CN110952139A - 一种无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2、其制备方法及应用 - Google Patents

一种无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2、其制备方法及应用 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种无机化合物晶体，及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用。所述无机化合物晶体，化学式为LuI3O8(IO3)2，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为
Figure DDA0002287717110000011
Figure DDA0002287717110000012
α＝γ＝90°，β＝90～92°，Z＝2。该晶体采用水热法制备。该无机化合物晶体具有优良的非线性光学性能，在1064nm激光照射下输出很强的532nm绿光,其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的13倍，且能实现相位匹配，是具有潜在应用价值的非线性光学材料。

Description

一种无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2、其制备方法及应用
技术领域
本申请涉及一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用，属于非线性光学材料领域。
背景技术
非线性光学晶体是一类广泛应用于光电技术领域的功能材料，可以实现激光频率转换、激光强度和相位的调制、以及激光信号的全息储存等。
目前实际应用的非线性光学晶体包括LiB3O5(LBO),β-BaB2O4(BBO),KH2PO4(KDP),KTiOPO4(KTP)，α-LiIO3等。随着激光技术的发展和可调谐激光器的出现，非线性光学器件发展迅速，激光倍频、混频、参量振荡与放大；电光调制、偏转、Q开关和光折变器件等相继出现。以上的这些研究与应用，对非线性光学材料提出了更多更高的物理、化学性能的要求，也促进了非线性光学材料的迅速发展。二阶非线性光学晶体材料必须具有非中心对称的结构。
发明内容
根据本申请的一个方面，提供一例无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2。该系列晶体表现出强的倍频效应，其粉末SHG系数分别为KH2PO4(KDP)的13倍,且能实现相位匹配，是具有潜在应用价值的非线性光学材料。
所述无机化合物晶体，其特征在于，化学式为LuI3O8(IO3)2，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为
Figure BDA0002287717090000011
Figure BDA0002287717090000012
α＝γ＝90°，β＝90～92°，Z＝2。
可选地，所述晶胞参数为
Figure BDA0002287717090000013
Figure BDA0002287717090000014
进一步可选地，所述晶胞参数为
Figure BDA0002287717090000015
Figure BDA0002287717090000016
更进一步可选地，所述晶胞参数为
Figure BDA0002287717090000021
Figure BDA0002287717090000022
α＝γ＝90°，β＝90.136(8)°，Z＝2。
所述无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2的晶体结构如图1所示。I(1)在m对称面处劈裂成两个位点，每个位点占有率分别为96％和4％。取占有率大的原子位置说明LuI3O8(IO3)2的晶体结构。图1(a)和(b)为I3O8和Lu的配位环境示意图，图1(c)是晶体结构沿c轴方向的投影示意图。可以看出，每个不对称单元中含有一个Lu，三个I，和八个O原子。每个Lu原子与8个O原子连接成多面体，而I(1a)原子与4个O原子连接形成IO4四角锥，I(2)和I(3)原子与3个O原子连接形成IO3三角锥。1个I(1a)O4和两个I(2)O3通过共角连接成I3O8三聚体。每个I3O8三聚体双齿配位一个Lu原子，同时桥连两个Lu原子，每个Lu原子连接三个I3O8三聚体和两个I(3)O3形成二维电中性[LuI3O8(IO3)2]层，层间沿b方向堆积形成整体的三维结构。从图1(c)中我们可以看出，所有的I原子上的孤对电子的沿c轴方向排列基本一致。这种排列方式有利于增大化合物的极性，从而增强其非线性光学系数。
可选地，所述无机化合物LuI3O8(IO3)2晶体的紫外吸收截止波长为280～290nm。
可选地，所述无机化合物LuI3O8(IO3)2晶体的紫外吸收截止波长为285nm。
可选地，所述无机化合物晶体在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4的10～20倍，且能实现相位匹配。
可选地，所述无机化合物晶体在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4的13倍，且能实现相位匹配。
根据本申请的又一方面，提供上述无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，采用水热法制备，将含有镥元素、碘元素、磷酸溶液的原料混合物，于160℃～230℃晶化温度下晶化不少于6小时得到。
可选地，所述原料混合物中，磷酸溶液的浓度为50wt％～100wt％。
可选地，所述原料混合物中，镥元素、碘元素、磷酸的摩尔比例为：
Li：I：H3PO4＝1：0.5～40：1～200。
可选地，所述原料混合物中，镥元素、碘元素、磷酸的摩尔比例为：
Lu：I：H3PO4＝1：1～20：1～100。
可选地，所述原料混合物中，镥元素、碘元素、磷酸和水的摩尔比例为：
Lu：I：磷酸：水＝1：1～10：1～50：0.5～10。
可选地，所述原料混合物中，镥元素来自镥盐中的至少一种。
可选地，所述镥元素来自硝酸镥、氯化镥、氧化镥、氟化镥、碳酸镥、磷酸镥中的至少一种。
可选地，所述原料混合物中，碘元素来自五氧化二碘、碘酸、高碘酸中的至少一种。
进一步可选地，所述碘元素来自H5IO6。
可选地，所述晶化温度为160℃～200℃，晶化时间不少于6小时。
可选地，所述晶化温度为180℃～200℃，晶化时间为30小时～120小时。
作为一种优选的实施方式，所述无机化合物晶体的制备方法包含如下步骤：
(a)将含有镥元素、碘元素、磷酸溶液的原料混合物置于带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，密闭后于160～230℃的晶化温度下晶化24小时以上；
(b)晶化结束后，将体系以不超过15℃/h的降温速率降至室温，经分离、干燥后所得固体样品即为所述无机化合物晶体。
可选地，步骤(b)所述的降温速率为0.5～13℃/h。
可选地，步骤(b)所述的降温速率为0.5～6℃/h。
采用水热方法制备得到的所述无机化合物晶体的形貌为无色透明的片状晶体。
根据本申请的又一方面，提供所述无机化合物晶体作为非线性光学晶体材料的应用。所述非线性光学晶体材料，其特征在于，含有上述无机化合物晶体和/或根据上述任一方法制备得到的无机化合物晶体。在1064nm激光照射下输出很强的532nm绿光,其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的13倍，且能实现相位匹配。
根据本申请的又一方面，提供一种激光频率转换器，其特征在于，包含上述非线性光学晶体材料。
本申请的有益效果包括但不限于：
(1)本申请提供了一种新的无机化合物LuI3O8(IO3)2晶体，在1064nm激光照射下为KH2PO4(KDP)的13倍，且能实现相位匹配。因此LuI3O8(IO3)2晶体作为非线性光学材料具有很好的潜在利用价值。
(2)本申请所提供的无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2，在285～2400nm光谱范围具有很高的透过率，其紫外吸收截止波长约为285nm。
(3)本申请所提供的无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2，具有较高热稳定性，可稳定到350℃。
(4)本申请还提供了所述无机化合物LuI3O8(IO3)2晶体的制备方法，采用水热晶化法，生长得到了无色的LuI3O8(IO3)2晶体。所述方法过程简单，可得到高纯度、高结晶度的无机化合物LuI3O8(IO3)2晶体材料。
附图说明
图1是所述无机化合物LuI3O8(IO3)2的晶体结构示意图；其中，(a)是I原子配位环境；(b)是Lu原子配位环境；(c)是晶体结构在ab平面上的投影。
图2是样品1#根据单晶X射线衍射解析出的晶体结构拟合得到的X射线衍射图谱与样品1#研磨成粉末后X射线衍射测试得到的图谱对比。
图3是样品1#的紫外-可见-近红外漫反射光谱。
图4是样品1#的热重图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
实施例1样品的水热合成
将镥源、碘源和磷酸溶液按照一定的摩尔比混合成原料，置于聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，然后升温至晶化温度，在该温度下恒温一段时间后，以一定的降温速率将体系温度降至室温。经抽滤洗涤之后，得到无色片状的晶体样品，即为所述无机化合物晶体的样品。
样品编号、原料种类及用量、晶化温度和保持时间、降温速率如表1所示。
表1
Figure BDA0002287717090000051
实施例2晶体结构解析
采用单晶X射线衍射和粉末X射线衍射方法，对样品1#～5#进行结构解析。
其中单晶X射线衍射在美国安捷伦(Agilent)公司SuperNova CCD型X射线单晶衍射仪上进行。数据收集温度为293K，衍射光源为石墨单色化的Mo-Kα射线
Figure BDA0002287717090000052
扫描方式为ω-2θ；数据采用Multi-Scan方法进行吸收校正处理。结构解析采用SHELXTL-97程序包完成；用直接法确定重原子的位置，用差傅立叶合成法得到其余原子坐标；用基于F2的全矩阵最小二乘法精修所有原子的坐标及各向异性热参数。
粉末X射线衍射在日本理学株式会社(RIGAKU)的Miniflex II型的X射线粉末衍射仪上进行，测试条件为固定靶单色光源Cu-Kα，波长
Figure BDA0002287717090000061
电压电流为30kV/15A，扫描范围10～70°，扫描步长0.02°。
其中，单晶X射线衍射结果显示，样品1#～5#化学式均为LuI3O8(IO3)2，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为
Figure BDA0002287717090000062
Figure BDA0002287717090000063
α＝γ＝90°，β＝90～92°，Z＝2。所述无机化合物晶体LuI3O8(IO3)2的晶体结构如图1所示。I(1)在m对称面处劈裂成两个位点，每个位点占有率分别为96％和4％。取占有率大的原子位置说明LuI3O8(IO3)2的晶体结构。图1(a)和(b)为I3O8和Lu的配位环境示意图，图1(c)是晶体结构沿c轴方向的投影示意图。可以看出，每个不对称单元中含有一个Lu，三个I，和八个O原子。每个Lu原子与8个O原子连接成多面体，而I(1a)原子与4个O原子连接形成IO4四角锥，I(2)和I(3)原子与3个O原子连接形成IO3三角锥。1个I(1a)O4和两个I(2)O3通过共角连接成I3O8三聚体。每个I3O8三聚体双齿配位一个Lu原子，同时桥连两个Lu原子，每个Lu原子连接三个I3O8三聚体和两个I(3)O3形成二维电中性[LuI3O8(IO3)2]层，层间沿b方向堆积形成整体的三维结构。从图1(c)中我们可以看出，所有的I原子上的孤对电子的沿c轴方向排列基本一致。这种排列方式有利于增大化合物的极性，从而增强其非线性光学系数。
以样品1#为典型代表，其分子式LuI3O8(IO3)2，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为
Figure BDA0002287717090000064
Figure BDA0002287717090000065
粉末X射线衍射结果显示，样品1#～5#在XRD谱图上，峰位置基本相同，各样品峰强度略有差别。
以样品1#为典型代表，如图2所示，根据其单晶X射线衍射解析出的晶体结构，拟合得到的X射线衍射图谱与样品1#研磨成粉末后X射线衍射测试得到的图谱，峰位置和峰强度一致。说明所得样品均有很高纯度。
实施例3倍频测试实验及结果
以样品1#为代表，对LuI3O8(IO3)2进行倍频测试。
具体步骤如下：采用含频率转化器的调Q的Nd:YAG固体激光器分别产生的波长为1064nm的激光作为基频光，照射被测试晶体粉末，利用光电倍增管探测所产生的二次谐波，用示波器显示谐波强度。将待测晶体样品用标准筛筛出不同颗粒度的晶体，颗粒度分别为45-53μm、53-75μm、75-105μm、105-150μm、150-210μm、210-300μm。观察倍频信号随颗粒度的变化趋势，判断其是否可以实现相位匹配。在同样测试条件下，比较待测样品所产生的二次谐波的强度与参比晶体KH2PO4(KDP)所产生的二次谐波强度，从而得到样品倍频效应的相对大小。
测试结果表明：化合物LuI3O8(IO3)2在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的13倍，且能实现相位匹配。
实施例4漫反射吸收光谱测试
以样品1#为代表，对LuI3O8(IO3)2进行漫反射吸收光谱测试，在美国Perkin-Elmer公司Lambda-950型紫外-可见-近红外分光光度计上进行。晶体样品研磨成粉末，以BaSO4作为参照底物。测试结果如图3所示，表明化合物LuI3O8(IO3)2的晶体具有较宽的透过范围，在285～2400nm光谱范围具有很高的透过率，紫外吸收截止波长约为285nm。
实施例5样品的热重分析
以样品1#为代表，对LuI3O8(IO3)2进行热重分析，在德国NETZSCH公司的STA 449F3型热重分析仪上进行，结果如图4所示。由图可以看出，LuI3O8(IO3)2的晶体具有较高的热稳定性，可以稳定到350℃。
以上所述，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (10)

1.一种无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的化学式为LuI3O8(IO3)2，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为
Figure FDA0002287717080000011
Figure FDA0002287717080000012
α＝γ＝90°，β＝90～92°，Z＝2。
2.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述晶胞参数为
Figure FDA0002287717080000013
优选地，所述晶胞参数为
Figure FDA0002287717080000014
Figure FDA0002287717080000015
3.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为280～290nm；
优选地，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为285nm；
优选地，所述无机化合物晶体在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4的10～20倍，且能实现相位匹配；
优选地，所述无机化合物晶体在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4的13倍，且能实现相位匹配。
4.权利要求1-3任一项所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，采用水热法制备，将含有镥元素、碘元素、磷酸溶液的原料混合物，于160℃～230℃晶化温度下晶化不少于6小时得到。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，镥元素、碘元素、磷酸的摩尔比例为：
Li：I：H3PO4＝1：0.5～40：1～200；
优选地，所述原料混合物中，镥元素、碘元素、磷酸的摩尔比例为：
Lu：I：H3PO4＝1：1～20：1～100；
优选地，所述磷酸溶液为浓度为50wt％～100wt％的磷酸水溶液；所述原料混合物中，镥元素、碘元素、磷酸和水的摩尔比例为：
Lu：I：H3PO4：H2O＝1：1～10：1～50：0.5～10。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，镥元素来自硝酸镥、氯化镥、氧化镥、氟化镥、碳酸镥、磷酸镥中的至少一种；碘元素来自五氧化二碘、碘酸、高碘酸中的至少一种。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述晶化温度为160℃～200℃，晶化时间不少于6小时；
优选地，所述晶化温度为180℃～200℃，晶化时间为30小时～120小时。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：
(a)将含有镥元素、碘元素、磷酸溶液的原料混合物置于带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，密闭后于160～230℃的晶化温度下晶化24小时以上；
(b)晶化结束后，将体系以不超过15℃/h的降温速率降至室温，经分离、干燥后所得固体样品即为所述无机化合物晶体；
优选地，步骤(b)所述的降温速率为0.5～13℃/h；
优选地，步骤(b)所述的降温速率为0.5～6℃/h。
9.一种非线性光学晶体材料，其特征在于，含有权利要求1-3任一项所述的无机化合物晶体、根据权利要求4-8任一项所述方法制备得到的无机化合物晶体中的至少一种。
10.一种激光频率转换器，其特征在于，包含权利要求9所述的非线性光学晶体材料。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113969424A (zh) * 2020-07-24 2022-01-25 中国科学院福建物质结构研究所 NaZnCO3(OH)化合物及其晶体的制备方法和应用
CN114197050A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 南京农业大学 一种无机化合物晶体及其制备方法与应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102808220A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 中国科学院理化技术研究所 一种非线性光学晶体Bi2I4O13及制备方法和用途
CN103911661A (zh) * 2014-04-03 2014-07-09 中国科学院理化技术研究所 非线性光学晶体Ce2I6O18及制备方法和用途
CN105350079A (zh) * 2015-11-24 2016-02-24 中国科学院福建物质结构研究所 具有非心结构的无机化合物K2Au(IO3)5，其制备方法及用途
CN108363259A (zh) * 2018-02-08 2018-08-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机晶体材料、其制备及作为非线性光学晶体的应用
CN110306240A (zh) * 2019-07-26 2019-10-08 中国科学院新疆理化技术研究所 碘酸钾钠非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN110318094A (zh) * 2019-04-15 2019-10-11 中国科学院福建物质结构研究所 一种晶体、其制备方法及其应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102808220A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 中国科学院理化技术研究所 一种非线性光学晶体Bi2I4O13及制备方法和用途
CN103911661A (zh) * 2014-04-03 2014-07-09 中国科学院理化技术研究所 非线性光学晶体Ce2I6O18及制备方法和用途
CN105350079A (zh) * 2015-11-24 2016-02-24 中国科学院福建物质结构研究所 具有非心结构的无机化合物K2Au(IO3)5，其制备方法及用途
CN108363259A (zh) * 2018-02-08 2018-08-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种无机晶体材料、其制备及作为非线性光学晶体的应用
CN110318094A (zh) * 2019-04-15 2019-10-11 中国科学院福建物质结构研究所 一种晶体、其制备方法及其应用
CN110306240A (zh) * 2019-07-26 2019-10-08 中国科学院新疆理化技术研究所 碘酸钾钠非线性光学晶体及其制备方法和用途

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIN CHEN,ET AL.: "REI5O14 (RE=Y and Gd): Promising SHG Materials Featuring the Semicircle-Shaped I5O143- Polyiodate Anion", 《ANGEW. CHEM. INT. ED.》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113969424A (zh) * 2020-07-24 2022-01-25 中国科学院福建物质结构研究所 NaZnCO3(OH)化合物及其晶体的制备方法和应用
CN113969424B (zh) * 2020-07-24 2022-10-14 中国科学院福建物质结构研究所 NaZnCO3(OH)化合物及其晶体的制备方法和应用
CN114197050A (zh) * 2020-09-02 2022-03-18 南京农业大学 一种无机化合物晶体及其制备方法与应用
CN114197050B (zh) * 2020-09-02 2023-06-30 南京农业大学 一种无机化合物晶体及其制备方法与应用

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