CN110446765A - 半导体保护用粘合带和处理半导体的方法 - Google Patents

半导体保护用粘合带和处理半导体的方法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种半导体保护用粘合带、以及使用该半导体保护用粘合带的处理半导体的方法，所述半导体保护用粘合带在半导体制造工艺中贴附于半导体器件的电路面时，可以透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案，并且即使在供于180℃以上的高温处理时也能够发挥出高抗静电性能。本发明为一种半导体保护用粘合带，其具有粘合剂层和层叠于该粘合剂层的一个面的导电层，上述粘合剂层侧的表面电阻率在180℃、6小时的加热之前和之后均为1.0×104Ω/□以上且9.9×1013Ω/□以下，并且从上述导电层侧所测得的可见光透射率为30％以上。

Description

半导体保护用粘合带和处理半导体的方法
技术领域
本发明涉及半导体保护用粘合带、以及使用该半导体保护用粘合带的处理半导体的方法，所述半导体保护用粘合带在半导体制造工艺中在贴附于半导体器件的电路面时可以透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案，并且即使在供于180℃以上的高温处理时也可以发挥出高抗静电性能。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，为了在加工时容易操作，避免破损等，在半导体器件的电路面上贴附粘合带来加以保护。对于这类粘合带来说，为了避免因静电而损坏电路等，要求优异的抗静电性能。
作为抗静电性能优异的粘合带，已知例如在粘合剂层中分散有导电性填料的抗静电粘合带(例如专利文献1～3等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-007093号公报
专利文献2：日本特开平9-207259号公报
专利文献3：日本特开2016-089021号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在半导体器件的制造工序中，有时从粘合带侧来识别半导体器件的电路图案而进行加工时的定位等，因此对于粘合带还要求优异的透明性。但是，对于以往的抗静电粘合带而言，如果配合导电性填料至足以赋予充分的抗静电性能，则透明性降低。当将这种透明性低的粘合带贴附于半导体器件时，存在无法透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案而使工序管理变得困难的问题。
另外，随着近年的半导体器件的高性能化，越来越多地对半导体器件的表面进行180℃以上的高温处理。例如，作为新一代的技术，使用将多个半导体芯片层叠而使器件飞跃地得以高性能化、小型化的TSV(Through Si via，硅通孔)的三维层叠技术备受关注。TSV除了实现半导体安装的高密度化以外，还能够通过缩短连接距离而实现低噪音化、低电阻化，存取速度非常快，使用中产生的热量的释放方面也优异。在这种TSV的制造中，需要进行使经研削而得的薄膜晶片形成凸起、或在背面形成凸起、或在三维层叠时进行回流等180℃以上的高温处理工艺。
但是，对于以往的抗静电粘合带来说存在如果供于180℃以上的高温处理则抗静电性能显著下降的问题。
本发明是鉴于上述现状而进行的，其目的在于，提供一种半导体保护用粘合带和使用该半导体保护用粘合带的处理半导体的方法，所述半导体保护用粘合带在半导体制造工艺中在贴附于半导体器件的电路面时可以透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案，并且即使在供于180℃以上的高温处理时也可以发挥出高抗静电性能。
用于解决课题的方案
本发明的一实施方式为一种半导体保护用粘合带，其具有粘合剂层、和层叠于该粘合剂层的一个面的导电层，上述粘合剂层侧的表面电阻率在180℃、6小时的加热之前和之后均为1.0×104Ω/□以上且9.9×1013Ω/□以下，并且从上述导电层侧测得的可见光透射率为30％以上。
以下对本发明进行详述。
本发明人等进行了深入研究，结果发现：通过在粘合剂层的一个面直接层叠纳米级厚度的导电层，从而即使在180℃以上的高温处理的之前和之后也均可以将粘合剂层侧的表面电阻率调整到一定的范围内，从而发挥出高抗静电性能。另外发现：在贴附于半导体器件的电路面时可以发挥出可以透过粘合带来识别电路图案的程度的优异透明性，从而完成了本发明。
作为本发明的一实施方式的半导体保护用粘合带(以下也简称为“粘合带”。)具有粘合剂层。
构成上述粘合剂层的粘合剂成分没有特别限定，可以含有非固化型的粘合剂、固化型的粘合剂中的任一者。其中，优选含有固化型粘合剂，这是因为在贴附于形成有电路的半导体器件的形成有电路的面而进行剥离时可以抑制残胶。
作为上述固化型粘合剂，可列举：通过光照射而交联、固化的光固化型粘合剂；通过加热而交联、固化的热固化型粘合剂。
作为上述光固化型粘合剂，可列举例如以聚合性聚合物为主要成分并使用光聚合引发剂作为聚合引发剂的光固化型粘合剂。
作为上述热固化型粘合剂，可列举例如以聚合性聚合物为主要成分并使用热聚合引发剂作为聚合引发剂的热固化型粘合剂。
上述聚合性聚合物可以通过例如以下方法得到。即，首先预先合成在分子内具有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下也称为“含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物”。)。接着，使在分子内具有与上述官能团反应的官能团和自由基聚合性的不饱和键的化合物(以下也称为“含有官能团的不饱和化合物”。)与该含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物反应，从而可以得到聚合性聚合物。
上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物作为在常温下具有粘合性的聚合物来说可以通过与一般的(甲基)丙烯酸系聚合物的情况同样的方法来得到。即，以烷基的碳数通常处于2～18的范围的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯为主要单体，使其与含有官能团的单体、以及根据需要使用的能够与它们共聚的其它改性用单体按照常规方法进行共聚，从而得到。
上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量通常为20万～200万左右。
作为上述含有官能团的单体，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸等含有羧基的单体；丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸羟基乙酯等含有羟基的单体；丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等含有环氧基的单体；丙烯酸异氰酸酯乙酯、甲基丙烯酸异氰酸酯乙酯等含有异氰酸酯基的单体；丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等含有氨基的单体等。
作为上述能够共聚的其它改性用单体，可列举例如乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等一般的(甲基)丙烯酸系聚合物中使用的各种单体。
作为与上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物反应的含有官能团的不饱和化合物，可以根据上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团而使用与上述含有官能团的单体同样的单体。例如，在上述含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羧基时，使用含有环氧基的单体、含有异氰酸酯基的单体。另外，在所述官能团为羟基时，使用含有异氰酸酯基的单体。另外，在所述官能团为环氧基时，使用含有羧基的单体、丙烯酰胺等含有酰胺基的单体。另外，在所述官能团为氨基时，使用含有环氧基的单体。
上述光聚合引发剂可列举例如通过照射波长为250～800nm的光而被活化的光聚合引发剂。作为这种光聚合引发剂，可列举例如：苯乙酮衍生物化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮衍生物化合物、氧化膦衍生物化合物、双(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物化合物等。作为上述苯乙酮衍生物化合物，可列举甲氧基苯乙酮等。作为上述苯偶姻醚系化合物，可列举苯偶姻丙基醚、苯偶姻异丁基醚等。作为上述缩酮衍生物化合物，可列举苯偶酰二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等。作为上述光聚合引发剂，可列举例如：双(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物化合物、二苯甲酮、米蚩酮、氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等光自由基聚合引发剂。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。
作为上述热聚合引发剂，可列举通过热而分解并产生引发聚合固化的活性自由基的聚合引发剂。具体可列举例如：过氧化二异丙苯、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酸叔丁酯、叔丁基过氧化氢、过氧化苯甲酰、异丙苯过氧化氢、二异丙苯过氧化氢、过氧化氢对薄荷烷、二叔丁基过氧化物等。
其中，为了使上述固化型粘合剂发挥出高耐热性，上述热聚合引发剂优选使用热分解温度为200℃以上的热聚合引发剂。这种热分解温度高的热聚合引发剂可列举出异丙苯过氧化氢、过氧化氢对薄荷烷、二叔丁基过氧化物等。
这些热聚合引发剂中，作为市售的热聚合引发剂，没有特别限定，例如优选PERBUTYL D、PERBUTYL H、PERBUTYL P、PERPENTA H(以上均为日油公司制)等。这些热聚合引发剂可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。
上述固化型粘合剂优选含有自由基聚合性的多官能低聚物或单体。通过含有自由基聚合性的多官能低聚物或单体，从而光固化性、热固化性提高。
上述多官能低聚物或单体的分子量优选为1万以下，更优选其分子量为5000以下且分子内的自由基聚合性的不饱和键的数量为2～20个以使得效率良好地进行基于加热或光的照射而进行的固化型粘合剂的三维网状化。
上述多官能低聚物或单体可列举例如：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等。另外可列举与上述同样的甲基丙烯酸酯类等。除此以外，还可列举1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯、与上述同样的甲基丙烯酸酯类等。这些多官能低聚物或单体可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。
上述粘合剂层可以还含有通过刺激而产生气体的气体发生剂。在含有上述气体发生剂时，在从被粘物剥离粘合带时，通过给予刺激而由上述气体发生剂产生气体，从而可以更容易且无残胶地剥离粘合带。
上述气体发生剂没有特别限定，从对伴随加热的处理的耐受性优异的角度出发，优选：苯基乙酸、二苯基乙酸、三苯基乙酸等羧酸化合物或其盐；1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5，5-偶氮双-1H-四唑等四唑化合物或其盐等。这种气体发生剂通过照射紫外线等光而产生气体，另一方面具有即使在200℃左右的高温下也不分解的高耐热性。
在上述粘合剂层含有上述气体发生剂的情况下，可以还含有光敏剂。上述光敏剂具有将光对上述气体发生剂的刺激放大的效果，因此可以通过更少的光照射而使气体放出。另外，可以利用更广的波长区域的光来使气体放出。
在上述粘合剂层含有上述固化型粘合剂作为粘合剂成分时，可以含有具有能够与上述固化型粘合剂交联的官能团的硅酮化合物。硅酮化合物由于耐热性优异，从而即使经过伴有200℃以上的加热的处理，也抑制粘合剂的焦糊等，并且在剥离时渗出到被粘物界面而使剥离更为容易。通过使硅酮化合物具有能够与上述固化型粘合剂交联的官能团，从而通过进行光照射或加热而与上述固化型粘合剂发生化学反应，从而被引入到上述固化型粘合剂中，由此不会发生硅酮化合物附着于被粘物而产生污染的情况。另外，通过配合硅酮化合物，还发挥出抑制在被粘物上的残胶的效果。需要说明的是，硅酮化合物所具有的、作为能够与上述固化型粘合剂交联的官能团，可列举例如双键等聚合性官能团。
本发明的一实施方式中，上述粘合剂层优选不含导电性填料、导电性化合物等导电性物质。当粘合剂层不含导电性填料时，能够抑制由于存在导电性填料而导致的粘合力下降、由于导电性化合物渗出而导致的粘合力经时下降。另外，当粘合剂层不含导电性化合物时，能够抑制高温处理所带来的导电性化合物的副反应，能够抑制粘合力下降和污染半导体。
上述粘合剂层的厚度没有特别限定，优选的下限为5μm，优选的上限为100μm。当上述粘合剂层的厚度为上述范围时，可以以充分的粘合力来保护被粘物，进而还可以抑制剥离时的残胶。从进一步提高粘合力，并且进一步抑制剥离时的残胶的观点出发，上述粘合剂层的厚度的更优选下限为10μm，更优选上限为60μm。
上述粘合带中，在上述粘合剂层的一个面层叠有导电层。通过设置这种导电层，从而可以在确保透明性的同时将粘合剂层侧的表面电阻率调整到一定的范围。另外，即使供于180℃以上的高温处理，也可以发挥出高抗静电性能。
上述粘合带的透明性、表面电阻率可通过调整构成上述导电层的金属等的种类、上述导电层的厚度、上述导电层的面积等来自由调整。
上述导电层没有特别限定，从容易调整导电层的厚度，容易兼顾粘合带的透明性和表面电阻的提高的观点出发，优选包含金属、合金或金属化合物。金属、合金、金属化合物可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。
作为可构成上述导电层的金属，可列举例如金、银、铜、铂、钛、铝、锡等金属。
当上述导电层包含金属时，导电层可以是包含上述金属的单层或多层。
作为可构成上述导电层的合金，可列举例如含铁的合金和含钼的合金。
作为上述含铁的合金，可列举：含铬和铁的合金；以及含铬、镍和铁的合金，具体可列举出不锈钢(SUS)。
作为上述不锈钢(SUS)，具体可列举例如：不锈钢(SUS201)、不锈钢(SUS202)、不锈钢(SUS301)、不锈钢(SUS302)、不锈钢(SU303)、不锈钢(SUS304)、不锈钢(SUS306)、不锈钢(SUS310s)、不锈钢(SUS316)、不锈钢(SUS317)、不锈钢(SUS329J11)、不锈钢(SUS403)、不锈钢(SUS405)、不锈钢(SUS420)、不锈钢(SUS430)、不锈钢(SUS430LX)、不锈钢(SUS6330)等。
上述含钼的合金只要含有钼，则没有特别限定，优选还含有镍和铬。
上述含钼的合金中的钼含量的下限没有特别限定，从兼顾表面电阻和透明性的观点出发，优选为5重量％，更优选为7重量％，进一步优选为9重量％，更进一步优选为11重量％，特别优选为13重量％，非常优选为15重量％，最优选为16重量％。另外，从容易调整表面电阻率的观点出发，上述含钼的合金中的钼含量的上限优选为30重量％，更优选为25重量％，进一步优选为20重量％。
在上述含钼的合金含有镍和铬的情况下，优选钼含量为5重量％以上、镍含量为40重量％以上、铬含量为1重量％以上。作为上述含钼的合金，具体可列举HASTELLOY(注册商标)、Inconel(注册商标)、Carpenter(注册商标)、Incoloy(注册商标)等合金。
作为上述HASTELLOY(注册商标)，具体可列举例如：HASTELLOY B-2、HASTELLOY B-3、HASTELLOY C-4、HASTELLOY C-2000、HASTELLOY C-22、HASTELLOY C-276、HASTELLOY G-30、HASTELLOY N、HASTELLOY W、HASTELLOY X等。
作为上述Inconel(注册商标)，具体可列举例如：Inconel 600、Inconel 625、Inconel 690、Inconel 718、Inconel X750等。
作为上述Carpenter(注册商标)，具体可列举例如Carpenter 20Cb3等。
作为可构成上述导电层的合金，还可以使用例如蒙奈尔合金等含有镍和铜的合金。
作为上述蒙奈尔合金，具体可列举例如蒙奈尔合金(Monel 400)、蒙奈尔合金(Monel K500)、蒙奈尔合金(Monel R)、蒙奈尔合金(Monel S)等。
在上述导电层包含合金的情况下，导电层可以是包含上述合金的单层或多层。
作为可构成上述导电层的金属化合物，可列举例如锡掺杂氧化铟(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、氧化钛(TiO)等金属氧化物。
在上述导电层包含金属化合物的情况下，导电层可以是单层或多层。
另外，上述导电层可以是包含金属的层、包含合金的层、和/或包含金属化合物的层的多层。
从导电层不易产生裂缝，容易稳定地维持导电性的观点出发，上述导电层优选包含金、银、铜、铂、钛、锡、不锈钢(SUS)、含钼的合金(HASTELLOY等)、锡掺杂氧化铟(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)或氧化钛(TiO)。另外，从进一步提高耐热性的观点出发，上述导电层更优选包含金、银、铜、铂、钛、锡、不锈钢(SUS)，进而，从抑制表面的反射，提高辨识性的观点出发，上述导电层进一步优选包含不锈钢(SUS)。
上述导电层的厚度没有特别限定，优选的下限为2nm，优选的上限为300nm。当上述导电层的厚度为上述范围时，能够容易将上述粘合带的透明性、表面电阻率调整到期望的范围。当上述导电层的厚度为2nm以上时，加热时的导电层的氧化得到抑制，可以维持抗静电性能。从进一步提高抗静电性能和透明性的观点出发，上述导电层的厚度的更优选下限为3nm，更优选的上限为100nm，进一步优选的上限为50nm，特别优选的上限为30nm，最优选的上限为20nm。
