CN112750956B - 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置，量子点发光二极管包括：量子点发光层；位于量子点发光层的一侧的电子功能层；位于电子功能层背离量子点发光层的一侧的阴极层；位于电子功能层与阴极层之间的钝化层，钝化层包括若干个间隔的钝化部。上述量子点发光二极管降低了传输至量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。

Description

量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode,QLED)具有色纯度高、稳定性好、寿命长、色温佳、制备工艺简单等优点，在下一代平板显示和固态照明领域有着巨大的应用前景。
然而，由于电子传输层的迁移率高于空穴传输层的迁移率，导致量子点发光层中空穴和电子的数量差异大，过量的电子积聚在量子点发光层中，造成发光猝灭，极大地影响器件的发光效率。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服量子点发光二极管中量子点发光层中空穴和电子的数量差异较大的缺陷，从而提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示面板、显示装置。
本发明提供一种量子点发光二极管，包括：
量子点发光层；
位于所述量子点发光层的一侧的电子功能层；
位于所述电子功能层的一侧的阴极层；
位于所述电子功能层与所述阴极层之间的钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部。
可选的，所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物；所述钝化部的厚度不超过2nm。
可选的，所述电子功能层朝向所述阴极层的表面材料含有氧；优选的，所述电子功能层包括电子传输层，所述电子传输层与所述钝化层接触，所述电子传输层中含有氧；优选的，所述电子传输层的材料为金属氧化物；优选的，所述金属氧化物的材料包括氧化锌；优选的，所述阴极层的材料包括铝、铝合金或银，所述钝化部的材料包括氧化铝或氧化银。
本发明还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
形成量子点发光层；
在所述量子点发光层的一侧表面形成电子功能层；
在所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧表面形成阴极层；
在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部。
可选的，所述电子功能层与所述阴极层接触的表面材料含有氧，所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物，在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成所述钝化层的工艺包括光子烧结工艺；优选的，所述电子功能层包括电子传输层，所述电子传输层与所述钝化层接触，所述电子传输层中含有氧；优选的，所述电子传输层的材料为金属氧化物；优选的，所述金属氧化物的材料包括氧化锌；优选的，所述阴极层的材料包括铝、铝合金或银，所述钝化部的材料包括氧化铝或氧化银；优选的，所述钝化部的厚度不超过2nm。
可选的，所述光子烧结工艺的参数包括：所述光子烧结工艺采用的光源至所述阴极层之间的间距为1cm至10cm；脉冲宽度为0.01ms-10ms；脉冲电压为0.1kV-5kV；所述光子烧结工艺中的脉冲个数为1至100，单个脉冲的能量密度为0.01J/cm3至100J/cm3。
可选的，所述光子烧结工艺采用的光源位于所述阴极层背离所述电子功能层的一侧；或者，所述光子烧结工艺采用的光源位于所述电子功能层背离所述阴极层的一侧；优选的，所述光子烧结工艺采用的光源包括氙灯。
可选的，在所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧表面形成阴极层之后，在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层之前，还包括：对所述量子点发光二极管进行封装。
本发明还提供一种显示面板，包括：基板；上述量子点发光二极管，所述量子点发光二极管位于所述基板上。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明技术方案，具有如下优点：
1.本发明提供的量子点发光二极管，位于所述电子功能层与所述阴极层之间的钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
2.本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，通过在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层，钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
3.本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，所述电子功能层与所述阴极层接触的表面材料含有氧；所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物，通过光子烧结工艺形成所述钝化层。光子烧结的过程中，阴极层吸收光子能量并将光子能量转换为热能，促使位于阴极层与电子功能层的界面处的阴极层中的金属元素与电子功能层中的氧元素发生反应生成不致密的绝缘金属氧化物层，绝缘金属氧化物层即钝化层，绝缘金属氧化物层中不致密的绝缘金属氧化物即钝化部。所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。同时，光子烧结工艺的能量较高，因此可以在较短时间内形成所述钝化部，形成效率较高，且较短的形成时间能够避免形成过程中对其他膜层的造成损伤，从而避免了器件性能受到不利影响。
4.本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧表面形成阴极层之后，在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层之前，对所述量子点发光二极管进行封装以隔绝氧气，避免了光子烧结时所述阴极层背离所述电子功能层的一侧表面发生氧化，使所述阴极层能够保有其传输载流子传输的能力，从而使得量子点发光二极管能够正常工作。
5.本发明提供的显示面板，显示面板中的量子点发光二极管的所述电子功能层与所述阴极层之间设置有钝化层，钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
6.本发明提供的显示装置，显示装置中的量子点发光二极管的所述电子功能层与所述阴极层之间设置有钝化层，钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的第一种量子点发光二极管的结构示意图；
图2为本发明实施例中的第二种量子点发光二极管的结构示意图；
图3为本发明实施例中的量子点发光二极管的制备方法的工艺流程图；
图4-图9为本发明实施例中的量子点发光二极管的制备过程中的结构示意图；
图10为实施例1中的量子点发光二极管进行光子烧结前后的器件外量子效率随亮度变化曲线图；
图11为实施例1中的量子点发光二极管进行光子烧结前后的阴极与电子传输层界面处Al 2p的X射线光电子能谱归一化能谱图；
图12为实施例1中的量子点发光二极管进行光子烧结前后的阴极与电子传输层界面处O1s的X射线光电子能谱归一化能谱图。
附图标记说明：
1-钝化层；2-阳极层；3-空穴传输层；4-空穴注入层；5-量子点发光层；6-电子功能层；7-阴极层。
具体实施方式
量子点发光二极管器件中，载流子的注入不平衡是影响器件发光效率以及器件寿命的一个关键因素。例如，目前使用广泛的基于CdSe@ZnS的核壳结构量子点的价带一般高于6eV，而大部分有机空穴传输层的HOMO能级低于6eV，因此空穴从空穴传输层注入到量子点发光层受到限制；而量子点的导带一般高于4eV，电子很容易从电子传输层注入到量子点发光层中。空穴和电子的注入难易程度不同，导致量子点发光层中空穴和电子的数量不平衡，过量的电子积聚在量子点发光层中，使量子点带有电荷，这样激子就容易产生俄歇复合，造成发光猝灭，极大地影响器件的发光效率。
在此基础上，本申请提供一种量子点发光二极管，包括：量子点发光层；位于所述量子点发光层的一侧的电子功能层；位于所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧的阴极层；位于所述电子功能层与所述阴极层之间的钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部。上述量子点发光二极管降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
参见图1，本实施例提供一种量子点发光二极管，包括：
量子点发光层5；
位于所述量子点发光层5的一侧的电子功能层6；
位于所述电子功能层6背离所述量子点发光层5的一侧的阴极层7；
位于所述电子功能层6与所述阴极层7之间的钝化层1，所述钝化层1包括若干个间隔的钝化部。
上述量子点发光二极管中，位于所述电子功能层与所述阴极层之间的钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
在本实施例中，所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物；所述钝化部的厚度不超过2nm，在保证了钝化层的钝化能力的同时，避免了由于钝化部的厚度过大导致电子注入效率过低，从而保证了器件性能。
在本实施例中，所述电子功能层6朝向所述阴极层7的表面材料含有氧；具体的，所述电子功能层6包括电子传输层，所述电子传输层与所述钝化层接触，所述电子传输层中含有氧；进一步地，所述电子传输层的材料为金属氧化物；例如，所述电子传输层的材料包括氧化锌，所述氧化锌中可以掺杂有功能性成分，如掺镁。所述阴极层7的材料可以为铝、铝合金或银，所述钝化部的材料可以为氧化铝或氧化银。
参见图1，在本实施例中，所述量子点发光二极管还包括：
阳极层2；
空穴传输层3，所述空穴传输层3位于所述阳极层2的一侧；
量子点发光层5，所述量子点发光层5设置于所述所述空穴传输层3与所述电子功能层6之间。
进一步地，所述阳极层2的材料可以为透明导电氧化物，如氧化铟锡(ITO)、掺杂氟的SnO2(FTO)等，也可以是不透明金属，例如Al、Ag等金属；所述空穴传输层3的材料可以为poly(9,9-dioctylfluorene-alt-N-(4-sec-Butylphenyl)-diphenylamine(TFB)、聚(9-乙烯咔唑)(PVK)、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺](poly-TPD)；所述量子点发光层5的材料为量子点材料，所述量子点发光层5的材料包括但不限于硅量子点材料、锗量子点材料、硫化镉量子点材料、硒化镉量子点材料、碲化镉量子点材料、硒化锌量子点材料、硫化铅量子点材料、硒化铅量子点材料、磷化铟量子点材料或砷化铟量子点材料。
进一步地，参见图2，为了提高量子点发光层5中空穴的注入效率，在所述空穴传输层3和所述阳极层2之间还可以设置空穴注入层4。所述空穴注入层4的材料可以为无机材料，例如钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物，也可以为有机材料，例如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)等。
实施例2
参见图3，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
S1、形成量子点发光层；
S2、在所述量子点发光层的一侧表面形成电子功能层；
S3、在所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧表面形成阴极层；
S4、在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部。
上述量子点发光二极管的制备方法，通过在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层，钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
图4至图9为本实施例量子点发光二极管的制备过程的结构示意图。
参见图4，形成阳极层2。具体的，阳极层2可以采用磁控溅射或蒸镀等工艺形成。例如，所述阳极层2的材料为氧化铟锡(ITO)或掺杂氟的SnO2(FTO)，可以采用磁控溅射工艺形成；所述阳极层2的材料为Al、Ag等不透明金属，可以采用蒸镀工艺形成。
参见图5，在阳极层2的一侧形成空穴传输层3。具体的，所述空穴传输层3的材料可以为poly(9,9-dioctylfluorene-alt-N-(4-sec-Butylphenyl)-diphenylamine(TFB)、聚(9-乙烯咔唑)(PVK)、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺](poly-TPD)。
参见图6，在空穴传输层3背离所述阳极层2的一侧表面形成量子点发光层5。具体的，所述量子点发光层5的材料包括但不限于硅量子点材料、锗量子点材料、硫化镉量子点材料、硒化镉量子点材料、碲化镉量子点材料、硒化锌量子点材料、硫化铅量子点材料、硒化铅量子点材料、磷化铟量子点材料或砷化铟量子点材料。
参见图7，在量子点发光层5背离所述空穴传输层3的一侧形成电子功能层6。具体的，所述电子功能层6与所述阴极层7接触的表面材料含有氧；进一步的，所述电子功能层6包括电子传输层，所述电子传输层与所述钝化层1接触，所述电子传输层中含有氧；进一步地，所述电子传输层的材料可以为金属氧化物，所述电子传输层的材料可以为氧化锌，所述氧化锌中可以掺杂有功能性成分，如掺镁。
参见图8，在电子功能层6背离所述量子点发光层5的一侧形成阴极层7。所述阴极层7的材料金属，所述阴极层7的材料包括但不限于铝、铝合金或银。
参见图9，在所述电子功能层6与所述阴极层7的界面处形成钝化层1，所述钝化层1包括若干个间隔的钝化部，从而得到如图1所示的量子点发光二极管。
具体的，在所述电子功能层6与所述阴极层7的界面处形成所述钝化层1的工艺包括光子烧结工艺，所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物。光子烧结的过程中，阴极层7吸收光子能量并将光子能量转换为热能，促使位于阴极层7与电子功能层6的界面处的阴极层7中的金属元素与电子功能层6中的氧元素发生反应生成不致密的绝缘金属氧化物层，绝缘金属氧化物层即钝化层，绝缘金属氧化物层中不致密的绝缘金属氧化物即钝化部。所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层6的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层5中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层5中电子积聚的程度，提高了器件性能。
进一步地，当所述阴极层7的材料为铝时，所述钝化部的材料为氧化铝；当所述阴极层7的材料为银时，所述钝化部材料为氧化银；当所述阴极层7的材料为铝合金时，所述钝化部的材料含有氧化铝。
在本实施例中，所述钝化部的厚度不超过2nm。示例性的，所述钝化部的厚度可以为0.1nm、0.2nm、0.3nm、0.5nm、0.8nm、1nm、1.1nm、1.2nm、1.3nm、1.5nm、1.7nm、1.8nm、2nm。
在本实施例中，所述光子烧结工艺的参数包括：所述光子烧结工艺采用的光源至所述阴极层7之间的间距为1cm至10cm；脉冲宽度为0.01ms-10ms；脉冲电压为0.1kV-5kV；脉冲个数为1至100；当脉冲个数为2-100时，相邻脉冲的时间间隔为10ms-5s。示例性的，光源至所述阴极层7之间的间距可以为1cm、2cm、3cm、5cm、7.5cm、9cm、10cm；脉冲宽度可以为0.1ms、0.3ms、0.5ms、0.8ms、1ms、1.5ms、2ms、3ms、5ms、8ms、10ms；脉冲电压可以为0.1kV、0.3kV、0.5kV、0.8kV、1kV、1.2kV、1.5kV、1.8kV、2kV、2.5kV、3kV、4kV、5kV；脉冲个数可以为1、2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100；相邻脉冲的时间间隔为10ms、20ms、50ms、100ms、200ms、500ms、800ms、1s、2s、3s、4s、5s。通过调节光源至所述阴极层7之间的间距、脉冲宽度及脉冲电压，使得激光脉冲照射至量子点发光二极管时单个脉冲的能量密度为0.01J/cm3至100J/cm3。需要理解的是，单个脉冲的能量密度较大时，可适当减少脉冲的个数。光子烧结工艺的能量较高，因此可以在较短时间内形成所述钝化层1，形成效率较高，且较短的形成时间能够避免形成过程中对其他膜层的造成损伤，从而避免了器件性能受到不利影响。具体的，形成所述钝化层1所需的时间为1s-60s。
进一步地，所述光子烧结工艺采用的光源位于所述阴极层7背离所述电子功能层6的一侧；或者，所述光子烧结工艺采用的光源位于所述电子功能层6背离所述阴极层7的一侧；具体的，所述光子烧结工艺采用的光源包括氙灯。
需要理解的是，在所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧表面形成阴极层之后，在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层之前，还包括对所述量子点发光二极管进行封装以隔绝氧气，避免了光子烧结时所述阴极层背离所述电子功能层的一侧表面发生氧化，使所述阴极层能够保有其传输载流子传输的能力，从而使得量子点发光二极管能够正常工作。
在本实施例中，在形成所述空穴传输层3之前，还可以在所述阳极层2的一侧表面形成空穴注入层4，在形成所述空穴传输层3之后，所述空穴注入层4位于所述阳极层2与所述空穴传输层3之间，从而得到如图2所示的量子点发光二极管。具体的，所述空穴注入层4的材料可以为无机材料，例如钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物，也可以为有机材料，例如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)等。
作为一个具体的实施方式，所述电子功能层为电子传输层，所述电子传输层的材料为氧化锌，所述阴极层的材料为铝，氙灯位于所述阴极层背离所述电子传输层的一侧，氙灯与所述阴极层之间的间距为2.5cm；脉冲宽度为2ms，脉冲电压为3kV，采用多脉冲模式，脉冲个数为3，且单个脉冲的能量密度为12.53J/cm3。形成的钝化层的材料为氧化铝。
上述实施方式中的量子点发光二极管在光子烧结前后分别进行光电性能测试以对比光子烧结对器件光电性能的影响，测试结果如图10所示。图10中的横轴表示器件的亮度(Luminance)，纵轴表示器件的外量子效率(EQE)。结果表明，经过光子烧结后，器件的最大外量子效率有所增加，并且器件能够在更低的亮度下达到更高的效率。
上述实施方式中的量子点发光二极管在光子烧结前后分别采用X射线光电子能谱(XPS)测试，以对比阴极与电子传输层界面处不同形态Al元素的含量变化(测试结果如图11所示)和阴极与电子传输层界面处不同形态O元素的含量变化(测试结果如图12所示)。在图11和图12中，横轴表示电子结合能(Binding Energy)，纵轴表示光电子测量强度(Intensity)。结果表明，在经过光子烧结之后，更多的氧元素从氧化物晶格中扩散出来并与阴极发生反应，形成薄层的钝化层。
实施例3
本实施例提供一种显示面板，包括：基板和实施例1提供的量子点发光二极管，所述量子点发光二极管位于所述基板上。显示面板中的量子点发光二极管的所述电子功能层与所述阴极层之间设置有钝化层，钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
实施例4
本实施例提供一种显示装置，包括实施例3提供的显示面板。该显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。显示装置中的量子点发光二极管的所述电子功能层与所述阴极层之间设置有钝化层，钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部对电子功能层与所述阴极层的界面进行钝化，使得电子仅能通过钝化部之间的间隔注入至电子功能层，从而降低了电子向所述电子功能层的注入效率，继而降低了传输至所述量子点发光层中的空穴和电子的数量差异，最终降低了所述量子点发光层中电子积聚的程度，提高了器件性能。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (18)

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：
量子点发光层；
位于所述量子点发光层的一侧的电子功能层；
位于所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧的阴极层，所述电子功能层朝向所述阴极层的表面材料含有氧；
位于所述电子功能层与所述阴极层之间的钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物；所述钝化层由所述阴极层朝向所述电子功能层的一侧表面的金属元素与所述电子功能层朝向所述阴极层的一侧表面的氧元素反应生成。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述钝化部的厚度不超过2nm。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子功能层包括电子传输层，所述电子传输层与所述钝化层接触，所述电子传输层中含有氧。
4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料为金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属氧化物的材料包括氧化锌。
6.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极层的材料包括铝、铝合金或银，所述钝化部的材料包括氧化铝或氧化银。
7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成量子点发光层；
在所述量子点发光层的一侧表面形成电子功能层；
在所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧表面形成阴极层，所述电子功能层与所述阴极层接触的表面材料含有氧；
在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层，所述钝化层包括若干个间隔的钝化部，所述钝化部的材料为绝缘金属氧化物；在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成所述钝化层的工艺为光子烧结工艺。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子功能层包括电子传输层，所述电子传输层与所述钝化层接触，所述电子传输层中含有氧。
9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材料为金属氧化物。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物的材料包括氧化锌。
11.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述阴极层的材料包括铝、铝合金或银，所述钝化部的材料包括氧化铝或氧化银。
12.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述钝化部的厚度不超过2nm。
13.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述光子烧结工艺的参数包括：
所述光子烧结工艺采用的光源至所述阴极层之间的间距为1cm至10cm；
脉冲宽度为0.01ms-10ms；脉冲电压为0.1kV-5kV；
所述光子烧结工艺中的脉冲个数为1至100，单个脉冲的能量密度为0.01J/cm3至100J/cm3。
14.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述光子烧结工艺采用的光源位于所述阴极层背离所述电子功能层的一侧；或者，所述光子烧结工艺采用的光源位于所述电子功能层背离所述阴极层的一侧。
15.根据权利要求14所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述光子烧结工艺采用的光源包括氙灯。
16.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述电子功能层背离所述量子点发光层的一侧表面形成阴极层之后，在所述电子功能层与所述阴极层的界面处形成钝化层之前，还包括：对所述量子点发光二极管进行封装。
17.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
权利要求1至6任意一项所述的量子点发光二极管，所述量子点发光二极管位于所述基板上。
18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求17所述的显示面板。
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