CN105794009A - 频率依赖的发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种本文所描述的电致发光装置，在一方面包括第一电极和第二电极以及位于第一和第二电极之间的发光层。电流注入栅极位于第一电极和发光层之间或第二电极和发光层之间。在一些实施方式中，电流注入栅极包括电子结构的半导体层，该电子结构作为施加至第一和第二电极的交流电压频率的函数，限制来自第一或第二电极的注入电流通过半导体层。

Description

频率依赖的发光装置
相关申请的引证
本申请依据35U.S.C.§119(e)要求于2013年9月27日提交的美国临时专利申请61/883,710的优先权，其通过引用以其整体结合于此。
技术领域
本发明涉及发光装置，以及特别地涉及表现出与交流电压频率相关的特性的发光装置。
背景技术
有机薄膜电致发光(EL)装置，包括通常使用恒定电压或直流电(DC)电源操作的有机发光装置(OLED)。电荷载子(载荷子，chargecarrier)(空穴和电子)分别从高功函数和低功函数金属电极直接注入。直流电注入构造中存在多种缺点。例如，直流电注入可以在复合区(重组区，recombinationzone)沉淀电荷积聚(chargeaccumulation)和大的漏电流(泄露电流，leakagecurrent)，导致显著的激子淬息(激子淬熄，excitonquenching)。激子淬息产生低亮度和一系列效率衰减。此外，DC驱动的构造需要整流器并且增加了装置对尺寸变化的灵敏度，这导致了逃逸电流(runawaycurrent)缺陷。更重要的是，为了实现有效的电荷注入，需要将高功函数金属用于阳极，以及将低功函数金属用于阴极。这种要求严重限制用于DC装置的合适的电极材料。另外。低功函数金属在空气和水中是不稳定的，从而增加DC装置的制造复杂性。
发明内容
本文描述了电致发光装置，其在一些实施方式中提供超过现有装置的优点。例如，本文所描述的电致发光装置可以通过交流电(AC)来驱动，同时通过施加的偏压的频繁逆转减轻电荷积聚。此外，本文所描述的电致发光装置可以在不存在直流电注入的情况下提供辐射复合(辐射重组，辐射重新结合，radiativelyreconbining)，从而打断电极对高和低功函数金属的依赖性。
简要地，在一方面，本文所描述的电致发光装置包括第一电极和第二电极以及位于第一和第二电极之间的发光层。电流注入栅极位于第一电极和发光层之间或第二电极和发光层之间。在一些实施方式中，电流注入栅极包括电子结构的半导体层，该电子结构作为施加至第一和第二电极的交流电压频率的函数，限制来自第一或第二电极的注入电流通过半导体层。
在另一方面，本文所描述的电致发光装置包括第一电极和第二电极以及位于第一和第二电极之间的有机发光层。电子掺杂剂层位于有机发光层的第一侧面且空穴掺杂剂层位于有机发光层的对侧，其中，纳米颗粒相桥接(连接，桥连，bridging)通过电子掺杂剂层和有机发光层形成的界面。可替代地，纳米颗粒相可以桥接通过空穴掺杂剂层和有机发光层形成的界面。此外，纳米颗粒相可以桥接通过电子掺杂剂层和有机发光层形成的界面以及通过空穴掺杂剂层和有机发光层形成的界面。
本文还描述了产生光的方法。产生光的方法包括提供电致发光装置，所述电致发光装置包括第一和第二电极、位于第一和第二电极之间的发光层和位于第一电极和发光层之间或第二电极和发光层之间的电流注入栅极。将交流电压施加至第一和第二电极，并通过作为交流电压频率的函数栅极限制来自第一和第二电极的注入电流流入发光层，其中，在发光层中辐射复合空穴和电子。
在以下具体实施方式中进一步描述这些和其他实施方式。
附图说明
图1示出了根据本文所描述的一种实施方式的电致发光装置的剖视图。
图2示出了根据本文所描述的一种实施方式的电致发光装置的剖视图。
图3示出了根据本文所描述的一些实施方式的电致发光装置的相对于AC电压频率的亮度。
图4示出了根据本文所描述的一些实施方式的电致发光装置在设定的电压频率下，相对于AC电压的AC电流和亮度。
具体实施方式
通过参考以下具体实施方式、实施例和附图可以更加容易理解本文描述的实施方式。但是，本文描述的要素、装置和方法并不限于在具体实施方式、实施例和附图中给出的特定的实施方式。应当认识到这些实施方式仅仅是说明本发明的原理。大量的修改和调整对于本领域技术人员是显而易见并且并不偏离本发明的精神和范围。
本文中单独或组合使用的术语“烷基”是指具有1-20个碳原子的直链或支链饱和烃基。在一些实施方式中，例如，烷基是C8-12烷基。
本文中单独或组合使用的术语“烯基”是指含有2-20个碳原子和至少一个碳碳双键的直链或支链烃基。在一些实施方式中，例如，烯基包括C8-12烯基。
本文中单独或组合使用的术语“芳基”是指芳族环体系基团。芳基也旨在包括碳环体系的部分氢化的衍生物。
本文中单独或组合使用的术语“杂芳基”是指例如具有5至7个成员原子的芳族环基团或者，例如具有7至18个成员原子的芳族环体系基团，它们包含一个或多个选自氮、氧或硫的杂原子，其中，N-氧化物和一氧化硫和二氧化硫允许杂芳香取代；如，例如：呋喃基、噻吩基、苯硫基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、异噻唑基、吡啶基、哒嗪基、吡嗪基、嘧啶基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基和吲唑基等。杂芳基也旨在包括杂环体系的部分氢化的衍生物。
I.电致发光装置
在一方面，本文所描述的电致发光装置包括第一电极和第二电极以及位于第一和第二电极之间的发光层。电流注入栅极位于第一电极和发光层之间或第二电极和发光层之间。在一些实施方式中，电流注入栅极包括电子结构的半导体层，所述电子结构作为施加至第一和第二电极的交流电压频率的函数，限制来自第一或第二电极的注入电流通过半导体层。
在一些实施方式中，多个发光层位于第一和第二电极之间。例如，在一些实施方式中，多个发光层位于第一和第二电极之间，每个发光层具有选自本文中部分(Section)IB(1)(i)-(iv)和IB(2)的架构。发光层可以具有多种发射谱，当复合(combine)时，其提供来自电致发光装置的期望的发射谱特性。此外，电子掺杂剂层可以位于发光层的第一侧面，并且空穴掺杂剂层可以位于发光层的相对侧(opposingside)。
图1示出了根据本文所描述的一种实施方式的电致发光装置的剖视图。图1示出的电致发光装置(10)包括第一电极(11)和第二电极(12)以及位于第一(11)和第二(12)电极之间的发光层(13)。电极掺杂剂层(14)位于发光层(13)的第一侧面，并且空穴掺杂剂层(15)位于发光层(13)的相对侧。如本文进一步讨论的，在一些实施方式中，可以将电子和/或空穴掺杂剂层直接共混至发光层，从而避免对电子供体和/或空穴供体材料的离散层的任何要求。电流注入栅极(16)位于第一电极(11)和发光层(13)之间。电流注入栅极(16)可以包括电子结构的半导体材料的层(17)，所述电子结构作为施加至第一(11)和第二(12)电极的交流电压频率(18)的函数，限制来自第一电极(11)的注入电流通过半导体层(17)。在可替代的实施方式中，电流注入栅极(16)可以位于第二电极(12)和发光层(13)之间。
现在描述电致发光装置的特定的组件。
A.第一和第二电极
可以由与本发明的目的不相矛盾的任何材料制造第一和第二电极。如上面所描述的，用于第一和第二电极的材料不限于现有的DC操作装置所要求的高和低功函数金属。例如，第一和第二电极可以由金属，如铝、镍、铜、金、银、铂、钯或其它过渡金属或它们的合金形成。当由金属或合金构成时，第一和/或第二电极可以是反射性的或者另外地，非辐射透射的。然而，在一些实施方式中，金属电极可以具有允许透过辐射的厚度。
可替代地，第一和/或第二电极可以由透过辐射的一种或多种材料构成。辐射透射(辐射可透过，透过辐射，radiationtransmissive)的材料可以透过本文所描述的发光层提供的电磁辐射，而没有显著干扰或衰减。合适的辐射透射的材料可以包括一种或多种辐射透射的传导氧化物(导电氧化物，conductingoxide)。辐射透射的传导氧化物可以包括铟锡氧化物(ITO)、镓铟锡氧化物(GITO)、铝锡氧化物(ATO)和锌铟锡氧化物(ZITO)中的一种或多种。在一些实施方式中，辐射透射的第一和/或第二电极由辐射透射的聚合物材料，如聚苯胺(PANI)和它的化学相关物质或3,4-聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)形成。此外，辐射透射的第一和/或第二电极可以由碳纳米管层形成，所述碳纳米管层具有可操作的厚度以使得可见的电磁辐射至少部分穿过。其他的辐射透射材料可以包括分散在聚合物相中的纳米颗粒相。
第一电极和第二电极可以表现为相同或不同的架构。例如，第一电极可以是非辐射透射的并且第二电极可以是辐射透射的。此外，在一些实施方式中，第一和第二电极都可以辐射透射的或非辐射透射的。在这种实施方式中，第一和第二电极可以由相同材料或不同材料制造。另外，第一和第二电极可以具有与本发明的目的不相矛盾的任何厚度。在一些实施方式中，第一和第二电极具有10nm至100μm范围的厚度。另外，氟化锂(LiF)或氧化锂(Li2O)层可以位于发光层和第一和/或第二电极之间。例如，LiF或Li2O的层可以位于电子掺杂剂层和电极之间。
B.发光层
本文所描述的电致发光装置的发光层可以表现出多种架构。例如，发光层可以是有机发光层或无机发光层。
(1)有机发光层
电致发光装置的发光层可以由以下阐述的多种发光有机材料形成。
(i)在一些实施方式中，有机发光层包括共轭(结合，缀合，conjugated)聚合物相或低聚物相。有机层的发光聚合物相或低聚物相包括一种或多种共轭聚合物或低聚物。发光聚合物相或低聚物相，例如可以包含共轭聚合物或低聚物的共混物。在一些实施方式中，共轭聚合物或低聚物的共混物包含聚合物或低聚物的共聚物。
适用于发光聚合物或低聚物相的共轭聚合物或低聚物可以包含至少两个选自由重复单元A、B和C组成的组中的重复单元：
其中，表示聚合物链或低聚物链中的连接点，X选自由S、O、Se和NR5组成的组，并且R1、R2、R5、R6、R7、R8和R9独立地选自由氢、C1-20烷基、C2-20烯基、C8-12烷基和C8-12烯基组成的组，并且R3和R4独立地选自由芳基和杂芳基组成的组，其中，R1、R2、R5、R6、R7、R8和R9中的烷基和烯基以及R3和R4中的芳基和杂芳基可选地独立地被选自由以下组成的组中的取代基取代一次或多次：-烷基、-烯基、-芳基、-杂芳基、-烷基-芳基、-烷基-杂芳基、-烯基-芳基和-烯基-杂芳基。
在一些实施方式中，R3和R4独立地选自由吡啶基(pyridyl)、吡喃基、吡啶基(pyridinyl)、联吡啶基、苯基吡啶基、噻吩基、呋喃基、硒苯基(selenophenyl)、芴基、咔唑基、吡咯基、喹啉基、异喹啉基、嘌呤基、噁唑基和异噁唑基以及它们的低聚物组成的组。
在一些实施方式中，本文所描述的共轭聚合物或低聚物的重复单元A选自由以下组成组：
其中，在上文限定了R5。
在一些实施方式中，本文所描述的共轭聚合物或低聚物的重复单元B选自由以下各项组成的组：
在一些实施方式中，本文所描述的共轭聚合物或低聚物的重复单元C选自由以下组成的组：
此外，重复单元A,、B和C的选择和摩尔比可以用于选择共轭聚合物或低聚物的发射谱，如Aimsen等人，2010年第五届IEEE国际会议的会议文集(Proceedings)关于纳米/微米工程和体系21-25“SynthesisandElectroluminescencePropertiesofPolyfluoreneDeriativesforLight-EmittingDiodes,”所教导的，通过引用将其全部内容结合于此。例如，在一些实施方式中，选择重复单元以提供白光发射。可替代地，可以选择重复单元以提供绿色或蓝绿色发射。
发光聚合物或低聚物相的共轭聚合物或低聚物，包含重复单元A和B，可以是式(I)的共轭聚合物或低聚物：
其中，X、R1、R2、R3、R4、R6和R7如上限定并且x和y独立地是1至10,000范围内的整数。如本文所描述的，式(I)的共轭聚合物或低聚物的重复单元A和B可以布置为提供交替共聚物、嵌段共聚物、统计共聚物(statisticalcopolymer)或无规共聚物。在一些实施方式中，式(I)的共轭聚合物或低聚物具有约1,000至约1,000,000范围内的重均分子量(Mw)。式(I)的共轭聚合物或低聚物可以具有约500至约500,000范围内的数均分子量(Mn)。
在一些实施方式中，本文所描述的式(I)的共轭聚合物或低聚物选自由以下各项组成的组：
其中，X、R1、R2、R6和R7如上限定以及x和y独立地是1至10,000范围内的整数。
在一些实施方式中，本文所描述的式(I)的共轭聚合物或低聚物选自由以下各项组成的组：
其中，R5如上文限定且x和y独立地是1至10,000范围内的整数。
发光聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物，包含重复单元A和C，可以是式(II)的共轭聚合物或低聚物：
其中，X、R1、R2、R8和R9如上限定且x和y独立地是1至10,000范围内的整数。如本文所描述的，式(II)的共轭聚合物或低聚物的重复单元A和C可以布置为提供交替共聚物、嵌段共聚物、统计学共聚物或无规共聚物。
在一些实施方式中，式(II)的共轭聚合物或低聚物具有约1,000至约1,000,000范围内的重均分子量(Mw)。式(II)的共轭聚合物或低聚物可以具有约500至约500,000范围内的数均分子量(Mn)。
在一些实施方式中，本文所描述的式(II)的共轭聚合物或低聚物选自由以下各项组成的组：
其中，R5如上限定且x和y独立地是1至10,000范围内的整数。
发光聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物，包含重复单元B和C，可以是式(III)的共轭聚合物或低聚物：
其中，R3、R4、R6、R7、R8和R9如上限定且x和y独立地是1至10,000范围内的整数。如本文所描述的，式(III)的共轭聚合物或低聚物的重复单元B和C可以布置为提供交替共聚物、嵌段共聚物、统计学共聚物或无规共聚物。
式(III)的共轭聚合物或低聚物可以具有约1,000至约1,000,000范围内的重均分子量(Mw)。在一些实施方式中，式(III)的共轭聚合物或低聚物具有约500至约500,000范围内的数均分子量(Mn)。
本文所描述的式(III)的共轭聚合物或低聚物可以选自由以下各项组成的组：
其中，R6、R7、R8和R9如上限定且x和y独立地是1至10,000范围内的整数。
在一些实施方式中，本文所描述的式(III)的共轭聚合物或低聚物选自由以下各项组成的组：
其中，x和y独立地是1至10,000范围内的整数。
发光聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物，包含重复单元A、B和C，可以是式(IV)的共轭聚合物或低聚物：
其中，X、R1、R2、R3、R4、R6、R7、R8和R9如上限定且x、y和z独立地是1至10,000范围内的整数。如本文所描述的，式(IV)的共轭聚合物或低聚物的重复单元A、B和C可以布置为提供交替共聚物、嵌段共聚物、统计学共聚物或无规共聚物。
在一些实施方式中，式(IV)的共轭聚合物或低聚物具有约1,000至约1,000,000范围内的重均分子量(Mw)。式(IV)的共轭聚合物或低聚物可以具有约500至约500,000范围内的数均分子量(Mn)。
在一些实施方式中，本文所描述的式(IV)的共轭聚合物或低聚物选自由以下各项组成的组：
其中，X、R1、R2、R6、R7、R8和R9如上限定且x、y和z独立地是1至10,000范围内的整数。
例如，本文所描述的式(IV)的共轭聚合物或低聚物选自由以下各项组成的组：
其中，R5如上文限定并且x、y和z独立地是1至10,000范围内的整数。
可以使用本领域已知的方法合成发光聚合物或低聚物相的共轭聚合物或低聚物，该共轭聚合物或低聚物包含至少两个选自由本文所描述的重复单元A、B和C组成的组中的重复单元。例如，在一些实施方式中，这种共轭聚合物或低聚物可以使用Suzuki偶联提供。关于共轭聚合物和/或低聚物的其他信息提供于专利合作条约申请公开WO2012/009344(PCT申请号PCT/US2011/043690，提交于2011年7月12日)中，通过引用将其全部内容结合于此，该共轭聚合物和/或低聚物包含选自由本文所描述的重复单元A、B和C组成的组中的至少两个重复单元。
此外，发光聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物可以包含聚芴、聚芴共聚物和/或它们的衍生物中的一种或多种物种。在一些实施方式中，聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物选自由以下各项组成的组：聚(9,9-二-正辛基芴基-2,7-二基)、聚[(9,9-二-正辛基芴基-2,7-二基)-交替-(苯并[2,1,3]噻二唑基-4,8-二基)]、聚[(9,9-二-正十二烷基芴基-2,7-二基)、聚[(9,9-二-二己基芴基-2,7-二基)、聚[(9,9-二-正辛基芴基-2,7-二基)、聚(9,9-正二己基-2,7-芴-交替-9-苯基-3,6-咔唑)、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-交替-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)]、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(9-乙基咔唑基-2,7-二基)]、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(蒽-9,10-二基)、聚[(9,9-二辛基芴基[(9,9-二基)-共-联噻吩]、聚[(9,9-双-(2-乙基己基)-9H-芴-2,7-二基]、聚[(9,9-二己基-9H-芴-2,7-亚乙烯基)-共-(1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基)-2,5-亚苯基亚乙烯基))(例如，90:10或95:5摩尔比)、聚[(9,9-二(2-乙基己基)-9H-芴-2,7-亚乙烯基)、聚[(9,9-二-正己基芴基-2,7-亚乙烯基)、聚[(9,9-二(2-乙基己基)-9H-芴-2,7-亚乙烯基)-共-(1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基)-2,5-亚苯基亚乙烯基)](例如，90:10或95:5摩尔比)和它们的混合物。
另外，本文所描述的有机发光层的共轭聚合物相或低聚物相可以包含含有式(V)的结构单元的聚合物或低聚物：
其中，表示聚合物或低聚物链中的连接点，并且R16和R17独立地选自由氢、C1-20烷基、C2-20烯基、C8-12烷基和C8-12烯基组成的组，并且其中，R16和R17的烷基和烯基可选地被选自由以下组成的组中的取代基取代一次或多次：-烷基、-烯基、-芳基、-杂芳基、-烷基-芳基、-烷基-杂芳基、–烯基-芳基和-烯基-杂芳基。
此外，本文所描述的电致发光装置的共轭聚合物相或低聚物相可以包含聚(苯基亚乙烯基)、聚(苯基亚乙烯基)共聚物和/或它们的衍生物。在一些实施方式中，共轭聚合物相或低聚物相包含由以下各项组成的组的物种：聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚(1-甲氧基-4-(3-丙氧基-七异丁基-PSS)-2,5-亚苯基亚乙烯基)-共-(1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基)-2,5-亚苯基亚乙烯基)(60:40)、聚(1-甲氧基-4-(邻-分散红1))-2,5-亚苯基亚乙烯基、聚(2,5-双(1,4,7,10-四氧杂十一烷基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)、聚(2,5-二辛基-1,4-亚苯基亚乙烯基)、聚[(间-亚苯基亚乙烯基)-交替-(2,5-二己氧基-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(间-亚苯基亚乙烯基)-交替-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(间-亚苯基亚乙烯基)-共-(2,5-二辛氧基-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(邻-亚苯基亚乙烯基)-共-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(对-亚苯基亚乙烯基)-交替-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[1-甲氧基-4-(3-丙氧基-七异丁基-PSS)-2,5-亚苯基亚乙烯基]、聚[1-甲氧基-4-(3-丙氧基-七异丁基-PSS)-2,5-亚苯基亚乙烯基]-共-[1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基-2,5-亚苯基亚乙烯基](30:70)、聚[2,5-双辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2,5-双(3’,7’-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-(2’,5’-双(2”-乙基己氧基)苯基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3’,7’-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[5-甲氧基-2-(3-磺基丙氧基-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[三(2,5-双(己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)-交替-(1,3-亚苯基亚乙烯基)]、聚{[2-[2’,5’-双(2”-乙基己氧基)苯基]-1,4-亚苯基亚乙烯基]-共-[2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]}，和它们的混合物。
发光聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物包含聚(萘亚乙烯基)、聚(萘亚乙烯基)共聚物和/或它们的衍生物中的一种或多种物质。在一些实施方式中，发光聚合物或低聚物相的共轭聚合物或低聚物包含氰基-聚(亚苯基亚乙烯基)、氰基-聚(亚苯基亚乙烯基)共聚物和/或它们的衍生物中的一种或多种物种。在一些实施方式中，发光聚合物或低聚物相的共轭聚合物或低聚物包括聚(芴亚乙烯基)、聚(芴亚乙烯基)共聚物和/或它们的衍生物中的一种或多种物种。在一些实施方式中，发光聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物包含聚(亚苯基亚乙烯基)、聚(亚苯基亚乙烯基)共聚物和/或它们的衍生物中的一种或多种物种。在一些实施方式中，发光聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物包含聚噻吩、聚噻吩共聚物和/或它们的衍生物中的一种或多种物种。
发光聚合物相或低聚物相的共轭聚合物或低聚物可以包含选自由以下各项组成的组中的物种：聚(2,5-二(3,7-二甲基辛氧基)氰基对苯二亚甲基)、聚(2,5-二(己氧基)氰基对苯二亚甲基)、聚(5-(2-乙基己氧基)-2-甲氧基-氰基对苯二亚甲基)、聚(5-(3,7-二甲基辛氧基)-2-甲氧基-氰基对苯二亚甲基)、聚(9,9-二辛基芴基-2,7-亚基亚乙炔基)、聚(9,9-双十二烷基芴基-2,7-亚基亚乙炔基)、、聚(9,9-二(2’-乙基己基)芴-2,7-亚基亚乙炔基]、聚(9,9-二((3’,7’-二甲基辛基)芴-2,7-亚基亚乙炔基]、聚(2,5-二环己基亚苯基-1,4-亚乙炔基)、聚(2,5-双十二烷基亚苯基-1,4-亚乙炔基)、聚(2,5-二辛基亚苯基-1,4-亚乙炔基)、聚(2,5-二(2’-乙基己基)-1,4-亚乙炔基)、聚(2,5-二(3’,7’-二甲基辛基)亚苯基-1,4-亚乙炔基)、聚(3-丁基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-环己基-4-甲基噻吩-2,5-二基)、聚(3-环己基噻吩-2,5-二基)、聚(3-癸氧基噻吩-2,5-二基)、聚(3-癸基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-十二烷基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-辛基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-辛基噻吩-2,5-二基-共-3-癸氧基噻吩-2,5-二基)、聚(噻吩-2,5-二基)、聚[(2,5-二癸氧基-1,4-亚苯基)-交替-(2,5-亚噻吩基))]、聚(2,6-萘亚乙烯基)、聚(对-二甲苯基四氢噻吩鎓氯化物)、聚(2,5吡啶)、聚(3,5吡啶)、聚(2,5-双(3-磺酸基丙氧基)-1,4-亚苯基,二钠盐-交替-1,4-亚苯基)、聚[(2,5-双(2-(N,N-二乙基铵溴化物)乙氧基-1,4-亚苯基)-交替-1,4-亚苯基]、聚[5-甲氧基-2-(3-磺基丙氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]钾盐、聚{[2,5-双(2-(N,N-二乙基氨基)乙氧基-1,4-亚苯基]-交替-1,4-亚苯基}和它们的混合物。
(ii)本文所描述的电致发光装置的有机发光层可以包含非共轭发光聚合物或低聚物、荧光小分子或它们的混合物。在一些实施方式中，发光有机层包含聚乙烯基咔唑(PVK)。合适的荧光小分子可以包括金属螯合物种、荧光染料、共轭树状聚合物或它们的混合物或组合。在一些实施方式中，荧光小分子是二萘嵌苯、红荧烯、喹吖啶酮或它们的混合物、组合和/或衍生物中的一种或多种。在一些实施方式中，荧光小分子包括蒽或相关化合物或香豆素。在一些实施方式中，荧光小分子包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
(iii)除以上部分I(B)1(i)-(ii)中所描述的发光相之外，本文所描述的电致发光装置的有机发光层可以包括纳米颗粒相。在一些实施方式中，纳米颗粒相分散在整个有机发光层中。例如，在一些实施方式中，纳米颗粒基本均匀地分散在整个有机发光层中。在其他实施方式中，纳米颗粒相不均匀地分散在有机发光层中。纳米颗粒相的纳米颗粒可以直接与包含聚合物、低聚物、小分子或它们的组合的有机发光层的发光物种(species)接触。例如，在一些实施方式中，纳米颗粒相的纳米颗粒未通过任何二次聚合物(二类聚合物，secondarypolymer)或低聚物或分散剂被涂覆和/或分散在有机发光层中。
在一些实施方式中，纳米颗粒以选自表I中的量存在于有机发光层中。
表I-复合有机层中的纳米颗粒相的重量百分数
纳米颗粒(wt.％)
0.001-20
0.01-15
0.1-10
0.5-5
1-4
0.01-3
0.01-0.5
0.01-0.3
0.01-0.2
0.01-0.15
在一些实施方式中，纳米颗粒以低于逾渗阈值(percolationthreshold)的量存在于有机发光层中。
纳米相可以包含与本发明的目的不相矛盾的任何纳米颗粒。在一些实施方式中，纳米颗粒相的纳米颗粒包括碳纳米颗粒，该碳纳米颗粒包括但不限于富勒烯、碳纳米管、碳量子点、石墨烯颗粒或它们的混合物。在一种实施方式中，适用于纳米颗粒相的富勒烯可以包括1-(3-甲氧基羰基)丙基-1-苯基(6,6)C61(PCBM)、高阶富勒烯(higherorderfullerene)(C70和更高)和内嵌金属富勒烯(endometallofullerene)(至少一个金属原子分布其中的富勒烯)。用于纳米颗粒相的碳纳米管可以包括单壁纳米管(SWNT)、多壁纳米管(MWNT)、剪切纳米管(切断纳米管)、掺杂氮和/或硼的碳纳米管和它们的混合物。
无机纳米颗粒也适用于纳米颗粒相。例如，纳米颗粒相可以包括金属纳米颗粒，如金纳米颗粒、银纳米颗粒、铜纳米颗粒、镍纳米颗粒和/或其它过渡金属纳米颗粒。无机纳米颗粒可以包括无机半导体纳米颗粒，如IIB/VIA纳米颗粒、IIIA/VA纳米颗粒、IVA/VIA纳米颗粒或它们的混合物。根据CAS名称限定本文所描述的元素周期表的族。在一些实施方式中，半导体纳米颗粒选自由PbS、PbSe、CdTe、CdS、InP、GaAs和它们的混合物组成的组。无机纳米颗粒可以表现出多种形状，包括线形、球形和点形。另外，在一些实施方式中，纳米颗粒相的纳米颗粒是发光的。存在的发光纳米颗粒可以辅助调谐发光有机层的发射谱。可以使用与本发明目的不相矛盾的任何发光纳米颗粒。在一些实施方式中，发光纳米颗粒包括本文所描述的量子点。
除部分I(B)1(i)-(ii)的单态发光物种之外，有机发光层可以进一步包括三态发射极相。在一些实施方式中，有机发光层包括一种或多种部分I(B)1(i)-(ii)的单态发光物种、纳米颗粒相和三态发射极相。三态发射极相可以包含与本发明目的不相矛盾的任何磷光化合物。在一些实施方式中，磷光化合物包括过渡金属配体复合物，其包括有机金属复合物。过渡金属复合物包括铱或铂金属中心。磷光过渡金属复合物在一些实施方式中是三(2-苯基吡啶)铱[Ir(ppy)3]或铂八乙基卟啉(PtOEP)。在一些实施方式中，三态发射极相包含选自表II的一种或多种磷光过渡金属复合物：
表II-三态发射极相的过渡金属复合物
[Os(bpy)3]2+
[Os(phen)3]2+
Ir(ppy)3
Ir(4,6-dFppy)2(pic)
Ir(MDQ)2(acac)
Ir(piq)2(acac)
[Os(phen)2(dppee)]2+
[Ru(bpy)3]2+
Re(phen)(CO)3(Cl)
Pt(bhq)2
Ir(piq)3
Pt(ppy)2
Pt(ph-salen)
Ir(btp)2(acac)
Pt(ONN-t-Bu)Cl
Pt(dphpy)(CO)
Pt(Me4-salen)
Pt(thpy)2
Pt(4,6-dFppy)(acac)
Pt(ppy)(CO)(Cl)
Pt(thpy)(CO)(Cl)
Ir(ppy)2(CO)(CL)
Pt(qtl)2
Re(phbt)(CO)4
Pt(qol)2
Pd(thpy)2
Pd(qol)2
[Pt(bpy)2]2+
[Rh(bpy)3]3+
在一些实施方式中，三态发射极相的过渡金属复合物可操作为参加与一种或多种有机发光层的物种的能量/电荷转移。例如，三态发射极相的磷光过渡金属复合物可以可操作为，如经由共振能量转移接收有机发光层的发光聚合物或低聚物物种的能量。共振能量转移可以包括能量转移和/或Dexter能量转移。在一些实施方式中，三态发射极相的磷光过渡金属复合物可操作为接收来自单态发射极聚合物物种或低聚物物种的三态激发态，用于随后所接收的三态激发态到基态的辐射驰豫(radiativerelaxation)。此外，在一些实施方式中，三态发射极相的磷光过渡金属复合物也可操作为接收来自单态发射极聚合物相或低聚物相的单态激发态，以用于随后所接收的单态激发态到基态的辐射驰豫。在一些实施方式中，通过磷光途径发生接收到的单态激发态的弛豫。
三态发射极相可以包含镧系元素和/或锕系元素(稀土发射极)，如铒、镱、镝、或钬；金属，如过渡金属；金属氧化物；金属硫化物；或它们的组合中的一种或多种。在一些实施方式中，三态发射极相包含掺杂的氧化钇(Y2O3)，如Y2O3:Eu、Y2O3:Zn和Y2O3:Ti。在一些实施方式中，三态发射极相包含掺杂的硫化锌，如ZnS:Cu、ZnS:Mn、ZnS:Ga或ZnS:Gd或它们的混合物。在另一种实施方式中，三态发射极相包含掺杂的硫化钙，如CaS:Er、CaS:Tb、CaS:Eu或它们的混合物。在一种另外的实施方式中，三态发射极相包含掺杂的氧化锌，如ZnO:Eu。在一种实施方式中，三态发射极相包含掺杂的硫化锶，如SrS:Ca、SrS:Mn、SrS:Cu或它们的混合物。三态发射极相可以包含本文所描述的磷光过渡金属复合物和其他三态发射物种的任何混合物。
三态发射极相可以以不与本发明的目的相矛盾的任何方式结合至有机发光层。在一些实施方式中，例如，三态发射极相分散于整个发光聚合物或低聚物相中。可以将三态发射极相的一种或多种磷光过渡金属复合物与一种或多种发光共轭聚合物或低聚物共混，以将该过渡金属复合物分散在整个共轭聚合物或低聚物中。
三态发射极相可以以不与本发明的目的相矛盾的任何量存在于发光有机层中。在一些实施方式中，三态发射极相以选自表III中的量存在于发光复合有机层中。
表III-有机发光层中三态发射极相的重量百分比
三态发射极相(wt.％)
0.01-25
0.05-30
0.1-15
0.1-10
0.5-5
1-30
1.5-30
2-30
3-30
4-30
5-30
7-3060 -->
8-30
9-30
10-30
≥6
≥7
≥8
≥9
≥10
≥11
≥12
≥15
在一些实施方式中，有机层的发光物种，如发光聚合物或低聚物，分散在介电基质(介电主体，dielectrichost)材料中。纳米颗粒相和/或三态发射极相也可以分散在介电基质中。介电基质可以是辐射透射的或表现出不与有机层的发光物种重叠的吸收曲线。
在一些实施方式，用于发光聚合物相或低聚物相、纳米颗粒相和可选的三态发射极相的介电基质材料中包括介电聚合物材料。使用介电聚合物基质可以允许有机发光层实现厚度的增加，导致装置的加工优势而不会牺牲效率或其他性能特征。出乎意料地，在一些实施方式中，使用介电聚合物基质允许形成具有合适的发光性质的较厚的有机发光层，而无需同时使用另外的发光聚合物或低聚物相和/或纳米颗粒相。
合适的介电基质可以包括聚苯乙烯(PS)、聚丙烯酸酯(PAA)、聚甲基丙烯酸酯(PMA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或它们的混合物。在一些实施方式中，介电基质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚烯烃，如聚乙烯、聚丙烯或它们的混合物。另外，介电基质可以包括含氟聚合物，包括全氟环丁基(PFCB)聚合物、聚氟乙烯(PVF)或聚偏二氟乙烯(PVDF)或它们的混合物。
介电聚合物基质可以以与本发明目的不相矛盾的任何期望的量存在于有机发光层中。在一些实施方式中，介电聚合物基质以至少约50重量百分数或至少约70重量百分数的量存在。在一些实施方式中，介电聚合物基质以约30重量百分数至约80重量百分数或约40重量百分数至约75重量百分数范围内的量存在。
在一些实施方式中，有机发光层中的介电聚合物基质与发光聚合物或低聚物相的比值在约1:5至约5:1的范围内。在一些实施方式中，有机发光层中的介电聚合物基质与发光聚合物或低聚物相的比值在约1:4至约4:1、约1:3至约3:1或约1:2至约2:1的范围内。此外，有机发光层中的介电聚合物基质与发光聚合物或低聚物相的比值可以在约1:1至约4:1的范围内。
有机发光有机层可以具有与本发明目的不相矛盾的任何期望的厚度。例如，发光复合有机层可以具有约10nm至约10μm范围内的厚度。在一些实施方式中，有机发光层具有选自表IV的厚度。
表IV-有机发光层的厚度(μm)
0.5-5061 -->
1-50
0.5-10
0.010-10
0.1-1
0.05-0.3
0.1-0.5
(iv)在一些实施方式中，本文所描述的电致发光装置的有机发光层包括单态发射极相和三态发射极相。单态发射极相可以包含部分I(B)1(i)中列出的共轭聚合物或低聚物。例如，单态发射极相可以包含一种或多种选自由以下各项组成的组中的共轭聚合物：聚(9,9-二-正辛基-2,7-二基)、聚[(9,9-二-正辛基芴基-2,7-二基)-交替-(苯并[2,1,3]噻二唑基-4,8-二基)]、聚[(9,9-二-正十二烷基芴基-2,7-二基)、聚[(9,9-二-正己基芴基-2,7-二基)、聚(9,9-正二己基-2,7-芴-交替-9-苯基-3,6-咔唑)、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-交替-(2,5-二甲基-1,4-亚苯基)]、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(9-乙基咔唑基-2,7-二基)]、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(蒽-9,10-二基)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-二噻吩]、聚[(9,9-双-(2-乙基己基)-9H-芴-2,7-二基]、聚[(9,9-二己基-9H-芴-2,7-亚乙烯基)-共-(1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基)-2,5-亚苯基亚乙烯基))(例如，90:10或95:5摩尔比)、聚[(9,9-二(2-乙基己基)-9H-芴-2,7-亚乙烯基)、聚[(9,9-二-正己基芴基-2,7-亚乙烯基)、聚[(9,9-二(2-乙基己基)-9H-芴-2,7-亚乙烯基)-共-(1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基)-2,5-亚苯基亚乙烯基)](例如，90:10或95:5摩尔比)和它们的混合物。
在一些实施方式中，本文所描述的电致发光装置的单态发射极相包含含有式(V)的结构单元的聚合物或低聚物：
其中，表示聚合物或低聚物链中的链接点，并且R16和R17独立地选自由氢、C1-20烷基、C2-20烯基、C8-12烷基和C8-12烯基组成的组，并且其中，R16和R17中的烷基和烯基可选独立地被选自由-烷基、-烯基、-芳基、-杂芳基、-烷基-芳基、-烷基-杂芳基、-烯基-芳基和-烯基-杂芳基组成的组中的取代基取代一次或多次。
单态发射极相可以包含一种或多种聚(苯基亚乙烯基)、聚(苯基亚乙烯基)共聚物和/或它们的衍生物。在一些实施方式中，单态发射极相包含选自由以下各项组成的组中的共轭聚合物：聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚(1-甲氧基-4-(3-丙氧基-七异丁基-PSS)-2,5-亚苯基亚乙烯基)-共-(1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基)-2,5-亚苯基亚乙烯基)(60:40)、聚(1-甲氧基-4-(邻-分散红1))-2,5-亚苯基亚乙烯基、聚(2,5-双(1,4,7,10-四氧杂十一烷基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)、聚(2,5-二辛基-1,4-亚苯基亚乙烯基)、聚[(间-亚苯基亚乙烯基)-交替-(2,5-二己氧基-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(间-亚苯基亚乙烯基)-交替-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(间-亚苯基亚乙烯基)-共-(2,5-二辛氧基-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(邻-亚苯基亚乙烯基)-交替-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[(对-亚苯基亚乙烯基)-交替-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-对-亚苯基亚乙烯基)]、聚[1-甲氧基-4-(3-丙氧基-七异丁基-PSS)-2,5-亚苯基亚乙烯基]、聚[1-甲氧基-4-(3-丙氧基-七异丁基-PSS)-2,5-亚苯基亚乙烯基]-共-[1-甲氧基-4-(2-乙基己氧基-2,5-亚苯基亚乙烯基](30:70)、聚[2,5-双辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2,5-双(3’,7’-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-(2’,5’-双(2”-乙基己氧基)苯基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3’,7’-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[5-甲氧基-2-(3-磺基丙氧基-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[三(2,5-双(己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基)-交替-(1,3-亚苯基亚乙烯基)]、聚{[2-[2’,5’-双(2”-乙基己氧基)苯基]-1,4-亚苯基亚乙烯基]-共-[2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]}和它们的混合物。
此外，在一些实施方式中，单态发射极相包含一种或多种聚(萘亚乙烯基)、聚(萘亚乙烯基)共聚物和/或它们的衍生物。单态发射极相室(cab)可以包含一种或多种氰基-聚(亚苯基亚乙烯基)、氰基-聚(亚苯基亚乙烯基)共聚物和/或它们的衍生物。在一些实施方式中，单态发射极相包含聚(亚芴基亚乙炔基(fluorenyleneethynylene))、聚(亚芴基亚乙炔基)共聚物和/或它们的衍生物。单态发射极相可以包含聚(亚苯基亚乙炔基)、聚(亚苯基亚乙炔基)共聚物和/或它们的衍生物中的一种或多种。在一些实施方式中，单态发射极相包含聚噻吩、聚噻吩共聚物和/或它们的衍生物中的一种或多种。
在一些实施方式中，发光复合有机层的单态发射极相包含选自由以下各项组成的组中的共轭聚合物：聚(2,5-二(3,7-二甲基辛氧基)氰基对苯二亚甲基)、聚(2,5-二(己氧基)氰基对苯二亚甲基)、聚(5-(2-乙基己氧基)-2-甲氧基-氰基对苯二亚甲基)、聚(5-(3,7-二甲基辛氧基)-2-甲氧基-氰基对苯二亚甲基)、聚(9,9-二辛基芴基-2,7-亚基亚乙炔基)、聚(9,9-双十二烷基芴基-2,7-亚基亚乙炔基)、聚(9,9-二(2’-乙基己基)芴-2,7-亚基亚乙炔基]、聚(9,9-二(3’,7’-二甲基辛基)芴-2,7-亚基亚乙炔基]、聚(2,5-二环己基亚苯基-1,4-亚乙炔基)、聚(2,5-双十二烷基亚苯基-1,4-亚乙炔基)、聚(2,5-二辛基亚苯基-1,4-亚乙炔基)、聚(2,5-二(2’-乙基己基)-1,4-亚乙炔基)、聚(2,5-二(3’,7’-二甲基辛基)亚苯基-1,4-亚乙炔基)、聚(3-丁基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-环己基-4-甲基噻吩-2,5-二基)、聚(3-环己基噻吩-2,5-二基)、聚(3-癸氧基噻吩-2,5-二基)、聚(3-癸基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-十二烷基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-己基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-辛基噻吩-2,5-二基)(区域无规或区域规则)、聚(3-辛基噻吩-2,5-二基-共-3-癸氧基噻吩-2,5-二基)、聚(噻吩-2,5-二基)、聚[(2,5-二癸氧基-1,4-亚苯基)-交替-(2,5-噻吩撑)]、聚(2,6-萘亚乙烯基)、聚(对-二甲苯基四氢噻吩鎓氯化物)、聚(2,5吡啶)、聚(3,5吡啶)、聚(2,5-双(3-磺酸基丙氧基)-1,4-亚苯基,二钠盐-交替-1,4-亚苯基)、聚[(2,5-双(2-(N,N-二乙基铵溴化物)乙氧基-1,4-亚苯基)-交替-1,4-亚苯基]、聚[5-甲氧基-2-(3-磺基丙氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]钾盐、聚{[2,5-双(2-(N,N-二乙基氨基)乙氧基-1,4-亚苯基]-交替-1,4-亚苯基}和它们的混合物。
此外，在一些实施方式中，单态发射极相包括在2011年7月12日提交的专利合作条约申请号PCT/US2011/043690中描述的共轭聚合物或低聚物，通过引用将其全部结合于此。
在一些实施方式中，本文所描述的FIPEL的发光复合有机层的单态发射极相包含非共轭发光聚合物或低聚物、荧光小分子或它们的混合物。用于单态发射极相的合适的非共轭聚合物可以包括本文部分I(C)(i)中列举的任何共轭聚合物。在一些实施方式中，单态发射极相包含聚乙烯咔唑(PVK)。
本文所描述的有机发光层的单态发射极相可以包含一种或多种荧光小分子。合适的荧光小分子可以包括金属螯合物种、荧光染料、共轭树状聚合物或它们的混合物。在一些实施方式中，荧光小分子包括蒽或相关化合物或香豆素。在一些实施方式中，荧光小分子包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
此外，在一些实施方式中，单态发射极相可以包含一种或多种共轭聚合物或低聚物以及一种或多种荧光小分子。在发光复合有机层中，共轭聚合物或低聚物可以以与本发明目的不相矛盾的任何方式与荧光小分子结合。在一些实施方式中，例如，将一种或多种荧光小分子与一种或多种共轭聚合物或低聚物共混以提供单态发射极相。在一些实施方式中，组合多种聚合物、低聚物和/或小分子单态发射极可以允许调谐本文所描述的复合有机层的发光有机相的发射特性。
如本文所描述的，有机发光层还包括三态发射极相。三态发射极相可以包含与本发明目的不相矛盾的任何磷光化合物。在一些实施方式中，三态发射极相可以包含上文部分I(B)1(iii)中所描述的任意的三态化学物种。
三态发射极相可以以与本发明目的不相矛盾的任何方式与本文所描述的有机发光层的单态发射极相组合。在一些实施方式中，三态发射极相分散在整个单态发射极相中。例如，可以将三态发射极相的一种或多种磷光过渡金属复合物与单态发射极相的一种或多种共轭聚合物或低聚物共混，以将该过渡金属复合物分散在整个共轭聚合物或低聚物中。
单态发射极相可以以与本发明目的不相矛盾的任何期望量存在于有机发光层中。在一些实施方式中，三态发射极相以根据上文表III中的量存在于有机发光层中。
在一些实施方式中，有机发光层进一步包含布置于其中的纳米颗粒相。在一些实施方式中，纳米颗粒相布置在单态发射极相中。在其它实施方式中，纳米颗粒相布置在三态发射极相中。此外，可以将一种或多种纳米颗粒相布置在单态发射极相和三态发射极相两者中。此外，纳米颗粒相可以包括本文部分I中描述的任何纳米颗粒相。在一些实施方式中，该纳米颗粒相以与本文表I相一致的量存在于有机发光层中。
此外，在一些实施方式中，纳米颗粒相的纳米颗粒与三态发射极相的磷光过渡金属复合物连接。在一些实施方式中，纳米颗粒相的纳米颗粒结合到三态发射极相的过渡金属复合物。在一些实施方式中，纳米颗粒通过范德华相互作用、静电相互作用、氢键、离子键和共价键中的一种或多种结合至三态发射极相的磷光过渡金属复合物。在一种实施方式中，例如，磷光过渡金属复合物包括铱或铂复合物且纳米颗粒包括碳纳米管。在一些实施方式中，一个或多个共价键可以通过侧壁卤化、氢化、环加成(如普拉托(Prato)反应)和/或自由基加成反应形成在磷光过渡金属复合物和纳米颗粒之间。在一些实施方式中，磷光金属复合物和纳米颗粒之间的连接可以减少或避免电迁移和/或最大化复合有机层的两种组分间的能量传递效率，如在单态发射极相和三态发射极相之间的能量传递效率。
在一些实施方式中，如本文部分I(B)1(iii)中所阐述的，有机发光层的单态发射极相、三态发射极相和/或纳米颗粒相布置在介电基质材料中。此外，单态发射极相、三态发射极相和可选的纳米颗粒相形成的有机发光层可以具有以上表IV所阐述的厚度。
2.无机发光层
本文所描述的电致发光装置的发光层可以由多种发光无机材料形成。本文所描述的无机发光层由一个或多个亚层组(子层组，sublayergroup)形成，该亚层组包含与n型亚层形成异质结(heterojunction)的p型亚层。在一些实施方式中，无机发光层由单个亚层组形成。可替代地，无机发光层由多个亚层组形成。在一些实施方式中，亚层组可以以竖直堆叠的构造排列以提供无机发光层。
P-型亚层可以包含p-掺杂的II/VI半导体材料、p-掺杂的III/V半导体材料、p-掺杂的第IV族半导体材料或p-掺杂的II/IV半导体材料或它们的组合。在一些实施方式中，p-型亚层包含半导体合金。在一些实施方式中，p-型亚层包含p-型三元或四元半导体材料。例如，p-型亚层可以包含p-掺杂的III/V三元体系，如AlGaAs或InGaN。在一些实施方式中，p-型亚层包含p-掺杂的III/V四元体系，如AlGaInP、AlGaAsP或AlInGaAs。P-型亚层还可以包含p-型I/III/VI体系，如CuInGaSe。
p-掺杂的第IV族半导体材料可以包括选自元素周期表的第IIIA族的一种或多种元素的受体(acceptor)原子(p-掺杂剂)，包括但不限于硼、铝或镓。在一些实施方式中，p-掺杂的III/V半导体材料包括选自元素周期表的第IIA、IIB和IVA族的一种或多种元素的受体原子。例如，用于III/V半导体材料的p-掺杂剂可以包括铍、镁、锌、镉、硅或锗。此外，p-掺杂的第II/VI族半导体材料可以包含选自一种或多种过渡金属元素或稀土金属元素的受体原子。
p-型亚层可以包含不与本发明的目的相矛盾的任何期望水平的p-掺杂剂。在一些实施方式中，p-型亚层具有至少约1016原子/cm3的掺杂水平。在一些实施方式中，p-型亚层具有约1016原子/cm3至约1018原子/cm3范围内的掺杂水平。在一些实施方式中，p-型亚层具有高于约1018原子/cm3的掺杂水平。此外，p-型亚层可以具有不与本发明的目的相矛盾的任何厚度。在一些实施方式中，p型亚层具有50nm至2μm的厚度。在一些实施方式中，p型亚层具有100nm至1μm或100nm至750nm的厚度。
n-型亚层可以包含n-掺杂的IIB/VIA(II/VI)半导体材料、n-掺杂的IIIA/VA(III/V)半导体材料、n-掺杂的第IVA族(第IV族)半导体材料或n-掺杂的II/IV半导体材料或它们的组合。在一些实施方式中，n-型亚层包含半导体合金。例如，n-型亚层可以包含n-型三元或四元半导体材料。n-型亚层可以包含n-掺杂的III/V三元体系，如AlGaAs或InGaN。另外，n-型亚层可以包含n-掺杂的III/V四元体系，如AlGaInP、AlGaAsP或AlInGaAs。在一些实施方式中，n-型亚层包含n-型I/III/VI体系，如CuInGaSe。
n掺杂的第IV族半导体材料可以包含选自由元素周期表的第VA族的一种或多种元素的供体原子(n掺杂剂)，包括但不限于锑、砷或磷。n掺杂的III/V半导体材料可以包含选自元素周期表的第IVA和VIA族的一种或多种元素的供体原子。在一些实施方式中，例如，用于III/V半导体材料的n掺杂剂包括硫、硒、碲、硅或锗。
n-型组件的层可以包含不与本发明的目的相矛盾的任何期望水平的n-掺杂剂。在一些实施方式中，n-型层具有至少约1016原子/cm3的掺杂水平。在一些实施方式中，n-型层具有约1016原子/cm3至约1018原子/cm3范围内的掺杂水平。在一些实施方式中，n-型层具有高于约1018原子/cm3的掺杂水平。在其中n-型组件包括多个n-型层的实施方式中，n-型层可以表现出相同或基本相同的掺杂剂水平。
n-型亚层可以具有不与本发明的目的相矛盾的任何厚度。在一些实施方式中，n-型亚层具有50nm至2μm的厚度。在一些实施方式中，n-型亚层具有100nm至500nm或100nm至250nm的厚度。
辐射复合事件可以紧邻通过亚层组的相邻的n-型和p-型亚层形成的p-n结发生。在一些实施方式中，亚层组进一步包括位于p-型亚层和n-型亚层之间的一个或多个活性层(activelayer)，从而与p-型和n-型亚层形成结(junction)。在一些实施方式中，发光活性层包括与周围的p-型和n-型亚层接合的单个量子阱结构。在一些实施方式中，发光层包括多个量子阱结构。空穴和电子的辐射复合可以沿着发光活性层的长度基本均匀地发生。在一些实施方式中，空穴和电子的辐射复合沿着发光活性层的长度非均匀地发生。
发光活性层可以包括不与本发明的目的相矛盾的任何半导体材料。在一些实施方式中，发光活性层包含第IV族半导体材料、III/V半导体材料或II/VI半导体材料。可以参考p-型亚层和n-型亚层的组成一致性选择发光活性层的组成一致性。在一些实施方式中，发光活性层是无掺杂的或本征半导体(纯半导体，intrinsicsemiconductor)，当布置在p-型和n-型亚层之间时导致p-i-n构造。在一些实施方式中，发光活性层是轻度n掺杂或p掺杂的。在一些实施方式中，例如，发光活性层表现出低于边界p-型亚层的p-掺杂剂水平。另外，发光活性层可以表现出低于边界n-型亚层的n-掺杂剂水平。
C.电流注入栅极
如本文所描述的，电致发光装置可以包括位于第一电极和发光层之间或第二电极和发光层之间的电流注入栅极。在一些实施方式中，电流注入栅极包括电子结构的半导体层，该电子结构作为施加至第一和第二电极的交流电压频率的函数，限制来自第一或第二电极的注入电流通过半导体层。例如，来自第一或第二电极的注入电流通过半导体层，可以随施加的交流电压的频率升高而降低。可替代地，在一些实施方式中，来自第一或第二电极的电流随着施加的交流电压的频率升高而增加。
表现出注入电流(来自第一或第二电极)的这种频率依赖性限制的半导体材料可以用作电致发光装置构造中的电流注入栅极。合适的栅极半导体材料可以包括无机半导体和有机半导体。例如，在一些实施方式中，无机栅极半导体包括过渡金属氧化物，包括氧化钛。在一些实施方式中，无机栅极半导体选自表V和VI。
表V-无机栅极半导体
表VI–无机栅极半导体
此外，有机栅极半导体可以包括小分子半导体，其包括并苯和/或并苯衍生物，如蒽、并四苯、并五苯、并六苯、并七苯或红荧烯。在一些实施方式中，小分子栅极半导体选自表VII。
表VII-小分子栅极半导体
另外，有机栅极半导体可以包含一种或多种共轭聚合物材料，包括聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚(9,9-二-辛基芴-交替-苯并噻二唑)(F8BT)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基[MEH-PPV]、P3HT、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)、PEDOT:PSS或它们的混合物。在一些实施方式中，栅极半导体由碳纳米颗粒，如表VIII中列出的那些形成。
表VIII-碳纳米颗粒栅极半导体
富勒烯–C60
(6,6)-苯基-C61丁酸甲酯(PC61BM)
(6,6)-苯基-C71丁酸甲酯(PC71BM)
(6,6)-苯基-C61甲基-己酸酯(PC61HM)
(5,6)-富勒烯-C70
(6,6)-苯基-C71己酸甲酯(PC71HM)
栅极半导体可以是纯的或掺杂的。此外，合适的无机和/或有机栅极半导体可以表现出至少2eV或至少3eV的带隙。在一些实施方式中，栅极半导体材料具有2至4eV或2.5至3.5eV的带隙。
电流注入栅极的半导体层可以具有不与本发明的目的相矛盾的任何厚度。在一些实施方式中，栅极半导体层具有选自表IX的厚度。
表IX-电流注入栅极半导体层厚度(nm)
1-500
5-100
10-75
15-50
20-40
在进一步的实施方式中，具有频率依赖行为的电流注入栅极可以是由有机或无机组分形成的复合物。例如，电流注入栅极可以包含分散在聚合物基体(polymericmatrix)中的无机颗粒。在一些实施方式中，可以将一种或多种陶瓷颗粒(例如，金属碳化物、金属氧化物、金属碳氮化物、金属氮化物、金属氮氧化物和/或金属氧碳氮化物)分散在共轭或半导体聚合物基体中，以提供电流注入栅极，其表现出来自第一或第二电极的注入电流的频率依赖性限制。电流注入栅极复合物可以采用至多约90wt％的无机颗粒与余量的聚合物基体。在一些实施方式中，电流注入栅极包含15-75wt.％无机颗粒与余量的聚合物基体。在部分C中描述了用于电流注入栅极的合适的无机颗粒和共轭聚合物。用于复合电流注入栅极的无机颗粒可以具有不与本发明的目的相矛盾的任何平均粒径。例如，在一些实施方式中，无机颗粒是具有小于1μm的平均大小的纳米颗粒。在一些实施方式中，无机颗粒具有10μm至500μm的平均尺寸。可替代地，无机颗粒可以具有大于1μm的平均尺寸。在一些实施方式中，电流注入栅极复合物具有选自表IX的厚度。
D.电子和空穴掺杂剂层
如本文所描述的，电致发光装置可以进一步包括在发光有机层的第一侧面的电子掺杂剂层以及在发光有机层的相对第二侧面的空穴掺杂剂层。可替代地，可以将形成电子掺杂剂层和/或空穴掺杂剂层的材料共混至发光层。在一些实施方式中，例如，将电子掺杂剂层和/或空穴掺杂剂层的半导体聚合物或小分子共混至有机发光层。
电子和空穴掺杂剂层可以由任何半导体聚合物和/或共轭小分子形成。在一些实施方式中，例如，电子和空穴掺杂剂层选自表X。
表X-电子和空穴掺杂剂材料
当没有共混于发光层中时，电子和/或空穴掺杂剂层可以具有不与本发明的目的相矛盾的任何厚度。在一些实施方式中，电子掺杂剂层或空穴掺杂剂具有10nm至100nm的厚度。此外，电子和/或空穴掺杂剂层可以具有小于10nm或大于100nm的厚度。
此外，在一些实施方式中，有机发光层的纳米颗粒桥接电子掺杂剂层和有机发光层之间形成的界面。类似地，有机发光层的纳米颗粒可以桥接空穴掺杂剂层和有机发光层之间形成的界面。
在一些实施方式中，电子和/或空穴掺杂剂层可以提供用于在发光层中辐射复合的电荷载子。例如，当电流注入栅极作用于限制或消阻止来自第一或第二电极的电流注入至发光层时，空穴和/或电子掺杂剂层可以提供用于在发光层辐射复合的必要的载子(载体，carrier)。不受任何理论的限制，相信极化电流(polarizationcurrent)可以在施加的交流电压下提供空穴和/或电子掺杂剂层中的载子生成，所述施加的交流电压具有诱导限制或阻止注入电流通过半导体栅极层的频率。因此，取决于施加的交流电压的频率，发光装置可以通过来自电极的直流电注入或通过空穴和/或电子掺杂剂层中的载子形成运行。这种双重功能运行能够使本文所描述的电致发光装置在宽范围的交流电压频率内提供有效的、明亮的发射，从而避免对AC电压操作频率的任何限制。
在一些实施方式中，具有本文所描述的构造的电致发光装置表现出表XI中的功率效率、电流效率和亮度值。此外，在一些实施方式中，表XI所列的功率和电流效率和亮度值可以在不使用传统施加至发光装置以增强光提取(lightextraction)的光耦合输出(out-coupling)结构的情况下实现。
表XI-功率和电流效率以及亮度
功率效率(lm/W) 电流效率(cd/A) 亮度(cd/m2)
≥50 ≥20 1500-8000
≥80 ≥30 2000-7000
≥100 ≥40 4000-6000
≥110 15-50 72 -->
≥120 15-40
50-150
80-130
80-120
100-150
另外，可以调谐具有本文描述的构造的电致发光装置以表现出具有任何期望色温(colortemperature)(2000-8000K)(如，2000-5000K)的电致发光发射。此外，本文所描述的电致发光装置可以表现出至少80或85的显色指数(colorrenderingindex)(CRI)。
在另一方面，本文所描述的电致发光装置包括第一电极和第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机发光层。电子掺杂剂层位于有机发光层的第一侧面且空穴掺杂剂层位于有机发光层的对侧，其中，纳米颗粒相桥接通过电子掺杂剂层和有机发光层形成的界面。可替代地，纳米颗粒相可以桥接通过空穴掺杂剂层和有机发光层形成的界面。此外，纳米颗粒相可以桥接通过电子掺杂剂层和有机发光层形成的界面以及通过空穴掺杂剂层和有机发光层形成的界面。
图2示出了电致发光装置的剖视图，其中，纳米颗粒桥接通过电子和空穴掺杂剂层与有机发光层形成的界面。如图2所示，电致发光装置(20)包括第一电极(21)和第二电极(22)以及位于第一(21)和第二(22)电极之间的有机发光层(23)。电子掺杂剂层(24)位于有机发光层(23)的第一侧面，并且空穴掺杂剂层(25)位于有机发光层(23)的对侧。第一纳米颗粒相(26)桥接电子掺杂剂层(24)和有机发光层(23)之间形成的界面(27)。第二纳米颗粒相(28)桥接空穴掺杂剂层(25)和有机发光层(23)形成的界面(29)。第一(26)和第二(28)纳米颗粒相可以包括相同的纳米颗粒。可替代地，第一(26)和第二(28)纳米颗粒相可以由不同的纳米颗粒形成。例如，可以参考电子掺杂剂层(24)的化学一致性选择第一纳米颗粒相(26)的纳米颗粒，并参考空穴掺杂剂层(25)的化学一致性选择第二纳米颗粒相(28)的纳米颗粒。此外，在一些实施方式中，将电子掺杂剂层和/或空穴掺杂剂层共混至有机发光层中。
包括第一和第二电极、有机发光层、一个或多个纳米颗粒相、电子掺杂剂层和空穴掺杂剂层的电致发光装置的组件可以具有该部分I中上面所描述的的任何组成参数和/或特性。例如，可以根据表XII选择电致发光装置的组件。
表XII-电致发光装置组件
组件 组成/特性
第一电极 选自本文部分IA
第二电极 选自本文部分IA
有机发光层 选自部分IB(1)(i)-(iv)
无机发光层 选自部分IB(2)
电子掺杂剂层 选自部分ID
空穴掺杂剂层 选自部分ID
此外，具有其中一个或多个纳米颗粒相桥接有机发光层和电子和/或空穴掺杂剂层之间形成的界面的架构的电致发光装置当耦合至交流电压电源时，可以具有本文表XI所列的功率和电流效率和亮度值，
II.产生光的方法
在另一方面，本文描述了产生光的方法。产生光的方法包括提供电致发光装置，所述电致发光装置包括第一和第二电极、位于所述第一和第二电极的发光层以及位于第一电极和发光层之间或第二电极和发光层之间的电流注入栅极。将交流电压施加至第一和第二电极，并且由第一和第二电极注入的电流通过作为交流电压频率的函数的栅极被限制流入发光层，其中，空穴和电子在发光层中辐射组合。在一些实施方式中，采用用于本文所描述的电致发光装置的交流电压频率选自表XIII。
表XIII-交流电压频率
10Hz–100KHz
10KHz–100KHz
10Hz–100Hz
20KHz–80KHz
30KHz–50KHz
适用于在产生光的方法中使用的电致发光装置可以具有本文部分I中描述的任何架构和/或特性，包括图1示出的电致发光装置。此外，本文所描述的产生光的方法，在一些实施方式中产生在部分I的表XI中所列的功率和电流效率以及亮度值。
如本文部分I所描述的，在发光层中辐射复合的电荷载子可以来源于第一和/或第二电极或空穴和/或电子掺杂剂层，这取决于施加的交流电压的频率，其控制电流通过栅极半导体层的限制。在一些实施方式中，例如，通过栅极半导体层的注入电流随施加的交流电压的频率升高而降低。
在以下非限制性实施例中进一步示出了这些和其他实施方式。
实施例1-电致发光装置
如下制造第一电致发光装置(EL1)。制备ITO玻璃基板用于每个装置。该ITO-玻璃基板由部分涂覆有150nm厚的ITO(铟锡氧化物)层的0.7mm厚的钠钙玻璃(苏打石灰玻璃，sodalimeglass)方形基板(25.4mm×25.4mm)构成。该ITO层覆盖玻璃基底的25.4mm×15.9mm部分。将未涂覆的基板的“玻璃”部分抛光至表面粗糙度为<5nmRa。将涂覆的基板的“ITO”部分抛光至表面粗糙度为<3nmRa。该ITO部分具有小于10ohm/sq的电阻率。该ITO-玻璃基板在555nm下具有大于95％的透明度。
第二，如下清洁ITO-玻璃基板。将高纯度(>99.99％)的N2气体从配备有CGA580调节器的容器吹到基板上。然后将基板置于聚丙烯基板载体(substratecarrier)中。将该基板和基板载体置于玻璃皿中。将该玻璃皿放置在超声发生器(Branson3510)中。向玻璃皿中加入丙酮，覆盖基板。然后进行超声波清洗15分钟或更长。然后使用甲醇替代皿中的丙酮溶剂，并且进行超声波清洗另外的15分钟或更长的时间段。然后用IPA(异丙醇，高效液相色谱(HPLC)等级)取代皿中的甲醇溶剂，并超声波清洗另外的15分钟或更长的时间段。然后从皿中取出基板，并且使用30psi或更大的压力的高纯度(>99.99％)N2气流以干燥所述基板。然后将干燥的基板平放于UV-臭氧清洁器(UVOCSInc.,ModelT16X16/OES)中，其中，基板的功能测向上，并清洗60分钟或更长。
从与异丙醇的混合物中将TiO2的栅极半导体层以1000rpm旋涂在ITO表面。TiO2栅极具有约20nm的厚度。将聚TPD:F4TCNQ混合物的空穴掺杂剂层以约40nm的厚度旋涂在干燥的TiO2栅极层上。接下来，将有机发光层由PVK在氯苯中的溶液(10mg/mL)旋涂在PEDOT:PSS空穴掺杂剂层上。该PVK溶液还包含一定量的Ir(ppy)3以提供沉积的有机发光层中8wt.％Ir(ppy)3。PVK:Ir(ppy)3的有机发光层具有约150nm的厚度。将TPBi的电子掺杂剂层旋涂在有机发光层上至约40nm的厚度。将金属第二电极沉积在TPBi层上。将电致发光装置置于真空蒸发器中用于顺序沉积LiF(多达0.5nm厚)和Al(110-130nm厚)。在5E-5至5E-6托的压力下以0.02nm/s沉积LiF(>99.999％)。在5E-5至5E-6托的压力下以0.4至0.7nm/s沉积铝(>99.999％)。
根据用于EL1的规程制造第二电致发光装置(EL2)，唯一区别是以4000rpm旋涂TiO2栅极层。此外，根据用于EL1的规程制造第三电致发光装置(EL3)，唯一区别是TiO2栅极层不是旋涂的。替代地，TiO2栅极层通过滴落涂布(滴铸，dropcasting)进行沉积。
将交流电压(VAC)施加至各个电致发光装置(EL1-EL3)中，其中，VAC的频率是变化的。图3示出了EL1-EL3的相对于VAC频率的亮度。如图3所示，EL1-EL3中的每个显示出在低频率(<50Hz)和高频率(30-50kHz)下的高亮度。此外，为了表现出TiO2半导体层的栅极功能，在施加的50Hz和40kHzVAC下运行EL1-EL3并测量AC电流。如图4所示，AC电流在低频率(50Hz)下高，且EL1-EL3由来自电极注入的电流发光。然而，在高频率(40kHz)下，AC电流在较低的数量级，其中，通过TiO2栅极的注入电流受限。在该模式中，空穴(p-TPD:F4TCNQ)和/或电子(TPBi)掺杂剂层中可以产生载子用于在有机发光层中的辐射复合。
已经描述了本发明的各种实施方式以实现本发明的各种目的。应当认识到这些实施方式仅仅是说明本发明的原理。许多修改和改变对于本领域技术人员是显而易见的，并且不脱离本发明的精神和范围。

Claims (26)

1.一种电致发光装置，包括：
第一电极和第二电极；
位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；以及
位于所述第一电极和所述发光层之间或所述第二电极和所述发光层之间的电流注入栅极，其中，所述电流注入栅极包括电子结构的半导体层，所述电子结构作为施加至所述第一电极和所述第二电极的交流电压频率的函数，限制来自所述第一电极或所述第二电极的注入电流通过所述半导体层。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述第一电极、第二电极或两者是辐射透射的。
3.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述发光层是包括单态发射极相的有机发光层。
4.根据权利要求3所述的电致发光装置，其中，所述单态发射极相包含一种或多种共轭聚合物或低聚物、小分子或它们的混合物。
5.根据权利要求3所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层进一步包括三态发射极相。
6.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述三态发射极相包含磷光过渡金属复合物。
7.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述三态发射极相分散于所述单态发射极相中。
8.根据权利要求7所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层包括用于所述单态发射极相和所述三态发射极相的介电基质。
9.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层进一步包括纳米颗粒相。
10.根据权利要求9所述的电致发光装置，其中，所述纳米颗粒相碳纳米颗粒、无机纳米颗粒和它们的混合物。
11.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述发光层是无机发光层。
12.根据权利要求11所述的电致发光装置，其中，所述无机发光层由III/V半导体材料形成。
13.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，通过所述栅极的所述半导体层的注入电流随施加的所述交流电压的频率升高而降低。
14.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述半导体层是包含分散于共轭聚合物基体中的无机颗粒的复合层。
15.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述半导体层由本征半导体形成。
16.根据权利要求15所述的电致发光装置，其中，所述本征半导体是无机半导体。
17.根据权利要求15所述的电致发光装置，其中，所述本征半导体是有机半导体。
18.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述半导体层由具有至少2eV的带隙的材料形成。
19.根据权利要求1所述的电致发光装置，进一步包括在所述发光有机层的第一侧面的电子掺杂剂层和在所述发光有机层的相对第二侧面的空穴掺杂剂层。
20.根据权利要求1所述的电致发光装置，具有至少100lmW-1的效率。
21.一种产生光的方法，包括：
提供电致发光装置，所述电致发光装置包括第一电极和第二电极、位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层以及位于所述第一电极和所述发光层之间或所述第二电极和所述发光层之间的电流注入栅极，所述电流注入栅极包括半导体层；
施加交流电压至所述第一电极和所述第二电极；
作为交流电压频率的函数，限制来自所述第一电极或所述第二电极的注入电流通过所述栅极的所述半导体层；以及
在所述发光层中辐射复合空穴和电子。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，通过所述半导体层的注入电流随施加的所述交流电压的频率升高而降低。
23.根据权利要求21所述的方法，其中，所述电致发光装置进一步包括在所述发光层的第一侧面的电子掺杂剂层和在所述发光层的相对第二侧面的空穴掺杂剂层。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，在所述发光层中辐射复合的空穴和电子由所述空穴掺杂剂层和所述电子掺杂剂层产生。
25.一种电致发光装置，包括：
第一电极和第二电极；
位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层；
在所述有机发光层的第一侧面的电子掺杂剂层和在所述有机发光层的相对第二侧面的空穴掺杂剂层；以及
桥接由所述电子掺杂剂层和有机发光层形成的界面的纳米颗粒相。
26.根据权利要求24所述的电致发光装置，其中，所述纳米颗粒相桥接由所述空穴掺杂剂层和所述有机发光层形成的界面。
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