上述导电层的厚度没有特别限定，在上述导电层包含金属的情况下，优选的下限为2nm，优选的上限为50nm。当上述包含金属的导电层的厚度在该范围内时，容易将上述粘合带的透明性、表面电阻率调整到期望的范围。当上述导电层的厚度为2nm以上时，加热时的导电层的氧化得到抑制，可以保持抗静电性能。需要说明的是，氧特别是从粘合剂层侧侵入。从进一步提高抗静电性能和透明性的观点出发，上述导电层的厚度的更优选的下限为3nm，更优选的上限为30nm，进一步优选的上限为20nm，特别优选的上限为15nm。
在上述导电层包含合金的情况下，上述导电层的厚度的优选的下限为2nm，优选的上限为10nm。当上述包含合金的导电层的厚度在该范围内时，容易将上述粘合带的透明性、表面电阻率调整到期望的范围。当上述导电层的厚度为2nm以上时，加热时的导电层的氧化得到抑制，可以保持抗静电性能。需要说明的是，氧特别是从粘合剂层侧侵入。从进一步提高抗静电性能和透明性的观点出发，上述导电层的厚度的更优选的上限为7.5nm，进一步优选的上限为5nm。
在上述导电层包含金属氧化物的情况下，上述导电层的厚度的优选的下限为2nm，优选的上限为300nm。当上述包含金属氧化物的导电层的厚度在该范围内时，容易将上述粘合带的透明性、表面电阻率调整到期望的范围。当上述导电层的厚度为2nm以上时，加热时的导电层的氧化得到抑制，可以保持抗静电性能。需要说明的是，氧特别是从粘合剂层侧侵入。从进一步提高抗静电性能和透明性的观点出发，上述导电层的厚度的更优选的上限为100nm，进一步优选的上限为30nm。
如上所述，上述粘合带的透明性、表面电阻率可通过构成上述导电层的金属等的种类、导电层的厚度来调整。因此，优选按照构成上述导电层的金属等的种类来选择最合适的导电层厚度。
＜单金属＞
例如，在上述导电层为包含金、银、铜、铂、钛、铝、锡中的任一金属的单层结构时，从容易调整电阻值，容易控制抗静电功能的观点出发，上述导电层的厚度的优选的下限为2nm，优选的上限为50nm。上述导电层的厚度的更优选的下限为3nm，更优选的上限为30nm，进一步优选的上限为15nm。
＜合金＞
例如，在上述导电层为包含不锈钢(SUS)、含钼的合金(HASTELLOY等)中的任一合金的单层结构时，从容易调整电阻值，容易控制抗静电功能的观点出发，上述导电层的厚度的优选的下限为2nm，优选的上限为10nm。上述导电层的厚度的更优选的下限为3nm，更优选的上限为7.5nm，进一步优选的上限为5nm。
＜金属氧化物>
例如，在上述导电层为包含ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、TiO中的任一金属氧化物的单层结构时，从容易调整电阻值，容易控制抗静电功能的观点出发，上述导电层的厚度的优选的下限为2nm，优选的上限为300nm。上述导电层的厚度的更优选的上限为100nm，进一步优选的上限为30nm。
上述导电层可以层叠于上述粘合剂层的一个面的整面，也可以局部地层叠于一部分。在上述导电层层叠于上述粘合剂层的一个面的整面时，上述粘合带可以发挥出均匀的抗静电性能。当上述导电层局部地层叠于上述粘合剂层的一个面的一部分时，为了赋予均匀的抗静电性能，优选上述导电层形成均匀的图案形状。在上述导电层形成均匀的图案形状时，还可以体现出均匀的抗静电性能，并发挥出高透明性。
在本发明的优选实施方式中，上述导电层包含厚度为2～50nm的包含金、银、铜、铂、钛或锡的金属。另外，上述导电层包含厚度为2～10nm的包含不锈钢、含有钼的合金(HASTELLOY(注册商标)合金、Inconel(注册商标)合金、Carpenter(注册商标)合金、Incoloy(注册商标)合金等)的合金。另外，上述导电层包含厚度为2～300nm的包含锡掺杂氧化铟、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌和氧化钛的金属氧化物。这种情况下，容易将粘合带的透明性、表面电阻率调整到期望的范围，与此同时，加热时的导电层的氧化得到抑制，能够容易将抗静电性能维持得较高。这些单金属、合金、金属氧化物可以分别单独使用，也可以将2种以上组合使用。
在上述粘合剂层上形成上述导电层的方法没有特别限定，可以使用例如溅射工艺、离子镀敷、等离子体CVD工艺、蒸镀工艺、涂布工艺、浸渍工艺等现有公知的方法。其中，从可以形成均匀的导电层的角度出发，优选溅射工艺。
需要说明的是，在上述粘合带具有基材的情况下，可以在上述基材上形成上述导电层后，在该导电层上形成上述粘合剂层。
上述粘合带可以在上述导电层的与上述粘合剂层相反侧的面上层叠基材。在本发明的优选实施方式中，从制造半导体器件时可以稳定地进行搬送的观点出发，优选上述基材为没有孔的膜形状。作为上述基材，只要不使上述粘合带的透明性下降，就没有特别限定。可列举例如：包含丙烯酸类、烯烃、聚碳酸酯、氯乙烯、ABS、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、尼龙、氨基甲酸酯、聚酰亚胺等透明的树脂的片、具有网眼状结构的片、开孔的片等。
基材的厚度没有特别限定，从制造半导体器件时可以稳定地进行搬送的观点出发，优选为5μm以上、更优选为10μm以上、进一步优选为15μm以上，优选为100μm以下、更优选为70μm以下、进一步优选为50μm以下。
在180℃、6小时的加热之前和之后，上述粘合带的上述粘合剂层侧的表面电阻率的下限均为1.0×104Ω/□，上限均为9.9×1013Ω/□。当上述表面电阻率为1.0×104Ω/□以上时，在用于半导体器件的保护时可以抑制电路的短路(short)；为9.9×1013Ω/□以下时，可以发挥出高抗静电性能。从同样的观点出发，上述粘合剂层侧的表面电阻率的优选的下限为1.0×106Ω/□，优选的上限为9.9×1012Ω/□。更优选的上限为9.9×1011Ω/□。
另外，通过使在180℃、6小时的加热之前和之后表面电阻率均在上述范围内，从而可以将上述粘合带供于包含180℃以上的高温处理的半导体制造工艺。
需要说明的是，上述表面电阻率可以利用基于JIS K7194的方法来测定。
上述粘合带在180℃、6小时的加热之前和之后的、上述粘合剂层侧的表面电阻率均可以通过调整导电层的氧化量来控制。
在180℃、6小时的加热之前和之后，上述粘合带的上述粘合剂层侧的表面电阻率的变化率(加热后的表面电阻率/加热前的表面电阻率)优选为1×10以上、更优选为5×10以上、进一步优选为1×102以上。另外，上述粘合剂层侧的表面电阻率的变化率(加热后的表面电阻率/加热前的表面电阻率)优选为1×107以下、更优选为1×106以下、进一步优选为1×105以下、特别是优选为1×104以下。如果上述变化率在上述范围内，则即使制造半导体的方法包含热处理工序(例如180℃、6小时)的情况下，也可以稳定地表现出抗静电功能。上述粘合剂层侧的表面电阻率的变化率(加热后的表面电阻率/加热前的表面电阻率)例如可以通过调整导电层的氧化量来控制。
上述粘合带从上述导电层侧测得的可见光透射率为30％以上。当上述可见光透射率为30％以上时，在用于半导体器件的保护时，可以从粘合带侧来识别半导体器件的电路图案，进行加工时的定位等。上述可见光透射率优选为40％以上、进一步优选为50％以上，通常为100％以下。
需要说明的是，上述可见光透射率可以使用雾度计(例如日本电饰公司制“NDH-2000”、或其同类产品)并基于JIS K7105来测定。
为了调整上述粘合带的从导电层侧测得的可见光透射率，可以通过构成上述导电层的金属等的种类、导电层的厚度来调整。例如，如果为上述优选实施方式中的金属种类和厚度，则容易进行可见光透射率的调整。
上述粘合带的220℃时的热分解量优选为10重量％以下。当220℃时的热分解量为10重量％以下时，能够更适合将上述粘合带供于包含180℃以上的高温处理的半导体制造工艺。上述热分解量更优选为8重量％以下，进一步优选为5重量％以下。
需要说明的是，上述热分解量可以如下地求出：在热天平(例如SII公司制“TG/DTA6200”等)的铝盘上称量5～10mg的粘合带，在空气气氛中(流量200mL/分钟)且以升温速度5℃/分钟的条件从常温(30℃)升温到400℃时，由220℃时的分解量求出。上述热分解量可以通过进行粘合剂的高分子量化、窄分子量分布化(减少低分子量成分)来控制。
上述粘合带在半导体制造工艺中用于贴附在半导体器件的电路面而保护电路，并且抑制因静电所引起的电路破损。上述粘合带兼顾了优异的抗静电性能和透明性，因此，在半导体制造工艺中在贴附于半导体器件的电路面时，可以透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案，并且即使在供于180℃以上的高温处理时也可以发挥出高抗静电性能。
图1示出示意性地表示利用上述粘合带来保护半导体器件的形成有电路的面的状态的剖面图。半导体器件1的一个面上形成有凸起12，在该凸起12侧的面上贴附有粘合带2。粘合带2在粘合剂层21的与贴附于半导体器件1的一侧相反的一侧的面上层叠有导电层22和基材23。
在本发明的另一实施方式中，还提供一种处理半导体的方法，其包括：在半导体的电路面贴附半导体保护用粘合带的工序、以及对半导体进行180℃以上的高温处理的工序，其中，上述半导体保护用粘合带具有粘合剂层、和层叠于该粘合剂层的一个面的导电层，上述半导体保护用粘合带的上述粘合剂层侧的表面电阻率在180℃、6小时的加热之前和之后均为1.0×104Ω/□以上且9.9×1013Ω/□以下，并且从上述导电层侧测得的可见光透射率为30％以上。
根据该处理半导体的方法，可以贴附于半导体器件的电路面而保护电路，并且可抑制因静电所导致的电路破损。上述粘合带兼顾了优异的抗静电性能和透明性，因此，在半导体制造工艺中在贴附于半导体器件的电路面时，可以透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案，并且即使在供于180℃以上的高温处理时也可以发挥出高抗静电性能。
发明的效果。
根据本发明，可以提供一种半导体保护用粘合带和使用该半导体保护用粘合带的处理半导体的方法，所述半导体保护用粘合带在半导体制造工艺中在贴附于半导体器件的电路面时，可以透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案，并且即使在供于180℃以上的高温处理时也可以发挥出高抗静电性能。
附图说明
图1是示意性地示出利用本发明的一实施方式的粘合带来保护半导体器件的形成有电路的面的状态的剖面图。
具体实施方式
以下列举实施例来进一步详细说明本发明的方式，但本发明并不仅限于这些实施例。
(实施例1)
(1)导电层的形成
在聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基材上通过以Ag为靶材的DC磁控溅射法来形成导电层。具体而言，将腔室内真空排气至5×10-4Pa以下，然后导入Ar气体以使得腔室内的Ar占有率为98％以上，形成厚度15nm的导电层。
关于所得到的导电层的厚度(光学膜厚)，测定透射率并由测定值进行光学模拟而算出。具体而言，使用分光光度计(日立制作所公司制“U4100”)测定波长200～800nm(测定范围)下的透射光谱，由此测定透射率。接下来，使用光学模拟软件(J.A.Woollam公司制“WVASE32”)来拟合所得到的透射光谱的形状以及峰、谷的位置，计算出导电层的厚度。
(2)粘合带的制造
准备具备温度计、搅拌机、冷凝管的反应器，向该反应器内加入作为(甲基)丙烯酸烷基酯的丙烯酸2-乙基己酯90重量份、作为含有官能团的单体的甲基丙烯酸羟基乙酯10重量份、月桂硫醇0.01重量份和乙酸乙酯80重量份，然后加热反应器开始回流。然后，向上述反应器内添加作为聚合引发剂的1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷0.01重量份，在回流下引发聚合。然后，在从聚合引发起1小时后和2小时后各添加1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷0.01重量份，进而，在聚合引发起4小时后添加过氧化新戊酸叔己酯0.05重量份来继续进行聚合反应。然后，在聚合引发起8小时后得到固体成分55重量％、重均分子量60万的含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的乙酸乙酯溶液。
相对于所得到的包含含有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，加入作为含有官能团的不饱和化合物的甲基丙烯酸异氰基乙酯3.5重量份并使其进行反应，得到聚合性聚合物。
然后，相对于所得到的聚合性聚合物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合光聚合引发剂(Esacure One、日本SiberHegner公司制)1重量份和异氰酸酯固化剂(Coronate L)0.15重量份，得到固化型粘合剂的乙酸乙酯溶液。
利用刮刀将得到的固化型粘合剂的乙酸乙酯溶液涂敷在单面实施了脱模处理的50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上以使得干燥皮膜的厚度成为40μm，在110℃加热5分钟而使涂敷溶液干燥，得到粘合剂层。
将得到的粘合剂层贴合在形成有导电层的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基材的导电层侧，得到粘合带。
(3)表面电阻率的测定
利用基于JIS K7194的方法来测定粘合带的粘合剂层侧的表面电阻率。即，对于所得到的粘合带的粘合剂层，利用以等间隔排列成一条直线状且探针间隔为5mm的探针来测定9个点的表面电阻率，求出其平均值作为表面电阻率。
关于表面电阻率，在使用烘箱进行180℃、6小时的加热之前和之后均测定表面电阻率。
(4)可见光透射率的测定
使用雾度计(日本电饰公司制“NDH-2000”)，基于JIS K7105来测定粘合带的可见光透射率。
