CN108281468A - 一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决现有的显示装置中，采用单层信号传输线容易影响产品品质以及信赖性的问题。所述显示基板的制造方法包括在衬底基板上制作信号传输线的步骤，在制作所述信号传输线的步骤之前，所述显示基板的制造方法还包括：在所述衬底基板上形成延伸方向与所述信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构；所示制作所述信号传输线的步骤包括：在所述凹凸结构上形成所述信号传输线。本发明提供的显示基板的制造方法用于制作显示基板。

Description

一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置。
背景技术
有源矩阵驱动有机发光二极管(英文Active-matrix organic light emittingdiode，以下简称AMOLED)显示装置是一种将驱动电路与有机发光二极管有效结合，利用开关器件，写入需要的信号，从而控制每个像素的发光亮度的显示装置，以其可折叠、轻、薄、色域广、纯固态等优点得到广泛关注和迅速发展。AMOLED在正常工作时，通过扫描线控制驱动电路中的薄膜晶体管开启，使数据信号可以通过薄膜晶体管写入各像素单元对应的存储电容中，并配合公共电极及其余薄膜晶体管器件控制流过有机发光二极管的电流大小，从而显示不同的亮度。由此可见，用于传输数据信号的信号传输线作为显示装置内部重要的功能走线，对显示装置的正常工作是不可或缺的。
目前，常规AMOLED产品的设计中均为单层的信号传输线，这样在大尺寸、高分辨率的AMOLED产品中，由于信号传输线较长，且信号传输线的宽度及膜厚受限等因素，容易使信号传输线的电阻过大，数据信号在信号传输线上长距离传输时会产生较大压降和延时，进而导致显示装置远端画面显示异常，影响产品品质以及后续信赖性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板的制造方法、显示基板、显示装置，用于解决现有的显示装置中，采用单层信号传输线容易影响产品品质以及信赖性的问题。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
本发明的第一方面提供一种显示基板的制造方法，包括在衬底基板上制作信号传输线的步骤，在制作所述信号传输线的步骤之前，所述显示基板的制造方法还包括：在所述衬底基板上形成延伸方向与所述信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构；
制作所述信号传输线的步骤包括：在所述凹凸结构上形成所述信号传输线。
进一步地，所述凹凸结构包括贯穿绝缘层的过孔，在所述衬底基板上形成多个凹凸结构包括：
形成所述绝缘层；
对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔；
制作所述信号传输线的步骤具体包括：
在形成有所述过孔的绝缘层上沉积金属薄膜；
对所述金属薄膜进行构图，形成所述信号传输线。
进一步地，所述信号传输线包括数据线，形成所述绝缘层之前，所述制造方法还包括：
在所述衬底基板上形成与所述数据线的延伸方向相同的互补数据线，所述互补数据线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，所述互补数据线通过所述过孔与所述数据线连接。
进一步地，形成所述互补数据线包括：
通过一次构图工艺形成所述互补数据线和所述显示基板的薄膜晶体管的有源层。
进一步地，所述通过一次构图工艺形成所述互补数据线和所述显示基板的薄膜晶体管的有源层的步骤具体包括：
沉积多晶硅层；
对所述多晶硅层进行构图，形成用于形成所述互补数据线的过渡图形和所述薄膜晶体管的有源层；
同时对所述过渡图形、所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行重掺杂，重掺杂后的所述过渡图形形成所述互补数据线。
进一步地，所述对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔包括：
通过一次构图工艺形成所述过孔和所述薄膜晶体管中的源极过孔和漏极过孔；
形成所述信号传输线包括：
通过一次构图工艺形成所述数据线以及所述薄膜晶体管的源极和漏极，其中，所述源极通过所述源极过孔与所述源极接触区连接，所述漏极通过所述漏极过孔与所述漏极接触区连接。
进一步地，所述显示基板的扫描线与所述数据线交叉设置，所述制造方法还包括：
对所述显示基板的扫描线在所述数据线上的第一投影区域进行构图，使位于所述第一投影区域的所述数据线为镂空图形；
和/或，对所述显示基板的扫描线在所述互补数据线上的第二投影区域进行构图，使位于所述第二投影区域的所述互补数据线为镂空图形。
基于上述显示基板的制造方法的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示基板，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的凹凸结构；
设置在所述凹凸结构上的信号传输线，所述信号传输线的延伸方向与所述凹凸结构的延伸方向相同。
进一步地，所述显示基板还包括绝缘层，所述凹凸结构包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述信号传输线位于所述绝缘层上。
进一步地，所述信号传输线包括数据线，所述显示基板还包括：
与所述数据线的延伸方向相同的互补数据线，所述互补数据线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，所述互补数据线通过所述过孔与所述数据线连接。
进一步地，所述显示基板还包括：
与所述互补数据线同层设置的薄膜晶体管的有源层，所述互补数据线、所述有源层的源极接触区和所述有源层的漏极接触区均为重掺杂的多晶硅薄膜。
进一步地，所述显示基板的扫描线与所述数据线交叉设置，所述扫描线在所述数据线上存在第一投影区域，所述数据线位于所述第一投影区域的部分为镂空图形；
和/或，所述扫描线在所述互补数据线上存在第二投影区域，所述互补数据线位于所述第二投影区域的部分为镂空图形。
基于上述显示基板的技术方案，本发明的第三方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明提供的技术方案中，将信号传输线形成在与其延伸方向相同的凹凸结构上，使得信号传输线增加了爬坡部分，由于该爬坡部分同样参与信号的传输，相当于增加了信号传输线的宽度，降低了信号传输线整体的电阻，因此，利用本发明提供的制造方法制作的显示基板中，信号传输线的电阻较小，信号在该信号传输线上长距离传输时不会产生较大压降和延时，避免了显示基板远端画面显示异常，保证了显示基板自身的品质和信赖性。而且，由于信号传输线的电阻较小，对驱动芯片的驱动能力要求较低，因此，采用较低驱动能力的芯片即可满足显示基板的工作需要，从而很好的降低了显示基板的功耗。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为现有技术中显示基板的截面示意图；
图2为现有技术中显示基板的俯视图；
图3为本发明实施例提供的在显示基板中形成过孔的示意图；
图4为本发明实施例提供的在显示基板中形成数据线的示意图；
图5为本发明实施例提供的位于第一投影区域的数据线形成为镂空图形的示意图；
图6为本发明实施例提供的沿图5中A-A＇方向的截面示意图；
图7为本发明实施例提供的沿图5中B-B＇方向的截面示意图；
图8为本发明实施例提供的位于第二投影区域的互补数据线形成为镂空图形的示意图；
图9为本发明实施例提供的在衬底基板上形成缓冲层的示意图；
图10为本发明实施例提供的在衬底基板上形成过渡图形和源极的示意图；
图11为本发明实施例提供的进行重掺杂的示意图；
图12为本发明实施例提供的在衬底基板上形成第二绝缘层的示意图；
图13为本发明实施例提供的显示基板的截面示意图。
附图标记：
1-衬底基板， 2-缓冲层，
3-有源层， 31-源极接触区，
32-漏极接触区， 4-第一绝缘层，
5-栅极， 6-第二绝缘层，
7-保护层， 8-源极过孔，
9-漏极过孔， 10-数据线，
11-源极， 12-漏极，
13-平坦层， 14-阳极，
15-像素界定层， 16-隔垫物层，
17-过孔， 18-互补数据线，
19-过渡图形， 20-镂空图形，
21-扫描线。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的显示基板的制造方法、显示基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
如图1和图2所示，现有技术中的显示基板一般包括：衬底基板1，缓冲层2，有源层3(包括源极接触区31和漏极接触区32)，第一绝缘层4，栅极5，第二绝缘层6，保护层7，贯穿保护层7、第二绝缘层6、第一绝缘层4的源极过孔和漏极过孔，数据线10，源极11和漏极12，其中数据线10与源极11连接，源极11通过源极过孔与源极接触区31连接，漏极12通过漏极过孔与漏极接触区32连接，另外显示基板还包括平坦层13、阳极14、像素界定层15和隔垫物层16。
从现有技术的显示基板的结构来看，现有技术中的数据线10为单层数据线，而这种单层数据线应用在大尺寸、高分辨率的AMOLED产品中时，由于数据线10较长，且数据线10的宽度及膜厚受限等因素，容易使数据线10的电阻过大，数据信号在数据线10上长距离传输时会产生较大压降和延时，进而导致显示装置远端画面显示异常，影响产品品质以及后续信赖性。
基于上述问题的存在，本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法，包括在衬底基板上制作信号传输线的步骤，在制作信号传输线的步骤之前，显示基板的制造方法还包括：在衬底基板上形成延伸方向与信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构。
具体地，上述凹凸结构可选为凹陷部和/或凸起部，在衬底基板上形成凹凸结构的过程为：在衬底基板上沉积用于形成凹凸结构的膜层，利用构图工艺对形成的膜层进行构图，以形成与信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构。值得注意，所形成的凹凸结构的数量可以根据实际需要设置。
上述制作信号传输线的步骤具体包括：在凹凸结构上形成信号传输线。
具体地，可先沉积金属薄膜，使金属薄膜覆盖凹凸结构，然后对该金属薄膜进行构图，形成位于凹凸结构上的信号传输线。
根据上述显示基板的制造方法包括的具体步骤可知，本发明实施例提供的显示基板的制造方法中，将信号传输线形成在与其延伸方向相同的凹凸结构上，使得信号传输线增加了爬坡部分，由于该爬坡部分同样参与信号的传输，相当于增加了信号传输线的宽度，降低了信号传输线整体的电阻，因此，利用本发明实施例提供的制造方法制作的显示基板中，信号传输线的电阻较小，信号在该信号传输线上长距离传输时不会产生较大压降和延时，避免了显示基板远端画面显示异常，保证了显示基板自身的品质和信赖性。而且，由于信号传输线的电阻较小，对驱动芯片的驱动能力要求较低，因此，采用较低驱动能力的芯片即可满足显示基板的工作需要，从而很好的降低了显示基板的功耗。
进一步地，上述凹凸结构包括贯穿绝缘层的过孔17，如图3所示；在衬底基板1上形成多个凹凸结构包括：形成绝缘层；对绝缘层进行刻蚀形成过孔17。
具体地，可在衬底基板1上形成绝缘层，然后在绝缘层上形成光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶去除区域对应过孔17所在区域，光刻胶保留区域对应除光刻胶保留区域之外的区域，然后对位于光刻胶去除区域的绝缘层进行刻蚀，以形成过孔17。
当凹凸结构为贯穿绝缘层的过孔17时，上述制作信号传输线的步骤具体包括：在形成有过孔17的绝缘层上沉积金属薄膜，使金属薄膜覆盖过孔17，然后对金属薄膜进行构图，形成信号传输线。
值得注意，上述绝缘层不仅限于一层绝缘层薄膜，且在绝缘层上形成的过孔17的深度越深，在过孔上形成的数据线10的宽度越大，相应的数据线10的电阻就越小。如图3所示的显示基板的结构，绝缘层可包括图3中的第一绝缘层4、第二绝缘层6和保护层7，即形成的过孔17为贯穿第一绝缘层4、第二绝缘层6和保护层7的过孔。
上述信号传输线的种类多种多样，可选的，上述信号传输线包括数据线10，形成绝缘层之前，上述制造方法还包括：在衬底基板1上形成与数据线10的延伸方向相同的互补数据线18，互补数据线18在衬底基板1上的正投影与数据线10在衬底基板1上的正投影至少部分重合，互补数据线18通过过孔17与数据线10连接，如图4、图6和图7所示。
具体地，在衬底基板1上形成与数据线10的延伸方向相同的互补数据线18，并将互补数据线18通过过孔17与数据线10连接，相当于在显示基板中增加了与数据线10并联的另一条数据线，这样不仅进一步减小了数据线10的电阻，保证了显示基板的显示品质，而且，当数据线10由于刻蚀操作或在爬坡过程中出现断裂现象(即Data Open)时，数据信号可继续通过互补数据线18完成传输，进一步保证了显示基板的信赖性。
另外，现有的显示基板结构中，一般会在栅极5上形成绝缘层，然后在绝缘层上形成数据线10、源极11和漏极12，由于在形成数据线10、源极11和漏极12时需要进行刻蚀操作，而该刻蚀操作容易对绝缘层产生破坏，导致数据线10与栅极5之间出现短路问题(即Data Gate short)。而且，由于形成的栅极为面积较小的栅极图形，在将绝缘层形成在栅极5上时，在栅极图形的边缘位置处绝缘层会存在爬坡的部分，而爬坡部分的绝缘层在制作时和后续工作中均容易发生断裂，进而导致数据线10与栅极5之间出现短路问题。
本发明实施例中通过设置互补数据线18与数据线10并联的方式，使数据信号能够同时在数据线10和互补数据线18上传输，因此，即使发生了上述Data Gate short问题，也可直接将短路部分的数据线10切断，使数据信号通过互补数据线18继续传输，从而很好的提升了显示基板的生产良率以及信赖性评价。
进一步地，上述实施例提供的形成互补数据线的步骤可具体包括：通过一次构图工艺形成互补数据线18和显示基板的薄膜晶体管的有源层3。
具体地，上述互补数据线18可与显示基板中包括的阵列基板的有源层3同层设置，这样就能够通过一次构图工艺同时形成互补数据线18和有源层3，避免为了形成互补数据线18而增加额外的构图工艺。
上述通过一次构图工艺形成互补数据线18和显示基板的薄膜晶体管的有源层3的步骤可具体包括：
沉积多晶硅层；具体地，利用多晶硅材料沉积形成多晶硅层。
对多晶硅层进行构图，形成用于形成互补数据线18的过渡图形19和薄膜晶体管的有源层3，如图10所示。
具体地，上述对多晶硅层进行构图的方法包括：在多晶硅层上形成光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶保留区域对应用于形成互补数据线18的过渡图形19和薄膜晶体管的有源层3所在区域，光刻胶去除区域对应除光刻胶保留区域之外的区域，然后采用刻蚀工艺去除位于光刻胶去除区域的多晶硅层，形成用于形成互补数据线18的过渡图形19和薄膜晶体管的有源层3，最后剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶。
在形成上述过渡图形19和有源层3之后，同时对过渡图形19、有源层3的源极接触区31和漏极接触区32进行重掺杂，重掺杂后的过渡图形19形成互补数据线18，如图11所示。
具体地，为了使形成的互补数据线18具有良好的导电性能，以及使有源层3能够更好的与源极11和漏极12接触，可同时对过渡图形19和有源层3的源极接触区31和漏极接触区32进行重掺杂，以使重掺杂后的过渡图形19形成具有良好导电性能的互补数据线18，重掺杂后的源极接触区31和漏极接触区32能够实现与源极11和漏极12良好的电连接。
值得注意，在进行重掺杂操作之前，可先在过渡图形19和有源层3上形成第一绝缘层4和栅极5，如图11所示，这样栅极5就能够对有源层3的沟道区产生遮挡作用，避免了重掺杂操作对有源层3的沟道区产生影响。
进一步地，上述实施例提供的对绝缘层进行刻蚀形成过孔的步骤可具体包括：
通过一次构图工艺形成过孔17和薄膜晶体管中的源极过孔8和漏极过孔9，如图3所示；
具体地，上述过孔17可与薄膜晶体管中的源极过孔8和漏极过孔9贯穿相同的薄膜层，这样就能够通过一次构图工艺同时形成过孔17以及薄膜晶体管中的源极过孔8和漏极过孔9，从而避免了为形成过孔17而增加额外的构图工艺。
进一步地，上述实施例提供的形成信号传输线的步骤可具体包括：
通过一次构图工艺形成数据线10以及薄膜晶体管中的源极11和漏极12，其中，源极11通过源极过孔8与源极接触区31连接，漏极12通过漏极过孔9与漏极接触区32连接，如图4所示。
具体地，上述数据线10可与薄膜晶体管中的源极11和漏极12同层设置，这样就能够通过一次构图工艺同时形成数据线10以及薄膜晶体管中的源极11和漏极12，从而避免了为形成数据线10而增加额外的构图工艺。
可见，上述实施例提供的显示基板的制造方法中，能够将过孔17与源极过孔8和漏极过孔9在同一次构图工艺中形成，还能够将互补数据线10与薄膜晶体管的有源层3在同一次构图工艺中形成，并使得数据线10能够通过过孔17与互补数据线18实现连接，因此，上述实施例提供的显示基板的制造方法在不增加构图工艺及成本的前提下，在显示基板中制作了相互并联的双层数据线结构，不仅很大程度上降低了数据线的电阻和显示基板的功耗，而且在发生Data open时，数据信号可以通过互补数据线18继续进行传输，避免了Dataopen对数据信号传输产生的影响；除此之外，在发生Data Gate short时，可以将短路部分的数据线切断，从而实现对数据线的修复，使数据信号通过互补数据线18继续传输，很好的提升了显示基板的良率以及信赖性评价。
另外，由于在阵列基板中制作了与数据线10延伸方向相同的互补数据线18，使得在阵列基板中增加了互补数据线18与扫描线21的交叠区域，而增加的交叠区域会带来额外的寄生电容，导致显示基板的工作稳定性受到影响。
为了避免额外增加的寄生电容对显示基板工作稳定性的影响，当显示基板的扫描线21与数据线10交叉设置时，上述显示基板的制造方法还可以包括：
对显示基板的扫描线21在数据线10上的第一投影区域进行构图，使位于第一投影区域的数据线10为镂空图形20，如图5所示；和/或，对显示基板的扫描线21在互补数据线18上的第二投影区域进行构图，使位于第二投影区域的互补数据线18为镂空图形20，如图8所示。
具体地，上述通过构图工艺使位于第一投影区域的数据线10为镂空图形20的步骤可具体包括：在数据线10上形成光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶区域，其中光刻胶去除区域对应镂空图形20的镂空区域，光刻胶保留区域对应除镂空区域之外的其他区域，然后刻蚀位于镂空区域的数据线10，使位于第一投影区域的数据线10形成为镂空图形20，最后将剩余的光刻胶剥离。通过构图工艺使位于第二投影区域的互补数据线18为镂空图形20的具体步骤与上述将第一投影区域的数据线10形成为镂空图形20的步骤相同，此处不再赘述。
上述将位于第一投影区域的数据线10和/或位于第二投影区域的互补数据线18形成为镂空图形20，有效减小了数据线10与扫描线21之间的正对面积，以及互补数据线18与扫描线21之间的正对面积，从而减小了数据线10与扫描线21之间产生的寄生电容，和/或互补数据线18与扫描线21之间产生的寄生电容，保证了显示基板工作的稳定性。
为了更清楚的说明上述显示基板的制作过程，下面给出一具体实施例。
形成上述显示基板可具体包括如下步骤：
在衬底基板1上形成缓冲层2，如图9所示；需要说明，此处选用的衬底基板1既可以是玻璃等刚性的衬底基板，也可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯材料(PET)的柔性衬底基板，或聚酰亚胺材料(PI)的柔性衬底基板。
利用多晶硅材料(P-Si)，通过一次构图工艺，在缓冲层2上形成用于形成互补数据线18的过渡图形19，以及薄膜晶体管的有源层3，如图10所示；
在形成有过渡图形19和有源层3的衬底基板1上形成第一绝缘层4，第一绝缘层4的材料可选为SiO2；
在第一绝缘层4上通过构图工艺形成栅极5，栅极5的材料可选为Mo；
对过渡图形19、有源层3的源极接触区31和漏极接触区32进行重掺杂，使过渡图形19形成互补数据线18。值得注意，在重掺杂的过程中，形成在有源层3上方的栅极5对有源层3部分遮挡，使得遮挡区域形成为有源层3的沟道区，如图11所示；
在掺杂后的衬底基板1上形成第二绝缘层6，第二绝缘层6的材料可选为SiN，如图12所示；
在第二绝缘层6上形成保护层7，通过一次构图工艺形成过孔17、源极过孔8和漏极过孔9，并使得过孔17、源极过孔8和漏极过孔9均贯穿第一绝缘层4、第二绝缘层6和保护层7，如图3所示；
通过一次构图工艺形成数据线10、源极11和漏极12，并使数据线10与源极11连接，数据线10通过过孔17与互补数据线18连接，源极11通过源极过孔8与有源层3的源极接触区31连接，漏极12通过漏极过孔9与有源层3的漏极接触区32连接；如图4所示；
在形成有数据线10、源极11和漏极12的衬底基板1上依次形成平坦层13、阳极14、像素界定层15和隔垫物层16，如图13所示。
值得注意，上述实施例提供的显示基板的制造方法既适应于硬性的显示基板，也适应于柔性的显示基板。此外，所制作的显示基板可选为AMOLED显示基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板，采用上述实施例提供的显示基板的制造方法制作，该显示基板包括：衬底基板，设置在衬底基板上的凹凸结构和设置在凹凸结构上的信号传输线，该信号传输线的延伸方向与凹凸结构的延伸方向相同。
本发明实施例提供的显示基板中，包括与信号传输线延伸方向相同的凹凸结构，以及形成在凹凸结构上的信号传输线。由于信号传输线位于凹凸结构上，使得信号传输线增加了爬坡部分，由于该爬坡部分同样参与信号的传输，相当于增加了信号传输线的宽度，降低了信号传输线整体的电阻，因此本发明实施例提供的显示面板中，信号传输线具有较小的电阻，信号在该信号传输线上长距离传输时不会产生较大压降和延时，避免了显示基板远端画面显示异常，保证了显示基板自身的品质和信赖性。而且，由于信号传输线的电阻较小，对驱动芯片的驱动能力要求较低，因此，采用较低驱动能力的芯片即可满足显示基板的工作需要，从而很好的降低了显示基板的功耗。
上述凹凸结构的具体结构多种多样，可选的，上述显示基板还包括绝缘层，凹凸结构为贯穿绝缘层的过孔17，信号传输线位于绝缘层上，如图3所示。
为了保证显示基板工作的稳定性，显示基板包括的各膜层之间会设置绝缘层，将凹凸结构包括贯穿绝缘层的过孔17，不仅能够使形成在过孔17中的信号传输线具有较宽的线宽，而且凹凸结构的形成过程简单，降低了显示基板制备工艺的复杂度。
进一步地，上述信号传输线包括数据线10，当信号传输线为数据线10时，上述显示基板还包括：与数据线10的延伸方向相同的互补数据线18，互补数据线18在衬底基板1上的正投影与数据线10在衬底基板1上的正投影至少部分重合，互补数据线18通过过孔17与数据线10连接，如图4所示。
具体地，在显示基板中设置互补数据线18，能够使得该互补数据线18与数据线10之间形成并联结构，数据信号能够通过该并联结构进行传输，这种并联结构不仅减小了数据线10的电阻，而且在发生Data Open时，数据信号能够继续通过互补数据线18继续传输，使显示基板继续稳定的工作。同时在发生Data Gate short时，可直接将短路部分的数据线10切割掉，使数据信号通过互补数据线18继续传输，从而很好的提升了显示基板的生产良率以及信赖性评价。
进一步地，上述显示基板还包括：与互补数据线18同层设置的薄膜晶体管的有源层3，互补数据线18、有源层3的源极接触区31和有源层3的漏极接触区32均为重掺杂的多晶硅薄膜。
将互补数据线18与薄膜晶体管的有源层3同层设置，能够实现通过一次构图工艺同时形成有源层3和互补数据线18。具体地，可采用多晶硅材料形成多晶硅层，然后对多晶硅层进行构图，形成用于形成互补数据线18的过渡图形19和薄膜晶体管的有源层3，由于多晶硅材料自身的导电性能较差，因此，可进一步对过渡图形19，以及有源层3的源极接触区31和有源层3的漏极接触区32进行重掺杂，使掺杂后形成的互补数据线18，以及有源层3的源极接触区31和漏极接触区32均具有良好的导电性能。
请继续参阅图4，上述显示基板还包括：贯穿绝缘层的源极过孔8和漏极过孔9；与数据线10同层设置的薄膜晶体管的源极11和漏极12，其中，源极11通过源极过孔8与源极接触区31连接，漏极12通过漏极过孔9与漏极接触区32连接。
具体地，上述显示基板中包括的源极过孔8和漏极过孔9均与过孔17贯穿相同的绝缘层，因此，能够仅通过一次构图工艺同时形成过孔17、源极过孔8和漏极过孔9，然后再通过一次构图工艺同时形成数据线10、薄膜晶体管的源极11和漏极12，并使得数据线10能够通过过孔17与互补数据线18连接，源极11能够通过源极过孔8与有源层3的源极接触区31连接，漏极12能够通过漏极过孔9与有源层3的漏极接触区32连接。
可见，本发明实施例提供的显示基板中包括的互补数据线18能够与薄膜晶体管中的有源层3在同一次构图工艺中形成，显示基板中包括的过孔17能够与薄膜晶体管中的源极过孔8和漏极过孔9在同一次构图工艺中形成，显示基板中包括的数据线10能够与薄膜晶体管中的源极11和漏极12在同一次构图工艺中形成，因此本发明实施例提供的显示基板在不增加构图工艺及生产成本的前提下，形成了数据线10与互补数据线18并联的结构，且这种并联结构不仅减小了数据线10电阻，还能够在发生Data Open时，保证数据信号能够通过互补数据线18继续传输，以及在发生Data Gate short时，能够通过切割修复的方式提升产品的良率及信赖性评价。
进一步地，上述显示基板的扫描线21与数据线10交叉设置，扫描线21在数据线10上存在第一投影区域，数据线10位于第一投影区域的部分为镂空图形20，如图5所示；和/或，扫描线21在互补数据线18上存在第二投影区域，互补数据线18位于第二投影区域的部分为镂空图形20，如图8所示。
设置位于第一投影区域的数据线10和/或位于第二投影区域的互补数据线18为镂空图形20，可有效减小数据线10与扫描线21之间的正对面积和/或互补数据线18与扫描线21之间的正对面积，从而减小在第一投影区域数据线10与扫描线21之间产生的寄生电容，以及在第二投影区域互补数据线18与扫描线21之间产生的寄生电容，保证了显示基板工作的稳定性。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。
由于上述显示基板能够在不增加构图工艺的前提下，实现降低信号传输线的电阻，以及当信号传输线为数据线时，通过形成互补数据线，实现两条数据线并联的结构，从而解决了Data Open和Data Gate short的问题，提升了显示基板的良率及信赖性评价，因此本发明实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时，同样具有上述有益效果，此处不再赘述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括在衬底基板上制作信号传输线的步骤，在制作所述信号传输线的步骤之前，所述显示基板的制造方法还包括：
在所述衬底基板上形成延伸方向与所述信号传输线的延伸方向相同的凹凸结构；
制作所述信号传输线的步骤包括：
在所述凹凸结构上形成所述信号传输线。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述凹凸结构包括贯穿绝缘层的过孔，在所述衬底基板上形成多个凹凸结构包括：
形成所述绝缘层；
对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔；
制作所述信号传输线的步骤具体包括：
在形成有所述过孔的绝缘层上沉积金属薄膜；
对所述金属薄膜进行构图，形成所述信号传输线。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述信号传输线包括数据线，形成所述绝缘层之前，所述制造方法还包括：
在所述衬底基板上形成与所述数据线的延伸方向相同的互补数据线，所述互补数据线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，所述互补数据线通过所述过孔与所述数据线连接。
4.根据权利要求3所述的显示基板的制造方法，其特征在于，形成所述互补数据线包括：
通过一次构图工艺形成所述互补数据线和所述显示基板的薄膜晶体管的有源层。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成所述互补数据线和所述显示基板的薄膜晶体管的有源层的步骤具体包括：
沉积多晶硅层；
对所述多晶硅层进行构图，形成用于形成所述互补数据线的过渡图形和所述薄膜晶体管的有源层；
同时对所述过渡图形、所述有源层的源极接触区和漏极接触区进行重掺杂，重掺杂后的所述过渡图形形成所述互补数据线。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述对所述绝缘层进行刻蚀形成过孔包括：
通过一次构图工艺形成所述过孔和所述薄膜晶体管中的源极过孔和漏极过孔；
形成所述信号传输线包括：
通过一次构图工艺形成所述数据线以及所述薄膜晶体管的源极和漏极，其中，所述源极通过所述源极过孔与所述源极接触区连接，所述漏极通过所述漏极过孔与所述漏极接触区连接。
7.根据权利要求3所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板的扫描线与所述数据线交叉设置，所述制造方法还包括：
对所述显示基板的扫描线在所述数据线上的第一投影区域进行构图，使位于所述第一投影区域的所述数据线为镂空图形；
和/或，对所述显示基板的扫描线在所述互补数据线上的第二投影区域进行构图，使位于所述第二投影区域的所述互补数据线为镂空图形。
8.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板上的凹凸结构；
设置在所述凹凸结构上的信号传输线，所述信号传输线的延伸方向与所述凹凸结构的延伸方向相同。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括绝缘层，所述凹凸结构包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述信号传输线位于所述绝缘层上。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述信号传输线包括数据线，所述显示基板还包括：
与所述数据线的延伸方向相同的互补数据线，所述互补数据线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影至少部分重合，所述互补数据线通过所述过孔与所述数据线连接。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
与所述互补数据线同层设置的薄膜晶体管的有源层，所述互补数据线、所述有源层的源极接触区和所述有源层的漏极接触区均为重掺杂的多晶硅薄膜。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，
所述显示基板的扫描线与所述数据线交叉设置，所述扫描线在所述数据线上存在第一投影区域，所述数据线位于所述第一投影区域的部分为镂空图形；
和/或，所述扫描线在所述互补数据线上存在第二投影区域，所述互补数据线位于所述第二投影区域的部分为镂空图形。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8-12任一项所述的显示基板。
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