JP2002329970A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JP2002329970A JP2002329970A JP2001131684A JP2001131684A JP2002329970A JP 2002329970 A JP2002329970 A JP 2002329970A JP 2001131684 A JP2001131684 A JP 2001131684A JP 2001131684 A JP2001131684 A JP 2001131684A JP 2002329970 A JP2002329970 A JP 2002329970A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】セラミックグリーンシート表面に、転写シート
からの転写によって配線回路層を形成する際、配線回路
層の転写不良がなく、焼成後においても配線回路層のデ
ラミネーションなどの発生を抑制する。 【解決手段】転写シート5の表面に金属成分の含有量が
99.5重量%以上の高純度金属3からなる配線回路層
を形成してなる転写シートを準備し、セラミックグリー
ンシート1の表面に前記転写シート5から前記配線回路
層を転写形成した後、該グリーンシート1a,1b,1
cを複数積層し、前記配線回路層を形成する金属3の融
点より低い温度で焼成してなる多層配線基板の製造方法
において、前記転写シート上の配線回路層3の表面に、
アクリル系樹脂などの熱分解性に優れた有機樹脂を含む
接着層4を1〜15μmの厚みで形成し、該接着層4を
介して該グリーンシートに該配線回路層3を転写形成す
る。
からの転写によって配線回路層を形成する際、配線回路
層の転写不良がなく、焼成後においても配線回路層のデ
ラミネーションなどの発生を抑制する。 【解決手段】転写シート5の表面に金属成分の含有量が
99.5重量%以上の高純度金属3からなる配線回路層
を形成してなる転写シートを準備し、セラミックグリー
ンシート1の表面に前記転写シート5から前記配線回路
層を転写形成した後、該グリーンシート1a,1b,1
cを複数積層し、前記配線回路層を形成する金属3の融
点より低い温度で焼成してなる多層配線基板の製造方法
において、前記転写シート上の配線回路層3の表面に、
アクリル系樹脂などの熱分解性に優れた有機樹脂を含む
接着層4を1〜15μmの厚みで形成し、該接着層4を
介して該グリーンシートに該配線回路層3を転写形成す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板及び
半導体素子収納用パッケージなどに適した多層配線基板
の製造方法に関するものである。
半導体素子収納用パッケージなどに適した多層配線基板
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来、配線基板、例えば、半導体素子を収
納するパッケージに使用される多層配線基板として、比
較的高密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多
用されている。この多層セラミック配線基板は、アルミ
ナやガラスセラミックなどの絶縁基板と、その表面に形
成されたWやMo、Cu、Ag等の金属からなる配線導
体とから構成されるもので、この絶縁基板の一部にキャ
ビティが形成され、このキャビティ内に半導体素子が収
納され、蓋体によってキャビティを気密に封止されるも
のである。
納するパッケージに使用される多層配線基板として、比
較的高密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多
用されている。この多層セラミック配線基板は、アルミ
ナやガラスセラミックなどの絶縁基板と、その表面に形
成されたWやMo、Cu、Ag等の金属からなる配線導
体とから構成されるもので、この絶縁基板の一部にキャ
ビティが形成され、このキャビティ内に半導体素子が収
納され、蓋体によってキャビティを気密に封止されるも
のである。
【0003】近年、高集積化が進むICやLSI等の半
導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各
種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用され
る配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量
化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に比較
して低い誘電率が得られ、配線回路層としてCu等の低
抵抗金属を用いることができることから、焼成温度が1
000℃以下のいわゆるガラスセラミック配線基板が一
層注目されている。
導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各
種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用され
る配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量
化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に比較
して低い誘電率が得られ、配線回路層としてCu等の低
抵抗金属を用いることができることから、焼成温度が1
000℃以下のいわゆるガラスセラミック配線基板が一
層注目されている。
【0004】ところが、このようなガラスセラミック配
線基板において、配線回路層を形成する手法としては、
Cu、Ag等の金属からなる配線導体を主成分とするメ
タライズペーストを、スクリーン印刷法等によって絶縁
基板上に印刷する。しかし、このような手法を用いた場
合、配線幅100μm以下を形成するのが困難であり、
今後必要とされる更なる高密度化、小型軽量化の達成を
阻む原因であった。電気抵抗についてもペーストで配線
回路層を形成させるために空隙が多く存在し、低抵抗化
が困難という問題があった。
線基板において、配線回路層を形成する手法としては、
Cu、Ag等の金属からなる配線導体を主成分とするメ
タライズペーストを、スクリーン印刷法等によって絶縁
基板上に印刷する。しかし、このような手法を用いた場
合、配線幅100μm以下を形成するのが困難であり、
今後必要とされる更なる高密度化、小型軽量化の達成を
阻む原因であった。電気抵抗についてもペーストで配線
回路層を形成させるために空隙が多く存在し、低抵抗化
が困難という問題があった。
【0005】この問題を解決する手法としては、ガラス
セラミックグリーンシートにおける配線回路層を、エッ
チングした金属箔によって形成する手法が知られている
(特開昭63−14493号公報)。しかし、金属箔と
ガラスセラミックを同時焼成すると、金属箔が収縮しな
いために、基板に反り、クラックが発生し、実用化が困
難という問題があった。
セラミックグリーンシートにおける配線回路層を、エッ
チングした金属箔によって形成する手法が知られている
(特開昭63−14493号公報)。しかし、金属箔と
ガラスセラミックを同時焼成すると、金属箔が収縮しな
いために、基板に反り、クラックが発生し、実用化が困
難という問題があった。
【0006】そこで、ガラスセラミック配線基板の両面
に、該配線基板の焼成温度では焼結しない無機組成物の
層からなる拘束シートを形成した後、同時焼成し、該配
線基板における平面方向の収縮を抑制することで、金属
箔とガラスセラミックの同時焼成を可能とする方法が提
案されている(特開平7−86743号公報)。
に、該配線基板の焼成温度では焼結しない無機組成物の
層からなる拘束シートを形成した後、同時焼成し、該配
線基板における平面方向の収縮を抑制することで、金属
箔とガラスセラミックの同時焼成を可能とする方法が提
案されている(特開平7−86743号公報)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述の公報において、
金属箔によって形成された配線パターンとガラスセラミ
ックグリーンシートを接着する方法は、主に熱圧着法を
用いている。しかし、この熱圧着法によれば、金属箔か
らなる配線パターンとガラスセラミックグリーンシート
間とは接着力が弱く、配線パターンの剥がれが発生し易
く、焼成後においてデラミネーションが発生する等の問
題があった。
金属箔によって形成された配線パターンとガラスセラミ
ックグリーンシートを接着する方法は、主に熱圧着法を
用いている。しかし、この熱圧着法によれば、金属箔か
らなる配線パターンとガラスセラミックグリーンシート
間とは接着力が弱く、配線パターンの剥がれが発生し易
く、焼成後においてデラミネーションが発生する等の問
題があった。
【0008】また、ガラスセラミックグリーンシート中
には、有機成分を5〜20重量%含有しているため、加
熱することによってこの有機成分を接着剤として機能さ
せて転写性を高めることも考えられるが、あまり高い温
度をかけると有機成分が軟化してしまい、グリーンシー
トが変形したり、伸びるなどによって寸法精度が低下
し、歩留りが大きく低下するといった問題があった。
には、有機成分を5〜20重量%含有しているため、加
熱することによってこの有機成分を接着剤として機能さ
せて転写性を高めることも考えられるが、あまり高い温
度をかけると有機成分が軟化してしまい、グリーンシー
トが変形したり、伸びるなどによって寸法精度が低下
し、歩留りが大きく低下するといった問題があった。
【0009】また、従来の金属箔を用いて配線回路層を
形成した場合、セラミックグリーンシートと金属箔との
密着性が充分ではないために、焼成後に熱サイクル試験
など行った場合に、金属箔からなる配線回路層のセラミ
ック基板への接着強度が低下したり、積層構造において
配線回路形成部分で層剥離(デラミネーション)が発生
し、長期信頼性の点で問題があった。
形成した場合、セラミックグリーンシートと金属箔との
密着性が充分ではないために、焼成後に熱サイクル試験
など行った場合に、金属箔からなる配線回路層のセラミ
ック基板への接着強度が低下したり、積層構造において
配線回路形成部分で層剥離(デラミネーション)が発生
し、長期信頼性の点で問題があった。
【0010】本発明の目的は、セラミックグリーンシー
ト表面に、転写シートからの転写によって配線回路層を
形成した場合に、焼成後に熱サイクル等が印加された場
合においても、配線回路層の密着強度が低下したり、デ
ラミネーションなどが発生するのを防止した信頼性の高
い多層配線基板の製造方法を提供することにある。
ト表面に、転写シートからの転写によって配線回路層を
形成した場合に、焼成後に熱サイクル等が印加された場
合においても、配線回路層の密着強度が低下したり、デ
ラミネーションなどが発生するのを防止した信頼性の高
い多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
について検討した結果、該転写シート表面の配線回路層
をセラミックグリーンシートに転写する場合に、熱分解
性の優れた有機樹脂を含有する接着層を配線回路層の表
面に形成した後に、この接着層を介してグリーンシート
に転写、形成することによって、転写後の配線回路層の
剥がれの発生や、焼成後のデラミネーションの発生がな
く、安定して配線回路層を形成することができることを
見いだした。
について検討した結果、該転写シート表面の配線回路層
をセラミックグリーンシートに転写する場合に、熱分解
性の優れた有機樹脂を含有する接着層を配線回路層の表
面に形成した後に、この接着層を介してグリーンシート
に転写、形成することによって、転写後の配線回路層の
剥がれの発生や、焼成後のデラミネーションの発生がな
く、安定して配線回路層を形成することができることを
見いだした。
【0012】即ち、本発明の多層配線基板の製造方法
は、転写シート表面に金属成分の含有量が99.5重量
%以上の高純度金属からなる配線回路層を形成してなる
転写シートを準備し、セラミックグリーンシート表面に
前記転写シートから前記配線回路層を転写形成した後、
該グリーンシートを複数積層し、前記配線回路層を形成
する金属の融点より低い温度で焼成してなる多層配線基
板の製造方法において、前記転写シート上の配線回路層
の表面に、熱分解性に優れた有機樹脂を含む接着層を形
成し、該接着層を介して該グリーンシートに該配線回路
層を転写形成することを特徴とするものである。
は、転写シート表面に金属成分の含有量が99.5重量
%以上の高純度金属からなる配線回路層を形成してなる
転写シートを準備し、セラミックグリーンシート表面に
前記転写シートから前記配線回路層を転写形成した後、
該グリーンシートを複数積層し、前記配線回路層を形成
する金属の融点より低い温度で焼成してなる多層配線基
板の製造方法において、前記転写シート上の配線回路層
の表面に、熱分解性に優れた有機樹脂を含む接着層を形
成し、該接着層を介して該グリーンシートに該配線回路
層を転写形成することを特徴とするものである。
【0013】また、前記接着層は、アクリル系樹脂を
0.5〜20重量%の割合で含有することが熱分解性の
点で望ましく、接着層の厚みが1〜15μmが適当であ
る。
0.5〜20重量%の割合で含有することが熱分解性の
点で望ましく、接着層の厚みが1〜15μmが適当であ
る。
【0014】また、前記配線回路層は、金属箔からなる
ことが取り扱いの点で有利であり、前記焼成を800〜
1100℃の温度で行うことによって、Cu、Ag、A
uなどの低抵抗の導体によって配線回路層を形成するこ
とができる。その場合、セラミックグリーンシートは、
セラミック成分として、ガラス粉末とセラミックフィラ
ー粉末とを含むことが望ましい。
ことが取り扱いの点で有利であり、前記焼成を800〜
1100℃の温度で行うことによって、Cu、Ag、A
uなどの低抵抗の導体によって配線回路層を形成するこ
とができる。その場合、セラミックグリーンシートは、
セラミック成分として、ガラス粉末とセラミックフィラ
ー粉末とを含むことが望ましい。
【0015】また、本発明の製造方法によれば、焼成時
に、前記積層体の少なくとも一方の表面にAl2O3、S
iO2、MgO、ZrO2、BN、TiO2の群から選ば
れる少なくとも1種および/またはこれらの複合酸化物
を主体とする難焼結性セラミック材料を主体とするセラ
ミックシートを接着し、焼成した後、前記セラミックシ
ートを除去することによって、寸法精度の高い配線基板
を作成することができる。
に、前記積層体の少なくとも一方の表面にAl2O3、S
iO2、MgO、ZrO2、BN、TiO2の群から選ば
れる少なくとも1種および/またはこれらの複合酸化物
を主体とする難焼結性セラミック材料を主体とするセラ
ミックシートを接着し、焼成した後、前記セラミックシ
ートを除去することによって、寸法精度の高い配線基板
を作成することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図1の本発明の多層配線基
板の製造方法についての一例を示す工程図を基に説明す
る。
板の製造方法についての一例を示す工程図を基に説明す
る。
【0017】ここでは、低温焼成のセラミック材料とし
て、ガラスセラミックスを例として以下に説明する。ま
ず、平均粒径0.5〜10μm、特に1〜5μmのガラ
ス粉末と平均粒径0.5〜10μm、特に平均粒径1〜
5μmのセラミックフィラー粉末とを準備する。
て、ガラスセラミックスを例として以下に説明する。ま
ず、平均粒径0.5〜10μm、特に1〜5μmのガラ
ス粉末と平均粒径0.5〜10μm、特に平均粒径1〜
5μmのセラミックフィラー粉末とを準備する。
【0018】用いられるガラス成分としては、少なくと
もSiO2を含み、Al2O3、B2O 3、ZnO、Pb
O、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のう
ちの少なくとも1種以上を含有したものであって、例え
ば、SiO2−B2O3系、SiO2−B2O3−Al2O3−
MO系(但し、MはCa、Sr、Mg、BaまたはZn
を示す)等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、
Ba系ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラス等が挙げら
れる。
もSiO2を含み、Al2O3、B2O 3、ZnO、Pb
O、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のう
ちの少なくとも1種以上を含有したものであって、例え
ば、SiO2−B2O3系、SiO2−B2O3−Al2O3−
MO系(但し、MはCa、Sr、Mg、BaまたはZn
を示す)等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、
Ba系ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラス等が挙げら
れる。
【0019】これらのガラスは焼成処理することによっ
ても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、
アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライ
ト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノ
ーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオ
プサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、
ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも1種を
析出するものが用いられる。
ても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、
アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライ
ト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノ
ーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオ
プサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、
ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも1種を
析出するものが用いられる。
【0020】また、セラミックフィラーとしては、クォ
ーツ、クリストバライト等のSiO 2や、Al2O3、Z
rO2、ムライト、フォルステライト、エンスタタイ
ト、スピネル、マグネシアの群から選ばれる少なくとも
1種が好適に用いられる。
ーツ、クリストバライト等のSiO 2や、Al2O3、Z
rO2、ムライト、フォルステライト、エンスタタイ
ト、スピネル、マグネシアの群から選ばれる少なくとも
1種が好適に用いられる。
【0021】上記ガラス粉末とセラミック粉末とを、特
に、ガラス成分10〜90重量%、特に50〜80重量
%と、セラミックフィラー成分10〜90重量%、特に
20〜50重量%の割合で混合する。その混合物に有機
バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延
法、プレス法などによりシート状に成形して厚さ約50
〜500μmのグリーンシート1を作製する。
に、ガラス成分10〜90重量%、特に50〜80重量
%と、セラミックフィラー成分10〜90重量%、特に
20〜50重量%の割合で混合する。その混合物に有機
バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延
法、プレス法などによりシート状に成形して厚さ約50
〜500μmのグリーンシート1を作製する。
【0022】次に、このグリーンシート1にレーザーや
マイクロドリル、パンチングなどにより、直径80〜2
00μmの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを
充填してビアホール導体2を形成する。導体ペースト中
には、Cu、Ag、Au等の金属成分と、それ以外にア
クリル樹脂などの有機バインダー、トルエン、イソプロ
ピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを混合して
形成される。有機バインダーは金属成分100重量部に
対して0.5〜15.0重量部、有機溶剤は固形成分及
び有機バインダー100重量部に対して5〜100重量
部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体
ペースト中にはガラスセラミック材料との焼成収縮を合
わせるため、若干のガラス成分等を添加してもよい。
マイクロドリル、パンチングなどにより、直径80〜2
00μmの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを
充填してビアホール導体2を形成する。導体ペースト中
には、Cu、Ag、Au等の金属成分と、それ以外にア
クリル樹脂などの有機バインダー、トルエン、イソプロ
ピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを混合して
形成される。有機バインダーは金属成分100重量部に
対して0.5〜15.0重量部、有機溶剤は固形成分及
び有機バインダー100重量部に対して5〜100重量
部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体
ペースト中にはガラスセラミック材料との焼成収縮を合
わせるため、若干のガラス成分等を添加してもよい。
【0023】次に、このグリーンシート1の表面に、配
線回路層3を形成する。配線回路層3としては、上述の
ビアホール導体2を形成するための金属導体粉末を含有
する導体ペーストを用いて印刷法等により形成すること
もできるが、特に配線回路層3の幅が75μm以下、特
に50μm以下、かつ配線回路層3のピッチが150μ
m以下、特に100μm以下の微細配線化する上では、
純度99.5重量%以上の高純度金属、特に金属箔によ
って形成することが望ましい。金属箔としては、特にC
u、Ag、Au、Ni、Pt、Pdの群から選ばれる少
なくとも1種の高純度金属からなることが望ましい。
線回路層3を形成する。配線回路層3としては、上述の
ビアホール導体2を形成するための金属導体粉末を含有
する導体ペーストを用いて印刷法等により形成すること
もできるが、特に配線回路層3の幅が75μm以下、特
に50μm以下、かつ配線回路層3のピッチが150μ
m以下、特に100μm以下の微細配線化する上では、
純度99.5重量%以上の高純度金属、特に金属箔によ
って形成することが望ましい。金属箔としては、特にC
u、Ag、Au、Ni、Pt、Pdの群から選ばれる少
なくとも1種の高純度金属からなることが望ましい。
【0024】このような金属箔からなる配線回路層3
は、グリーンシートの表面に金属箔を接着した後に周知
のフォトエッチング法等の手法によって所望の回路を形
成する方法が知られているが、かかる方法ではエッチン
グ液によってグリーンシートを変質させてしまうため、
本発明においては転写法にて形成する。
は、グリーンシートの表面に金属箔を接着した後に周知
のフォトエッチング法等の手法によって所望の回路を形
成する方法が知られているが、かかる方法ではエッチン
グ液によってグリーンシートを変質させてしまうため、
本発明においては転写法にて形成する。
【0025】転写法による配線回路層3の形成方法とし
ては、まず、高分子材料からなる樹脂フィルム5の一面
に高純度金属導体、特に金属箔を熱可塑性樹脂からなる
接着剤(図示せず)により接着する。そして、この金属
導体の表面にレジストを鏡像の回路パターン状に塗布し
た後、エッチング処理およびレジスト除去を行う方法に
よって、樹脂フィルム5表面に配線回路層3を形成する
ことができる。そして、その転写シート5表面に形成さ
れた鏡像の配線回路層3の表面に、有機樹脂を含有する
接着層4を形成する(図1(2))。
ては、まず、高分子材料からなる樹脂フィルム5の一面
に高純度金属導体、特に金属箔を熱可塑性樹脂からなる
接着剤(図示せず)により接着する。そして、この金属
導体の表面にレジストを鏡像の回路パターン状に塗布し
た後、エッチング処理およびレジスト除去を行う方法に
よって、樹脂フィルム5表面に配線回路層3を形成する
ことができる。そして、その転写シート5表面に形成さ
れた鏡像の配線回路層3の表面に、有機樹脂を含有する
接着層4を形成する(図1(2))。
【0026】この接着層4は、特にアクリル系樹脂、好
ましくはメタクリル酸系樹脂を固形分で0.5〜20重
量%含有し、更に溶剤としてDBP、BCA等の一般的
な溶剤を含有する有機成分からなることが望ましい。こ
れは、アクリル酸系樹脂は熱分解性が非常に良好である
ために、焼成後に脱脂不良によって炭素分が残存するこ
とによるデラミネーションの発生が改善されるためであ
る。これに対して、セルロース系樹脂では、熱分解性が
悪く、層間剥離が発生しやすい。
ましくはメタクリル酸系樹脂を固形分で0.5〜20重
量%含有し、更に溶剤としてDBP、BCA等の一般的
な溶剤を含有する有機成分からなることが望ましい。こ
れは、アクリル酸系樹脂は熱分解性が非常に良好である
ために、焼成後に脱脂不良によって炭素分が残存するこ
とによるデラミネーションの発生が改善されるためであ
る。これに対して、セルロース系樹脂では、熱分解性が
悪く、層間剥離が発生しやすい。
【0027】熱分解性の良好な有機樹脂としては、アク
リル系樹脂が最も有効であるが、その他に、ブチラール
樹脂なども挙げられる。なお、アクリル系樹脂として
は、メタクリレート、エタクリレート、アクリレートの
群から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。
リル系樹脂が最も有効であるが、その他に、ブチラール
樹脂なども挙げられる。なお、アクリル系樹脂として
は、メタクリレート、エタクリレート、アクリレートの
群から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。
【0028】また、この接着層は、厚みが1〜15μ
m、特に3〜10μmであることが望ましい。この厚み
が1μmよりも薄いと、転写性が低下し、15μmより
も厚いと、焼成工程における脱脂不良が発生し、デラミ
ネーションが発生することもできる。
m、特に3〜10μmであることが望ましい。この厚み
が1μmよりも薄いと、転写性が低下し、15μmより
も厚いと、焼成工程における脱脂不良が発生し、デラミ
ネーションが発生することもできる。
【0029】次に、前記ビアホール導体2が形成された
グリーンシート1の表面に、樹脂シート5上の接着層4
が形成された配線回路層3を位置合わせして積層圧着し
た後(図1(3))、転写シート5を剥がすことによ
り、ビアホール導体2と接続した配線回路層3を具備す
る一単位のグリーンシート1を形成することができる。
グリーンシート1の表面に、樹脂シート5上の接着層4
が形成された配線回路層3を位置合わせして積層圧着し
た後(図1(3))、転写シート5を剥がすことによ
り、ビアホール導体2と接続した配線回路層3を具備す
る一単位のグリーンシート1を形成することができる。
【0030】その場合、転写性を高めるために配線回路
層3の表面に形成される接着層の接着強度は、配線回路
層3と転写シート5との間の粘着層の接着強度よりも高
いことが望ましい。これは、接着層の接着強度が粘着層
の接着強度よりも小さいと、転写シート5から配線回路
層3が剥離できず、転写不良を発生させるおそれがある
ためである。特に、接着層4は粘着層よりも接着強度が
40g/10mm以上(JIS Z0237による)で
あることが望ましい。
層3の表面に形成される接着層の接着強度は、配線回路
層3と転写シート5との間の粘着層の接着強度よりも高
いことが望ましい。これは、接着層の接着強度が粘着層
の接着強度よりも小さいと、転写シート5から配線回路
層3が剥離できず、転写不良を発生させるおそれがある
ためである。特に、接着層4は粘着層よりも接着強度が
40g/10mm以上(JIS Z0237による)で
あることが望ましい。
【0031】そのために、転写シート5を剥がす際は、
50〜80℃の熱をかけながら剥がすことで、配線回路
層3と樹脂フィルム5間に存在する熱可塑性の粘着層を
軟化させるなどの処理によって転写不良を防止すること
ができる。
50〜80℃の熱をかけながら剥がすことで、配線回路
層3と樹脂フィルム5間に存在する熱可塑性の粘着層を
軟化させるなどの処理によって転写不良を防止すること
ができる。
【0032】その後、同様にして得られた複数のグリー
ンシート1a〜1dを積層圧着して積層体を形成する
(図1(4))。グリーンシート1の積層は、積み重ね
られたグリーンシート1に熱と圧力を加えて熱圧着した
り、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤を
シート間に塗布して熱圧着することもできる。
ンシート1a〜1dを積層圧着して積層体を形成する
(図1(4))。グリーンシート1の積層は、積み重ね
られたグリーンシート1に熱と圧力を加えて熱圧着した
り、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤を
シート間に塗布して熱圧着することもできる。
【0033】次に、平面方向の収縮を抑制するため、グ
リーンシート1a〜1cの積層体の焼成温度で難焼結性
のセラミック材料を主成分とする拘束シート6をガラス
セラミックグリーンシート1a〜1cの積層体の両面又
は片面に加圧積層して積層体を作製する(図1
(5))。
リーンシート1a〜1cの積層体の焼成温度で難焼結性
のセラミック材料を主成分とする拘束シート6をガラス
セラミックグリーンシート1a〜1cの積層体の両面又
は片面に加圧積層して積層体を作製する(図1
(5))。
【0034】本発明によれば、ガラスセラミックグリー
ンシート1a〜1cを焼成したガラスセラミック絶縁基
板10と拘束シート6との40〜400℃における平均
熱膨張係数差(以下、単に平均熱膨張係数差と略す。)
が3×10-6/℃以下、特に2×10-6/℃以下である
ことが望ましく、これによって焼成後の冷却時にガラス
セラミック絶縁基板10の拘束シート8接着面付近に発
生するクラックや剥離、またはガラスセラミック絶縁基
板10内に発生するクラックを防止することができる。
ンシート1a〜1cを焼成したガラスセラミック絶縁基
板10と拘束シート6との40〜400℃における平均
熱膨張係数差(以下、単に平均熱膨張係数差と略す。)
が3×10-6/℃以下、特に2×10-6/℃以下である
ことが望ましく、これによって焼成後の冷却時にガラス
セラミック絶縁基板10の拘束シート8接着面付近に発
生するクラックや剥離、またはガラスセラミック絶縁基
板10内に発生するクラックを防止することができる。
【0035】なお、本発明においてガラスセラミック絶
縁基板としては、プリント基板等の外部回路基板との平
均熱膨張係数差を小さくして実装信頼性を高める上で、
ガラスセラミック絶縁基板の熱膨張係数が8×10-6/
℃以上、特に9〜17×10 -6/℃以上であることが望
ましい。また、ガラスセラミック絶縁基板の表面(主平
面)における焼成収縮を小さくする点では、拘束シート
6の熱膨張係数がガラスセラミック絶縁基板10の熱膨
張係数以下であることが望ましく、ガラスセラミック絶
縁基板内に熱膨張差に伴う引張り応力を残存させない点
では、拘束シート6の熱膨張係数がガラスセラミック絶
縁基板の熱膨張係数以上であることが望ましい。特に、
拘束シート6の熱膨張係数がガラスセラミック絶縁基板
10の熱膨張係数以下であることが望ましい。
縁基板としては、プリント基板等の外部回路基板との平
均熱膨張係数差を小さくして実装信頼性を高める上で、
ガラスセラミック絶縁基板の熱膨張係数が8×10-6/
℃以上、特に9〜17×10 -6/℃以上であることが望
ましい。また、ガラスセラミック絶縁基板の表面(主平
面)における焼成収縮を小さくする点では、拘束シート
6の熱膨張係数がガラスセラミック絶縁基板10の熱膨
張係数以下であることが望ましく、ガラスセラミック絶
縁基板内に熱膨張差に伴う引張り応力を残存させない点
では、拘束シート6の熱膨張係数がガラスセラミック絶
縁基板の熱膨張係数以上であることが望ましい。特に、
拘束シート6の熱膨張係数がガラスセラミック絶縁基板
10の熱膨張係数以下であることが望ましい。
【0036】この拘束シート6は、難焼結性セラミック
材料を主体とする無機成分に、有機バインダー、可塑
剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得ら
れる。難焼結性セラミック材料としては、具体的には1
000℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組
成物から構成され、具体的には平均粒径1〜20μm、
特に3〜10μmのAl2O3、SiO2、MgO、Zr
O2、BN、TiO2の群から選ばれる少なくとも1種お
よび/またはこれらの複合酸化物、特にフォルステライ
ト(Mg2SiO4)、エンスタタイト(MgSiO3)
等の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑剤
及び溶剤としてはガラスセラミックグリーンシートを形
成するものと同じ材料、具体的にはアクリル系樹脂、D
BP等の可塑剤、IPA、アセトン、トルエン等の溶剤
等が好適に使用できる。
材料を主体とする無機成分に、有機バインダー、可塑
剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得ら
れる。難焼結性セラミック材料としては、具体的には1
000℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組
成物から構成され、具体的には平均粒径1〜20μm、
特に3〜10μmのAl2O3、SiO2、MgO、Zr
O2、BN、TiO2の群から選ばれる少なくとも1種お
よび/またはこれらの複合酸化物、特にフォルステライ
ト(Mg2SiO4)、エンスタタイト(MgSiO3)
等の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑剤
及び溶剤としてはガラスセラミックグリーンシートを形
成するものと同じ材料、具体的にはアクリル系樹脂、D
BP等の可塑剤、IPA、アセトン、トルエン等の溶剤
等が好適に使用できる。
【0037】また、この拘束シート6中にはガラス成
分、言い換えれば非晶質成分を0.5〜15重量%、特
に1〜12重量%含有することが望ましく、それによっ
て焼成収縮の拘束力を高め、また、拘束シートと接する
部分のガラスの移動を抑制し焼結不良などの発生を防止
することができる。
分、言い換えれば非晶質成分を0.5〜15重量%、特
に1〜12重量%含有することが望ましく、それによっ
て焼成収縮の拘束力を高め、また、拘束シートと接する
部分のガラスの移動を抑制し焼結不良などの発生を防止
することができる。
【0038】また、拘束シート6中に含まれるガラス成
分としては、ガラスセラミックグリーンシート1からの
有機成分を容易に除去するため、およびガラスセラミッ
ク絶縁基板と拘束シート6との接着性を高める上で、軟
化点がガラスセラミックグリーンシート1a〜1cの積
層体の焼成温度以下で、かつ拘束シート6中の有機成分
の分解揮散温度よりも高いことが望ましい。具体的に
は、拘束シート6中のガラスの軟化点は450〜110
0℃程度であることが好ましい。さらに、上記ガラスは
1〜20μmの粉末であることが望ましい。
分としては、ガラスセラミックグリーンシート1からの
有機成分を容易に除去するため、およびガラスセラミッ
ク絶縁基板と拘束シート6との接着性を高める上で、軟
化点がガラスセラミックグリーンシート1a〜1cの積
層体の焼成温度以下で、かつ拘束シート6中の有機成分
の分解揮散温度よりも高いことが望ましい。具体的に
は、拘束シート6中のガラスの軟化点は450〜110
0℃程度であることが好ましい。さらに、上記ガラスは
1〜20μmの粉末であることが望ましい。
【0039】前述した拘束シート6中に含まれるガラス
成分は、ガラスセラミックグリーンシート1中に含まれ
るガラス成分と異なるものであっても良いが、ガラスセ
ラミックグリーンシート1中のガラスの拡散を防止する
うえでは同一のガラスを用いることが望ましい。
成分は、ガラスセラミックグリーンシート1中に含まれ
るガラス成分と異なるものであっても良いが、ガラスセ
ラミックグリーンシート1中のガラスの拡散を防止する
うえでは同一のガラスを用いることが望ましい。
【0040】本発明によれば、上述した難焼結性セラミ
ック材料およびガラスの種類および粉末の粒径等を変え
ることによって拘束シート6の熱膨張係数を調整するこ
とができる。
ック材料およびガラスの種類および粉末の粒径等を変え
ることによって拘束シート6の熱膨張係数を調整するこ
とができる。
【0041】ガラスセラミックグリーンシート1a〜1
cの積層体に積層される拘束シート6の厚さは、拘束力
を高めるとともに有機成分の揮散を容易にしかつガラス
セラミック絶縁基板からの拘束シート6の除去性を考慮
すれば、ガラスセラミックグリーンシート1a〜1cの
積層体の厚さに対して10〜100%であることが望ま
しい。なお、上記拘束シート6の厚さは、一方の表面に
積層される拘束シート6の厚みを指す。
cの積層体に積層される拘束シート6の厚さは、拘束力
を高めるとともに有機成分の揮散を容易にしかつガラス
セラミック絶縁基板からの拘束シート6の除去性を考慮
すれば、ガラスセラミックグリーンシート1a〜1cの
積層体の厚さに対して10〜100%であることが望ま
しい。なお、上記拘束シート6の厚さは、一方の表面に
積層される拘束シート6の厚みを指す。
【0042】次に、上記積層体を100〜850℃、特
に400〜750℃の酸化性または弱酸化性雰囲気中で
加熱処理してグリーンシート1内やビアホール導体ペー
スト中の有機成分を分解除去する。この時の条件として
は、グリーンシート中の有機成分を除去するとともに、
配線回路層を転写形成する場合に配線回路層表面に形成
された接着層を分解除去できる条件に設定する。熱分解
性に優れたアクリル系樹脂を用いた場合には、500〜
800℃で窒素雰囲気中で同時焼成する。なお、焼成条
件としては、配線回路層としてCu等の酸化しやすい導
体を用いる場合、窒素、アルゴンなどの非酸化性雰囲気
で行う必要があり、配線回路層としてAg等の酸化しな
い導体を用いる場合、大気等の酸化性雰囲気で行うこと
ができる。
に400〜750℃の酸化性または弱酸化性雰囲気中で
加熱処理してグリーンシート1内やビアホール導体ペー
スト中の有機成分を分解除去する。この時の条件として
は、グリーンシート中の有機成分を除去するとともに、
配線回路層を転写形成する場合に配線回路層表面に形成
された接着層を分解除去できる条件に設定する。熱分解
性に優れたアクリル系樹脂を用いた場合には、500〜
800℃で窒素雰囲気中で同時焼成する。なお、焼成条
件としては、配線回路層としてCu等の酸化しやすい導
体を用いる場合、窒素、アルゴンなどの非酸化性雰囲気
で行う必要があり、配線回路層としてAg等の酸化しな
い導体を用いる場合、大気等の酸化性雰囲気で行うこと
ができる。
【0043】その後、所望により、拘束シート6を、A
l2O3、SiO2、MgO、ZrO2から選ばれる少なく
とも1種を含む砥粒を空気と共に0.05〜0.5MP
aの圧力で吹き付けて除去することによって本発明の多
層配線基板Aを作製することができる(図1(6))。
l2O3、SiO2、MgO、ZrO2から選ばれる少なく
とも1種を含む砥粒を空気と共に0.05〜0.5MP
aの圧力で吹き付けて除去することによって本発明の多
層配線基板Aを作製することができる(図1(6))。
【0044】このように拘束シートを用いて焼成するこ
とによって、焼成時の収縮が拘束シート8によって厚さ
方向だけに抑えられているので、その積層体面内の収縮
を、例えば、積層体が矩形形状の場合には、一辺の長さ
の収縮率が0.5%以下に抑えることが可能となり、し
かもガラスセラミックグリーンシート1は拘束シート8
によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されてい
るので、拘束シート6の一部剥離等によって反りや変形
が起こるのを防止することができる。
とによって、焼成時の収縮が拘束シート8によって厚さ
方向だけに抑えられているので、その積層体面内の収縮
を、例えば、積層体が矩形形状の場合には、一辺の長さ
の収縮率が0.5%以下に抑えることが可能となり、し
かもガラスセラミックグリーンシート1は拘束シート8
によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されてい
るので、拘束シート6の一部剥離等によって反りや変形
が起こるのを防止することができる。
【0045】上記方法によって得られる多層配線基板の
一例についての概略断面図を図2に示す。
一例についての概略断面図を図2に示す。
【0046】図2の多層配線基板Aによれば、絶縁基板
10は、厚み50〜250μmの複数のガラスセラミッ
ク絶縁層10a〜10cを積層してなる積層体から構成
され、その絶縁層10a〜10c間および絶縁基板表面
には、厚みが3〜18μm程度の高純度金属箔からなる
配線回路層3が被着形成されている。さらに、各ガラス
セラミック絶縁層10a〜10cの厚み方向を貫くよう
に形成された直径が80〜200μmのビアホール導体
2が形成され、これにより、配線回路層3間を接続し所
定回路を達成するための回路網が形成される。また配線
回路層3の表面には半導体素子等の電子部品Bが実装搭
載される。
10は、厚み50〜250μmの複数のガラスセラミッ
ク絶縁層10a〜10cを積層してなる積層体から構成
され、その絶縁層10a〜10c間および絶縁基板表面
には、厚みが3〜18μm程度の高純度金属箔からなる
配線回路層3が被着形成されている。さらに、各ガラス
セラミック絶縁層10a〜10cの厚み方向を貫くよう
に形成された直径が80〜200μmのビアホール導体
2が形成され、これにより、配線回路層3間を接続し所
定回路を達成するための回路網が形成される。また配線
回路層3の表面には半導体素子等の電子部品Bが実装搭
載される。
【0047】また、図2において、表面の配線回路層3
は、ICチップなどの各種電子部品Bを搭載するための
パッドとして、シールド用導体膜として、さらには、外
部回路と接続する端子電極として用いられ、電子部品B
が配線回路層3に半田や導電性接着剤などを介して接合
される。尚、図示していないが、必要に応じて、多層配
線基板Aの表面には、さらに珪化タンタル、珪化モリブ
デンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護膜などを形成しても
構わない。
は、ICチップなどの各種電子部品Bを搭載するための
パッドとして、シールド用導体膜として、さらには、外
部回路と接続する端子電極として用いられ、電子部品B
が配線回路層3に半田や導電性接着剤などを介して接合
される。尚、図示していないが、必要に応じて、多層配
線基板Aの表面には、さらに珪化タンタル、珪化モリブ
デンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護膜などを形成しても
構わない。
【0048】
【実施例】先ず、表1に示す結晶化ガラス粉末とセラミ
ックフィラー粉末とを秤量し、これにバインダーとして
アクリル系樹脂(主にメタクリル酸系)と、可塑剤とし
てDBP(ジブチルフタレート)、溶媒としてトルエン
とイソプロピルアルコールを加えて混合、調製したスラ
リーを用いて、ドクターブレード法により厚さ500μ
mのグリーンシートを作製した。
ックフィラー粉末とを秤量し、これにバインダーとして
アクリル系樹脂(主にメタクリル酸系)と、可塑剤とし
てDBP(ジブチルフタレート)、溶媒としてトルエン
とイソプロピルアルコールを加えて混合、調製したスラ
リーを用いて、ドクターブレード法により厚さ500μ
mのグリーンシートを作製した。
【0049】次に、平均粒径が5μmのCu粉末に対し
て、フィラー成分としてSiO2粉末を8重量%と、こ
れら無機成分に対して有機バインダーとしてアクリル系
樹脂を2重量部と、溶媒としてアセトンを75重量部と
の比率で添加混練し、ペースト状のビアホール導体用ペ
ーストを作製した。そして、上記グリーンシートの所定
個所にビアホールを形成し、そのビアホール内に上記ビ
アホール用ペーストを充填した。
て、フィラー成分としてSiO2粉末を8重量%と、こ
れら無機成分に対して有機バインダーとしてアクリル系
樹脂を2重量部と、溶媒としてアセトンを75重量部と
の比率で添加混練し、ペースト状のビアホール導体用ペ
ーストを作製した。そして、上記グリーンシートの所定
個所にビアホールを形成し、そのビアホール内に上記ビ
アホール用ペーストを充填した。
【0050】一方、PETフィルムに、純度99.5%
以上の表1に示す金属箔をアクリル系樹脂からなる接着
剤(JIS Z0237による接着強度160g/10
mm)により接着し、レジスト塗布、現像、エッチン
グ、レジスト除去を行って所定のパターンの配線回路層
を形成し、転写シートを作製した。配線幅は40μm、
配線回路層ピッチ100μmとしたが、エッチングによ
る形成のため従来のスクリーン印刷法と比較して、非常
に微細な配線回路層を形成することができた。
以上の表1に示す金属箔をアクリル系樹脂からなる接着
剤(JIS Z0237による接着強度160g/10
mm)により接着し、レジスト塗布、現像、エッチン
グ、レジスト除去を行って所定のパターンの配線回路層
を形成し、転写シートを作製した。配線幅は40μm、
配線回路層ピッチ100μmとしたが、エッチングによ
る形成のため従来のスクリーン印刷法と比較して、非常
に微細な配線回路層を形成することができた。
【0051】そして、上記転写シートの配線回路層形成
表面に表1に示す含有量のアクリル系樹脂(特にi−B
MA)0.5〜20.0重量%とDBP41〜49.7
5重量%、BCA41〜49.75重量%からなる表1
に示す接着剤をスクリーン印刷によって塗布した。
表面に表1に示す含有量のアクリル系樹脂(特にi−B
MA)0.5〜20.0重量%とDBP41〜49.7
5重量%、BCA41〜49.75重量%からなる表1
に示す接着剤をスクリーン印刷によって塗布した。
【0052】なお、この接着剤の単味の接着強度をJI
S Z0237に従って測定し、その結果も合わせて表
1に示した。
S Z0237に従って測定し、その結果も合わせて表
1に示した。
【0053】そして、ビアホールが形成されたグリーン
シートにビアホールの位置にあわせながら上記転写シー
トを積層し、60℃、15MPaで熱圧着して配線回路
層をグリーンシート表面に形成した。その後、50℃の
温度をかけながら転写シートを剥がすことにより、ビア
ホール導体を接続した配線回路層を具備する一単位の配
線回路層を形成した。また、これら任意の一単位のグリ
ーンシートを5枚積層し、積層体を形成した。
シートにビアホールの位置にあわせながら上記転写シー
トを積層し、60℃、15MPaで熱圧着して配線回路
層をグリーンシート表面に形成した。その後、50℃の
温度をかけながら転写シートを剥がすことにより、ビア
ホール導体を接続した配線回路層を具備する一単位の配
線回路層を形成した。また、これら任意の一単位のグリ
ーンシートを5枚積層し、積層体を形成した。
【0054】他方、平均粒径2μmのアルミナを主成分
とするセラミック粉末と平均粒径5μmのガラス粉末の
組成物からなる厚さ250μmの拘束シートを作製し
た。なおシート作製時の有機バインダー、可塑剤、溶媒
等はグリーンシートと同じ配合量とした。この拘束シー
トをグリーンシート積層体の両面に60℃、20MPa
で加圧積層して積層体を得た。
とするセラミック粉末と平均粒径5μmのガラス粉末の
組成物からなる厚さ250μmの拘束シートを作製し
た。なおシート作製時の有機バインダー、可塑剤、溶媒
等はグリーンシートと同じ配合量とした。この拘束シー
トをグリーンシート積層体の両面に60℃、20MPa
で加圧積層して積層体を得た。
【0055】次いで、この積層体を、Al2O3セッター
に載置して有機バインダー等の有機成分を分解除去する
ために、水蒸気含有窒素雰囲気中、700℃に加熱し、
さらに窒素雰囲気中、950℃で1時間焼成を行った。
なお、焼成後の冷却速度は300℃/hrとした。その
後、拘束シート(焼結しない無機組成物)をAl2O3砥
粒を空気と共に0.2MPaの圧力で吹き付けることで
除去し、多層配線基板を作製した。
に載置して有機バインダー等の有機成分を分解除去する
ために、水蒸気含有窒素雰囲気中、700℃に加熱し、
さらに窒素雰囲気中、950℃で1時間焼成を行った。
なお、焼成後の冷却速度は300℃/hrとした。その
後、拘束シート(焼結しない無機組成物)をAl2O3砥
粒を空気と共に0.2MPaの圧力で吹き付けることで
除去し、多層配線基板を作製した。
【0056】得られた多層配線基板に対して、比抵抗、
収縮率、熱サイクル後の配線回路層の接着強度、剥が
れ、デラミネーションの発生について以下の要領で評価
した。 (不良率)得られた多層配線基板について、転写性につ
いて転写不良の発生、および焼成後の配線基板の外観観
察および配線回路層形成部分の断面観察によって、変
形、クラックの有無およびデラミネーションの発生の有
無を観察し、結果を表1に示した。 (比抵抗)多層配線基板における銅箔からなる配線回路
層(幅50μm)の両端にて配線抵抗をテスターにて測
定し、この配線回路層の断面を走査型電子顕微鏡(SE
M)、銅配線の長さを顕微鏡を用いて測定し、得られた
配線回路層の形状から比抵抗を算出した。 (収縮率)更に、ガラスセラミック絶縁基板の焼成によ
る収縮率を、絶縁基板の焼成前後の一辺の長さを測定し
て(l1、l2)、収縮率((l1−l2)/l1×100
%)を算出した。結果は表1に示した。 (熱サイクル試験)配線基板を−40℃および125℃
の各温度に制御した恒温槽に試験サンプルを15分/1
5分の保持を1サイクルとして100サイクル繰り返し
た後に、配線基板表面の2mm□の配線回路層に対して
Snめっきを施したCu銭を半田付けした後、そのCu
線を垂直に引っ張り、Cu線が取れてしまう時の荷重を
測定した。また、合わせて配線回路層表面および断面を
観察して、試料数10個に配線回路層の剥がれやデラミ
ネーションが認められた個数を示した。
収縮率、熱サイクル後の配線回路層の接着強度、剥が
れ、デラミネーションの発生について以下の要領で評価
した。 (不良率)得られた多層配線基板について、転写性につ
いて転写不良の発生、および焼成後の配線基板の外観観
察および配線回路層形成部分の断面観察によって、変
形、クラックの有無およびデラミネーションの発生の有
無を観察し、結果を表1に示した。 (比抵抗)多層配線基板における銅箔からなる配線回路
層(幅50μm)の両端にて配線抵抗をテスターにて測
定し、この配線回路層の断面を走査型電子顕微鏡(SE
M)、銅配線の長さを顕微鏡を用いて測定し、得られた
配線回路層の形状から比抵抗を算出した。 (収縮率)更に、ガラスセラミック絶縁基板の焼成によ
る収縮率を、絶縁基板の焼成前後の一辺の長さを測定し
て(l1、l2)、収縮率((l1−l2)/l1×100
%)を算出した。結果は表1に示した。 (熱サイクル試験)配線基板を−40℃および125℃
の各温度に制御した恒温槽に試験サンプルを15分/1
5分の保持を1サイクルとして100サイクル繰り返し
た後に、配線基板表面の2mm□の配線回路層に対して
Snめっきを施したCu銭を半田付けした後、そのCu
線を垂直に引っ張り、Cu線が取れてしまう時の荷重を
測定した。また、合わせて配線回路層表面および断面を
観察して、試料数10個に配線回路層の剥がれやデラミ
ネーションが認められた個数を示した。
【0057】
【表1】
【0058】表1の結果から明らかなように、転写シー
トにおける配線回路層の表面に、接着層を形成しなかっ
た試料No.1では、熱サイクル試験において、接着強
度の低下が認められ、また多量に配線回路層の剥がれ、
デラミネーションが認められた。これに対して、熱分解
性に優れた樹脂を含む接着層を形成した場合、熱サイク
ル後においても高い密着強度を示したが、セルロース系
やエポキシ系樹脂では熱分解性が低く、炭素の残存が認
められ、初期の段階でもデラミネーションや剥離の発生
が認められた。
トにおける配線回路層の表面に、接着層を形成しなかっ
た試料No.1では、熱サイクル試験において、接着強
度の低下が認められ、また多量に配線回路層の剥がれ、
デラミネーションが認められた。これに対して、熱分解
性に優れた樹脂を含む接着層を形成した場合、熱サイク
ル後においても高い密着強度を示したが、セルロース系
やエポキシ系樹脂では熱分解性が低く、炭素の残存が認
められ、初期の段階でもデラミネーションや剥離の発生
が認められた。
【0059】なお、接着層については含有量が0.5〜
20重量%、厚み1〜15μmで良好な耐久性が認めら
れ、薄すぎると転写不良が発生しやすく、厚すぎるとデ
ラミネーションが発生しやすくなった。
20重量%、厚み1〜15μmで良好な耐久性が認めら
れ、薄すぎると転写不良が発生しやすく、厚すぎるとデ
ラミネーションが発生しやすくなった。
【0060】
【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明によれば、
転写シート上のグリーンシートに接する配線回路層表面
にアクリル系樹脂などを含有する接着層を形成し、接着
層を介して該グリーンシートに該配線回路層を転写、形
成することで、転写性、焼成後の熱サイクル後における
密着強度の低下、剥がれ、デラミネーションの発生を抑
制することができる。また、難焼結性シートを用いて焼
成収縮を抑制しながら焼成することによって寸法精度に
優れた多層配線基板を得ることができる。
転写シート上のグリーンシートに接する配線回路層表面
にアクリル系樹脂などを含有する接着層を形成し、接着
層を介して該グリーンシートに該配線回路層を転写、形
成することで、転写性、焼成後の熱サイクル後における
密着強度の低下、剥がれ、デラミネーションの発生を抑
制することができる。また、難焼結性シートを用いて焼
成収縮を抑制しながら焼成することによって寸法精度に
優れた多層配線基板を得ることができる。
【図1】本発明の多層配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図である。
めの工程図である。
【図2】本発明の多層配線基板の製造方法によって得ら
れる多層配線基板の概略断面図である。
れる多層配線基板の概略断面図である。
1 グリーンシート 1a、1b、1c セラミックグリーンシート 2 ビアホール導体 3、6 配線回路層 5 転写シート 8 拘束シート 10 セラミック絶縁基板 A 多層配線基板 B 電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/15 H01L 23/12 N H05K 3/20 23/14 C // H05K 3/38 R M C04B 35/00 J (72)発明者 民 保秀 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内 (72)発明者 永江 謙一 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内 Fターム(参考) 4G026 BA02 BB22 BB28 BC02 BD14 BF09 BG05 BH07 BH08 4G030 AA61 BA01 BA12 CA03 CA08 GA19 GA24 5E343 AA02 AA24 BB05 BB23 BB24 BB25 BB44 BB48 BB49 BB67 CC01 DD56 EE22 ER13 ER16 ER33 ER36 ER39 GG01 5E346 AA12 AA15 AA43 CC02 CC18 CC32 CC37 CC38 CC39 CC55 DD12 DD32 DD45 DD48 EE24 EE27 FF01 FF18 GG04 GG08 GG09 GG19 GG22 GG23 HH11 HH18
Claims (9)
- 【請求項1】転写シート表面に金属成分の含有量が9
9.5重量%以上の高純度金属からなる配線回路層を形
成してなる転写シートを準備し、セラミックグリーンシ
ート表面に前記転写シートから前記配線回路層を転写形
成した後、該グリーンシートを複数積層し、前記配線回
路層を形成する金属の融点より低い温度で焼成してなる
多層配線基板の製造方法において、前記転写シート上の
配線回路層の表面に、熱分解性に優れた有機樹脂を含む
接着層を形成し、該接着層を介して該グリーンシートに
該配線回路層を転写形成することを特徴とする多層配線
基板の製造方法。 - 【請求項2】前記接着層の厚みが1〜15μmであるこ
とを特徴とする請求項1記載の多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項3】前記熱分解性に優れた有機樹脂が、アクリ
ル系樹脂であって、接着層中に前記アクリル系樹脂を
0.5〜20重量%の割合で含有することを特徴とする
請求項1または請求項2記載の多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項4】前記焼成が、800〜1050℃の温度で
行われることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいず
れか記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項5】前記セラミックグリーンシートが、セラミ
ック成分として、ガラス粉末とセラミックフィラー粉末
とを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいず
れか記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項6】焼成時に、前記積層体の少なくとも一方の
表面に難焼結性セラミック材料を主体とするセラミック
シートを接着し、焼成した後、前記セラミックシートを
除去することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいず
れか記載の多層配線基板の製造方法 - 【請求項7】前記難焼結性セラミック材料が、Al
2O3、SiO2、MgO、ZrO2、BN、TiO2の群
から選ばれる少なくとも1種および/またはこれらの複
合酸化物を主体とすることを特徴とする請求項6記載の
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項8】前記配線回路層が、金属箔からなることを
特徴とする請求項1乃至7のいずれか記載の多層配線基
板の製造方法。 - 【請求項9】前記金属箔がCu、Ag、Au、Ni、P
t、Pdから選ばれる少なくとも1種からなることを特
徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか記載の多層配
線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001131684A JP2002329970A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001131684A JP2002329970A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 多層配線基板の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002329970A true JP2002329970A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18979832
Family Applications (1)
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JP2001131684A Pending JP2002329970A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | 多層配線基板の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002329970A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010095720A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 日本碍子株式会社 | セラミックス-金属接合体及びその製法 |
JP2013080927A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 多層セラミック基板及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001131684A patent/JP2002329970A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010095720A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 日本碍子株式会社 | セラミックス-金属接合体及びその製法 |
US8361271B2 (en) | 2009-02-20 | 2013-01-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic-metal bonded body and method of producing the same |
JP2013080927A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 多層セラミック基板及びその製造方法 |
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