CN108470621A - 层叠陶瓷电子部件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，具备：制作母块的工序，上述母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着上述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；通过将上述母块沿着相互正交的第一方向的切断线以及第二方向的切断线进行切断，从而得到多个生芯片的工序，上述多个生芯片具有由处于未烧成的状态的多个陶瓷层和多个内部电极构成的层叠构造，且在通过沿着上述第一方向的切断线的切断而出现的切断侧面露出了上述内部电极；通过在上述切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层，从而得到未烧成的部件主体的工序；以及对上述未烧成的部件主体进行烧成的工序，上述层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征在于，用脱脂剂对上述切断侧面进行处理。

Description

层叠陶瓷电子部件的制造方法
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电子部件的制造方法。
背景技术
作为层叠陶瓷电子部件的一个例子，可举出层叠陶瓷电容器。为了制造层叠陶瓷电容器，例如，对形成了内部电极的陶瓷生片进行层叠，在对得到的未烧成的部件主体进行了烧成之后，在烧结后的部件主体的相对置的端面形成外部电极。由此，可得到引出到两侧的端面的内部电极与外部电极电连接的层叠陶瓷电容器。
近年来，伴随着电子部件的小型化以及高功能化，对层叠陶瓷电容器要求小型化以及高电容化。为了实现层叠陶瓷电容器的小型化以及高电容化，增大内部电极在陶瓷生片上占有的有效面积，即，相互对置的内部电极的面积是有效的。
例如，在专利文献1公开了一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，其具备：制作母块(mother block)的工序，所述母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着上述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；通过将上述母块沿着相互正交的第一方向的切断线以及第二方向的切断线进行切断，从而得到多个生芯片(green chip)的工序，所述多个生芯片具有由处于未烧成的状态的多个陶瓷层和多个内部电极构成的层叠构造，且处于在通过沿着上述第一方向的切断线的切断而出现的切断侧面露出了上述内部电极的状态；通过在上述切断侧面涂敷陶瓷膏，形成未烧成的陶瓷保护层，从而得到未烧成的部件主体的工序；以及对上述未烧成的部件主体进行烧成的工序。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5678905号公报
在专利文献1记载的方法中，通过切断母块，使得在侧面露出内部电极，从而增大相互对置的内部电极的面积。但是，在母块的切断中使用了划片(dicing)等方法，由于切断时的应力，内部电极会下垂。因此，内部电极间的距离越短，越容易在切断侧面产生内部电极跨越层间而接触的部位(以下，也称作短路部位)。若在这样的状态下制作芯片部件，则脱脂后的阶段中的短路不良率会增加。根据以上，在制造高电容的层叠陶瓷电容器的方法中，在切断侧面产生短路部位、短路不良率变高的问题令人担忧。
另外，上述的问题不限于制造层叠陶瓷电容器的情况，是制造层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷电子部件的情况所共有的问题。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是为了解决上述的问题而完成的，其目的在于，提供一种在切断侧面不易产生短路部位且短路不良率低的层叠陶瓷电子部件的制造方法。
用于解决课题的技术方案
在第一方式中，本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法具备：制作母块的工序，上述母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着上述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；通过将上述母块沿着相互正交的第一方向的切断线以及第二方向的切断线进行切断，从而得到多个生芯片的工序，上述多个生芯片具有由处于未烧成的状态的多个陶瓷层和多个内部电极构成的层叠构造，且在通过沿着上述第一方向的切断线的切断而出现的切断侧面露出了上述内部电极；通过在上述切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层，从而得到未烧成的部件主体的工序；以及对上述未烧成的部件主体进行烧成的工序，上述层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征在于，用脱脂剂对上述切断侧面进行处理。
在本发明的第一方式中，通过用脱脂剂对露出了内部电极的生芯片的切断侧面进行处理，从而能够除去在切断时产生的内部电极的下垂。因此，在切断侧面不易产生短路部位，因此能够降低短路不良率。可认为，这是因为，用于形成内部电极的导电性膏中包含的树脂成分由于脱脂剂的作用而被乳化和/或被脱脂，其结果是，内部电极下垂的部分从切断侧面脱落。另外，虽然也存在用于形成陶瓷层的陶瓷生片包含的树脂成分也由于脱脂剂的作用而被乳化和/或被脱脂的情况，但是，通常与陶瓷生片相比导电性膏包含的树脂成分的量少，因此若假设在陶瓷生片和导电性膏中相同程度的树脂成分被乳化和/或被脱脂，则可认为构成内部电极的金属成分优先脱落。
在第二方式中，本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法具备：制作母块的工序，上述母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着上述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；通过将上述母块沿着第一方向的切断线进行切断，从而得到多个棒状的生块(green block)体的工序，上述多个棒状的生块体具有由处于未烧成的状态的多个陶瓷层和多个内部电极构成的层叠构造，且在通过沿着上述第一方向的切断线的切断而出现的切断侧面露出了上述内部电极；在上述切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层的工序；将形成了上述未烧成的陶瓷保护层的上述棒状的生块体沿着与上述第一方向正交的第二方向的切断线进行切断，从而得到多个未烧成的部件主体的工序；以及对上述未烧成的部件主体进行烧成的工序，上述层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征在于，用脱脂剂对上述切断侧面进行处理。
在本发明的第二方式中，通过用脱脂剂对露出了内部电极的棒状的生块体的切断侧面进行处理，从而与本发明的第一方式同样地，能够除去在切断时产生的内部电极的下垂。因此，在切断侧面不易产生短路部位，因而能够降低短路不良率。
以下，在不特别区分本发明的第一方式以及第二方式的情况下，仅称作“本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法”。
优选地，在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，在得到上述多个生芯片的工序或得到上述多个棒状的生块体的工序中，通过划片来切断上述母块，且在用于上述划片的切削液中包含上述脱脂剂。
若在用于划片的切削液中包含脱脂剂，则无需另外进行用脱脂剂对切断侧面进行处理的工序，因此能够有效地制造短路不良率低的层叠陶瓷电子部件。
优选地，本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法还具备：对形成上述未烧成的陶瓷保护层之前的上述切断侧面进行使用了磨粒的磨削处理或使用了刀具的切削处理的工序，且在用于上述磨削处理的磨削液或用于上述切削处理的切削液中包含上述脱脂剂。
通过对切断侧面进行磨削处理或切削处理，从而能够除去在切断时产生的内部电极的下垂。此时，通过使用于磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液包含脱脂剂，从而能够进一步除去内部电极的下垂。此外，若在用于磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液中包含脱脂剂，则无需另外进行用脱脂剂对切断侧面进行处理的工序，因此能够有效地制造短路不良率低的层叠陶瓷电子部件。
本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法可以还具备：在进行了上述磨削处理或上述切削处理之后，对形成上述未烧成的陶瓷保护层之前的上述切断侧面进行超声波清洗的工序，且优选在用于上述超声波清洗的清洗液中包含上述脱脂剂。
通过在进行了磨削处理或切削处理之后使用包含脱脂剂的清洗液对切断侧面进行超声波清洗，从而能够进一步除去在切断时产生的内部电极的下垂。
优选地，本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法还具备：在切断了上述母块之后，对形成上述未烧成的陶瓷保护层之前的上述切断侧面进行超声波清洗的工序，且在用于上述超声波清洗的清洗液中包含上述脱脂剂。
通过在切断了母块之后使用包含脱脂剂的清洗液对切断侧面进行超声波清洗，从而能够除去在切断时产生的内部电极的下垂。
优选地，在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，上述脱脂剂包含缩合磷酸盐。上述缩合磷酸盐优选为焦磷酸盐，更优选为焦磷酸钾。
焦磷酸钾等缩合磷酸盐具有对用于形成内部电极的导电性膏包含的树脂成分进行乳化和/或脱脂的作用，因此能够除去在切断时产生的内部电极的下垂。
优选地，在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，上述脱脂剂包含烷基的碳数为1以上且12以下的聚亚烷基二醇烷基醚。上述聚亚烷基二醇烷基醚优选为聚乙二醇烷基醚，更优选为聚乙二醇月桂基醚。
聚乙二醇月桂基醚等聚亚烷基二醇烷基醚具有对用于形成内部电极的导电性膏包含的树脂成分进行乳化和/或脱脂的作用，因此能够除去在切断时产生的内部电极的下垂。
优选地，在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，包含上述脱脂剂的液体的温度为10℃以上且70℃以下。
因为包含脱脂剂的液体的温度越高，用于形成内部电极的导电性膏包含的树脂成分越容易被乳化和/或被脱脂，所以通过将包含脱脂剂的液体的温度设为10℃以上且70℃以下，从而容易除去在切断时产生的内部电极的下垂。
发明效果
根据本发明，能够提供一种在切断侧面不易产生短路部位且短路不良率低的层叠陶瓷电子部件的制造方法。
附图说明
图1是示意性地示出通过本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法得到的层叠陶瓷电容器的一个例子的立体图。
图2是示意性地示出构成图1所示的层叠陶瓷电容器的部件主体的一个例子的立体图。
图3是示意性地示出为了制作图2所示的部件主体而准备的生芯片的一个例子的立体图。
图4是示意性地示出为了制作图3所示的生芯片而准备的形成了内部电极图案的陶瓷生片的一个例子的俯视图。
图5(a)是用于说明对图4所示的陶瓷生片进行层叠的工序的立体图。图5(b)以及图5(c)是用于说明对图4所示的陶瓷生片进行层叠的工序的俯视图。
图6是示意性地示出通过划片来切断母块的方法的一个例子的概略图。
图7是用于说明切断母块的工序的立体图。
图8是示出拓宽了在行以及列方向上排列的多个生芯片的相互的间隔的状态的立体图。
图9(a)以及图9(b)是用于说明使生芯片转动的工序的立体图。
图10是用于说明形成未烧成的陶瓷保护层的工序的图。
图11是示意性地示出对切断侧面进行基于抛光的研磨处理的方法的一个例子的概略图。
图12(a)以及图12(b)是用于说明进行磨削处理或切削处理的工序的图。
图13是示意性地示出对切断侧面进行超声波清洗的方法的一个例子的概略图。
