CN110544699B - 包括具有公共选择晶体管的单元像素块的图像传感器 - Google Patents

包括具有公共选择晶体管的单元像素块的图像传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN110544699B
CN110544699B CN201811549761.7A CN201811549761A CN110544699B CN 110544699 B CN110544699 B CN 110544699B CN 201811549761 A CN201811549761 A CN 201811549761A CN 110544699 B CN110544699 B CN 110544699B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
floating diffusion
sub
pixel block
diffusion region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811549761.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110544699A (zh
Inventor
郭坪水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
SK Hynix Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SK Hynix Inc filed Critical SK Hynix Inc
Publication of CN110544699A publication Critical patent/CN110544699A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110544699B publication Critical patent/CN110544699B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

包括具有公共选择晶体管的单元像素块的图像传感器。一种图像传感器可包括各自具有用于感测入射光的像素的多个单元像素块。各个单元像素块可包括：第一子像素块，其包括第一浮置扩散区；第二子像素块，其包括第二浮置扩散区；以及公共晶体管块，其包括与第一浮置扩散区相邻的第一驱动晶体管以及与第二浮置扩散区相邻的第二驱动晶体管。第一浮置扩散区和第二浮置扩散区可共同电联接到第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。

Description

包括具有公共选择晶体管的单元像素块的图像传感器
技术领域
本专利文献中所公开的技术和实现方式涉及图像传感器的共享像素布局。
背景技术
最近，信息通信行业的发展和电子装置的数字化急剧改变了对诸如数字相机、摄像机、移动电话、个人通信系统(PCS)、游戏机、安全相机和医疗微型相机的各种领域中所使用的具有改进的性能的图像传感器的需求。通常，图像传感器具有包括诸如光电二极管的感光器件的像素区域以及外围电路区域。在包括光电二极管和传输晶体管的单元像素中，传输晶体管设置在光电二极管和浮置扩散区域之间，并将光电二极管中生成的电荷传输到浮置扩散区域。
发明内容
除了别的以外，本专利文献提供了图像传感器的设计，该图像传感器包括基于所公开的技术实现的一个或更多个单元像素块，使得两个驱动晶体管并联联接并且选择晶体管共同联接到两个驱动晶体管。
所公开的技术的各种实施方式提供了一种包括一个或更多个单元像素块的图像传感器，在各个单元像素块中两个浮置扩散区共同联接到两个驱动晶体管的栅极。
所公开的技术的各种实施方式还提供了单元像素块的架构，该单元像素块在其二维布局中包括凸出部分和凹陷部分以按照锯齿形样式布置。
在实施方式中，一种图像传感器可包括各自具有用于感测入射光的像素的单元像素块。各个单元像素块可包括：第一子像素块，其包括第一浮置扩散区；第二子像素块，其包括第二浮置扩散区；以及公共晶体管块，其包括与第一浮置扩散区相邻的第一驱动晶体管以及与第二浮置扩散区相邻的第二驱动晶体管。第一浮置扩散区和第二浮置扩散区可共同电联接到第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。
在实施方式中，一种图像传感器可包括响应入射光的像素块的阵列。各个像素块可包括：第一子像素块，其包括第一浮置扩散区；第二子像素块，其包括第二浮置扩散区；以及公共晶体管块，其包括共同联接到第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管；选择晶体管，其共同联接到第一驱动晶体管和第二驱动晶体管；以及重置晶体管，其共同联接到第一浮置扩散区和第二浮置扩散区。
在实施方式中，一种图像传感器可包括单元像素块。各个单元像素块可包括：第一子像素块，其包括多个第一光电二极管、分别联接到第一光电二极管的多个第一传输晶体管以及联接到第一传输晶体管以从第一光电二极管接收电荷或信号的第一浮置扩散区；第二子像素块，其包括多个第二光电二极管、分别联接到第二光电二极管的多个第二传输晶体管以及联接到第二传输晶体管以从第二光电二极管接收电荷或信号的第二浮置扩散区；以及公共晶体管块，其包括第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。第一子像素块的第一浮置扩散区和第二子像素块的第二浮置扩散区共同联接到公共晶体管块中的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。
根据实施方式，聚焦在浮置扩散区中的光电子可使用两个驱动晶体管。因此，可获得驱动晶体管的沟道宽度增加的效果，并且驱动晶体管的电流驱动能力可改进。
根据实施方式，两个驱动晶体管可并联联接。因此，抗干扰性可改进。此外，可基本上防止输出值由于驱动晶体管的特性差异而变化。
根据实施方式，浮置扩散区和驱动晶体管可按照对称图案布置并且可通过具有对称形状的互连(interconnection)彼此联接。因此，可基本上防止或减轻浮置扩散区的节点电容中的失配现象。
根据所公开的技术的各种实施方式的其它优点已在本文中描述。
附图说明
图1是示意性地示出基于所公开的技术的实施方式的图像传感器的示例的框图。
图2是基于所公开的技术的一些实施方式实现的图像传感器的像素阵列的一个单元像素块的等效电路图。
图3是示出基于所公开的技术的实施方式的图像传感器的像素阵列的单元像素块的示例的示意性布局图。
图4是示意性地示出基于所公开的技术的一些实施方式的图像传感器的像素阵列的示例的布局图。
图5是示出基于所公开的技术的另一实施方式的图像传感器的像素阵列的单元像素块的示例的示意性布局图。
图6是示意性地示出基于所公开的技术的一些实施方式的图像传感器的像素阵列的示例的布局图。
图7是基于所公开的技术的一些实施方式实现的图像传感器的像素阵列的一个单元像素块的等效电路图。
图8A是示出基于所公开的技术的实施方式的图像传感器的像素块的单元像素块的示例的示意性布局图。
图8B是示出单元像素块的公共晶体管块和互连的示例的图。
图9是示意性地示出基于所公开的技术的一些实施方式的图像传感器的像素阵列的示例的布局图。
图10是示意性地示出包括基于所公开的技术的各种实施方式实现的图像传感器的电子装置的示例的图。
具体实施方式
可使用共享像素结构实现带来高质量、高分辨率图像的高性能图像传感器。然而，尽管共享像素结构具有有助于增加填充因子的优点，但存在性能特性可能随着包括像素晶体管(例如，重置晶体管、驱动晶体管和选择晶体管)的驱动电路的面积减小而劣化的可能性。也就是说，尽管共享像素结构有助于增加光电转换元件的光接收面积，但是像素晶体管的性能由于像素晶体管的面积减小而劣化。另外，具有共享像素结构的图像传感器的制造工艺中的偏差可能导致特性色散。此外，具有共享像素结构的一些图像传感器可能易受时间噪声影响。
在具有共享像素结构的一些图像传感器中，由于在相邻导电线、像素晶体管和具有共享浮置扩散区的各种架构的单元像素之间导致的交叠电容或寄生电容，性能特性可能变化。
所公开的技术的各种实施方式可提供一种具有共享像素结构的图像传感器，其在使有限面积内的像素晶体管的尺寸最大化的同时给予用户高质量、高分辨率图像。
图1是示意性地示出基于所公开的技术的实施方式的图像传感器800的示例的图。参照图1，图像传感器800可包括：像素阵列810，其具有响应入射光以生成电荷或信号以用于图像感测的像素的阵列；以及电路，其用于处理所述电荷或信号。所述电路可包括相关双采样器(CDS)820、模数转换器(ADC)830、缓冲器840、行驱动器850、定时发生器860、控制寄存器870和斜坡信号发生器880。
像素阵列810可包括按照矩阵结构布置的多个像素块815，并且各个像素块815包括不同的像素。像素块815可分别将光学图像信息(例如，入射光光子)变换为电图像信号并通过列线将电图像信号发送到相关双采样器820。像素块815可分别电连接到多条行线中的一条和多条列线中的一条。
相关双采样器820可对从像素阵列810的像素接收的电图像信号进行采样和保持。例如，相关双采样器820可根据定时发生器860所提供的时钟信号对基准电压电平和所接收的电图像信号的电压电平进行采样，并将与这两个电压电平之差对应的模拟信号发送到模数转换器830。
模数转换器830可将所接收的模拟信号转换为数字信号并将所述数字信号传送到缓冲器840。缓冲器840可存储或保持(例如，锁存)从模数转换器830接收的数字信号并将所述数字信号依次输出到图像信号处理器。例如，缓冲器840可包括暂时存储或保持(例如，锁存)数字信号的存储器(例如，锁存电路)以及放大数字信号的感测放大器。
行驱动器850可根据从定时发生器860发送的定时信号来驱动像素阵列810中的像素块815的像素。例如，行驱动器850可生成用于选择多条行线中的一条的选择信号和/或用于驱动多条行线中的一条的驱动信号。
定时发生器860可生成用于控制相关双采样器820、模数转换器830、行驱动器850和斜坡信号发生器880的定时信号。
控制寄存器870可生成用于控制缓冲器840、定时发生器860和斜坡信号发生器880的控制信号。
斜坡信号发生器880可根据定时发生器860来生成用于将模拟信号(例如，从像素接收的电图像信号)转换为要从模数转换器830输出到缓冲器840的数字信号的斜坡信号。
图像传感器800的各个像素块815可包括具有成像像素的子像素块，所述成像像素具有一个或更多个光传感器或感光元件。各个光传感器或感光元件将所接收的光转换为电荷，其可按照合适的配置实现，包括光电二极管、光电门、光晶体管、光导体或者能够生成光生电荷的一些其它光敏结构。各个成像像素还可包括用于存储光生电荷的电荷存储区域，其可被构造成例如浮置扩散区域，如下面的示例中所公开的。各个成像像素中可包括附加电路，例如用于将光生电荷从光传感器传输到存储区域的传输晶体管以及用于在读出之后重置电荷存储区域中的电荷的重置电路。
图2是基于所公开的技术的实施方式实现的图像传感器800的像素阵列810的一个单元像素块815的电路图。单元像素块815可包括第一子像素块10、第二子像素块20以及联接到第一子像素块10和第二子像素块20的公共晶体管块50。
第一子像素块10可包括多个第一光电二极管PD1、多个第一传输晶体管TX1和第一浮置扩散区FD1，该第一浮置扩散区FD1被构造成第一电容器以从第一光电二极管PD1收集光生电荷。第二子像素块20可包括多个第二光电二极管PD2、多个第二传输晶体管TX2和第二浮置扩散区FD2，该第二浮置扩散区FD2被构造成第二电容器以从第二光电二极管PD2收集光生电荷。第一光电二极管PD1的阳极可接地，并且第一光电二极管PD1的阴极可电联接到第一传输晶体管TX1的源极。第二光电二极管PD2的阳极可接地，并且第二光电二极管PD2的阴极可电联接到第二传输晶体管TX2的源极。第一传输晶体管TX1的漏极可共同电联接到第一浮置扩散区FD1。第二传输晶体管TX2的漏极可共同电联接到第二浮置扩散区FD2。在此电路配置下，第一光电二极管PD1可分别通过多个第一传输晶体管TX1共同电联接到第一浮置扩散区FD1，并且第二光电二极管PD2可分别通过多个第二传输晶体管TX2共同电联接到第二浮置扩散区FD2。
第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2中的每一个可响应于其相应的入射光生成光电子。第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2可以是包括掺杂到硅基板中的N型离子和P型离子的光电二极管。第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2的示例可包括光电门、光晶体管、光电二极管(例如，钉扎光电二极管)和有机光电二极管。第一传输晶体管TX1可分别通过第一传输信号TS1至第四传输信号TS4而导通，并将由第一光电二极管PD1生成的光电子传输到第一浮置扩散区FD1。第二传输晶体管TX2可分别通过第五传输信号TS5至第八传输信号TS8而导通，并将由第二光电二极管PD2生成的光电子传输到第二浮置扩散区FD2。
公共晶体管块50可包括第一驱动晶体管DX1、第二驱动晶体管DX2、公共选择晶体管SX、公共输出节点Vout和公共重置晶体管RX。第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2可并联联接。因此，第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2可共享公共选择晶体管SX和公共重置晶体管RX。
第一驱动晶体管DX1的栅极可电联接到第一浮置扩散区FD1，并且第二驱动晶体管DX2的栅极可电联接到第二浮置扩散区FD2。第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2的第一电极(例如，漏极)可电联接到电源电压节点Vd。第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2的第二电极(例如，源极)可共同电联接到公共选择晶体管SX的第一电极(例如，漏极)。公共选择晶体管SX的第二电极(例如，源极)可电联接到公共输出节点Vout。
公共重置晶体管RX的第一电极(例如，漏极)可电联接到重置电压节点Vr。例如，重置电压节点Vr可与电源电压节点Vd相同。公共重置晶体管RX的第二电极(例如，源极)可电联接到第一传输晶体管TX1和第二传输晶体管TX2的漏极、第一浮置扩散区FD1和第二浮置扩散区FD2以及第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2的栅极。因此，公共重置晶体管RX可将第一浮置扩散区FD1和第二浮置扩散区FD2重置到重置电压电平。
第一子像素块10的第一浮置扩散区FD1和第二子像素块20的第二浮置扩散区FD2可共同联接到第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2的栅极。换言之，第一浮置扩散区FD1可联接到第一驱动晶体管DX1的栅极和第二驱动晶体管DX2的栅极二者，并且第二浮置扩散区FD2也可联接到第一驱动晶体管DX1的栅极和第二驱动晶体管DX2的栅极二者。
由第一子像素块10的第一光电二极管PD1生成的光电子可分别通过经由在不同时间传输的第一传输信号TS1至第四传输信号TS4而依次导通的第一传输晶体管TX1被依次传输到第一浮置扩散区FD1。由第二子像素块20的第二光电二极管PD2生成的光电子可分别通过经由在不同时间传输的第五传输信号TS5至第八传输信号TS8而依次导通的第二传输晶体管TX2被依次传输到第二浮置扩散区FD2。因此，通过使第一传输晶体管TX1和第二传输晶体管TX2在不同的时间导通，由第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2生成的光电子可被依次提供给第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2的栅极，以使得在从第一光电二极管PD1传送的光电子与从第二光电二极管PD2传送的光电子之间存在时间间隙。此外，由第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2生成的光电子可通过公共选择晶体管SX被依次提供给公共输出节点Vout。
一个单元像素块815可具有两个子像素块10和20以及一个公共晶体管块50，并且八个光电二极管PD1和PD2、八个传输晶体管TX1和TX2、两个浮置扩散区FD1和FD2和两个驱动晶体管DX1和DX2可共享一个公共重置晶体管RX和一个公共选择晶体管SX。
图3是示出基于所公开的技术的实施方式的图像传感器800的像素阵列810的单元像素块815A的示例的概念布局图。
参照图3，单元像素块815A可包括第一子像素块10、第二子像素块20、公共晶体管块50以及互连51、52和53。第一子像素块10和第二子像素块20可被设置为在第一方向D1上彼此相邻，并且公共晶体管块50可在第二方向D2上沿着第一子像素块10的一侧和第二子像素块20的一侧设置。第一方向D1和第二方向D2可彼此垂直。
第一子像素块10可包括第一光电二极管11a至11d、第一传输晶体管12a至12d以及第一浮置扩散区FD1。第一光电二极管11a至11d和第一传输晶体管12a至12d可按照2×2矩阵形式布置。第一浮置扩散区FD1可设置在包括布置在其中的第一光电二极管11a至11d和第一传输晶体管12a至12d的矩阵形式的中心处。例如，第一光电二极管11a至11d和第一传输晶体管12a至12d可关于第一浮置扩散区FD1对称。第一传输晶体管12a至12d可与第一光电二极管11a至11d的部分和第一浮置扩散区FD1的部分交叠。
第二子像素块20可包括第二光电二极管21a至21d、第二传输晶体管22a至22d以及第二浮置扩散区FD2。第二光电二极管21a至21d和第二传输晶体管22a至22d可按照2×2矩阵形式布置。第二浮置扩散区FD2可设置在包括布置在其中的第二光电二极管21a至21d和第二传输晶体管22a至22d的矩阵形式的中心处。例如，第二光电二极管21a至21d和第二传输晶体管22a至22d可关于第二浮置扩散区FD2对称。第二传输晶体管22a至22d可与第二光电二极管21a至21d的部分和第二浮置扩散区FD2的部分交叠。
公共晶体管块50可包括第一驱动晶体管DX1、第二驱动晶体管DX2、公共选择晶体管SX和公共重置晶体管RX。互连51、52和53可包括第一互连51、第二互连52和第三互连53。第一互连51可将第一浮置扩散区FD1、第二浮置扩散区FD2、第一驱动晶体管DX1的第一栅极Dg1和第二驱动晶体管DX2的第二栅极Dg2彼此电联接。第二互连52可将第一驱动晶体管DX1的第一源极Ds1、第二驱动晶体管DX2的第二源极Ds2和公共选择晶体管SX的漏极Sd彼此电联接。第二驱动晶体管DX2的第二源极Ds2可联接到公共选择晶体管SX的漏极Sd。例如，同一电极可用作第二驱动晶体管DX2的第二源极Ds2和公共选择晶体管SX的漏极Sd二者。因此，第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2可共享公共选择晶体管SX。如图2所示，第一驱动晶体管DX1的第一漏极Dd1和第二驱动晶体管DX2的第二漏极Dd2可电联接到电源电压节点Vd。第三互连53可将第一浮置扩散区FD1和第二浮置扩散区FD2以及第一驱动晶体管DX1的第一栅极Dg1和第二驱动晶体管DX2的第二栅极Dg2联接到公共重置晶体管RX的源极Rs。如图2所示，公共重置晶体管RX的栅极Rg可通过重置信号RS而导通，以将第一浮置扩散区FD1和第二浮置扩散区FD2初始化为重置电压电平。
第一驱动晶体管DX1可靠近第一浮置扩散区FD1设置，并且第二驱动晶体管DX2可靠近第二浮置扩散区FD2设置。例如，第一驱动晶体管DX1和第一浮置扩散区FD1可被设置为使得在第二方向D2上延伸的互连可将第一驱动晶体管DX1连接到第一浮置扩散区FD1，并且第二驱动晶体管DX2和第二浮置扩散区FD2可被设置为使得在第二方向D2上延伸的互连可将第二驱动晶体管DX2连接到第二浮置扩散区FD2。因此，将第一浮置扩散区FD1联接到第一驱动晶体管DX1的第一互连51的路径的长度可与将第二浮置扩散区FD2联接到第二驱动晶体管DX2的第一互连51的路径的长度相似或相同。
第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2可具有线对称(例如，关于第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2之间的线对称)。第一子像素块10和第二子像素块20可按照相同的方式布置。在所公开的技术的实现方式中，第一子像素块10、第一驱动晶体管DX1和第一互连51的上部可分别与第二子像素块20、第二驱动晶体管DX2和第一互连51的下部垂直对称。当从第一光电二极管FD1传输到第一子像素块10的第一浮置扩散区FD1的光电子以及从第二光电二极管FD2传输到第二子像素块20的第二浮置扩散区FD2的光电子被传输到第一驱动晶体管DX1的栅极Dg1和第二驱动晶体管DX2的栅极Dg2时，那些光电子传播相同或相似的距离。另外，由第一光电二极管11a至11d和第二光电二极管21a至21d生成并通过第一子像素块10的第一浮置扩散区FD1和第二子像素块20的第二浮置扩散区FD2传输的光电子可使用第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2二者。也就是说，通过允许从子像素块10和20中的一个传输的光电子可使两个驱动晶体管DX1和DX2同时导通，沟道宽度可加倍。
公共晶体管块50可还包括电隔离区域EI1至EI3。第一电隔离区域EI1可设置在第一驱动晶体管DX1和公共选择晶体管SX之间。第一电隔离区域EI1可防止第一驱动晶体管DX1和公共选择晶体管SX彼此影响。第二电隔离区域EI2可设置在第二驱动晶体管DX2和另一相邻单元像素块的公共重置晶体管RX之间。第二电隔离区域EI2可防止第二驱动晶体管DX2和另一相邻单元像素块的公共重置晶体管RX彼此影响。第三电隔离区域EI3可设置在第一驱动晶体管DX1和公共重置晶体管RX之间。第三电隔离区域EI3可防止第一驱动晶体管DX1和公共重置晶体管RX彼此影响。因此，第一电隔离区域EI1和第二电隔离区域EI2可保护第二驱动晶体管DX2和公共选择晶体管SX免受外部电影响，并且第一电隔离区域EI1和第三电隔离区域EI3可保护第一驱动晶体管DX1免受外部电影响。第二电隔离区域EI2和第三电隔离区域EI3可保护公共重置晶体管RX免受外部电影响。例如，第一电隔离区域EI1至第三电隔离区域EI3可以是被施加有接地电压的有源区域。在所公开的技术的实施方式中，第一电隔离区域EI1至第三电隔离区域EI3可以是暴露并具有导电性的基板的部分。
由于基于所公开的技术的一些实施方式实现的图像传感器800的单元像素块815A包括设置在像素晶体管DX1、DX2、SX和RX之间的电隔离区域EI1至EI3，所以可减轻、最小化和/或消除像素晶体管DX1、DX2、SX和RX之间的信号干扰。
在所公开的技术的一些实施方式中，即使第一子像素块10的第一浮置扩散区FD1和第二子像素块20的第二浮置扩散区FD2中的光电子的量较小，这些弱信号也可通过两个驱动晶体管DX1和DX2被放大。因此，小尺寸的单元像素块815A可提供高分辨率图像。
图4是示意性地示出基于所公开的技术的一些实施方式的图像传感器800的像素阵列810A的示例的布局图。参照图4，像素阵列810A可包括在第一方向D1上并排布置并且在第二方向D2上按锯齿形样式布置的多个单元像素块815A。如图3所示，单元像素块815A可被布置为使得公共晶体管块50的凸出部分CP和凹陷部分CR彼此啮合。各个凸出部分CP可包括公共晶体管块50中形成公共重置晶体管RX的部分，各个凹陷部分CR可位于形成在公共晶体管块50中的第二驱动晶体管DX2的外侧。
图5是示出基于所公开的技术的另一实施方式的图像传感器800的像素阵列810的单元像素块815B的示例的概念布局图。参照图5，单元像素块815B可包括第一子像素块10、第二子像素块20、第一公共晶体管块50A、第二公共晶体管块50B以及互连51、52和53。第一子像素块10和第二子像素块20可被设置为在第一方向D1上彼此相邻，第一公共晶体管块50A可被设置为在第二方向D2上与第一子像素块10和第二子像素块20的第一侧相邻，第二公共晶体管块50B可被设置为在第二方向D2上与第一子像素块10和第二子像素块20的第二侧相邻。这里，第二侧背离第一侧。第一方向D1和第二方向D2可彼此垂直。第一子像素块10和第二子像素块20可参照图3所示的单元像素块815A来理解。
第一公共晶体管块50A可包括第一驱动晶体管DX1、第二驱动晶体管DX2和公共选择晶体管SX。如图3所示，第一子像素块10的第一浮置扩散区FD1、第二子像素块20的第二浮置扩散区FD2、第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2可通过第一互连51彼此电联接。第一子像素块10和第二子像素块20可具有相同或相似的布局。例如，第一子像素块10和第二子像素块20可具有线对称(例如，关于第一子像素块10和第二子像素块20之间的线对称)。另外，第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2可具有线对称(例如，关于第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2之间的线对称)。第二互连52可将第一驱动晶体管DX1的第一源极Ds1和第二驱动晶体管DX2的第二源极Ds2电联接到公共选择晶体管SX的漏极Sd。
第二公共晶体管块50B可被设置为与第一子像素块10和第二子像素块20之间的边界相邻。第二公共晶体管块50B可包括公共重置晶体管RX。第三互连53可将第一互连51电联接到公共重置晶体管RX的源极Rs。第三互连53可电联接到第一互连51，使得来自第一子像素块10和第二子像素块20的光电子传播相同或相似的距离。例如，第一互连51的第一部分将第三互连53联接到第一驱动晶体管DX1和第一浮置扩散区FD1，并且第一互连51的第二部分将第三互连53联接到第二驱动晶体管DX2和第二浮置扩散区FD2，其中，第一互连51的第一部分的长度与第一互连51的第二部分的长度相似或相同。因此，公共重置晶体管RX可同时重置第一子像素块10的第一浮置扩散区FD1和第二子像素块20的第二浮置扩散区FD2，而没有任何重置时间差异。
