JP4623433B2 - 多層セラミック基板の製造方法及びそれによる多層セラミック基板 - Google Patents
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Description
この焼成に伴う収縮は、ロットごとに異なるため、高密度の配線を必要とする回路には位置ずれなどが起こり、精密な回路が必要とされる多層セラミック基板において問題である。
ここで無収縮プロセスは、グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料(アルミナ等)を有機バインダ中に分散させた無機組成物ペーストからなる拘束グリーンシートを用意し、この拘束グリーンシートを未焼成の多層セラミック基板の上面および下面に対し密着して設け、その上で焼成するものである。このときの拘束グリーンシート層の収縮抑制作用により基板表面の収縮が抑制される。しかし、未焼成状態で外部電極を予め形成した多層セラミック基板の場合、外部電極上に拘束グリーンシートを密着させるため、焼成後も拘束シート層を構成していた無機粒子(以下、拘束無機粒子と言うことがある。)が電極上に残留し、めっき不良や半田不良の原因となってしまう問題があった。
吹き付け手段を用いるにしても外部電極を同時焼成した基板に対してサンドブラストを用いると、電極の剥離等の深刻なダメージを外部電極に与えかねないと言う問題がある。これを回避するために拘束粒子を除去した後に外部電極を印刷し、後から焼き付ける方法もとられるが、この方法では電極印刷と焼成を再度行う必要があるため、工程が煩雑になり、コスト高になるという問題がある。
また、無機粒子が残ったままだと、めっき不良や半田不良が発生し歩留まりが低下する問題がある。この問題は、めっきや半田の結合が金属同士によるものであるのに対し、両者間に無機粒子であるアルミナ等の酸化物粒子が存在することにより上記結合が妨げられるために生じる。
低温焼成が可能な基板用グリーンシートを作製する工程と、前記基板用グリーンシートに
適宜電極を形成した後、積層して未焼成多層セラミック基板を作製する工程と、前記未焼
成多層セラミック基板の焼成温度では焼結しない無機粒子を主成分とする拘束用グリーン
シートを作製する工程と、前記拘束用グリーンシートを前記未焼成多層セラミック基板の
外部電極を含む両面又は片面に密着させて前記拘束層を形成する工程、から製造されることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法が好ましい。
尚、上記において焼成とあるのは焼結と読み替えてもよく、両者に実質的な相違はない。
また、本発明の製造方法による多層セラミック基板は、外部電極に残存する拘束無機粒子量が少なく、ダメージのない表面粗さとなっている。このような表面性状が適度な状態になっているので、半田不良やめっき不良を軽減することができる。
図1は本発明による多層セラミック基板の一例を示す断面図で、(a)は未焼成の多層セラミック基板を、(b)は拘束層を形成した未焼成の多層セラミック基板を、(c)は焼成後にこれら拘束層を取り除いた多層セラミック基板を示す断面図である。図2は小片の多層セラミック基板が集合した多層セラミック基板を示す斜視図である。
基板用グリーンシートは、800〜1000℃において低温焼成が可能なガラスセラミック材料からなるものであれば良い。ガラス粉末とセラミックス粉末の混合粉に有機バインダ、可塑剤、溶剤を混合した組成物を用いる場合や下記するようにガラスセラミック材の焼成物を粉砕した粉末材料など種々のものを用いることが出来るので規定するものではない。一例として以下のものを挙げる。
主成分がAl,Si,Sr,Tiの酸化物で構成され、それぞれAl2O3換算で10〜60質量%、SiO2換算で25〜60質量%、SrO換算で10〜50質量%、TiO2換算で20質量%以下(0を含む)からなり、900℃以下の温度でも焼成できる材料がある。これにより、銀や銅、金といった高い導電率を有する金属材料を電極用導体として用いて一体焼成を行うことができる。
さらに上記主成分100質量%に対して、副成分として、Bi、Na、K、Coの群のうち、Bi2O3換算で0.1〜10質量%、Na2O換算で0.1〜5質量%、K2O換算で0.1〜5質量%、CoO換算で0.1〜5質量%の少なくとも1種以上を含有させることが好ましい。これらの副成分は、仮焼工程においてAl2O3、TiO2以外の成分がガラス化する際、焼結助剤として働き、ガラスの軟化点を低下させる効果があり、より低温で収縮を開始する材料が得られる。
また、更に副成分としてCu、Mn、Agのうち、CuO換算で0.01〜5質量%、MnO2換算で0.01〜5質量%、Agを0.01〜5質量%のうち少なくとも1種以上を含有させることが好ましい。これらの副成分は、主に焼成工程において結晶化を促進する効果があり、焼成工程において1000℃以下の焼成温度でQの高い誘電特性を得ることを可能とするものである。
SiがSiO2換算で25質量%より少ない場合、SrがSrO換算で10質量%より少ない場合、いずれも1000℃以下の低温焼成では、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。AlがAl2O3換算で10質量%より少ない場合、良好な高強度が得られない。また、AlがAl2O3換算で60質量%より多い場合、SiがSiO2換算で60質量%より多い場合、SrがSrO換算で50質量%より多い場合、やはり1000℃以下の低温焼成では、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。
また、TiがTiO2換算で20質量%より多いと、1000℃以下の低温焼成では、焼結密度が十分上昇しないために、磁器が多孔質となり、吸湿等により良好な特性が得られない。同時に、磁器の共振周波数の温度係数がTiの含有量増加と共に大きくなり良好な特性が得られない。Tiが含有してない場合の磁器の共振周波数の温度係数τfは−20〜−40ppm/℃に対し、Tiの配合量を多くしていくにつれて増加し、τfを0ppm/℃に調整することも容易である。
Biは、低温焼成を達成するために添加される。つまり、このBiを添加することにより、仮焼工程においてAl2O3、TiO2以外の成分がガラス化しようとする際、このガラスの軟化点を低下させる効果があり、より低温で収縮を開始する材料が得られること、および、焼成工程において、1000℃以下の焼成温度でQの高い誘電特性を得ることを可能とするものである。しかしながら、Bi2O3換算で10質量%より多いと、Q値が小さくなる。このため、10質量%以下が望ましい。更に好ましくは5質量%以下である。一方、0.1質量%より少ないと添加効果が少なく、より低温での結晶化が困難になるため、0.1質量%以上が好ましい。更に好ましくは0.2質量%以上である。
CuとMnは、焼成工程において誘電体磁器組成物の結晶化を促進する効果があり、低温焼成を達成するために添加されるが、CuO換算で0.01質量%未満の場合、MnO2換算で0.01質量%未満の場合、その添加効果は小さく、900℃以下での焼成ではQの高い材料を得ることが困難になる。また、5質量%を超えると低温焼結性が損なわれるため、CuO換算で0.01〜5質量%が好ましい。
Agは、ガラスの軟化点を低下させると同時に、結晶化を促進する効果があり、低温焼成を達成するために添加されるが、5質量%を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ、実用性がない。このため、Agは5質量%以下の添加が好ましい。さらに好ましくは2質量%以下である。さらに、ZrO2換算で0.01〜2質量%のZrを含有していると機械的強度の向上が見られるので望ましい。
また、この低温焼成セラミック材料には、従来の材料に含まれているPbとBを含んでいない。PbOは有害物質であり、製造工程中で生じる廃棄物等の処理に費用がかかり、また製造工程中でのPbOの取り扱いにも注意が必要である。また、B2O3は、製造工程中で水、アルコールに溶解し、乾燥時に偏析したり、焼成時に電極材料と反応したり、使用する有機バインダと反応しバインダの性能を劣化させる等の問題がある。このような有害な元素を含んでいないので環境面でも有用である。
以上の主成分及び副成分から出発原料を選択し、原材料となる酸化物粉あるいは炭酸塩化合物粉をそれぞれ秤量する。これらの粉末をアルミナ製のボールミルやビーズミルに投入し、更に酸化ジルコニウム製のメディアボールと純水を投入して20時間湿式混合を行う。混合スラリーを加熱乾燥し水分を蒸発させた後ライカイ機で解砕し、アルミナ製のるつぼに入れて、700〜900℃、例えば800℃で2時間仮焼する。仮焼固形物を前述のボールミルやビーズミルに投入し20〜40時間湿式粉砕を行い、乾燥させ平均粒径0.6〜2μmの範囲に、例えば1μmの微粉砕粒子とする。仮焼物を微粉砕化した粒子はセラミックス粒子にガラスが部分的、全体的に被覆された仮焼複合物粒子となっている。これは、従来一般のガラス粒子とセラミックス粒子が溶融混合された原料に比べると、ガラス成分のガラス化反応が不十分で流動し難い状態にある。つまり、焼成過程においてガラスの流動が抑えられるので、拘束層のアルミナがグリーンシート側に埋没し難く、除去もし易いグリーンシートが得られる。次に、この仮焼複合物粉末に、エタノール、ブタノール、有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてブチルフタリルグリコール酸ブチル(略称:BPBG)をボールミルで混合してスラリーを作製した。尚、有機バインダとしては、例えばポリメタクリル樹脂等を、可塑剤としては、例えばジ−n−ブチルフタレートを、溶剤としては、例えばトルエン、イソプロピルアルコールのようなアルコール類を用いることもできる。
次いで、このスラリーをドクターブレード法によって有機フィルム(ポリエチレンテレフタレートPET)上でシート状に成形し、乾燥させて、0.15mm厚みのセラミックグリーンシートを得た。セラミックグリーンシートは有機フィルムごと180mm角に切断した。(図3の(1)の工程)
上記のセラミックグリーンシートに、回路を構成するビアホールをレーザー加工にて形成し、Agを主体とする導体ペーストでこのビアホールを充填しビア電極3を形成し、さらにAgを主体とする導体ペーストを用いて回路を構成する内部電極2を印刷形成する。これらのグリーンシートをそれぞれ1枚ずつ温度60℃、圧力2.8MPaで仮圧着しながら複数枚重ねて積層体を得る。そして、この積層体の上下面にAgを主体とする導体ペーストを用いて外部電極4、端子外部電極6を印刷形成する。その後、このグリーンシート積層体に対し静水圧プレスを施し本圧着を行う。静水圧プレスの条件は、85℃、10.8MPaである。静水圧プレス処理により積層体に均等圧が掛かり全体の密着度(密度)が均一に向上する。本圧着の後、上下面の外部電極に関し適宜オーバーコート材を形成する。
多層セラミック基板は図2に示すように大型基板で作製し、最終工程で個片に分割して多層セラミック基板の製品を得るので、大型基板に対し製品の個片サイズである例えば10×15mm角に分割溝14を予め入れている。基板の分割法としては、焼成後にダイヤモンドブレード、ダイヤモンドペン、レーザー等で分割溝を形成し破断する方法あるいは焼成前のグリーンの状態で分割溝を形成し、焼成後に個々の基板に分割する場合とがある。ここでは、後者の未焼成のグリーンシートに製品の個片基板サイズである10×15mm角に分割溝14を入れた。分割溝入れはグリーン体にナイフ刃を押し当て、深さを0.11mmとした。なお、ナイフ刃の厚さは0.15mmを用いた。分割溝の断面形状は底辺約0.15mm、深さ約0.1mmのほぼ二等辺三角形となっていた。(図3の(2)〜(5)の工程)
拘束層は、平均粒径0.3〜4μmのアルミナ粉末を準備し、その粉末とエタノール、ブタノール、有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてブチルフタリルグリコール酸ブチル(略称:BPBG)を酸化ジルコニウム製のメディアボールとともにポリエチレン製のボールミルで混合してスラリーを作製した。尚、有機バインダとしては、例えばポリメタクリル樹脂等を、可塑剤としては、例えばジ−n−ブチルフタレートを、溶剤としては、例えばトルエン、イソプロピルアルコールのようなアルコール類を用いることもできる。次いで、このスラリーをドクターブレード法によって有機フィルム(ポリエチレンテレフタレートPET)上でシート状に成形し、乾燥させて、厚さ0.10mmのグリーンシートを得た。グリーンシートは有機フィルムごと180mm角に切断した。(図3の(6)の工程まで)
次に、上記した未焼成多層セラミック基板の上面及び下面に拘束層を形成した。上下拘束層の形成は、上記スラリーを用いて厚さ0.1mmのグリーンシートを作製し、この拘束用グリーンシートを未焼成多層セラミック基板上に密着するように2枚重ね合わせ、熱圧着した。熱圧着条件は、温度が85℃、圧力は10.8MPaで行った。また、乾燥手段については、高周波あるいはマイクロ波による加熱で乾燥させても良い。(図3の(7)の工程)
焼成はバッチ炉において大気中で行い、500℃で4時間保持して脱バインダを行った後、800〜1000℃、例えば900℃で2時間保持し、焼成を行った。昇温速度は3℃/分で、冷却は炉内自然冷却とした。800℃未満であると緻密化が困難になる問題があり、1000℃を超えるとAg系電極材の形成が困難となり、また好ましい誘電特性を得ることが出来ない。(図3の(8)の工程)
焼成後、拘束層のほとんどは粉々になっているので容易に除去することが出来る。しかし、外部電極を含む基板表面には喰いこむように付着している微細な拘束無機粒子(アルミナ粒子)が残っており、これらを除去する必要がある。この除去手段として本発明では、焼成後の基板ごとをエッチング溶液20中にて超音波洗浄を駆動することにより行うものである。このとき、無機粒子によるエッチング液の汚染を低減するため、エッチング液に浸漬する前に、予め超音波洗浄等で下洗いをすることも有効である。また、エッチング溶液中での超音波洗浄を終えた後、すすぎの工程を経てめっき工程に移る。エッチング溶液は、硝酸を用いる場合、王水を用いる場合、あるいは過酸化水素を含む混合液を用いることができる。それにより外部電極上の残留アルミナ粒子が微細な粒子にわたって短時間で効率的に除去され、好ましい表面性状を得ることが出来る。これにより後工程で電極上にNiめっき、Auめっき等のメタライズが高品質に成膜できる。メタライズは公知の無電解めっきが適用できる。(図3の(9)〜(11)の工程)
ここで本発明では、図5の(9a)〜(10a)工程に示すように、基板を超音波洗浄などにより下洗いし、これをエッチング液に浸漬し、取り出した後すすぎ工程を経て、さらに超音波洗浄を行う方法を採ることでも実施できる。尚、下洗いは必ずしも必要ではなく省略可能である。また、上記した図3の製造過程のすすぎ後あるいは図5の超音波洗浄後に乾燥工程を経てめっきすることでも良い。
基板上面のメタライズ電極の上にスクリーン印刷で半田パターンを形成する。そして、個々の半導体素子、チップ素子等の部品を搭載し、リフローにより接続する。ワイヤボンディング用半導体素子はその後ワイヤボンディング接続を行う。その後、大型集合基板から分割溝に沿って破断することにより小片の多層セラミック基板が得られる。(図3の(12)の工程)
本発明の実験結果について説明する。本実施例の多層セラミック基板は、上記した基体材料、グリーンシート積層体、シート状上下拘束層により未焼成の多層セラミック基板を作製し、さらに上記した焼成を行うことで多層セラミック基板を得た。拘束層の除去洗浄方法は、エッチング液中において超音波洗浄を行った。エッチング液は硝酸を用いて、その硝酸濃度を1、3、5、12、16、20、24容量%と変えて用いた。ここで濃度は、硝酸と純水を体積比で1:1で希釈した際の硝酸濃度は50容量%というように、硝酸を純水で体積をN倍に希釈した際には、(100/N)容量%と定義した。また、超音波洗浄の条件は47kHzの周波数にて3分間の一定とした。その後、外部電極のアルミナ残留量と表面粗さの表面性状および電極強度を測定し、さらに、基体表面上の収縮率、半田喰われ性、めっき性について以下に示すように評価した。また、エッチング液の濃度を0容量%(純水)としたものも比較例として評価した。試料Noに*を付けたものは比較例あるいは本発明外の場合である。結果を表1に示す。
(X-Y面内方向の収縮率)
拘束層を形成する前の集合基板のうち、四隅及び四辺の中央にある合計8個のチップ部を選択し、各チップ部の2つの対角線のX軸方向及びY軸方向の距離をそれぞれ三次元座標測定器により測定し、X-Y座標値X0,Y0を求めた。同様に焼結後の集合基板に対して、各チップ部の2つの対角線のX軸方向及びY軸方向の距離をそれぞれ測定し、X-Y座標値Xn,Ynを求めた。Xn/X0の比及びYn/Y0の比を8個のチップ片(n=1〜8)について平均し、拘束層形成後に焼結した集合基板の焼結収縮率とした。またこれらの比のばらつきを収縮率のばらつきとした。
FE―SEM(日立S-2300、加速電圧20kV)で個片試料を観察し、電極上にてAg−Kα、Al−KαをEDX分析(酸素などの不純物は除外)し、AgとAlを確認した。実質的にAgとAlの2つのピーク強度が確認されるので、これらをスタンダードレス法によりAgとAlの質量%を3点の平均値で求めた。Alの質量%は電極表面におけるアルミナの残留量に比例するので、アルミナの残留量をAlの質量%[Al/(Al+Ag)×100(%)]で示す。
電極上の任意の個所について超深度形状測定顕微鏡(キーエンス製VK8510)にて、3個所の算術平均粗さRaを測定しその平均値を求めた。
電極の表面中心にコパールピンを半田付けし、これをオートグラフ(SHIMAZU製AG-50kNG)による引張り試験を行うことにより測定し、8点の平均値を求めた。
拘束層を超音波で除去した各試料を245℃に保ったSn-3.5Ag半田槽に1分間浸漬した後、外部電極を光学顕微鏡により観察した。外部電極上のメタル(Ag+付着した半田)の面積率より、各試料の半田濡れ性を下記基準により評価した。
外部電極のメタルの面積率が95%以上:優
外部電極のメタルの面積率が95%未満かつ85%以上:良
外部電極のメタルの面積率が85%未満:不良
焼結後拘束層を超音波洗浄により除去した各試料に対して、市販の無電解Niめっき液及びAuを用い、平均膜厚5μmのNiめっき及び平均膜厚0.4μmのAuめっきを施した。めっき後の外部電極をSEMで観察し、外部電極に付着しためっきの面積率より、外部電極の状態を下記基準で評価した。
めっきの面積率が100%:優
めっきの面積率が100%未満かつ90%以上:良
めっきの面積率が90%未満:不良
また、硝酸濃度は1容量%以下でもその効果は見られたが(表1には示さず)、アルミナ残量と電極強度のバランスから1容量%以上が望ましいと言える。しかし、濃度も20容量%を超えると電極に与えるダメージが強く、電極自身の剥がれが生じることが分かった。実施例(No7)との比較から濃度は20容量%が上限であると考えられる。
以上によって、適切なエッチング溶液濃度による超音波洗浄により、アルミナ残留量が減少し、電極の表面粗さも適度に粗くなる。これらにより電極強度が大きくなり、またダメージも少なく半田濡れ性、めっき性ともに向上することができる。しかし、濃度が高すぎると電極剥がれが発生するため適切ではない。
また、上記と同様に製造した多層セラミック基板について、エッチング液中で超音波洗浄を行う方法以外に、エッチング液中に浸漬した後に、超音波洗浄を行った。硝酸の濃度は、1、5、10、20、30、40、50容量%となし、エッチング液に3分間浸漬した後に、水によるすすぎ工程を経て、47kHzの周波数にて3分間の超音波洗浄を行った。また、エッチング液への浸漬前に、下洗いとして3分間の超音波洗浄する方法も行った。洗浄液は純水を用いた。その後の評価項目も同様に行った。評価結果を表2に示す。
この方法では、実施例1と比較すると、下洗いを行わない場合でも、エッチング液への浸漬、超音波洗浄の2段階になってしまい、下洗いを行った場合には、下洗い、エッチング液への浸漬、超音波洗浄の3段階になってしまうが、エッチング液への浸漬、水によるすすぎ工程を追加する以外は、超音波洗浄は洗浄液(例えば純水、水道水、これらに洗剤を添加したものなど)を使用するという従来の方法をそのまま使用することができる。
次に、エッチング液を硝酸と塩酸を体積比1:3に混合した王水を用いて、上記と同様に製造した多層セラミック基板について、エッチング液中において超音波洗浄を行った。王水の濃度は、1、4、7、14、19、24、29容量%と変えて用いた。ここで濃度は67%硝酸と35%塩酸を体積比1:3で混合したものを100容量%の王水とし、100容量%の王水と純水を体積比で1:1で希釈した際の濃度は50容量%というように、100容量%の王水を純水で体積をN倍に希釈した際には、(100/N)容量%と定義した。超音波洗浄の条件は実施例1と同様に47kHzの周波数にて3分間とした。その後の評価項目も同様に行った。評価結果を表3に示す。
また、上記と同様に製造した多層セラミック基板について、エッチング液中で超音波洗浄を行う方法以外に、エッチング液中に浸漬した後に超音波洗浄を行った。王水の濃度は、1、5、10、20、30、40、50容量%となし、エッチング液に3分間浸漬した後に、水によるすすぎ工程を経て、47kHzの周波数にて3分間の超音波洗浄を行った。また、エッチング液への浸漬前に、下洗いとして3分間の超音波洗浄する方法も行った。その後の評価項目も同様に行った。評価結果を表4に示す。
次に、エッチング液を35%過酸化水素水と28%アンモニア水を体積比1:1に混合した混合液を用いて、上記と同様に製造した多層セラミック基板について、エッチング液中において超音波洗浄を行った。混合液の濃度は、上記の実施例と同様に1、5、10、20、30、40、50容量%となし、超音波洗浄の条超音波洗浄は実施例1と同様に47kHzの周波数にて3分間とした。ここでエッチング液の濃度は35%過酸化水素水と28%アンモニア水を体積比1:1で混合した混合液を100容量%とし、100容量%のものを純水で体積をN倍に希釈した際には、(100/N)容量%と定義した。その後の評価項目も同様に行った。評価結果を表5に示す。
また、上記と同様に製造した多層セラミック基板について、エッチング液中で超音波洗浄を行う方法以外に、エッチング液中に浸漬した後に超音波洗浄を行った。混合液の濃度は、1、5、10、20、30、40、50容量%となし、エッチング液に3分間浸漬した後に、水によるすすぎ工程を経て、47kHzの周波数にて3分間の超音波洗浄を行った。また、エッチング液への浸漬前に、下洗いとして3分間の超音波洗浄する方法も行った。その後の評価項目も同様に行った。評価結果を表6に示す。
次に、エッチング液を使用せず、純水を用いて、上記と同様に製造した多層セラミック基板について、47kHzの周波数にて3、5、10、20分間超音波洗浄を行った。その後の評価項目も同様に行った。評価結果を表7に示す。
2:内部電極
3:ビアホール
4:外部電極
5:オーバーコート層
6:端子外部電極
7:未焼成多層セラミック基板
8:シート状上面拘束層
9:シート状下面拘束層
10:拘束層を備えた多層セラミック基板
11:多層セラミック基板
12:大型多層セラミック基板
13:表面電極
14:分割溝
Claims (9)
- 基板表面と外部電極に密着して当該基板表面の収縮抑制のための無機粒子を主成分とする拘束層を備えた未焼成多層セラミック基板を焼成する工程と、焼成後の多層セラミック基板を前記外部電極を溶解させる作用を有するエッチング液へ浸漬する工程と、当該エッチング液中もしくは洗浄液中にて超音波洗浄を行うことにより前記外部電極上の無機粒子を除去する工程を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
- 前記未焼成多層セラミック基板に分割溝を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記超音波洗浄を行なう工程の後、前記分割溝に沿って多層セラミック基板を小片に分割する工程を有することを特徴とする請求項1に記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記未焼成多層セラミック基板は、セラミック材料の粉末及び有機バインダを含有するスラリーを用いて低温焼成が可能な基板用グリーンシートを作製する工程と、
前記基板用グリーンシートに適宜電極を形成した後、積層して未焼成多層セラミック基板を作製する工程と、
前記未焼成多層セラミック基板の焼成温度では焼結しない無機粒子を主成分とする拘束用グリーンシートを作製する工程と、
前記拘束用グリーンシートを前記未焼成多層セラミック基板の外部電極を含む両面又は片面に密着させて前記拘束層を形成する工程、から製造されることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記拘束層を除去する工程は、予め超音波洗浄にて予備洗浄した後に、前記外部電極を溶解させる作用を有するエッチング液へ浸漬することを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記エッチング液が硝酸であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記エッチング液が王水であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記エッチング液に過酸化水素を含むことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記請求項1〜8の何れかに記載の多層セラミック基板の製造方法を用いて多層セラミック基板となしたことを特徴とする多層セラミック基板。
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