JP2003163456A

JP2003163456A - 多層配線基板の製造方法

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Publication number: JP2003163456A
Application number: JP2001363635A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Shigeoka; 俊昭重岡; Satoshi Hamano; 智濱野; Tetsuya Kimura; 哲也木村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-11-29
Filing date: 2001-11-29
Publication date: 2003-06-06
Anticipated expiration: 2021-11-29
Also published as: JP3886791B2

Abstract

(57)【要約】【課題】金属箔を用いて回路パターンを形成する際に金
属箔表面の酸化を防止するとともに、ビアホール導体と
の接触抵抗を低減させる。【解決手段】所定の転写基材１４の表面に、少なくとも
大気と接触する表面側に厚さ０．００３〜１μｍのＡ
ｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ａｌのいずれかを
主成分とする金属層からなる酸化防止膜１５が形成され
た金属箔を接着し、この金属箔を所定の回路パターンに
加工して配線回路層１７ａ、１７ｂを形成し、この配線
回路層１７ａ、１７ｂ表面の酸化防止膜１５を除去した
後、これを所定のセラミック成分を含むグリーンシート
１１に転写し、回路パターンが転写されたグリーンシー
ト１１ａ、１１ｂを積層し、焼成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
などのセラミック絶縁基板の内部に金属箔からなる配線
回路層を配設した多層配線基板の製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来技術】配線抵抗の小さく、配線密度の高い金属配
線を内設する同時焼成セラミック多層配線基板の製造方
法の１つに、グリーンシートに貫通孔加工を行い、この
穴に導電性ペーストを充填した後、回路パターン化され
た金属箔をグリーンシート表面に転写し、これを複数枚
積層して焼成する手法が知られている。

【０００３】具体的には、この手法に使用する金属箔パ
ターンを得る方法としては樹脂あるいは金属製のキャリ
アフィルムの全面に蒸着、メッキあるいは金属箔の圧着
を行い、これをパターンの形状にエッチングする方法が
特開平１１−２２４９８４号等で報告されている。

【０００４】この金属箔を転写して回路を形成する方法
では、従来の導電性ペーストによって回路パターンを印
刷形成した方法に比較して、回路が緻密質であり、シー
ト抵抗が低いなどの長所を有するものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１１−２２４９８４号等で報告されている方法におい
て、キャリアフィルム上に金属箔を製箔あるいは圧着し
た後、パターンの加工を行う工程において、例えばエッ
チング処理の水分あるいは熱により金属箔の表面が酸化
するため、これをグリーンシートに転写、焼成した場
合、金属箔とセラミック絶縁層の接合部にボイドが発生
し、金属箔のセラミック絶縁層への接合強度が低下する
という問題がある。

【０００６】また、多層配線基板表面に露出する金属箔
の表面はメッキ処理を行うまでの間に金属箔表面が酸化
し、メッキが安定して行えないという問題がある。

【０００７】この問題を解決するために金属箔表面に酸
化防止膜を形成し、パターン加工を行い、これをグリー
ンシートに転写して積層、焼成を行うことも考えられる
が、その場合、多層配線基板内の回路内の配線抵抗が増
大するという問題がある。特に、金属箔とセラミック絶
縁層中に形成されたビアホール導体との接続部におい
て、酸化防止膜が介在することによって、金属箔とビア
ホール導体との接触抵抗が増大してしまう。

【０００８】従って、本発明は、金属箔を用いて回路パ
ターンを形成するにあたり、金属箔表面の酸化膜の形成
を防止するとともに、ビアホール導体などとの接触抵抗
を低減させることができる多層配線基板の製造方法を提
供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
に鑑み検討を重ねた結果、転写基材の表面に、大気と接
する表面に酸化防止膜が形成された金属箔を形成し、こ
の酸化防止膜が形成されたままで回路パターンに加工
し、セラミックグリーンシートに転写する前に、転写側
表面の酸化防止膜を除去することによって、酸化防止膜
による接続抵抗の低減することができるとともに、金属
箔からなる回路パターンの信頼性を高めることができる
ことを見出し本発明に至った。

【００１０】即ち、本発明の多層配線基板の製造方法
は、所定の転写基材の表面に、少なくとも大気と接触す
る表面側に厚さ０．００３〜１μｍの酸化防止膜が形成
された金属箔を接着する工程と、該金属箔を所定の回路
パターンに加工して配線回路層を形成する工程と、所定
のセラミック成分を含むグリーンシートを作製する工程
と、前記配線回路層表面の酸化防止膜を除去する工程
と、前記配線回路層の前記酸化防止膜が除去された面を
前記グリーンシートに圧着させた後、前記転写基材を除
去して前記配線回路層を前記グリーンシートに転写する
工程と、前記配線回路層が転写されたグリーンシートを
積層し、焼成する工程とを具備することを特徴とするも
のである。

【００１１】なお、前記酸化防止膜としては、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ａｌのいずれかを主成分
とする金属層からなることが好適に用いられる。また、
前記金属箔表面の酸化防止膜の除去は、有機酸による溶
解によって行うことが効率的である。

【００１２】さらに、焼成後の多層配線基板の表層配線
回路層の表面には、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇのうちの少
なくとも１種からなるめっき層を被覆することによっ
て、半田濡れ性、ワイヤボンディング性および耐環境性
の高い多層配線基板を得ることができる。その際、表層
用の配線回路層の酸化防止膜を除去した後に、めっき層
を被覆することが望ましい。

【００１３】なお、前記金属箔としては、厚さ３０μｍ
以下の銅箔からなることが、回路パターンの微細化に有
利であり、あるいは層間剥離の防止に有利である。

【００１４】本発明は、特に、前記回路パターン化され
た金属箔を転写する前に、前記グリーンシートに対して
貫通孔を形成し、該貫通孔内に導電性ペーストを充填し
てなるビアホール導体を具備する多層配線基板に対して
有効である。

【００１５】また、本発明によれば、表層配線回路層を
形成する場合、前記金属箔の前記転写基材と接触する表
面に酸化防止剤が形成されていることが望ましい。

【００１６】本発明における多層配線基板における前記
グリーンシート中のセラミック成分は、ガラス成分、ま
たはガラス成分とセラミックフィラー成分との混合物か
らなることによって、銅などの低抵抗金属との同時焼成
が可能である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の多層配線基板につ
いて、図面に基づいて説明する。図１は本発明の多層配
線基板の一例を示す概略断面図である。図１の多層配線
基板１によれば、絶縁基板２は、複数のセラミック絶縁
層２ａ〜２ｃを積層してなる積層体から構成され、その
絶縁層２ａ〜２ｃ間および絶縁基板２表面には、厚みが
３０μｍ以下、特に５〜２０μｍの高純度金属箔からな
る表層配線回路層３ａ、内層配線回路層３ｂが被着形成
されている。さらに、各セラミック絶縁層２ａ〜２ｃに
は、厚み方向を貫くように形成された直径が８０〜２０
０μｍのビアホール導体４が形成され、これにより、配
線回路層３ａ、３ｂ間を接続し所定回路を達成するため
の回路網が形成される。また配線回路層３ａの表面には
半導体素子などの電子部品５が実装搭載される。

【００１８】本発明では、セラミック絶縁層２ａ〜２ｃ
からなる絶縁基板２は、ガラス成分、あるいはガラス成
分とセラミックフィラー成分との混合物を焼成してなる
ガラスセラミックスによって形成されたものであること
が望ましく、特に、ガラス成分１０〜７０質量％と、セ
ラミックフィラー成分３０〜９０質量％の割合からなる
組成物を焼成したものであることが望ましい。このよう
なガラスセラミックスは、焼成温度が８００〜１０５０
℃と低いために、後述する低抵抗導体との同時焼成が可
能である点で有利であり、また、概して誘電率が低いた
めに、高周波信号などの伝送損失を低減することができ
る。

【００１９】ここで、用いられるガラス成分としては、
少なくともＳｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ ₃、Ｂ₂Ｏ₃、Ｚｎ
Ｏ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸
化物のうちの少なくとも１種を含有したものであって、
例えば、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂
Ｏ₃系−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａま
たはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸
ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等
が挙げられる。

【００２０】これらのガラス成分は、焼成処理すること
によっても非晶質のままである非晶質ガラス、また焼成
処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリス
トバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイ
ト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を
少なくとも１種類を析出する結晶化ガラスのいずれでも
用いられる。

【００２１】また、セラミックフィラー成分としては、
クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ₂や、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ムライト、フォルステライト、エンス
タタイト、スピネル、マグネシア、ジルコン酸カルシウ
ム、珪酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン
酸バリウムの群から選ばれる少なくとも１種が好適に用
いられる。

【００２２】配線回路層３ａ、３ｂは、９９．５質量％
以上の高純度の金属からなる金属箔からなり、特にＣｕ
を使用することが可能である。またビアホール導体４
は、上記の配線回路層３ａ、３ｂと同様の成分からなる
導体が充填されていることが望ましい。

【００２３】また、本発明の多層配線基板において、表
面の配線回路層３ａは、ＩＣチップなどの各種電子部品
５を搭載するためのパッドとして、シールド用導体膜と
して、さらには、外部回路と接続する端子電極として用
いられ、配線回路層３ａに各種電子部品５が半田や導電
性接着剤などを介して接合される。尚、図示していない
が、必要に応じて、配線基板の表面には、さらに珪化タ
ンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護
膜などを形成しても構わない。

【００２４】本発明によれば、上記の配線基板を製造す
る方法について図２、図３をもとに説明する。まず、上
述したような結晶化ガラス成分又は非晶質ガラス成分と
前記のセラミックフィラー成分を混合してセラミック組
成物を調製し、その混合物に有機バインダー等を加えた
後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などにより
シート状に成形して厚さ約５０〜５００μｍのグリーン
シート１１を作製する（図２（ａ））。

【００２５】そして、このグリーンシート１１にレーザ
ーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０
〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペース
トを充填してビアホール導体１２を形成する（図２
（ｂ））。導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ等の金属成
分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダーと
トルエン、イソプロピルアルコール、アセトン、テルピ
ネオール、フタル酸エステルなどの有機溶剤とを均質混
合して形成される。有機バインダーは、金属成分１００
質量部に対して、０．５〜１５．０質量部、有機溶剤
は、固形成分及び有機バインダー１００質量部に対し
て、５〜１００質量部の割合で混合されることが望まし
い。なお、この導体ペースト中には若干のガラス成分等
を添加してもよい。

【００２６】次に、配線回路層１３の形成方法として
は、図３に示すように、まず、厚み３〜３０μｍの高純
度金属導体からなる金属箔１３を準備し、これを高分子
材料等のフィルムからなる転写基材１４の表面に貼り合
わせる。本発明においては、この金属箔１３の表面に酸
化防止膜１５を形成することが重要である。この酸化防
止膜１５の厚みは、酸化を有効に防止する上で、０．０
０３〜１μｍ、特に０．０１〜０．１μｍであることが
必要である。この酸化防止膜１５の厚みが０．００３μ
ｍよりも薄いと、酸化防止効果が小さく、１μｍを超え
ると、酸化防止膜の除去が困難となち、無理にこれを除
去すると下地の金属箔も部分的に除去されるために金属
箔のシート抵抗が増大したり、加工コストが高くなるな
どの問題がある。このような酸化防止膜の形成によっ
て、配線回路層を形成する工程時に金属箔表面が酸化さ
れるのを防止することができる。

【００２７】なお、金属箔１３は、多層配線基板の表層
配線回路層３ａ用の場合には、図３（ａ１）に示すよう
に、前記酸化防止膜１５は、金属箔１３の両面に形成す
ることが望ましく、その一方の面を転写基材１４に接着
する。また、多層配線基板の内層用配線回路層３ｂ用と
しては、図３（ｂ１）に示すように、転写基材１４に接
着した時に、大気と接触する表面側にのみ酸化防止膜１
５を形成すればよい。それは、内層配線回路層３ｂ用の
場合には転写前の回路パターン形成時にのみ酸化防止を
行えばよく、グリーンシートに転写した後には、直ちに
他のグリーンシートと積層され２枚のグリーンシート間
に挟まれ、大気と接触することがないためである。

【００２８】これに対して、表層配線回路層３ａの場
合、転写後においても、その露出表面は、大気と接触し
た状態となるために酸化が進行してしまうために、両面
に酸化防止膜が必要となるのである。

【００２９】本発明において用いられる酸化防止膜１５
は、Ａｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ａｌのいず
れかを主成分とする金属からなる。特にこの中でも、Ｎ
ｉ、Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種、さらには、
Ｓｎ、Ｃｒの群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ
る。

【００３０】次に、転写基材１４表面に形成された金属
箔１３表面にレジスト１６を回路パターン状に被着した
後（ａ２）（ｂ２）、塩酸あるいは塩化第二鉄によりエ
ッチングを行い不要な部分を溶解除去する。その後、レ
ジスト１６の除去およびレジスト除去液の洗浄を行い鏡
像の回路パターンの配線回路層１７ａ、１７ｂを形成す
る（ａ３）（ｂ３）。

【００３１】次に、上記のようにして作製した配線回路
層１７ａ、１７ｂをグリーンシート１１に転写するにあ
たり、配線回路層１７ａ、１７ｂの表面に存在する酸化
防止膜１５を除去する（ａ４）（ｂ４）。この酸化防止
膜１５を除去するには、蟻酸、酢酸、硝酸、塩酸、硫酸
の群から選ばれる少なくとも１種の有機酸を配線回路層
１７ａ、１７ｂの表面に塗布して除去するか、または転
写基材１４ごと、上記有機酸の溶液中に浸漬して溶解除
去することによって、酸化防止膜１５を溶解除去するこ
とが容易にかつ効率的に除去することができる。

【００３２】その後、図２（ｃ１）（ｃ２）に示すよう
に、直ちに、配線回路層１７ａ、１７ｂを形成した転写
基材１４をビアホール導体１２が形成されたグリーンシ
ート１１ａ、１１ｂの表面に位置合わせして積層圧着し
た後、転写基材１４を剥がすことにより、配線回路層１
７ａ、１７ｂを表面が酸化されない状態でグリーンシー
ト１１表面に形成することができる。

【００３３】また、同様にして配線基板の表層用の配線
回路層１７ａはグリーンシート１１ａに接する面のみの
酸化防止膜が除去され、グリーンシート１１ａと接する
側と反対側の面、つまり、常に大気と接する側には酸化
防止膜１５を残したまま、グリーンシート１１ａ表面に
形成することができる。

【００３４】この時、金属箔からなる配線回路層１７の
転写性を高めるために、金属箔からなる配線回路層１７
のグリーンシート１１ａ、１１ｂと接触する側の表面粗
さＲｚを３〜６μｍとすることによって、配線回路層１
７のグリーンシート１１ａ、１１ｂへの密着性を高める
ことができる。

【００３５】次に、上記と同様にして作製された複数の
グリーンシート１１ａ、１１ｂを積層圧着して積層体１
８を形成する（図２（ｄ））。グリーンシートの積層に
は、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて
熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等から
なる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採
用可能である。

【００３６】その後、この積層体１８を焼成するが、金
属箔からなる配線回路層１７を有する場合、金属箔自体
が非常に緻密体であり、グリーンシートのように焼成収
縮しないために、配線回路層と絶縁層間で歪みが発生
し、反りやクラックなどが発生してしまうおそれがあ
る。そのために、焼成にあたっては、平面方向への焼成
収縮を抑制しながら焼成することが望ましい。

【００３７】平面方向の収縮を抑制しながら焼成する方
法としては、例えば、１）積層体に対して積層方向に１
０〜３０ＭＰａの圧力を印加しながら焼成する、２）図
２（ｅ）に示すように、焼成温度で焼成収縮しないアル
ミナなどの難焼結性セラミックシート１９を上記の積層
体１８の表面、あるいは表裏面に接着して焼成する方法
が挙げられる。加圧手段などが不要な点では２）の方が
有利である。

【００３８】この２）の方法における難焼結性セラミッ
クシート１９は、難焼結性セラミック材料を主成分とす
るセラミック成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤等
を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。難焼
結性セラミック材料としては、具体的には１１００℃以
下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構
成され、具体的にはＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ₂、ＢＮ、ＴｉＯ₂の少なくとも１種又はその化合物
（フォルステライト、エンスタタイト等）の粉末が挙げ
られる。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤として
はガラスセラミックグリーンシートで使用したのと同様
の材料が使用可能である。また、この難焼結性セラミッ
クシート中には、ガラス成分を０．５〜１５体積％加え
ることによって、グリーンシートとの密着性が高くな
り、収縮を抑制する作用が大きくなり、またグリーンシ
ート表面のガラス成分の拡散によるボイドの発生を抑制
できるなどの利点を有する。

【００３９】焼成は、１００〜８５０℃、特に４００〜
７５０℃の窒素雰囲気中で加熱処理してグリーンシート
内やビアホール導体ペースト中の有機成分を分解除去し
た後、８００〜１１００℃の窒素雰囲気中で焼成する。
また、配線回路層としてＡｇ導体を用いる場合、焼成雰
囲気は大気中で行うことができる。

【００４０】その後、適宜、難焼結性セラミックシート
１９を超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカ
ルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等によ
って除去することによって図２（ｆ）の多層配線基板２
０を作製することができる。

【００４１】このようにして得られる多層配線基板２０
は、焼成時の収縮が圧力または難焼結性セラミックシー
トによって厚さ方向だけに抑えられているので、その平
面方向の収縮を０．５％以下に抑えることが可能とな
り、しかもガラスセラミックグリーンシートは拘束シー
トによって全面にわたって均一にかつ確実に結合されて
いるので、拘束シートの一部剥離等によって反りや変形
が起こるのを防止することができる。

【００４２】次に、上記のようにして作製された多層配
線基板１８の表面に露出する配線回路層１３ｂには、多
層配線基板の耐環境性を高めたり、ハンダ濡れ性等を高
めるために、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇのうちの少なくと
も１種からなるめっき層１７ｃを被覆することが望まし
いが、その場合には、酸化防止膜１５は不要であるため
に、めっき層１７ｃを形成する前に、前述と同様の方法
で酸化防止膜１５を溶解除去することによって、図２
（ｇ）に示すように、配線抵抗の小さい多層配線基板２
０を得ることができる。

【００４３】また、この酸化防止膜１５は、前記難焼結
性セラミックシート１９を除去するのと同時に除去する
ことも可能である。

【００４４】

【実施例】ＳｉＯ₂：３７質量％、Ａｌ₂Ｏ₃：２７質量
％、ＣａＯ：１１質量％、ＺｎＯ：１２質量％、Ｂ
₂Ｏ₃：１３質量％の組成を有する平均粒径３μｍの結晶
化ガラス粉末（軟化点８５０℃）７３質量％と、セラミ
ックフィラーとして、平均粒径２μｍのクオーツ２７質
量％からなるガラスセラミック原料粉末１００質量部に
対して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル
樹脂を固形分で１１質量部、可塑剤としてフタル酸ジブ
チルを５質量部添加し、トルエンを有機溶剤としてボー
ルミルにより３６時間混合しスラリーを調整した。得ら
れたスラリーをドクターブレード法により厚さ０．２ｍ
ｍのグリーンシートＡ、Ｂを形成した。

【００４５】次に、厚み０．０２ｍｍの銅箔に対して、
内層用のものに対しては、そのグリーンシートと接合す
る面に電解めっき法によって厚み０．００１〜２μｍの
のＺｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ａｇ、Ａｌの群から
選ばれる少なくとも１種の酸化防止膜を形成し、多層配
線基板の表層用のものに対しては、その両面に厚み０．
００１〜２μｍのＺｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ａ
ｇ、Ａｌの群から選ばれる少なくとも１種の酸化防止膜
を形成した。そして、これらの銅箔を樹脂フィルム上に
接着し、フォトエッチング法により、配線幅が０．２ｍ
ｍの配線回路層パターンを形成した。

【００４６】一方、厚さ０．２ｍｍのグリーンシートＡ
に直径が１００μｍの貫通孔を２００個形成し、この貫
通孔内に銅粉末を主成分とし、銅粉末１００質量部に対
して、ガラス粉末５質量部とバインダー２質量部を加え
た銅ぺーストを充填してビアホール導体２２を形成し
た。これに前述した配線幅０．２ｍｍの表層用の配線回
路層２３を加熱圧着した。

【００４７】また、上記と同様にしてグリーンシートＢ
を作製し、図４に示す配線幅０．２ｍｍの内層用配線回
路層２４を転写形成した。

【００４８】なお、転写にあたっては、グリーンシート
Ａ、Ｂへの転写前に、樹脂フィルムの表面の配線回路層
の表面に形成された酸化防止膜を蟻酸を塗布して溶解除
去した。

【００４９】そして、ビアホール導体２２と表層配線回
路層２３が形成されたグリーンシートＡと、内層配線回
路層２４が形成されたグリーンシートＢとを積層して８
０℃、１０ＭＰａで加熱圧着を行い積層体を形成した。

【００５０】次に、アルミナ粉末１００質量部に対して
有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固
形分で１２質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを７
質量部添加などの難焼結性セラミックシート１９をグリ
ーンシートと同様のドクターブレード法により０．３ｍ
ｍの厚みに形成し、これを先の積層体の両面に加圧積層
した。

【００５１】その後、この積層体中の有機成分（バイン
ダー、可塑剤等）を分解除去するために水蒸気を含んだ
窒素雰囲気中で７５０℃、３時間の熱処理を行い残留炭
素量を３００ｐｐｍ以下に低減せしめた後、９３０℃で
１時間の焼成を行った後、ウェットブラストを行い難焼
結性セラミックシートの除去を行い、一対の測定用端子
２５を２００個のビアホール導体２４で直列に接続した
ディジーチェーンを具備する配線基板２１を作製した。
その後、表層配線回路層２３の酸化防止膜を蟻酸を塗布
して溶解除去した後に、厚み３μｍのＣｕメッキ層及び
厚み２μｍのＡｕメッキ層を無電解メッキ法により被着
した。

【００５２】次に、配線基板の測定用端子２５間の電気
抵抗を測定した。また、表層配線回路層に対するメッキ
性について８０％以上にめっきが形成されているものを
〇、８０％未満のものを×とした。さらに、配線回路層
と絶縁との界面付近のボイドの有無を確認し、表１に示
した。

【００５３】

【表１】

【００５４】表１の結果によれば、酸化防止膜を施さな
かった従来の配線基板（試料Ｎｏ．１）および酸化防止
膜の厚みの薄い試料Ｎｏ．２では、配線回路層とセラミ
ックの界面付近にボイドの発生が認められた。また、酸
化防止膜の除去を行わずに転写を行った試料Ｎｏ．１４
では抵抗値が高くなった。また、酸化防止膜の厚みの厚
い試料Ｎｏ．７では酸化防止膜を溶解する際に配線層も
部分的に溶解したため抵抗値が高くなった。これに対し
て、試料Ｎｏ．３〜６および８〜１３はボイドもなく、
良好な抵抗値を示した。また、表層配線回路層において
もメッキの欠けも小さく良好なものであった。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の多層配線基
板の製造方法によれば、金属箔からなる配線回路層の表
面を酸化防止膜で被覆し、パターン加工を行い、酸化防
止膜を除去した後、グリーンシートに転写あるいは、メ
ッキ前に基板表面に露出する配線層表面の酸化防止膜を
除去した後、転写することにより配線抵抗の小さいセラ
ミック多層配線基板を作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一例を示す概略断面図
である。

【図２】本発明の多層配線基板の製造方法における製造
工程図である。

【図３】本発明の多層配線基板の製造方法における回路
形成の工程図である。

【図４】評価用の配線回路のパターン図である。

【符号の説明】

１多層配線基板２絶縁基板２ａ〜２ｃ絶縁層３配線回路層４ビアホール導体５半導体素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/20 Ｈ０１Ｌ 23/12 ＮＦターム(参考） 5E343 AA02 AA24 BB23 BB24 BB25 BB44 BB66 BB71 CC33 DD43 DD56 EE02 EE52 ER52 GG13 5E346 AA12 AA15 AA32 AA38 BB01 CC18 CC32 CC37 CC38 CC39 DD02 DD22 DD33 EE24 EE25 FF18 GG03 GG09 GG10 HH07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の転写基材の表面に、少なくとも大気
と接触する表面側に厚さ０．００３〜１μｍの酸化防止
膜が形成された金属箔を接着する工程と、該金属箔を所
定の回路パターンに加工して配線回路層を形成する工程
と、所定のセラミック成分を含むグリーンシートを作製
する工程と、前記配線回路層表面の酸化防止膜を除去す
る工程と、前記配線回路層の前記酸化防止膜が除去され
た面を前記グリーンシートに圧着させた後、前記転写基
材を除去して前記配線回路層を前記グリーンシートに転
写する工程と、前記配線回路層が転写されたグリーンシ
ートを積層し、焼成する工程とを具備することを特徴と
する多層配線基板の製造方法。
【請求項２】前記酸化防止膜が、Ａｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ａｌのいずれかを主成分とする金属層
からなることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板
の製造方法。
【請求項３】前記金属箔表面の酸化防止膜の除去を有機
酸による溶解によって行うことを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】焼成後の多層配線基板表面に露出する配線
回路層の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇのうちの少な
くとも１種からなるめっき層を被覆する工程を具備する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載
の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】前記表層用の配線回路層の酸化防止膜を除
去した後に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇのうちの少なくと
も１種からなるめっき層を被覆することを特徴とする請
求項４記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】前記金属箔が、厚さ３０μｍ以下の銅箔か
らなる請求項１乃至請求項５のいずれか記載の多層配線
基板の製造方法。
【請求項７】前記配線回路層を転写する前に、前記グリ
ーンシートに対して貫通孔を形成し、該貫通孔内に導電
性ペーストを充填する工程と具備することを特徴とする
請求項１乃至請求項６のいずれか記載の多層配線基板の
製造方法。
【請求項８】前記金属箔の前記転写基材と接触する表面
に酸化防止剤が形成されていることを特徴とする請求項
１乃至請求項７記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】前記グリーンシート中のセラミック成分
が、ガラス成分、またはガラス成分とセラミックフィラ
ー成分との混合物からなることを特徴とする請求項１乃
至請求項８のいずれか記載の多層配線基板の製造方法。