CN108137572A - 电子缓冲材料、电子传输材料和包含其的有机电致发光装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及电子缓冲材料和有机电致发光装置，所述有机电致发光装置包含第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层以及在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区和电子缓冲层。包含本公开的所述电子缓冲材料的所述有机电致发光装置驱动电压低、发光效率优异并且寿命长。

Description

电子缓冲材料、电子传输材料和包含其的有机电致发光装置
技术领域
本公开涉及电子缓冲材料、电子传输材料和包含其的有机电致发光装置。
背景技术
1987年，伊士曼柯达公司(Eastman Kodak)的Tang等人首先提出了发绿光的有机电致发光装置(OLED)其采用双层TPD/Alq3，由发光层和电荷传输层组成。之后，有机电致发光装置已经被迅速研究，并且现在已经商业化。目前，具有优异发光效率的磷光材料主要用于有机电致发光装置的面板。发射红光或绿光的有机电致发光装置已经通过使用磷材料成功商业化。然而，用于发射蓝光的磷材料具有以下缺点，这阻碍了全彩色显示器的实现：由于过量形成的激子的损失而导致在大电流下滚降减小，由此劣化了性能；发蓝色磷光材料本身在寿命的长期稳定性方面存在问题；和随着时间的推移色纯度急剧下降。
荧光材料已被使用，但有几个问题。首先，当在面板制造过程中暴露于高温时，电流特征可改变，这可导致亮度变化。此外，由于结构特性，发光层和电子注入层之间的界面特征可能劣化，这可导致亮度降低。另外，荧光材料比磷光材料提供更低的效率。因此，通过开发如蒽系主体和芘系掺杂剂的组合的特定的荧光材料，尝试提高效率。然而，所提出的组合使得空穴大大地被捕获，这可导致发光层中的发光位点偏移到空穴传输层附近，从而在界面处发射光。界面处的光发射降低装置的寿命，并且效率不令人满意。
通过改进发光材料本身来解决上述荧光材料的问题并不容易。因此，近来已经有研究解决这些问题，包括改进电荷传输材料以改变电荷传输特征，以及开发优化的装置结构。
韩国专利申请特许公开第10-2012-0092550号公开了一种有机电致发光装置，其中阻挡层插入在电子注入层和发光层之间，其中阻挡层包含包含吖嗪环的芳香族杂环衍生物。然而，该韩国专利参考文献未公开在电子缓冲层或电子传输层中使用具有菲并噻唑骨架的化合物的有机电致发光装置。
日本专利第4947909号公开了一种包含电子缓冲层的蓝色荧光发光装置，其中通过插入电子缓冲层，与Alq3相比，电子被有效地注入到发光层，并且控制迁移率来降低驱动电压并通过防止发光界面的退化来提高寿命。但是，在该日本参考文献中，电子缓冲材料的组限于Alq3衍生物，并且期望限制电子迁移率。因此效率和寿命的改进是有限的。
韩国专利申请特许公开第2014-0086861号公开了包含含有喹啉-苯并恶唑衍生物的电子传输层的有机电致发光装置。然而，该韩国专利参考文献未公开具有菲并噻唑骨架的化合物，并且根据该韩国专利参考文献，限制了包含电子缓冲层或电子传输层的有机电致发光装置的优化。
日本专利申请特许公开第2001-23777号公开了一种有机电致发光装置，其包含具有菲骨架的化合物作为主体材料，其中五元含氮杂芳基与位于菲骨架中间的苯环稠合。然而，包含该日本专利参考文献中公开的化合物的有机电致发光装置仍然需要改进驱动电压、电流效率和寿命，即使有机电致发光装置显示出良好的蓝色纯度。
发明内容
技术问题
本公开的目的是提供一种有机电致发光装置，其具有低驱动电压、优异发光效率和长寿命。
问题解决方案
本发明人发现上述目的可以通过包含由下式1表示的化合物的电子缓冲材料或电子传输材料来实现。
其中，
X1表示–N＝、-NR7-、-O-或–S-；
Y1表示-N＝、-NR8-、-O-或-S-；其中X1是-N＝，Y1是-NR8-、-O-或-S-；其中X1是-NR7-，Y1是-N＝、-O-或-S-；排除X1和Y1均是-O-或-S-的情况和X1和Y1中的一个是-O-，并且另一个是-S-的情况；
R1表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基；
R2到R4，R7和R8各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷基氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳基氨基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基，或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代或未经取代的(C3-C30)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；
a表示1的整数；b和c各自独立地表示1或2的整数；d表示1到4的整数；并且
杂芳基含有选自B、N、O、S、Si以及P的至少一个杂原子。
本发明的有利效果
通过使用根据本公开的电子缓冲材料或电子传输材料，电子注入受到控制，且发光层和电子注入层之间的界面特性得到改进，因此可以制造有机具有优异发光效率的电致发光装置。通常，在发光层和电子传输区之间存在电子缓冲层干扰电子电流，并导致驱动电压的增加和效率的降低。然而，通过使用本公开的电致发光化合物，通过改进快速电子注入特性和由于分子间堆叠和相互作用特性的界面特性，有机电致发光装置可以具有低驱动电压、优异的发光效率如电流效率和功率效率，以及高纯度颜色的发射。
此外，通过使用电子缓冲材料和电子传输材料的组合，有机电致发光装置可以具有低驱动电压、优异的发光效率和长的寿命。
附图说明
图1是示出根据本公开的一个实施例的有机电致发光装置的结构的示意性截面图；
图2是示出根据本公开的一个实施例的有机电致发光装置的空穴传输层、发光层、电子缓冲层和电子传输区之间的能带图的示意性截面图；和
图3是示出实例1和比较实例1的有机电致发光装置的电流效率对亮度的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将详细描述本公开。然而，以下描述旨在解释本发明，并且不打算以任何方式限制本发明的范围。
本公开涉及包含由下式1表示的化合物的电子缓冲材料，包含由下式1表示的化合物的电子传输材料以及包含电子缓冲材料或电子传输材料的有机电致发光装置。
式1化合物可以由下式2到4中的任一个表示。
其中，
R1可以表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基，优选经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代的(5到25元)杂芳基，并且更优选经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代的(5到20元)杂芳基，并且可以包括未经取代的苯基、未经取代的联苯基、未经取代的萘基，经甲基取代的芴基、经甲基取代的苯并芴基、经苯基取代的咔唑基、经苯基取代的苯并咔唑基、经苯基取代的吲哚并咔唑基、未经取代的二苯并呋喃基、未经取代的二苯并噻吩基、螺[芴-芴]或螺[芴-苯并芴]。
在式1至4中，R2至R9各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳基氨基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基，或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代或未经取代的(C3-C30)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；优选地，各自独立地可表示氢、经取代或未经取代的(C6-C25)芳基、经取代或未经取代的(5到25元)杂芳基或经取代或未经取代的单或二(C6-C25)芳基氨基；或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代或未经取代的(C5-C25)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；更优选地，各自独立地可表示氢、经取代或未经取代的(C6-C20)芳基、经取代或未经取代的(5到25元)杂芳基或经取代或未经取代的二(C6-C18)芳基氨基；或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代或未经取代的(C3-C25)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可经选自氮和硫的至少一个杂原子置换；杂芳基含有选自B、N、O、S、Si以及P的至少一个杂原子。举例来说，R2至R4各自独立地可以选自氢、经取代的苯基、经取代的三嗪基、经取代的嘧啶基、经取代或未经取代的咔唑基、经取代的苯并咔唑基、未经取代的二苯并咔唑基以及经取代或未经取代的二苯基氨基组成的组，或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代的茚环或经取代的苯并噻吩环；并且R5和R6各自独立地选自氢、经取代的苯基、经取代或未经取代的咔唑基、未经取代的苯并咔唑基和未经取代的二苯并咔唑基组成的组，或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成未经取代的苯环、经苯基取代的吲哚环、经苯基取代的苯并吲哚环、经甲基取代的茚环或经甲基取代的苯并茚环。
在式1至4中，X1可以表示-N＝、-NR7-、-O-或-S-；Y1可以表示-N＝、-NR8-、-O-或-S-；其中X1是-N＝，Y1是-NR8-、-O-或-S-；其中X1是-NR7-，Y1是-N＝、-O-或-S-；优选地，排除X1和Y1均是-O-或-S-的情况和X1和Y1中的一个是-O-，另一个是-S-的情况；R7和R8各自独立地可以表示未经取代的苯基。具体而言，X1和Y1中的一个可以表示-N＝，另一个可以表示-O-、-S-或-NR13-(其中，R13可以表示经取代或未经取代的(C6-C20)芳基)。
在式1至4中，a可以表示1的整数；并且b和c各自独立地可以表示1或2的整数，并且优选地1的整数。
在式1中，d可以优选地表示1或2的整数。
在式2至4中，L1可以表示单键、经取代或未经取代的(C6-C30)亚芳基或经取代或未经取代的(3到30元)亚杂芳基；优选地单键或经取代或未经取代的(C6-C18)亚芳基；更优选地单键或未经取代的(C6-C12)亚芳基；并且可以包括单键或未经取代的苯基。
在式2中，X2到X4各自独立地可以表示-N-或-CR9-；优选地X2到X4中的一个或多个可以表示-N-；并且更优选地X2到X4中的两个或更多个可以代表-N-。具体来说，R9可以表示氢。
在式2中，Ar1和Ar2各自独立地可以表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基；优选地经取代或未经取代的(C6-C25)芳基或经取代或未经取代的(3到25元)杂芳基；更优选地未经取代的(C6-C20)芳基或经取代或未经取代的(5到20元)杂芳基；并且可以包括未经取代的苯基、未经取代的联苯基、未经取代的萘基、未经取代的二苯并噻吩基、经甲基取代的芴基、经甲基取代的苯并芴基、经苯基取代的咔唑基、经苯基取代的苯并咔唑基或未经取代的苯并萘并噻吩基。
在式2至4中，e可以表示1到3的整数，并且优选地1或2的整数。
在式3和4中，Z可以表示单键或经取代或未经取代的(C1-C6)亚烷基，并且优选地单键。
在式3中，n可以表示0或1的整数；并且f和g各自独立地可以表示1到4的整数，并且优选地1或2的整数。
在式4中，n可以表示0或1的整数，并且优选地1的整数；g可以表示1到4的整数，并且优选地1或2的整数；并且h可以表示1到3的整数，并且优选地1或2的整数。
在式4中，W可以表示–NR10-、-O-、-S-或–CR11R12-，并且优选地–NR10-。
在式4中，R10可以表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基，或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基，优选地经取代或未经取代的(C6-C20)芳基，并且更优选地未经取代的(C6-C18)芳基，如未经取代的苯基。
在式4中，R11和R12各自独立地可以表示经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3大30元)杂芳基，优选点经取代或未经取代的(C1-C20)烷基，并且更优选地未经取代的(C1-C15)烷基，如未经取代的甲基。
在本文中，“(C1-C30)烷基”指示具有1至30个、优选地1至20个并且更优选地1至10个碳原子的直链或支链烷基，并且包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。“(C3-C30)环烷基”指示具有3到30个、优选地3到20个并且更优选地3到7个碳原子的单或多环烃，并且包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。此外，“(C6-C30)(亚)芳基”指衍生自芳香族烃并且具有6到30个、优选地6到20个并且更优选地6到15个环主链碳原子的单环或稠环，并且包括苯基、联苯基、联三苯、萘基、联萘、苯基萘基、萘基苯基、芴基、苯基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、苯基菲基、蒽基、茚基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基、屈基、稠四苯基、荧蒽基等。“(3到30元)(亚)杂芳基”指示具有3至30个、优选地5至25个环主链原子(包括至少一个、优选地1至4个选自B、N、O、S、Si和P组成的组的杂原子)的芳基；可以是单环或与至少一个苯环缩合的稠环；可以是部分饱和的；可以是通过使至少一个杂芳基或芳基经由(一个或多个)单键键联到杂芳基所形成的基团；并且包括单环型杂芳基，如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、异噻唑基、异恶唑基、恶唑基、恶二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋咱基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基等；和稠环型杂芳基，如苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并异恶唑基、苯并恶唑基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、啡恶嗪基、啡啶基、苯并间二氧杂环戊烯基等。此外，“卤素”包括F、Cl、Br和I。
在本文中，表述“经取代或未经取代的”中的“经取代的”意指某一官能团中的氢原子经另一个原子或基团，即取代基置换。式1至4的R1到R12、L1、Ar1、Ar2以及Z中的经取代的烷基、、经取代的(亚芳基)、经取代的(亚)杂芳基、经取代的环烷基、经取代的烷氧基、经取代的三烷基硅烷基、经取代的二烷基芳基硅烷基、经取代的烷基二芳基硅烷基、经取代的三芳基硅烷基、经取代的单或二烷基氨基、经取代的单或二芳基氨基、经取代的烷基芳基氨基以及经取代的单环或多环脂环族环或芳香族环的取代基各自独立地是选自由以下组成的群组的至少一个：氘；卤素；氰基；羧基；硝基；羟基；(C1-C30)烷基；卤代(C1-C30)烷基；(C2-C30)烯基；(C2-C30)炔基；(C1-C30)烷氧基；(C1-C30)烷硫基；(C3-C30)环烷基；(C3-C30)环烯基；(3到7元)杂环烷基；(C6-C30)芳氧基；(C6-C30)芳硫基；未经取代或经(C6-C30)芳基取代的(3到30元)杂芳基；未经取代或经氰基、(3到30元)杂芳基或单或二(C6-C30)芳基氨基取代的(C6-C30)芳基；三(C1-C30)烷基硅烷基；三(C6-C30)芳基硅烷基；二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基；(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基；氨基；单或二(C1-C30)烷基氨基；单或二(C6-C30)芳基氨基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；(C1-C30)烷基羰基；(C1-C30)烷氧羰基；(C6-C30)芳基羰基；二(C6-C30)芳基硼基；二(C1-C30)烷基硼基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼基；(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基；以及(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基；并且优选地，各自独立地是选自由以下组成的群组的至少一个：(C1-C6)烷基；未经取代或经(5到25元)杂芳基或二(C6-C25)芳基氨基取代的(C6-C25)芳基；未经取代或经(C6-C25)芳基取代的(5到25元)杂芳基；单或二(C6-C20)芳基氨基；以及(C1-C20)烷基(C6-C25)芳基；或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代或未经取代的(C5-C30)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可以经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；并且取代基可以包括未经取代的甲基、未经取代或经咔唑基或二苯氨基取代的苯基、未经取代的联苯基、未经取代的萘基、经甲基取代的芴基、经甲基取代的苯并芴基、未经取代的二苯并噻吩基、未经取代或经苯基取代的咔唑基、未经取代或经苯基取代的苯并咔唑基、未经取代的二苯并咔唑基、经苯基取代的嘧啶基、未经取代的苯并萘并噻吩基或未经取代的二(C6-C12)芳基氨基；或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经苯基取代的吲哚环、经苯基取代的苯并吲哚环、未经取代的苯环、经甲基取代的苯并茚环或经甲基取代的茚环。
具体来说，式1化合物包括以下，但不限于此。
本公开的有机电致发光装置可以包含第一电极、面对第一电极的第二电极、在第一电极与第二电极之间的发光层以及在发光层与第二电极之间的电子传输区，其中电子传输区可以包含由上式1表示的化合物。此外，本公开的有机电致发光装置可以包含第一电极、面对第一电极的第二电极、在第一电极与第二电极之间的发光层以及在发光层与第二电极之间的电子传输区和电子缓冲层，其中电子传输区和/或电子缓冲层可以包含由上式1表示的化合物。电子缓冲层可以解决在面板生产过程中暴露于高温时的电流特征可以改变的问题，这可能引起亮度变化。就此而言，对于具有电子缓冲层的OLED，含在这类电子缓冲层中的化合物的性质是关键的，使得OLED具有与其中不包含电子缓冲层OLED类似的电流特性，并且OLED对暴露于高温下具有稳定性。
由上式1表示的化合物包含具有高电负性和富电子基团的菲并恶唑和菲并噻唑化合物，以及提供刚性特性的菲和恶唑或菲和噻唑之间的稠合结构。因此，由上式1表示的化合物可以提供容易的分子间转变。此外，这类分子间堆叠的构建可以提供容易的水平分子取向，并且然后可以提供快速的电子电流特性。因此，本公开的化合物可以大大地有助于提供低驱动电压以及改进有机电致发光装置的效率和寿命。这些装置特性对面板生产过程期间的高温暴露的稳定性以及性能改进有很大影响。
根据本公开的一个方面，提供了包含由式1表示的化合物的电子缓冲材料。电子缓冲材料指示控制电子流动的材料。因此，电子缓冲材料可以是例如俘获电子、阻挡电子或降低电子传输区和发光层之间的能垒的材料。具体来说，电子缓冲材料可以用于有机电致发光装置。在有机电致发光装置中，电子缓冲材料可以用于制备电子缓冲层，或者可以并入到另一个区域，如电子传输区或发光层。电子缓冲层可以形成在发光层和电子传输区之间，或者形成在有机电致发光装置的电子传输区域和第二电极之间。电子缓冲材料可以是可以进一步包含通常用于制备有机电致发光装置的材料的混合物或组合物。
在下文中，参考图1，将详细描述有机电致发光装置的结构及其制备方法。
图1示出了有机电致发光装置100，其包含衬底101、形成在衬底101上的第一电极110、形成在第一电极110上的有机层120以及形成在有机层120上并面对第一电极110的第二电极130。
有机层120包含空穴注入层122、形成在空穴注入层122上的空穴传输层123、形成在空穴传输层123上的发光层125、形成在发光层125上的电子缓冲层126和形成在电子缓冲层126上的电子传输区129；并且电子传输区129包含形成在电子缓冲层126上的电子传输层127和形成在电子传输层127上的电子注入层128。空穴注入层122、空穴传输层123、发光层125、电子缓冲层126、电子传输层127和电子注入层128可以是单层，或者可以由两层或更多层组成。
衬底101可以是用于有机电致发光装置的任何常规衬底，如玻璃衬底、塑料衬底或金属衬底。
第一电极110可以是阳极，并且可以用高功函数材料制备。
空穴注入层122可以用本领域已知的任何空穴注入材料制备。已知材料可以包括酞菁如酞菁铜等，MTDATA(4,4',4"-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺)、2-TNATA(4,4',4"-三[2萘基(苯基)氨基]三苯胺)、N1,N1'-([1,1'-联苯]-4,4'-二基)双(N1-(萘-1-基)-N4,N4-二苯基苯-1,4-二胺)、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS(聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)或Pani/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))等，但不限于此。
此外，空穴注入层122可以由由下式200表示的化合物形成。
其中R可以选自由以下组成的群组：氰基(-CN)、硝基(-NO2)、苯基磺酰基(-SO2(C6H5))、经氰基或硝基取代的(C2-C5)烯基和经氰基或硝基取代的苯基。
式200的化合物具有要结晶的特性。因此，通过使用该化合物，空穴注入层122可以具有强度。式200化合物的实例包括HAT-CN(1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基-六腈)。
空穴传输层123可以用本领域已知的任何空穴传输材料制备。已知材料的实例可以包括芳香族胺衍生物，特别是联苯二胺衍生物，如TPD(N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基联苯胺)、N4,N4,N4',N4'-四([1,1'-联苯]-4-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺和下述化合物，但不限于此。
发光层125可以用主体化合物和掺杂剂化合物制备。待使用的主体化合物和掺杂剂化合物的种类没有特别限制，并且可以选自本领域已知的化合物。以下将描述主体化合物和掺杂剂化合物的实例。当发光层125包含主体和掺杂剂时，掺杂剂的掺杂量可以小于约25重量％，并且优选地小于17重量％，以发光层的掺杂剂和主体的总量计。当发光层125由两层或更多层组成时，每层可以被制备为发射彼此不同的颜色。举例来说，通过准备分别发射蓝色、红色和绿色的三个发光层125，装置可发射白光。此外，如果需要，装置可以包括发射黄色或橙色的发光层。
电子缓冲层126可以使用本公开的式1的化合物或用于电子缓冲剂的其它化合物。电子缓冲层126的厚度为1nm或更大，但不特别限定于此。具体来说，电子缓冲层126的厚度可以在2nm到200nm的范围内。电子缓冲层126可以通过使用已知的各种方法如真空沉积、湿膜形成方法、激光诱导热成像等形成在发光层125上。电子缓冲层126可以包含由下式20表示的化合物。
其中
A表示经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基；
L表示单键、经取代或未经取代的(C6-C30)亚芳基或经取代或未经取代的(5到30元)亚杂芳基；
R21表示下式20a或20b：
R22表示氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷基氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳基氨基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基，或下式21；或可以雨咔唑主链稠合衣形成经取代或未经取代的苯并咔唑；
X表示O、S、CR31R32、NR33或SiR33R34；
R23表示氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷基氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳基氨基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；
R24、R25、R27和R30各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳基氨基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代或未经取代的(C3-C30)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；
R26、R28和R29各自独立地表示经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基、经取代或未经取代(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷基氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳基氨基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；
R31到R34各自独立地表示经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基；或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代或未经取代的(C3-C30)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；
aa、cc、dd、ee和ff各自独立地表示0到4的整数；其中aa、cc、dd、ee或ff是2或更大的整数，R22、R24、R25、R27或R30中的每一个可以相同或不同；
bb表示0到3的整数；在bb是2或更大的整数的情况下，每个R23可相同或不同；
nn表示0或1的整数；mm表示1或2的整数；
*表示与咔唑主链的结合位点；和
(亚)杂芳基含有选自B、N、O、S、Si和P的一个或多个杂原子；
在式20中，A可以优选地表示经取代或未经取代的含氮(5到30元)杂芳基；并且更优选地经取代或未经取代的含氮(6到20元)杂芳基。具体来说，M可表示经取代或未经取代的吡啶基、经取代或未经取代的嘧啶基、经取代或未经取代的三嗪基、经取代或未经取代的吡嗪基、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的异喹啉基、经取代或未经取代的喹啉基、经取代或未经取代的喹唑啉基、经取代或未经取代的喹喔啉基或经取代或未经取代的萘啶基；并且更具体来说经取代或未经取代的吡啶基、经取代或未经取代的嘧啶基、经取代或未经取代的三嗪基、经取代或未经取代的吡嗪基。
在式20中，L可以优选地表示单键或经取代或未经取代的(C6-C20)亚芳基；并且更优选地单键或未经取代的(C6-C18)亚芳基。具体来说，L可以表示单键、经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的联三苯、经取代或未经取代的苯基萘基或经取代或未经取代的萘基苯基。
在式20中，R22优选地可以表示氢、氘、经取代或未取代的(C6-C20)芳基、经取代或未经取代的(5到20元)杂芳基、经取代或未经取代的单或二(C6-C20)芳基氨基，或式21，或者可以与咔唑主链稠合以形成经取代或未经取代的苯并咔唑。具体来说，R22可以表示氢或经取代或未经取代的(C6-C20)芳基。更具体来说，R22可以表示氢、经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的二苯并噻吩基、经取代或未经取代的二苯并呋喃基、经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的二苯基氨基、经取代或未经取代的芴基或式21，或可以与咔唑主链稠合以形成经取代或未经取代的苯并咔唑。
在式21中，X可以优选地表示O、S、CR31R32或NR33。R30可以优选地表示氢或(C1-C20)烷基。R31至R34各自独立地可以优选地表示氢、经取代或未经取代的(C1-C10)烷基、经取代或未经取代的(C6-C20)芳基或经取代或未经取代的(5至20元)杂芳基；并且具体来说氢、(C1-C6)烷基、苯基、萘基或联苯基。
在式20中，R23、R24、R25和R27各自独立地可以优选地表示氢或经取代或未经取代的(C1-C20)烷基。具体来说，R23、R24、R25和R27可以表示氢。
在式20中，R26、R28和R29各自独立地可以优选地表示经取代或未经取代的(C1-C20)烷基、经取代或未经取代的(C6-C20)芳基或经取代或未经取代的(6到20元)杂芳基；并且更优选地经取代或未经取代的(C6-C20)芳基。具体来说，R26、R28和R29各自独立地可表示经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的联苯基或经取代或未经取代的萘基。
具体来说，式20化合物包括以下，但不限于此。
电子传输区129是指电子从第二电极传输到发光层的区域。电子传输区129可以包含电子传输化合物、还原性掺杂剂或其组合。电子传输化合物可以为选自包含以下的组中的至少一种：恶唑系化合物、异恶唑系化合物、三唑系化合物，、噻唑系化合物、恶二唑系化合物、噻二唑系化合物、苝系化合物、蒽系化合物、铝络合物和镓络合物。还原性掺杂剂可以选自碱金属、碱金属化合物、碱土金属、稀土金属以及它们的卤化物、氧化物和络合物。具体来说，还原性掺杂剂包括喹啉酸锂、喹啉酸钠、喹啉酸铯、喹啉酸钾、LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO和BaF2，但不限于此。另外，电子传输区129可以包含电子传输层127、电子注入层128或它们两者。电子传输层127和电子注入层128可以各自由两层或更多层组成。电子传输层127可以包含包括由式1表示的化合物的电子传输材料或已知的电子传输材料。已知电子传输材料的实例可以包括上述电子传输化合物，但不限于此。另外，电子传输层127可以进一步包含上述还原性掺杂剂。
电子注入层128可以用本领域已知的任何电子注入材料制备，包括喹啉酸锂、喹啉酸钠、喹啉酸铯、喹啉酸钾、LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO和BaF2，但不限于此。
第二电极130可以是阴极，并且可以用低功函数材料制备。
上述关于图1所示的有机电致发光装置的描述旨在解释本发明的一个实施例，并不意味着以任何方式限制本发明的范围。有机电致发光装置可以以另一种方式构造。举例来说，除了发光层和电子缓冲层之外，图1的有机电致发光装置中可以不包含任何一种任选组件，如空穴注入层。另外，其中可以进一步包含任选组件，其包括空穴阻挡层、电子阻挡层、如n-掺杂层和p-掺杂层的杂质层、空穴辅助层和辅助发光层中的一个或多个。空穴辅助层或辅助发光层插入在空穴传输层和发光层之间，并调节空穴迁移率。空穴辅助层或辅助发光层具有提供有机电致发光装置的改进的效率和寿命的效果。有机电致发光装置可以是其中发光层置于杂质层的两侧中的每一侧上的双侧发射型。杂质层上的两个发光层可以发射不同的颜色。有机电致发光装置可以是其中第一电极是透明电极并且第二电极是反射电极的底部发射型。有机电致发光装置可以是其中第一电极是反射电极并且第二电极是透明电极的顶部发射型。有机电致发光装置可以具有倒置型结构，其中阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极依序地堆叠在衬底上。
图2示出根据本公开的一个实施例的有机电致发光装置的空穴传输层、发光层、电子缓冲层和电子传输区之间的能带图。
在图2中，依序地堆叠空穴传输层123、发光层125、电子缓冲层126和电子传输区129。从阴极注入的电子(e-)通过电子传输区129和电子缓冲层126传输到发光层125。
通过在包含第一和第二电极以及发光层的有机电致发光装置中在发光层和第二电极之间插入电子缓冲层，可以通过电子缓冲层的电子亲合力LUMO(最低未占用分子轨道)能量控制电子注入。
LUMO(“最低未占用分子轨道”)和HOMO(“最高占用分子轨道”)具有负能级。然而，为了方便，在本公开中，LUMO能级和HOMO能级由绝对值表示。因此，LUMO能级和HOMO能级之间的比较是根据它们的绝对值进行的。在本公开中，通过密度泛函理论(DFT)计算LUMO能级和HOMO能级。
在本公开的OLED中，电子缓冲层的LUMO能级可以高于主体化合物的LUMO能级。具体来说，电子缓冲层和主体化合物之间的LUMO能级差可以为0.2eV至0.3eV或更低，并且优选为约±0.1eV。举例来说，电子缓冲层和主体化合物的LUMO能级可以分别为约1.8eV和约1.6eV，并且因此LUMO能级的差可以为约0.2eV。尽管主体化合物和电子缓冲层之间的LUMO能垒可引起驱动电压的增加，但包含在电子缓冲层中的式1化合物可允许形成适于在电子传输层和发光层容易的电子注入的LUMO能级。因此，本公开的OLED可以具有低驱动电压、高发光效率和长寿命。在本文中，具体来说，电子缓冲层的LUMO能级可以指示包含在电子缓冲层中的式1化合物的LUMO能级。
在本公开的OLED中，电子缓冲层的LUMO能级可以低于或高于电子传输区的LUMO能级。举例来说，电子缓冲层和电子传输区的LUMO能级可分别为约1.8eV和约1.9eV，并且因此LUMO能级的差可为约0.1eV。由于电子缓冲层的LUMO能级，电子可以通过电子缓冲层容易地注入到发光层中。然而，电子传输区的LUMO能级可以为约1.7eV或更大或约1.9eV或更大。举例来说，电子缓冲层和电子传输区的LUMO能级可分别为约1.7eV和约1.9eV，并且因此LUMO能级的差可为约0.2eV。如上所述，尽管电子缓冲层和电子传输区之间存在能垒，但包含在电子缓冲层中的本公开化合物可以提供电子电流的快速性。
通常，电子缓冲层的LUMO能级可以在主体化合物和电子传输区的LUMO能级之间。举例来说，LUMO能级可能具有以下关系：电子传输区>电子缓冲层>主体化合物。根据上述LUMO关系，电子可以通过级联从电子传输区通过电子缓冲层适当地注入到发光层，并且因此，包含式1化合物的电子缓冲层可以容易地将电子传输到发光层。因此，本公开的有机电致发光装置具有低驱动电压、、高发光效率和长寿命。
可以通过已知的各种方法容易地测量LUMO能级。通常，可以使用循环伏安法或紫外光电子能谱法(UPS)。因此，本领域技术人员可以容易地理解和确定满足上述LUMO能级关系的电子缓冲层、主体材料和电子传输区，从而他/她可以容易地体现本公开的电子缓冲层、主体材料和电子传输区。HOMO能级可以以与LUMO能级相同的方式容易地测量。
待用于本公开中的主体化合物可以是磷光主体化合物或荧光主体化合物。所使用的主体化合物的种类没有特别限制，并且可以是具有上述LUMO能级并选自本领域已知的化合物的化合物。具体来说，主体化合物可以是荧光主体化合物。荧光主体化合物可以是由下式30表示的蒽系的化合物。
其中Ar31和Ar32各自独立地表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基；Ar33和Ar34各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、硝基、羟基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基硅烷基或-NR41R42；R41和42各自独立地表示氢、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(5到30元)杂芳基，或者可以彼此键合以形成(C3-C30)单环或多环脂环族或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可以经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；gg和hh各自独立地表示1至4的整数；并且在gg或hh为2或更大的整数的情况下，Ar33或Ar34中的每个可以相同或不同。
在式30中，Ar31和Ar32各自独立地可以优选地表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基。具体来说，Ar31和Ar32各自独立地可以表示氢、经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的蒽基、被经取代或未经取代的菲基、经取代或未经取代的稠四苯基、经取代或未经取代的荧蒽基、经取代或未经取代的芘基或经取代或未经取代的屈基。在式30中，Ar33和Ar34各自独立地可以优选地表示氢、经取代或未经取代的(C6-C21)芳基、经取代或未经取代的(5到21元)杂芳基或-NR41R42。
具体来说，式30化合物包括以下，但不限于此：
待用于本公开中的掺杂剂化合物可以是磷光掺杂剂化合物或荧光掺杂剂化合物。具体来说，掺杂剂化合物可以是荧光掺杂剂化合物。荧光掺杂剂化合物可以是由下式40表示的缩合多环胺衍生物。
其中Ar41表示经取代或未经取代的(C6-C50)芳基或苯乙烯基；La表示单键、经取代或未经取代的(C6-C30)亚芳基或经取代或未经取代的(3到30元)亚杂芳基；Ar42和Ar43各自独立地表示氢、氘、卤素、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基，或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成(C3-C30)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可以经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；jj表示1或2；并且在jj是2的情况下，每个可以相同或不同。
Ar41的优选的芳基是经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的芴基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的屈基和经取代或未经取代的苯并芴基和和螺[芴-苯并芴]等。
具体来说，式40化合物包括以下，但不限于此：
包含在本公开的有机电致发光装置中的掺杂剂优选地为至少一种磷光掺杂剂。用于本公开的有机电致发光装置的磷光掺杂剂材料不受限制，但可以优选地选自铱(Ir)、锇(Os)、铜(Cu)或铂(Pt)的金属化络合化合物，更优选地选自铱(Ir)、锇(Os)、铜(Cu)或铂(Pt)的邻位金属化络合化合物，并且甚至更优选地是邻位金属化铱络合化合物。
由下式100到102表示的化合物可用作包含在本公开的有机电致发光装置中的掺杂剂。
其中Ld选自以下结构：
R100表示氢、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基或经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基；
R101到R109和R111到R123各自独立地表示氢、氘、卤素、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、氰基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基；并且R120到R123各自独立地可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成稠环，例如经取代或未经取代的喹啉；
R124到R127各自独立地表示氢、氘、卤素、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基或经取代或未经取代的(C6-C30)芳基；R124到R127各自独立地可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成稠环，例如经取代或未经取代的芴、经取代或未经取代的二苯并噻吩或经取代或未经取代的二苯并呋喃；
R201到R211各自独立地表示氢、氘、卤素、经取代或未经素取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基或经取代或未经取代的(C6-30)芳基；R201到R211可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成稠环，例如经取代或未经取代的二苯并呋喃或经取代或未经取代的二苯并噻吩；
r和s各自独立地表示1到3的整数；在r或s为2或更大的整数的情况下，每个R100可相同或不同；并且
t表示1到3的整数。
具体来说，磷光掺杂剂包括以下：
本公开的OLED装包含式1的有机电致发光化合物，并且可进一步包含选自芳基胺系化合物和苯乙烯基芳基胺系化合物组成的组的至少一种化合物。
在本公开的OLED中，除式1化合物以外，有机层还可以进一步包含选自由以下组成的群组的至少一种金属：周期表的第1族金属、第2族金属、第4周期过渡金属、第5周期过渡金属、镧系元素以及d-过渡元素的有机金属，或包含所述金属的至少一种络合物化合物。有机层可进一步包含发光层和电荷产生层。
在本公开的OLED中，优选地，至少一个层(在下文中为“表面层”)可以放置在一个或两个电极的(一个或多个)内表面上，所述层选自硫族化合物层、金属卤化物层以及金属氧化物层。具体来说，硅或铝的硫族化合物(包括氧化物)层优选地放置在电致发光中间层的阳极表面上，并且金属卤化物层或金属氧化物优选地放置在电致发光中间层的阴极表面上。这类表面层为有机电致发光装置提供操作稳定性。优选地，硫族化合物包括SiOX(1≤X≤2)、AlOX(1≤X≤1.5)、SiON、SiAlON等；金属卤化物包括LiF、MgF2、CaF2、稀土金属氟化物等；并且金属氧化物包括Cs2O、Li2O、MgO、SrO、BaO、CaO等。
在本公开的OLED中，电子传输化合物和还原性掺杂剂的混合区域或空穴传输化合物和氧化性掺杂剂的混合区域可以放置在一对电极的至少一个表面上。在这种情况下，电子传输化合物被还原成阴离子，并且因此变得更加容易注入电子并且将电子从混合区域传输到电致发光介质。此外，空穴传输化合物被氧化成阳离子，并且因此变得更加容易注入空穴并且将空穴从混合区域传输到电致发光介质。优选地，氧化性掺杂剂包括各种路易斯酸和受体化合物；并且还原性掺杂剂包括碱金属、碱金属化合物、碱土金属、稀土金属以及其混合物。还原性掺杂剂层可以用作电荷产生层以制备具有两个或更多个发光层并且发射白光的电致发光装置。
为了形成本公开的有机电致发光装置的每一层，可以使用干膜形成方法，如真空蒸发、溅镀、等离子体以及离子电镀方法；或湿膜形成方法，如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、浸渍涂布以及流动涂布方法。
在下文中，将参考以下实例详细地解释本公开的有机电致发光化合物、化合物的制备方法和包含包含本公开的化合物的电子缓冲材料或电子传输材料的OLED的发光特性。
[实例1]制备化合物C-24
1)制备化合物1-1
在将化合物A(CAS：1044146-16-8，36g，124mmol)、4-氯-2-甲酰基苯硼酸(25.2g，136mmol)、四(三苯基膦)钯(5.7g，5.0mmol)、碳酸钠(33g，150mmol)、甲苯(600mL)、乙醇(150mL)以及蒸馏水(150mL)添加到反应容器中后，在140℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，沉淀的固体用蒸馏水和MeOH洗涤。得到的化合物1-1用于下一反应，无需进一步纯化。
2)制备化合物1-2
在将化合物1-1(45.6g，130mmol)、(甲氧基甲基)三苯基氯化鏻(74.3g，217mmol)以及四氢呋喃(1500mL)引入到反应容器中后，搅拌反应混合物5分钟，并且然后在0℃下将叔丁醇钾(KOtBu)(在THF中1M，220mL)缓慢逐滴添加到其中。混合物缓慢升温到室温，并且然后再搅拌3小时。提供向反应混合物中添加蒸馏水使反应完成，并且然后用乙酸乙酯萃取混合物。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余的产物通过柱色谱纯化，得到化合物1-2(48g，产率：97％)。
3)制备化合物1-3
在将化合物1-2(44.8g，119mmol)、伊顿试剂(Eaton's reagent)(4.5mL)和氯苯(600mL)引入到反应容器中后，在回流下搅拌混合物2小时。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并且然后用二氯甲烷(MC)萃取。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余的产物通过柱色谱纯化，得到化合物1-3(36.3g，产率：89％)。
4)制备化合物C-24
在将化合物1-3(8g，23mmol)、化合物B(CAS：1060735-14-9，9.5g，23mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)(1g，1.16mmol)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(0.95g，2.31mmol)、叔丁醇钠(NaOtBu)(4.5g，46.3mmol)以及邻二甲苯(150mL)添加到反应容器中后，在170℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体通过柱色谱纯化，得到化合物C-24(8.7g，产率：68％)。
[实例2]制备化合物C-1
1)制备化合物2-1
在将化合物C(10g，29mmol)、双(频哪醇根基)二硼烷(8.8g，34.8mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)(1.3g，1.45mmol)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(1.2g，2.9mmol)、乙酸钾(KOAc)(8.5g，87mmol)以及1,4-二恶烷(150mL)添加到反应容器中后，在140℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，将混合物冷却到室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余的产物通过柱色谱纯化，得到化合物2-1(10.4g，产率：82％)。
2)制备化合物C-1
在将化合物2-1(10g，23.8mmol)、2-氯-4,6-二苯基三嗪(CAS：3842-55-5，6.4g，23.8mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)(1g，1.16mmol)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(1g，2.31mmol)、叔丁醇钠(NaOtBu)(4.5g，46.3mmol)以及邻二甲苯(150mL)添加到反应容器中后，在170℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体通过柱色谱纯化，得到化合物C-1(8.2g，产率：55％)。
[实例3]制备化合物C-17
在将化合物C(8g，23.1mmol)、化合物D(CAS：1448296-00-1，7.7g，23.1mmol)、四(三苯基膦)钯(1.4g，1.19mmol)、K2CO3(8.2g，60mmol)、甲苯(90mL)、乙醇(30mL)以及蒸馏水(30mL)添加到反应容器中后，在140℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，沉淀的固体用蒸馏水和MeOH洗涤。得到的化合物通过柱色谱纯化，得到化合物C-17(8.7g，产率：77％)。
[实例4]制备化合物C-39
1)制备化合物3-1
在将化合物E(CAS：913835-76-4，40g，212.7mmol)、苯甲醛(27g，255.29mmol)、氰化钠(10.4g，212.7mmol)以及N,N-二甲基甲酰胺(DMF)(1000mL)添加到反应容器中后，在100℃下搅拌混合物3小时。在反应溶液冷却至室温后，用乙酸乙酯萃取溶液。得到的化合物3-1用于下一反应，无需进一步纯化。
2)制备化合物3-2
在将化合物3-1(35g，128mmol)、4-氯-2-甲酰基苯硼酸(26g，141mmol)、四(三苯基膦)钯(6g，5.1mmol)、碳酸钠(34g，320mmol)、甲苯(600mL)、乙醇(150mL)以及蒸馏水(150mL)添加到反应容器中后，在140℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，沉淀的固体用蒸馏水和MeOH洗涤。得到的化合物3-2用于下一反应，无需进一步纯化。
3)制备化合物3-3
在将化合物3-2(19g，56.9mmol)、(甲氧基甲基)三苯基氯化鏻(29.3g，85.4mmol)以及四氢呋喃(500mL)引入到反应容器中后，搅拌反应混合物5分钟，并且然后在0℃下，将叔丁醇钾(KOtBu)(在THF中1M，85mL)缓慢逐滴添加到其中。混合物缓慢升温到室温，并且然后再搅拌3小时。在将蒸馏水添加到反应溶液中以终止反应后，用乙酸乙酯萃取溶液。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余的产物通过柱色谱纯化，得到化合物3-3(16.4g，产率：80％)。
4)制备化合物3-4
在将化合物3-3(14.4g，39.8mmol)、伊顿试剂(1.4mL)以及氯苯(200mL)引入到反应容器中后，在回流下搅拌混合物2小时。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并且然后用二氯甲烷(MC)萃取。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余的产物通过柱色谱纯化，得到化合物3-4(11.1g，产率：79％)。
5)制备化合物C-39
在将化合物3-4(4g，12.1mmol)、化合物B(CAS：1060735-14-9，4.9g，12.1mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)(0.5g，0.61mmol)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(0.5g，1.21mmol)、叔丁醇钠(NaOtBu)(2.33g，24.3mmol)以及邻二甲苯(100mL)添加到反应容器中后，在170℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体通过柱色谱纯化，得到化合物C-39(8.7g，产率：47％)。
[实例5]制备化合物C-49
1)制备化合物2-1
化合物2-1以与实例2中所描述的相同方式制备。
2)制备化合物C-49
在将化合物2-1(4.5g，10mmol)、2-氯-4,6-二苯基嘧啶(CAS：2915-16-4，2.7g，10mmol)、四(三苯基膦)钯(0.47g，0.4mmol)、K2CO3(3.6g，26mmol)、甲苯(50mL)、EtOH(13mL)以及蒸馏水(13mL)添加到反应容器中后，在120℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体通过柱色谱纯化，得到化合物C-49(4.5g，产率：73％)。
[实例6]制备化合物C-75
1)制备化合物4-1
在将化合物F(7.2g，21.8mmol)、双(频哪醇根基)二硼烷(6.6g，26.2mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)(1.0g，1.1mmol)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(0.89g，2.2mmol)、乙酸钾(KOAc)(6.4g，65mmol)以及1,4-二恶烷(150mL)添加到反应容器中后，在140℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，将混合物冷却到室温，并且然后用乙酸乙酯萃取混合物。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余的产物通过柱色谱纯化，得到化合物4-1(5.2g，产率：57％)。
2)制备化合物C-75
在将化合物4-1(5.2g，12.3mmol)、2-氯-4,6-二苯基嘧啶(CAS：2915-16-4，3.3g，12.3mmol)、四(三苯基膦)钯(0.71g，0.62mmol)、K2CO3(4.2g，30mmol)、甲苯(60mL)、EtOH(20mL)以及蒸馏水(20mL)添加到反应容器中后，在120℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体通过柱色谱和重结晶纯化，获得化合物C-75(5.3g，产率：82％)。
[实例7]制备化合物C-140
1)制备化合物G
除了用5-氯-2-甲酰基硼酸代替4-氯-2-甲酰基苯硼酸之外，以与实例4中制备化合物3-2的程序相同的方式制备化合物G。
2)制备化合物5-1
在将化合物G(15g，45.5mmol)、双(频哪醇根基)二硼烷(13.9g，54.6mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)(1.6g，1.8mmol)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(0.9g，3.64mmol)、乙酸钾(KOAc)(13g，136mmol)以及1,4-二恶烷(350mL)添加到反应容器中后，在140℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，将混合物冷却到室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余产物通过柱色谱纯化，得到化合物5-1(20g，产率：99％)。
3)制备化合物C-140
在将化合物5-1(10g，22.7mmol)、2-氯-4,6-二苯基嘧啶(CAS：2915-16-4，5.5g，20.6mmol)、四(三苯基膦)钯(1.2g，1.0mmol)、K2CO3(7.1g，56mmol)、甲苯(90mL)、EtOH(30mL)以及蒸馏水(30mL)添加到反应容器中后，在120℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体通过柱色谱和重结晶纯化，得到化合物C-140(5.5g，产率：51％)。
[实例8]制备化合物C-100
在将化合物5-1(10g，23.7mmol)、2-氯-4,6-二苯基三嗪(CAS：3842-55-5，5.8g，21.6mmol)、四(三苯基膦)钯(1.2g，1.0mmol)、K2CO3(7.5g，59mmol)、甲苯(90mL)、乙醇(30mL)以及蒸馏水(30mL)引入反应容器中后，在120℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体通过柱色谱和重结晶纯化，得到化合物C-100(5.7g，产率：50％)。
[实例9]制备化合物C-45
1)制备化合物9-1
在将化合物7-溴-2-苯基-苯并恶唑(37g，135mmol)、4-氯-2-甲酰基苯硼酸(25g，135mmol)、四(三苯基膦)钯(7.8g，6.7mmol)、碳酸钠(35g，338mmol)、甲苯(680mL)、EtOH(170mL)以及蒸馏水(170mL)添加到反应容器中后，在130℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，沉淀的固体用蒸馏水和MeOH洗涤。剩余产物通过柱色谱纯化，得到化合物9-1(26g，产率：60％)。
2)制备化合物9-2
在将化合物9-1(26g，80.2mmol)、(甲氧基甲基)三苯基氯化鏻(41g，120mmol)和四氢呋喃(800mL)引入到反应容器中后，搅拌反应混合物5分钟，并且然后在0℃下，将叔丁醇钾(KOtBu)(在THF中1M，120mL)缓慢逐滴添加到其中。。混合物缓慢升温到室温，并且然后再搅拌3小时。在将蒸馏水添加到反应溶液中以终止反应后，用乙酸乙酯萃取溶液。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余产物通过柱色谱纯化，得到化合物9-2(25g，产率：87％)。
3)制备化合物9-3
在将化合物9-2(25g，70.2mmol)、伊顿试剂(3mL)以及氯苯(350mL)引入到反应容器中后，在回流下搅拌混合物2小时。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并且然后用二氯甲烷(MC)萃取。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余产物通过柱色谱纯化，得到化合物9-3(13g，产率：56％)。
4)制备化合物9-4
在将化合物9-3(13g，39mmol)、双(频哪醇根基)二硼烷(12g，47mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)(1.8g，1.9mmol)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(1.6g，3.9mmol)、乙酸钾(KOAc)(11g，118mmol)以及1,4-二恶烷(330mL)添加到反应容器中后，在130℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，将混合物冷却到室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余产物通过管柱色谱纯化，得到化合物9-4(13g，产率：81％)。
5)制备化合物C-45
在将化合物9-4(13g，31mmol)、2-氯-4,6-二苯基三嗪(8g，30mmol)、四(三苯基膦)钯(1.7g，1.5mmol)、K2CO3(10g，75mmol)、甲苯(140mL)、EtOH(35mL)以及蒸馏水(35mL)添加到反应容器中后，在130℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，沉淀的固体用蒸馏水和MeOH洗涤。剩余产物通过柱色谱法纯化，得到化合物C-45(7.7g，产率：49％)。
[实例10]制备化合物C-141
在将化合物9-4(3g，7.1mmol)、2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(CAS：864377-31-1，3.04g，7.8mmol)、四(三苯基膦)钯(0.41g，0.36mmol)、碳酸钠(1.9g，17.8mmol)、甲苯(24mL)、EtOH(6mL)以及蒸馏水(6mL)添加到反应容器中后，在120℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体通过柱色谱和重结晶纯化，得到化合物C-141(2.3g，产率：54％])。
[实例11]制备化合物C-142
在将化合物9-4(3.48g，8.3mmol)、2-([1,1'-联苯]-4-基)-4-氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(CAS：1472062-94-4，3.53g，9.1mmol)、四(三苯基膦)钯(0.48g，0.41mmol)、碳酸钠(2.2g，20.7mmol)、甲苯(28mL)、EtOH(7mL)以及蒸馏水(7mL)添加到反应容器中后，将、在120℃下搅拌混合物5小时。在反应完成后，将混合物逐滴添加到MeOH，并且然后过滤所得固体。得到的固体的通过柱色谱和重结晶纯化，得到化合物C-142(3.7g，产率：74％)。
[实例12]制备化合物C-101
1)制备化合物10-1
在将化合物A(20g，76.0mmol)、苯甲醛(8.1g，76.0mmol)、对甲苯磺酸(1.5g，7.6mmol)和EtOH(380mL)添加到反应容器中后，在回流下搅拌混合物24小时。在反应完成后，沉淀的固体用蒸馏水和MeOH洗涤。剩余产物通过柱色谱纯化，得到化合物10-1(20g，产率：75％)。
2)制备化合物10-2
在将化合物10-1(20g，57.3mmol)、4-氯-2-甲酰基苯硼酸(10.6g，57.3mmol)、四(三苯基膦)钯(2.0g，1.7mmol)、碳酸钠(15.2g，143.3mmol)、甲苯(300mL)、EtOH(100mL)和蒸馏水(100mL)添加到反应容器中后，在120℃下搅拌混合物3小时。在反应完成后，沉淀的固体用蒸馏水和MeOH洗涤。剩余的产物通过柱色谱纯化，得到化合物10-2(16.5g，产率：70％)。
3)制备化合物10-3
在将化合物10-2(16.5g，40.4mmol)、(甲氧基甲基)三苯基氯化鏻(21g，61mmol)和四氢呋喃(400mL)添加到反应容器中后，搅拌反应混合物5分钟，并且然后在0℃下，将叔丁醇钾(KOtBu)(在THF中1M，60mL)缓慢逐滴添加到其中。混合物缓慢升温到室温，并且然后再搅拌3小时。在将蒸馏水添加到反应溶液中以终止反应后，用乙酸乙酯萃取溶液。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余产物通过柱色谱纯化，得到化合物10-3(12g，产率：68％)。
4)制备化合物10-4
在将化合物10-3(12g，27.5mmol)、伊顿试剂(1.2mL)以及氯苯(140mL)引入到反应容器中后，在回流下搅拌混合物2小时。在反应完成后，将混合物冷却至室温，并且然后用二氯甲烷(MC)萃取。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余产物通过柱色谱纯化，得到化合物10-4(8g，产率：72％)。
5)制备化合物10-5
在将化合物10-4(8g，19.8mmol)、双(频哪醇根基)二硼烷(6g，23.7mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3)(0.7g，0.8mmol)、2-二环己基膦基-2',6'-二甲氧基联苯(s-phos)(0.7g，1.6mmol)\乙酸钾(KOAc)(5.8g，59.4mmol)和1,4-二恶烷(100mL)添加到反应容器中后，在130℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，将混合物冷却到室温，并且然后用乙酸乙酯萃取。在用硫酸镁干燥所萃取的有机层后，用旋转式蒸发器从其去除溶剂。剩余产物通过柱色谱纯化，得到化合物10-5(7g，产率：71％)。
6)制备化合物C-101
在将化合物10-5(5g，10.1mmol)、2-氯-4,6-二苯基三嗪(2.7g，30mmol)、四(三苯基膦)钯(0.4g，0.3mmol)、碳酸钠(3.5g，25.3mmol)、甲苯(50mL)、EtOH(12mL)以及蒸馏水(12mL)添加到反应容器中后，在120℃下搅拌混合物4小时。在反应完成后，沉淀的固体用蒸馏水和MeOH洗涤。剩余的产物通过柱色谱纯化，得到化合物C-101(4.1g，产率：67％)。
代表性化合物的具体性质数据列于下表中：
在下文中，为了详细理解本公开，将解释包含本公开的有机电致发光化合物的OLED的发光性质。
[比较实例1]制备其中不包含电子缓冲层的发蓝光OLED
OLED使用本公开的有机电致发光化合物如下制造。使OLED(Geomatec)的玻璃衬底上的透明电极氧化铟锡(ITO)薄膜(10Ω/sq)依序经历用丙酮、乙醇和蒸馏水的超声波洗涤，并且然后储存在异丙醇中。然后将ITO衬底安装在真空气相沉积设备的衬底固持器上。将N4,N4'-二苯基-N4,N4'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(化合物HI-1)引入真空气相沉积设备的单元中，并且然后将所述设备的腔室中的压力控制为10-7托。此后，向所述单元施加电流以蒸发上述引入的材料，由此在ITO衬底上形成厚度为60nm的第一空穴注入层。然后，将1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基六腈(HAT-CN)(化合物HI-2)引入到所述真空气相沉积设备的另一单元中，并且通过向所述单元施加电流而蒸发，从而在第一空穴注入层上形成厚度为5nm的第二空穴注入层。然后，将N-([1,1'-联苯基]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT-1)引入到所述真空气相沉积设备的另一单元中，并且通过向所述单元施加电流蒸发，由此在第二空穴注入层上形成厚度为20nm的第一空穴传输层。随后，将9-(萘-2-基)-3-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-咔唑(化合物HT-2)引入到所述真空气相沉积设备的另一单元中，并且通过向所述单元施加电流蒸发，由此在第一空穴传输层上形成厚度为5nm的第二空穴传输层。在形成空穴注入层和空穴传输层后，接着在其上沉积发光层。随后，将化合物BH-1引入所述真空气相沉积设备的一个单元中作为主体材料，并且将化合物BD-1引入另一个单元中作为掺杂剂。以不同速率使两种材料蒸发，使得掺杂剂以主体和掺杂剂的总量计2重量％的掺杂量沉积以在空穴传输层上形成厚度为20nm的发光层。然后将2-(3-(菲-9-基)-5-(吡啶-3-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(化合物ETL-1)引入到一个单元中，并且将喹啉酸锂(化合物EIL-1)引入到另一个单元中。以相同速率使两种材料蒸发，使得其分别以50重量％的掺杂量沉积以在发光层上形成厚度为35nm的电子传输层。在电子传输层上沉积喹啉酸锂(化合物EIL-1)作为厚度为2nm的电子注入层后，随后通过另一个真空气相沉积设备在电子注入层上沉积厚度为80nm的Al阴极。由此，制造了OLED。用于制造OLED装置的所有材料是通过10-6托的真空升华来纯化的那些材料。
对于所制备的OLED评估基于1,000尼特的亮度的驱动电压、发光效率、CIE色坐标、外部量子效率和基于2000尼特的亮度的10小时时的亮度(％)，并示于下表1中。
比较实例和实例中所用的化合物
[实例1至3]制备包含本公开的电子缓冲材料的发蓝光OLED
在实例1至3中，除了电子传输层的厚度为25nm并且厚度为5nm的电子缓冲层(包含化合物C-49、C-75或C-100)插入在发光层和电子传输层之间之外，以与比较实例1相同的方式制造和评估OLED。实施例1至3中制备的装置的评估结果示于下表1中。
[表1]
根据上表1，认识到由于本公开的电子缓冲材料的电子电流的快速性，实施例1至3的装置显示出比其中不包含电子缓冲层的比较实例1的装置更高的效率和更长的寿命，在内。
[比较实例2]制备包含常规电子传输材料的电子缓冲层的发蓝光OLED
在比较实例2中，除了电子传输层和电子注入层改变如下以外，以与比较实例1相同的方式制造OLED：将化合物ETL-2引入到真空气相沉积设备的一个单元中作为电子传输材料并蒸发以形成厚度为33nm的电子传输层，并且然后沉积喹啉锂(化合物EIL-1)作为厚度为4nm的电子注入层。
实例2中制备的装置的基于1,000尼特的亮度的驱动电压、发光效率、CIE色坐标和外部量子效率的评估结果示于下表2中。
[实例4至7]制备包含本公开的电子传输材料的发蓝光OLED
在实例4至7中，除了如下表2所示改变电子传输材料之外，以与比较实例2相同的方式制造OLED。实例4至7中制备的装置的评估结果示于下表2中。
[表2]
根据实例4至7，认识到由于本公开的电子传输材料的快速电子注入特性，实例4至7的装置显示出比比较实例2更高的效率。
[比较实例3]制备包含常规电子传输材料的发蓝光OLED
在比较实例3中，除了电子传输层和电子注入层改变如以下之外，以与比较实例1相同的方式制造OLED：分别将化合物2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑(化合物ETL-2)引入到真空气相沉积设备的一个电池中作为电子传输材料，并且将喹啉锂(化合物EIL-1)引入到另一个单元中作为电子传输材料的。以相同速率使两种材料蒸发，使得其分别以50重量％的掺杂量沉积以形成厚度为35nm的电子传输层。随后，沉积喹啉锂(化合物EIL-1)作为厚度为2nm的电子注入层。
比较实例3中制备的装置的基于1000尼特的亮度的驱动电压、发光效率、CIE色坐标和外部量子效率的评估结果示于下表3中。
[实例8至10]制备包含本公开的电子传输材料的发蓝光OLED
在实例8至10中，除了如下表3所示改变电子传输材料之外，以与比较实例3相同的方式制造OLED。实施例8至10中制备的装置的评估结果示于下表3中。
[表3]
根据实施例8至10，认识到由于本公开的电子传输材料的快速电子注入特性，实施例8至10的装置显示出比比较实例3更高的效率。
[实例11]制备包含本公开的电子传输材料和不包含电子缓冲层的发蓝光OLED
在实例11中，除了将电子传输材料改变为化合物C-49并且将与化合物EIL-1的掺杂重量比例改变为70:30重量％之外，以与比较实例3相同的方式制造OLED。
实例11中制备的装置的基于1000尼特的亮度的驱动电压、发光效率、CIE色坐标和外部量子效率的评估结果示于下表4中。
[实例12和13]制备包含本公开的电子传输材料并包含电子缓冲层的发蓝光OLED
在实例12和13中，除了如下表4所示改变电子缓冲材料之外，以与实例11相同的方式制造OLED。实例12和13中制备的装置的评估结果示于下表4中。
[表4]
在实施例12和13中，分别评估了总是具有化合物C-49:EIL-1(7:3)作为电子传输材料但具有不同电子缓冲材料的装置的OLED特性。根据表4，认识到包含本公开化合物作为电子传输材料并且还包含电子缓冲材料的OLED(实例12和13)显示出比包含本公开化合物作为电子传输材料，但不包含电子缓冲材料的OLED(实施例11)改进的电流效率。由电子缓冲材料的HOMO轨道特性的变化引起的电流效率和性能的差异的特殊检查表明，包含二苯基芴作为电子缓冲材料和苯并菲并噻吩作为电子传输材料的OLED(实例12)和仅包含苯并菲并噻吩同时作为电子缓冲材料和电子传输材料(实例13)的OLED两者具有比实例11的OLED更高的电流效率特性。
[实例14]制备包含本公开的电子传输材料且不包含电子缓冲层的发蓝光OLED
在实例14中，除了将电子传输材料改变为化合物C-75并且将与化合物EIL-1的掺杂重量比改变为60:40重量％之外，以与比较实例3相同的方式制造OLED。
实例14中制备的装置的基于1,000尼特的亮度的驱动电压、发光效率，CIE色坐标和外部量子效率以及亮度从100％降低至90％的寿命时间的评估结果示于下表5中。
[实例15和16]制备包含本公开的电子传输材料并包含电子缓冲层的发蓝光OLED
在实例15和16中，除了如下表5所示改变电子缓冲材料之外，以与实例14相同的方式制造和评估OLED。实例15和16中制备的装置的评估结果示于下表5中。
[表5]
在实例15和16中，对于总是包含化合物C-75：EIL-1(6:4)作为电子传输材料但分别包含不同电子缓冲材料的装置评估OLED特性。根据上表5，认识到包含本公开化合物作为电子传输材料并且还包含电子缓冲材料的OLED(实例15和16)显示比包含本公开化合物作为电子传输材料，但不包含电子缓冲材料的OLED(实例14)改进的寿命。
根据表4和表5，认识到当本公开化合物单独作为电子传输材料或与本公开的电子缓冲材料或传统电子缓冲材料一起使用时，可以提高OLED的电流效率和寿命特性。

Claims (10)

1.一种电子缓冲材料，包含由下式1表示的化合物：
其中，
X1表示–N＝、-NR7-、-O-或–S-；
Y1表示-N＝、-NR8-、-O-或-S-；其中X1是-N＝，Y1是-NR8-、-O-或-S-；其中X1是-NR7-，Y1是-N＝、-O-或-S-；排除X1和Y1均是-O-或-S-的情况和X1和Y1中的一个是-O-，并且另一个是-S-的情况；
R1表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基；
R2到R4，R7和R8各自独立地表示氢、氘、卤素、氰基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基、经取代或未经取代的(C3-C30)环烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷氧基、经取代或未经取代的三(C1-C30)烷基硅烷基、经取代或未经取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的三(C6-C30)芳基硅烷基、经取代或未经取代的单或二(C1-C30)烷基氨基、经取代或未经取代的单或二(C6-C30)芳基氨基或经取代或未经取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；或可以键联到(一个或多个)相邻取代基以形成经取代或未经取代的(C3-C30)单环或多环脂环族环或芳香族环，其(一个或多个)碳原子可经选自氮、氧和硫的至少一个杂原子置换；
a表示1的整数；b和c各自独立地表示1或2的整数；d表示1到4的整数；并且
所述杂芳基含有选自B、N、O、S、Si以及P的至少一个杂原子。
2.根据权利要求1所述的电子缓冲材料，其中式1由下式2到4中的一个表示：
其中
L1表示单键、经取代或未经取代的(C6-C30)亚芳基或经取代或未经取代的(3到30元)亚杂芳基，
X2到X4各自独立地表示-N-或-CR9-，
Ar1和Ar2各自独立地表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基，
R9如对于R2到R4所定义，
Z表示单键或经取代或未经取代的(C1-C6)亚烷基，
W表示–NR10-、-O-、-S-或–CR11R12-，
R10表示经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基，
R11和R12各自独立地表示经取代或未经取代的(C1-C30)烷基、经取代或未经取代的(C6-C30)芳基或经取代或未经取代的(3到30元)杂芳基，
R5和R6如对于R2到R4所定义，
n表示0或1，e和h各自独立地表示1到3的整数，f和g各自独立地表示1到4的整数，并且
X1、Y1，R1到R4，以及a到c如权利要求1中所定义。
3.根据权利要求1所述的电子缓冲材料，其中所述式1化合物选自由以下组成的群组：
4.一种电子传输材料，包含由下式1表示的化合物：
其中，X1、Y1，R1到R4，以及a到d如权利要求1中所定义。
5.根据权利要求4所述的电子传输材料，其中式1由下式2到4中的任一个表示：
其中X1到X4、Y1、R1到R6、L1、Ar1、Ar2、Z、a到c、e到g和n如权利要求2中所定义。
6.根据权利要求4所述的电子传输材料，其中所述式1化合物选自由以下组成的群组：。
7.一种有机电致发光装置，包含第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层以及在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区，其中所述电子传输区包含根据权利要求4所述的电子传输材料。
8.一种有机电致发光装置，包含第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层以及在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区和电子缓冲层，其中所述电子缓冲层包含根据权利要求1所述的电子缓冲材料。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光装置，其中所述电子传输区包含权利要求4所述的电子传输材料。
10.根据权利要求7或9所述的有机电致发光装置，其中所述电子传输区进一步包含还原性掺杂剂。
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