CN110034033A - 位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置 - Google Patents

位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110034033A
CN110034033A CN201811537784.6A CN201811537784A CN110034033A CN 110034033 A CN110034033 A CN 110034033A CN 201811537784 A CN201811537784 A CN 201811537784A CN 110034033 A CN110034033 A CN 110034033A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrical connection
positional shift
connection section
pad
interconnecting piece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811537784.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110034033B (zh
Inventor
井川祐太
村越健一
东坂浩由
赤濑成之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN110034033A publication Critical patent/CN110034033A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110034033B publication Critical patent/CN110034033B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41716—Cathode or anode electrodes for thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/081—Disposition
    • H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/08135—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/08145—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8012—Aligning
    • H01L2224/80121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

用简单的方法来准确地检测半导体元件的电连接单元和与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移。根据半导体元件的电极焊盘2与设备的电极5之间的导通状态，来检测这些电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。电极焊盘2被分割为数个，第一焊盘21至第四电极焊盘24均匀排列设置。位置偏移检测部在电极焊盘2与电极5导通时，判断为不存在所述位置偏移，电极焊盘2未与电极5导通时，判断为存在所述位置偏移。

Description

位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置
技术领域
本发明提供一种位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及使用该位置偏移检测方法的显示装置。
背景技术
将掩模或设备贴合到半导体集成电路元件等半导体元件上时，会在所述半导体元件的表面铺设导体层。该导体层主要用于用作接线导体，他的一部分形成有半导体元件连接焊盘用的导体图案，该导体图案用于连接所述半导体元件的电极取出部(半导体的电极部)。当把掩模或设备等接合到半导体集成电路上时，会使用十字形或圆形的定位标识来作为定位用的标记。
然而，在连接微芯片等设备时，在过去的目视定位标记的同时进行定位的方法可能会导致位置偏移。特别是由微小的电流值控制的微芯片中，与产生的位置偏移相当的电阻值可能会对设备的电特性产生很大影响，有时也发生随着位置偏移而产生亮度变化的情况。另外，使用了定位标识的方法无法通过目视确认到这些设备的电导通状态，难以防止不当操作的发生。
针对这些问题，通过如专利文献1，提出一种根据电连接的电极对的形状和尺寸等信息来求得位置偏移量的电极板的定位方法。这种方法中，需要在初始状态下进行粗略对准之后，反复进行修正移动来实现精细对准，既繁琐耗时又长，且需要多次操作，可以说很不实用。
现有技术文献
专利文件1
专利特开平10-332789号公告
发明内容
本发明所要解决的技术问题
本发明鉴于所述现有的问题而成，其目的在于：提供一种位置偏移检测方法与位置偏移检测装置，该位置偏移检测方法能够通过简单的方法准确地检测出半导体元件的电连接部以及与该半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移，以及提供一种使用该位置偏移检测方法的可靠性高的显示器。
解决问题的手段
为达成所述目的的本发明的解决方法是：一种位置偏移检测方法，用于检测半导体元件的电连接部以及与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移，其特征在于：基于所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部的导通状态，来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移。
其中，所述导通状态包括：所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的短路或开放状态，以及所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的阻力值的变化状态。
通过该特定事项，与现有的依靠目视的定位相比精度提高，能够适当地将所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部定位。
另外，对所述半导体元件的电连接部以及与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移进行检测的检测装置也是本发明的技术思想的范畴。即，该位置偏移检测装置的特征在于：具有位置偏移检测部，其根据所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移。
通过所述结构的位置偏移检测装置，能够适当地定位所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部的。根据所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态(是否存在电连接)，来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移，因此，能够确认是否存在位置偏移，还能够同时确认所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态。
所述位置偏移检测装置中，更具体的结构可以是如下结构：所述位置偏移检测部在所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部导通时，判断为不存在所述位置偏移，另一方面，在所述半导体元件的电连接部未与所述设备的电连接部导通时，判断为存在所述位置偏移的结构；或是与该结构相反的，在所述半导体元件的电连接部未与所述设备的电连接部导通时，判断为不存在位置偏移，而在导通时判断为存在位置偏移的结构。
由此，即使是判断所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态或非导通状态的简单结构，也能够容易地检测出所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间是否存在位置偏移。
优选的，所述位置偏移检测装置中，所述半导体元件的电连接部被分割为多个。
由此，通过所述半导体元件中的被分割为多个的每个电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态，能够容易地检测出这些电连接部彼此之间是否存在位置偏移。
还优选的，所述位置偏移检测装置中，所述位置偏移检测部与所述半导体元件的被分割为多个的每个电连接部通过电阻电连接。
由此，即使是测定电连接的电阻的阻值的简单结构，也能够判断出所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间是否存在位置偏移。
优选的，所述位置偏移检测装置中，所述半导体元件的电连接部具有与导通的所述设备的电连接部之间的允许位置偏移量相对应的大小。
由此，能够以包含允许位置偏移量的方式根据所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态判断是否存在位置偏移。
还优选的，所述位置偏移检测装置中，所述半导体元件的电连接部具有沿着规定的第一方向并隔开规定的第一间隔并列设置的第一连接部以及第二连接部与沿着与第一方向垂直的规定的第二方向并隔开规定的第二间隔并列设置的第三连接部以及第四连接部。
由此，能够判断电连接的所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部中相对于所述第一方向以及所述第二方向的位置偏移。
还优选的，所述位置偏移检测装置中，所述第一连接部以及所述第二连接部与所述第三连接部以及所述第四连接部以所述第一间隔以及所述第二间隔重叠的方式设置。
通过这种结构，能够更详细地对所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部在第一方向上的位置偏移以及在第二方向上的位置偏移进行检测。
还优选的，所述位置偏移检测装置中，所述半导体元件的电连接部还具有位于所述第一间隔与所述第二间隔的中央部的中央连接部，再优选的，所述第一连接部与所述第二连接部具有分别被分割为多个的刻度连接部，各刻度连接部沿着所述第一方向排列，所述第三连接部与所述第四连接部具有分别被分割为多个而形成的刻度连接部，各刻度连接部沿着所述第二方向排列。
通过这种结构，能够根据所述第一连接部以及所述第二连接部的刻度连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态来容易地检测出所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部在第一方向上的位置偏移量。并且，能够根据所述第三连接部以及所述第四连接部的刻度连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态来容易地检测出所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部在第二方向上的位置偏移量。
优选的，所述位置偏移检测方法中，更具体的方法如下：具有位置偏移检测部，其根据所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移，所述位置偏移检测部按照所述半导体元件的电连接部中的以沿着第一方向隔开间隔并列设置的第一连接部以及第二连接部，与沿着与所述第一方向垂直的第二方向隔开间隔并列设置的第三连接部以及第四连接部为一组的每个连接部群，在所述第一连接部至所述第四连接部与所述设备的各电连接部处于导通以及未导通的任一方时判断为不存在所述位置偏移。并且，所述半导体元件的每个连接部群的所述第一连接部到所述第四连接部中，与所述设备的电连接部导通的所述第一连接部至所述第四连接部的组合，与未与所述设备的电连接部导通的所述第一连接部至所述第四连接部的组合在所述多组连接部群之间相同的情况下，判断为所述第一方向或所述第二方向的所述位置偏移。并且优选的，所述半导体元件的每个连接部群的所述第一连接部到所述第四连接部中，与所述设备的电连接部导通的所述第一连接部至所述第四连接部的组合，与未与所述设备的电连接部导通的所述第一连接部至所述第四连接部的组合在所述多组连接部群之间不同的情况下，判断为所述旋转方向的所述位置偏移。
还优选的，作为所述位置偏移检测方法，所述偏移检测部与沿着所述半导体元件的电连接部上的第一方向隔开间隔并列设置的第一连接部以及第二连接部，与沿着与所述第一方向垂直的第二方向隔开间隔并列设置的第三连接部以及第四连接部通过第一电阻至第四电阻分别电连接，并根据所述第一连接部至所述第四连接部与所述位置偏移检测部之间的阻值来判断是否存在位置偏移。
通过这种位置偏移检测方法的具体结构，能够适当地判断出所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间是否存在位置偏移。
并且，应用上述解决手段所涉及的位置偏移检测方法的显示装置也是本发明的技术思想范畴。也就是说，一种显示装置，采用根据所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移的位置检测方法，其特征在于：所述设备由发光设备组成，所述半导体元件由驱动所述发光设备的驱动元件组成。还优选的，所述显示装置中，所述驱动元件内设有位置偏移检测部。
通过这种结构，能够适当地将所述发光设备与所述驱动元件定位并进行安装，确保它们之间的良好的导通状态，并能够提供可靠性更高的显示装置。
发明效果
本发明中，结构如下：根据半导体元件的电连接部以及与其电连接的设备的电连接部之间的导通状态，来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移。因此，能够适当地将所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部的定位，不仅能够确认是否存在所谓位置偏移，同时也能确认所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态。
并且，本发明中应用了所述位置偏移检测方法的显示装置中，能够高精度地对发光设备与驱动该发光设备的驱动元件之间的位置偏移进行检测，作为可靠性高的显示装置。
附图说明
图1是示出实施方式1所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的示意图。
图2是示出实施方式1所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的其他例的示意图。
图3是示出实施方式2所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的示意图。
图4是示出实施方式2所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的其他例的示意图。
图5是示出实施方式2所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的其他例的示意图。
图6是示出实施方式3所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的示意图。
图7是示出实施方式3所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的其他例的示意图。
图8是示出实施方式4所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的示意图。
图9是示出实施方式5所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的示意图。
图10是示出实施方式5所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的其他例的示意图。
图11是示出实施方式5所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的又一其他例的示意图。
图12是示出实施方式6所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的示意图。
图13是示出实施方式7所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的示意图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边说明关于本发明的实施方式所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置。
(实施方式1)
图1～图2是示出本发明的实施方式1所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置的示意图。
本发明所涉及的位置偏移检测方法，是对半导体元件的电连接部以及与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移进行检测的方法。实施该位置偏移检测方法的位置偏移检测装置具有位置偏移检测部1，其根据所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移。
如图1所示，作为位置偏移检测装置具有半导体元件，并形成有无图示的集成电路元件。半导体元件上，设有电极焊盘2作为与集成电路元件电连接的电连接部。电极焊盘2上安装有设备，对置配置并连接例如电极5作为与该半导体元件连接的设备侧的电连接部。
作为半导体元件的电连接部的电极焊盘2，与作为设备侧的电连接部的电极5之间的“导通状态”中包括：例如，电极焊盘2与电极5之间的短路或开放状态，或者电极焊盘2与电极5之间的阻值的变化状态。
电极焊盘2以多种布局图案形成。图1(a)中所示布局图案中，半导体元件的电极焊盘2具有第一焊盘21至第四焊盘24的四个焊盘。其中，第一焊盘(第一连接部)21与第二焊盘(第二连接部)22沿着X方向(第一方向)排列。并且，第三焊盘(第三连接部)23与第四焊盘(第四连接部)24沿着与X方向垂直的Y方向(第二方向)排列。
这些第一焊盘21与第二焊盘22隔开规定的第一间隔Dx沿着X方向并列设置。并且，第三焊盘23与第四焊盘24隔开规定的第二间隔Dy沿着Y方向并列设置。第一焊盘21与第二焊盘22之间的第一间隔Dx与，第三焊盘23与第四焊盘24之间的第二间隔Dy共通，并以相互重叠的方式设置。
另外，所示的方式中，电极焊盘2以第一焊盘21至第四焊盘24的四个焊盘为一组，沿着X方向并列设有两组电极焊盘(连接部群)2。如图1(b)所示，与半导体元件的电极焊盘2连接的设备上，与两组电极焊盘2相对应地具有两个电极5。
位置偏移检测部中，根据电极焊盘2与电极5的导通状态来判断是否存在位置偏移。该判断是在所有的电极焊盘2与电极5都发生短路时，判断为不存在位置偏移。
也就是说，如图1(b)所示，第一焊盘21至第四焊盘24全部发生短路(导通)时，判断为电极焊盘2与电极5之间不存在位置偏移。设备侧的电极5相对于两组电极焊盘2的每一组都位于X方向以及Y方向的中央部，并处于正常安装的状态(正常安装状态)。
与之相对地，当一部分电极焊盘2与电极5开放时，判断为存在位置偏移。如图1(c)所示的示例中，在两组电极焊盘2上，分别有第一焊盘21与第四焊盘24被短路，第二焊盘22与第三焊盘23被开放(未导通)。因此，这种情况下，位置偏移检测部判断为存在位置偏移，并检测出电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。
并且，如图1(d)所示的示例中，在两组电极焊盘2上，第四焊盘24被短路，第一焊盘21至第三焊盘23被开放。这种情况下也是，位置偏移检测部判断为存在位置偏移。如此，第一焊盘21至第四焊盘24中，发生短路的焊盘少时，判断为存在较大位置偏移，或者判断为电导通不充分。由于短路的只是第四焊盘24，因此，判断为存在Y方向上的较大位置偏移，并检测出电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。
由此，操作人员不再需要依靠目视将电极焊盘2与电极5定位，能够根据电极焊盘2与电极5之间的导通状态来判断是否存在位置偏移。而且，能够将电极焊盘2与电极5定位，并且，能够确认电极焊盘2与电极5之间是否导通。
另外，如图2所示的示例中，位置偏移检测部1中对旋转方向上的位置偏移进行检测。这种情况下，对围绕与X方向以及Y方向两者都垂直的Z方向(第三方向)的轴线的旋转方向上的位置偏移进行检测。
图2中，图中左侧的电极5相对于电极焊盘2，处于在X方向的第一焊盘21以及第二焊盘22与Y方向的第四焊盘24上短路，而在第三焊盘23上开放的状态。并且，图中右侧的电极5处于在Y方向的第四焊盘24上开放，而在第三焊盘23与X方向的第一焊盘21以及第二焊盘22上短路的状态。根据这种导通状态，通过位置偏移检测部能够判断为存在旋转方向上的位置偏移，并检测出电极焊盘2与电极5之间的位置偏移。
再者，这些电极焊盘2或电极5的数量并不局限于示例中所示的两组电极焊盘2对应两个电极5，也可以是更多数量的电极焊盘2与电极5电连接的结构。通过扩大多个电极5的相互间隔，能够更高精度地对旋转方向上的位置偏移进行检测。并且，已经示例了第一焊盘21与第二焊盘22之间的第一间隔Dx以及第三焊盘23与第四焊盘24之间的第二间隔Dy相重叠的结构，但并不局限于此，也可以使第一间隔Dx不同于第二间隔Dy，或者互相错开的方式来配置各焊盘21～24，更详细地对X方向或Y方向上的位置偏移量进行检测。
(实施方式2)
图3～图5是示出实施方式2所涉及的位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置的示意图。
另外，以下说明的实施方式2～7所涉及的位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置中，电极焊盘2的布局图案具有特征，其基本结构与所述实施方式1相同，因此对于相同结构使用与实施方式1中同样的附图标记，并省略其详细说明。
这种方式所涉及的位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置中，以包含允许位置偏移量的方式判断电极焊盘2与电极5之间是否存在位置偏移，如果所述位置偏移在允许位置偏移量的范围内，判断为不存在位置偏移。电极焊盘2由对应于与电极5之间的允许位置偏移量的配置方式构成。
图3(a)所示的示例中，对于一边长度为L的正方形的电极5，根据电极焊盘2与电极5之间的允许位置偏移量来规定第一焊盘21与第二焊盘22之间的第一间隔Dx。即，设X方向的允许位置偏移量为Wx时，第一间隔Dx设定为：
Dx＝L-2Wx+2α(α：导通所需的连接范围)。
电极焊盘2中，以第一焊盘21与第二焊盘22之间具有该第一间隔Dx的方式配置。并且，同样地，设Y方向的允许位置偏移量为Wy时，第三焊盘23与第四焊盘24之间的第二间隔Dy设定为：
Dy＝L-2Wy+2α(α：导通所需的连接范围)，
并以第三焊盘23与第四焊盘24之间具有该第二间隔Dy的方式配置。第一焊盘21与第二焊盘22之间的中间点配置为与第三焊盘23与第四焊盘24之间的中间点一致。
由此，能够把从电极5的宽度减去电极焊盘2的宽度和导通所需的连接范围α后得到的长度设定为电极焊盘2与电极5之间的允许位置偏移量。
图3(b)所示的示例中，布局图案为：把允许位置偏移量Wx、Wy设定得小(设定为与连接范围α相当，或者连接范围α加上微小的公差β)，能够实现精密的定位。并且，图3(c)所示的示例中，布局图案为：规定X方向的允许位置偏移量Wx与Y方向的允许位置偏移量Wy不同，相比于X方向，Y方向上更能实现精密的定位。
并且，图3(d)所示的示例中，与图3(c)同样，规定X方向的允许位置偏移量Wx与Y方向的允许位置偏移量Wy不同，相比于X方向，Y方向上更能实现精密的定位，并且电极5为长方形。通过电极焊盘2的这种多样的布局图案，能够根据电极焊盘2与电极5之间的定位的程度来检测位置偏移。
图4(a)以及图4(b)中示例说明了电极焊盘2与电极5之间的连接方式，电极焊盘2是根据X方向的允许位置偏移量Wx与Y方向的允许位置偏移量Wy配置的。图4(a)中，相对于电极焊盘2的第一焊盘21至第四焊盘24，电极5几乎均匀地设置并短路，不存在位置偏移且处于正常安装状态。此时，确认电极焊盘2与电极5之间电导通。
与之相对地，图4(b)中，与图4(a)的示例相比，虽然电极5在X方向以及Y方向上发生位置偏移，但第一焊盘21至第四焊盘24均发生短路。因此，在该情况下，能够判断为在允许位置偏移量的范围内连接，不存在位置偏移。
图5(a)以及图5(b)中，作为电极焊盘2与电极5之间的连接方式的示例，示出了将X方向的允许位置偏移量Wx与Y方向的允许位置偏移量Wy设定得小的情况。图5(a)中，相对于电极焊盘2的第一焊盘21至第四焊盘24，电极5几乎均匀地设置并短路，不存在位置偏移且处于正常安装状态。此时，确认电极焊盘2与电极5之间电导通。
与之相对地，图5(b)中，与图5(a)的示例相比，电极5在X方向以及Y方向上发生位置偏移，成为在第一焊盘21与第四焊盘24上发生短路，在第二焊盘22与第三焊盘23上开放的状态。在该情况下，通过位置偏移检测部判断为存在位置偏移，并对电极焊盘2与电极5之间的位置偏移进行检测。
并且，虽然示例了具有第一焊盘21至第四焊盘24的一组电极焊盘2作为半导体元件的电极焊盘2，但电极焊盘2不局限于一组，也可以是如所述实施方式1所示的多组。这与后述的实施方式3以及实施方式4也是一样的。
(实施方式3)
图6与图7是示出实施方式3所涉及的位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置的示意图。
该方式所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置中，电极焊盘2具有第一焊盘21至第四焊盘24分别被分割为多个的结构。如图6(a)所示，沿着X方向并列设置的第一焊盘21以及第二焊盘22具有分别被分割为多个而形成的刻度焊盘(刻度连接部)3，该刻度焊盘3沿着X方向均匀地排列。并且同样的，沿着Y方向并列设置的第三焊盘23以及第四焊盘24具有分别被分割为多个而形成的刻度焊盘(刻度连接部)3，该刻度焊盘3沿着Y方向均匀地排列。
如图6(a)所示的示例中，配置成相对于电极焊盘2的第一焊盘21至第四焊盘24，电极5分别与相同数量的刻度焊盘3短路。由此，电极5与电极焊盘2之间不存在位置偏移，确认电导通状态并处于正常安装状态。
另外，电极焊盘2中，可以通过目视确认电极5相对于刻度焊盘3的位置关系，并判断是否存在位置偏移。相对于图6(a)的正常安装状态，例如图6(b)所示的示例中，第一焊盘21上的刻度焊盘3的外形与第二焊盘22上的刻度焊盘3的外形不同。因此，可以通过目视判断为电极5在X方向(图中左向)出现位置偏移。并且，由于第三焊盘23上的刻度焊盘3的外形与第四焊盘24上的刻度焊盘3的外形不同，可以通过目视判断为在Y方向(图中朝上方向)出现位置偏移。
更优选的，作为第一焊盘21至第四焊盘24而具有的多个刻度焊盘3中，分别电连接有检测焊盘41。如图7(a)所示，检测焊盘41相对于刻度焊盘3分别单独连接，由此可以检测出是哪一个刻度焊盘3上发生短路。并且，图7(a)与图7(b)中表示了检测焊盘41与刻度焊盘3的连接线并省略了一部分。
例如，如图7(a)所示的示例中，同样检测出第一焊盘21至第四焊盘24中的任何一个都在三个刻度焊盘3上发生短路，判断为不存在位置偏移。并且，如图7(b)所示的示例中，第一焊盘21与第二焊盘22上发生短路的刻度焊盘3的数量不同，判断为存在X方向上的位置偏移，同时，由于第三焊盘23与第四焊盘24上发生短路的刻度焊盘3的数量不同，还检测出Y方向的位置偏移。在检测焊盘41上，由于检测出哪一个刻度焊盘3上发生了短路，不仅可以判断是否存在位置偏移，而且可以判断该位置偏移量。
由此，电极焊盘2与电极5之间是否存在位置偏移不仅可以通过目视，还可以通过被分割为数个的每个第一焊盘21以及第二焊盘22与电极5之间的导通状态来容易地检测出X方向的位置偏移量。特别是对难以进行目视的精细的定位有效。另外，根据被分割为数个的第三焊盘23以及第四焊盘24与电极5之间的导通状态，能够容易地检测出Y方向的位置偏移量。
(实施方式4)
图8是实施方式4所涉及的位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置的示意图。
该方式所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置中，电极焊盘2还具有中央焊盘25。如图所示，中央焊盘25设置于X方向上的第一焊盘21与第二焊盘22之间的第一间隔的中央，以及Y方向上的第三焊盘23与第四焊盘24之间的第二间隔的中央。
相对于被分割为数个而形成的刻度焊盘3，检测焊盘41A分别通过电阻42电连接。中央焊盘25上分别连接有检测焊盘41B。
此时，第一焊盘21至第四焊盘24分别具有多个刻度焊盘3，在图8所示的示例中具有5个刻度焊盘31～35。因此，电极焊盘2与电极5之间的位置偏移量可以分解为5个阶段进行判断。
这种电极焊盘2是通过与无图示的设备侧的电极5连接，来检测出中央焊盘25与第一焊盘21至第四焊盘24的刻度焊盘3之间的导通状态的。此时，第一焊盘21至第四焊盘24中，根据在哪一个刻度焊盘31～35上发生短路，与中央焊盘25之间的阻值就会随之变化(合成阻力)。
例如，各电阻42的阻值为15kΩ时，测得的中央焊盘25与第一焊盘21的刻度焊盘3之间的阻值为：第一刻度焊盘31上为15kΩ，第二刻度焊盘32上为7.5kΩ，第三刻度焊盘33上为5kΩ，第四刻度焊盘34上为3.75kΩ，第五刻度焊盘35上为3kΩ。根据测得的这些阻值，能够分别检测出第一焊盘21至第四焊盘24中的位置偏移量，精度良好地检测出电极焊盘2与电极5之间是否存在位置偏移。
由此，即使是测定与刻度焊盘3电连接的电阻42的阻值的这种简单结构，也能够判断出电极焊盘2与电极5之间是否存在位置偏移，并能够容易且切实地检测出存在位置偏移时的位置偏移量。
再者，该方式所涉及的电极焊盘2的布局图案中，通过多组电极焊盘2以及数量与之相对应的电极5，可以检测出旋转方向上是否存在位置偏移。这种情况下，如所述实施方式1中所示，通过比较电极焊盘2与电极5的每个组合中测得的阻值，能够容易地判断出旋转方向上是否存在位置偏移。
(实施方式5)
图9～图11是实施方式5的位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置的示意图。
该方式所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置中，通过电极焊盘2的布局图案可以用更细致的分辨率来判断位置偏移量。
如图9(a)所示的示例中，电极焊盘2具有中央焊盘25，第一焊盘21与第二焊盘22具有分别被分割为数个并在Y方向上隔开间隔并列设置的刻度焊盘3(31～35)。并且，这些刻度焊盘3上，各刻度焊盘31～35在X方向的第一间隔Dx侧的端部以从第一间隔Dx逐渐远离的方式相互错开设置。
同样的，第三焊盘23与第四焊盘24具有分别被分割为数个并在X方向上隔开间隔并列设置的刻度焊盘3(31～35)。这些刻度焊盘3上，各刻度焊盘31～35在Y方向的第二间隔Dy侧的端部以从第二间隔Dy逐渐远离的方式相互错开设置。
所有这些刻度焊盘3以及中央焊盘25都与所述实施方式4相同，通过电阻42与无图示的检测焊盘41A、41B电连接。
第一焊盘21与第二焊盘22上的刻度焊盘3相互的X方向上的偏移量，以及第三焊盘23与第四焊盘24上的刻度焊盘3相互的Y方向的偏移量是对应于电极焊盘2与电极5之间应该检测出的位置偏移量而规定的。例如将所述X方向的偏移量以及Y方向的偏移量设为0.1μm。
如图9(a)所示的示例中，例如第一焊盘21的五个刻度焊盘3(31～35)在X方向的长度都不同。这五个刻度焊盘3中，图中从上到第四的第一至第四刻度焊盘31～34的长度差相同，在X方向的第一间隔Dx侧的端部以从第一间隔Dx逐渐远离的方式均匀地错开设置。图中从上数第五的第五刻度焊盘35是以足够使电极5在正常安装状态下必然发生短路，相较于其他刻度焊盘31～34足够长而形成的。由此，其结构能够切实地实现在正常安装状态下的电导通。
依据所涉及的电极焊盘2的布局图案，并根据第一焊盘21以及第二焊盘22与电极5的导通状态，能够容易地检测出电极焊盘2与电极5在X方向的位置偏移量。并且，根据第三焊盘23以及第四焊盘24与电极5的导通状态，能够容易地检测出电极焊盘2与电极5在Y方向的位置偏移量。
如图9(b)所示的示例中，第一焊盘21与第三焊盘23上，由于与电极5无电导通且被开放，则检测出X方向以及Y方向的大位置偏移。并且，如图9(c)所示的示例中，第一焊盘21至第四焊盘24的外部还设有多个备用焊盘26。备用焊盘26与刻度焊盘3一样，在X方向或Y方向上，以与第一焊盘21至第四焊盘24同样的设置方式排列而形成重复图案。由此，即使在X方向以及Y方向上存在较大位置偏移的情况下，也能详细地判断出电极5与电极焊盘2之间的位置偏移量。
如图10所示的示例中，第一焊盘21至第四焊盘24全部都通过刻度焊盘31～35的任一个与电极5电导通并短路。发生短路的刻度焊盘3位于第一焊盘21至第四焊盘24上与中央焊盘25点对称的对应位置上。由此，可以判断为电极焊盘2与电极5之间不存在X方向以及Y方向的位置偏移，只存在旋转方向的位置偏移。
并且，如图11(a)以及图11(b)所示，电极焊盘2可以具有更细分化的刻度焊盘3。与图9(a)所示的示例相比，第一焊盘21至第四焊盘24中，刻度焊盘3在长度方向上被分割开。由此，第一焊盘21至第四焊盘24的每一个中，刻度焊盘3在X方向以及Y方向都以多列的排列方式形成。如图11(b)所示，由于刻度焊盘3的数量在X方向以及Y方向上增加，因此能够容易地检测出较大位置偏移量。
(实施方式6)
图12是实施方式6所涉及的位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置的示意图。
该方式所涉及的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置中，通过多组电极焊盘2的布局图案可以判断出旋转方向上是否存在位置偏移。
如图12(a)所示的示例中，其结构为具有两组电极焊盘2。各电极焊盘2具有如前述实施方式5(图9)所示的相同结构。此时，当各电极焊盘2上的第一焊盘21至第四焊盘24都均等地与电极5发生短路时，判断为不存在位置偏移。
与此相对，如图12(b)所示，各电极焊盘2中，图中左侧的电极焊盘2上，在第一焊盘21与第三焊盘23上开放，在第二焊盘22与第四焊盘24上与电极5发生短路。图中右侧的电极焊盘2中，第一焊盘21至第三焊盘23都与电极5发生短路，第四焊盘24上只有一个刻度焊盘3发生短路。如此，当一方的电极焊盘2的短路/开放结构与其他的电极焊盘2的短路/开放结构不同时，判断为旋转方向的位置偏移。
另，当一方的电极焊盘2的短路/开放结构与其他的电极焊盘2的短路/开放结构相同时，判断为X方向或Y方向上存在位置偏移。这种情况下，判断为旋转方向上不存在位置偏移。
这样一来，通过检测多组电极焊盘2以及数量与之对应的电极5之间的短路或开放，能够容易地检测出这些电极焊盘2与电极5在旋转方向上是否存在位置偏移。
并且，根据与两组电极焊盘2所包含的第五刻度焊盘35上的电极5之间的导通状态，可以检测出X方向、Y方向以及旋转方向上的位置偏移。也就是说，根据测得的阻值来确认第五刻度焊盘35与中央焊盘25之间是否存在电导通。如果确认正导通，判断为在所有的第五刻度焊盘35上发生短路，且处于如图12(a)所示的正常安装状态。
两组电极焊盘2相互之间，第五刻度焊盘35与中央焊盘25之间的阻值，在一方的第一焊盘21以及另一方的第二焊盘21之间相同，剩下的第二焊盘22至第四焊盘24中，分别在一方与另一方之间也相同的情况下，也判断为X方向及/或Y方向上存在位置偏移。另外，所涉及的电阻值不同的情况下，判断为如图12(b)所示的在旋转方向上存在位置偏移。
(实施方式7)
图13是实施方式7所涉及的位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置的示意图。
前述位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置可以适当地应用到例如由多个发光设备以二维矩阵排列在LSI芯片上而形成的半导体模块等显示装置。这种情况下，作为所述设备，优选例如由以矩阵状设置的发光设备(LED群)组成。且，作为半导体元件，优选由控制所述发光设备的点亮的驱动元件(驱动器)组成。
再者，当然也可以适用于LSI芯片上搭载有单体的发光设备的半导体模块等显示装置。
如图13所示的位置偏移检测方法与位置偏移检测装置中，多组电极焊盘2的布局图案与前述实施方式4～6相同。位置偏移检测部设置在驱动元件上。多组电极焊盘2上分别连接有发光设备的电极5。对于被分割为数个而形成的刻度焊盘3(31～35)，通过电阻(42)分别连接于检测焊盘41上。
例如，两组电极焊盘2中，把一方的电极焊盘2连接到构成显示部的发光设备周围的虚拟元件的阳极电极上，把另一方的电极焊盘2连接到该虚拟元件的阴极电极上，在一方与另一方的电极焊盘2、2之间施加电压。
如图所示，发光设备的电极5与驱动元件的电极焊盘2相导通，并处于正常安装状态时，所述虚拟元件进入发光状态并点亮。由此，可以判断出电极5与电极焊盘2之间不存在位置偏移，同时电导通被确认。
并且，由此可知，第一焊盘21至第四焊盘24中至少有任一个未导通时，判断为发光设备的电极5与驱动元件的电极焊盘2之间存在位置偏移，包括未导通状态(虚拟元件熄灭，即未点亮)。两组电极焊盘2中，以一方的第一焊盘21与另一方的第一焊盘21，一方的第二焊盘22与另一方的第二焊盘22……这种方式，通过判断在每个对应电极焊盘组合中所述虚拟元件是否点亮，可以判断X方向或Y方向是否存在位置偏移。如果发生位置偏移，显示装置上有可能会出现色差或色移等显示性能低下的情况，因此，由于可以检测出是否存在位置偏移的同时确认导通状态，因此可以获得高发光效率的可靠性高的显示装置。
另外，若设备为发光设备，半导体元件为驱动所述发光设备的驱动元件时，位置偏移检测装置可以如示例中所示的内嵌于显示装置内部，也可以是外装在显示装置外部。并且，作为发光设备，已经示例说明了呈矩阵状排列形成的半导体模块，但该设备不局限于此，发光设备的排列方式也不局限于矩阵状。
所述实施方式中说明的任一个结构中，都能够用容易的方法来确认电连接的设备的电连接部与半导体元件的电连接部之间是否存在位置偏移，同时确认得到它们的导通状态，因此能够进一步地提供可靠性高的显示装置。
另外，所述实施方式的位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置在各方面都已举例说明了，但并不能成为限定性解释的依据。本发明的技术范围并非只由所述实施方式解释，而是以权利要求范围为基础。并且，所有权利要求范围同等意义上或范围内的变更都属于本发明的技术范围内。例如，电极焊盘2上设置的多个电极焊盘并不局限于第一焊盘21至第四电极焊盘24，也可以设置更多的电极焊盘。各电极焊盘2的布局图案也不局限于所述实施方式所示的图案，各种结构都可以包括在内。
再者，所述实施方式中，作为所述位置偏移检测方法以及位置偏移检测装置，已经说明的具体结构为：所述位置偏移检测部在所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部导通时，判断为不存在所述位置偏移，而在所述半导体元件的电连接部未与所述设备的电连接部导通时，判断为存在所述位置偏移，但不局限于此，也可以是与该结构相反的，在所述半导体元件的电连接部未与所述设备的电连接部导通时，判断为不存在位置偏移，而导通时判断为存在位置偏移的结构。
作为后者情况的实施方式，例如，除设于4方向上的第一至第四焊盘21～24的外侧焊盘之外，通过在中心(设备的电连接部的正下方)再设置一个焊盘(中心焊盘)，可以确认在未导通状态时是“不存在位置偏移状态”，还是“无电连接状态”。并且，如果能用两个所述中心焊盘来确认所述设备的动作(如果设备为发光元件，则为发光)的话，判断为不存在位置偏移地被安装，并且能够实现电连接。
如此，理所当然的，本发明的一种位置偏移检测方法与位置偏移装置的结构可以是根据所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态来检测/判断所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移。
另外，是否搭载所述设备(发光元件：LED)可以通过由所述位置偏移检测部在所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部导通时作出的不存在所述位置偏移的判断，与是否搭载所述设备一起进行判断。另一方面，所述位置偏移检测部在所述半导体元件的电连接部未与所述设备的电连接部导通时判断为存在所述位置偏移，此时，可以通过所述中心焊盘来判断是否搭载所述设备，并通过所述外侧焊盘来检测出位置偏移。
通过对所述中心焊盘与设备之间的电连接状态的确认，可以确认是否搭载有所述设备。
例如，所述设备为LED时，由于存在阳极电极/阴极电极，可以通过测定它们之间的正向电压(正向电压：Vf)或使LED发光来进行确认。也就是说，可以通过如下结构来确认：
不存在电连接：
阳极电极/阴极电极间的特性为开放状态，所述外侧焊盘为开放状态。
存在电连接/存在位置偏移：
可以得到阳极电极/阴极电极之间的发光、Vf等特性。所述外侧焊盘与所述中心焊盘之间，以及阳极电极/阴极电极的外侧焊盘之间(同方向)为短路状态(存在导通)。
存在电连接/不存在位置偏移：
可以得到阳极电极/阴极电极之间的发光、Vf等特性。所述外侧焊盘变为开放状态。
再者，想要于所述一个焊盘上进行所述确认时，理所当然的，例如需要进行中心焊盘的分割(4分割程度)等工序。并且，中心的分割后的焊盘的分割部可以是分别被引出到确认用的较大引出焊盘上的结构。通过该结构，所述确认变得容易。
附图标记说明
1 位置偏移检测部
2 电极焊盘(半导体元件的电连接部)
21 第一焊盘
22 第二焊盘
23 第三焊盘
24 第四焊盘
25 中央焊盘
3、31、32、33、34、35 刻度焊盘
Dx 第一间隔
Dy 第二间隔
41、41A、41B 检测焊盘
42 电阻
5 电极(设备的电连接部)

Claims (17)

1.一种位置偏移检测方法，用于检测半导体元件的电连接部以及与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移，其特征在于：基于所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移。
2.一种位置偏移检测装置，用于检测半导体元件的电连接部以及与所述半导体元件的电连接部电连接的设备的电连接部之间的位置偏移，其特征在于：具有位置偏移检测部，基于所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移。
3.根据权利要求2所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述位置偏移检测部在所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部导通时，判断为不存在所述位置偏移，而在所述半导体元件的电连接部未与所述设备的电连接部导通时，判断为存在所述位置偏移。
4.根据权利要求2所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述半导体元件的电连接部被分割为多个。
5.根据权利要求4所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述位置偏移检测部与被分割为多个的每个所述半导体元件的电连接部分别通过电阻电连接。
6.根据权利要求2所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述半导体元件的电连接部的具有与导通的所述设备的电连接部之间的允许位置偏移量对应的大小。
7.根据权利要求2所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述半导体元件的电连接部具有沿着规定的第一方向并以规定的第一间隔并列设置的第一连接部与第二连接部，以及沿着与第一方向垂直的规定的第二方向并以规定的第二间隔并列设置的第三连接部与第四连接部。
8.根据权利要求7所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述第一连接部以及所述第二连接部，与所述第三连接部以及所述第四连接部以所述第一间隔以及所述第二间隔重叠的方式设置。
9.根据权利要求7所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述半导体元件的电连接部还具有位于所述第一间隔以及所述第二间隔的中央部的中央连接部，所述第一连接部以及所述第二连接部分别具有被分割为多个而形成的刻度连接部，各刻度连接部沿着所述第一方向排列，所述第三连接部以及所述第四连接部具有被分割为多个的刻度连接部，各刻度连接部沿着所述第二方向排列而形成。
10.根据权利要求7所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述半导体元件的电连接部还具有位于所述第一间隔以及所述第二间隔的中央部的中央连接部，所述第一连接部以及所述第二连接部分别具有被分割为多个而形成的刻度连接部，各刻度连接部沿着所述第二方向排列而形成，并且，所述刻度连接部上的第一间隔侧的各端部以从该第一间隔逐渐远离的方式相互错开设置，所述第三连接部与所述第四连接部分别具有被分割为多个的刻度连接部，各刻度连接部沿着所述第一方向排列，并且，所述刻度连接部上的所述第二间隔侧的各端部以从该第二间隔逐渐远离的方式相互错开设置。
11.根据权利要求7所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述位置偏移检测部通过所述半导体元件的第一连接部至第四连接部，以及所述设备的电连接部来检测围绕第三方向的轴线的旋转方向上的位置偏移，所述第三方向与所述第一方向以及所述第二方向都垂直。
12.根据权利要求11所述的位置偏移检测装置，其特征在于：所述半导体元件的电连接部具有多组以第一连接部至第四连接部为一组的连接部群，且与所述连接部群的组数相对应地具有多个所述设备的电连接部。
13.根据权利要求1所述的位置偏移检测方法，其特征在于：具有位置偏移检测部，其根据所述半导体元件的电连接部与设备的电连接部之间的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移，所述位置偏移检测部以所述半导体元件的电连接部上的沿着第一方向隔开并列设置的第一连接部以及第二连接部，与沿着与第一方向垂直的第二方向隔开并列设置的第三连接部以及第四连接部为一组而形成的每一个连接部群中，在所述第一连接部至所述第四连接部与所述设备的各电连接部导通以及未导通的任一方时判断为不存在所述位置偏移，所述半导体元件的每个连接部群的所述第一连接部到第四连接部中，与所述设备的电连接部导通的所述第一连接部至所述第四连接部的组合与，未与所述设备的电连接部导通的所述第一连接部至所述第四连接部的组合在所述多组连接部群之间相同，判断为所述第一方向或所述第二方向上的所述位置偏移；如果所述半导体元件的每个连接部群的所述第一连接部到所述第四连接部中，与所述设备的电连接部导通的所述第一连接部至所述第四连接部的组合与，未与所述设备的电连接部导通的所述第一连接部至所述第四连接部的组合在所述多组连接部群之间不同，判断为所述旋转方向上的所述位置偏移。
14.根据权利要求1所述的位置偏移检测方法，其特征在于：具有位置偏移检测部，根据所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的导通状态来检测所述半导体元件的电连接部与所述设备的电连接部之间的位置偏移，所述位置偏移检测部与所述半导体元件的电连接部上的沿着第一方向隔开并列设置的所述第一连接部以及所述第二连接部，与沿着与第一方向垂直的第二方向隔开并列设置的所述第三连接部以及所述第四连接部通过第一电阻至第四电阻分别电连接，根据所述第一连接部至所述第四连接部与所述位置偏移检测部之间的阻值来判断是否存在位置偏移。
15.一种显示装置，其使用权利要求1所述的位置偏移检测方法，其特征在于：所述设备由发光设备组成，所述半导体元件由驱动所述发光设备的驱动元件组成。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于：所述驱动元件内设有位置偏移检测部。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于：所述发光设备的电连接部与所述驱动元件的电连接部导通时，所述发光设备点亮，而所述发光设备的电连接部未与所述驱动元件的电连接部导通时，所述发光设备熄灭。
CN201811537784.6A 2017-12-26 2018-12-15 位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置 Active CN110034033B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017250190A JP7152150B2 (ja) 2017-12-26 2017-12-26 位置ずれ検出方法、位置ずれ検出装置、および表示装置
JP2017-250190 2017-12-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110034033A true CN110034033A (zh) 2019-07-19
CN110034033B CN110034033B (zh) 2023-06-27

Family

ID=66951433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811537784.6A Active CN110034033B (zh) 2017-12-26 2018-12-15 位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10991666B2 (zh)
JP (1) JP7152150B2 (zh)
CN (1) CN110034033B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11099235B1 (en) 2020-04-07 2021-08-24 Winbond Electronics Corp. Semiconductor device and method for detecting needle mark shifting
JP7474964B2 (ja) 2020-08-05 2024-04-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 デバイス製造装置の検査方法及びデバイス製造装置
WO2023145329A1 (ja) * 2022-01-27 2023-08-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198614A (ja) * 1992-01-23 1993-08-06 Hitachi Ltd 半導体チップ，回路基板およびフェースダウンボンディング方法
CN101356644A (zh) * 2006-02-10 2009-01-28 温德克工业股份有限公司 具有可拆卸元件的电子装置
JP2015111061A (ja) * 2013-12-06 2015-06-18 日本電信電話株式会社 接合位置検査システム、方法、および回路基板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63111692A (ja) * 1986-10-30 1988-05-16 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 プリント基板
JPH10332789A (ja) 1997-06-04 1998-12-18 Jsr Corp 電極板の位置合わせ方法
JP2003195249A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Optrex Corp 液晶表示素子およびその検査方法
JP2007067197A (ja) 2005-08-31 2007-03-15 Casio Comput Co Ltd 駆動回路素子の接続構造
KR100809708B1 (ko) * 2006-10-17 2008-03-06 삼성전자주식회사 레이저 얼라인먼트 모니터링 퓨즈 구조 및 이를 구비한반도체 소자 및 레이저 얼라인먼트 모니터링회로
US7592817B2 (en) * 2007-07-17 2009-09-22 International Business Machines Corporation Alignment correction system and method of use
KR100891531B1 (ko) * 2007-09-10 2009-04-03 주식회사 하이닉스반도체 패턴 정렬 불량 검출 장치
JP2009224523A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Canon Inc 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198614A (ja) * 1992-01-23 1993-08-06 Hitachi Ltd 半導体チップ，回路基板およびフェースダウンボンディング方法
CN101356644A (zh) * 2006-02-10 2009-01-28 温德克工业股份有限公司 具有可拆卸元件的电子装置
JP2015111061A (ja) * 2013-12-06 2015-06-18 日本電信電話株式会社 接合位置検査システム、方法、および回路基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP7152150B2 (ja) 2022-10-12
US10991666B2 (en) 2021-04-27
US20190198471A1 (en) 2019-06-27
JP2019117846A (ja) 2019-07-18
CN110034033B (zh) 2023-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110034033A (zh) 位置偏移检测方法、位置偏移检测装置以及显示装置
CN106933426B (zh) 一种触控显示面板、其测试方法及显示装置
TWI480557B (zh) 具有微凸塊接點的半導體結構及測試微凸塊接點的方法
CN109686828B (zh) 一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法
CN104204827B (zh) Esd测试检查装置和esd测试检查方法
CN109147584A (zh) 一种led显示单元组及显示面板
CN104778909A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示设备
CN104793026B (zh) 应用于探针测试装置的支撑结构及其制作方法
CN101320736A (zh) 有机发光显示器件及其母板
CN110095704A (zh) 检测阵列基板中电路缺陷的装置及方法
CN101395486A (zh) 层叠保护结构
US11307245B2 (en) Method for measuring an electric property of a test sample
CN109841535B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN106206338A (zh) 印刷电路板及其测试方法以及制造半导体封装的方法
JP2004184839A (ja) 表示装置
CN107202948A (zh) 高测试密度的电路测试板
CN103140016A (zh) 防止静电释放的pcb电路板
CN208722547U (zh) 显示面板测试电路和显示面板测试装置
JP3163265B2 (ja) フラットケーブルと多層基板の検査装置及び検査方法
CN205910222U (zh) 改进的检测治具的针座结构
US8310267B2 (en) Semiconductor integrated circuit, and method for testing semiconductor integrated circuit
US4904067A (en) Selection device
CN109698185A (zh) 集成电路的配电网络
KR100712179B1 (ko) Ｏｌｅｄ 어레이 기판
US20180302978A1 (en) Power signal transmission structure and design method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant