CN110047654B - 层叠陶瓷电容器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供具有适当的形状的侧边缘部的层叠陶瓷电容器，该层叠陶瓷电容器包括层叠部和侧边缘部，上述层叠部具有电容形成部、引出部和覆盖部，形成有朝向第1方向的主面、朝向上述第2方向的端面以及朝向与上述第1方向和上述第2方向正交的第3方向的侧面，上述侧边缘部设置在上述侧面，上述侧面具有由上述主面的外缘构成的沿上述第2方向延伸的第1直线部、由上述端面的外缘构成的沿上述第1方向延伸的第2直线部以及连接上述第1直线部与上述第2直线部的角部，角部具有规定的弯曲形状。

Description

层叠陶瓷电容器
技术领域
本发明涉及具有侧边缘部的层叠陶瓷电容器。
背景技术
近年来，伴随电子设备的小型化和高性能化，对于在电子设备中使用的层叠陶瓷电容器的小型化和大容量化的需求愈加强烈。为了响应该需求，扩大层叠陶瓷电容器的内部电极是有效的。为了扩大内部电极，需要使用于确保内部电极的周围的绝缘性的侧边缘部变薄。
另一方面，在一般的层叠陶瓷电容器的制造方法中，由于各工序(例如内部电极的图案形成、层叠片的切割等)的精度，难以形成均匀的厚度的侧边缘部。因而，在这样的层叠陶瓷电容器的制造方法中，侧边缘部越薄，越难以确保内部电极的周围的绝缘性。
在专利文献1中公开有后添加侧边缘部的技术。即，在该技术中，在使内部电极露出于侧面的状态的生芯片中，将该生芯片的侧面按压于陶瓷生片。由此，对侧面用陶瓷生片进行冲裁，设置陶瓷保护层(侧边缘部)。根据该技术，能够形成均匀的厚度的侧边缘部，因此即使在使侧边缘部变薄的情况下，也能够确保内部电极的周围的绝缘性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-209539号公报
发明内容
发明所要解决的问题
另一方面，在如专利文献1中记载的那样，将生芯片的侧面按压于侧面用陶瓷生片的情况下，存在陶瓷生片翻卷而粘贴在生芯片的侧面以外的面的情况。另一方面，还存在陶瓷生片没有被充分冲裁而不能形成侧边缘部的情况。
鉴于以上那样的情况，本发明的目的在于提供具有适当的形状的侧边缘部的层叠陶瓷电容器。
用于解决问题的方式
为了达到上述目的，本发明的一个方式的层叠陶瓷电容器包括层叠部和侧边缘部。
上述层叠部具有电容形成部、引出部和覆盖部。
上述电容形成部在第1方向上层叠有内部电极。
上述引出部从上述电容形成部向与上述第1方向正交的第2方向延伸，引出上述内部电极。
上述覆盖部从上述第1方向覆盖上述电容形成部和上述引出部。
在上述层叠部形成有朝向第1方向的主面、朝向上述第2方向的端面以及朝向与上述第1方向和上述第2方向正交的第3方向的侧面。
上述侧边缘部设置在上述侧面。
上述侧面具有由上述主面的外缘构成的在上述第2方向上延伸的第1直线部、由上述端面的外缘构成的在上述第1方向上延伸的第2直线部、以及连接上述第1直线部与上述第2直线部的角部。
当设上述第1直线部在上述第2方向上延长的第1假想线与上述第2直线部的上述第1假想线侧的端点之间的、沿上述第1方向的距离为a，上述第2直线部在上述第1方向上延长的第2假想线与从上述侧面露出的上述引出部的端部即位于上述电容形成部和上述覆盖部的交界的端部之间的、沿上述第2方向的距离为b时，上述角部以满足0.4≤a/b≤2.5且10μm≤a≤60μm、10μm≤b≤60μm的条件的方式弯曲。
根据上述结构，形成侧边缘部的层叠部的侧面形成为角带圆弧的长方形。利用满足上述条件的角部，在对侧边缘部形成用的陶瓷片进行冲裁来形成侧边缘部的情况下，能够使对于该陶瓷片的负荷分散，作用适当的大小的剪切力。由此，能够以沿着上述侧面的外缘的形状冲裁该陶瓷片，能够设置适当的形状的侧边缘部。
上述角部还可以以满足0.5≤a/b≤1.5的条件的方式弯曲。
由此，能够有效地抑制剪切力在该陶瓷片的角部附近集中，更可靠地防止侧边缘部的外观不良。
上述角部还可以以满足1.0≤a/b≤1.5且10μm≤b≤30μm的条件的方式弯曲。
由此，即使在使引出部的沿着第2方向的长度尺寸变短的情况下，也能够对上述陶瓷片作用适当的大小的剪切力。因而，能够提高层叠陶瓷电容器中电容形成部所占的比例，实现小型且大容量化，并且能够设置适当的形状的侧边缘部。
发明的效果
如以上那样，根据本发明，能够提供能够设置适当的形状的侧边缘部的层叠陶瓷电容器。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的层叠陶瓷电容器的立体图。
图2是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的A-A’线的截面图。
图3是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的B-B’线的截面图。
图4是表示上述层叠陶瓷电容器的制造方法的流程图。
图5是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的平面图。
图6是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。
图7是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的截面图。
图8是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。
图9是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的截面图。
图10是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的截面图。
图11是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的截面图。
图12是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。
图13是图2的部分放大图。
图14是表示本实施方式的比较例的未烧制的层叠芯片的立体图。
图15是表示上述比较例的层叠陶瓷电容器的制造过程的平面图。
图16是表示上述比较例的层叠陶瓷电容器的制造过程的截面图。
图17是表示上述比较例的未烧制的陶瓷主体的立体图。
附图标记的说明
10 层叠陶瓷电容器
11 陶瓷主体
12、13 内部电极
14、15 外部电极
16 层叠部
17 侧边缘部
18 电容形成部
19、19a、19b 引出部
20 覆盖部
16a 端面
16b 侧面
16c 主面
161 第1直线部
162 第2直线部
163 角部
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
在附图中，适当地表示彼此正交的X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴在所有图中是共通的。
1.层叠陶瓷电容器10的整体结构
图1～3是表示本发明的一实施方式的层叠陶瓷电容器10的图。图1是层叠陶瓷电容器10的立体图。图2是层叠陶瓷电容器10的沿图1的A-A’线的截面图。图3是层叠陶瓷电容器10的沿图1的B-B’线的截面图。
层叠陶瓷电容器10包括陶瓷主体11、第1外部电极14和第2外部电极15。陶瓷主体11典型地具有朝向Z轴方向的2个主面、朝向X轴方向的2个端面和朝向Y轴方向的2个侧面。另外，连接陶瓷主体11的各面的棱部带有圆弧。
外部电极14、15覆盖陶瓷主体11的端面，夹着陶瓷主体11在X轴方向上相对。外部电极14、15从陶瓷主体11的端面延伸到主面和侧面。由此，在外部电极14、15，与X-Z平面平行的截面和与X-Y平面平行的截面均为U字形。另外，外部电极14、15的形状并不限定于图1所示的形状。
外部电极14、15由电的良导体形成。作为形成外部电极14、15的电的良导体，例如能够举例以铜(Cu)、镍(Ni)、锡(Sn)、钯(Pd)、铂(Pt)、银(Ag)、金(Au)等为主成分的金属或合金。
陶瓷主体11由电介质陶瓷形成，具有层叠部16和侧边缘部17。在层叠部16形成有朝向X轴方向的2个端面16a、朝向Y轴方向的2个侧面16b和朝向Z轴方向的2个主面16c。侧边缘部17分别覆盖层叠部16的2个侧面16b。另外，图2所示的截面对应于层叠部16的侧面16b。
层叠部16具有沿X-Y平面延展的平板状的多个陶瓷层在Z轴方向上层叠的结构。层叠部16具有电容形成部18、2个引出部19和2个覆盖部20。引出部19分别设置在电容形成部18的X轴方向两侧。引出部19与覆盖部20一起构成连接于外部电极14、15的端面16a。
覆盖部20从Z轴方向上下覆盖电容形成部18和引出部19。覆盖部20的朝向Z轴方向的表面构成层叠部16的2个主面16c。覆盖部20包括覆盖电容形成部18的Z轴方向上下的第1覆盖区域21和覆盖引出部19的Z轴方向上下的第2覆盖区域22。另外，在第1覆盖区域21上的主面16c形成有平坦区域16d(参照图13)。
电容形成部18具有沿X-Y平面延展的片状的多个第1内部电极12和第2内部电极13。在电容形成部18，内部电极12、13隔着多个陶瓷层在Z轴方向上交替地层叠。即，内部电极12、13隔着陶瓷层在Z轴方向上相对。电容形成部18具有积蓄层叠陶瓷电容器10的电荷的功能。
内部电极12、13形成在电容形成部18的Y轴方向的整个宽度上，并露出于层叠部16的两个侧面16b。在陶瓷主体11，通过覆盖层叠部16的两个侧面16b的侧边缘部17能够确保在层叠部16的两个侧面16b中的相邻的内部电极12、13间的绝缘性。
引出部19中，在第1引出部19a，第1内部电极12从电容形成部18至与第1外部电极14相接的端面16a向X轴方向外方延伸。在第2引出部19b，第2内部电极13从电容形成部18至与第2外部电极15相接的端面16a向X轴方向外延伸。由此，第1内部电极12与第1外部电极14连接，第2内部电极13与第2外部电极15连接。
第1引出部19a的第1内部电极12间的陶瓷层作为确保第2内部电极13与第1外部电极14的绝缘性的端边缘发挥作用。同样，第2引出部19b的第2内部电极13间的陶瓷层作为确保第1内部电极12与第2外部电极15的绝缘性的端边缘发挥作用。
根据这样的结构，在层叠陶瓷电容器10，当对第1外部电极14与第2外部电极15之间施加电压时，电压施加于第1内部电极12与第2内部电极13之间的多个陶瓷层。由此，在层叠陶瓷电容器10，能够蓄积与第1外部电极14和第2外部电极15之间的电压相应的电荷。
在陶瓷主体11，为了增大内部电极12、13间的各陶瓷层的电容，能够使用高介电常数的电介质陶瓷。作为高介电常数的电介质陶瓷，例如能够举例以钛酸钡(BaTiO3)为代表的、含有钡(Ba)和钛(Ti)的钙钛矿结构的材料。
另外，陶瓷层也可以由钛酸锶(SrTiO3)类、钛酸钙(CaTiO3)类、钛酸镁(MgTiO3)类、锆酸钙(CaZrO3)类、钛酸锆酸钙(Ca(Zr，Ti)O3)类、锆酸钡(BaZrO3)类和酸化钛(TiO2)类等构成。
内部电极12、13由电的良导体形成。作为形成内部电极12、13的电的良导体，典型地能够举例镍(Ni)，此外还能够列举以铜(Cu)、钯(Pd)、铂(Pt)、银(Ag)、金(Au)等为主成分的金属或合金。
另外，本实施方式的层叠陶瓷电容器10的结构并不限定于图1～3所示的结构。例如，内部电极12、13的个数能够根据层叠陶瓷电容器10所要求的尺寸和性能适当地决定。
如图2所示，第2覆盖区域22上的主面16c朝向Z轴方向内方弯曲。随之，引出部19也以Z轴方向的高度尺寸随着从电容形成部18向端面16a去而逐渐减小的方式构成，在引出部19中的内部电极12、13也随着向端面16a去而向Z轴方向内方弯曲地配置。例如，在端面16a的引出部19的沿Z轴方向的高度尺寸为在与电容形成部18的交界部的引出部19的沿Z轴方向的高度尺寸的8成以下。
由此，侧面16b构成为带圆角的长方形构成。
上述结构的层叠陶瓷电容器10通过以下的制造方法形成。
2.层叠陶瓷电容器10的制造方法
图4是表示层叠陶瓷电容器10的制造方法的流程图。图5～12是示意地表示层叠陶瓷电容器10的制造过程的图。以下，根据图4，适当地参照图5～12说明层叠陶瓷电容器10的制造方法。
2.1步骤S01：陶瓷片层叠
在步骤S01，准备用于形成电容形成部18的第1陶瓷片101以及第2陶瓷片102，和用于形成覆盖部20的第3陶瓷片103，并将它们层叠。
陶瓷片101、102、103作为以电介质陶瓷为主成分的未烧制的电介质陶瓷生片构成。陶瓷片101、102、103例如使用辊涂机、刮片等形成为片状。陶瓷片101、102、103的厚度能够适当地调节。
图5是陶瓷片101、102、103的平面图。在该阶段，陶瓷片101、102、103作为未被单片化的大面积的片构成。在图5中表示按每个层叠陶瓷电容器10单个化时的切割线Lx、Ly。切割线Lx与X轴平行，切割线Ly与Y轴平行。
如图5所示，在第1陶瓷片101形成有与第1内部电极12对应的未烧制的第1内部电极112，在第2陶瓷片102形成有与第2内部电极13对应的未烧制的第2内部电极113。另外，在与覆盖部20对应的第3陶瓷片103没有形成内部电极。
内部电极112、113能够通过在陶瓷片101、102涂敷任意的导电性膏来形成。导电性膏的涂敷方法能够从公知的技术任意地选择。例如，在导电性膏的涂敷中能够使用丝网印刷法、凹版印刷法。
在第1陶瓷片101，没有涂敷内部电极112的非电极形成区域N1沿切割线Ly形成为带状。同样，在第2陶瓷片102，没有涂敷内部电极113的非电极形成区域N2沿切割线Ly形成为带状。非电极形成区域N1与非电极形成区域N2在X轴方向上彼此错开地配置。即，通过非电极形成区域N1的切割线Ly与通过非电极形成区域N2的切割线Ly交替地排列。
将这些陶瓷片101、102、103如图6所示那样层叠，制作层叠片104。即，将第1陶瓷片101和第2陶瓷片102交替地层叠，且在陶瓷片101、102的层叠体的Z轴方向上下面层叠第3陶瓷片103。在层叠片104中，内部电极113层叠在非电极形成区域N1上，内部电极112层叠在非电极形成区域N2上。另外，在图6所示的例子中，第3陶瓷片103分别被各层叠了3个，但第3陶瓷片103的个数能够适当地变更。
2.2步骤S02：压接
在步骤S02，将层叠片104从Z轴方向压接。
图7是说明步骤S02的压接工序的、从Y轴方向看时的示意性截面图。
在本步骤的压接工序中，通过以在Z轴方向上夹着层叠片104的方式使一对加压板S1相对，向着层叠片104对这些加压板S1加压，由此将层叠片104压接。加压板S1例如通过静水压加压或单轴加压等被加压。
进一步，在加压板S1与层叠片104之间配置弹性片S2。弹性片S2由片状的弹性体构成，例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂形成。弹性片S2通过加压板S1向层叠片104被加压。
此处，在层叠片104形成有：层叠有内部电极112、113两者的电容形成区域105；层叠有第1内部电极112和非电极形成区域N2的第1引出区域106a；和层叠有内部电极113和非电极形成区域N1的第2引出区域106b。电容形成区域105对应于电容形成部18和覆盖部20的第1覆盖区域21。第1引出区域106a对应于第1引出部19a和覆盖部20的第2覆盖区域22。第2引出区域106b对应于第2引出部19b和覆盖部20的第2覆盖区域22。第1和第2引出区域106a、106b还统称为引出区域106。
通过夹入弹性片S2地对这样的层叠片104加压，能够如以下说明的那样形成向Z轴方向内方沉入的形状的引出区域106。
在电容形成区域105包含内部电极112、113两者，无间隙地层叠陶瓷片101、102、103。由此，电容形成区域105通过压接工序整体在X-Y平面上延展的同时大致均匀地被压缩。其结果是，电容形成区域105上形成大致平坦的面。
另一方面，在加压前的引出区域106形成有对应于非电极形成区域N1、N2的间隙。此外，生片与内部电极112、113相比更柔软而容易延伸。因此，由于加压，从电容形成区域105延伸出的生片进入该间隙。
进一步，弹性片S2能够通过弹性变形对厚度薄的引出区域106也充分地施加负荷。由此，在引出区域106中，从电容形成区域105延伸的生片与自加压前所层叠的生片一边在X-Y平面内延伸一边在Z轴方向上被压接。因而，在引出区域106，内部电极112、113间的厚度随着从电容形成区域105侧向切割线Ly去而逐渐变薄。其结果是，引出区域106包含内部电极112、113在内的整体以在切割线Ly附近向Z轴方向内方大幅地沉入的方式形成。
2.3步骤S03：切割
在步骤S03，通过沿切割线Lx、Ly对在步骤S02压接后的层叠片104进行切割，制作图8所示的未烧制的层叠芯片116。层叠芯片116对应于烧制后的层叠部16。在压接后的层叠片104的切割时，例如使用压切刀具或旋转刀具等。
如图8所示，层叠芯片116具有对应于电容形成部18的未烧制的电容形成部118、对应于引出部19的未烧制的引出部119和对应于覆盖部20的未烧制的覆盖部120。电容形成部118在对应于陶瓷层的生片之间交替地层叠有内部电极112、113的两者。另一方面，在引出部119，内部电极112、113的任一者隔着生片地层叠。
此外，在层叠芯片116，形成有在X轴方向上彼此相对的2个端面116a、在Y轴方向上彼此相对的2个侧面116b和在Z轴方向上彼此相对的2个主面116c。
端面116a和侧面116b对应于切割工序中的切割面，作为大致平坦的面构成。
主面116c通过在步骤S02的压接工序中从Z轴方向对构成未烧制的覆盖部120的最外层的第3陶瓷片103加压而形成。在主面116c形成对应于电容形成区域105的平坦区域116d。
此外，在主面116c的平坦区域116d外方，与在步骤S02的压接工序中所形成的引出区域106对应地形成向Z轴方向内方弯曲的曲面。因而，层叠芯片116的侧面116b具有起因于该曲面的带圆弧的角部116g，构成角部带圆弧的长方形。
2.4步骤S04：侧边缘部形成
在步骤S04，在通过步骤S03中所获得的层叠芯片116的内部电极112、113露出的侧面116b设置未烧制的侧边缘部117。以下，使用图9～11，对步骤S05的侧边缘部117的形成工序进行说明。
首先，如图9所示那样，由弹性体构成的平板状的基底部件S3上配置陶瓷片117s，使利用胶带T保持着一个侧面116b的层叠芯片116的另一个侧面116b与陶瓷片117s相对。
接着，如图10所示那样，以层叠芯片116的侧面116b在Y轴方向上按压陶瓷片117s。层叠芯片116与陶瓷片117s一起局部地深陷于基底部件S3。此时，沿侧面116b的外缘对陶瓷片117s施加剪切力，当该剪切力达到陶瓷片117s的剪切强度以上时，陶瓷片117s被冲裁。由此，如图11所示那样，陶瓷片117s中与层叠芯片116一起沉陷的部分作为侧边缘部117被切离。
图12是表示在层叠芯片116形成有未烧制的侧边缘部117的未烧制的陶瓷主体111的图。侧边缘部117仅在侧面116b设置，具有与侧面116b的形状对应的平面形状。
2.5步骤S05：烧制
在步骤S05，通过对步骤S04所获得的未烧制的陶瓷主体111进行烧制，制作图1～图3所示的层叠陶瓷电容器10的陶瓷主体11。步骤S05的烧制温度能够根据陶瓷主体111的烧结温度决定。此外，烧制例如能够在还原气氛下或低氧分压气氛下进行。
2.6步骤S06：外部电极形成
在步骤S06，在通过步骤S05所获得的陶瓷主体11的X轴方向两端部形成外部电极14、15。步骤S06中的外部电极14、15的形成方法能够从公知的方法中任意地选择。由此，形成图1～3所示那样的层叠陶瓷电容器10。
另外，也可以在步骤S05之前进行上述的步骤S06的处理的一部分。例如，也可以在步骤S05之前，在未烧制的陶瓷主体111的X轴方向两个端面涂敷未烧制的电极材料，在步骤S05，在烧制未烧制的陶瓷主体111的同时烧结(烤印)未烧制的电极材料来形成外部电极14、15的基底层。此外，还可以在脱粘合剂处理后的陶瓷主体111涂敷未烧制的电极材料，对它们同时进行烧制。
通过以上处理，完成层叠陶瓷电容器10。在该制造方法中，在露出有内部电极12、13的层叠部16的侧面16b后添设侧边缘部17，陶瓷主体11的多个内部电极12、13的端部的Y轴方向的位置以0.5μm以内的偏差沿Z轴方向对齐。
此外，在烧制后的层叠部16的侧面16b，形成与在未烧制的层叠芯片116的侧面116b形成的带圆弧的角部116g对应的角部163。以下，对侧面16b的形状进行说明。
3.层叠部16的侧面16b的详细结构
图13是表示图2的层叠部16的部分截面图，是将层叠部16的侧面16b的一部分放大后的图。
侧面16b在从Y轴方向看时的平面视图中构成为角带圆弧的大致长方形。即，侧面16b具有：由2个主面16c的外缘分别构成的2个第1直线部161；由2个端面16a的外缘分别构成的2个第2直线部162；以及连接第1直线部161与第2直线部162之间的弯曲的4个角部163。2个第1直线部161在Z轴方向上彼此相对，2个第2直线部162在X轴方向上彼此相对。
侧面16b构成为关于Z轴方向和X轴方向大致线对称。因此，在以下的说明中，对1个角部163和与之相连接的第1直线部161和第2直线部162的结构进行详细说明。
第1直线部161是沿X轴方向延伸的直线部分，由主面16c的平坦区域16d构成。即，第1直线部161对应于通过步骤S02的压接工序形成的平坦区域116d，形成在覆盖电容形成部18的第1覆盖区域21上。
另外，第1直线部161实质上为直线即可，例如也可以在陶瓷主体11的Z轴方向的高度尺寸的1％以内的微小范围内在Z轴方向上蜿蜒、弯曲等。
第1直线部161的端点P1位于第1覆盖区域21的X轴方向周缘部。此处，在步骤S02的压接工序中，负荷相对于电容形成区域105集中，陶瓷片101、102、103从电容形成区域105向引出区域106延伸。由此，存在在电容形成区域105的X轴方向周缘部相比中央部压缩率高的情况。因而，端点P1，在X轴方向上位于与引出部19和电容形成部18的交界部(即后述的端部P3)相同的位置、或位于比引出部19的端部P3靠电容形成部18侧的位置。
第2直线部162在Z轴方向上延伸，由作为平坦面的端面16a的外缘构成。由此，第2直线部162的端点P2位于端面16a的Z轴方向端部。另外，第2直线部162实质上为直线即可，例如也可以在陶瓷主体11的X轴方向的长度尺寸的0.5％以内的微小范围内在X轴方向上蜿蜒、弯曲等。
角部163是连接第1直线部161的端点P1与第2直线部162的端点P2的曲线部分，如上述那样对应于未烧制的侧面116b的角部116g。角部163由主面116c的在X轴方向周缘部的Y轴方向的外缘构成，主要由覆盖引出部19的第2覆盖区域22形成。
角部163的形状由以下的a和b的比率和值来定义。a是与角部163的沿Z轴方向的高度尺寸对应的值，b是与角部163的沿X轴方向的长度尺寸对应的值。由此能够限定角部163的优选形状。
更具体而言，a为从第1直线部161延长的第1假想线L1与第2直线部162的第1假想线L1侧的端点P2之间的、沿Z轴方向的距离。在步骤S02的压接工序中形成的引出区域106的压缩率越大a的值就越大。由此，能够通过陶瓷片101、102的层叠数和陶瓷片101、102的厚度的至少一者来调节a的值。
此外，b为从第2直线部162延长的第2假想线L2与露出于侧面16b的引出部19的端部即位于电容形成部18和覆盖部20的交界的端部P3之间的、沿X轴方向的距离。b的值能够通过引出部19的X轴方向的尺寸调节。
实际上，由于难以控制第1直线部161的端点P1的在X轴方向的位置，所以也存在从端点P1至第2假想线L2的角部163的沿X轴方向的长度尺寸与b的值不一致的情况。但是，引出部19上的第2覆盖区域22可靠地向Z轴方向内方弯曲而构成角部163。因此，在本实施方式中，为了规定角部163的X轴方向的长度尺寸，使用与引出部19的Z轴方向最外层的X轴方向的长度尺寸对应的b。
角部163以满足0.4≤a/b≤2.5且10μm≤a≤60μm、10μm≤b≤60μm的条件的方式弯曲。由此，在步骤S04，能够良好地冲裁陶瓷片117s，能够设置仅在侧面16b形成的适当形状的侧边缘部117。
以下，使用比较例说明角部163的作用效果。
图14是表示本实施方式的比较例的未烧制的层叠芯片216的立体图。
层叠芯片216与层叠芯片116同样，具有层叠有内部电极212、213的未烧制的电容形成部218、分别引出内部电极212、213的一者的2个引出部219和未烧制的覆盖部220。在层叠芯片216，与层叠芯片116同样，形成有在X轴方向上彼此相对的2个端面216a、在Y轴方向上彼此相对的2个侧面216b和在Z轴方向上彼此相对的2个主面216c。
层叠芯片216的整个主面216c大致平坦地构成。因此，侧面216b的角部216g与角部116g相比更有棱角地形成。即，烧制后的侧面216b的角部216g满足0.4＞a/b和10μm＞a的至少任一个条件，而不满足0.4≤a/b≤2.5且10μm≤a≤60μm、10μm≤b≤60μm的条件。
这样的层叠芯片216例如通过在陶瓷片101、102的非电极形成区域N1、N2印刷陶瓷膏而形成。由此，陶瓷片101、102的Z轴方向的厚度在面内均匀，在将它们层叠而形成的层叠片，Z轴方向的厚度也大致均匀。因而，在步骤S02的压接工序中引出区域也几乎不弯曲，从而能够制作有棱角的形状的层叠芯片216。
在层叠芯片216的侧边缘部217的形成工序中，首先，与图9的层叠芯片116同样地使层叠芯片216的侧面216b与陶瓷片117s相对。接着，与图10同样地用层叠芯片216的侧面216b按压陶瓷片117s。
图15表示用层叠芯片216的侧面216b按压陶瓷片117s的情形，是从Y轴方向看时的示意性平面图。另外，在图15中省略了图9～图11所示的胶带T和内部电极112、113的图示。
侧面216b的角部216g如上述那样带有棱角。因此，在陶瓷片117s的角部216g的附近被施加由大致平坦的主面216c的外缘作用的剪切力和由大致平坦的端面216a作用的剪切力这两个力。即，沿Z轴方向的剪切力和沿X轴方向的剪切力集中于陶瓷片117s的角部216g的附近。其结果是，在陶瓷片117s的角部216g附近产生强的剪切应力，在陶瓷片117s会产生裂缝R。
因而，如图16所示那样，当以侧面216b冲裁陶瓷片117s时，陶瓷片117s由于裂缝R而破裂，形成附着有碎片F的侧边缘部217。
其结果是，如图17所示那样，在侧面216b以外的端面216a和主面216c，形成粘带有从侧边缘部217延伸出的碎片F的未烧制的陶瓷主体211。由于碎片F的存在，层叠陶瓷电容器的外观变差，成品率下降。
因此，在层叠陶瓷电容器10，未烧制的角部116g以使得烧制后的侧面16b的角部163满足0.4≤a/b和10μm≤a的条件的方式大幅弯曲地形成。因此，在步骤S04的侧边缘部117的形成工序中，能够使沿角部116g的外缘的剪切力作用于陶瓷片117s。其结果是，能够使对陶瓷片117s施加的负荷分散，能够防止陶瓷片117s的破裂。因而，能够将陶瓷片117s以沿侧面116b的外缘的形状冲裁，能够防止层叠陶瓷电容器10的外观不良。
另一方面，在层叠部的侧面的角部满足a＞60μm、b＞60μm的情况下，在侧面中角部所占的比例变大，角部更大幅度地弯曲。在这种情况下，在侧边缘部形成工序中，由侧面施加至陶瓷片的剪切力变小，冲裁陶瓷片变得困难。
在角部成为a/b＞2.5的情况下也同样，角部向Z轴方向内方大幅地弯曲，可能发生陶瓷片的冲裁不良。进一步，在这种情况下，第1直线部的端点附近有时成为带棱角的形状。由此，还存在剪切力集中于第1直线部的端点附近的陶瓷片，产生与图17的陶瓷主体211同样的外观不良的情况。
因此，在层叠陶瓷电容器10，通过烧制后的侧面16b的角部163满足a/b≤2.5和a≤60μm、b≤60μm的条件，能够使得未烧制的侧面116b对陶瓷片117s作用充分的剪切力。因而，能够防止陶瓷片117s的冲裁不良。
此外，通过烧制后的侧面16b的角部163满足10μm≤b的条件，能够充分确保引出部19的沿X轴方向的长度尺寸，充分确保在端边缘的绝缘耐压。进一步，利用在层叠片104中的陶瓷片101、102的层叠的错开，能够抑制第1外部电极14与第2内部电极13的导通、第2外部电极15与第1内部电极12的导通。因而，能够防止在引出部19发生短路。
总结以上内容，以使得侧面16b的角部163满足0.4≤a/b≤2.5且10μm≤a≤60μm、10μm≤b≤60μm的条件的方式制作层叠陶瓷电容器10，能够形成适当的形状的侧边缘部17，并且能够充分地确保层叠陶瓷电容器10的可靠性。由此，能够提高层叠陶瓷电容器10的成品率。
进一步，通过使得角部163满足0.5≤a/b≤1.5的条件，能够更可靠地防止外观不良，能够进一步提高层叠陶瓷电容器10的成品率。
此外，为了不改变陶瓷主体11的尺寸而增大层叠陶瓷电容器10的容量，增大内部电极12、13的交叉面积而缩短引出部19的沿X轴方向的长度尺寸即可。例如，还考虑到在端边缘的绝缘性，能够以使角部163满足10μm≤b≤30μm的条件的方式进行设计。
在这种情况下，通过进一步使角部163满足1.0≤a/b≤1.5的条件，即使在角部163小的情况下也能够对陶瓷片117s作用适当的剪切力。由此，能够实现小型且大容量、设置有适当的形状的侧边缘部17的层叠陶瓷电容器10。
4.实施例和比较例
作为本实施方式的实施例和比较例，制作具有各种各样的形状的层叠部的侧面的层叠陶瓷电容器的试样，调查侧边缘部形成时的问题的发生。在这些试样中，令X轴方向的尺寸为1.0mm，令Y轴方向和Z轴方向的尺寸为0.5mm。
表1中表示层叠陶瓷电容器的各实施例和比较例的试样中测定的、上述侧面的角部的a和b的值，以及由这些值计算出的a/b的值。另外，表1所示的值均为各实施例和比较例的100个试样的平均值。
[表1]
Figure BDA0001948704390000151
Figure BDA0001948704390000161
a是对应于该角部的沿Z轴方向的高度尺寸的值。即，如图13所示，a为从该侧面(16b)的沿着X轴方向的第1直线部(161)延长出的第1假想线(L1)与该侧面(16b)的沿Z轴方向的第2直线部(162)的第1假想线(L1)侧的端点(P2)之间的、沿Z轴方向的距离。
b是对应于该角部的沿X轴方向的长度尺寸的值。即，如图13所示，b为第2直线部(162)延长的第2假想线(L2)与引出部(19)的端部即位于电容形成部(18)和覆盖部(20)的交界的端部(P3)之间的、沿X轴方向的距离。
如表1所示，实施例1～11的试样的角部均满足0.4≤a/b≤2.5且10μm≤a≤60μm、10μm≤b≤60μm的条件。
另一方面，比较例1、2的试样的a均9μm，均不满足10μm≤a的条件。
进一步，比较例1的试样的a/b为0.24，不满足0.4≤a/b的条件。
比较例3的试样的a为61μm，b为62μm，不满足a≤60μm的条件。
比较例4的试样的a为61μm，a/b为2.90，不满足a≤60μm和a/b≤2.5的条件。
对这些实施例1～11、比较例1～4的试样调查了侧边缘部形成用的陶瓷片的冲裁不良的发生个数。这种情况下的冲裁不良是指，在侧边缘部形成时，陶瓷片的整体不能冲裁或陶瓷片的一部分不能冲裁，不能在侧面形成侧边缘部。
在角部满足0.4≤a/b≤2.5且10μm≤a≤60μm、10μm≤b≤60μm的条件的实施例1～11，没有发生冲裁不良。
另一方面，在a、b的值均大于60μm的比较例3中，100个试样中有30个发生了冲裁不良，非常多。因此，确认到即使在角部满足0.4≤a/b≤2.5的条件的情况下，也由于不满足a≤60μm、b≤60μm的条件而发生冲裁不良，难以恰当地设置侧边缘部。
进一步，在a/b大于2.5的比较例4中，100个试样中有5个发生了冲裁不良。由此确认到，在角部，a/b大于2.5的情况下，作用于陶瓷片的剪切力不稳定，难以适当地设置侧边缘部。
接着，对实施例1～11、比较例1～4的试样中没有发生冲裁不良的试样，调查了侧边缘部形成用的陶瓷片的碎片附着于层叠部的侧面以外而引起的外观不良的发生个数。具体而言，对实施例1～11和比较例1、2中100个试样、比较例3中70个试样、比较例4中95个试样调查了外观不良的发生个数。
在a的值小于10μm的比较例1、2中，100个试样中有9个或10个发生了外观不良。此外，在a的值大于60μm、a/b的值大于2.5的比较例4中，没有发生冲裁不良的95个试样中也有9个发生了外观不良。
另一方面，在实施例1～11中，100个试样中发生了外观不良的试样均为2个以下，成品率良好。例如，在a/b的值为0.40的实施例11、a/b的值为2.26的实施例1中，外观不良的试样也止于2个。另外，比较例3的没有发生冲裁不良的70个试样中也没有发生外观不良的试样。
因此，确认到通过使角部满足10μm≤a且0.4≤a/b≤2.5的条件，能够抑制侧边缘部形成用的陶瓷片的延展引起的外观不良的发生。
实际上，对实施例1～11的试样的侧面与发生了外观不良的比较例1、2、4的试样的侧面的形状进行比较发现，实施例1～11的角部更圆滑，比较例1、2、4的角部更有棱角。因此，认为通过使角部满足0.4≤a/b≤2.5的条件，能够抑制剪切力在上述陶瓷片的角部附近的集中。
进一步，在角部的a/b的值为0.52(实施例9)以上1.45(实施例3)以下的实施例3～9中，在全部100个试样中均未发生上述外观不良。由此确认到，通过使角部满足0.5≤a/b≤1.5的条件，能够更可靠地防止外观不良。
不仅如此，在未发生外观不良的实施例3～7中、b的值为29μm的实施例3中，a/b的值为1.45，在b的值为28μm的实施例4中，a/b的值为1.07。由此确认到，在以成为10μm≤b≤30μm的方式使引出部的长度尺寸变小的情况下，也能够以满足1.0≤a/b≤1.5的方式设计角部，由此能够防止外观不良。即，通过使角部满足10μm≤b≤30μm且1.0≤a/b≤1.5，能够在提高成品率的同时扩大内部电极的交叉面积而实现大容量化。
此外，在引出部(端边缘)的长度尺寸小于10μm的层叠陶瓷电容器中，发生层叠偏移引起的短路、起因于绝缘耐压的不足导致的短路，不能充分确保作为层叠陶瓷电容器的可靠性。因此确认到，通过使对应于引出部的长度尺寸的b为10μm以上，能够确保层叠陶瓷电容器的可靠性。
根据以上说明确认到，通过使角部满足0.4≤a/b≤2.5且10μm≤a≤60μm、10μm≤b≤60μm的条件，能够抑制冲裁不良和外观不良等侧边缘部形成时的问题的发生。
5.其它实施方式
以上，对本发明的各实施方式进行了说明，但本发明当然并不仅限定于上述的实施方式，而能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变更。
关于层叠陶瓷电容器10的制造方法，只要能够在层叠部16的侧面16b形成上述形状的角部163即可，并不限定于上述的制造方法。
而且，在层叠陶瓷电容器10，也可以是电容形成部18在Z轴方向上分为多个地设置。在这种情况下，在各电容形成部18中内部电极12、13沿Z轴方向交替地配置即可，也可以在电容形成部18变换的部分连续地配置第1内部电极12或第2内部电极13。

Claims (3)

1.一种层叠陶瓷电容器，其特征在于，包括：
层叠部，其具有：在第1方向上层叠有内部电极的电容形成部；从所述电容形成部向与所述第1方向正交的第2方向延伸的、引出有所述内部电极的引出部；和从所述第1方向覆盖所述电容形成部和所述引出部的覆盖部，并且所述层叠部形成有朝向所述第1方向的主面、朝向所述第2方向的端面、以及朝向与所述第1方向和所述第2方向正交的第3方向的侧面；和
设置在所述侧面的侧边缘部，
所述侧面具有：由所述主面的外缘构成的沿所述第2方向延伸的2个第1直线部；由所述端面的外缘构成的沿所述第1方向延伸的2个第2直线部；和连接所述第1直线部与所述第2直线部的4个角部，
关于所述4个角部中的任意一个角部，当设和该一个角部相连的所述第1直线部在所述第2方向上延长的第1假想线与和该一个角部相连的所述第2直线部的所述第1假想线侧的端点之间的、沿所述第1方向的距离为a，所述第2直线部在所述第1方向上延长的第2假想线与从所述侧面露出的所述引出部的端部之间的、沿所述第2方向的距离为b时，该一个角部以满足0.4≤a/b≤2.5且10μm≤a≤60μm、10μm≤b≤60μm的条件的方式弯曲，其中，所述引出部的端部是所述引出部的位于所述电容形成部和所述覆盖部的交界的端部。
2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述角部以还满足0.5≤a/b≤1.5的条件的方式弯曲。
3.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述角部以还满足1.0≤a/b≤1.5且10μm≤b≤30μm的条件的方式弯曲。
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