图14(a)是比较例1的层叠陶瓷电容器的切断侧面处的Ni元素映射像，图14(b)是实施例1的层叠陶瓷电容器的切断侧面处的Ni元素映射像。
附图标记说明
11：层叠陶瓷电容器(层叠陶瓷电子部件)，12：部件主体，13、14：主面，15、16：侧面，17、18：端面，19：生芯片，20、21：切断侧面，22、23：陶瓷保护层，24：层叠部，25：陶瓷层，26、27：内部电极，28、29：外部电极，31：陶瓷生片，32：内部电极图案，33：第一方向的切断线，34：第二方向的切断线，35：母块，36、37：切断端面，38：粘接片，110：台，120：划片刀，130：喷嘴，210：研磨平台，220：研磨垫，230：研磨头，240：供给管，310：清洗槽，320：振动板，321：超声波振子，330：保持件，A：切削液，B：研磨液(磨削液)，C：清洗液。
具体实施方式
以下，对本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法进行说明。
然而，本发明并不限定于以下的结构，能够在不变更本发明的主旨的范围内适当地进行变更并应用。另外，将以下记载的各个期望的结构组合了两个以上的结构也是本发明。
作为本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的一个实施方式，以层叠陶瓷电容器的制造方法为例进行说明。另外，本发明的制造方法还能够应用于层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷电子部件。
首先，对通过本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法得到的层叠陶瓷电容器进行说明。
图1是示意性地示出通过本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法得到的层叠陶瓷电容器的一个例子的立体图。图2是示意性地示出构成图1所示的层叠陶瓷电容器的部件主体的一个例子的立体图。
图1所示的层叠陶瓷电容器11具备部件主体12。如图2所示，部件主体12构成长方体状或大致长方体状，并具有相互对置的一对主面13和14、相互对置的一对侧面15和16、以及相互对置的一对端面17和18。
图3是示意性地示出为了制作图2所示的部件主体而准备的生芯片的一个例子的立体图。
如后所述，图2所示的部件主体12通过对在图3所示的生芯片19的相互对置的一对侧面(以下，称作切断侧面)20以及21上分别形成了未烧成的陶瓷保护层22以及23的生芯片进行烧成而得到。在以后的说明中，将烧成后的部件主体12中的来源于生芯片19的部分称作层叠部24。
如图2以及图3所示，部件主体12中的层叠部24具有由多个陶瓷层25和多对内部电极26以及27构成的层叠构造，多个陶瓷层25在主面13以及14的方向上延伸且在与主面13以及14正交的方向上被层叠，多对内部电极26以及27沿着陶瓷层25间的界面形成。部件主体12具有配置在层叠部24的切断侧面20以及21上的一对陶瓷保护层22以及23，使得分别构成部件主体12的侧面15以及16。陶瓷保护层22以及23的厚度优选彼此相同。
另外，在图1以及图2中，为了便于说明，清晰地图示了层叠部24与陶瓷保护层22以及23各自的边界，但是这样的边界也可以不清晰地出现。
如图2以及图3所示，内部电极26与内部电极27隔着陶瓷层25相互对置。通过内部电极26与内部电极27对置，从而表现出电特性。即，在图1所示的层叠陶瓷电容器11中，形成了静电电容。
内部电极26具有露出在部件主体12的端面17的露出端，内部电极27具有露出在部件主体12的端面18的露出端。另一方面，由于配置有上述的陶瓷保护层22以及23，所以内部电极26以及27不露出在部件主体12的侧面15以及16。
如图1所示，层叠陶瓷电容器11还具备外部电极28以及29，外部电极28以及29分别形成在部件主体12的至少一对端面17以及18上，使得与内部电极26以及27各自的露出端分别电连接。
外部电极28以及29分别形成在部件主体12的至少一对端面17以及18上，在图1中，具有环绕到主面13和14以及侧面15和16的各一部分的部分。
作为构成内部电极的导电材料，例如能够使用Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等金属材料。
作为构成陶瓷层以及陶瓷保护层的陶瓷材料，例如能够使用将BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等作为主成分的介电陶瓷。
构成陶瓷保护层的陶瓷材料优选至少主成分与构成陶瓷层的陶瓷材料相同。在该情况下，特别优选对陶瓷层和陶瓷保护层的双方使用相同组成的陶瓷材料。
如上所述，本发明的制造方法还能够应用于层叠陶瓷电容器以外的层叠陶瓷电子部件。例如，在层叠陶瓷电子部件为压电部件的情况下，可使用PZT类陶瓷等压电体陶瓷，在是热敏电阻的情况下，可使用尖晶石类陶瓷等半导体陶瓷。
外部电极优选由基底层和形成在基底层上的镀层构成。作为构成基底层的导电材料，例如能够使用Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。基底层可以通过应用将导电性膏涂敷在未烧成的部件主体上并与部件主体同时烧成的共烧法来形成，也可以通过应用将导电性膏涂敷在烧成后的部件主体上并进行烧附的逐次烧制法来形成。或者，基底层可以通过直接镀覆来形成，也可以通过使包含热固化性树脂的导电性树脂固化而形成。
形成在基底层上的镀层优选为镀Ni以及在其上镀Sn的两层构造。
接着，对本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法进行说明。
在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，其特征在于，用脱脂剂对切断侧面进行处理。通过用脱脂剂对露出了内部电极的切断侧面进行处理，从而能够除去在切断侧面产生的内部电极的下垂。
以下，作为本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的一个例子，对图1所示的层叠陶瓷电容器11的制造方法进行说明。
以下所示的各实施方式是例示，能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合，这是不言而喻的。在第二实施方式以后，省略对与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，对于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中依次提及。
(第一实施方式)
首先，准备应成为陶瓷层的陶瓷生片。陶瓷生片例如使用模涂机、凹版式涂敷机、微凹版涂敷机等在载置膜上进行成型。
在陶瓷生片中除了包含上述的包含介电陶瓷的陶瓷原料以外，还包含粘合剂等树脂成分、防静电剂等。作为陶瓷生片的树脂成分，例如，可举出纤维素类、丙烯酸类、聚乙烯醇类、聚乙烯醇缩丁醛类、邻苯二甲酸酯类、脂肪酸酯类、二醇衍生物等。
陶瓷生片的厚度通常为3μm以下，优选为1μm以下，更优选为0.6μm以下。
接着，在陶瓷生片上以给定的图案印刷导电性膏。导电性膏例如使用丝网印刷法、喷墨法、凹版印刷法等涂敷到陶瓷生片上。
导电性膏中除了包含上述的金属材料以外，还包含共通材料、粘合剂等树脂成分、溶剂等。作为共通材料，例如能够使用与在陶瓷层使用的陶瓷材料相同的材料。作为导电性膏的树脂成分，例如，可举出纤维素类、丙烯酸类、聚乙烯醇类、聚乙烯醇缩丁醛类、邻苯二甲酸酯类、脂肪酸酯类、二醇衍生物等。导电性膏的树脂成分可以与陶瓷生片的树脂成分相同，也可以不同。
图4是示意性地示出为了制作图3所示的生芯片而准备的形成了内部电极图案的陶瓷生片的一个例子的俯视图。
如图4所示，通过在应成为陶瓷层25的陶瓷生片31上以给定的图案印刷导电性膏，从而形成应分别成为内部电极26以及27的内部电极图案32。具体地，在陶瓷生片31上形成多列带状的内部电极图案32。
内部电极图案的厚度没有特别限定，但是优选为1.5μm以下。
然后，进行层叠工序，即，将形成了内部电极图案的陶瓷生片一边错开一边层叠给定片数，并在其上下层叠给定片数的未形成内部电极图案的陶瓷生片。
图5(a)是用于说明层叠图4所示的陶瓷生片的工序的立体图。
如图5(a)所示，将形成了内部电极图案32的陶瓷生片31一边沿着内部电极图案32的宽度方向各错开给定间隔，即，各错开内部电极图案32的宽度方向尺寸的一半，一边层叠给定片数。进而，在其上下层叠给定片数的未印刷内部电极图案的陶瓷生片。
图5(b)以及图5(c)是用于说明层叠图4所示的陶瓷生片的工序的俯视图。图5(b)以及图5(c)分别放大示出了第一层以及第二层的陶瓷生片。
在图5(b)以及图5(c)中，示出了与带状的内部电极图案32延伸的方向正交的第一方向(图5(b)以及图5(c)中的上下方向)的切断线33、以及相对于该切断线33正交的第二方向(图5(b)以及图5(c)中的左右方向)的切断线34的各一部分。带状的内部电极图案32具有如下形状，即，两个的量的内部电极26以及27通过各自的引出部彼此连结的图案沿着第二方向相连。在图5(b)以及图5(c)中，共同示出了切断线33以及34。
层叠工序的结果，可得到母块，母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案。得到的母块通过等静压等方法在层叠方向上进行压制。
通过将压制的母块沿着相互正交的第一方向的切断线以及第二方向的切断线进行切断，从而得到多个生芯片。
在第一实施方式中，通过划片来切断母块，在用于划片的切削液中包含脱脂剂。
图6是示意性地示出通过划片来切断母块的方法的一个例子的概略图。
如图6所示，母块35被载置在台110上，使台110移动，使得通过高速旋转的划片刀120的下方，从而划片刀120主要与母块35接触，由此母块35被切断。另外，如图6所示，优选被粘接片38粘接保持的母块35按每个粘接片38载置在台110上。
切断时，如图6所示，从喷嘴130朝向母块35被加工的点喷射切削液A。通过切削液A对划片刀120以及母块35进行冷却，并且洗掉由于切削而产生的切削屑。进而，由于切削液A中包含脱脂剂，所以能够除去在切断侧面产生的内部电极的下垂。
只要具有对导电性膏包含的树脂成分进行乳化和/或脱脂的作用，切削液包含的脱脂剂的种类就没有特别限定，例如可举出缩合磷酸盐、烷基的碳数为1以上且12以下的聚亚烷基二醇烷基醚等。它们可以仅为一种，也可以是两种以上。
作为缩合磷酸盐，例如，可举出焦磷酸钾、焦磷酸钠等焦磷酸盐，聚磷酸钾、聚磷酸钠等聚磷酸盐等。它们可以仅为一种，也可以是两种以上。在它们之中，优选焦磷酸盐，更优选焦磷酸钾。
烷基的碳数为1以上且12以下的聚亚烷基二醇烷基醚的亚烷基的碳数没有特别限定，但是优选为2，即，上述聚亚烷基二醇烷基醚优选为聚乙二醇烷基醚。上述聚亚烷基二醇烷基醚的亚烷基的碳数也可以为3或4。
上述聚亚烷基二醇烷基醚的烷基的碳数优选为8以上，更优选为12以上。
在上述聚亚烷基二醇烷基醚为聚乙二醇烷基醚的情况下，作为聚乙二醇烷基醚，例如，可举出聚乙二醇辛基醚、聚乙二醇壬基醚、聚乙二醇癸基醚、聚乙二醇月桂基醚、聚乙二醇十六烷基醚、聚乙二醇硬脂基醚、聚乙二醇油基醚等。它们可以仅为一种，也可以是两种以上。在它们之中，优选聚乙二醇月桂基醚。
包含脱脂剂的切削液的温度没有特别限定，但是从除去内部电极的下垂的观点出发，优选为10℃以上且70℃以下，更优选为20℃以上且40℃以下。
切削液中的脱脂剂的浓度没有特别限定，但从除去内部电极的下垂的观点出发，优选为0.1重量％以上且50重量％以下。
图7是用于说明切断母块的工序的立体图。
在图7中，母块35沿着相互正交的第一方向的切断线33以及第二方向的切断线34被切断，得到在行以及列方向上排列的多个生芯片19。在图7中，用虚线示出了位于母块35的内部的最上方的内部电极图案32。另外，虽然在图7中，从一个母块35取出了6个生芯片19，但是实际上可取出更多数量的生芯片19。
如图3所示，各生芯片19具有由处于未烧成的状态的多个陶瓷层25和多个内部电极26以及27构成的层叠构造。生芯片19的切断侧面20以及21是通过沿着第一方向的切断线33的切断而出现的面，切断端面36以及37是通过第二方向的切断线34的切断而出现的面。在切断侧面20以及21，内部电极26以及27全部露出。此外，在一个切断端面36，仅露出内部电极26，在另一个切断端面37，仅露出内部电极27。
另外，如图7所示，优选母块35在粘附于具有扩展性的粘接片38上的状态下被切断，使得多个生芯片19在行以及列方向上排列。在该情况下，能够通过未图示的扩展装置来扩展粘接片38。
图8是示出拓宽了在行以及列方向上排列的多个生芯片的相互的间隔的状态的立体图。
优选通过对图7所示的粘接片38进行扩展，从而如图8所示，将在行以及列方向上排列的多个生芯片19设为拓宽了相互的间隔的状态。
然后，优选进行转动工序，即，通过使多个生芯片转动，从而使多个生芯片各自的切断侧面一致并设为开放面。
图9(a)以及图9(b)是用于说明使生芯片转动的工序的立体图。
通过使图9(a)所示的生芯片19旋转90度，从而如图9(b)所示，能够将切断侧面20设为朝向上方的开放面。
接下来，在切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层。未烧成的陶瓷保护层例如通过粘附陶瓷保护层用生片或涂敷陶瓷保护层用膏而形成。
图10是用于说明形成未烧成的陶瓷保护层的工序的图。
如图10所示，通过在切断侧面20粘附陶瓷保护层用生片或涂敷陶瓷保护层用膏，从而能够形成未烧成的陶瓷保护层22。
优选在陶瓷保护层用生片或陶瓷保护层用膏中作为主成分而含有与用于制作母块的陶瓷生片相同的陶瓷原料。
此外，优选在陶瓷保护层用生片或陶瓷保护层用膏中实质上不含有Mg。
至今为止，已知有如下方法，即，通过使用含有Mg的陶瓷保护层用生片或陶瓷保护层用膏来形成未烧成的陶瓷保护层，从而在内部电极的端部形成异相而使短路不良率降低。相对于此，在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，即使陶瓷保护层用生片或陶瓷保护层用膏实质上不含有Mg，也能够使短路不良率降低。
在形成了未烧成的陶瓷保护层之后，根据需要，进行干燥工序。在干燥工序中，形成了未烧成的陶瓷保护层22的生芯片19例如被放入到设定为120℃的烘箱中5分钟。
接着，优选进行与参照图9(a)以及图9(b)进行了说明的工序同样的转动工序。即，优选进行转动工序，即，通过使多个生芯片转动，从而使多个生芯片各自的切断侧面一致并设为开放面。在该情况下，通过使生芯片旋转180度，从而能够将相反侧的切断侧面设为朝向上方的开放面。
对于相反侧的切断侧面，也与上述同样地形成未烧成的陶瓷保护层即可。此外，在形成了未烧成的陶瓷保护层之后，根据需要，进行干燥工序。通过以上，得到未烧成的部件主体。
对得到的未烧成的部件主体进行烧成。烧成温度取决于未烧成的部件主体包含的陶瓷材料、金属材料，例如为900℃以上且1300℃以下的范围。
在烧成后的部件主体的两端面17以及18涂敷导电性膏，并进行烧附，进而，根据需要实施镀覆，由此形成外部电极28以及29。另外，关于导电性膏的涂敷，既可以对未烧成的部件主体实施，也可以在未烧成的部件主体的烧成时同时进行导电性膏的烧附。
这样，制造了图1所示的层叠陶瓷电容器11。
(第二实施方式)
在第二实施方式中，与上述第一实施方式不同，对如下情况进行说明，即，对切断侧面进行使用了磨粒的磨削处理或使用了刀具的切削处理，且在用于磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液中包含脱脂剂。
首先，通过在第一实施方式中说明的方法制作母块，该母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案。得到的母块通过等静压等方法在层叠方向上进行压制。
通过将进行了压制的母块沿着相互正交的第一方向的切断线以及第二方向的切断线进行切断，从而得到多个生芯片。在该切断中，例如应用划片、压切、激光切割等方法。
另外，在通过划片来切断母块的情况下，也可以使用在第一实施方式中说明的方法。在该情况下，用于划片的切削液包含的脱脂剂的种类可以与后述的用于磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液包含的脱脂剂的种类相同，也可以不同。
与第一实施方式同样地，如图7所示，母块35沿着相互正交的第一方向的切断线33以及第二方向的切断线34被切断，得到在行以及列方向上排列的多个生芯片19。此时，优选母块35在粘附于具有扩展性的粘接片38上的状态下被切断，使得多个生芯片19在行以及列方向上排列。
此外，优选地，通过对图7所示的粘接片38进行扩展，从而如图8所示，在行以及列方向上排列的多个生芯片19被设为拓宽了相互的间隔的状态，然后，进行转动工序，即，通过使多个生芯片转动，从而使多个生芯片各自的切断侧面一致并设为开放面。
在第二实施方式中，对切断侧面进行使用了磨粒的磨削处理或使用了刀具的切削处理，用于磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液中包含脱脂剂。
作为磨削处理，例如，可举出使用了固定磨粒的磨削处理(划片、碾磨(grinding)等)、使用了固定磨粒的研磨处理(干法抛光、带研磨等)、使用了游离磨粒的研磨处理(擦光(lapping)、抛光等)等。也可以对这些处理进行组合。另外，基于划片的磨削处理能够通过对母块实施两次划片来进行，并将第一次的划片作为切断处理、将第二次的划片作为磨削处理而进行区分。在该情况下，优选使在第二次的划片中使用的磨粒的平均粒径小于在第一次的划片中使用的磨粒的平均粒径。
从防止短路部位的产生的观点出发，优选使用了固定磨粒的研磨处理或使用了游离磨粒的研磨处理，若还考虑使切断侧面的表面平滑的观点，则更优选使用了游离磨粒的研磨处理。作为使用了固定磨粒的研磨处理，优选带研磨。作为使用了游离磨粒的研磨处理，优选抛光。在该情况下，可以仅进行抛光，也可以在作为预处理而进行了擦光之后进行抛光。另外，在擦光和抛光中磨粒的大小不同，设将使用了比抛光大的磨粒的研磨处理称作擦光。
在使用了磨粒的磨削处理中，磨粒的材质没有特别限定，但是优选金刚石磨粒。金刚石磨粒由于清洗性优异且对烧成环境造成的影响也少，所以能够抑制烧成时的过度的粒生长，能够制造适当的品位的层叠陶瓷电子部件。
图11是示意性地示出对切断侧面进行基于抛光的研磨处理的方法的一个例子的概略图。
如图11所示，将保持于研磨头230的生芯片19按压到研磨垫220而使其接触，一边从供给管240滴下研磨液(磨削液)B，一边使研磨头230和研磨平台210相对旋转，由此对切断侧面进行研磨。由于用于研磨处理的研磨液B中包含脱脂剂，所以能够除去在切断侧面产生的内部电极的下垂。另外，如图11所示，优选保持多个生芯片19粘附在粘接片38上的状态而对各个生芯片19的切断侧面进行研磨。
作为切削处理，例如，可举出通过刀具的旋转而进行的切削处理、通过生芯片的旋转而进行的切削处理、通过刀具的直线运动而进行的切削处理、通过生芯片的直线运动而进行的切削处理等。也可以对这些处理进行组合。
从防止短路部位的产生的观点出发，优选通过刀具的旋转而进行的切削处理、通过生芯片的旋转而进行的切削处理、或者将它们进行组合的切削处理。具体地，优选使用了平面刨床等切削装置的切削处理。在使用平面刨床的情况下，能够通过在使固定于给定的切入高度的刀具进行旋转的状态下送给生芯片，从而对生芯片的表面进行切削。进而，由于通过刀具的刀尖一次就将生芯片的表面削掉，所以还能够使生芯片的表面平滑。
在使用了刀具的切削处理中，刀具的材质没有特别限定，但是优选金刚石刀具。
关于磨削处理或切削处理，只要是在切断了母块之后，且在形成未烧成的陶瓷保护层之前，则可以在任何阶段进行。例如，可以对转动工序之前的切断侧面进行磨削处理或切削处理，也可以不进行转动工序而对通过切断得到的切断侧面进行磨削处理或切削处理。
在进行上述的转动工序的情况下，优选对通过转动工序而朝向上方的切断侧面进行磨削处理或切削处理。另外，也可以组合进行磨削处理和切削处理，在该情况下，进行磨削处理以及切削处理的顺序没有特别限定。
磨削液或切削液包含的脱脂剂的种类没有特别限定，例如可举出在第一实施方式中说明的脱脂剂的种类。
包含脱脂剂的磨削液或切削液的温度没有特别限定，但是从除去内部电极的下垂的观点出发，优选为10℃以上且70℃以下，更优选为20℃以上且40℃以下。
磨削液或切削液中的脱脂剂的浓度没有特别限定，但是从除去内部电极的下垂的观点出发，优选为0.1重量％以上且50重量％以下。
图12(a)以及图12(b)是用于说明进行磨削处理或切削处理的工序的图。图12(a)以及图12(b)是从生芯片的端面方向示出的切断侧面附近的放大图。
如图12(a)以及图12(b)所示，对切断侧面20进行磨削处理或切削处理，直至磨削线X-X的位置。
在第二实施方式中，也可以在磨削处理或切削处理之后，对切断侧面进行超声波清洗。在该情况下，优选用于超声波清洗的清洗液中包含脱脂剂。
超声波清洗能够通过公知的方法来进行，例如，能够使用超声波清洗机将被保持件保持的状态的多个生芯片浸渍于清洗液，并通过由设置在清洗槽的超声波振子赋予了振动的清洗液对多个生芯片进行清洗。此时，优选沿着与在清洗液中行进的振动波的朝向平行的方向使保持件摇摆。由此，能够得到更好的清洗效果。
图13是示意性地示出对切断侧面进行超声波清洗的方法的一个例子的概略图。
如图13所示，将保持在保持件330的生芯片19浸渍于清洗液C。通过由设置在清洗槽310内的振动板320以及组装于它们的超声波振子321赋予了振动的清洗液C，对切断侧面进行超声波清洗。由于用于超声波清洗的清洗液C中包含脱脂剂，所以能够除去在切断侧面产生的内部电极的下垂。另外，如图13所示，优选保持多个生芯片19粘附在粘接片38上的状态而对各个生芯片19的切断侧面进行超声波清洗。
清洗液包含的脱脂剂的种类没有特别限定，例如可举出在第一实施方式中说明的脱脂剂的种类。另外，用于超声波清洗的清洗液包含的脱脂剂的种类可以与用于磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液包含的脱脂剂的种类相同，也可以不同。
包含脱脂剂的清洗液的温度没有特别限定，但是从除去内部电极的下垂的观点出发，优选为10℃以上且70℃以下，更优选为20℃以上且40℃以下。
清洗液中的脱脂剂的浓度没有特别限定，但是从除去内部电极的下垂的观点出发，优选为0.1重量％以上且50重量％以下。
在第二实施方式中，根据需要，进行用于洗掉附着于生芯片的包含脱脂剂的液体(磨削液或切削液、以及根据需要还有清洗液)的冲洗处理。在冲洗处理中，优选进行使用了水的清洗，更优选进行使用了水的超声波清洗。
在冲洗处理之后，优选进行干燥工序。作为干燥工序的方式，例如，可举出通过空气使水飞出的方式、使对象物旋转而通过离心力使水飞出的方式、通过空气以及离心力使水飞出的方式、在设定为40℃以上且100℃以下的温度的烘箱内使其干燥的方式等。
接下来，在切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层。形成未烧成的陶瓷保护层的方法，与在第一实施方式中说明的方法相同。
在形成了未烧成的陶瓷保护层之后，根据需要，进行干燥工序。接着，优选进行与参照图9(a)以及图9(b)进行了说明的工序同样的转动工序。
对于相反侧的切断侧面，也与上述同样地，进行磨削处理或切削处理。例如，在第一次(一个切断侧面)进行了磨削处理的情况下，在第二次(另一个切断侧面)可以进行磨削处理，也可以进行切削处理。第二次的磨削处理或切削处理的条件可以与第一次的磨削处理或切削处理的条件相同，也可以不同。用于第二次的磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液包含的脱脂剂的种类，可以与用于第一次的磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液包含的脱脂剂的种类相同，也可以不同。
在第二次的磨削处理或切削处理之后，也可以对切断侧面进行超声波清洗。在该情况下，优选在用于超声波清洗的清洗液中包含脱脂剂。用于第二次的超声波清洗的清洗液包含的脱脂剂的种类，可以与用于第一次的超声波清洗的清洗液包含的脱脂剂的种类相同，也可以不同。
与上述同样地，在相反侧的切断侧面形成了未烧成的陶瓷保护层之后，根据需要，进行干燥工序。根据以上，得到未烧成的部件主体。
在对得到的未烧成的部件主体进行了烧成之后，在烧成后的部件主体的两端面形成外部电极，由此制造了图1所示的层叠陶瓷电容器11。
(第三实施方式)
在第三实施方式中，与上述第一实施方式以及第二实施方式不同，对如下情况进行说明，即，对切断侧面进行超声波清洗，且在用于超声波清洗的清洗液中包含脱脂剂。
首先，通过在第一实施方式中说明的方法制作母块，该母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案。得到的母块通过等静压等方法在层叠方向上进行压制。
通过将进行了压制的母块沿着相互正交的第一方向的切断线以及第二方向的切断线进行切断，从而得到多个生芯片。在该切断中，例如应用划片、压切、激光切割等方法。
另外，在通过划片来切断母块的情况下，也可以使用在第一实施方式中说明的方法。在该情况下，用于划片的切削液包含的脱脂剂的种类可以与后述的用于超声波清洗的清洗液包含的脱脂剂的种类相同，也可以不同。
与第一实施方式同样地，如图7所示，母块35沿着相互正交的第一方向的切断线33以及第二方向的切断线34被切断，得到在行以及列方向上排列的多个生芯片19。此时，优选母块35在粘附于具有扩展性的粘接片38上的状态下被切断，使得多个生芯片19在行以及列方向上排列。
此外，优选地，通过对图7所示的粘接片38进行扩展，从而如图8所示，在行以及列方向上排列的多个生芯片19被设为拓宽了相互的间隔的状态，然后，进行转动工序，即，通过使多个生芯片转动，从而使多个生芯片各自的切断侧面一致并设为开放面。
在第三实施方式中，对切断侧面进行超声波清洗，用于超声波清洗的清洗液中包含脱脂剂。
超声波清洗的方法与在第二实施方式中说明的方法相同。关于超声波清洗，只要在切断了母块之后，且在形成未烧成的陶瓷保护层之前，则可以在任何阶段进行。例如，可以在多个生芯片被设为拓宽了相互的间隔的状态之前，也可以在多个生芯片被设为拓宽了相互的间隔的状态之后，并且，可以在转动工序之前，也可以在转动工序之后。此外，也可以不进行转动工序而进行超声波清洗。
清洗液包含的脱脂剂的种类没有特别限定，例如可举出在第一实施方式中说明的脂剂的种类。
包含脱脂剂的清洗液的温度没有特别限定，但是从除去内部电极的下垂的观点出发，优选为10℃以上且70℃以下，更优选为20℃以上且40℃以下。
清洗液中的脱脂剂的浓度没有特别限定，但是从除去内部电极的下垂的观点出发，优选为0.1重量％以上且50重量％以下。
在第三实施方式中，根据需要，进行用于洗掉附着于生芯片的包含脱脂剂的清洗液的冲洗处理。在冲洗处理中，优选进行使用了水的清洗，更优选进行使用了水的超声波清洗。
在冲洗处理之后，优选进行干燥工序。作为干燥工序的方式，例如，可举出在第二实施方式中说明的方式。
接下来，在切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层。形成未烧成的陶瓷保护层的方法，与在第一实施方式中说明的方法相同。
在形成了未烧成的陶瓷保护层之后，根据需要，进行干燥工序。接着，优选进行与参照图9(a)以及图9(b)进行了说明的工序同样的转动工序。
与上述同样地，在相反侧的切断侧面形成了未烧成的陶瓷保护层之后，根据需要，进行干燥工序。根据以上，得到了未烧成的部件主体。
在对得到的未烧成的部件主体进行了烧成之后，在烧成后的部件主体的两端面形成外部电极，由此制造了图1所示的层叠陶瓷电容器11。
(其它实施方式)
虽然在第一实施方式中，对在切断了母块之后的切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层的情况进行了说明，但是也可以在切断了母块之后，对形成未烧成的陶瓷保护层之前的切断侧面进行磨削处理或切削处理。在该情况下，在用于磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液中，可以包含脱脂剂，也可以不包含脱脂剂。进而，可以在磨削处理或切削处理之后，对形成未烧成的陶瓷保护层之前的切断侧面进行超声波清洗。在该情况下，在用于超声波清洗的清洗液中，可以包含脱脂剂，也可以不包含脱脂剂。
虽然在第三实施方式中，对在切断了母块之后对形成未烧成的陶瓷保护层之前的切断侧面进行超声波清洗的情况进行了说明，但是也可以在切断了母块之后，对进行超声波清洗前的切断侧面进行磨削处理或切削处理。在该情况下，在用于磨削处理的磨削液或用于切削处理的切削液中，可以包含脱脂剂，也可以不包含脱脂剂。
在本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法中，用脱脂剂对切断侧面进行处理的方法不限定于在上述的实施方式中说明的方法，也可以通过其它方法用脱脂剂对切断侧面进行处理。
虽然在上述的实施方式中，在将母块在第一方向的切断线以及第二方向的切断线进行切断而得到多个生芯片之后，在切断侧面形成了未烧成的陶瓷保护层，但是也能够像以下那样进行变更。
即，也可以通过将母块仅沿着第一方向的切断线进行切断，从而得到在通过沿着第一方向的切断线的切断而出现的切断侧面露出了内部电极的多个棒状的生块体，然后，在切断侧面形成了未烧成的陶瓷保护层之后，在第二方向的切断线进行切断而得到多个未烧成的部件主体，然后，对未烧成的部件主体进行烧成。在烧成后，通过进行与前述的实施方式同样的工序，从而能够制造层叠陶瓷电子部件。
[实施例]
以下，示出更具体地公开了本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的实施例。另外，本发明并不仅限定于这些实施例。
(实施例1)
在作为陶瓷原料的BaTiO3中，添加聚乙烯醇缩丁醛类的粘合剂、邻苯二甲酸酯类的增塑剂、聚乙烯醇缩丁醛类的分散剂、防静电剂以及有机溶剂，并利用球磨机对它们进行湿式混合，制作了陶瓷浆料。接下来，通过刮刀方式对该陶瓷浆料进行片式成型，得到了矩形的陶瓷生片。接着，在上述陶瓷生片上，对含有Ni、纤维素类的粘合剂、分散剂以及溶剂的导电性膏进行丝网印刷，形成了将Ni作为主成分的内部电极图案。
将形成了内部电极图案的陶瓷生片一边在宽度方向上错开一边层叠多片，并在其上下层叠未印刷内部电极图案的陶瓷生片，由此得到了母块。将得到的母块通过等静压在层叠方向上进行了压制。
通过将进行了压制的母块切断为芯片形状，从而得到了各个内部电极在两端面以及两侧面露出的生芯片。母块的切断通过划片来进行，作为切削液，使用了纯水。在切断后，使用纯水进行了超声波清洗。
对生芯片的一个切断侧面，作为磨削处理而进行了使用了游离磨粒的研磨处理。在实施例1中，进行了使用了金刚石浆料(研磨液)以及棉布类的研磨垫的抛光。另外，研磨液中未包含脱脂剂。
在研磨处理后，使用作为脱脂剂而包含焦磷酸钾的清洗液进行了超声波清洗。在洗掉清洗液并使其干燥后，在研磨处理后的切断侧面粘附陶瓷保护层用生片，由此形成了未烧成的陶瓷保护层。陶瓷保护层用生片的组成与陶瓷生片的组成相同。
对于生芯片的另一个切断侧面，也与上述同样地，在进行了使用了游离磨粒的研磨处理之后，使用作为脱脂剂而包含焦磷酸钾的清洗液进行了超声波清洗。在洗掉清洗液并使其干燥后，在另一个切断侧面也形成了未烧成的陶瓷保护层。由此，得到了未烧成的部件主体。
在将得到的未烧成的部件主体在氮环境中进行了脱脂之后，在氢/氮混合环境中进行了烧成。在烧成后，通过导电性膏的涂敷以及烧附，形成外部电极，制作了实施例1的层叠陶瓷电容器。
(比较例1)
除了在切断了母块之后未对双方的切断侧面进行研磨处理以及超声波清洗以外，与实施例1同样地形成至外部电极，制作了比较例1的层叠陶瓷电容器。
[评价]
(短路部位)
使用扫描型电子显微镜(SEM)，以7000倍的倍率对形成外部电极之前的切断侧面进行了拍摄。在14～16条的内部电极中，对Ni粒子彼此完全跨越层间而接触的部位的数量进行了测定。将结果示于表1的“短路部位”。
(脱脂后短路不良率)
用LCR计分别对100个层叠陶瓷电容器的静电电容进行了测定，并计算出短路不良的发生率。将结果示于表1的“短路不良率”。
[表1]
研磨处理 超声波清洗 短路部位 短路不良率
实施例1 有 有(脱脂剂) 0个 25％
比较例1 无 无 4个 100％
如表1所示，在未对切断侧面进行研磨处理以及超声波清洗的比较例1中，在切断侧面产生了短路部位，相对于此，在对切断侧面进行了研磨处理之后使用作为脱脂剂而包含焦磷酸钾的清洗液进行了超声波清洗的实施例1中，短路部位为0个。进而，在实施例1中，与比较例1相比，短路不良率大幅下降。
图14(a)是比较例1的层叠陶瓷电容器的切断侧面处的Ni元素映射像，图14(b)是实施例1的层叠陶瓷电容器的切断侧面处的Ni元素映射像。
与表1的结果同样地，在未对切断侧面进行研磨处理以及超声波清洗的比较例1中，如图14(a)所示，产生了短路部位(图14(a)中，用○标记包围的部分)，相对于此，在对切断侧面进行了研磨处理之后使用作为脱脂剂而包含焦磷酸钾的清洗液进行了超声波清洗的实施例1中，如图14(b)所示，能够确认未产生短路部位。

Claims (13)

1.一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，具备：
制作母块的工序，所述母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着所述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；
通过将所述母块沿着相互正交的第一方向的切断线以及第二方向的切断线进行切断，从而得到多个生芯片的工序，所述多个生芯片具有由处于未烧成的状态的多个陶瓷层和多个内部电极构成的层叠构造，且在通过沿着所述第一方向的切断线的切断而出现的切断侧面露出了所述内部电极；
通过在所述切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层，从而得到未烧成的部件主体的工序；以及
对所述未烧成的部件主体进行烧成的工序，
所述层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征在于，
用脱脂剂对所述切断侧面进行处理。
2.一种层叠陶瓷电子部件的制造方法，具备：
制作母块的工序，所述母块包含被层叠的多个陶瓷生片和沿着所述陶瓷生片间的多个界面分别配置的内部电极图案；
通过将所述母块沿着第一方向的切断线进行切断，从而得到多个棒状的生块体的工序，所述多个棒状的生块体具有由处于未烧成的状态的多个陶瓷层和多个内部电极构成的层叠构造，且在通过沿着所述第一方向的切断线的切断而出现的切断侧面露出了所述内部电极；
在所述切断侧面形成未烧成的陶瓷保护层的工序；
通过将形成了所述未烧成的陶瓷保护层的所述棒状的生块体沿着与所述第一方向正交的第二方向的切断线进行切断，从而得到多个未烧成的部件主体的工序；以及
对所述未烧成的部件主体进行烧成的工序，
所述层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征在于，
用脱脂剂对所述切断侧面进行处理。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
在得到所述多个生芯片的工序或得到所述多个棒状的生块体的工序中，通过划片来切断所述母块，
在用于所述划片的切削液中包含所述脱脂剂。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
还具备：对形成所述未烧成的陶瓷保护层之前的所述切断侧面，进行使用了磨粒的磨削处理或使用了刀具的切削处理的工序，
在用于所述磨削处理的磨削液或用于所述切削处理的切削液中包含所述脱脂剂。
5.根据权利要求4所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
还具备：在进行了所述磨削处理或所述切削处理之后，对形成所述未烧成的陶瓷保护层之前的所述切断侧面进行超声波清洗的工序，
在用于所述超声波清洗的清洗液中包含所述脱脂剂。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
还具备：在切断了所述母块之后，对形成所述未烧成的陶瓷保护层之前的所述切断侧面进行超声波清洗的工序，
在用于所述超声波清洗的清洗液中包含所述脱脂剂。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述脱脂剂包含缩合磷酸盐。
8.根据权利要求7所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述缩合磷酸盐是焦磷酸盐。
9.根据权利要求8所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述缩合磷酸盐是焦磷酸钾。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述脱脂剂包含烷基的碳数为1以上且12以下的聚亚烷基二醇烷基醚。
11.根据权利要求10所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述聚亚烷基二醇烷基醚是聚乙二醇烷基醚。
12.根据权利要求11所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述聚亚烷基二醇烷基醚是聚乙二醇月桂基醚。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
包含所述脱脂剂的液体的温度为10℃以上且70℃以下。
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