第一公共晶体管块50A可还包括电隔离区域EI1至EI3。第一电隔离区域EI1可设置在第一驱动晶体管DX1和公共选择晶体管SX之间。第二电隔离区域EI2可设置在第二驱动晶体管DX2和另一相邻单元像素块的公共重置晶体管RX之间。第三电隔离区域EI3可设置在第一驱动晶体管DX1和另一相邻单元像素块的公共重置晶体管RX之间。因此，第一电隔离区域EI1至第三电隔离区域EI3可保护第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2免受外部电影响。
图6是示意性地示出基于所公开的技术的一些实施方式的图像传感器800的像素阵列810B的示例的布局图。参照图6，像素阵列810B可包括在第一方向D1上并排布置并且在第二方向D2上按锯齿形样式布置的多个单元像素块815B。如图5所示，单元像素块815B可二维布置，使得第一公共晶体管块50A之间的凹陷部分CR和第二公共晶体管块50B的凸出部分CP彼此啮合。凸出部分CP可包括形成第二公共晶体管块50B(即，公共重置晶体管RX)的部分，凹陷部分CR可位于第一公共晶体管块50A的外侧，包括第一公共晶体管块50A上方和下方的区域。
图7是基于所公开的技术的一些实施方式实现的图像传感器800的像素阵列810的一个单元像素块815的等效电路图。参照图7，单元像素块815可包括第一子像素块10、第二子像素块20、第三子像素块30、第四子像素块40和公共晶体管块50。
第一子像素块10可包括多个第一光电二极管PD1、多个第一传输晶体管TX1以及被构造成第一电容器的第一浮置扩散区FD1。第二子像素块20可包括多个第二光电二极管PD2、多个第二传输晶体管TX2以及被构造成第二电容器的第二浮置扩散区FD2。第三子像素块30可包括多个第三光电二极管PD3、多个第三传输晶体管TX3以及被构造成第三电容器的第三浮置扩散区FD3。第四子像素块40可包括多个第四光电二极管PD4、多个第四传输晶体管TX4以及被构造成第四电容器的第四浮置扩散区FD4。公共晶体管块50可包括第一驱动晶体管DX1、第二驱动晶体管DX2、公共选择晶体管SX、公共输出节点Vout和公共重置晶体管RX。在基于所公开的技术的一些实施方式实现的单元像素块815中，16个光电二极管PD1、PD2、PD3和PD4可共享一个公共晶体管块50。单元像素块815可另外参照图2来理解。
图8A是示出基于所公开的技术的实施方式的图像传感器800的像素阵列810的单元像素块815C的示例的概念布局图。参照图8A，单元像素块815C可包括按照2×2矩阵形式设置的第一子像素块10至第四子像素块40、第一子像素块10至第四子像素块40之间的公共晶体管块50以及互连51a、51b、52a、52b、53a和53b。第一子像素块10至第四子像素块40可包括第一至第四光电二极管11a至11d、21a至21d、31a至31d和41a至41d以及第一至第四传输晶体管12a至12d、22a至22d、32a至32d和42a至42d，其分别按照2×2矩阵形式设置。第一子像素块10至第四子像素块40可具有相同或相似的布局。例如，第一子像素块10至第四子像素块40可关于点对称。
图8B是示出单元像素块815C的公共晶体管块50和互连51a、51b、52a、52b、53a和53b的示例的图。参照图8B，公共晶体管块50可包括第一驱动晶体管DX1、第二驱动晶体管DX2、公共选择晶体管SX、公共重置晶体管RX以及电隔离区域EI1至EI3。
第一互连51a和51b可将第一浮置扩散区FD1至第四浮置扩散区FD4电联接到第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2的栅极。例如，第一互连51a可将第一浮置扩散区FD1和第二浮置扩散区FD2直接连接到第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2，第一互连51b可将第三浮置扩散区FD3和第四浮置扩散区FD4与第一驱动晶体管DX1和第二驱动晶体管DX2直接连接。第一互连51a和51b可彼此对称。
第二互连52a和52b可将第一驱动晶体管DX1的漏极电联接到第二驱动晶体管DX2的漏极。第二互连52a和52b可彼此对称。第二互连52a和52b中的任一个可被省略。
第三互连53a和53b可将第一浮置扩散区FD1至第四浮置扩散区FD4电联接到公共重置晶体管RX。例如，第三互连53a可将第一浮置扩散区FD1和第二浮置扩散区FD2电联接到公共重置晶体管RX的源极，并且第三互连53b可将第三浮置扩散区FD3和第四浮置扩散区FD4电联接到公共重置晶体管RX的源极。第三互连53a和53b可彼此对称。
图9是示意性地示出基于所公开的技术的一些实施方式的图像传感器800的像素阵列810C的示例的布局图。参照图9，像素阵列810C可包括在第一方向D1和第二方向D2上并排布置的多个单元像素块815C。如图8A所示，单元像素块815C可被布置为使得凸出部分CP和凹陷部分CR彼此啮合。各个凸出部分CP可包括公共晶体管块50中形成公共重置晶体管RX的部分，并且各个凹陷部分CR可位于形成在公共晶体管块50中的第二驱动晶体管DX2的外侧。
图10是示意性地示出包括基于所公开的技术的各种实施方式实现的图像传感器800的电子装置900的示例的图。参照图10，包括基于所公开的技术的各种实施方式实现的图像传感器800的电子装置900可包括能够拍摄静止图像和/或运动图像的相机。电子装置900可包括光学系统(例如，光学透镜)910、快门单元911、控制/驱动图像传感器800和快门单元911的驱动电路913以及信号处理电路912。图像传感器800可以是基于所公开的技术的各种实施方式实现的图像传感器。
光学系统910可将来自对象的图像光(入射光)引导到图像传感器800的像素阵列(参见图1的标号810)。光学系统910可包括多个光学透镜。快门单元911可控制关于图像传感器800的光照射时段和光遮蔽时段。驱动单元913可控制图像传感器800的透射操作和快门单元911的快门操作。信号处理单元912对从图像传感器800输出的信号执行各种类型的信号处理。信号处理之后的图像信号Dout可被存储在诸如存储器的存储介质中，或者可被输出到监视器等。
尽管出于例示性目的描述了各种实施方式，对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离以下权利要求中限定的本发明的精神和范围的情况下，可进行各种改变和修改。
相关申请的交叉引用
本专利文献要求2018年5月28日提交的韩国专利申请No.10-2018-0060307的优先权和权益，其整体通过引用并入本文。

Claims (8)

1.一种图像传感器，该图像传感器包括：
多个单元像素块，所述多个单元像素块各自具有用于感测入射光的像素，各个单元像素块包括：
第一子像素块，该第一子像素块包括第一浮置扩散区；
第二子像素块，该第二子像素块包括第二浮置扩散区；以及
公共晶体管块，该公共晶体管块包括与所述第一浮置扩散区相邻的第一驱动晶体管、与所述第二浮置扩散区相邻的第二驱动晶体管、选择晶体管以及重置晶体管；
其中，所述第一子像素块和所述第二子像素块在第一方向上彼此相邻地设置，
其中，所述公共晶体管块在第二方向上与所述第一子像素块和所述第二子像素块相邻地设置，
其中，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直，
其中，所述第一驱动晶体管、所述第二驱动晶体管、所述选择晶体管被布置成形成在所述第一方向上延伸的线，
其中，所述选择晶体管在所述第一方向上设置在所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管之间，
其中，所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区共同电联接到所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管，
其中，所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区彼此直接电连接，
其中，所述选择晶体管共同联接到所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管，
其中，所述第一子像素块和所述第二子像素块关于所述第一子像素块和所述第二子像素块之间的线对称地设置，
其中，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管关于所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管之间的线对称地设置，并且
其中，所述重置晶体管共同联接到所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述第一子像素块还包括按照矩阵形式设置的多个第一光电二极管和多个第一传输晶体管，
其中，所述第一浮置扩散区设置在所述多个第一光电二极管和所述多个第一传输晶体管之间，
其中，所述第二子像素块还包括按照矩阵形式设置的多个第二光电二极管和多个第二传输晶体管，并且
其中，所述第二浮置扩散区设置在所述多个第二光电二极管和所述多个第二传输晶体管之间。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述单元像素块还包括将所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区二者电联接到所述第一驱动晶体管的栅极和第二驱动晶体管的栅极二者的互连，并且
其中，将所述第一浮置扩散区联接到所述第一驱动晶体管的互连的路径的长度与将所述第二浮置扩散区联接到所述第二驱动晶体管的互连的路径的长度相似或相同。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管并联联接，并且
其中，所述第一驱动晶体管与所述选择晶体管串联联接，并且所述第二驱动晶体管与所述选择晶体管串联联接。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述公共晶体管块还包括设置在所述选择晶体管和所述第一驱动晶体管之间的电隔离区域，并且
其中，所述电隔离区域包括被施加有接地电压的有源区域。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述单元像素块在第一方向上按照并排形状布置，并且在与所述第一方向垂直的第二方向上按照锯齿形样式布置。
7.一种图像传感器，该图像传感器包括：
多个单元像素块，所述多个单元像素块各自具有用于感测入射光的像素，各个单元像素块包括：
第一子像素块，该第一子像素块包括第一浮置扩散区；
第二子像素块，该第二子像素块包括第二浮置扩散区；
第一公共晶体管块，该第一公共晶体管块包括第一驱动晶体管、第二驱动晶体管、以及选择晶体管；以及
第二公共晶体管块，该第二公共晶体管块包括重置晶体管，
其中，所述第一公共晶体管块在第二方向上与所述第一子像素块的第一侧和所述第二子像素块的第一侧相邻设置，并且所述第二公共晶体管块在所述第二方向上与所述第一子像素块的第二侧和所述第二子像素块的第二侧相邻设置，
其中，所述第一侧和所述第二侧彼此背离，
其中，所述第一子像素块和所述第二子像素块在第一方向上彼此相邻地设置，
其中，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直，
其中，所述第一驱动晶体管、所述第二驱动晶体管、所述选择晶体管被布置成形成在所述第一方向上延伸的线，
其中，所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区共同电联接到所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管，
其中，所述选择晶体管共同联接到所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管，
其中，所述第一子像素块和所述第二子像素块关于所述第一子像素块和所述第二子像素块之间的线对称地设置，
其中，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管关于所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管之间的线对称地设置，并且
其中，所述重置晶体管共同联接到所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区。
8.一种图像传感器，该图像传感器包括：
多个单元像素块，所述多个单元像素块各自具有用于感测入射光的像素，各个单元像素块包括：
第一子像素块，该第一子像素块包括第一浮置扩散区；
第二子像素块，该第二子像素块包括第二浮置扩散区，其中，所述第二子像素块在第一方向上与所述第一子像素块相邻；
第三子像素块，该第三子像素块包括第三浮置扩散区；
第四子像素块，该第四子像素块包括第四浮置扩散区，其中，所述第四子像素块在所述第一方向上与所述第三子像素块相邻；以及
公共晶体管块，该公共晶体管块包括在所述第一方向上位于所述第一浮置扩散区和所述第三浮置扩散区之间的第一驱动晶体管、在所述第一方向上位于所述第二浮置扩散区和所述第四浮置扩散区之间的第二驱动晶体管、以及在第二方向上位于所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管之间的选择晶体管，其中，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直，
其中，所述第一浮置扩散区至所述第四浮置扩散区共同电联接到所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管，
其中，所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区彼此直接电连接，并且所述第三浮置扩散区和所述第四浮置扩散区彼此直接电连接，并且
其中，所述选择晶体管共同联接至所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管。
CN201811549761.7A 2018-05-28 2018-12-18 包括具有公共选择晶体管的单元像素块的图像传感器 Active CN110544699B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180060307A KR102591525B1 (ko) 2018-05-28 2018-05-28 공통 선택 트랜지스터를 가진 유닛 픽셀 블록을 포함하는 이미지 센서
KR10-2018-0060307 2018-05-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110544699A CN110544699A (zh) 2019-12-06
CN110544699B true CN110544699B (zh) 2023-09-08

Family

ID=68614033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811549761.7A Active CN110544699B (zh) 2018-05-28 2018-12-18 包括具有公共选择晶体管的单元像素块的图像传感器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10854649B2 (zh)
KR (1) KR102591525B1 (zh)
CN (1) CN110544699B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200118723A (ko) * 2019-04-08 2020-10-16 삼성전자주식회사 픽셀 그룹들을 포함하는 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102708675B1 (ko) * 2020-04-09 2024-09-24 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
US20220050183A1 (en) * 2020-08-12 2022-02-17 Beijing Voyager Technology Co., Ltd. Intertwined detector array for an optical sensing system
KR20220042813A (ko) 2020-09-28 2022-04-05 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
KR20220043449A (ko) * 2020-09-29 2022-04-05 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
KR20220135626A (ko) * 2021-03-31 2022-10-07 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100823173B1 (ko) * 2007-02-16 2008-04-21 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
CN102157536A (zh) * 2010-01-28 2011-08-17 索尼公司 固态成像器件和电子装置
CN102956660A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 索尼公司 固态成像器件和电子设备
CN104009049A (zh) * 2013-02-25 2014-08-27 全视科技有限公司 包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657665B1 (en) * 1998-12-31 2003-12-02 Eastman Kodak Company Active Pixel Sensor with wired floating diffusions and shared amplifier
US7443437B2 (en) * 2003-11-26 2008-10-28 Micron Technology, Inc. Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate
KR100772892B1 (ko) * 2006-01-13 2007-11-05 삼성전자주식회사 플로팅 확산 영역의 커패시턴스를 제어할 수 있는 공유픽셀형 이미지 센서
US7638804B2 (en) * 2006-03-20 2009-12-29 Sony Corporation Solid-state imaging device and imaging apparatus
JP5292787B2 (ja) * 2007-11-30 2013-09-18 ソニー株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP5149143B2 (ja) * 2008-12-24 2013-02-20 シャープ株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
JP5029624B2 (ja) * 2009-01-15 2012-09-19 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP5267867B2 (ja) * 2009-03-06 2013-08-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置
JP5564874B2 (ja) * 2009-09-25 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP2011091341A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP5644177B2 (ja) * 2010-05-07 2014-12-24 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5635092B2 (ja) * 2010-07-02 2014-12-03 パナソニック株式会社 固体撮像素子および当該固体撮像素子を備える撮像装置、ならびに撮像制御方法および撮像制御プログラム
JP2013084744A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Sony Corp 固体撮像素子および電子機器
KR101715141B1 (ko) * 2011-11-15 2017-03-13 삼성전자주식회사 깊이 센서의 픽셀 및 상기 픽셀을 포함하는 이미지 센서
JP6026102B2 (ja) * 2011-12-07 2016-11-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および電子機器
KR102114344B1 (ko) * 2013-06-05 2020-05-22 삼성전자주식회사 이미지 센서의 픽셀 어레이 레이아웃 생성 방법 및 이를 이용한 레이아웃 생성 시스템
JP6152060B2 (ja) * 2014-02-14 2017-06-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
TWI696278B (zh) * 2015-03-31 2020-06-11 日商新力股份有限公司 影像感測器、攝像裝置及電子機器
KR102333610B1 (ko) * 2017-03-06 2021-12-03 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
JP2017139498A (ja) * 2017-05-02 2017-08-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、および電子機器
KR102568744B1 (ko) 2018-01-29 2023-08-22 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100823173B1 (ko) * 2007-02-16 2008-04-21 삼성전자주식회사 씨모스 이미지 센서
CN102157536A (zh) * 2010-01-28 2011-08-17 索尼公司 固态成像器件和电子装置
CN102956660A (zh) * 2011-08-22 2013-03-06 索尼公司 固态成像器件和电子设备
CN104009049A (zh) * 2013-02-25 2014-08-27 全视科技有限公司 包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US20190363119A1 (en) 2019-11-28
CN110544699A (zh) 2019-12-06
KR20190135182A (ko) 2019-12-06
US10854649B2 (en) 2020-12-01
KR102591525B1 (ko) 2023-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110544699B (zh) 包括具有公共选择晶体管的单元像素块的图像传感器
US11043518B2 (en) Image sensor including a pixel block having 8-shared pixel structure
US10833116B2 (en) Image sensor having PD bias patterns
US7525077B2 (en) CMOS active pixel sensor and active pixel sensor array using fingered type source follower transistor
TW201911547A (zh) 光學感測器的像素以及光學感測器的操作方法
US11804510B2 (en) Image sensor including active regions
US12087781B2 (en) Image sensor having P-type isolation structure
KR20110063306A (ko) 촬상 소자 및 카메라 시스템
KR20180080420A (ko) 이미지 센서
KR102651415B1 (ko) 이미지 센서 및 그 동작방법
US20220102401A1 (en) Image sensing device
KR20170094693A (ko) 이미지 센서
CN110098205B (zh) 包括具有锯齿形排列的像素块的像素阵列的图像传感器
KR100823173B1 (ko) 씨모스 이미지 센서
KR20170104047A (ko) 이미지 센서
CN110099228B (zh) 包括具有锯齿形排列的像素块的像素阵列的图像传感器
US11050960B2 (en) Image sensor
CN112135072B (zh) 图像传感器
EP2266310B1 (en) Cmos image sensor with improved fill-factor and reduced dark current
KR100871797B1 (ko) 이미지 센서
CN117615264A (zh) 图像传感器和包括其的图像处理设备
KR20240054060A (ko) 이미지 센서
CN116158088A (zh) 固态成像设备
KR20020058494A (ko) 전하전송부 하부에 포텐셜 웰을 구비하는 이미지 센서

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant