述第一无机绝缘层下方,使得所述薄膜封装层位于所述第一无机绝缘层与所述基底之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述第一无机绝缘层直接接触所述无机封装层。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述第一无机绝缘层具有小于所述无机封装层的厚度的厚度。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其中,在所述第一非显示区域的第一区域中,所述第二无机绝缘层直接接触所述第一无机绝缘层的上表面,并且所述第一无机绝缘层直接接触所述无机封装层的上表面。
6.根据权利要求5所述的显示面板,所述显示面板还包括位于所述第一非显示区域中的阻挡壁,其中,所述第一区域与所述阻挡壁对应。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层覆盖所述第一非显示区域和所述显示区域。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其中:
所述基底还包括围绕所述显示区域的第二非显示区域,并且
所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层中的至少一个在所述第二非显示区域中进一步延伸超出所述无机封装层的边缘。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二无机绝缘层具有大于所述第一无机绝缘层的厚度的厚度。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其中:
所述基底包括与所述开口区域对应的开口,并且
所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的相应端部位于与其上设置有所述基底的端部的竖直线相同的竖直线上,所述基底的所述端部限定所述开口。
11.根据权利要求1所述的显示面板,所述显示面板还包括位于所述第二无机绝缘层上的上绝缘层。
12.根据权利要求11所述的显示面板,所述显示面板还包括位于所述显示区域中的输入感测层,所述输入感测层包括导电层和绝缘层,
其中,所述第二无机绝缘层和所述上绝缘层中的至少一个包括与所述输入感测层的所述绝缘层中的一个绝缘层中包括的材料相同的材料。
13.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述平坦化层具有在所述第一非显示区域中围绕所述开口区域的环形状。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述平坦化层包括与所述有机封装层中包括的材料不同的材料。
15.一种显示面板,所述显示面板包括:
基底,包括开口区域、显示区域以及位于所述开口区域与所述显示区域之间的中间区域,所述基底包括与所述开口区域对应的开口;
多个显示元件,位于所述显示区域中;
第一阻挡壁,位于所述中间区域中;
薄膜封装层,覆盖所述显示元件,所述薄膜封装层包括位于所述第一阻挡壁的一侧上的有机封装层以及无机封装层;
平坦化层,位于所述中间区域中;
第一无机绝缘层,位于所述平坦化层下方使得所述第一无机绝缘层位于所述平坦化层与所述基底之间;以及
第二无机绝缘层,位于所述平坦化层之上。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其中,所述第一无机绝缘层位于所述无机封装层上,并与所述无机封装层直接接触。
17.根据权利要求15所述的显示面板,所述显示面板还包括比所述第一阻挡壁靠近所述开口的第二阻挡壁。
18.根据权利要求17所述的显示面板,所述显示面板还包括位于所述开口与所述第二阻挡壁之间并与所述有机封装层分隔开的有机材料层,所述有机材料层包括与所述有机封装层中包括的材料相同的材料。
19.根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述平坦化层仅位于所述中间区域中。
20.根据权利要求19所述的显示面板,其中,所述平坦化层包括:
孔,沿所述开口的边缘延伸;以及
第一部分和第二部分,基于所述孔彼此分隔开。
21.根据权利要求20所述的显示面板,其中,所述第二无机绝缘层和所述第一无机绝缘层经由所述平坦化层中的所述孔彼此接触。
22.根据权利要求15所述的显示面板,其中,所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层中的每个接触所述平坦化层。
23.根据权利要求15所述的显示面板,其中:
所述薄膜封装层还包括下无机封装层,并且
所述有机封装层位于所述下无机封装层与所述无机封装层之间。
24.根据权利要求23所述的显示面板,其中,所述无机封装层和所述下无机封装层在所述中间区域的区域中彼此接触,所述中间区域的所述区域位于所述开口与所述第一阻挡壁之间。
25.根据权利要求15所述的显示面板,其中:
所述基底还包括围绕所述显示区域的外部区域,并且
所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层中的至少一个在所述外部区域中进一步延伸超出所述无机封装层的边缘。
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