(5)热分解量的测定
在热天平(SII公司制、TG/DTA6200)的铝盘上称量5～10mg的粘合带，在空气气氛中(流量200mL/分钟)且以升温速度5℃/分钟的条件从常温(30℃)升温到400℃。求出此时的220℃时的热分解量。
(实施例2～8、比较例1～3)
使导电层的种类、厚度如表1所示，除此以外，与实施例1同样地制造粘合带，测定表面电阻率、可见光透射率和热分解量。
需要说明的是，表1中，SUS表示不锈钢(SUS310s)，HASTELLOY表示HASTELLOY C-276。
(评价)
对于实施例和比较例中得到的粘合带，利用以下方法进行评价。
将结果示于表1。
(1)对准标记的识别性的评价
将所得到的粘合带贴附于在电路面上带有对准标记的半导体器件的电路面上，使其成为图1所示的状态。作为对准标记，使用了纵100μm、横100μm的“+”标记。在该状态下从粘合带侧(图1中基材23侧)通过照相机观察半导体器件的电路面。将该操作进行100次。将在100次中有98次以上可以通过照相机识别出对准标记的情况评价为“◎”，将有95次以上且97次以下可以通过照相机识别出对准标记的情况评价为“○”，将仅能识别出94次以下的情况评价为“×”。
需要说明的是，观察是使用切割装置(Disco公司制、DFD6361)的对准标记识别功能来进行的。此时，在反射照明输出20～80％、倾斜照明输出20～80％的条件下确认了对准标记的识别性。
(2)半导体器件的良品率的评价
将所得到的粘合带贴附在半导体器件的电路面上，使其成为图1所示的状态。在该状态下实施等离子体灰化处理(SUMCO公司制、PC-300、RF输出250W、真空度10～50Pa、气体流量(O2)10～20sccm)，评价半导体器件的良品率。对于所得到的半导体器件，通过测定电气特性和电路工作来进行良品、不良品的判定。
将通过该方法处理100个半导体器件时良品率(良品的比率)为98％以上的情况评价为“◎”，将良品率(良品的比率)小于98％且为95％以上的情况评价为“○”，将良品率(良品的比率)小于95％且为90％以上的情况评价为“△”，将良品率(良品的比率)小于90％的情况评价为“×”。
需要说明的是，对于无法识别对准标记的比较例3，没有进行良品率的评价。
[表1]
产业上的可利用性
根据本发明，可以提供一种半导体保护用粘合带、以及使用该半导体保护用粘合带的处理半导体的方法，所述半导体保护用粘合带在半导体制造工艺中贴附于半导体器件的电路面时，可以透过粘合带来识别半导体器件上的电路图案，并且即使在供于180℃以上的高温处理时也可以发挥出高抗静电性能。
符号的说明
1 半导体器件
12 凸起
2 粘合带
21 粘合剂层
22 导电层
23 基材

Claims (8)

1.一种半导体保护用粘合带，其特征在于，其具有粘合剂层和层叠于该粘合剂层的一个面的导电层，
所述粘合剂层侧的表面电阻率在180℃、6小时的加热之前和之后均为1.0×104Ω/□以上且9.9×1013Ω/□以下，并且从所述导电层侧所测得的可见光透射率为30％以上。
2.根据权利要求1所述的半导体保护用粘合带，其中，导电层包含金属、合金或金属化合物。
3.根据权利要求1或2所述的半导体保护用粘合带，其中，导电层的厚度为2nm以上且300nm以下。
4.根据权利要求1、2或3所述的半导体保护用粘合带，其中，导电层层叠于粘合剂层的一个面的整面，或者导电层形成均匀的图案形状而局部地层叠于粘合剂层的一个面。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体保护用粘合带，其中，在导电层的与粘合剂层相反侧的面层叠有基材。
6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的半导体保护用粘合带，其220℃时的热分解量为10重量％以下。
7.根据权利要求1、2、3、4、5或6所述的半导体保护用粘合带，其用于半导体的制造，所述半导体的制造包括：在半导体的电路面贴附粘合带的工序、以及对半导体进行180℃以上的高温处理的工序。
8.一种处理半导体的方法，其特征在于，其包括：在半导体的电路面贴附半导体保护用粘合带的工序、以及对半导体进行180℃以上的高温处理的工序，其中，
所述半导体保护用粘合带具有粘合剂层和层叠于该粘合剂层的一个面的导电层，所述半导体保护用粘合带的所述粘合剂层侧的表面电阻率在180℃、6小时的加热之前和之后均为1.0×104Ω/□以上且9.9×1013Ω/□以下，并且从所述导电层侧所测得的可见光透射率为30％以上。
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