CN109599345A - 一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料；4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔；6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子元器件，尤其涉及异质结双极型晶体管。
技术背景
目前一些先进制程会将异质结双极型晶体管的基极平台做成较陡甚到将BP内缩到BC下面,为了降低基极及集电极间的电容,以改善异质结双极型晶体管的器件特性
但如上的方法,会影响之后的金属连线,特别是蒸镀制程,蒸镀后金属会因形貌太陡而断裂，如图1所示。
发明内容
本发明所要解决的主要技术问题是提供一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，解决背景技术中存在的问题。
为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，包括如下步骤：
1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；
2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；
3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料；
4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；
5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔
6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜,其中包含电容区域和异质结双极型晶体管区域的位置、以及曝光显影后的感光型低介电材料的上表面。
在一较佳实施例中：所述感光型低介电材料包括但不限于苯并环丁烯。
在一较佳实施例中：所述步骤4和步骤5之间还包括一通过氧化等离子体去除曝光显影后的感光型低介电材料开孔处残留物的步骤。
相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：
本发明提供的一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，通过先在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料，并对感光型低介电材料进行平坦化处理，而后在感光型低介电材料上进行金属蒸镀，这样就避免了金属镀膜因为形貌太陡而断裂的情况发生。
附图说明
图1为现有技术中异质结双极型晶体管金属连线断裂的剖视图；
图2-6为本发明优选实施例中异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法的实施流程图。
具体实施方式
为了使本发明技术方案更加清楚，现将本发明结合实施例和附图做进一步详细说明：
本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，包括如下步骤：
1)在异质结双极型晶体管2上表面涂布一层感光型低介电材料3；所述感光型低介电材料3包括但不限于苯并环丁烯，如图2所示。
2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；
3)对感光型低介电材料3进行曝光显影，去除底部电容区域21和基极区域22上的感光型低介电材料3；如图3所示；
4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；如图4所示。
5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管2需做金属连线区域做开孔23，如图5所示；
6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜4,其中包含电容区域和异质结双极型晶体管区域的位置、以及曝光显影后的感光型低介电材料的上表面，如图6所示。
本实施例中，所述步骤4和步骤5之间还包括一通过氧化等离子体去除曝光显影后的感光型低介电材料开孔处残留物的步骤。
上述的一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，通过先在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料，并对感光型低介电材料进行平坦化处理，而后在感光型低介电材料上进行金属蒸镀，这样就避免了金属镀膜因为形貌太陡而断裂的情况发生。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (3)
1.一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，其特征在于包括如下步骤：
1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；
2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；
3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极区域上的感光型低介电材料；
4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；
5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔
6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜,其中包含电容区域和异质结双极型晶体管区域的位置、以及曝光显影后的感光型低介电材料的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，其特征在于：所述感光型低介电材料包括但不限于苯并环丁烯。
3.根据权利要求1所述的一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法，其特征在于：所述步骤4和步骤5之间还包括一通过氧化等离子体去除曝光显影后的感光型低介电材料开孔处残留物的步骤。
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