CN108291327A

CN108291327A - 单晶硅的制造方法及单晶硅

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Publication number: CN108291327A
Application number: CN201680061735.2A
Authority: CN
Inventors: 横山龙介; 藤原俊幸
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2015-11-02
Filing date: 2016-10-31
Publication date: 2018-07-17
Anticipated expiration: 2036-10-31
Also published as: JP6489209B2; KR20180061307A; JPWO2017077701A1; CN108291327B; KR102060422B1; DE112016005020B4; DE112016005020T5; WO2017077701A1; TWI625432B; TW201716646A

Abstract

本发明提出一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法。一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚(12)的硅熔液(13)中浸渍籽晶(17)，且在沿与该籽晶(17)的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使坩埚(12)旋转，并且使籽晶(17)旋转并进行提拉，由此使单晶硅(16)在籽晶(17)上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在硅熔液(13)至少在固液界面下相对于包含籽晶(17)的提拉轴且在与施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行籽晶(17)的提拉。

Description

单晶硅的制造方法及单晶硅

技术领域

本发明涉及一种单晶硅的制造方法及单晶硅，尤其，涉及一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法及单晶硅。

背景技术

近来，在制作半导体器件(semiconductor device)时，一般对通过切克劳斯基(Czochralski、CZ)法生长的单晶硅进行切片，并将所得到的硅晶片用作基板。

在通过CZ法制造单晶硅时，容纳于坩埚的硅熔液通过热对流剧烈地流动，坩埚中所含有的氧以高浓度吸入于所制造的单晶硅中。因此，通过一边对坩埚内的硅熔液施加横向磁场(水平磁场)，一边提拉单晶硅，从而抑制硅熔液的流动来控制单晶硅的氧浓度(例如，参考专利文献1)。

图1表示横向磁场施加型单晶硅制造装置的一例。该图中所示的单晶硅制造装置10具备：坩埚12，在腔室11内容纳作为单晶硅16的原料的多晶硅；加热器14，对该坩埚12内的原料进行加热以制成硅熔液13；坩埚旋转机构15，设置于坩埚12的下部，且使坩埚12沿圆周方向旋转；籽晶保持器18，保持用于使单晶硅16生长的籽晶17；线材19，末端安装有该籽晶保持器18；及卷取机构20，一边使该线材19旋转，一边使单晶硅16、籽晶17及籽晶保持器18旋转并进行提拉。

并且，在腔室11的下部外侧，夹着坩埚12对置配置有对坩埚12中的硅熔液13施加横向磁场(水平磁场)的磁场施加器21。

利用这种单晶硅制造装置10，能够如下制造单晶硅16。即，首先，在坩埚12中容纳规定量的多晶硅，通过加热器14进行加热以制成硅熔液13，并且通过磁场施加器21对硅熔液13施加规定的横向磁场。

接着，在对硅熔液13施加横向磁场的状态下，将保持于籽晶保持器18中的籽晶17浸渍于硅熔液13。并且，通过坩埚旋转机构15使坩埚12以规定的转速旋转，并且一边使籽晶17(即，单晶硅16)以规定的转速旋转，一边用卷取机构20进行卷取，由此提拉籽晶17及生长于该籽晶17上的单晶硅16。由此，能够制造具有规定的直径的单晶硅。

如上所述，对硅熔液施加横向磁场，由此能够大幅降低所制造的单晶硅中所含有的氧浓度。但是，存在晶体提拉方向上的氧浓度发生变动的问题。因此，专利文献2中记载有如下技术，即，在施加横向磁场的CZ法中，使产生于坩埚内的硅熔液表面的高温部及低温部中的任一个始终位于晶体生长的固液界面来使晶体生长，由此提高晶体提拉方向上的氧浓度的均匀性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特公昭58-50953号公报

专利文献2：日本特开2000-264784号公报

发明内容

通过专利文献2中所记载的方法，一定程度上能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动，但不够充分，期望提出能够进一步抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的技术。

因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法及单晶硅。

用于解决技术问题的方案

解决上述问题的本发明的主旨方案为如下。

<1>一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚的硅熔液中浸渍籽晶，且在沿与该籽晶的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使所述坩埚旋转，并且使所述籽晶旋转并进行提拉，由此使单晶硅在所述籽晶上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在所述硅熔液至少在固液界面下相对于包含所述籽晶的提拉轴且在与所述施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行所述籽晶的提拉。

<2>根据所述<1>所记载的单晶硅的制造方法，其中，在将所述磁场的强度设为B(T)、所述单晶硅的转速设为A(rpm)、所述单晶硅的半径设为R₁(mm)、所述坩埚的半径设为R₂(mm)、所述坩埚内的所述熔液的液面高度设为h(mm)的情况下，满足以下式(1)～式(3)的条件。

AB²≥0.275 (1)

2R₁≤R₂≤3R₁ (2)

R₁≤h≤2R₁ (3)

<3>根据所述<1>或<2>所记载的单晶硅的制造方法，其中，分多次进行所述籽晶的提拉来进行使用填充于所述坩埚的规定量的所述硅熔液的所述单晶硅的制造。

<4>一种单晶硅，其特征在于，关于直径300mm以上且单晶的提拉轴方向的任意50mm的范围内的氧浓度的变动，以所述范围内的氧浓度的平均值为基准，在±5％以内。

发明效果

根据本发明，能够抑制所制造的单晶硅的晶体提拉方向上的氧浓度的变动。

附图说明

图1为表示横向磁场施加型单晶硅制造装置的一例的图。

图2为说明坩埚内的硅熔液的流动状态的示意图。

图3为表示通过三维流动分析得到的坩埚中的硅熔液的流动状态的图，图3(a)表示针对单晶硅的转速为0rpm时的结果，图3(b)表示针对单晶硅的转速为9rpm时的结果。

图4为表示磁场强度及单晶硅的转速与坩埚内的硅熔液的涡流的数量之间的关系的图。

图5为表示坩埚内的硅熔液的温度的实际测定值及计算值的图。

图6为表示投入于硅熔液中的硅片的流动的图。

图7为表示所制造的单晶硅的晶体提拉方向上的被标准化的氧浓度的图，图7(a)表示针对形成有两个涡流时的结果，图7(b)表示针对形成有一个涡流时的结果。

具体实施方式

(单晶硅的制造方法)

以下，参考附图对本发明详细地进行说明。本发明的单晶硅的制造方法为如下：在填充于坩埚的硅熔液中浸渍籽晶，且在沿与该籽晶的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使坩埚旋转，并且使籽晶(即，单晶硅)旋转并进行提拉，由此使单晶硅在籽晶上生长。在此，在该籽晶的提拉过程的至少一部分中，硅熔液在坩埚内形成一个涡流的状态下进行籽晶的提拉。

本发明人等对抑制所制造的单晶硅的晶体提拉方向上的氧浓度的变动的方法进行了深入研究。认为该氧浓度的变动很大地影响硅熔液的流动状态。因此，本发明人等通过利用三维流动分析模型的分析，对于各种制造条件，对制造单晶硅时的坩埚内的硅熔液的流动状态详细地进行了调查。其结果，判断出在特定的制造条件下，坩埚内的硅熔液形成一个涡流而流动。

即，如图2(a)中示意地表示，以往认为，制造单晶硅时的坩埚内的硅熔液为形成以与所施加的横向磁场平行的轴为中心的两个涡流而流动的硅熔液。在本发明人等的上述三维流动分析中，在大多数制造条件下，硅熔液形成两个涡流而流动。但是，如图2(b)中示意地表示，判断出在特定的制造条件下，硅熔液形成一个涡流而流动。

硅熔液形成这样一个涡流而流动的原因尚未明确，但本发明人等推测可能由所提拉的单晶硅的正下方所产生的洛伦兹力而引起。即，一般而言，通过施加磁场，硅熔液的流动得到抑制，另一方面，在所提拉的晶体的正下方，产生由通过固液界面且在晶体与硅熔液之间流入流出的电流引起的洛伦兹力，从而加速流动。本发明人等认为若洛伦兹力超出规定的大小可能产生如下变化：形成两个涡流而流动的硅熔液的流动对称性失衡，并且整体上形成一个涡流而流动。

上述一边形成一个涡流，一边流动的硅熔液在提拉晶体正下方的固液界面附近稳定地流动，从而本发明人等在硅熔液形成一个涡流而流动的条件下，实际进行单晶硅的制造，并在所得到的单晶硅中调查了晶体提拉方向上的氧浓度。其结果，判断出相较于在硅熔液形成两个涡流而流动的条件下制造的单晶硅，显著地抑制了晶体提拉方向上的氧浓度的变动。

本发明人等进一步对硅熔液形成一个涡流而流动的条件进行了深入研究。其结果，判断出在至少满足以下式(1)～式(3)的所有条件的情况下，坩埚内的硅熔液形成一个涡流而流动。

AB²≥0.275 (1)

2R₁≤R₂≤3R₁ (2)

R₁≤h≤2R₁ (3)

以下，对上述式(1)～式(3)中所记载的各条件进行说明。如上所述，形成一个涡流的原因可推测为由提拉晶体的固液界面正下方所形成的洛伦兹力而引起，但若将所施加的磁场的强度设为B(T)、提拉晶体的转速设为A(rpm)，则该洛伦兹力能够与AB²近似呈比例。因此，除了施加磁场强度B及晶体的转速A以外，在相同的条件下，对硅熔液形成一个涡流而流动的施加磁场强度B与转速A之间的关系详细地进行了调查。其结果，确认到了在满足上述AB²≥0.275的条件的情况下，硅熔液形成一个涡流而流动。

然而，即使在满足了上述式(1)的条件的情况下，一个涡流的形成还取决于熔液的形状，即坩埚的形状和坩埚内的熔液的液面高度。即，硅熔液流动的驱动力为上述洛伦兹力及热对流。在此，在相较于提拉晶体的半径，坩埚的半径过大的情况下，上述洛伦兹力对硅熔液的整体流动的作用变小，无法实现一个涡流。

相反地，在坩埚的直径接近提拉晶体的直径的情况下，虽尚未明确，但由于上述洛伦兹力的作用过大而成为流动分布与时间一同无规律地不断变动的湍流状态，在该情况下无法实现一个涡流。对这种坩埚的半径R₂与提拉晶体的半径R₁之间的关系进行调查的结果，发现在满足2R₁≤R₂≤3R₁的条件的情况下，硅熔液能够形成一个涡流而流动。

并且，对于坩埚内的硅熔液的液面高度而言，在液面高度过高的情况下，热对流效果变大，洛伦兹力的作用变小。其结果，硅熔液无法形成一个涡流而流动。另一方面，在熔液的高度过低的情况下，来自坩埚底部的热量输入变大，产生来自中心部的上升对流。在该情况下，硅熔液也无法形成一个涡流而流动。对这种坩埚内的硅熔液的液面高度h与提拉晶体的半径R₁之间的关系进行调查的结果，判断出在满足R₁≤h≤2R₂的条件的情况下，硅熔液能够形成一个涡流而流动。

如此，发现在至少满足上述式(1)～式(3)的条件的情况下，在制造单晶硅时，坩埚内的硅熔液形成一个涡流而流动，并确认到了通过在形成这种一个涡流的条件下制造单晶硅，能够显著地降低晶体提拉方向上的氧浓度的变动。

另外，根据本发明人等的研究，至少在通常的转速(例如，0～10rpm左右)下，坩埚的转速对硅熔液的一个涡流的形成没有带来影响。

在坩埚中填充规定量的熔融硅的状态下，开始籽晶的提拉并制造规定长度的单晶硅时，在从提拉的开始至结束为止的整个过程中，不一定满足上述式(1)～(3)。

即，坩埚内的硅熔液的液面高度h随着晶体的提拉的进行而降低。因此，即使在提拉的某一时刻满足上述式(3)的情况下，随着提拉的进行而硅熔液的液面高度h低于式(3)中所规定的液面高度的下限，从而可能变成两个涡流。

并且，在提拉开始时刻，即使在硅熔液的液面高度h超出式(3)中所规定的上限的情况下，随着提拉的进行而还可能存在满足式(3)的条件的情况。

在这种情况下，在所制造的单晶硅中，在满足上述式(1)～式(3)的条件下所制造的部分为在硅熔液形成一个涡流而流动的状态下所制造的部分，因此晶体提拉方向上的氧浓度的变动得到抑制。因此，能够采集在通过一次提拉而制造的单晶硅中、在满足上述式(1)～式(3)的条件的条件下所制造的部分进行使用。

另一方面，在由规定量的硅熔液制造单晶硅时，为了在满足上述式(1)～式(3)的条件的状态下制造单晶硅的所有部分，能够分多次进行提拉来制造单晶硅。

即，在提拉开始时，坩埚内的硅熔液的液面高度h超出上述式(3)中所规定的上限，且在从制造过程的中途满足式(3)的条件的情况下，若例如分两次进行提拉来制造单晶硅，且将提拉开始时填充于坩埚的硅熔液的量设为V/2，则能够构成为从提拉开始时至结束为止满足式(3)的条件。

如此，在制造单晶硅时，可能存在根据目标半径及长度，填充于坩埚的硅熔液的量不满足上述式(3)中所规定的条件的情况，在这种情况下，分多次进行提拉来制造单晶硅，由此在整个提拉过程中，能够在硅熔液形成一个涡流而流动的状态下制造单晶硅，且在所制造的单晶硅的所有部分中，晶体提拉方向上的氧浓度的变动能够得到抑制。

以上，对硅熔液在坩埚内形成一个涡流的状态下，提拉浸渍于硅熔液的籽晶，由此所得到的单晶硅的晶体提拉方向上的氧浓度的变动得到抑制的内容进行了说明。但是，本发明人等进一步进行了研究的结果，判断出上述氧浓度的变动的抑制并非由硅熔液在坩埚内形成一个涡流而流动本身而引起。

即，通过本发明人等进行进一步的研究的结果，判断出硅熔液的流动状态从单晶硅的提拉开始至结束为止的期间并不恒定，且随着时间复杂地变动。例如，硅熔液的涡流的数量以如下方式变动，即，在刚开始提拉单晶硅之后为一个，但随着时间的经过成为多个(例如，3个)，若时间进一步经过，则恢复为一个。

判断出在满足上述式(1)～(3)的情况下，也存在同样地产生这种硅熔液的流动状态的随时间变动的情况，还判断出尽管硅熔液在规定期间(例如，600秒)内平均形成一个涡流而流动，但也有形成多个涡流而流动的情况。然而，确认到了在存在硅熔液形成多个涡流而流动的期间的情况下，所得到的单晶硅中的提拉方向上的氧浓度的变动会得到抑制。

因此，本发明人等对抑制单晶硅中的提拉方向上的氧浓度的变动的要素重新进行了研究的结果发现在硅熔液至少在固液界面下相对于包含籽晶的提拉轴且在与施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行浸渍于硅熔液的籽晶的提拉即可。

若进行详细叙述，则固液界面正下方(从界面沿熔液深度方向15mm的深度区域)的硅熔液的流动通过由单晶硅的旋转而拉拽的力及由通过固液界面且在单晶硅与硅熔液之间流入流出的电流引起的洛伦兹力而向固液界面卷扬。向该固液界面正下方输送氧的硅熔液的流动决定单晶硅中的氧浓度。

因此，优选构成为在从固液界面位置至少沿熔液深度方向隔开20mm的深度位置，硅熔液沿水平方向流动。由此，在固液界面正下方的区域稳定且持续地供给有氧浓度等同的硅熔液，从而能够抑制所得到的单晶硅的晶体提拉方向上的氧浓度的变动。

(单晶硅)

并且，本发明的单晶硅的特征在于，关于直径300mm以上且单晶的提拉轴方向上的任意50mm的范围内的氧浓度的变动，以所述范围内的氧浓度的平均值为基准，在±5％以内。该本发明的单晶硅相较于在硅熔液形成两个涡流而流动的条件下所制造的单晶硅，晶体提拉方向上的氧浓度的变动得到了抑制。

实施例

以下，利用实施例对本发明进一步详细地进行说明，但本发明并不受以下实施例的任何限定。

利用三维流动分析模型对硅熔液的温度及流动分布进行了分析。上述三维流动分析模型为根据计算流体动力学构建的仿真模型。在模拟了实际存在的炉结构的计算区域，赋予与物质相应的物理属性值之后，通过数值计算阐明温度分布、流动分布、电流分布、洛伦兹力分布。一般而言，已知有在横向磁场中，硅熔液成为非轴对称的流动分布，因此需要通过三维的处理来计算。

作为计算条件，将提拉晶体的半径设成了150mm(直径300mm)、坩埚的半径设成了400mm(直径800mm)、坩埚内的硅熔液的液面高设成了230mm。并且，向与晶体提拉方向垂直的方向施加0.3T的横向磁场，对提拉晶体的转速为0.0rpm及9.0rpm这两种情况进行了计算。而且，使坩埚沿与提拉晶体的旋转方向相反的方向以0.5rpm的转速进行了旋转。关于其它工艺条件，在设为一般提拉条件的状态下进行了分析。

图3中示出与各个磁场垂直的面的流动分布。流动分布由标示面中限定的标示来表示。若观察图3(a)，则可知在提拉晶体的转速为0.0rpm的情况下，两个涡流相对于包含坩埚的中心的面对称地存在。并且，可认为在提拉晶体的正下方，从两个涡流流入硅熔液，且由于它们碰撞并混合而固液界面附近的硅熔液的流动变得不稳定，从而关系到晶体提拉方向上的氧浓度的变动。

相对于此，若观察图3(b)，则可知在提拉晶体的转速为9.0rpm的情况下，硅熔液整体上形成一个涡流而流动。并且，提拉晶体的正下方的硅熔液的流动沿单向整流，可认为这种稳定的硅熔液的流动关系到晶体提拉方向上的氧浓度的变动的抑制。

图4为表示磁场强度及单晶硅的转速与坩埚内的硅熔液的涡流的数量之间的关系的图。该图中的虚线为绘制了满足AB²＝0.275的点的虚线。由该图明确可知，示出了在满足AB²≥0.275的区域，硅熔液形成一个涡流而流动。

接着，通过实验确认了如下内容，即，通过满足上述式(1)～式(3)中所规定的条件，坩埚内的熔融硅实际上形成一个涡流。因此，首先，利用热电偶直接测定了提拉时的硅熔液的温度，在此时，单晶硅的制造条件与在图3中所示出的结果中的上述三维流动分析中将提拉晶体的转速设为9.0rpm的情况相同。

在沿与磁场施加方向垂直的方向上的硅熔液表面下方20mm且距晶体提拉轴中心为230mm、260mm的共4处进行了硅熔液的温度的测定。将所得到的结果与在相同条件下进行模拟的结果一同示于图5。在此，实际测定值及计算值这两者均将600秒钟的时间平均值作为熔液温度。

由图5可知，实际测定值及计算值这两者均显示出离坩埚的中心远的一方的温度低，而离坩埚的中心近的一方的温度高的非对称的分布，且形迹非常吻合。在硅熔液形成如图3(a)所示的两个涡流而流动的情况下，不会显示出如图5所示的非对称的分布。因此，表示在上述条件下制造单晶硅时，硅熔液至少不会形成如以往所认为的两个涡流而流动。

接着，对制造单晶硅时的硅熔液表面的流速进行了测定。即，在与利用上述热电偶的硅熔液的温度测定相同的条件下进行了晶体的提拉时，使硅晶体中的2～5mm尺寸的硅片下落于硅熔液表面，并通过CCD摄像机记录其轨道，由此对硅片的轨迹进行了分析。此时，使硅片下落的目标位置为在与磁场垂直的方向平行的方向上的距提拉轴中心为260mm的4处，且在各自的目标位置处下落一个硅片。但是，从实验精度的问题考虑，在目标位置与实际落点位置之间稍微产生了偏差。

图6示意地表示所得到的硅片的轨迹。由该图可知，下落的4个硅片沿图中的左方向行进。可认为这些硅片的轨迹反映硅熔液的流动状态，且表示硅熔液的流动方向。因此，由图6所示的硅片的轨迹可知，表面的硅熔液沿图中的左侧流动，硅熔液形成一个涡流而流动。

图7表示单晶硅的晶体提拉方向上的氧浓度，图7(a)为针对晶体的转速为3.0rpm时的氧浓度、图7(b)为针对晶体的转速为9.0rpm时的氧浓度。在此，在提拉晶体的转速为9.0rpm的情况下，满足上述式(1)～式(3)的条件(发明例)，相对于此，在提拉晶体的转速为3.0rpm的情况下，不满足上述式(1)～式(3)的条件(比较例)。并且，图中的氧浓度为用晶体提拉方向50mm上的平均氧浓度将所测定的氧浓度进行标准化的标准化氧浓度。

若观察图7(a)，则可知在提拉晶体的转速为3.0rpm的情况(即，比较例的情况)下，在晶体提拉方向上，标准化氧浓度大幅变动。相对于此，若观察图7(b)，则可知在提拉晶体的转速为9.0rpm的情况(即，发明例的情况)下，相较于图7(a)，标准化氧浓度发生变动的变动幅度显著降低。

在图7(a)中氧浓度大幅变动的原因可认为是硅熔液形成两个涡流而流动，且流动不稳定而引起。相对于此，在图7(b)中，氧浓度的变动能够显著降低可认为是通过将提拉晶体的转速设为较大而提拉晶体的正下方的洛伦兹力变大，因此，两个涡流的对称性失衡而形成一个涡流。

在图7(b)中，氧浓度的变动也没有完全消失，但在加热器位置为中心位置的情况下，若还考虑横向磁场的影响，则其对熔液带来的环境相对于提拉轴具有双重对称性。尽管如此，硅熔液在双重对称性失衡的状态下流动且较稳定，但环境具有双重对称性，因此可认为硅熔液的流动欲接近双重对称流动，即，形成两个涡流的状态下的流动，且产生在形成了双重对称性的两个涡流的状态下的流动与形成了双重对称性失衡的一个涡流的状态下的流动之间进行往复的振动，从而氧浓度发生变动。

在表1所示的7个水平(条件)下进行单晶硅的制造，且在提拉单晶硅时，对硅熔液是否形成一个涡流而流动进行了确认。该确认与图6的情况相同，将2～5mm尺寸的硅片下落于硅熔液中，并通过CCD摄像机测量硅片的轨迹来进行。

[表1]

在表1所示的7个水平中，对于水平1、3、5及7满足上述式(1)～式(3)的条件。相对于此，水平2不满足式(1)的条件，水平4不满足式(3)的条件，水平6及水平10不满足式(2)的条件。如表1所示，对于满足式(1)～式(3)的条件的水平1、3、5、7及9，确认到了硅熔液形成一个涡流而流动。相对于此，对于不满足式(1)～式(3)中的任一条件的水平2、4、6及10，确认到了硅熔液不形成一个涡流而流动。并且，对于水平8，虽然满足式(1)～(3)，但导致提拉过程中产生位错，无法得到单晶硅。

产业上的可利用性

根据本发明，能够抑制所制造的单晶硅的晶体提拉方向上的氧浓度的变动，因此在半导体产业中较有用。

附图标记说明

10-单晶硅制造装置，11-腔室，12-坩埚，13-硅熔液，14-加热器，15-坩埚旋转机构，16-单晶硅，17-籽晶，18-籽晶保持器，19-线材，20-卷取机构，21-磁场施加器。

Claims

1.一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚的硅熔液中浸渍籽晶，且在沿与该籽晶的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使所述坩埚旋转，并且使所述籽晶旋转并进行提拉，由此使单晶硅在所述籽晶上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，

在所述硅熔液至少在固液界面下相对于包含所述籽晶的提拉轴且在与所述施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行所述籽晶的提拉。

2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其中，

在将所述磁场的强度设为B(T)、所述单晶硅的转速设为A(rpm)、所述单晶硅的半径设为R₁(mm)、所述坩埚的半径设为R₂(mm)、所述坩埚内的所述熔液的液面高度设为h(mm)的情况下，满足以下式(1)～式(3)的条件，

AB²≥0.275 (1)；

2R₁≤R₂≤3R₁ (2)；

R₁≤h≤2R₁ (3)。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅的制造方法，其中，

分多次进行所述籽晶的提拉来进行使用填充于所述坩埚的规定量的所述硅熔液的所述单晶硅的制造。

4.一种单晶硅，其特征在于，

关于直径300mm以上且单晶的提拉轴方向的任意50mm的范围内的氧浓度的变动，以所述范围内的氧浓度的平均值为基准，在±5％以内。