CN110718638B - 量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明具体涉及一种量子点发光二极管，包括第一电极、第一载流子传输层、第一量子点发光层、第二载流子传输层、第二量子点发光层、第三载流子传输层和第二电极；第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LOMO轨道能级与第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LOMO轨道能级与第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与第一量子点发光层、第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV，第二载流子传输层的材料的LOMO轨道能级与第一量子点发光层、第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。该器件可以使用交流电压进行驱动。

Description

量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
胶体量子点因其荧光效率高、单色性好，发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管(量子点发光二极管，Quantum dotlight-emitting diode，QLED)具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。
目前大量制备的QLED器件使用直流电压进行驱动，但是在直流电压的驱动下，器件的性能一般会有较快的衰减，例如，在较高电流驱动的情况下出现的缺陷和因局部有机聚合物材料性能衰退而出现的黑点，会导致器件无法正常工作。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有QLED器件使用直流电压进行驱动时，器件容易出现缺陷和黑点的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括层叠设置的第一电极、第一载流子传输层、第一量子点发光层、第二载流子传输层、第二量子点发光层、第三载流子传输层和第二电极；
所述第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第一载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第三载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV，且所述第二载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。
本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上制备第一电极；
在所述第一电极上制备第一载流子传输层；
在所述第一载流子传输层上制备第一量子点发光层；
在所述第一量子点发光层上制备第二载流子传输层；
在所述第二载流子传输层上制备第二量子点发光层；
在所述第二量子点发光层上制备第三载流子传输层；
在所述第三载流子传输层上述制备第二电极；
其中，
所述第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第一载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第三载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV，且所述第二载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。
本发明提供的量子点发光二极管，通过选取与第一电极材料和第二电极材料有匹配能级的材料作为第一载流子传输层与第三载流子传输层(即第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LUMO轨道能级与第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LUMO轨道能级与第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV)，同时选取与量子点材料具有匹配能级的材料作为第二载流子传输层(即第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与第一量子点发光层和第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV、LUMO轨道能级与第一量子点发光层和第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV)，这样，可保证载流子在传输时的跳跃和隧穿效应效果，形成的具有对称结构(即第一电极/第一载流子传输层/第一量子点发光层/第二载流子传输层/第二量子点发光层/第三载流子传输层/第二电极)的量子点发光二极管可在正向电压和反向电压的驱动下具有相同的电流-电压特性，从而可以使用交流电压对器件进行驱动，可避免在直流电压驱动下因高驱动电流带来的缺陷和黑点的产生。
本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，工艺简单，通过制备具有对称结构的量子点发光二极管(即第一电极/第一载流子传输层/第一量子点发光层/第二载流子传输层/第二量子点发光层/第三载流子传输层/第二电极)可在正向电压和反向电压的驱动下具有相同的电流-电压特性，从而可以使用交流电压对器件进行驱动，可避免在直流电压驱动下因高驱动电流引起的缺陷和黑点的产生。
附图说明
图1为本发明适合交流驱动的量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管，包括层叠设置的第一电极极、第一载流子传输层、第一量子点发光层、第二载流子传输层、第二量子点发光层、第三载流子传输层和第二电极；
所述第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第一载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第三载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV，且所述第二载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。
本发明实施例提供的量子点发光二极管，通过选取与第一电极材料和第二电极材料有匹配能级的材料作为第一载流子传输层与第三载流子传输层(即第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LUMO轨道能级与第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级、LUMO轨道能级与第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV)，同时选取与量子点材料具有匹配能级的材料作为第二载流子传输层(即第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与第一量子点发光层和第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV、LUMO轨道能级与第一量子点发光层和第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV)，这样，可保证载流子在传输时的跳跃和隧穿效应效果，形成的具有对称结构(即第一电极/第一载流子传输层/第一量子点发光层/第二载流子传输层/第二量子点发光层/第三载流子传输层/第二电极)的量子点发光二极管可在正向电压和反向电压的驱动下具有相同的电流-电压特性，从而可以使用交流电压对器件进行驱动，可避免在直流电压驱动下因高驱动电流带来的缺陷和黑点的产生。
具体地，图1本发明实施例的一种量子点发光二极管器件较佳实施例的结构示意图，如图1所示，以正型器件量子点发光二极管为例，该器件从下至上依次包括第一电极基板101、第一载流子传输层102-1、第一量子点发光层103-1、第二载流子传输层104、第二量子点发光层103-2、第三载流子传输层102-2、第二电极层105，封装层106，其中器件功能层第一载流子传输层/第一量子点发光层/第二载流子传输层/第二量子点发光层/第三载流子传输层为对称结构。
其工作原理为：在所形成的对称结构中，在正向电压驱动下，一方面，从第二电极层105(即阴极)注入的电子以跳跃机制进入第三载流子传输层102-2的LUMO轨道，之后电子会有两种渠道传输：其一，部分电子直接进入相邻的第二量子点发光层103-2并被限制于其中；其二，另一部分电子会通过第二量子点发光层103-2进入第二载流子传输层104，之后以Fowler-Nordhem(F-N)隧穿效应进入第一量子点发光层103-1；另一方面，从第一电极基板101(即阳极)注入的空穴以跳跃机制进入第一载流子传输层102-1的HOMO轨道，之后以Fowler-Nordhem(F-N)隧穿效应进入第一量子点层103-1或者越过第二载流子传输层104进入第二量子点发光层103-2中。而在反向电压驱动下，一方面，从第一电极基板101(即阴极)注入的电子以跳跃机制进入第一载流子传输层102-1的LUMO轨道，之后电子会有两种渠道传输：其一，部分电子直接进入相邻的第一量子点发光层103-1并被限制于其中；其二，另一部分电子会通过第一量子点发光层103-1进入第二载流子传输层104，之后以Fowler-Nordhem(F-N)隧穿效应进入第二量子点发光层103-2；另一方面，从第二电极层105(即阳极)注入的空穴以跳跃机制进入第三载流子传输层102-2的HOMO轨道，之后以Fowler-Nordhem(F-N)隧穿效应进入第二量子点层103-2或者越过第二载流子传输层104进入第一量子点发光层103-1中。
进一步地，在本发明实施例提供的量子点发光二极管，为更好地保证载流子的跳跃和隧穿效应的传输机制，所述第一载流子传输层和所述第三载流子传输层的材料分别独立选自TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)，TPD(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)，BCP(2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉)，Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲罗啉4,7-二苯)等中的一种或者多种，此时第一电极可选取ITO，第二电极可选取Al；而所述第二载流子传输层的材料选自PVK(聚(9-乙烯基咔唑))，PFO(聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基))，PFO-DMP(聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)，间二甲苯封端聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)，间二甲苯封端)等中的一种或者多种，此时第一量子点发光层和第二量子点发光层的量子点材料可选取核壳结构的CdSe/ZnS或者ZnCdSe/ZnS。
进一步地，在本发明实施例提供的量子点发光二极管，所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的材料相同，所述第一量子点发光层的与所述第二量子点发光层的材料相同。优选相同材料，在对称结构中，轨道能级匹配效果更佳。或者，上述第一载流子传输层与第三载流子传输层的材料具有相同的轨道能级，即相同的HOMO轨道能级、相同的LUMO轨道能级，通过相同的轨道能级，可以同时与第一电极材料和第二材料有匹配能级。
更进一步地，所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的厚度相同；所述第一量子点发光层与所述第二量子点发光层的厚度相同。优选地，所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的厚度均为10-30nm；所述第一量子点发光层与所述第二量子点发光层的厚度为10-30nm；第一载流子传输层和第三载流子传输层的厚度相同，对称效果更佳，第一量子点发光层与第二量子点发光层的厚度相同，对称效果更佳。另外，所述第二载流子传输层的厚度为10-30nm。上述功能层的厚度不宜过厚也不宜过薄，过厚的功能层将会造成器件的电阻过大，降低器件性能，功能层太薄则无法有效捕捉到形成的激子和有效传输载流子。
更进一步地，所述第一电极与所述第一载流子传输层之间层叠设置有第一载流子注入层，所述第二电极与所述第三载流子传输层之间层叠设置有第二载流子注入层；其中，所述第一载流子注入层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第一载流子注入层的材料的LUMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；所述第二载流子注入层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第二载流子注入层的材料的LUMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV。即载流子注入层的也必须对称选择，且分别与第一电极材料和第二电极材料有匹配能级。同理，如进一步还含有载流子阻挡层，也需对称设置。
进一步地，在本发明实施例提供的量子点发光二极管，所述第一量子点发光层的厚度与第二量子点发光层的量子点材料包括但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物；所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。所述阳极可选自铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)中的一种或多种；所述阴极可选用Al或Ag；空穴注入层可以选用聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、非掺杂过渡金属氧化物、掺杂过渡金属氧化物、金属硫化物、掺杂金属硫化物中的一种或多种。
另一方面，本发明实施例还提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
S01：提供基板；
S02：在所述基板上制备第一电极；
S03：在所述第一电极上制备第一载流子传输层；
S04：在所述第一载流子传输层上制备第一量子点发光层；
S05：在所述第一量子点发光层上制备第二载流子传输层；
S06：在所述第二载流子传输层上制备第二量子点发光层；
S07：在所述第二量子点发光层上制备第三载流子传输层；
S08：在所述第三载流子传输层上述制备第二电极；
其中，所述第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第一载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第三载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV，且所述第二载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。
本发明实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，工艺简单，通过制备具有对称结构的量子点发光二极管(即第一电极/第一载流子传输层/第一量子点发光层/第二载流子传输层/第二量子点发光层/第三载流子传输层/第二电极)可在正向电压和反向电压的驱动下具有相同的电流-电压特性，从而可以使用交流电压对器件进行驱动，可避免在直流电压驱动下因高驱动电流引起的缺陷和黑点的产生。
上述制备方法中，各功能层材料的选择上面已经阐述，这里不再说明。所述的各功能层沉积制备的方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
QLED器件的结构描述为：玻璃衬底/ITO//TPBi//CdSe量子点层/PVK/CdSe量子点层/TPBi/Al，其制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层以3000rpmd的旋涂速率旋涂一层TPBi薄膜作为载流子传输A层；
b.在TPBi层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
c.在CdSe量子点发光层上旋涂一层PVK薄膜作为载流子传输B层；
d.接着，在PVK层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
e.在CdSe量子点发光层上以3000rpmd的旋涂速率旋涂一层TPBi薄膜作为载流子传输A层；
f.最后，在TPBi薄膜上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例2
QLED器件的结构描述为：玻璃衬底/ITO//TPBi//CdSe量子点层/PVK/CdSe量子点层/TPBi/Al，其制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层以1500rpmd的旋涂速率旋涂一层TPBi薄膜作为载流子传输A层；
b.在TPBi层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
c.在CdSe量子点发光层上旋涂一层PVK薄膜作为载流子传输B层；
d.接着，在PVK层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
e.在CdSe量子点发光层上以1500rpmd的旋涂速率旋涂一层TPBi薄膜作为载流子传输A层；
f.最后，在TPBi薄膜上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例3
QLED器件的结构描述为：玻璃衬底/ITO//TPBi//CdSe量子点层/PVK/CdSe量子点层/TPBi/Al，其制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层以3000rpmd的旋涂速率旋涂一层TPBi薄膜作为载流子传输A层；
b.在TPBi层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
c.在CdSe量子点发光层上旋涂一层PVK薄膜作为载流子传输B层；
d.接着，在PVK层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
e.在CdSe量子点发光层上以1500rpmd的旋涂速率旋涂一层TPBi薄膜作为载流子传输A层；
f.最后，在TPBi薄膜上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例4
QLED器件的结构描述为：玻璃衬底/ITO//TPD//CdSe量子点层/PVK/CdSe量子点层/TPD/Al，其制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层以3000rpmd的旋涂速率旋涂一层TPD薄膜作为载流子传输A层；
b.在TPD层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
c.在CdSe量子点发光层上旋涂一层PVK薄膜作为载流子传输B层；
d.接着，在PVK层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
e.在CdSe量子点发光层上以3000rpmd的旋涂速率旋涂一层TPD薄膜作为载流子传输A层；
f.最后，在TPBi薄膜上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
实施例5
QLED器件的结构描述为：玻璃衬底/ITO//TPBi//CdSe量子点层/PPV/CdSe量子点层/TPBi/Al，其制备方法如下：
a.在ITO衬底上旋涂一层以3000rpmd的旋涂速率旋涂一层TPBi薄膜作为载流子传输A层；
b.在TPBi层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
c.在CdSe量子点发光层上旋涂一层PPV薄膜作为载流子传输B层；
d.接着，在PVK层上以3000rpm的旋涂速率旋涂一层CdSe量子点发光层；
e.在CdSe量子点发光层上以3000rpmd的旋涂速率旋涂一层TPBi薄膜作为载流子传输A层；
f.最后，在TPBi薄膜上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括层叠设置的第一电极、第一载流子传输层、第一量子点发光层、第二载流子传输层、第二量子点发光层、第三载流子传输层和第二电极；
所述第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第一载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第三载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV，且所述第二载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一载流子传输层和所述第三载流子传输层的材料独立选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉，4,7-二苯基-1,10-菲罗啉4,7-二苯中的至少一种。
3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二载流子传输层的材料选自聚(9-乙烯基咔唑)，聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)，聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基，间二甲苯封端聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)，间二甲苯封端)中的至少一种。
4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的材料相同；和/或
所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的材料具有相同的HOMO轨道能级和LUMO轨道能级；和/或
所述第一量子点发光层的与所述第二量子点发光层的材料相同。
5.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的厚度相同；和/或
所述第一量子点发光层与所述第二量子点发光层的厚度相同。
6.如权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一载流子传输层与所述第三载流子传输层的厚度均为10-30nm；和/或
所述第一量子点发光层与所述第二量子点发光层的厚度为10-30nm。
7.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二载流子传输层的厚度为10-30nm。
8.如权利要求1-7任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述第一载流子传输层之间层叠设置有第一载流子注入层，所述第二电极与所述第三载流子传输层之间层叠设置有第二载流子注入层；
所述第一载流子注入层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第一载流子注入层的材料的LUMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第二载流子注入层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第二载流子注入层的材料的LUMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV。
9.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上制备第一电极；
在所述第一电极上制备第一载流子传输层；
在所述第一载流子传输层上制备第一量子点发光层；
在所述第一量子点发光层上制备第二载流子传输层；
在所述第二载流子传输层上制备第二量子点发光层；
在所述第二量子点发光层上制备第三载流子传输层；
在所述第三载流子传输层上述制备第二电极；
其中，
所述第一载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第一载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第三载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV，且所述第三载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第二电极的材料的功函能级的势垒≤2eV；
所述第二载流子传输层的材料的HOMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的价带势垒均≤1.5eV，且所述第二载流子传输层的材料的LUMO轨道能级与所述第一量子点发光层、所述第二量子点发光层的材料的导带势垒均≤1.5eV。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一载流子传输层和所述第三载流子传输层的材料独立选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉，4,7-二苯基-1,10-菲罗啉4,7-二苯中的至少一种；和/或
所述第二载流子传输层的材料选自聚(9-乙烯基咔唑)，聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)，聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基，间二甲苯封端聚(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)，间二甲苯封端)中的至少一种。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111509135B (zh) * 2020-04-26 2023-03-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1816230A (zh) * 2004-12-06 2006-08-09 株式会社半导体能源研究所 电子设备以及发光器件
WO2012175921A1 (en) * 2011-06-22 2012-12-27 Cambridge Display Technology Limited Organic optoelectronic material, device and method
CN103872250A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 潘才法 一种电致发光器件
WO2014178441A1 (en) * 2013-04-30 2014-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Organic light emitting device
CN104617232A (zh) * 2015-01-05 2015-05-13 信利（惠州）智能显示有限公司 一种oled器件制造方法及oled器件
CN105794009A (zh) * 2013-09-27 2016-07-20 韦克森林大学 频率依赖的发光装置
CN106486599A (zh) * 2015-08-26 2017-03-08 三星电子株式会社 有机光电子器件和图像传感器
WO2017135705A1 (ko) * 2016-02-03 2017-08-10 주식회사 엘지화학 유무기 하이브리드 페로브스카이트 태양 전지
CN108023024A (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 乐金显示有限公司 量子点发光二极管和包括其的量子点显示装置
CN108496413A (zh) * 2015-09-10 2018-09-04 南洋理工大学 电致发光装置及其形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5183142B2 (ja) * 2007-10-03 2013-04-17 キヤノン株式会社 ビナフチル化合物及びこれを用いた有機発光素子
KR20120119449A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101927943B1 (ko) * 2011-12-02 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1816230A (zh) * 2004-12-06 2006-08-09 株式会社半导体能源研究所 电子设备以及发光器件
WO2012175921A1 (en) * 2011-06-22 2012-12-27 Cambridge Display Technology Limited Organic optoelectronic material, device and method
CN103872250A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 潘才法 一种电致发光器件
WO2014178441A1 (en) * 2013-04-30 2014-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Organic light emitting device
CN105794009A (zh) * 2013-09-27 2016-07-20 韦克森林大学 频率依赖的发光装置
CN104617232A (zh) * 2015-01-05 2015-05-13 信利（惠州）智能显示有限公司 一种oled器件制造方法及oled器件
CN106486599A (zh) * 2015-08-26 2017-03-08 三星电子株式会社 有机光电子器件和图像传感器
CN108496413A (zh) * 2015-09-10 2018-09-04 南洋理工大学 电致发光装置及其形成方法
WO2017135705A1 (ko) * 2016-02-03 2017-08-10 주식회사 엘지화학 유무기 하이브리드 페로브스카이트 태양 전지
CN108023024A (zh) * 2016-11-01 2018-05-11 乐金显示有限公司 量子点发光二极管和包括其的量子点显示装置

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