KR101674822B1 - 단결정 잉곳 성장장치 및 그 성장방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 융액 계면의 대류 패턴을 일정하게 유지함으로써, 단결정 잉곳의 길이방향 및 면방향으로 산도 농도를 균일하게 제어할 수 있는 단결정 잉곳 성장장치 및 그 성장방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 단결정 잉곳 성장장치 및 그 성장방법은 도가니 둘레에 수평 마그넷이 마그넷 이동수단에 의해 승강 가능하게 위치하는데, 최대자기장위치가 실리콘 융액 계면보다 높게 위치하는 동시에 MGP 상승율을 3.5mm/hr ~ 6.5mm/hr로 제어함으로써, 실리콘 융액 계면에서 대류의 단순성 및 대칭성을 확보할 수 있다.
따라서, 본 발명은 단결정 잉곳의 길이방향 및 면방향으로 Oi 산포 및 BMD 산포를 줄일 수 있어 품질을 보다 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Description

단결정 잉곳 성장장치 및 그 성장방법 {Single crystal ingot growing apparatus and the growth method by it}
본 발명은 실리콘 융액 계면의 대류 패턴을 일정하게 유지함으로써, 단결정 잉곳의 길이방향 및 면방향으로 산도 농도를 균일하게 제어할 수 있는 단결정 잉곳 성장장치 및 그 성장방법에 관한 것이다.
반도체를 제조하기 위해서는 웨이퍼를 제조하고 이러한 웨이퍼에 소정의 이온을 주입하고 회로 패턴을 형성하는 단계 등을 거쳐야 한다. 이때, 웨이퍼의 제조를 위해서는 먼저 단결정 실리콘을 잉곳(ingot) 형태로 성장시켜야 하는데, 이를 위해 초크랄스키(czochralski, CZ) 법이 적용될 수 있다.
현재 CZ법에 의한 단결정 잉곳 제조방법에 있어 용융된 실리콘 멜트를 담기 위해 석영도가니가 사용된다. 이러한 석영도가니는 실리콘 멜트와의 반응을 동반하여 멜트 내에 용해됨으로써 SiOx 형태로 전이되고 이는 잉곳 내로 혼입되어 미소 내부 결함(BMD) 등을 형성함으로써 반도체 공정 중에 금속 불순물에 대하여 게터링 사이트로 작용하거나, 다른 한편으로는 각종 결함 및 편석을 유발함으로써 결국에는 반도체 장치의 수율에 악영향을 미칠 수 있다.
이러한 단결정 잉곳 내 산소농도를 제어하기 위해 먼저 결정 성장로 내의 핫존(H/Z)을 상당 부분 변경시키는 방법이 있다. 예를 들어, 히터의 길이 조절이나, 슬릿 등을 조절하여 석영도가니의 용해 속도를 제어하는 방법은 많이 논의되어 왔다.
또한, 단결정 잉곳의 회전속도나 석영도가니의 회전 속도, 성장로 내 아르곤이나 압력 등을 조절하여 산소 농도를 제어하는 방법이 있다.
또 다른 방법으로, 자기장을 이용하여 멜트 대류를 통한 산소농도 제어를 하는 방법이 있다.
일본공개특허 제2008-214118호에는 자기장 중심 위치와 산소농도와의 상관관계를 구하고, 자기장 중심 위치를 제어하면서 단결정 인상을 수행하여 실리콘 단결정의 길이방향 산소농도를 제어하는 방법이 개시되고 있다.
그러나, 종래 기술에 따르면, 자기장 중심 위치가 실리콘 융액 계면으로 이동하는 경우, 멜트의 흐름이 복잡한 대류 패턴을 형성함으로써, 산소 농도가 크게 변화되고, 이로 인하여 단결정 잉곳의 면방향으로 산소 농도가 균일하지 못한 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 실리콘 융액 계면의 대류 패턴을 일정하게 유지함으로써, 단결정 잉곳의 길이방향 및 면방향으로 산도 농도를 균일하게 제어할 수 있는 단결정 잉곳 성장장치 및 그 성장방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 단결정 잉곳이 성장하는 실리콘 융액이 담기는 도가니; 상기 도가니 둘레에 구비되고, 수평 방향으로 자기장을 형성시키는 수평 마그넷; 및 상기 수평 마그넷을 수직 방향으로 이동시키는 마그넷 이동수단;을 포함하고, 상기 마그넷 이동수단은, 상기 수평 마그넷의 최대자기장위치(Maximum gauss position : MGP)를 상기 도가니의 실리콘 융액 계면보다 높게 위치하고, 상기 MGP의 상승율을 3.5mm/hr ~ 6.5mm/hr로 제어하는 단결정 잉곳 성장장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 단결정 잉곳을 실리콘 융액 계면으로부터 성장시키는 제1단계; 상기 제1단계에서 단결정 잉곳이 성장되는 실리콘 융액에 수평 방향으로 자기장을 형성시키는 제2단계; 및 상기 제2단계에서 형성된 자기장의 최대자기장위치(Maximum gauss position : MGP)를 상기 실리콘 융액 계면보다 높게 위치하고, 상기 MGP의 상승율을 3.5mm/hr ~ 6.5mm/hr로 제어하는 제3단계를 포함하는 단결정 잉곳 성장방법을 제공한다.
본 발명에 따른 단결정 잉곳 성장장치 및 그 성장방법은 도가니 둘레에 수평 마그넷이 마그넷 이동수단에 의해 승강 가능하게 위치하는데, 최대자기장위치가 실리콘 융액 계면보다 높게 위치하는 동시에 MGP 상승율을 3.5mm/hr ~ 6.5mm/hr로 제어함으로써, 실리콘 융액 계면에서 대류의 단순성 및 대칭성을 확보할 수 있다.
따라서, 본 발명은 단결정 잉곳의 길이방향 및 면방향으로 Oi 산포 및 BMD 산포를 줄일 수 있어 품질을 보다 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 단결정 잉곳 성장장치의 실시예가 도시된 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 단결정 잉곳 성장방법의 실시예가 도시된 도면.
도 3은 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 융액 계면의 온도와 유속이 도시된 그래프.
도 4는 본 발명의 각 실시예에 따라 실리콘 융액 계면을 기준으로 상면과 -10mm 지점에서 온도와 유속이 도시된 그래프.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 MGP 상승율에 대한 단결정 잉곳의 길이당 Oi 변화율이 도시된 그래프.
도 6은 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 단결정 잉곳의 길이별 구간에 따라 인상속도(P/S) 산포가 도시된 그래프.
도 7은 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 단결정 잉곳과 실리콘 융액 계면의 형상이 도시된 사진.
도 8은 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 단결정 잉곳의 면내에서 Oi 농도 산포 및 ΔOi 농도 산포가 도시된 그래프.
도 9는 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 단결정 잉곳의 면내에서 BMD가 도시된 그래프.
도 10은 실리콘 융액의 고화율 별로 MGP 상승율 적용 유무의 ΔOi가 도시된 표.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 단결정 잉곳 성장장치의 실시예가 도시된 개략도이다.
본 발명의 단결정 잉곳 성장장치는 도 1에 도시된 바와 같이 실리콘 융액이 담기는 도가니(110)와, 상기 도가니(110) 둘레에 자기장을 형성하는 수평 마그넷(Horizontal magnet : 120)과, 상기 수평 마그넷(120)을 승강시키는 마그넷 이동수단(130)을 포함하도록 구성된다.
상기 도가니(110)는 고온으로 가열되더라도 실리콘 융액의 성분에 영향을 미치지 않는 석영 도가니가 사용되며, 회전축을 중심으로 회전 가능하게 설치될 뿐 아니라 상하 방향으로 승강 가능하게 설치된다.
상기 수평 마그넷(120)은 상기 도가니(110) 둘레에 소정 간격을 두고 설치되며, 실리콘 융액 내부에 수평 방향으로 자기장을 형성하게 되는데, 상기 수평 마그넷(120)의 축방향 중심이 최대 자기장을 발생시키는 최대자기장위치(Maximum gauss position : MGP)가 된다.
실시예에서, 상기 MGP는 실리콘 융액 계면보다 적어도 150mm 이상 높게 위치시키는 것이 바람직하다.
상기 마그넷 이동수단(130)은 상기 수평 마그넷(120)이 매달린 상태에서 상기 수평 마그넷(120)을 상하 방향으로 승강시킬 수 있도록 구성되는데, 상기 MGP의 상승율을 제어할 수 있다.
실시예에서, 상기 마그넷 이동수단(130)은 실리콘 융액의 고화율이 40% 이하에서 상기 MGP 상승율을 3.5 ~ 6.5 mm/hr 로 제어하는 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명에 따른 단결정 잉곳 성장방법의 실시예가 도시된 도면이다.
본 발명의 단결정 잉곳 성장방법은 도 2에 도시된 바와 같이 실리콘 융액 계면으로부터 단결정 잉곳을 성장시킨다.(S1 참조)
상세하게, 와이어에 매달린 시드가 도가니에 담긴 실리콘 융액이 잠기면, 상기 도가니와 시드가 서로 반대 방향으로 회전함에 따라 시드 주변에서 단결정이 반경 방향으로 성장하며, 상기 와이어를 인상시킴에 따라 단결정이 축 방향으로 성장한다.
물론, 단결정 잉곳이 성장함에 따라 실리콘 융액이 줄어들게 되고, 단결정 잉곳과 실리콘 융액 계면의 위치를 일정한 높이로 유지하기 위하여 상기 도가니를 상향 이동시킨다.
이때, 상기 도가니와 시드가 반대 방향으로 회전되면, 원주부와 중심부에 반대 방향으로 두 개의 대류 패턴이 형성되고, 단결정 잉곳 주변에 두 개의 대류 패턴을 구분하는 경계층이 형성된다.
이와 같이 단결정 잉곳이 성장되는 동안, 실리콘 융액 주변에 자기장을 형성시키는데, MGP를 실리콘 융액 계면보다 높게 위치시키는 동시에 MGP의 상승율을 3.5 ~ 6.5 mm/hr 범위로 제어한다.(S2,S3 참조)
상세하게, MGP가 실리콘 융액 계면보다 높게 위치하면, 원심력이 주로 작용함에 따라 실리콘 융액에서 자연 대류 현상을 억제하고, 원주부와 중심부에 반대 방향으로 형성된 두 개의 대류 패턴을 원형 형태로 그대로 유지하는 동시에 그 경계층으로 새로운 실리콘 융액의 유입을 억제함으로써, 실리콘 융액과 단결정 잉곳 사이의 메니스커스(Meniscus)에 온도 간섭 영향을 감소시킬 수 있어 단결정 성장을 안정적으로 유지할 수 있다.
바람직하게는, MGP의 상승율을 3.5 ~ 6.5 mm/hr 범위로 제어하면, 단결정 잉곳의 면방향으로 Oi 농도 산포를 0.04ppma 이하로 균일하게 형성시키는 동시에 단결정 잉곳의 축방향으로 Oi 농도 산포를 0.01ppma 이하로 균일하게 형성시킬 수 있다.
더욱 바람직하게는, MGP의 상승율을 5mm/hr로 제어하면, 단결정 잉곳의 축방향으로 Oi 농도 산포를 더욱 낮출 수 있어 단결정 잉곳의 품질을 보다 향상시킬 수 있다.
그런데, 실리콘 융액의 고화율이 40% 초과하면, MGP의 상승을 중단한다.(S4,S5 참조)
보통, 단결정 잉곳이 성장함에 따라 도가니에 잔류하는 실리콘 융액의 양이 줄어들고, 실리콘 융액에 작용하는 자기장의 영향도 감소하게 된다.
따라서, 실리콘 융액의 고화율이 40%를 초과하면, 본 발명의 실시예에 따라 MGP의 상승율을 제어하더라도 그 효과가 작기 때문에 MGP의 상승을 중단하고, MGP의 위치를 실리콘 융액 계면보다 150mm 높게 위치하도록 제어하는 것이 바람직하다.
도 3은 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 실리콘 융액 계면의 온도와 유속이 도시된 그래프이다.
MGP가 실리콘 융액 계면보다 230mm 낮은 위치에서 고정된 종래의 비교예(-MGP)를 살펴보면, 고액 계면에서 온도 분포가 불균일하게 나타나며, 대류 패턴도 복잡하게 나타난다.
반면, MGP가 실리콘 융액 계면보다 150mm 높은 위치에서 소정의 상승율로 상승하는 본 발명의 실시예(+MGP)를 살펴보면, 고액 계면에서 온도 분포가 균일하게 나타나며, 대류 패턴도 단순할 뿐 아니라 대칭성을 이루도록 나타난다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따라 +MGP에서 소정의 상승율을 유지하면서 만들어지면, 단결정 잉곳의 면방향으로 Oi 농도를 균일하게 형성되는 것을 확인할 수 있다.
도 4는 본 발명의 각 실시예에 따라 실리콘 융액 계면을 기준으로 상면과 -10mm 지점에서 온도와 유속이 도시된 그래프이다.
MGP가 실리콘 융액 계면보다 150mm, 100mm, 50mm 높은 위치에서 소정의 상승율로 상승하는 본 발명의 각 실시예(+150MGP, +100MGP, +50MGP)를 살펴보면, MGP가 실리콘 융액 계면으로 가까워질수록 원주부의 대륜 패턴과 중심부의 대류 패턴 사이의 경계층 형상이 타원으로 변화되고, 실리콘 융액이 유입되는 노드(node)가 약화되는 경향이 나타난다.
그 결과, MGP가 실리콘 융액 계면보다 높게 형성되더라도 실리콘 융액 계면과 근접할수록 실리콘 융액 내에 용출된 산소가 대류 패턴에 의해 과냉영역으로 유입될 가능성이 줄어들고, 단결정 내에 산소가 불균일하게 유입됨에 따라 단결정 잉곳의 면내에서 산소 산포를 제어하기 어렵게 된다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따라 +150MGP 이상을 유지하면서 만들어지면, 경계층의 변화에 따른 급격한 산소 변화(Bifurcation)를 제어할 수 있고, 단결정 잉곳의 면내에서 산소 산포를 균일하게 제어할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 MGP 상승율에 대한 단결정 잉곳의 길이당 Oi 변화율이 도시된 그래프이다.
본 발명의 실시예에 따라 MGP를 실리콘 융액 계면보다 높은 위치에서 MGP의 상승율을 변화시키면, 단결정 잉곳의 길이별 Oi 변화율이 가변된다.
이때, MGP의 상승율을 3.5 ~ 6.5 mm/hr 범위로 제어하면, 단결정 잉곳의 길이별 Oi 변화율이 ±0.01ppma/cm 이내로 나타나고, MGP의 상승율을 5 mm/hr 로 제어하면, 단결정 잉곳의 길이별 Oi 변화율이 0으로 나타난다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따라 +MGP에서 MGP 상승율을 3.5 ~ 6.5 mm/hr 범위로 제어하면, 단결정 잉곳의 길이방향으로 Oi 농도를 일정하게 제어할 수 있어 원하는 품질의 단결정 잉곳 및 웨이퍼를 생산할 수 있다.
도 6은 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 단결정 잉곳의 길이별 구간에 따라 인상속도(P/S) 산포가 도시된 그래프이다.
MGP가 실리콘 융액 계면보다 230mm 낮은 위치에서 고정된 종래의 비교예(-MGP)를 살펴보면, P/S 변동이 상대적으로 크게 나타나는 반면, MGP가 실리콘 융액 계면보다 150mm 높은 위치에서 소정의 상승율로 상승하는 본 발명의 실시예(+MGP)를 살펴보면, P/S 변동이 상대적으로 작게 나타난다.
상세하게, 단결정 잉곳의 길이방향으로 400~1000mm 구간에서 P/S 산포(Stdev)를 살펴보면, 종래의 비교예는 0.03447로 나타나는 반면, 본 발명의 실시예는 0.00727로 나타나며, 본 발명의 실시예는 종래의 비교예 대비 5배의 P/S 산포를 개선한 것으로 볼 수 있다.
또한, 단결정 잉곳의 길이 방향으로 1000~1600mm 구간에서 P/S 산포(Stdev)를 살펴보면, 종래의 비교예는 0.01639로 나타나는 반면, 본 발명의 실시예는 0.0043으로 나타나며, 본 발명의 실시예는 종래의 비교예 대비 4배의 P/S 산포를 개선한 것으로 볼 수 있다.
또한, 단결정 잉곳의 길이 방향으로 1600~2200mm 구간에서 P/S 산포(Stdev)를 살펴보면, 종래의 비교예는 0.0816으로 나타나는 반면, 본 발명의 실시예는 0.0039로 나타나며, 본 발명의 실시예는 종래의 비교예 대비 2배의 P/S 산포를 개선한 것으로 볼 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예는 종래의 비교예보다 단결정 잉곳의 길이방향으로 P/S 산포를 개선하게 되는데, 이는 고액 계면 근처에 직접적인 멜트 유입을 억제하여 메니스커스에 온도 간섭을 감소시킴으로 안정적으로 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다.
도 7은 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 단결정 잉곳과 실리콘 융액 계면의 형상이 도시된 사진이다.
MGP가 실리콘 융액 계면보다 230mm 낮은 위치에서 고정된 종래의 비교예(-MGP)를 살펴보면, 고액 계면의 중심부가 외주부보다 20mm 높게 나타나는 반면, MGP가 실리콘 융액 계면보다 150mm 높은 위치에서 소정의 상승율로 상승하는 본 발명의 실시예(+MGP)를 살펴보면, 고액 계면의 중심부가 외주부보다 10mm 높게 나타난다.
이와 같이, 본 발명의 실시예는 종래의 비교예보다 단결정 잉곳의 길이방향으로 P/S 산포가 개선됨에 따라 고액 계면에서 온도 변동이 제어되고, 계면이 평탄할수록 면내에서 Oi 산포가 개선된 것을 확인할 수 있다.
도 8은 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 단결정 잉곳의 면내에서 Oi 농도 산포 및 ΔOi 농도 산포가 도시된 그래프이다.
MGP가 실리콘 융액 계면보다 230mm 낮은 위치에서 고정된 종래의 비교예(-MGP)를 살펴보면, 단결정 잉곳의 면내에서 Oi 농도 산포(Oi Stdev)가 0.126으로 나타나고, 단결정 잉곳의 면내 인접 부분에서 Oi 농도 산포(ΔOi Ave)가 0.07로 나타난다.
반면, MGP가 실리콘 융액 계면보다 150mm 높은 위치에서 소정의 상승율로 상승하는 본 발명의 실시예(+MGP)를 살펴보면, 단결정 잉곳의 면내에서 Oi 농도 산포(Oi Stdev)가 0.035로 나타나고, 단결정 잉곳의 면내 인접 부분에서 Oi 농도 산포(ΔOi Ave)가 0.03으로 나타난다.
이와 같이, 본 발명의 실시예는 종래의 비교예보다 면내에서 Oi 산포가 크게 개선된 것을 확인할 수 있다.
도 9는 종래의 비교예와 본 발명의 실시예에 따라 단결정 잉곳의 면내에서 BMD가 도시된 그래프이다.
MGP가 실리콘 융액 계면보다 230mm 낮은 위치에서 고정된 종래의 비교예(-MGP)를 살펴보면, 단결정 잉곳의 길이방향으로 400mm, 1000mm, 1600mm, 2200mm 에서 BMD 범위가 2.3E+09 ~ 9.8E+09, 2.3E+09 ~ 1.0E+09, 5.0E+09 ~ 3.7E+09, 5.8E+09 ~ 2.2E+09로 나타난다.
반면, MGP가 실리콘 융액 계면보다 150mm 높은 위치에서 소정의 상승율로 상승하는 본 발명의 실시예(+MGP)를 살펴보면, 단결정 잉곳의 길이방향으로 400mm, 1000mm, 1600mm, 2200mm 에서 BMD 범위가 5.48E+09 ~ 3.37E+09, 4.60E+09 ~ 2.69E+09, 4.76E+09 ~ 3.04E+09, 3.47E+09 ~ 2.90E+09로 나타난다.
이와 같이, 본 발명의 실시예는 Log BMD 산포(Log BMD stdev)가 0.063 이하산출되며, 종래의 비교예보다 면내에서 BMD 산포가 크게 개선된 것을 확인할 수 있다.
도 10은 실리콘 융액의 고화율 별로 MGP 상승율 적용 유무의 ΔOi가 도시된 표이다.
비교예는 MGP를 실리콘 융액 계면보다 150mm 높은 위치에서 고정된 상태에서 단결정 잉곳의 Oi 농도를 구하는 반면, 실시예는 MGP를 실리콘 융액 계면보다 150mm 높은 위치에서 소정의 상승율로 상승하는 상태에서 단결정 잉곳의 Oi 농도를 구한 것이다.
실리콘 융액으로부터 단결정 잉곳이 성장할수록 고화율이 높아지는 동시에 실리콘 융액의 양이 줄어들게 되는데, 고화율이 40% 이하인 경우에 실시예와 비교예에서 ΔOi 농도가 크게 나타나는 반면, 고화율이 40% 초과한 경우에 실시예와 비교예에서 ΔOi 농도가 작게 나타난다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따라 +MGP로 위치하는 동시에 소정의 MGP 상승율을 유지하더라도 고화율이 40% 이하인 경우에 Oi 농도를 개선하는 효과가 크게 나타나는 것을 확인할 수 있다.
즉, 단결정 잉곳의 바디가 성장할수록 Oi 산포가 감소되는데, 본 발명에 실시예에 따라 Oi 산포를 개선하는 효과를 극대화시키기 위하여 단결정 잉곳의 바디가 성장되는 초반 즉, 고화율 40% 이하에서 적용하는 것이 바람직하다.
110 : 도가니 120 : 수평 마그넷
130 : 마그넷 이동수단

Claims (10)

  1. 단결정 잉곳이 성장하는 실리콘 융액이 담기는 도가니;
    상기 도가니 둘레에 구비되고, 수평 방향으로 자기장을 형성시키는 수평 마그넷; 및
    상기 수평 마그넷을 수직 방향으로 이동시키는 마그넷 이동수단;을 포함하고,
    상기 마그넷 이동수단은,
    단결정 잉곳의 바디 성장 공정 중에 상기 수평 마그넷의 최대자기장위치(Maximum gauss position : MGP)를 상기 도가니의 실리콘 융액 계면보다 150mm 이상 높게 위치하고,
    상기 도가니에 담긴 실리콘 융액의 고화율이 40% 이하에서 상기 MGP의 상승율을 3.5mm/hr ~ 6.5mm/hr로 제어하는 단결정 잉곳 성장장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 마그넷 이동수단은,
    상기 단결정 잉곳의 수평 단면 내에 Oi 산포(stdev)를 0.04ppma 이하로 유지하기 위하여 상기 수평 마그넷의 이동을 제어하는 단결정 잉곳 성장장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마그넷 이동수단은,
    상기 단결정 잉곳의 수평 단면 내에 BMD 산포(Log BMD의 stdev)를 0.063ea/cm3 이하로 유지하기 위하여 상기 수평 마그넷의 이동을 제어하는 단결정 잉곳 성장장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 마그넷 이동수단은,
    상기 도가니에 담긴 실리콘 융액의 고화율이 40% 초과에서 상기 MGP의 상승율을 0으로 제어하는 단결정 잉곳 성장장치.
  6. 단결정 잉곳을 실리콘 융액 계면으로부터 성장시키는 제1단계;
    상기 제1단계에서 단결정 잉곳이 성장되는 실리콘 융액에 수평 방향으로 자기장을 형성시키는 제2단계; 및
    상기 제2단계에서 단결정 잉곳의 바디 성장 공정 중에 상기 자기장의 최대자기장위치(Maximum gauss position : MGP)를 상기 실리콘 융액 계면보다 150mm 이상 높게 위치하고, 상기 실리콘 융액의 고화율이 40% 이하에서 상기 MGP의 상승율을 3.5mm/hr ~ 6.5mm/hr로 제어하는 제3단계를 포함하는 단결정 잉곳 성장방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제3단계는,
    상기 단결정 잉곳의 수평 단면 내에 Oi 산포(stdev)를 0.04ppma 이하로 유지하기 위하여 상기 MGP를 제어하는 과정을 포함하는 단결정 잉곳 성장방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제3단계는,
    상기 단결정 잉곳의 수평 단면 내에 BMD 산포(Log BMD의 stdev)를 0.063ea/cm3 이하로 유지하기 위하여 상기 MGP를 제어하는 과정을 포함하는 단결정 잉곳 성장방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제3단계는,
    상기 실리콘 융액의 고화율이 40% 초과에서 상기 MGP의 상승율을 0으로 제어하는 과정을 포함하는 단결정 잉곳 성장방법.
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