JP2002016361A - ガラスセラミック回路基板の製造方法 - Google Patents
ガラスセラミック回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2002016361A JP2002016361A JP2000196255A JP2000196255A JP2002016361A JP 2002016361 A JP2002016361 A JP 2002016361A JP 2000196255 A JP2000196255 A JP 2000196255A JP 2000196255 A JP2000196255 A JP 2000196255A JP 2002016361 A JP2002016361 A JP 2002016361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- conductor
- circuit board
- glass ceramic
- ceramic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 拘束焼成法で表層導体をガラスセラミック回
路基板と同時焼成できるようにする。 【解決手段】 ガラス成分を１〜１０重量％含むＡｇ系
導体ペーストを用いて１層目（最上層）のグリーンシー
ト１１ａに表層導体１４を印刷する。各層のグリーンシ
ート１１ａ〜１１ｃを積層して、ガラスセラミック回路
基板の生基板を作製し、その両面に、該ガラスセラミッ
クの焼結温度では焼結しない拘束用グリーンシート１６
を圧着して拘束焼成する。この後、拘束用グリーンシー
ト１６をブラスト処理で除去した後、表層導体１４の表
面にめっきを施してワイヤボンディング性を向上させ
る。この場合、表層導体１４に含まれるガラス成分が表
層導体１４と基板表面のガラスセラミックとを接合する
接着剤としての役割を果たして、表層導体１４の接合強
度を向上させ、ブラスト処理時の表層導体１４の剥がれ
を防止する。
路基板と同時焼成できるようにする。 【解決手段】 ガラス成分を１〜１０重量％含むＡｇ系
導体ペーストを用いて１層目（最上層）のグリーンシー
ト１１ａに表層導体１４を印刷する。各層のグリーンシ
ート１１ａ〜１１ｃを積層して、ガラスセラミック回路
基板の生基板を作製し、その両面に、該ガラスセラミッ
クの焼結温度では焼結しない拘束用グリーンシート１６
を圧着して拘束焼成する。この後、拘束用グリーンシー
ト１６をブラスト処理で除去した後、表層導体１４の表
面にめっきを施してワイヤボンディング性を向上させ
る。この場合、表層導体１４に含まれるガラス成分が表
層導体１４と基板表面のガラスセラミックとを接合する
接着剤としての役割を果たして、表層導体１４の接合強
度を向上させ、ブラスト処理時の表層導体１４の剥がれ
を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、焼成前のガラスセ
ラミック回路基板の両面に拘束用グリーンシートを圧着
して焼成するガラスセラミック回路基板の製造方法に関
するものである。
ラミック回路基板の両面に拘束用グリーンシートを圧着
して焼成するガラスセラミック回路基板の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラスセラミック回路基板を焼成
する際に、基板の面方向の焼成収縮を小さくして基板寸
法精度を向上させるために、焼成前のガラスセラミック
回路基板の両面に拘束用アルミナグリーンシートを圧着
し、その上から加圧しながらガラスセラミック回路基板
を焼成した後、その焼成基板の両面に付着した未焼結の
拘束用アルミナグリーンシートの残留物（拘束用アルミ
ナグリーンシートは焼成の過程で溶剤や樹脂バインダが
飛散してアルミナ粉体として残る）をブラスト処理で除
去して、ガラスセラミック回路基板を製造する、いわゆ
る拘束焼成法が実用化されている。
する際に、基板の面方向の焼成収縮を小さくして基板寸
法精度を向上させるために、焼成前のガラスセラミック
回路基板の両面に拘束用アルミナグリーンシートを圧着
し、その上から加圧しながらガラスセラミック回路基板
を焼成した後、その焼成基板の両面に付着した未焼結の
拘束用アルミナグリーンシートの残留物（拘束用アルミ
ナグリーンシートは焼成の過程で溶剤や樹脂バインダが
飛散してアルミナ粉体として残る）をブラスト処理で除
去して、ガラスセラミック回路基板を製造する、いわゆ
る拘束焼成法が実用化されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の拘束焼成法で
は、拘束焼成後にブラスト処理により基板表面の拘束用
アルミナグリーンシートを除去してから、基板表面に後
付けで表層導体を印刷・焼成するようにしていた。この
理由は、表層導体を印刷してから拘束焼成すると、拘束
焼成後にブラスト処理によって基板表面から拘束用アル
ミナグリーンシートを除去する際に、表層導体までも剥
がされてしまうためである。そのため、従来の拘束焼成
法では、ブラスト処理後に、基板表面に後付けで表層導
体を印刷・焼成するようにしており、その分、工程数が
増えて生産性が低下し、生産コストが高くなるという欠
点があった。
は、拘束焼成後にブラスト処理により基板表面の拘束用
アルミナグリーンシートを除去してから、基板表面に後
付けで表層導体を印刷・焼成するようにしていた。この
理由は、表層導体を印刷してから拘束焼成すると、拘束
焼成後にブラスト処理によって基板表面から拘束用アル
ミナグリーンシートを除去する際に、表層導体までも剥
がされてしまうためである。そのため、従来の拘束焼成
法では、ブラスト処理後に、基板表面に後付けで表層導
体を印刷・焼成するようにしており、その分、工程数が
増えて生産性が低下し、生産コストが高くなるという欠
点があった。
【０００４】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、拘束焼成時に表層導
体を同時焼成しても、ブラスト処理時の表層導体の剥が
れを防止でき、表層導体の品質を維持しながら生産性を
向上することができるガラスセラミック回路基板の製造
方法を提供することにある。
たものであり、従ってその目的は、拘束焼成時に表層導
体を同時焼成しても、ブラスト処理時の表層導体の剥が
れを防止でき、表層導体の品質を維持しながら生産性を
向上することができるガラスセラミック回路基板の製造
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１のガラスセラミック回路基板の製
造方法は、ガラス成分を１〜１０重量％含むＡｇ系導体
ペーストを用いて基板表面（グリーンシート）に表層導
体を印刷し、その後、焼成工程前に、ガラスセラミック
回路基板の両面に、該ガラスセラミック回路基板の焼結
温度では焼結しない拘束用グリーンシートを圧着して拘
束焼成し、拘束焼成後に該拘束用グリーンシートをブラ
スト処理で除去した後、表層導体の表面にめっきを施す
ようにしたものである。この場合、拘束焼成時に表層導
体を同時焼成するが、この表層導体の印刷に用いるＡｇ
系導体ペーストはガラス成分を１〜１０重量％含むた
め、このガラス成分が表層導体と基板表面のガラスセラ
ミックとを接合する接着剤としての役割を果たして、表
層導体の接合強度が向上し、ブラスト処理時でも表層導
体とガラスセラミックとの接合状態が維持されて、ブラ
スト処理による表層導体の剥がれが防止される。
に、本発明の請求項１のガラスセラミック回路基板の製
造方法は、ガラス成分を１〜１０重量％含むＡｇ系導体
ペーストを用いて基板表面（グリーンシート）に表層導
体を印刷し、その後、焼成工程前に、ガラスセラミック
回路基板の両面に、該ガラスセラミック回路基板の焼結
温度では焼結しない拘束用グリーンシートを圧着して拘
束焼成し、拘束焼成後に該拘束用グリーンシートをブラ
スト処理で除去した後、表層導体の表面にめっきを施す
ようにしたものである。この場合、拘束焼成時に表層導
体を同時焼成するが、この表層導体の印刷に用いるＡｇ
系導体ペーストはガラス成分を１〜１０重量％含むた
め、このガラス成分が表層導体と基板表面のガラスセラ
ミックとを接合する接着剤としての役割を果たして、表
層導体の接合強度が向上し、ブラスト処理時でも表層導
体とガラスセラミックとの接合状態が維持されて、ブラ
スト処理による表層導体の剥がれが防止される。
【０００６】この場合、表層導体としてＡｇ系導体ペー
ストを用いる利点は、電気的特性が優れていること、空
気中で焼成可能であること、めっき処理が容易であるこ
と等である。また、Ａｇ系導体ペーストのガラス成分の
配合量を１〜１０重量％とした理由は、接着剤としての
役割を果たすガラス成分が１重量％より少ないと、ガラ
スセラミックと表層導体との接合強度増加の効果が少な
く、ブラスト処理時の表層導体の剥がれを十分に防止す
ることができない。また、ガラス成分が１０重量％より
も多いと、表層導体の表面へのガラス成分の析出が多く
なりすぎて、めっきが付きにくくなり、ワイヤボンディ
ング性が悪化すると共に、表層導体のガラス成分が多く
なることで、表層導体の電気的特性も低下する。従っ
て、ガラス成分が１〜１０重量％であれば、表層導体の
接合強度を確保できて、ブラスト処理時の表層導体の剥
がれを十分に防止できると共に、表層導体の表面へのガ
ラス成分の析出を少なくして、表層導体の表面にめっき
が付きやすくなると共に、ガラス成分の添加による表層
導体の電気的特性低下も抑えられる。
ストを用いる利点は、電気的特性が優れていること、空
気中で焼成可能であること、めっき処理が容易であるこ
と等である。また、Ａｇ系導体ペーストのガラス成分の
配合量を１〜１０重量％とした理由は、接着剤としての
役割を果たすガラス成分が１重量％より少ないと、ガラ
スセラミックと表層導体との接合強度増加の効果が少な
く、ブラスト処理時の表層導体の剥がれを十分に防止す
ることができない。また、ガラス成分が１０重量％より
も多いと、表層導体の表面へのガラス成分の析出が多く
なりすぎて、めっきが付きにくくなり、ワイヤボンディ
ング性が悪化すると共に、表層導体のガラス成分が多く
なることで、表層導体の電気的特性も低下する。従っ
て、ガラス成分が１〜１０重量％であれば、表層導体の
接合強度を確保できて、ブラスト処理時の表層導体の剥
がれを十分に防止できると共に、表層導体の表面へのガ
ラス成分の析出を少なくして、表層導体の表面にめっき
が付きやすくなると共に、ガラス成分の添加による表層
導体の電気的特性低下も抑えられる。
【０００７】更に、請求項２のように、ガラスセラミッ
ク回路基板を形成するガラスセラミックは、ＣａＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナとの
混合物を用い、Ａｇ系導体ペーストは、ガラス成分とし
てＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスを
含むものを用いると良い。このようにすれば、ガラスセ
ラミックと表層導体に同じ組成のガラス成分が含まれる
ため、拘束焼成時のガラスセラミックと表層導体のガラ
ス成分の挙動が同じとなり、ガラスセラミックと表層導
体との接合性が更に向上する。
ク回路基板を形成するガラスセラミックは、ＣａＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナとの
混合物を用い、Ａｇ系導体ペーストは、ガラス成分とし
てＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスを
含むものを用いると良い。このようにすれば、ガラスセ
ラミックと表層導体に同じ組成のガラス成分が含まれる
ため、拘束焼成時のガラスセラミックと表層導体のガラ
ス成分の挙動が同じとなり、ガラスセラミックと表層導
体との接合性が更に向上する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。まず、図１（ｂ）に基づいてガラ
スセラミック回路基板の構造を説明する。ガラスセラミ
ック回路基板は、複数枚のガラスセラミックのグリーン
シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層して８００〜１０
００℃で拘束焼成したものである。ガラスセラミックと
しては、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガ
ラス：５０〜６５重量％（好ましくは６０重量％）とア
ルミナ：５０〜３５重量％（好ましくは４０重量％）と
の混合物を用いる。この他、例えば、ＭｇＯ−ＳｉＯ2
−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3系ガラスとアルミナとの混合
物、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナとの混合
物、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナと
の混合物、コージェライト系結晶化ガラス等の８００〜
１０００℃で焼成できるガラスセラミック材料を用いて
も良い。
に基づいて説明する。まず、図１（ｂ）に基づいてガラ
スセラミック回路基板の構造を説明する。ガラスセラミ
ック回路基板は、複数枚のガラスセラミックのグリーン
シート１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層して８００〜１０
００℃で拘束焼成したものである。ガラスセラミックと
しては、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガ
ラス：５０〜６５重量％（好ましくは６０重量％）とア
ルミナ：５０〜３５重量％（好ましくは４０重量％）と
の混合物を用いる。この他、例えば、ＭｇＯ−ＳｉＯ2
−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3系ガラスとアルミナとの混合
物、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナとの混合
物、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナと
の混合物、コージェライト系結晶化ガラス等の８００〜
１０００℃で焼成できるガラスセラミック材料を用いて
も良い。
【０００９】各層のグリーンシート（セラミック層）１
１ａ，１１ｂ，１１ｃには、ビアホール１２がパンチン
グ加工等により形成され、各ビアホール１２にビア導体
１３が充填されている。各層のビア導体１３は、例え
ば、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｇ／Ａｕ等を主
に含むＡｇ系導体ペーストにより形成されている。尚、
各層のビア導体１３は、Ａｇ系導体ペーストに代えて、
Ａｕ系、Ｃｕ系等の低融点金属のペーストを用いても良
い。
１ａ，１１ｂ，１１ｃには、ビアホール１２がパンチン
グ加工等により形成され、各ビアホール１２にビア導体
１３が充填されている。各層のビア導体１３は、例え
ば、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｇ／Ａｕ等を主
に含むＡｇ系導体ペーストにより形成されている。尚、
各層のビア導体１３は、Ａｇ系導体ペーストに代えて、
Ａｕ系、Ｃｕ系等の低融点金属のペーストを用いても良
い。
【００１０】１層目（最上層）のグリーンシート１１ａ
には、パッドや配線パターン等の表層導体１４がＡｇ、
Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｇ／Ａｕ等を主に含むＡｇ
系導体ペーストにより形成されている。このＡｇ系導体
ペーストには、グリーンシート１１ａ（ガラスセラミッ
ク）に含まれるガラス成分と同じガラス成分（本実施形
態ではＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラ
ス）が１〜１０重量％、より好ましくは２〜８重量％含
まれている。更に、表層導体１４の表面には、後述する
ブラスト処理後にめっき処理が施され、例えばＮｉめっ
きを下地とするＡｕめっきの被膜が形成されている。ま
た、２層目以下のグリーンシート１１ｂ，１１ｃには、
内層導体１５がＡｇ系導体ペースト又はＡｕ系、Ｃｕ系
等の低融点金属のペーストにより形成されている。尚、
ビア導体１３や内層導体１５をＡｇ系導体ペーストで形
成する場合は、表層導体１４の場合と異なり、該Ａｇ系
導体ペーストに、１〜１０重量％のガラス成分を配合す
る必要はない。
には、パッドや配線パターン等の表層導体１４がＡｇ、
Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｇ／Ａｕ等を主に含むＡｇ
系導体ペーストにより形成されている。このＡｇ系導体
ペーストには、グリーンシート１１ａ（ガラスセラミッ
ク）に含まれるガラス成分と同じガラス成分（本実施形
態ではＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラ
ス）が１〜１０重量％、より好ましくは２〜８重量％含
まれている。更に、表層導体１４の表面には、後述する
ブラスト処理後にめっき処理が施され、例えばＮｉめっ
きを下地とするＡｕめっきの被膜が形成されている。ま
た、２層目以下のグリーンシート１１ｂ，１１ｃには、
内層導体１５がＡｇ系導体ペースト又はＡｕ系、Ｃｕ系
等の低融点金属のペーストにより形成されている。尚、
ビア導体１３や内層導体１５をＡｇ系導体ペーストで形
成する場合は、表層導体１４の場合と異なり、該Ａｇ系
導体ペーストに、１〜１０重量％のガラス成分を配合す
る必要はない。
【００１１】次に、上記構成のガラスセラミック回路基
板の製造方法を図２の工程フローチャートに従って説明
する。まず、ガラスセラミックのスラリーをドクターブ
レード法等でテープ成形して、グリーンシートを成形す
る。この後、このグリーンシートを、所定サイズに切断
すると共に、パンチングマシーン等で各層のグリーンシ
ート１１ａ〜１１ｃの所定位置にビアホール１２を形成
する。
板の製造方法を図２の工程フローチャートに従って説明
する。まず、ガラスセラミックのスラリーをドクターブ
レード法等でテープ成形して、グリーンシートを成形す
る。この後、このグリーンシートを、所定サイズに切断
すると共に、パンチングマシーン等で各層のグリーンシ
ート１１ａ〜１１ｃの所定位置にビアホール１２を形成
する。
【００１２】この後、各層のグリーンシート１１ａ〜１
１ｃのビアホール１２に導体ペーストの穴埋め印刷によ
りビア導体１３を充填する。その後、１層目（最上層）
のグリーンシート１１ａに、表層導体１４をＡｇ系導体
ペーストでスクリーン印刷する。このＡｇ系導体ペース
トには、グリーンシート１１ａ（ガラスセラミック）に
含まれるガラス成分と同じガラス成分（本実施形態では
ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス）が
１〜１０重量％、より好ましくは２〜８重量％含まれて
いる。更に、２層目以下のグリーンシート１１ｂ，１１
ｃには、内層導体１５をＡｇ系導体ペースト又はＡｕ
系、Ｃｕ系等の低融点金属のペーストによりスクリーン
印刷する。
１ｃのビアホール１２に導体ペーストの穴埋め印刷によ
りビア導体１３を充填する。その後、１層目（最上層）
のグリーンシート１１ａに、表層導体１４をＡｇ系導体
ペーストでスクリーン印刷する。このＡｇ系導体ペース
トには、グリーンシート１１ａ（ガラスセラミック）に
含まれるガラス成分と同じガラス成分（本実施形態では
ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス）が
１〜１０重量％、より好ましくは２〜８重量％含まれて
いる。更に、２層目以下のグリーンシート１１ｂ，１１
ｃには、内層導体１５をＡｇ系導体ペースト又はＡｕ
系、Ｃｕ系等の低融点金属のペーストによりスクリーン
印刷する。
【００１３】次の工程で、各層のグリーンシート１１ａ
〜１１ｃを積層して生基板を作り、これを例えば８０〜
１５０℃で加熱圧着して一体化する。更に、この生基板
の両面に図１（ａ）に示すように、拘束用グリーンシー
ト１６を積層し、上述と同様の方法で加熱圧着する。こ
の拘束用グリーンシート１６は、ガラスセラミックの焼
結温度では焼結しないアルミナグリーンシート等により
形成されている。
〜１１ｃを積層して生基板を作り、これを例えば８０〜
１５０℃で加熱圧着して一体化する。更に、この生基板
の両面に図１（ａ）に示すように、拘束用グリーンシー
ト１６を積層し、上述と同様の方法で加熱圧着する。こ
の拘束用グリーンシート１６は、ガラスセラミックの焼
結温度では焼結しないアルミナグリーンシート等により
形成されている。
【００１４】この後、２枚の拘束用グリーンシート１６
間に挟まれた生基板を加圧しながら８００〜１０００℃
（好ましくは９００℃）で焼成して、各層のグリーンシ
ート１１ａ〜１１ｃ、ビア導体１３、内層導体１５及び
表層導体１４を同時焼成する。尚、生基板を加圧せずに
焼成しても良く、この場合でも、ガラスセラミック回路
基板の面方向の焼成収縮を拘束用グリーンシート１６に
よって少なくすることができる。
間に挟まれた生基板を加圧しながら８００〜１０００℃
（好ましくは９００℃）で焼成して、各層のグリーンシ
ート１１ａ〜１１ｃ、ビア導体１３、内層導体１５及び
表層導体１４を同時焼成する。尚、生基板を加圧せずに
焼成しても良く、この場合でも、ガラスセラミック回路
基板の面方向の焼成収縮を拘束用グリーンシート１６に
よって少なくすることができる。
【００１５】このような拘束焼成では、基板両面に圧着
された拘束用グリーンシート１６（アルミナグリーンシ
ート）は１５５０〜１６００℃まで加熱しないと焼結し
ないので、８００〜１０００℃で焼成すれば、拘束用グ
リーンシート１６は未焼結のまま残される。但し、焼成
の過程で、拘束用グリーンシート１６中のバインダーや
溶剤が飛散してアルミナ粉体として残る。
された拘束用グリーンシート１６（アルミナグリーンシ
ート）は１５５０〜１６００℃まで加熱しないと焼結し
ないので、８００〜１０００℃で焼成すれば、拘束用グ
リーンシート１６は未焼結のまま残される。但し、焼成
の過程で、拘束用グリーンシート１６中のバインダーや
溶剤が飛散してアルミナ粉体として残る。
【００１６】拘束焼成後、基板両面に残った拘束用グリ
ーンシート１６の残存物（アルミナ粉体）をブラスト処
理により除去する［図１（ｂ）参照］。このブラスト処
理では、投射材として、例えばガラスビーズを用いる。
ブラスト処理後、めっき処理工程に移行し、基板表面の
表層導体１４の表面に、例えばＮｉめっきを下地とする
Ａｕめっきの被膜を形成して、ワイヤボンディングを可
能にする。
ーンシート１６の残存物（アルミナ粉体）をブラスト処
理により除去する［図１（ｂ）参照］。このブラスト処
理では、投射材として、例えばガラスビーズを用いる。
ブラスト処理後、めっき処理工程に移行し、基板表面の
表層導体１４の表面に、例えばＮｉめっきを下地とする
Ａｕめっきの被膜を形成して、ワイヤボンディングを可
能にする。
【００１７】以上説明したガラスセラミック回路基板の
製造方法によれば、拘束焼成時に表層導体１４を同時焼
成するが、この表層導体１４の印刷に用いるＡｇ系導体
ペーストはガラス成分を１〜１０重量％含むため、この
ガラス成分が表層導体１４と基板表面のガラスセラミッ
クとを接合する接着剤としての役割を果たして、表層導
体１４の接合強度が向上する。このため、ブラスト処理
時でも表層導体１４とガラスセラミックとの接合状態が
維持されて、ブラスト処理による表層導体の剥がれが防
止される。これにより、ガラスセラミック回路基板と表
層導体１４とを同時に拘束焼成することが可能となり、
表層導体１４を後付けする従来の拘束焼成と比較して、
工程数を減らして生産性を向上でき、生産コストを低減
することができる。しかも、表層導体１４の表面をめっ
き処理したので、ワイヤボンディング性も確保すること
ができ、ワイヤボンディング仕様にも対応できる。
製造方法によれば、拘束焼成時に表層導体１４を同時焼
成するが、この表層導体１４の印刷に用いるＡｇ系導体
ペーストはガラス成分を１〜１０重量％含むため、この
ガラス成分が表層導体１４と基板表面のガラスセラミッ
クとを接合する接着剤としての役割を果たして、表層導
体１４の接合強度が向上する。このため、ブラスト処理
時でも表層導体１４とガラスセラミックとの接合状態が
維持されて、ブラスト処理による表層導体の剥がれが防
止される。これにより、ガラスセラミック回路基板と表
層導体１４とを同時に拘束焼成することが可能となり、
表層導体１４を後付けする従来の拘束焼成と比較して、
工程数を減らして生産性を向上でき、生産コストを低減
することができる。しかも、表層導体１４の表面をめっ
き処理したので、ワイヤボンディング性も確保すること
ができ、ワイヤボンディング仕様にも対応できる。
【００１８】ところで、表層導体１４の印刷に用いるＡ
ｇ系導体ペーストのガラス成分は、表層導体１４とガラ
スセラミックとを接合する接着剤としての役割を果たす
ため、表層導体１４の接合強度を大きくするには、ガラ
ス成分の配合量をある程度多くすることが望ましい。し
かし、ガラス成分の配合量が多くなり過ぎると、表層導
体１４の表面へのガラス成分の析出が多くなりすぎて、
めっきが付きにくくなり、ワイヤボンディング性が悪化
すると共に、ガラス成分の添加による表層導体１４の電
気的特性の低下も無視できなくなる。
ｇ系導体ペーストのガラス成分は、表層導体１４とガラ
スセラミックとを接合する接着剤としての役割を果たす
ため、表層導体１４の接合強度を大きくするには、ガラ
ス成分の配合量をある程度多くすることが望ましい。し
かし、ガラス成分の配合量が多くなり過ぎると、表層導
体１４の表面へのガラス成分の析出が多くなりすぎて、
めっきが付きにくくなり、ワイヤボンディング性が悪化
すると共に、ガラス成分の添加による表層導体１４の電
気的特性の低下も無視できなくなる。
【００１９】そこで、本発明者らは、表層導体１４の印
刷に用いるＡｇ系導体ペーストのガラス成分の配合量の
適正範囲を考察する試験を行ったので、その試験結果を
次の表１に示す。
刷に用いるＡｇ系導体ペーストのガラス成分の配合量の
適正範囲を考察する試験を行ったので、その試験結果を
次の表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】この試験では、ガラスセラミック回路基板
のガラスセラミックとして、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2
Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス：６０重量％とアルミナ：４０
重量％との混合物を用いた。また、表層導体は、＃３を
除く５つのサンプル＃１，＃２，＃４〜＃６では、Ａｇ
を用い、＃３ではＡｇ／Ｐｄを用いた。
のガラスセラミックとして、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2
Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス：６０重量％とアルミナ：４０
重量％との混合物を用いた。また、表層導体は、＃３を
除く５つのサンプル＃１，＃２，＃４〜＃６では、Ａｇ
を用い、＃３ではＡｇ／Ｐｄを用いた。
【００２２】また、Ａｇ系導体ペーストに配合するガラ
スの組成は、＃４を除く５つのサンプル＃１〜＃３，＃
５，＃６で、ガラスセラミックに含まれるガラスと同じ
組成のガラス（ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ
3 系ガラス）を用い、＃４では、異なる組成のガラス
（ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 系ガラス）を用いた。
スの組成は、＃４を除く５つのサンプル＃１〜＃３，＃
５，＃６で、ガラスセラミックに含まれるガラスと同じ
組成のガラス（ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ
3 系ガラス）を用い、＃４では、異なる組成のガラス
（ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 系ガラス）を用いた。
【００２３】この試験結果からも明らかなように、Ａｇ
とＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスと
を配合した導体ペーストを用いた４つのサンプル＃１，
＃２，＃５，＃６では、ガラスの配合量が少なくなるほ
ど、表層導体の接合強度が小さくなり、ガラスの配合量
が最も少ない＃６（ガラスの配合量が０．５重量％）で
は、めっき前の表層導体の接合強度が６．９［Ｎ／ｍｍ
2 ］であり、この程度の接合強度では、ブラスト処理時
に表層導体の剥がれが発生した。しかも、拘束焼成時に
拘束用グリーンシートと表層導体とが反応して両者が接
合してしまい、表層導体の表面から拘束用グリーンシー
トを除去しにくくなり、これもブラスト処理時に表層導
体の剥がれを発生させる原因となる。
とＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスと
を配合した導体ペーストを用いた４つのサンプル＃１，
＃２，＃５，＃６では、ガラスの配合量が少なくなるほ
ど、表層導体の接合強度が小さくなり、ガラスの配合量
が最も少ない＃６（ガラスの配合量が０．５重量％）で
は、めっき前の表層導体の接合強度が６．９［Ｎ／ｍｍ
2 ］であり、この程度の接合強度では、ブラスト処理時
に表層導体の剥がれが発生した。しかも、拘束焼成時に
拘束用グリーンシートと表層導体とが反応して両者が接
合してしまい、表層導体の表面から拘束用グリーンシー
トを除去しにくくなり、これもブラスト処理時に表層導
体の剥がれを発生させる原因となる。
【００２４】また、ガラスの配合量が最も多い＃５（ガ
ラスの配合量が１２重量％）では、めっき前の表層導体
の接合強度が１０．３［Ｎ／ｍｍ2 ］であり、十分な接
合強度が得られるため、ブラスト処理時に表層導体の剥
がれが発生しない。しかし、ガラスの配合量が過剰であ
るため、表層導体の表面へのガラス成分の析出が多くな
りすぎて、めっきが付きにくくなり、良好なワイヤボン
ディング性が得られない。
ラスの配合量が１２重量％）では、めっき前の表層導体
の接合強度が１０．３［Ｎ／ｍｍ2 ］であり、十分な接
合強度が得られるため、ブラスト処理時に表層導体の剥
がれが発生しない。しかし、ガラスの配合量が過剰であ
るため、表層導体の表面へのガラス成分の析出が多くな
りすぎて、めっきが付きにくくなり、良好なワイヤボン
ディング性が得られない。
【００２５】これに対し、ガラスの配合量が１〜１０重
量％の範囲内の実施例＃１〜＃４は、めっき前の表層導
体の接合強度が７．８〜１０．８［Ｎ／ｍｍ2 ］であ
り、適度な接合強度が得られると共に、拘束焼成時に拘
束用グリーンシートと表層導体との反応が発生しない。
このため、ブラスト処理時に表層導体の剥がれが発生せ
ず、ブラスト処理後も良好な状態の表層導体が得られ
る。これにより、ガラスセラミック回路基板と表層導体
とを同時に拘束焼成することが可能となる。しかも、ガ
ラスの配合量が１０重量％以下であれば、表層導体の表
面へのガラス成分の析出が少なく、表層導体の表面にめ
っきが付きやすくなり、良好なワイヤボンディング性が
得られる。更に、めっき後の表層導体の接合強度も十分
に確保でき、ボンディングワイヤの接合強度も十分に確
保できる。
量％の範囲内の実施例＃１〜＃４は、めっき前の表層導
体の接合強度が７．８〜１０．８［Ｎ／ｍｍ2 ］であ
り、適度な接合強度が得られると共に、拘束焼成時に拘
束用グリーンシートと表層導体との反応が発生しない。
このため、ブラスト処理時に表層導体の剥がれが発生せ
ず、ブラスト処理後も良好な状態の表層導体が得られ
る。これにより、ガラスセラミック回路基板と表層導体
とを同時に拘束焼成することが可能となる。しかも、ガ
ラスの配合量が１０重量％以下であれば、表層導体の表
面へのガラス成分の析出が少なく、表層導体の表面にめ
っきが付きやすくなり、良好なワイヤボンディング性が
得られる。更に、めっき後の表層導体の接合強度も十分
に確保でき、ボンディングワイヤの接合強度も十分に確
保できる。
【００２６】この試験結果から、Ａｇ系導体ペーストの
ガラスの配合量が１〜１０重量％の範囲内であれば、導
体として、Ａｇ／Ｐｔ（実施例＃３）を用いても、Ａｇ
の場合とほぼ同等の耐ブラスト性（表層導体の剥がれ防
止）、ワイヤボンディング性が得られる。その他、Ａｇ
系導体として、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ａｕ等を用いても、
ほぼ同様の効果が得られる。
ガラスの配合量が１〜１０重量％の範囲内であれば、導
体として、Ａｇ／Ｐｔ（実施例＃３）を用いても、Ａｇ
の場合とほぼ同等の耐ブラスト性（表層導体の剥がれ防
止）、ワイヤボンディング性が得られる。その他、Ａｇ
系導体として、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ａｕ等を用いても、
ほぼ同様の効果が得られる。
【００２７】また、Ａｇ系導体ペーストに配合するガラ
スとして、ガラスセラミックに含まれるガラスと同じＣ
ａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスを用い
ると、ガラス配合量が３重量％（実施例＃３）でも、１
２重量％（比較例＃５）と同じ接合強度が得られる。つ
まり、比較的少ないガラス配合量で、表層導体の接合強
度を効果的に増大できる。これは、ガラスセラミックと
表層導体に同じ組成のガラス成分が含まれると、拘束焼
成時のガラスセラミックと表層導体のガラス成分の挙動
が同じとなり、ガラスセラミックと表層導体との接合性
が更に向上するためである。
スとして、ガラスセラミックに含まれるガラスと同じＣ
ａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスを用い
ると、ガラス配合量が３重量％（実施例＃３）でも、１
２重量％（比較例＃５）と同じ接合強度が得られる。つ
まり、比較的少ないガラス配合量で、表層導体の接合強
度を効果的に増大できる。これは、ガラスセラミックと
表層導体に同じ組成のガラス成分が含まれると、拘束焼
成時のガラスセラミックと表層導体のガラス成分の挙動
が同じとなり、ガラスセラミックと表層導体との接合性
が更に向上するためである。
【００２８】しかし、実施例＃４のように、Ａｇ系導体
ペーストに配合するガラスとして、ガラスセラミックに
含まれるガラスと異なる組成のガラス（ＣａＯ−ＳｉＯ
2 −Ａｌ2 Ｏ3 系ガラス）を用いても、十分な耐ブラス
ト性、ワイヤボンディング性を確保できる。従って、Ａ
ｇ系導体ペーストに配合するガラスは、ＣａＯ−ＳｉＯ
2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスやＣａＯ−ＳｉＯ2
−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスに限定されず、例えばＭｇＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス、ＳｉＯ2 −Ｂ
2 Ｏ3 系ガラス等、他の組成のガラスを用いても良い。
ペーストに配合するガラスとして、ガラスセラミックに
含まれるガラスと異なる組成のガラス（ＣａＯ−ＳｉＯ
2 −Ａｌ2 Ｏ3 系ガラス）を用いても、十分な耐ブラス
ト性、ワイヤボンディング性を確保できる。従って、Ａ
ｇ系導体ペーストに配合するガラスは、ＣａＯ−ＳｉＯ
2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスやＣａＯ−ＳｉＯ2
−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスに限定されず、例えばＭｇＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス、ＳｉＯ2 −Ｂ
2 Ｏ3 系ガラス等、他の組成のガラスを用いても良い。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の請求項１によれば、ガラス成分を１〜１０重量％含む
Ａｇ系導体ペーストを用いて基板表面（グリーンシー
ト）に表層導体を印刷して拘束焼成を行い、ブラスト処
理後に表層導体の表面をめっき処理するようにしたの
で、拘束焼成時に表層導体を同時焼成しても、ブラスト
処理時の表層導体の剥がれを防止でき、表層導体の品質
を維持しながら生産性を向上することができると共に、
ワイヤボンディング性を向上できる。
の請求項１によれば、ガラス成分を１〜１０重量％含む
Ａｇ系導体ペーストを用いて基板表面（グリーンシー
ト）に表層導体を印刷して拘束焼成を行い、ブラスト処
理後に表層導体の表面をめっき処理するようにしたの
で、拘束焼成時に表層導体を同時焼成しても、ブラスト
処理時の表層導体の剥がれを防止でき、表層導体の品質
を維持しながら生産性を向上することができると共に、
ワイヤボンディング性を向上できる。
【００３０】更に、請求項２では、ガラスセラミックと
表層導体に同じ組成のガラス成分が含まれるため、表層
導体の接合強度を更に向上できる。
表層導体に同じ組成のガラス成分が含まれるため、表層
導体の接合強度を更に向上できる。
【図１】本発明の一実施形態におけるガラスセラミック
回路基板の製造方法を説明するためのもので、（ａ）は
拘束焼成時の状態を示す縦断面図、（ｂ）はブラスト処
理後のガラスセラミック回路基板の縦断面図
回路基板の製造方法を説明するためのもので、（ａ）は
拘束焼成時の状態を示す縦断面図、（ｂ）はブラスト処
理後のガラスセラミック回路基板の縦断面図
【図２】ガラスセラミック回路基板の製造工程の流れを
示す工程フローチャート
示す工程フローチャート
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…ガラスセラミックのグリーン
シート、１２…ビアホール、１３…ビア導体、１４…表
層導体、１５…内層導体、１６…拘束用グリーンシー
ト。
シート、１２…ビアホール、１３…ビア導体、１４…表
層導体、１５…内層導体、１６…拘束用グリーンシー
ト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/24 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｂ 3/38 Ｃ０４Ｂ 35/64 Ｇ Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB23 BB24 BB31 BB33 BB38 CC06 CC12 CC22 CC31 DD02 DD05 DD06 DD28 DD58 EE02 EE03 EE10 GG02 5E343 AA02 AA24 BB09 BB16 BB23 BB25 BB61 BB71 BB72 DD02 DD43 EE55 ER39 ER60 GG02 GG20 5E346 AA12 AA15 AA24 AA38 BB01 CC18 CC39 CC60 DD22 DD33 DD34 EE24 EE25 EE29 GG03 GG08 GG09 GG10 GG17 HH11
Claims (2)
- 【請求項１】 表層導体を印刷した焼成前のガラスセラ
ミック回路基板の両面に、該ガラスセラミック回路基板
の焼結温度では焼結しない拘束用グリーンシートを圧着
して拘束焼成し、拘束焼成後に該拘束用グリーンシート
をブラスト処理で除去してガラスセラミック回路基板を
製造する方法において、 前記表層導体は、ガラス成分を１〜１０重量％含むＡｇ
系導体ペーストを用いて印刷し、 拘束焼成後に、ブラスト処理で前記拘束用グリーンシー
トを除去した後、前記表層導体の表面にめっきを施すこ
とを特徴とするガラスセラミック回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記ガラスセラミック回路基板を形成す
るガラスセラミックは、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナとの混合物からなり、 前記Ａｇ系導体ペーストは、ガラス成分としてＣａＯ−
ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3−Ｂ2 Ｏ3 系ガラスを含むことを
特徴とする請求項１に記載のガラスセラミック回路基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000196255A JP3826685B2 (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | ガラスセラミック回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000196255A JP3826685B2 (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | ガラスセラミック回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016361A true JP2002016361A (ja) | 2002-01-18 |
| JP3826685B2 JP3826685B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=18694785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000196255A Expired - Lifetime JP3826685B2 (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | ガラスセラミック回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3826685B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003048782A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| JP2004099387A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無収縮セラミック多層基板の製造方法 |
| JP2004281426A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-10-07 | Kyocera Corp | ガラスセラミック配線基板 |
| JP2006135012A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Metals Ltd | 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板 |
| EP1675446A1 (en) * | 2003-10-17 | 2006-06-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Multi-layer ceramic substrate, method for manufacturng the same and electronic device using the same |
| US7105070B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method for producing ceramic substrate, and ceramic substrate |
| JP2006303437A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Hitachi Metals Ltd | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
| WO2008099594A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | 多層セラミック基板とその製造方法 |
| KR100882101B1 (ko) | 2007-11-07 | 2009-02-06 | 삼성전기주식회사 | 무수축 세라믹 기판의 제조방법 |
| KR100882100B1 (ko) | 2007-10-31 | 2009-02-06 | 삼성전기주식회사 | 변형 억제 시트를 이용한 다층 세라믹 기판의 제조 방법 |
| KR101038891B1 (ko) | 2009-03-17 | 2011-06-02 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판 및 그의 제조 방법 |
| KR101043463B1 (ko) | 2009-05-28 | 2011-06-23 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN104955283A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-09-30 | 安徽达胜电子有限公司 | 一种线路板喷锡工艺 |
-
2000
- 2000-06-26 JP JP2000196255A patent/JP3826685B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4552367B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2010-09-29 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| JP2003048782A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| JP4517566B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | 無収縮セラミック多層基板の製造方法 |
| JP2004099387A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無収縮セラミック多層基板の製造方法 |
| JP2004281426A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-10-07 | Kyocera Corp | ガラスセラミック配線基板 |
| US7105070B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method for producing ceramic substrate, and ceramic substrate |
| EP1675446A1 (en) * | 2003-10-17 | 2006-06-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Multi-layer ceramic substrate, method for manufacturng the same and electronic device using the same |
| EP1675446A4 (en) * | 2003-10-17 | 2009-12-02 | Hitachi Metals Ltd | MULTILAYER CERAMIC SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING SUCH A SUBSTRATE |
| JP2006135012A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Metals Ltd | 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板 |
| JP2006303437A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Hitachi Metals Ltd | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
| WO2008099594A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | 多層セラミック基板とその製造方法 |
| KR100882100B1 (ko) | 2007-10-31 | 2009-02-06 | 삼성전기주식회사 | 변형 억제 시트를 이용한 다층 세라믹 기판의 제조 방법 |
| KR100882101B1 (ko) | 2007-11-07 | 2009-02-06 | 삼성전기주식회사 | 무수축 세라믹 기판의 제조방법 |
| KR101038891B1 (ko) | 2009-03-17 | 2011-06-02 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판 및 그의 제조 방법 |
| KR101043463B1 (ko) | 2009-05-28 | 2011-06-23 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판 및 이의 제조 방법 |
| CN104955283A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-09-30 | 安徽达胜电子有限公司 | 一种线路板喷锡工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3826685B2 (ja) | 2006-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002016361A (ja) | ガラスセラミック回路基板の製造方法 | |
| JP2004047856A (ja) | 導体ペースト及び印刷方法並びにセラミック多層回路基板の製造方法 | |
| JPS62206861A (ja) | セラミツクス多層回路板及び半導体実装構造 | |
| JP2002362987A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2003204168A (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
| JP4095468B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP2003224338A (ja) | ガラスセラミック配線基板 | |
| JP4099837B2 (ja) | 低温焼成セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP2002084051A (ja) | 銅メタライズ組成物、低温焼結セラミック配線基板、及びその製造方法 | |
| JP3825224B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3909196B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3909189B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JPH11186727A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP3909209B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3193626B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP3850243B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JPH11220260A (ja) | 低温焼成セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP3878784B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3722419B2 (ja) | Ａｕ導体ペースト及びガラスセラミック回路基板の製造方法 | |
| JP3748400B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3857016B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP3878803B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP2002124590A (ja) | セラミック回路基板及びその製造方法 | |
| JP3591770B2 (ja) | Ａｕ導体ペースト及びガラスセラミック回路基板の製造方法 | |
| JP3872325B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040623 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060501 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060613 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060626 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3826685 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090714 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130714 Year of fee payment: 7 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |