JP2004063811A

JP2004063811A - 配線基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2004063811A
Application number: JP2002220483A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Hamano; 濱野　智; Tetsuya Kimura; 木村　哲也; Toshiaki Shigeoka; 重岡　俊昭; Yasuhide Tami; 民　保秀
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-07-29
Filing date: 2002-07-29
Publication date: 2004-02-26

Abstract

【課題】金属箔からなる配線回路層を絶縁基板表面に対して強固に接着してなる配線基板と、かかる配線基板を容易に且つ高い歩留りで形成できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックグリーンシート１を作製する工程と、転写フィルム４の表面に金属箔の配線回路層３を形成する工程と、転写フィルム４表面の配線回路層３をグリーンシート１の表面に転写する工程と、配線回路層３を形成したグリーンシート１の配線回路層３形成面全面にセラミック系絶縁ペースト５を塗布する工程と、セラミック系絶縁ペースト５を塗布したグリーンシート１を焼成して配線基板前駆体を作製する工程と、配線基板前駆体におけるセラミック系絶縁ペースト塗布面側を配線回路層３が露出するまで研削処理を行う。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子収納用パッケージなどに適した配線基板と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線回路層としてＣｕ等の低抵抗金属を用いることができることから、焼成温度が１０００℃以下のＬＴＣＣ基板、いわゆるガラスセラミック配線基板が注目されている。
【０００３】
近年では、更なる配線の微細化、低抵抗化のため、特開昭６３−９９５９６号や特開平８−２０４３１４号に見られるように、銅箔等の金属箔をエッチングすることにより所定のパターンの配線回路層を転写フィルム上に形成し、これをグリーンシートに圧接して配線回路層を転写する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、圧接による転写方法では、大きな圧力を付加しないと配線回路層をグリーンシート表面と同一平面になるまで埋設することは難しい。このため、焼成後においても配線回路層が絶縁基板表面から突出しており、これにより配線回路層の絶縁基板への接着強度が低下するという問題があった。
【０００５】
このような問題に対して、転写時の加圧力を高くする、あるいはグリーンシートを軟らかくすることにより配線回路層の埋設度合いを高めることはできるが、グリーンシートの変形が大きくなり、高い寸法精度が得られないという問題があった。
【０００６】
また、この問題を解決する手法として、金属箔からなる配線回路層を形成した転写フィルム上にセラミックスラリーを塗布した後に乾燥させ、その後転写フィルムを剥離することにより、配線回路層をグリーンシート表面と同一平面になるように埋設する手法が知られている（特開平５−１９１０４７号公報）。
【０００７】
しかしながら、この方法の場合、グリーンシートの成形歩留りがパターン形成歩留りに直結するため、少量多品種の製造を行う上では製造コストが高くなるという問題があり、量産向きではなかった。また、グリーンシートにビアホールを形成するのが難しいなどの問題があった。
【０００８】
従って、本発明の目的は、絶縁基板表面に形成される金属箔からなる配線回路層を絶縁基板に対して強固に接着してなる配線基板と、かかる配線基板を容易に且つ高い歩留りで形成できる配線基板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題について検討した結果、金属箔からなる配線回路層を転写したグリーンシート表面にセラミック絶縁性ペーストを全面に印刷し、焼成後に、配線回路層が露出するまで研削処理を施すことによって、配線回路層を絶縁基板表面と同一平面となるように埋設形成した配線基板を容易に得られることを見出した。
【００１０】
即ち、本発明の配線基板は、セラミック系絶縁基板の少なくとも表面に、金属箔からなる配線回路層を形成してなる配線基板において、前記配線回路層の表面と、該配線回路層周辺の絶縁基板表面とが同一平面に形成されているとともに、前記配線回路層および前記絶縁基板表面が研削面からなることを特徴とするものであって、前記配線回路層の機能として厚みが３５μｍ以下であることが望ましい。
【００１１】
また、前記配線回路層および前記絶縁基板表面の表面粗さ（Ｒａ）は、配線回路層の抵抗バラツキ防止、絶縁基板の機械的強度、メッキ時の変色防止の上で、前記配線回路層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、前記絶縁基板表面の表面粗さ（Ｒａ）が３μｍ以下であることが望ましい。
【００１２】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、（ａ）セラミック系絶縁材料からなるグリーンシートを作製する工程と、（ｂ）転写フィルムの表面に接着された金属箔をエッチング処理して配線回路層を形成する工程と、（ｃ）上記配線回路層が形成された転写フィルムを、前記グリーンシートの表面に圧接した後に前記転写フィルムを剥離することにより、前記配線回路層を前記グリーンシート表面に転写する工程と、（ｄ）前記配線回路層を形成したグリーンシートの配線回路層形成面全面にセラミック系絶縁ペーストを塗布する工程と、（ｅ）前記セラミック系絶縁ペーストを塗布したグリーンシートを焼成して配線基板前駆体を作製する工程と、（ｆ）前記配線基板前駆体における前記セラミック系絶縁ペースト塗布面側を前記配線回路層が露出するまで研削処理を行うことを特徴とするものである。
【００１３】
かかる製造方法においては、前記（ｅ）工程が、（ｅ１）前記セラミック系絶縁ペーストを塗布したグリーンシートを最上層として、前記（ａ）〜（ｃ）によって表面に配線回路層を形成した他のグリーンシートとともに積層した積層体を作製する工程と、（ｅ２）前記積層体を焼成して多層構造の絶縁基板前駆体を作製する工程と、を具備することによって多層構造の配線基板を作製することができる。
【００１４】
また、上記の（ｅ）の焼成時に、または前記（ｅ２）の焼成時に、前記積層体の少なくとも一方の表面に難焼結性セラミック材料を主体とするセラミックシートを接着して、平面方向への焼成収縮を抑制しながら焼成することが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の配線基板の製造方法の一例を、図１の工程図を基に説明する。
【００１６】
まず、セラミック系絶縁材料からなるグリーンシートを作製する（ａ）。このセラミック絶縁材料としては、配線回路層にＣｕ，Ａｕなどの低抵抗導体を用いることができ、同時焼成によって形成が可能なように、焼成温度が８００〜１０００℃の低温で焼成可能なセラミック材料が好適に用いられる。
【００１７】
具体的には、ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなり、特に、ガラス粉末１０〜９０質量％、特に５０〜８０質量％、セラミックフィラー粉末９０〜１０質量％、特に２０〜５０質量％との割合からなる組成物を焼成したものであることが望ましい。
【００１８】
用いられるガラス成分としては、少なくともＳｉＯ_２を含み、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３系−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００１９】
これらのガラスは焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出する結晶化ガラスが用いられる。
【００２０】
また、セラミックフィラーとしては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ_２や、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア等が好適に用いられる。
【００２１】
この製造方法の例では、ガラス粉末と、セラミックフィラー粉末とを用いたガラスセラミック絶縁材料について説明する。
【００２２】
まず、平均粒径０．５〜１０μｍ、特に１〜５μｍのガラス粉末と平均粒径０．５〜１０μｍ、特に平均粒径１〜５μｍのセラミックフィラー粉末とを準備する。
【００２３】
上記ガラス粉末とセラミック粉末とを、特に、ガラス成分１０〜９０質量％、特に５０〜８０質量％と、セラミックフィラー成分１０〜９０質量％、特に２０〜５０質量％の割合で混合する。
【００２４】
その混合物に有機バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して厚さ約３０〜５００μｍのグリーンシート１を作製する（ａ）。
【００２５】
次に、このグリーンシート１にレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径５０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体２を形成する（ｂ）。導体ペーストは、銅、銀、金等の金属粉末と、それ以外にアクリル樹脂などの有機バインダー、αテルピネオール、ブチルカルビトールアセテート、ジブチルフタレートなどの有機溶剤とを混合して形成される。有機バインダーは金属成分１００質量部に対して０．５〜１５．０質量部、有機溶剤は固形成分及び有機バインダー１００質量部に対して５〜１００質量部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペースト中にはガラスセラミック材料との焼成収縮を合わせるため、若干のガラス成分や、金属酸化物を添加してもよい。
【００２６】
次に、このグリーンシート１の表面に、高純度金属箔により配線回路層３を形成する。金属箔は、特に厚さが５〜２０μｍ程度の銅箔であることが望ましい。
【００２７】
本発明によれば、この配線回路層を転写法によって形成する。まず、高分子材料からなる樹脂フィルム４の全面に高純度金属導体、特に銅箔を熱可塑性樹脂等からなる接着剤により接着し、その金属導体表面に配線回路状のレジスト膜を形成し、エッチング処理およびレジスト膜除去を行う方法によって、樹脂フィルム４表面に配線回路層３を形成する（ｃ）。
【００２８】
次に、前記ビアホール導体２が形成されたグリーンシート１の表面に、樹脂フィルム４上の配線回路層３を位置合わせして積層圧着した後（ｄ）、樹脂フィルム４を剥がすことにより、ビアホール導体２と接続した配線回路層３を具備する一単位のグリーンシート１を形成することができる（ｅ）。この際、樹脂フィルム４上の配線回路層３に有機バインダー、溶剤等からなる接着用の液を印刷すると、配線回路層３の転写力を高めることができる。
【００２９】
また、樹脂フィルム４を剥がす際は、５０〜８０℃の熱をかけながら剥がすことで、配線回路層３と樹脂フィルム４間に存在する熱可塑性の粘着層を軟化させるなどの処理によって転写不良を防止することができる。
【００３０】
同様にして、ビアホール導体２と接続した配線回路層３を具備する複数のグリーンシート１ａ〜１ｄを作製する。
【００３１】
そのうち、配線基板の最表面となるグリーンシート１ａ，１ｄについては、配線回路層３を形成後、セラミック絶縁物に有機バインダー、溶剤を混合してなるセラミック絶縁ペーストをグリーンシート１ａ，１ｄの配線回路層３形成面の全面に塗布、乾燥し、絶縁ペースト層５を形成する（ｆ）。
【００３２】
この時、絶縁ペースト層５の厚みは、配線回路層３の厚みよりも大きくなることが必要であり、具体的には、配線回路層３表面が絶縁ペースト層５の表面から５〜３５μｍ程度の部分に位置するように厚さ調整する。これは、この配線回路層３の表面の絶縁ペースト層５の厚さが５μｍよりも薄いと、焼成後の研削工程で配線回路層３の表面と絶縁基板表面を同一平面になるように研削することが難しくなり、３５μｍよりも厚いとペースト溶剤成分によりグリーンシートが変形しやすくなるためである。
【００３３】
その後、このグリーンシート１ａを最上面または最下面とし、他のグリーンシート１ｂ、１ｃとともに積層して積層体６を形成する（ｇ）。グリーンシート１ａ〜１ｅの積層は、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着したり、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着することもできる。
【００３４】
次に、上記の積層体６を焼成するが、焼成にあたっては、積層体６の平面方向への収縮を抑制しながら焼成することが望ましい。このような平面方向への収縮を抑制しながら焼成するには、積層体６に上下から圧力を印加しながら焼成する方法、積層体６の表面に難焼結性のシートを積層して焼成する方法がある。
【００３５】
ここでは、後者の方法について具体的に説明すると、グリーンシート１ａ〜１ｅの積層体６の少なくとも一方、望ましくは両方の表面に、前記積層体の焼成温度では焼成しない難焼結性のセラミック材料を主成分とする拘束シート７を加圧積層する（ｈ）。
【００３６】
この拘束シート７は、難焼結性セラミック材料を主体とする無機成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。難焼結性セラミック材料は、焼成温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構成され、具体的には平均粒径１〜２０μｍ、特に３〜１０μｍのＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＢＮ、ＴｉＯ_２の群から選ばれる少なくとも１種および／またはこれらの複合酸化物（フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ_３）等）の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはガラスセラミックグリーンシートを形成するものと同じ材料、具体的にはアクリル系樹脂、ジブチルフタレート等の可塑剤、イソプロピルアルコール、アセトン、トルエン等の溶剤等が好適に使用できる。
【００３７】
また、この拘束シート７中にはガラス成分、言い換えれば非晶質成分を０．５〜１５質量％、特に１〜１２質量％含有することによって焼成収縮の拘束力を高め、また、拘束シートと接する部分のガラスの移動を抑制し焼結不良などの発生を防止することができる。
【００３８】
また、拘束シート７中に含まれるガラス成分としては、グリーンシートからの有機成分を容易に除去するため、更に積層体６と拘束シート７との接着性を高める上で、軟化点が積層体６の焼成温度以下で、かつ拘束シート７中の有機成分の分解揮散温度よりも高いことが望ましい。具体的には、拘束シート７中のガラスの軟化点は４５０〜１１００℃、特に６００〜８００℃程度であることが好ましい。さらに、上記ガラスは１〜２０μｍの粉末であることが望ましい。
【００３９】
前述した拘束シート７中に含まれるガラス成分は、ガラスセラミックグリーンシート１中に含まれるガラス成分と異なるものであっても良いが、ガラスセラミックグリーンシート１及び１ａ中のガラスの拡散を防止するうえでは同一のガラス成分を用いることが望ましい。
【００４０】
積層体６に積層される拘束シート７の厚さは、拘束力を高めるとともに有機成分の揮散を容易にしかつ焼成後の拘束シート７の除去性を考慮すれば、積層体６の厚さに対して１０〜１００％であることが望ましい。なお、上記拘束シート７の厚さは、一方の表面に積層される拘束シート７の厚みを指す。
【００４１】
そして、上記拘束シート７を積層した積層体６を１００〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の酸化性または非酸化性雰囲気中で加熱処理してグリーンシート１内やビアホール用の導体ペースト中の有機成分を分解除去する。この時の条件としては、グリーンシート中の有機成分を除去するとともに、配線回路層を転写形成する場合に配線回路層表面に形成された接着層を分解除去できる条件に設定する。熱分解性に優れたアクリル系樹脂を用いた場合には、５００〜８００℃程度の水蒸気を含有した窒素雰囲気中で０．５〜２時間程度保持することによって、炭素の残存をほとんど皆無とすることができる。その後、８００〜１０００℃の同様の雰囲気中で同時焼成して、配線基板前駆体を形成する。
【００４２】
そして、この配線基板前駆体の表面の拘束シート７とともに、絶縁ペースト層５を、配線回路層３の表面が露出するまで研削除去する。この時の研削方法としては、基板に対して悪影響を及ぼすことがなく、容易に拘束シート７や絶縁ペースト層５を除去するには、表面を砥石で研磨処理することもできるが、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２から選ばれる少なくとも１種を含む砥粒を空気あるいは水と共に０．０５〜０．５ＭＰａの圧力で吹き付けるブラスト処理により除去することが最も容易である。
【００４３】
上記の工程によって形成される配線基板は、図２の概略断面図に示すように、絶縁基板１１の表面や内部に配線回路層１２が形成されており、また絶縁基板内にはビアホール導体１３が形成されており、異なる層に形成された配線回路層１２同士を接続している。そして、絶縁基板１１の表面に形成された配線回路層１２は、その上面のみが絶縁基板１１表面に露出しており、配線回路層３の側面部は絶縁基板１１内に埋設されており、配線回路層１２表面と、配線回路層１２の周囲の絶縁基板１１の表面とは、研削面からなる同一平面によって形成されている。このように絶縁基板１１の表面に形成された配線回路層１２を絶縁基板１１の表面に埋設することによって、配線回路層１２の絶縁基板１１への密着性を大幅に向上させことができる。
【００４４】
また、この配線回路層１２は、表面に形成されており、ＩＣ素子、コンデンサなどの電子部品と半田などのロウ材によって接続される端子電極、または外部回路と接続するための接続ピン等が半田などのロウ材によって接合される端子電極として機能する。
【００４５】
その場合、端子電極として機能する配線回路層１２の表面には、ロウ材との濡れ性を改善するために、Ｎｉ及びＡｕの無電解メッキが合計厚さ１〜１０μｍで施される。特に無電解メッキを施す場合、配線回路層１２の表面粗さが大きいと、メッキが部分的に剥がれるおそれがあるために、研削後の配線回路層１２の表面粗さ（Ｒａ）は１μｍ以下、特に０．６μｍ以下であることが望ましい。
【００４６】
また、絶縁基板１１の表面においても、表面粗さが大きいと、無電解メッキを施す場合に触媒が基板表面凹部にトラップされ、端子電極以外の基板表面にもメッキが施されてしまう場合があるために、絶縁基板１１の表面も３μｍ以下、特に２μｍ以下にすることが望ましい。
【００４７】
このように、研削処理後の表面粗さを小さくするには、例えば、ブラストに用いる砥粒の平均粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。また、研削処理後の表面を６００〜９００℃の雰囲気でアニール処理することによって表面のセラミックスによる凹凸を小さくすることもできる。
【００４８】
【実施例】
実施例１
ＳｉＯ_２４３質量％−Ａｌ_２Ｏ_３７質量％−Ｂ_２Ｏ_３８質量％−ＣａＯ５質量％−ＢａＯ３７質量％からなる平均粒径が５μｍのガラス粉末５０質量％に、平均粒径が１．２μｍのＳｉＯ_２粉末５０質量％とを秤量し、これにバインダーとしてアクリル系樹脂（主にメタクリル酸系）と、可塑剤としてジブチルフタレート、溶媒としてトルエンと酢酸エチルを加えて混合、調製したスラリーを用いて、ドクターブレード法により厚さ１２０μｍのグリーンシートを作製した。
【００４９】
次に、平均粒径が５μｍの銅粉末を１００質量部に対して、フィラー成分としてＳｉＯ_２粉末を８質量部、グリーンシートに使用したガラス粉末８質量部、有機バインダーとしてアクリル系樹脂を固形分で３．５質量部を添加し、溶媒としてテルピネオール、ＤＢＰを用いて混錬し、ビアホール導体用銅ペーストを作製した。そして、上記グリーンシートの所定個所にビアホールを形成し、そのビアホール内に上記ビアホール用ペーストを充填した。
【００５０】
一方、ＰＥＴフィルムに、純度９９．５％以上、厚み９μｍの銅箔をアクリル系樹脂からなる接着剤により接着した。その後、銅箔面にレジストフィルムを積層し、現像、エッチング、レジスト除去を行って所定のパターンの配線回路層を形成し、転写シートを作製した。表面層用の配線回路パターンは０．６ｍｍφのパッド状、内層用の配線回路パターンは、配線幅が３０μｍ、配線間の最小ギャップが３０μｍのライン状とした。エッチングによる形成のため従来のスクリーン印刷法と比較して、非常に微細な配線回路層を形成することができた。
【００５１】
そして、上記転写シートの配線回路層形成表面にアクリル系樹脂及び溶剤からなる接着剤をスクリーン印刷によって塗布した。
【００５２】
そして、ビアホールが形成されたグリーンシートにビアホールの位置に合わせながら上記転写シートを配置し、５０℃、５．６ＭＰａで熱圧着して、配線回路層をグリーンシート表面に形成した。その後、５０℃の温度をかけながらＰＥＴフィルムを剥がすことにより、ビアホール導体を接続した配線回路層を具備するグリーンシートを形成した。同様にして全部で１０枚のグリーンシートを作製した。
【００５３】
そのうち、最表層用の配線回路層を形成したグリーンシートについては、グリーンシートと同一のセラミック組成物に有機バインダー、溶剤を添加した絶縁ペーストを、グリーンシートの配線回路層面の全面に３０μｍの厚みで印刷し、乾燥させた。
【００５４】
そして、内層用のグリーンシート９枚の上に上記最表層用のグリーンシートを積層し、５０℃、９．８ＭＰａで加圧して１０層の積層体を作製した。
【００５５】
他方、平均粒径２μｍのシリカ及びフォルステライトを主成分とするセラミック粉末９５質量％と、平均粒径５μｍのガラス粉末５質量％の組成物からなる厚さ２５０μｍの拘束シートを作製した。なおシート作製時の有機バインダー、可塑剤、溶媒等はグリーンシートと同じ配合量とした。この拘束シートをグリーンシート積層体の両面に５０℃、９．８ＭＰａで加圧積層した。
【００５６】
次いで、この積層体を、多孔性セッター上に載置して、有機バインダー等の有機成分を分解除去するために、水蒸気を含有した窒素雰囲気中で７５０℃まで昇温し２時間保持し、続いて９５０℃まで昇温し、１時間保持して焼成を行った。
【００５７】
その後、拘束シートおよび絶縁ペースト層に対して、平均粒径が１５μｍのＡｌ_２Ｏ_３砥粒を空気と共に０．２ＭＰａの圧力で吹き付けるブラスト処理を行い、表層の配線回路層が完全に露出するまで研削処理を施した。その結果、配線回路層表面と絶縁基板表面とは、同一平面となった。
【００５８】
そして、この配線基板に厚さ３μｍの無電解のニッケル、厚さ０．５μｍの金をめっきした後、めっき面に０．６ｍｍφのＰｂ−Ｓｎ共晶半田からなる半田ボールを置き、ヒーターブロックの上で加熱して接合し、ボールを垂直引張りした時の破壊荷重及び破壊モードを観察した。
【００５９】
測定では、２０個の半田ボールについて測定を行った。その結果、破壊荷重は最大で７２．２ＭＰａ，最小で４１．２ＭＰａ，平均で６４ＭＰａと高い値を示し、破壊モードは、１００％が半田の部分で破壊し、配線回路層の剥がれは全く認められなかった。また、配線回路層および絶縁基板の表面の表面粗さ（Ｒａ）を表面粗さ計で測定した結果、配線回路層が０．５μｍ、絶縁基板表面が１．５μｍであった。
【００６０】
実施例２
実施例１において、ブラスト処理に用いるＡｌ_２Ｏ_３砥粒の平均粒径を表１に示すように変化させた。そして、実施例１と同様に、表面粗さを測定するとともに、半田ボールを用いた破壊強度を測定した。結果を表１に示した。
【００６１】
【表１】

【００６２】
表１に示すように、配線回路層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、絶縁基板表面の表面粗さ（Ｒａ）が３μｍ以下で、特に良好な結果が得られた。
（比較例）
実施例において、最表面の配線回路層を形成したグリーンシートへの絶縁ペーストの塗布を行わない以外は、実施例とまったく同一の方法で作製した多層配線基板を用いて、実施例と同一の方法で半田ボールの引張り試験を行った。
【００６３】
その結果、破壊荷重は最大で６６．９ＭＰａ，最小で３２．７ＭＰａ，平均で４４．５ＭＰａと本発明の実施例に比較して非常に低い値を示し、破壊モードは９０％以上が配線回路層の剥がれによるものであった。
【００６４】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明によれば、絶縁基板表面に形成される金属箔からなる配線回路層を絶縁基板表面と同一平面になるように埋設することができるとともに、表面の配線回路層の接着強度を向上させることができる。
【００６５】
また、本発明の製造方法は、配線回路層の形成と、グリーンシートの形成が別工程からなるために、工程の短縮と、歩留りを向上させ、製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】本発明の多層配線基板の製造方法によって得られる多層配線基板の概略断面図である。
【符号の説明】
１　　セラミックグリーンシート
２　　ビアホール導体
３、６　配線回路層
４　　転写シート
５　絶縁ペースト層
６　積層体
７　拘束シート
１１　絶縁基板
１２　配線回路層
１３　ビアホール導体

Claims

セラミック系絶縁基板の少なくとも表面に、金属箔からなる配線回路層を形成してなる配線基板において、前記配線回路層の表面と、該配線回路層周辺の絶縁基板表面とが同一平面に形成されているとともに、前記配線回路層および前記絶縁基板表面が研削面からなることを特徴とする配線基板。
前記配線回路層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下、前記絶縁基板表面の表面粗さ（Ｒａ）が３μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
（ａ）セラミック系絶縁材料からなるグリーンシートを作製する工程と、（ｂ）転写フィルムの表面に接着された金属箔をエッチング処理して配線回路層を形成する工程と、（ｃ）上記配線回路層が形成された転写フィルムを、前記グリーンシートの表面に圧接した後に前記転写フィルムを剥離することにより、前記配線回路層を前記グリーンシート表面に転写する工程と、（ｄ）前記配線回路層を形成したグリーンシートの配線回路層形成面全面にセラミック系絶縁ペーストを塗布する工程と、（ｅ）前記セラミック系絶縁ペーストを塗布したグリーンシートを焼成して配線基板前駆体を作製する工程と、（ｆ）前記配線基板前駆体における前記セラミック系絶縁ペースト塗布面側を前記配線回路層が露出するまで研削処理を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
前記（ｅ）工程が、（ｅ１）前記セラミック系絶縁ペーストを塗布したグリーンシートを最上層として、前記（ａ）〜（ｃ）によって表面に配線回路層を形成した他のグリーンシートとともに積層した積層体を作製する工程と、（ｅ２）前記積層体を焼成して多層構造の絶縁基板前駆体を作製する工程と、を具備することを特徴とする請求項３記載の配線基板の製造方法。
前記（ｅ）の焼成時に、前記積層体の少なくとも一方の表面に難焼結性セラミック材料を主体とするセラミックシートを接着して、平面方向への焼成収縮を抑制しながら焼成することを特徴とする請求項３または請求項４記載の配線基板の製造方法。
前記（ｅ２）の焼成時に、前記積層体の少なくとも一方の表面に難焼結性セラミック材料を主体とするセラミックシートを接着して、平面方向への焼成収縮を抑制しながら焼成することを特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法。