CN109599345B - 一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法 - Google Patents
一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109599345B CN109599345B CN201811284929.6A CN201811284929A CN109599345B CN 109599345 B CN109599345 B CN 109599345B CN 201811284929 A CN201811284929 A CN 201811284929A CN 109599345 B CN109599345 B CN 109599345B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric material
- bipolar transistor
- heterojunction bipolar
- photosensitive low
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 claims description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法:1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料;2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩,所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔;3)对感光型低介电材料进行曝光显影,去除底部电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料;4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热,使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓;5)之后再通过显影蚀刻工艺,对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔;6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子元器件,尤其涉及异质结双极型晶体管。
技术背景
目前一些先进制程会将异质结双极型晶体管的基极平台做成较陡甚到将BP内缩到BC下面,为了降低基极及集电极间的电容,以改善异质结双极型晶体管的器件特性
但如上的方法,会影响之后的金属连线,特别是蒸镀制程,蒸镀后金属会因形貌太陡而断裂,如图1所示。
发明内容
本发明所要解决的主要技术问题是提供一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法,解决背景技术中存在的问题。
为了解决上述的技术问题,本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法,包括如下步骤:
1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料;
2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩,所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔;
3)对感光型低介电材料进行曝光显影,去除电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料;
4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热,使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓;
5)之后再通过显影蚀刻工艺,对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔
6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜,其中包含电容区域和异质结双极型晶体管区域的位置、以及曝光显影后的感光型低介电材料的上表面。
在一较佳实施例中:所述感光型低介电材料包括但不限于苯并环丁烯。
在一较佳实施例中:所述步骤4和步骤5之间还包括一通过氧化等离子体去除曝光显影后的感光型低介电材料开孔处残留物的步骤。
相较于现有技术,本发明的技术方案具备以下有益效果:
本发明提供的一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法,通过先在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料,并对感光型低介电材料进行平坦化处理,而后在感光型低介电材料上进行金属蒸镀,这样就避免了金属镀膜因为形貌太陡而断裂的情况发生。
附图说明
图1为现有技术中异质结双极型晶体管金属连线断裂的剖视图;
图2-6为本发明优选实施例中异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法的实施流程图。
具体实施方式
为了使本发明技术方案更加清楚,现将本发明结合实施例和附图做进一步详细说明:
本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法,包括如下步骤:
1)在异质结双极型晶体管2上表面涂布一层感光型低介电材料3;所述感光型低介电材料3包括但不限于苯并环丁烯,如图2所示。
2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩,所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔;
3)对感光型低介电材料3进行曝光显影,去除底部电容区域21和基极区域22上的感光型低介电材料3;如图3所示;
4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热,使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓;如图4所示。
5)之后再通过显影蚀刻工艺,对电容区域和其它异质结双极型晶体管2需做金属连线区域做开孔23,如图5所示;
6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜4,其中包含电容区域和异质结双极型晶体管区域的位置、以及曝光显影后的感光型低介电材料的上表面,如图6所示。
本实施例中,所述步骤4和步骤5之间还包括一通过氧化等离子体去除曝光显影后的感光型低介电材料开孔处残留物的步骤。
上述的一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法,通过先在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料,并对感光型低介电材料进行平坦化处理,而后在感光型低介电材料上进行金属蒸镀,这样就避免了金属镀膜因为形貌太陡而断裂的情况发生。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (3)
1.一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法,其特征在于包括如下步骤:
1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料;
2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩,所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔;
3)对感光型低介电材料进行曝光显影,去除底部电容区域和基极区域上的感光型低介电材料;
4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热,使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓;
5)之后再通过显影蚀刻工艺,对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔;
6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜,其中包含电容区域和异质结双极型晶体管区域的位置、以及曝光显影后的感光型低介电材料的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法,其特征在于:所述感光型低介电材料包括苯并环丁烯。
3.根据权利要求1所述的一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法,其特征在于:所述步骤4和步骤5之间还包括一通过氧化等离子体去除曝光显影后的感光型低介电材料开孔处残留物的步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811284929.6A CN109599345B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811284929.6A CN109599345B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109599345A CN109599345A (zh) | 2019-04-09 |
CN109599345B true CN109599345B (zh) | 2020-03-20 |
Family
ID=65957195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811284929.6A Active CN109599345B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109599345B (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4015756B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2007-11-28 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN100524780C (zh) * | 2006-10-27 | 2009-08-05 | 北京京东方光电科技有限公司 | 非保形绝缘薄膜形成方法和应用 |
US8946779B2 (en) * | 2013-02-26 | 2015-02-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | MISHFET and Schottky device integration |
CN104867828B (zh) * | 2015-04-28 | 2018-03-09 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种砷化镓基半导体器件的制作方法 |
CN108346620A (zh) * | 2017-01-23 | 2018-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN107424978A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-12-01 | 杭州立昂东芯微电子有限公司 | 一种化合物半导体层间介电导线及其制备方法 |
-
2018
- 2018-10-31 CN CN201811284929.6A patent/CN109599345B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109599345A (zh) | 2019-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107230661A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
US10204933B2 (en) | Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel | |
US20140084292A1 (en) | Connection to First Metal Layer in Thin Film Transistor Process | |
WO2014121562A1 (zh) | Tn型阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN105489502B (zh) | 薄膜晶体管结构的制造方法 | |
CN109599345B (zh) | 一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法 | |
CN107104044A (zh) | 一种电极制作方法及阵列基板的制作方法 | |
CN104617049A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN108493197B (zh) | 顶栅型阵列基板制备工艺 | |
CN111463252A (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN108550595B (zh) | X-ray探测器阵列基板及其制作方法、X-ray探测器 | |
CN108198824B (zh) | 一种阵列基板的制备方法 | |
JPH11204654A (ja) | 二重ゲート絶縁膜を有するゲート電極の形成方法 | |
KR20100079157A (ko) | 반도체 소자의 mim 캐패시터 형성 방법 및 그에 따른 mim 캐패시터 | |
KR101043343B1 (ko) | 네거티브 포토레지스트를 이용한 에어브릿지 제조방법 | |
CN110379707B (zh) | 一种金属图形化的剥离结构及其制作方法 | |
CN107316907A (zh) | 共面型薄膜晶体管及其制造方法 | |
JP2009302340A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN111192855A (zh) | 一种阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置 | |
TW201306099A (zh) | 顯示面板及其製作方法 | |
CN114023700B (zh) | 一种tft基板的制作方法及tft基板 | |
CN112563191B (zh) | 制造iii-v族半导体装置的互连件的方法及iii-v族半导体装置 | |
JP2013207067A (ja) | 半導体装置、及びその製造方法 | |
KR0147488B1 (ko) | 접촉창 형성방법 | |
KR101255937B1 (ko) | 표시장치용 비아홀 형성 방법 및 비아홀을 갖는 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |