CN111384279A - 一种量子点发光二极管 - Google Patents
一种量子点发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111384279A CN111384279A CN201811647837.XA CN201811647837A CN111384279A CN 111384279 A CN111384279 A CN 111384279A CN 201811647837 A CN201811647837 A CN 201811647837A CN 111384279 A CN111384279 A CN 111384279A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- quantum dot
- dot light
- functional
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 365
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 120
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 86
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 59
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 21
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 claims description 18
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 claims description 18
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 MgZnO Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 43
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 43
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 21
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910003373 AgInS2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L Cs2CO3 Substances [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
- H10K50/181—Electron blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。本发明量子点发光二极管通过所述功能层的设置能够降低电子传输至量子点发光层的传输速率，从而平衡电子和空穴的注入速率，以提高载流子在量子点层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点发光二极管。
背景技术
量子点发光二级管（QLED）为典型的三明治结构，由电极，功能层，发光层等构成。在外加电压的激发下，载流子通过两端电极由各功能层进入到量子点进行复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。由于胶体量子点自身具有发光效率高、色纯度高、色域广、稳定性好等特性，QLED不仅承袭了量子点的这些优异的性能，而且QLED还具有自发光、可视角广、可弯曲等特点，表现出极大的商业应用前景，成为新一代新型与照明显示领域的重要研究方向。同时，由于量子点本身是采用溶液法加工制备，非常适合配置成油墨，然后采用印刷、喷墨等方式实现大规模、大面积化制备。目前，经过二十多年的研究与发展，QLED器件得到了迅速发展，并取得了显著的成果。特别是近年来由对功能层的调控转至对量子点自身的调控，对量子点进行合金化和厚壳层的生长极大的推动了QLED器件性能的提升。
现阶段，对于QLED器件而言，如何同步提升器件效率、寿命和稳定性，仍然是一个极具挑战性的难题。通常，半导体量子点普遍具有很深的HOMO能级，电荷在各功能层传输时存在较大的势垒，导致器件在工作时电子和空穴注入不平衡。一方面，高的载流子注入势垒会增加器件的工作电压；另一方面，不平衡的电荷注入会使得载流子在发光层内的复合几率大大降低，容易引发激子的非辐射跃迁，从而影响了器件的发光效率和寿命。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管，旨在解决现有QLED器件中载流子注入不平衡导致载流子在发光层内的复合几率降低，影响了器件的发光效率和寿命的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，其中，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。
有益效果：本发明提供的量子点发光二极管通过所述功能层的设置能够降低电子传输至量子点发光层的传输速率，从而平衡电子和空穴的注入速率，以提高载流子在量子点层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命；进一步地，所述功能层中的电子阻挡材料层还可阻止电子传输层中的正交溶剂对量子点发光层的光学性能产生不利影响。
附图说明
图1为本发明一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图2为本发明量子点发光二极管的能带结构示意图。
图3为本发明实施方式的一种子点发光二极管的制备方法工艺流程图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
量子点发光二极管有多种形式，且所述量子点发光二极管分为正型结构和反型结构，在一些实施方式中，所述正型结构的量子点发光二极管包括从下至上层叠设置的基板、阳极、量子点发光层、电子传输层以及阴极。在本发明的又一实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的阳极和层叠设置在阳极的空穴注入层；在本发明的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的阳极、层叠设置在阳极表面的空穴注入层和层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层。
在一些实施方式中，所述反型结构的量子点发光二极管可包括从下往上层叠设置的基板、阴极、量子点发光层以及阳极。在本发明的一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的阴极和层叠设置在阴极表面的电子注入层；在本发明的又一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的阴极、层叠设置在阴极表面的电子注入层和层叠设置在电子注入层表面的电子传输层；在本发明的还一种实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的阴极、层叠设置在阴极表面的电子注入层、层叠设置在电子注入层表面的电子传输层和层叠设置在电子传输层表面的空穴阻挡层。
本发明提供一种量子点发光二极管，其包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。
对于量子点发光二极管而言，电子从阴极传输至量子点发光层的过程中，电子在各传输层的LUMO能级越深，电子传输时的势垒越大，电子隧穿过该传输层时所需要的能量越高，导致电子传输速率越慢。本实施例通过在阴极和量子点发光层之间设置功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元能够有效降低电子的传输速率，从而平衡电子和空穴的注入速率，以提高载流子在量子点发光层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命。
在一些实施方式中，所述电子阻挡材料层的材料选自PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述电子阻挡材料层的材料选自化合物掺杂的PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种，所述化合物选自Li-TFSI、NiO、CuSCN、MoO3、CuO、V2O5或CuS中的一种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述电子阻挡材料层的LUMO能级为-2.0~-5.0 eV。
本发明的具体实施方式中将主要以如图1所示的正型结构的量子点发光二极管为例进行介绍。具体的，如图1所示，所述正型结构的量子点发光二极管包括从下至上层叠设置的基板10、阳极20、空穴传输层30、量子点发光层40、功能层以及阴极60，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层51和电子传输层52组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层51靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层52靠近阴极设置，所述n为大于等于2的整数，且所述n层功能结构单元中的相邻两层功能结构单元中，靠近阴极的电子阻挡材料层材料的LUMO能级大于靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的LUMO能级。
本实施例量子点发光二极管通过所述功能层的设置能够有效平衡电子和空穴的注入速率，从而提高载流子在量子点发光层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命。实现上述效果的机理具体如下：
对于量子点发光二级管而言，电子从阴极传输至量子点发光层的过程中，电子在各传输层的LUMO能级越深，电子传输时的势垒越大，电子隧穿过该传输层时所需要的能量越高，导致电子传输速率越慢；本实施例所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于2的整数，且所述n层功能结构单元中的相邻两层功能结构单元中，靠近阴极的电子阻挡材料层材料的LUMO能级大于靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的LUMO能级。如图2所示，当电子从阴极传输至量子点发光层的过程中，所述电子需要先隧穿LUMO能级最大的电子阻挡材料层，此时所需要克服的电子势垒最大；然后再隧穿LUMO能级依次减小的电子阻挡材料层到达量子点发光层；所述阶梯式的电子阻挡材料层非常有利于缓解过量电子在量子点发光层中大量积累，有利于减缓电子的传输性能，因此，沿阴极至阳极的方向，随着电子阻挡材料层的LUMO能级的不断减少，电子的传输效率将逐步降低。本发明量子点发光二极管通过所述功能层的设置能够降低电子传输至量子点发光层的传输速率，从而平衡电子和空穴的注入速率，以提高载流子在量子点层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命；进一步地，所述功能层中的电子阻挡材料层还可阻止电子传输层中的正交溶剂对量子点发光层的光学性能产生不利影响。
在一些实施方式中，所述电子阻挡材料层和电子传输层的层数相同，且所述电子阻挡材料层和电子传输层的层数均为2-10层。优选的，所述电子阻挡材料层和电子传输层的层数均为2-5层。
在一些实施方式中，所述每层电子阻挡材料层的厚度为2-5nm。
在一些实施方式中，所述电子阻挡材料层的LUMO能级为-2.0~-5.0 eV。在一些具体的实施方式中，所述n层功能结构单元中的相邻两层功能结构单元中，靠近阴极的电子阻挡材料层材料的LUMO能级大于靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的LUMO能级，且相邻电子阻挡材料层的LUMO能级差为-0.1~-0.5eV。本实施方式中，呈阶梯式能级的电子阻挡材料层不仅能够有效地减慢电子的传输速率，使得电子进入到量子点发光层和空穴进入到量子点发光层能达到一种平衡态，增加电子和空穴的复合几率；同时，也可以有效地减少过量电子在量子点发光层中积累造成量子点荧光衰减。
在一些实施方式中，电子阻挡材料层材料选自PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述电子阻挡材料层的材料选自化合物掺杂的PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种，所述化合物选自Li-TFSI、NiO、CuSCN、MoO3、CuO、V2O5或CuS中的一种，但不限于此。在一些实施方式中，所述电子阻挡层材料选自PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种与Li-TFSI， NiO、CuSCN、MoO3、CuO、V2O5和CuS中的一种组成的混合材料。选择混合材料化合物掺杂的电子阻挡材料的目的，主要是为了调整电子阻挡层电子阻挡材料层材料的LUMO能级，实现阶能级间的阶梯势垒，从而调整电子和空穴的传输速率，提高激子的复合效率。作为举例，所述电子阻挡材料层材料选自PVK:Li-TFSI，PVK:NiO、PVK:CuSCN、PVK: MoO3、PVK: CuO、PVK: V2O5、PVK: CuS、Poly-TPD、Poly-TPD: Li-TFSI，Poly-TPD:-NiO，Poly-TPD: CuSCN，Poly-TPD: MoO3、Poly-TPD:CuO、Poly-TPD: V2O5、Poly-TPD: CuS、NPB、NPB: Li-TFSI，NPB -TPD:-NiO，NPB -TPD:CuSCN，NPB: MoO3、NPB: CuO、NPB: V2O5、NPB: CuS、TCTA、TCTA: Li-TFSI，TCTA -TPD:-NiO，TCTA -TPD: CuSCN、TCTA: MoO3、TCTA: CuO、TCTA: V2O5、TCTA: CuS、TAPC、TAPC: Li-TFSI、TAPC -TPD:-NiO，TAPC -TPD: CuSCN，TAPC: MoO3、TAPC: CuO、TAPC: V2O5、TAPC: CuS、CBP、CBP: Li-TFSI，CBP -TPD:-NiO、CBP -TPD: CuSCN、CBP: MoO3、CBP: CuO、CBP: V2O5、CBP:CuS、TFB、TFB: Li-TFSI、TFB -TPD:-NiO、TFB -TPD: CuSCN、TFB: MoO3、TFB: CuO、TFB:V2O5和TFB: CuS中的一种或多种，但不限于此。
在一些实施方式中，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO2、Alq3、SnO、ZrO、AlZnO、ZnSnO、BCP、TAZ、PBD、TPBI、Bphen和CsCO3中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述电子传输层的厚度为10-120nm。
在一些实施方式中，所述量子点发光层材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I−III−VI族化合物中的一种或多种，但不限于此。作为举例，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS；CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的一种或多种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的一种或多种；所述I−III−VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的一种或多种。
在一些实施方式中，所述量子点发光层的厚度为30-120nm。
在一些实施方式中，所述阳极材料选自Li、Ca、Ba、LiF、CsN3、Cs2CO3、CsF、Ag、Mo、Al、Cu和Au中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述阳极的厚度为20-150nm。
在一些实施方式中，所述空穴传输层材料选自TFB、PVK、Poly-TBP、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、PEODT：PSS、MoO3、WoO3、NiO、CuO、V2O5和CuS中的一种或多种，但不限于此。在一些实施方式中，所述空穴传输层的厚度为30-100 nm。
在一些实施方式中，所述阴极材料选自ITO、FTO或ZTO中的一种。在一些实施方式中，所述阴极的厚度为60-130nm。
需要说明的是，本发明量子点发光二极管还可包含以下功能层中的一层或多层：设置于阳极和空穴传输层之间的空穴注入层，设置于阴极和功能层之间的电子注入层。
如图3所示，本发明的一些实施方式还提供一种子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
S01提供基板；
S03在所述基板上形成功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于2的整数。
具体的，量子点发光二极管分正置结构和倒置结构。正置结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，正置结构的阳极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。倒置结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，倒置结构的阴极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。
对于正置结构而言，设置在衬底上的底电极为阳极，在本发明的一些实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、和层叠设置在底电极表面的量子点发光层；在本发明的另一些实施方式中，所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴传输层和层叠设置在空穴传输层表面的量子点发光层；在本发明的又一些实施方式中，所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层和层叠设置在空穴传输层表面的量子点发光层；在本发明的又一些实施方式中，所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层、层叠设置在空穴传输层表面的电子阻挡层和层叠设置在电子阻挡层表面的量子点发光层；在本发明的又一些实施方式中，所述阳极基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极、层叠设置在底电极表面的空穴注入层、层叠设置在空穴注入层表面的空穴传输层、层叠设置在空穴传输层表面的电子阻挡层、层叠设置在电子阻挡层表面的量子点发光层和层叠设置在量子点发光层表面的空穴阻挡层。
对于倒置结构而言，设置在衬底上的底电极为阴极，在本发明的一些实施方式中，所述阴极基板可以为衬底上设置的底电极；在本发明的又一些实施方式中，所述基板可以包括衬底、层叠设置在衬底表面的底电极和层叠设置在底电极表面的电子注入层。
本发明的实施方式提供一种如图1所述正式结构的量子点发光二极管的制备方法的实施例，具体的包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上形成阳极；
在所述阳极上制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备电子阻挡材料层，在所述电子阻挡材料层上制备电子传输层，在所述电子传输层上继续制备有一电子阻挡材料层，重复上述步骤至按预定层数在倒数第一层电子阻挡材料层上制备最后第n层电子传输层，制得所述功能层；
在所述发光层上制备阴极，得到所述量子点发光二极管；
其中，所述n为大于等于2的整数，且所述功能层中，相邻的两层电子阻挡材料层之间，靠近阴极的电子阻挡材料层材料的LUMO能级大于靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的LUMO能级。
本发明中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法（如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等）、蒸镀法（如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等）、沉积法（如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等）中的一种或多种。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
一种量子点发光二极管，从下至上依次包括层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、功能层和阴极，所述功能层包括交替层叠设置的5层电子阻挡材料层和5层电子传输层，所述功能层的最底层为电子阻挡材料层且靠近量子点发光层设置，所述功能层的最顶层为电子传输层且靠近阴极设置；沿阳极至阴极的方向，所述每层电子阻挡材料层的材料依次为PVK、掺杂有1.5wt.%Li-TFSI的PVK、掺杂有3wt.%Li-TFSI的PVK、4.5wt.%Li-TFSI的PVK以及6wt.%Li-TFSI的PVK；所述阳极为ITO，厚度为100nm；所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS，厚度为40 nm；所述空穴传输层材料为TFB，厚度为80 nm；所述量子点发光层的材料为InP/ZnS，厚度为100nm；所述每层电子阻挡材料层的厚度为4nm；所述每层电子传输层的材料均为ZnO，所述每层电子传输层的厚度为20 nm；所述阴极为Al，厚度为50 nm。
实施例2
一种量子点发光二极管，从下至上依次包括层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、功能层和阴极，所述功能层包括交替层叠设置的5层电子阻挡材料层和5层电子传输层，所述功能层的最底层为电子阻挡材料层且靠近量子点发光层设置，所述功能层的最顶层为电子传输层且靠近阴极设置；沿阳极至阴极的方向，所述每层电子阻挡材料层的材料依次为TFB、掺杂有1.5wt.%Li-TFSI的TFB、掺杂有3wt.%Li-TFSI的TFB、4.5wt.%Li-TFSI的TFB以及6wt.%Li-TFSI的TFB；所述阳极为ITO，厚度为100nm；所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS，厚度为40 nm；所述空穴传输层材料为TFB，厚度为80 nm；所述量子点发光层的材料为InP/ZnS，厚度为40nm；所述每层电子阻挡材料层的厚度为4nm；所述每层电子传输层材料为SnO，所述每层电子传输层的厚度为10 nm；所述阴极为Al，厚度为50 nm。
实施例3
一种量子点发光二极管，从下至上依次包括层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、功能层和阴极，所述功能层包括交替层叠设置的5层电子阻挡材料层和5层电子传输层，所述功能层的最底层为电子阻挡材料层且靠近量子点发光层设置，所述功能层的最顶层为电子传输层且靠近阴极设置；沿阳极至阴极的方向，所述每层电子阻挡材料层的材料依次为TCTA、掺杂有1.5wt.% MoO3的TCTA、掺杂有3wt.% MoO3的TCTA、4.5wt.% MoO3的TCTA以及6wt.% MoO3的TCTA；所述阳极为ITO，厚度为100nm；所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS，厚度为40 nm；所述空穴传输层材料为TFB，厚度为80 nm；所述量子点发光层的材料为InP/ZnS，厚度为80nm；所述每层电子阻挡材料层的厚度为4nm；所述每层电子传输层材料均为TiO，所述每层电子阻挡材料层的厚度为15 nm；所述阴极为Al，厚度为50nm。
实施例4
一种量子点发光二极管，从下至上依次包括层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、功能层和阴极，所述功能层包括交替层叠设置的5层电子阻挡材料层和5层电子传输层，所述功能层的最底层为电子阻挡材料层且靠近量子点发光层设置，所述功能层的最顶层为电子传输层且靠近阴极设置；沿阳极至阴极的方向，所述每层电子阻挡材料层的材料依次为PVK、掺杂有1.5wt.%Li-TFSI的PVK、掺杂有3wt.%Li-TFSI的PVK、4.5wt.%Li-TFSI的PVK以及6wt.%Li-TFSI的PVK；所述阳极为ITO，厚度为100nm；所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS，厚度为40 nm；所述空穴传输层材料为TFB，厚度为80 nm；所述量子点发光层的材料为CdZnS/CdZnSe /ZnS，厚度为120nm；所述每层电子阻挡材料层的厚度为4nm；所述电子传输层材料为AlZnO，所述每层电子传输层的厚度为8 nm；所述阴极为Al，厚度为50 nm。
实施例5
一种量子点发光二极管，从下至上依次包括层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、功能层和阴极，所述功能层包括交替层叠设置的5层电子阻挡材料层和5层电子传输层，所述功能层的最底层为电子阻挡材料层且靠近量子点发光层设置，所述功能层的最顶层为电子传输层且靠近阴极设置；沿阳极至阴极的方向，所述每层电子阻挡材料层的材料依次为TFB、掺杂有1.5wt.%Li-TFSI的TFB、掺杂有3wt.%Li-TFSI的TFB、4.5wt.%Li-TFSI的TFB以及6wt.%Li-TFSI的TFB；所述阳极为ITO，厚度为100nm；所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS，厚度为40 nm；所述空穴传输层材料为TFB，厚度为80 nm；所述量子点发光层的材料为CdZnS/CdZnSe /ZnS，厚度为30 nm；所述每层电子阻挡材料层的厚度为4nm；所述每层电子传输层的材料均为TPBI，所述每层电子传输层的厚度为12 nm；所述阴极为Al，厚度为50 nm。
实施例6
一种量子点发光二极管，从下至上依次包括层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、功能层和阴极，所述功能层包括交替层叠设置的5层电子阻挡材料层和5层电子传输层，所述功能层的最底层为电子阻挡材料层且靠近量子点发光层设置，所述功能层的最顶层为电子传输层且靠近阴极设置；沿阳极至阴极的方向，所述每层电子阻挡材料层的材料依次为TCTA、掺杂有1.5wt.% MoO3的TCTA、掺杂有3wt.% MoO3的TCTA、4.5wt.% MoO3的TCTA以及6wt.% MoO3的TCTA；所述阳极为ITO，厚度为100nm；所述空穴注入层材料为PEDOT:PSS，厚度为40 nm；所述空穴传输层材料为TFB，厚度为80 nm；所述量子点发光层的材料为CdZnS/CdZnSe /ZnS，且厚度为110nm；所述每层电子阻挡材料层的厚度为4nm；所述每层电子传输层的材料均为ZnO，所述每层电子传输层的厚度为8 nm；所述阴极为Al，厚度为50 nm。
综上所述，本发明提供的量子点发光二极管包括设置在阴极和量子点发光层之间的功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。本发明量子点发光二极管通过所述功能层的设置能够降低电子传输至量子点发光层的传输速率，从而平衡电子和空穴的注入速率，以提高载流子在量子点层中的复合效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率、稳定性和使用寿命；进一步地，所述功能层中的电子阻挡材料层还可阻止电子传输层中的正交溶剂对量子点发光层的光学性能产生不利影响。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，其特征在于，所述阴极和量子点发光层之间设置有功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于1的整数。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二级管，其特征在于，所述电子阻挡材料层的材料选自PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种；
或所述电子阻挡材料层的材料选自化合物掺杂的PVK、Poly-TPD、NPB、TCTA、TAPC、CBP、TFB和DNA中的一种或多种，所述化合物选自Li-TFSI、NiO、CuSCN、MoO3、CuO、V2O5或CuS中的一种。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二级管，其特征在于，所述电子阻挡材料层的LUMO能级为-2.0~-5.0 eV。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述n为大于等于2的整数，且所述n层功能结构单元中的相邻两层功能结构单元中，靠近阴极的电子阻挡材料层材料的LUMO能级大于靠近量子点发光层的电子阻挡材料层材料的LUMO能级。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，2≤n≤10。
6.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，相邻电子阻挡材料层的LUMO能级差为-0.1~-0.5 eV。
7.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述每层电子阻挡材料层的厚度为2-5nm；和/或
所述每层电子传输层的厚度为10-120nm。
8.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO2、Alq3、SnO、ZrO、AlZnO、InZnO、GaZnO、MgZnO、ZnSnO、BCP、TAZ、PBD、TPBI、Bphen和CsCO3中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点层材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I−III−VI族化合物中的一种或多种。
10.一种子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成功能层，所述功能层包括n层层叠设置的功能结构单元，所述功能结构单元由层叠设置的电子阻挡材料层和电子传输层组成，所述功能结构单元中的电子阻挡材料层靠近量子点发光层设置，所述功能结构单元中的电子传输层靠近阴极设置，所述n为大于等于2的整数。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811647837.XA CN111384279B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种量子点发光二极管 |
| PCT/CN2019/103444 WO2020134147A1 (zh) | 2018-12-29 | 2019-08-29 | 一种量子点发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811647837.XA CN111384279B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种量子点发光二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111384279A true CN111384279A (zh) | 2020-07-07 |
| CN111384279B CN111384279B (zh) | 2021-06-22 |
Family
ID=71128539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811647837.XA Active CN111384279B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 一种量子点发光二极管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111384279B (zh) |
| WO (1) | WO2020134147A1 (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112750956A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-04 | 义乌清越光电科技有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| CN113471378A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-10-01 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法 |
| CN113948667A (zh) * | 2020-07-16 | 2022-01-18 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法 |
| CN113964277A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-21 | 北京京东方技术开发有限公司 | 一种量子点发光器件和显示装置 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100576600C (zh) * | 2005-07-25 | 2009-12-30 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光器件及其制造方法 |
| WO2013032304A2 (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 주식회사 엘엠에스 | 유기전자소자 및 그 제조방법 |
| CN103904178A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-02 | 浙江大学 | 量子点发光器件 |
| CN105576139A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点电致发光二极管及其制备方法、显示器 |
| CN105679958A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
| CN106654027A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-05-10 | 纳晶科技股份有限公司 | 量子点电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
| CN106654026A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-05-10 | 纳晶科技股份有限公司 | 量子点电致发光器件、具有其的显示装置及照明装置 |
| CN106784396A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-31 | Tcl集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、传输层材料、掺杂方法及制备方法 |
| CN107210374A (zh) * | 2014-12-17 | 2017-09-26 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 包含具有不同基质化合物的电子传输层的有机发光二极管 |
| CN107216341A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-29 | 长春海谱润斯科技有限公司 | 一种有机发光材料及其有机发光器件 |
| CN107342367A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-11-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点电致发光器件及其制作方法 |
| CN108137572A (zh) * | 2015-10-30 | 2018-06-08 | 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 | 电子缓冲材料、电子传输材料和包含其的有机电致发光装置 |
| CN108963087A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-12-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 量子点电致发光器件及显示器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102409391B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2022-06-15 | 삼성전자주식회사 | 양자점을 포함하는 광전자소자 |
| CN105322098B (zh) * | 2015-11-03 | 2018-06-19 | Tcl集团股份有限公司 | 一种可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管及制备方法 |
| CN105449112B (zh) * | 2016-01-12 | 2018-04-20 | 纳晶科技股份有限公司 | 量子点电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
| CN107910449A (zh) * | 2017-11-16 | 2018-04-13 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
-
2018
- 2018-12-29 CN CN201811647837.XA patent/CN111384279B/zh active Active
-
2019
- 2019-08-29 WO PCT/CN2019/103444 patent/WO2020134147A1/zh active Application Filing
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100576600C (zh) * | 2005-07-25 | 2009-12-30 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光器件及其制造方法 |
| WO2013032304A2 (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 주식회사 엘엠에스 | 유기전자소자 및 그 제조방법 |
| CN103904178A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-02 | 浙江大学 | 量子点发光器件 |
| CN107210374A (zh) * | 2014-12-17 | 2017-09-26 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 包含具有不同基质化合物的电子传输层的有机发光二极管 |
| CN108137572A (zh) * | 2015-10-30 | 2018-06-08 | 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 | 电子缓冲材料、电子传输材料和包含其的有机电致发光装置 |
| CN105576139A (zh) * | 2016-01-06 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种量子点电致发光二极管及其制备方法、显示器 |
| CN105679958A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
| CN106654026A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-05-10 | 纳晶科技股份有限公司 | 量子点电致发光器件、具有其的显示装置及照明装置 |
| CN106654027A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-05-10 | 纳晶科技股份有限公司 | 量子点电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
| CN106784396A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-05-31 | Tcl集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、传输层材料、掺杂方法及制备方法 |
| CN107342367A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-11-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点电致发光器件及其制作方法 |
| CN107216341A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-29 | 长春海谱润斯科技有限公司 | 一种有机发光材料及其有机发光器件 |
| CN108963087A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-12-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 量子点电致发光器件及显示器 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113948667A (zh) * | 2020-07-16 | 2022-01-18 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法 |
| WO2022011991A1 (zh) * | 2020-07-16 | 2022-01-20 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法 |
| CN113948667B (zh) * | 2020-07-16 | 2023-02-07 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法 |
| CN112750956A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-04 | 义乌清越光电科技有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| CN112750956B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-05-30 | 义乌清越光电科技有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| CN113471378A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-10-01 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法 |
| CN113964277A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-21 | 北京京东方技术开发有限公司 | 一种量子点发光器件和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111384279B (zh) | 2021-06-22 |
| WO2020134147A1 (zh) | 2020-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111384279B (zh) | 一种量子点发光二极管 | |
| KR20120038472A (ko) | 안정적이고 모든 용액에 처리 가능한 양자점 발광 다이오드 | |
| CN105304829B (zh) | 一种双面发光量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN111384280B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN111384274B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN110416421B (zh) | 一种量子点薄膜及量子点发光二极管 | |
| CN113130833A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN110943173A (zh) | 一种量子点白光二极管 | |
| CN209912898U (zh) | 量子点发光二极管 | |
| CN109980105A (zh) | 一种qled器件 | |
| CN111244298B (zh) | 一种发光器件及显示器 | |
| CN111200066B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN111490172B (zh) | 发光器件 | |
| CN110544746B (zh) | 发光二极管及其制备方法 | |
| CN110970568B (zh) | 一种量子点发光二极管 | |
| CN110943174A (zh) | 一种量子点白光二极管 | |
| CN110970567A (zh) | 一种量子点发光二极管 | |
| CN113130788B (zh) | 复合材料、薄膜、量子点发光二极管 | |
| CN113258010B (zh) | 发光器件及其制作方法 | |
| CN110943172B (zh) | 一种量子点白光二极管 | |
| WO2023056829A1 (zh) | 量子点发光层、量子点发光层的制备方法和量子点发光二极管器件 | |
| WO2022137475A1 (ja) | 発光素子 | |
| US20210013437A1 (en) | Quantum dot light-emitting diode | |
| CN116193948A (zh) | 一种发光二极管的制备方法 | |
| CN116033812A (zh) | 一种薄膜的制备方法及制得的薄膜、光电器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd. Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District Applicant before: TCL RESEARCH AMERICA Inc. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |