JP2006303437A - 多層セラミック基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 セラミック材料を含む低温焼結可能な基板用グリーンシートを積層した未焼結多層セラミック基板の少なくとも上面に外部電極を形成し、未焼結多層セラミック基板の焼結温度では焼結しない無機粒子を主成分とする拘束層を未焼結多層セラミック基板の外部電極を含む上面及び/又は下面に密着するように設けて一体的な積層体とし、積層体を未焼結多層セラミック基板の焼結する温度で焼結した後、拘束層を除去してなる多層セラミック基板であって、外部電極上に残留する無機粒子が、外部電極を構成する金属と無機粒子を構成する金属の合計に対する無機粒子を構成する金属の割合として、0.5〜20質量%であり、且つ外部電極の密着強度が5N/mm2以上である多層セラミック基板およびその製造方法。
【選択図】図1
Description
この焼成に伴う収縮は、ロットごとに異なるため、高密度の配線を必要とする回路には位置ずれなどが起こり、精密な回路が必要とされる多層セラミック基板において問題である。
ここで無収縮プロセスは、グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料(アルミナ等)からなる拘束グリーンシートを用意し、この拘束グリーンシートを未焼成の多層セラミック基板の上面および下面に対し密着して設け、その上で焼成するものである。このときの拘束グリーンシート層の収縮抑制作用により基板表面の収縮が抑制される。焼成後、拘束シート層を構成していた無機粒子(以下、拘束無機粒子と言うことがある。)は様々な手段によって取り除かれる。
また、無機粒子が外部電極に過剰に残っていると、はんだの濡れ性が劣化し、はんだ付き不良が発生し歩留まりが低下する問題がある。この問題は、はんだの結合が金属同士によるものであるのに対し、両者間に拘束無機粒子であるアルミナ等の酸化物粒子が存在することにより上記結合が妨げられるために生じる。
図1は本発明による多層セラミック基板の一例を示す断面図で、(a)は未焼成の多層セラミック基板を、(b)は拘束層を形成した未焼成の多層セラミック基板を、(c)は焼成後にこれら拘束層を取り除いた多層セラミック基板を示す断面図である。図2は小片の多層セラミック基板が集合した多層セラミック基板を示す斜視図である。
本発明の多層セラミック基板あるいはその製造方法にて作製される多層セラミック基板は、図2で示すように基板に分割溝を設けた多数個取りの大型基板を意図しており、焼成後、分割溝14に沿って小片に分割され得るものである。尚、図示していないが実際の大型基板にはその周囲にハンドリングの等のための外枠部分が備わっている。
基板用グリーンシートは、800〜1000℃において低温焼成が可能なガラスセラミック材料からなるものであれば良い。ガラス粉末とセラミックス粉末の混合粉に有機バインダ、可塑剤、溶剤を混合した組成物を用いる場合や下記するようにガラスセラミック材の焼成物を粉砕した粉末材料など種々のものを用いることが出来るので規定するものではない。一例として以下のものを挙げる。
主成分がAl,Si,Sr,Tiの酸化物で構成され、それぞれAl2O3換算で10〜60質量%、SiO2換算で25〜60質量%、SrO換算で10〜50質量%、TiO2換算で20質量%以下(0を含む)からなり、900℃以下の温度でも焼成できる材料がある。これにより、銀や銅、金といった高い導電率を有する金属材料を電極用導体として用いて一体焼成を行うことができる。
さらに上記主成分100質量%に対して、副成分として、Bi、Na、K、Coの群のうち、Bi2O3換算で0.1〜10質量%、Na2O換算で0.1〜5質量%、K2O換算で0.1〜5質量%、CoO換算で0.1〜5質量%の少なくとも1種以上を含有させることが好ましい。これらの副成分は、仮焼工程においてAl2O3、TiO2以外の成分がガラス化する際、焼結助剤として働き、ガラスの軟化点を低下させる効果があり、より低温で収縮を開始する材料が得られる。
また、更に副成分としてCu、Mn、Agのうち、CuO換算で0.01〜5質量%、MnO2換算で0.01〜5質量%、Agを0.01〜5質量%のうち少なくとも1種以上を含有させることが好ましい。これらの副成分は、主に焼成工程において結晶化を促進する効果があり、焼成工程において1000℃以下の焼成温度でQの高い誘電特性を得ることを可能とするものである。
SiがSiO2換算で25質量%より少ない場合、SrがSrO換算で10質量%より少ない場合、いずれも1000℃以下の低温焼成では、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。AlがAl2O3換算で10質量%より少ない場合、良好な高強度が得られない。また、AlがAl2O3換算で60質量%より多い場合、SiがSiO2換算で60質量%より多い場合、SrがSrO換算で50質量%より多い場合、やはり1000℃以下の低温焼成では、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。
また、TiがTiO2換算で20質量%より多いと、1000℃以下の低温焼成では、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。同時に、磁器の共振周波数の温度係数がTiの含有量増加と共に大きくなり良好な特性が得られない。Tiが含有してない場合の磁器の共振周波数の温度係数τfは−20〜−40ppm/℃に対し、Tiの配合量を多くしていくにつれて増加し、τfを0ppm/℃に調整することも容易である。
Biは、低温焼成を達成するために添加される。つまり、このBiを添加することにより、仮焼工程においてAl2O3、TiO2以外の成分がガラス化しようとする際、このガラスの軟化点を低下させる効果があり、より低温で収縮を開始する材料が得られること、および、焼成工程において、1000℃以下の焼成温度でQの高い誘電特性を得ることを可能とするものである。しかしながら、Bi2O3換算で10質量%より多いと、Q値が小さくなる。このため、10質量%以下が望ましい。更に好ましくは5質量%以下である。一方、0.1質量%より少ないと添加効果が少なく、より低温での結晶化が困難になるため、0.1質量%以上が好ましい。更に好ましくは0.2質量%以上である。
CuとMnは、焼成工程において誘電体磁器組成物の結晶化を促進する効果があり、低温焼成を達成するために添加されるが、CuO換算で0.01質量%未満の場合、MnO2換算で0.01質量%未満の場合、その添加効果は小さく、900℃以下での焼成ではQの高い材料を得ることが困難になる。また、5質量%を超えると低温焼結性が損なわれるため、CuO換算で0.01〜5質量%が好ましい。
Agは、ガラスの軟化点を低下させると同時に、結晶化を促進する効果があり、低温焼成を達成するために添加されるが、5質量%を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性がない。このため、Agは5質量%以下の添加が好ましい。さらに好ましくは2質量%以下である。さらに、ZrO2換算で0.01〜2質量%のZrを含有していると機械的強度の向上が見られるので望ましい。
また、この低温焼成セラミック材料には、従来の材料に含まれているPbとBを含んでいない。PbOは有害物質であり、製造工程中で生じる廃棄物等の処理に費用がかかり、また製造工程中でのPbOの取り扱いにも注意が必要である。また、B2O3は、製造工程中で水、アルコールに溶解し、乾燥時に偏析したり、焼成時に電極材料と反応したり、使用する有機バインダと反応しバインダの性能を劣化させる等の問題がある。このような有害な元素を含んでいないので環境面でも有用である。
以上の主成分及び副成分から出発原料を選択し、原材料となる酸化物粉あるいは炭酸塩化合物粉をそれぞれ秤量する。これらの粉末をアルミナ製のボールミルやビーズミルに投入し、更に酸化ジルコニウム製のメディアボールと純水を投入して20時間湿式混合を行う。混合スラリーを加熱乾燥し水分を蒸発させた後ライカイ機で解砕し、アルミナ製のるつぼに入れて、700〜900℃、例えば800℃で2時間仮焼する。仮焼固形物を前述のボールミルやビーズミルに投入し20〜40時間湿式粉砕を行い、乾燥させ平均粒径0.6〜2μmの範囲に、例えば1μmの微粉砕粒子とする。仮焼物を微粉砕化した粒子はセラミックス粒子にガラスが部分的、全体的に被覆された仮焼複合物粒子となっている。これは、従来一般のガラス粒子とセラミックス粒子が溶融混合された原料に比べると、ガラス成分のガラス化反応が不十分で流動し難い状態にある。つまり、焼成過程においてガラスの流動が抑えられるので、拘束層のアルミナがグリーンシート側に埋没し難く、除去もし易いグリーンシートが得られる。次に、この仮焼複合物粉末に、エタノール、ブタノール、有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてブチルフタリルグリコール酸ブチル(略称:BPBG)をボールミルで混合してスラリーを作製した。尚、有機バインダとしては、例えばポリメタクリル樹脂等を、可塑剤としては、例えばジ−n−ブチルフタレートを、溶剤としては、例えばトルエン、イソプロピルアルコールのようなアルコール類を用いることもできる。
次いで、このスラリーをドクターブレード法によって有機フィルム(ポリエチレンテレフタレートPET)上でシート状に成形し、乾燥させて、0.15mm厚みのセラミックグリーンシートを得た。セラミックグリーンシートは有機フィルムごと180mm角に切断した。
上記のセラミックグリーンシートに、回路を構成するビアホールをレーザー加工にて形成し、Agを主体とする導体ペーストでこのビアホールを充填しビアホール電極3を形成し、さらにAgを主体とする導体ペーストを用いて回路を構成する内部電極2を印刷形成する。これらのグリーンシートをそれぞれ1枚ずつ温度60℃、圧力2.8MPaで仮圧着しながら複数枚重ねて積層体を得る。そして、この積層体の上下面にAgを主体とする導体ペーストを用いて外部電極4、端子外部電極6を印刷形成する。その後、このグリーンシート積層体に対し静水圧プレスを施し本圧着を行う。静水圧プレスの条件は、85℃、10.8MPaである。静水圧プレス処理により積層体に均等圧が掛かり全体の密着度(密度)が均一に向上する。本圧着の後、上下面の外部電極に関し適宜オーバーコート材を形成する。オーバーコート材は多層セラミック基板にはんだ付けする際、はんだがパターン外に流れることを防止する作用がある。オーバコート材に用いる材質は、基板用グリーンシートの場合と同様に800〜1000℃において低温焼成が可能なガラスセラミック材料からなるものであれば良く、ガラス粉末とセラミックス粉末の混合粉やガラスセラミック材の焼成物を粉砕した粉末材料などに有機バインダ、可塑剤、溶剤を混合し、ペースト状にしたものを用いるとよい。
多層セラミック基板は図2に示すように大型基板で作製し、最終工程で個片に分割して多層セラミック基板の製品を得るので、大型基板に対し製品の個片サイズである例えば10×15mm角に分割溝14を入れる。基板の分割法としては、焼成後にダイヤモンドブレード、ダイヤモンドペン、レーザー等で分割溝を形成し破断する方法あるいは焼成前のグリーンの状態で分割溝を形成し、焼成後に個々の基板に分割する場合とがある。ここでは、後者の未焼成のグリーンシートに製品の個片基板サイズである10×15mm角に分割溝14を入れた。分割溝入れはグリーン体にナイフ刃を押し当て、深さを0.11mmとした。なお、ナイフ刃の厚さは0.15mmを用いた。分割溝の断面形状は底辺約0.15mm、深さ約0.1mmのほぼ二等辺三角形となっていた。
拘束層は、平均粒径0.3〜4μmのアルミナ粉末を準備し、その粉末とエタノール、ブタノール、有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてブチルフタリルグリコール酸ブチル(略称:BPBG)を酸化ジルコニウム製のメディアボールとともにポリエチレン製のボールミルで混合してスラリーを作製した。尚、有機バインダとしては、例えばポリメタクリル樹脂等を、可塑剤としては、例えばジ−n−ブチルフタレートを、溶剤としては、例えばトルエン、イソプロピルアルコールのようなアルコール類を用いることもできる。次いで、このスラリーをドクターブレード法によって有機フィルム(ポリエチレンテレフタレートPET)上でシート状に成形し、乾燥させて、厚さ0.10mmのグリーンシートを得た。グリーンシートは有機フィルムごと180mm角に切断した。
次に、上記した未焼成多層セラミック基板の上面及び下面に拘束層を形成した。上下拘束層の形成は、上記スラリーを用いて厚さ0.2mmのグリーンシートを作製し、この拘束用グリーンシートを未焼成多層セラミック基板上下に密着するように合わせ、静水圧プレスを施し圧着を行う。静水圧プレスの条件は、85℃、10.8MPaである。
焼成はバッチ炉において大気中で行い、500℃で4時間保持して脱バインダを行った後、800〜1000℃、例えば900℃で2時間保持し、焼成を行った。昇温速度は3℃/分で、冷却は炉内自然冷却とした。800℃未満であると緻密化が困難になる問題があり、1000℃を超えるとAg系電極材の形成が困難となり、また好ましい誘電特性を得ることが出来ない。
焼結後、表面に付着しているアルミナ拘束シートを除去する。これは焼成後の基板を超音波洗浄槽の水の中に入れて超音波を駆動することにより行う。このとき、図5に図示するように、Ag電極13表面にアルミナ粒子15が適宜に残留するように拘束シートを除去する。
(アルミナ残留量)
FE-SEM(日立S-4500、加速電圧10kV)で試料を観察し、電極上にてAg−L、Al−KαをEDX分析(酸素などの不純物は除外)し、AgとAlを確認した。このとき、アルミナ残留量評価は、多層セラミック基板の表面の外部電極において、ビアホール電極の延長線上のとならない部分であって、200×200μmの範囲を選択してEDX分析した。スタンダードレス法によりAgとAlの質量%を3点の平均値で求めた。Alの質量%は電極表面におけるアルミナの残留量に比例するので、アルミナの残留量をAlの質量%[Al/(Al+Ag)×100(%)]で示す。この外部電極のビアホール電極の延長線上とならない部分とは、図6に示すように、外部電極4のビアホール電極3の延長上の領域3aを除いた、例えば図6の矩形の破線で示す領域4aのような部分のことを言う。尚、図6は、この分析領域を示すための模式図であって、図6(a)は外部電極が形成された平面の模式図、図6(b)は、その断面の模式図である。
電極表面にNiめっきコバールピン(φ0.5mm)を垂直に立ててはんだ(Sn-3.5Ag)付けし、オートグラフ(島津製)にて、引張速度12mm/minで測定し、10点の平均値と最小値を出した。
拘束層を超音波で除去した各試料を245℃に保ったSn-3.5Ag半田槽に1分間浸漬した後、外部電極を光学顕微鏡により観察した。外部電極上のメタル(Ag+付着した半田)の面積率より、各試料の半田食われ状態を下記基準により評価した。
外部電極のメタルの面積率が95%以上:優
外部電極のメタルの面積率が95%未満かつ85%以上:良
外部電極のメタルの面積率が85%未満:不良
拘束層を超音波で除去した各試料を245℃に保ったSn-3.5Ag半田槽に5秒間浸漬した後、外部電極を光学顕微鏡により観察した。外部電極上のはんだの面積率より、各試料のはんだ濡れ性を下記基準により評価した。
外部電極のはんだの面積率が95%以上:優
外部電極のはんだの面積率が95%未満かつ85%以上:良
外部電極のはんだの面積率が85%未満:不良
また、No.4、8、12、16のように超音波洗浄時間が長くなると、電極パターンの損傷が見られた。パターン損傷に対応して、はんだ食われ性の低下が確認された。これは、パターンの損傷部を起点にして、はんだが電極を侵食しているためであると考えられる。また、15kHzでは洗浄時間の長いNo.4で電極強度が大きく劣化している。超音波洗浄は、低い周波数ほどキャビテーションの発生頻度が多くなるため、他の洗浄周波数よりも電極の損傷を受けやすく、電極強度が劣化したと考えられる。
はんだ濡れ性、はんだ食われ性が確保(良以上)されており、パターン損傷のない例(No.2、3、6、7、10、11、15)では、残留アルミナ量は0.5〜20質量%で、電極強度は概ね5N/mm2以上、平均値では概ね20N/mm2以上であった。特に、26kHzの場合には、他の洗浄周波数よりも広い洗浄時間範囲(5〜10分)において、より望ましい電極強度である20N/mm2を十分確保することができる。
表2には、比較例としてサンドブラストによる例を示したが、いずれの投射材においてもパターンの損傷が激しく、電極強度が劣化していることが分かる。
2:内部電極
3:ビアホール電極
4:外部電極
5:オーバーコート層
6:端子外部電極
7:未焼成多層セラミック基板
8:シート状上面拘束層
9:シート状下面拘束層
10:拘束層を備えた多層セラミック基板
11:多層セラミック基板
12:大型多層セラミック基板
13:表面電極
14:分割溝
15:拘束無機粒子
16:セラミック部
Claims (4)
- セラミック材料を含む低温焼結可能な基板用グリーンシートを積層した未焼結多層セラミック基板の少なくとも上面に外部電極を形成し、未焼結多層セラミック基板の焼結温度では焼結しない無機粒子を主成分とする拘束層を前記未焼結多層セラミック基板の外部電極を含む上面及び/又は下面に密着するように設けて一体的な積層体とし、前記積層体を未焼結多層セラミック基板の焼結する温度で焼結した後、前記拘束層を除去してなる多層セラミック基板であって、前記外部電極上に残留する前記無機粒子が、前記外部電極を構成する金属と前記無機粒子を構成する金属の合計に対する前記無機粒子を構成する金属の割合として、0.5〜20質量%であり、且つ前記外部電極の密着強度が5N/mm2以上であることを特徴とする多層セラミック基板。
- セラミック材料を含む低温焼結可能な基板用グリーンシートを積層し焼結してなる多層セラミック基板であって、内部に形成された内部電極とビアホール電極で接続される外部電極が前記多層セラミック基板の表面に形成されている多層セラミック基板において、前記外部電極は主成分がAgであるとともにアルミナ粒子が存在し、前記外部電極の前記ビアホール電極の延長上とならない部分におけるAgとAlの割合(Al/(Ag+Al))が0.5〜20質量%であり、且つ前記外部電極の密着強度が5N/mm2以上であることを特徴とする多層セラミック基板。
- セラミック材料の粉末及び少なくとも有機バインダを含有するスラリーを用いて低温焼結可能な基板用グリーンシートを作製し、
前記基板用グリーンシートに電極を形成した後、積層して未焼結多層セラミック基板を作製し、
未焼結多層セラミック基板の焼結温度では焼結しない無機粒子と少なくとも有機バインダとを含有する拘束層を、前記未焼結多層セラミック基板の外部電極を含む上面及び/又は下面に密着するように設けて一体的な積層体とし、
前記積層体を未焼結多層セラミック基板の焼結する温度で焼結し、
前記拘束層を焼結した前記積層体の表面から除去する工程と、
を有する多層セラミック基板の製造方法であって、
前記拘束層の除去工程において、前記外部電極上に残留する無機粒子が、当該外部電極を構成する金属と前記無機粒子を構成する金属の合計に対する前記無機粒子を構成する金属の割合として、0.5〜20質量%であり、且つ前記外部電極の密着強度が5N/mm2以上となるように、前記拘束層を除去することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。 - 前記拘束層を除去する手段が超音波洗浄であって、周波数が10〜50kHzであることを特徴とする請求項3記載の多層セラミック基板の製造方法。
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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