发明内容
现在将参考以下附图来描述具体实施方式,附图是通过举例而非限制的方式提供的。
在一个方面中,公开集成器件封装。封装包括:封装基板、安装至所述封装基板的第一集成器件芯片、安装至所述封装基板的第二集成器件芯片和模制材料。第一和第二器件芯片彼此纵向间隔,并且芯片相对于彼此围绕纵轴成角度为固定的非平行角度。模制化合物至少部分设置在芯片之间的封装基板上,以保持所述固定的非平行角度。
在一些实施方案中,第一和第二器件芯片是传感器芯片。传感器芯片可包括磁阻传感器,例如各向异性磁阻(AMR)传感器、隧道磁阻(TMR)传感器和巨磁阻(GMR)传感器。第一集成器件芯片可构造为沿着第一和第二正交轴传感封装的位置。第二集成器件芯片可构造为沿着正交于所述第一和第二轴的第三轴传感所述封装的位置。第三集成器件芯片可安装至封装基板,并且可构造为由第一和第二集成器件芯片处理数据,例如转换磁通量强度和位置信息。第三集成器件芯片可以是放大器、和/或模数转换器(ADC)或其他信号调理电路。
在一些实施方案中,第一和第二集成器件芯片中的一种或多种可以是安装或引线结合至所述封装基板的倒装芯片。
在一些实施方案中,沿着纵轴的集成器件封装可在3mm至15mm的范围内。在一些实施方案中,封装可具有沿着垂直于所述纵轴的横轴的宽度,并且宽度可在50微米至600微米的范围内。
在一些实施方案中,固定的非平行角度可由扭曲截面形成。扭曲截面可嵌入模制材料。固定的非平行角度可以在89°至91°的范围内。
在一些实施方案中,模制材料可设置在第一和第二集成器件芯片上。
在一些实施方案中,封装还可包括支架配件,其沿着纵轴延伸以被构造为提供第一和第二集成器件芯片刚性。在一些实施方案中,支架配件可包括彼此分离的多个支架。在一些实施方案中,支架材料采用具有低磁性敏感性的材料制成。
在另一方面中,公开另外的集成器件封装。封装包括封装基板、安装至基板的第一集成器件芯片、也安装至基板的第二集成器件芯片和模制材料。第一和第二器件芯片彼此纵向间隔,并且芯片相对于彼此围绕纵轴成角度为固定的非平行角度。封装具有沿着垂直于所述纵轴的横轴的宽度,宽度在50微米至600微米的范围内。
在一些实施方案中,封装还可包括使固定的非平行角度固定的模制材料。
在一些实施方案中,第一和第二芯片可以是传感器芯片。传感器芯片可包括磁阻传感器,例如各向异性磁阻(AMR)传感器、隧道磁阻(TMR)传感器和巨磁阻(GMR)传感器。
在另一方面中,公开制造集成器件封装的方法。该方法包括在封装基板上安装第一集成芯片和第二集成器件芯片。第一集成器件芯片和第二集成器件芯片纵向间隔。该方法还可包括将封装基板变形以使第一和第二集成器件芯片相对于彼此围所述绕纵轴成角度为固定的非平行角度。
在一些实施方案中,该方法还可包括至少施加模制材料至封装基板的部分以通过模制材料维持固定的非平行角度。
在一些实施方案中,第一和第二集成器件芯片包括传感器芯片。
在一些实施方案中,将封装基板变形可包括沿横轴偏置第一和第二芯片、扭曲封装基板和/或使封装基板粘合支架配件。
在另一方面中,公开另外的集成器件封装。封装包括沿着具有第一支撑和第二支撑表面的纵轴延伸的细长支架。表面放置为相对于第一支撑表面围绕纵轴成固定的非平行角度。封装还包括封装基板,包括第一部分和第二部分。第一部分机械连接第一支撑表面。第二部分机械连接第二支撑表面。封装还包括第一集成器件芯片和第二集成器件芯片,分别安装至第一部分和第二部分。封装横向尺寸小于600微米,横向尺寸横向于纵轴。
在一些实施方案中,第一部分和第二部分形成单一封装的部分和/或由单独封装基板所限定。
在一些实施方案中,第一集成器件芯片可以沿着纵轴与第二集成器件芯片间隔。
在一些实施方案中,封装基板可包括一个或多个弯曲。弯曲可包括扭曲截面。扭曲截面放置在第一和第二部分之间,以使第一和第二部分相对于彼此定位成固定的非平行角度。
在一些实施方案中,第一和第二集成器件芯片是传感器芯片。传感器芯片可以是磁阻传感器。例如,磁阻传感器可以是各向异性磁阻(AMR)传感器、隧道磁阻(TMR)传感器和巨磁阻(GMR)传感器。第一集成器件芯片可构造为沿着第一和第二正交轴传感封装的位置,并且第二集成器件芯片可构造为沿着正交于所述第一和第二轴的第三轴传感封装的位置。
在一些实施方案中,封装还可包括安装至所述封装基板的第三集成器件芯片,其可构造为处理由第一和第二集成器件芯片转换的位置数据。
在一些实施方案中,支架可包括在第一和第二支撑表面之间放置和连接的跨越部分。
在一些实施方案中,第一和第二集成器件芯片中的一个或多个可将倒装芯片安装和/或引线结合至封装基板。
在一些实施方案中,沿纵轴的支架的长度可以在1mm至8mm、1mm至6mm、2mm至6mm或3mm至5mm的范围内。
在一些实施方案中,封装可以沿着垂直的宽度在所述纵轴的横轴,宽度在50微米至600微米、100微米至450微米、或100微米至400微米的范围内。
在一些实施方案中,固定的非平行角度在89°至91°的范围内或在89.5°至90.5°的范围内。
在一些实施方案中,封装基板可粘合支架。在一些实施方案中,封装基板可以沿纵轴延伸超过支架。
在一些实施方案中,支架可以是非-磁性材料。在一些实施方案中,支架可以是铜。
在一些实施方案中,封装还可包括封装主体,其中设置第一和第二集成器件芯片。
在一些实施方案中,细长支架可包括具有第一支撑表面的第一支架组件和具有第二支撑表面的第二支架组件,其中第一和第二支架组件被封装基板沿纵轴分开。
在一些实施方案中,封装还可包括使固定的非平行角度固定的模制材料。
在另一方面中,公开另外的集成封装。集成封装包括封装基板、安装至封装基板的第一磁性传感器芯片、和安装至封装基板的第二磁性传感器芯片。第一磁性传感器芯片沿着纵轴和第二磁性传感器芯片间隔。第一和第二磁性传感器芯片相对于彼此围绕纵轴成角度为固定的非平行角度。集成器件封装具有沿着垂直于所述纵轴的横轴的宽度。宽度可在50微米至600微米的范围内。
在一些实施方案中,封装还可包括沿纵轴延伸的细长支架。细长支架可包括第一支撑表面和相对于第一支撑表面围绕纵轴设置成固定的非平行角度的第二支撑表面。
在一些实施方案中,细长支架可包括具有第一支撑表面的第一支架组件和具有第二支撑表面的第二支架组件。
在一些实施方案中,封装基板可包括一个或多个封装基板。
在一些实施方案中,封装还可包括使固定的非平行角度固定的模制材料。
在一些方面中,公开医疗器械。医疗器械包括细长主体,具有近端部分和沿纵轴与近端部分间隔的远端部分。医疗器械还包括耦合细长主体的集成器件封装。集成器件封装包括第一集成器件芯片和沿着所述纵轴与所述第一集成器件芯片间隔的第二集成器件芯片。集成器件封装具有沿着垂直于所述纵轴的横轴的宽度。宽度在50微米至600微米的范围内。第一和第二集成器件芯片相对于彼此围绕纵轴成角度为固定的非平行角度。
在一些实施方案中,集成器件封装的沿着纵轴的长度在1mm至8mm的范围内。
在一些实施方案中,细长主体可包括导管,并且集成器件封装可放置在所述导管的腔中。
在一些实施方案中,细长主体可包括导丝,并且集成器件封装可耦合导丝。
在一些实施方案中,医疗器械还可包括沿着细长主体从集成器件封装近端延伸的电缆,并且电缆可电连接集成器件封装的引线。
在一些实施方案中,医疗器械还可包括电气通信集成器件封装的控制器。集成器件封装可构造为向控制器发送指示集成器件封装的位置的信号。
在一些实施方案中,控制器可包括处理电子器件,其被构造为分析信号以确定集成器件封装的位置。
在一些实施方案中,控制器可构造为通过一个或多个电缆向电子器件封装提供电源和接地。
在一些实施方案中,第一和第二集成器件芯片可包括各向异性磁阻(AMR)传感器芯片。
在一些实施方案中,医疗器械还可包括永磁发电机,其可构造为产生磁场以通过第一和第二集成器件芯片传感。
在一些实施方案中,永磁发电机可包括彼此分开的多个永磁发电机。多个永磁发电机中的每个永磁发电机可构造为以不同的频率产生相应的磁场。
在一些实施方案中,第一和第二集成器件芯片可构造为将由永磁发电机产生的磁场转换成相应的位置信号,所述信号代表第一和第二集成器件芯片的各自位置。控制器可包括处理电子器件,其可构造为基于各个位置信号的比较来确定集成器件封装的位置。
在一些实施方案中,医疗器械还可包括使固定的非平行角度固定的模制材料。
在另一方面中,公开另外的集成器件封装。集成器件封装包括沿着纵轴延伸的细长支架、具有第一部分和第二部分的封装基板、安装至封装基板的第一部分的第一集成器件芯片、和安装至封装基板的第二部分的第二集成器件芯片。细长支架包括具有第一支撑表面的第一支架组件和具有第二支撑表面的第二支架组件。第二支撑表面相对于第一支撑表面围绕纵轴设置成固定的非平行角度。
具体实施方式
本文公开的各种实施例涉及具有紧凑或低轮廓并且可用于感测小器件的位置的集成器件封装。例如,多种本文公开的封装可以被配置为用于插入到人类患者的体腔或洞中的器件中。在一些实施方案中,集成器件封装被配置为联接到用于插入人类患者的体腔或洞中的导丝。本文公开的实施例可以特别有利于与远离临床医师和/或进入部位的位置使用的系统一起使用,例如当治疗或诊断位置不容易从身体外部可见时。例如,本文公开的封装可用于任何合适类型的医疗或诊断程序,包括例如基于心脏导管、基于药物的诊断和治疗技术、内窥镜治疗、导尿管和内窥镜、超声成像导管、基于鼻喉导管、胃肠病学治疗、结肠镜检查等的治疗。关于心脏治疗,本文公开的封装可用于心脏诊断导管、芯片输送导管、基于导管的泵、光学相干断层扫描(OCT)导管、瓣膜输送导管、心脏内超声心动图(ICE)导管、经食管超声心动图(TEE)导管、诊断导管、PICC线或任何其他合适的器件。在一些实施方案中,本文公开的封装可以与引导线耦合,除了或作为将封装耦合到导管的替代方案之外。
在具有远离临床医生和/或进入部位的治疗位置的各种医疗程序中,监视医疗器械的工作端的位置和/或方位是重要的,例如与医疗器械的相互作用的部分治疗或诊断区域。然而,在许多情况下,封装传感器在足够紧凑的轮廓中可能是具有挑战性的,以便插入到解剖结构中。类似地,在其他应用中,紧凑位置传感器期望地与小工具或器件相关联,特别是有助于这种工具或器件在三维方面的精确定位。
为了封装,传感器,其设置在工作端上,使得传感器能够插入到解剖结构中,在一些实施方案中,工作端可以包含在细长支架配件中。细长支架配件可包括一个或多个支架。支架可沿纵轴分开。因此,本文多种实施方案提供沿工具或器件纵轴延伸的细长支架配件。细长支架配件可包括第一支撑表面和相对于第一支撑表面围绕纵轴设置成固定的非平行角度的第二支撑表面。固定的非平行角度可以为约90°,在一些布置中,例如在89°至91°的范围内,或在89.5°至90.5°的范围内。封装基板可包括第一部分和第二部分,第一部分机械连接第一支撑表面,和第二部分机械连接第二支撑表面。第一集成器件芯片可安装至封装基板的第一部分。第二集成器件芯片可安装至封装基板的第二部分。因此,第一和第二器件芯片可相对彼此设置为固定的非平行角度。
在一些布置中,第一和第二器件芯片均包括磁性传感器,例如各向异性磁阻(AMR)传感器、隧道磁阻(TMR)传感器或巨磁阻(GMR)传感器。在多种实施方案中,第一芯片可以沿着两个坐标测量封装的位置,并且第二器件芯片可以沿第三坐标测量封装的位置。通过使封装基板变形来使器件芯片相对于彼此倾斜,可有利地实现解剖结构内封装的三维位置检测。例如,两个芯片可以大致垂直于角度倾斜,以便沿三个正交轴进行位置检测。传感器封装可用于各种应用,包括医疗器械或其中在小空间中提供传感器的其他技术。例如,在医疗器械实施中,传感器可用于感测人体的各种特征。虽然本文公开的实施方案涉及位置检测,但是应该意识到,可以使用其它类型的传感器,例如检测速度、加速度(例如加速度计)、取向(例如陀螺仪)、温度、压力、pH等的传感器。
图1是器件1例如医疗器械的示意性系统图,包括细长主体2,具有近端部分3和沿着纵轴x和近端部分3分开的远端部分4。纵轴x可以在细长主体2的局部坐标中定义,并且可能不一定对应于固定的笛卡尔坐标。细长主体2可包括医疗器械,例如导管或导丝。器件1可包括耦合细长主体2的一个或多个紧凑集成器件封装10,例如封装10A,10B,10C,10D。封装10可以配置在细长主体2的腔内,或者可以附着到细长主体2的外表面。在一些实施方案中,仅仅单一器件封装10可耦合细长主体2。在手术或经皮实施的医疗器械的例子中,器件封装10可构造为向临床医生提供患者解剖结构内的封装10(因此细长主体2的部分耦合封装10)的位置的指示。在一些实施方案中,可以相对于三维坐标系提供指示位置,使得临床医生可以有益地确定工作端的精确位置和/或细长主体2在体内的路径。
在其他实施方案中,多个器件封装10可以沿着细长主体2的长度布置。利用多个封装10(例如封装10A-10D)可以有利地向临床医生提供细长主体2的不同部分的位置信息。关于细长主体2的多个部分的位置的信息可以帮助临床医生相对于解剖结构定位细长主体2的工作端。例如,在医疗器械应用中,多个封装10可用于将细长主体10的不同分支引导到横向血管(例如Y形分支)中,和/或将细长主体10(或其部分)定位在心脏瓣膜上。
图2是根据各种实施方案在程序中使用的器件1的示意性系统图。器件1可包括图1所示的细长主体2,其中仅仅单一集成器件封装10耦合细长主体2。应该意识到,多个封装10也可以用于图2的连接。如图2所示,细长主体2可以在手术过程中放置在目标5内,例如在治疗或诊断过程中在人类患者的身体内。在手术过程中,近端部分3可以放置在进入位置23处(例如用于心导管化学程序的股动脉)处或附近。一个或多个导管25可使细长主体2的近端部分3连接控制台9。一个或多个导管25可以包括一个或多个流体导管,其构造成将流体输送到和/或从细长主体2移除流体。一个或多个导管25还可以包括一个或多个电气电缆,以提供控制台9与细长主体2(例如包括封装10)的各种电气和电子组件之间的电气通信。
例如,控制台9可包括控制器,其可以通过一个或多个导管25(例如电缆)向器件封装10提供电源和/或地面。控制器可包括处理电子器件,其被构造为控制器件1的操作。例如,可以通过软件对处理电子装置进行编程以实现操作器件1的指令。控制台9还可以包括与器件1的操作结合使用的各种流体储存器、泵、传感器和其他器件。控制台9可以在器件1的工作端发送信号并从封装10接收信号。在多种实施方案中,控制台9可包括用户界面(例如显示器或触摸屏显示器、键盘等),其通知临床医生程序的状态和/或器件1的工作端的位置。临床医生可以通过用户界面向控制台9输入指令,以在使用期间和/或使用之前选择器件1的各种设置和/或操作模式。在一些实施方案中,控制台9可连接外部处理器件(例如计算机),其可以例如充当用户界面和/或分析操作数据。在一些实施方案中,控制台9可以从封装10接收信号,并且可以基于接收到的信号向进一步的指令向封装10提供反馈。
在一些实施方案中,如本文解释,封装10可包括位置传感器封装,其被构造为确定封装10的大致位置,并因此封装连接细长主体2的部分。在一些实施方案中,例如,封装10可包括磁性传感器封装,特别是磁阻传感器封装,例如各向异性磁阻(AMR)传感器封装、隧道磁阻(TMR)封装货巨磁阻(GMR)封装。例如,AMR封装,例如本文公开的封装10,可以包括具有各向异性材料的多个AMR传感器芯片,其中电阻取决于电流方向与由各向异性材料感测的磁场方向之间的角度。在一些布置中,例如,当电流方向平行于磁场时,电阻可以最大化,并且可以在其它角度减小电阻。
如图2所示,永磁发电机7可以设置有器件1,以便产生要由封装10转换的磁场8。永磁发电机7可包括一个或多个永磁发电机,其均可以包括一个或多个绕线。在描述的实施方案中,例如,永磁发电机7包括彼此分开预定间距的多个永磁发电机7A,7B,7C。多个永磁发电机的各永磁发电机7A-7C可构造为以不同的频率产生相应的磁场8A-8C。在一些布置中,控制台9可以控制永磁发电机7的运行,而在其他实施方案中,永磁发电机7可以与细长主体2连接的控制台9分开控制。产生的磁场8A-8C可以足够强,以便穿透目标5并由封装10感测。例如,在一些实施方案中,目标5(例如人类患者)可躺在桌子上,其中将永磁发电机7A-7C放在桌子和目标5下方。
在多种实施方案中,封装10可构造为检测产生的磁场8A-8C。集成器件封装10可构造为将信号发送到控制台9的控制器,其指示集成器件封装10的位置。封装10可包括一个或多个集成器件芯片,可以三维地检测磁场8A-8C的组件。信号可以通过导管25发送到控制器。控制器可包括处理电子元件,配置为分析信号以确定集成器件封装10的位置。例如,控制器可构造为将由封装10发送的信号与由永磁发电机7A-7C生成的字段8A-8C的数据进行比较,和/或以将封装10的每个芯片发送的信号彼此进行比较。在一些实施方案中,磁场8A-8C可以包括可由处理电子器件检测的不同频率。因此,至少部分地基于字段8A-8C的相关联的频率,控制器可以将由封装10检测到的每个字段8A-8C与相关联的永磁发电机7A-7C相关联。由控制台9设定的全球笛卡尔坐标系(例如X,Y,Z)中的永磁发电机7A-7C的已知位置可用于在三个维度中和周围对封装10的位置、旋转和/或取向进行三角测量。因此,控制器的处理电子设备可以被配置为基于封装10中的每个传感器芯片的各个位置信号的比较来确定集成器件封装10的位置。在一些布置中,来自芯片的差分输出信号可以包括一对绞合线或彼此间隔开的一对线。这种布置可以有益地减少差分输出信号中永磁发电机7的任何电感。
图3是根据各种实施方案耦合细长主体2的集成器件封装10的示意性前视图。图4是图3的封装10的示意性后视图。在图3和4的实施方案中,封装10显示在细长主体2的腔11内(可以在其中具有单个腔或多个不同的腔)。在一些实施方案中,封装10设置在导管的腔内。在其他实施方案中,然而,封装10可以设置在细长主体2的外表面上,或者与细长主体2相连,或者可以独立于任何腔体使用。如图所示的细长主体2具有圆柱形形状,但是细长主体2可以具有用于接收或耦合到封装10的任何合适的形状。
图5是集成器件封装10的示意性前视图。图6是沿着封装的纵轴观察10集成器件封装10的示意性端视图,其中封装10显示在细长主体2的腔11内。图7是集成器件封装10的示意性透视放大图。如图3-7所示,封装10可包括沿着纵轴x延伸的细长支架配件14,细长支架配件14包括第一支撑表面19和相对于第一支撑表面19围绕纵轴x设置成固定的非平行角度的第二支撑表面20。纵轴x可以在集成器件封装10的局部坐标中定义,并且可能不一定对应于固定的笛卡尔坐标。例如,第一和第二支撑表面19,20可以围绕纵轴x大致垂直于彼此垂直布置。封装基板15可包括第一部分26和第二部分27,第一部分26机械连接第一支撑表面19,和第二部分27机械连接第二支撑表面20。例如,第一和第二部分26,27可通过粘合剂粘合至支架配件14的第一和第二支撑表面19,20。
第一集成器件芯片13可安装至封装基板15的第一部分26。第二集成器件芯片12可安装至封装基板15的第二部分27。例如,第一和第二器件芯片13,12可以使用合适的芯片附着材料连接到基板15。如图3-7所示,第一和第二器件芯片13,12可沿着封装10的纵轴x彼此分开。第一和第二器件芯片13,12可包括任何合适类型的器件芯片,例如运动或位置传感器芯片、处理器芯片、微机电系统(MEMS)芯片等。在描述的实施方案中,第一和第二芯片13,12包括磁性传感器芯片,例如磁阻传感器,如AMR、GMR或TMR传感器芯片,其可以作为位置和/或旋转传感器与已知的外部磁场源组合。例如,第一集成器件芯片13可构造为沿着和围绕第一和第二正交轴(例如X和Y轴)感测封装10的位置和/或取向,并且第二集成器件芯片12可构造为沿着和围绕与第一和第二轴正交的第三轴(例如Z轴)感测封装10的位置和/或取向,反之亦然。例如,如图7所示,第一芯片13可具有第一和第二传感区域31a,31b,其被构造为分别沿着和围绕X和Y轴感测封装10的位置和取向。第二芯片12可具有第三传感区域31c,其被构造为沿着和围绕Z轴感测封装10的位置和取向。传感区域31a-31c可能对磁场敏感,如上所述,并且可以基于检测到的磁场估计芯片13,12的位置和/或取向。在一些实施方案中,传感区域31a-31c可以在封装10内由各种非磁性材料分开。例如,在区域31a-31c之间进行介入的芯片13,12的部分和/或基板15的部分(例如扭曲截面17)可是非磁性的。类似地,支架配件14可是非磁性的。尽管图3、5和7示出芯片13具有一个传感区域31a并且芯片12具有两个传感区域31b,31c,但是芯片13,12可以有任何合适数量的区域。另外,如图3、图5和图7所示的芯片13包括在芯片13的远端部分处的传感区域31c,但是区域31c可以替代地设置在更靠近芯片13的近端部分(例如,芯片13可以围绕垂直于芯片13的主表面的轴旋转180°)。这样的替代布置可以将芯片13的接近垫定位在更靠近芯片13的近端部分的位置,可以将基板成本和噪声耦合到传感区域31c中。
在第一和第二器件芯片13,12中使用AMR传感器芯片的实施方案中,将芯片13,12相对于彼此以固定的角度布置是非常重要的,使得芯片13,12的有效表面处于已知的角度。通过使芯片13,12相对于封装10的纵轴x相对于彼此倾斜,可以计算封装10的三维位置。例如,在描述的实施方案中,芯片13,12可围绕纵轴相对比彼此成角度为约90°的固定的非平行角度,例如在89°至91°的范围内,或在89.5°至90.5°的范围内。然而,应该理解,在各种其他实施方案中,固定的非平行角度可以是任何角度,只要AMR传感器芯片检测到磁场中的足够差异,以准确计算封装10的三维位置。
为了使芯片13,12精确的相对角度取向,在一些实施方案中,支架配件14可以提供坚固的支撑结构来支持集成器件芯片13,12。例如,支架配件14可包括在第一和第二支撑表面19,20之间设置和连接的跨越部分18。跨越部分18可以作为过渡,以使第一和第二支撑表面19,20精确取向固定的非平行角度。然而,在一些实施方案中,可消除跨越部分18。在不包括跨越部分18的实施方案中,支架配件14可包括多个支架组件间隔和/或分开,例如,支架14a,14b如图8所示,如下所述。在一些实施方案中,支架配件14可包括非-磁性材料,例如铜或铝。在一些实施方案中,支架配件14可以从单件材料成型。在一些其他实施方案中,可以连接多个部件来定义支架配件14。成角度的表面19,20可以精确定位,这可以有利地降低分辨率并增加传感器芯片的动态范围。
在一些实施方案中,封装基板15可包括单一封装基板足够灵活以包括一个或多个弯曲部。例如,在描述的实施方案中,封装基板15可包括一个或多个弯曲,使基板15能够符合支架配件的成角度的表面19,20。如图3、图5和图7所示,例如,基板15可包括扭曲截面17。扭曲截面17可以放置在基板15的第一部分26和第二部分27之间,以使第一和第二部分26,27相对于彼此定位成固定的非平行角度。应该理解,对于一些实施方案,只要部分26,27的相对角度被固定,扭曲截面17就不能在所有方向上固定。例如,在一些实施方案中,第一和第二部分26,27可以相对于x-z线或x-y线彼此弯曲。封装基板15可包括层叠基板,在一些实施方案中,导体嵌入绝缘体。在一些实施方案中,封装基板15可包括多个基板。例如,在这些实施方案中,第一和第二部分26,27可以由可能相互连接或不相互连接的单独的基板来定义。基板15可以具有足够的柔性,使得用户或机器可以通过绕纵轴x向基板15施加扭曲力来形成弯曲(例如扭曲截面17),而不破坏和/或使内部导体短路。当组装时,未附接到支架配件14(例如包括扭曲部分17)的基板15的部分可以保持柔性,以便被压缩和/或弯曲以适应不同的封装几何形状。在多种实施方案中,封装基板15可以包括具有通过基板15提供电连接的嵌入金属迹线的柔性绝缘体(例如,聚酰亚胺)。
封装基板15可以包括多个引导引线16,其被配置为提供电气通信电缆或与控制台9连接的其他互连。在描述的实施方案中,例如,可能有八个引线16配置为提供接地,电源和六条信号线的连接。六个信号线可以包括用于要转换的每个位置信号的两个端子。例如,在本文所示的三维位置传感器封装10中,可以为每个笛卡尔坐标提供两个引线16(X、Y、Z)。两个器件芯片13,12可以在某些实施方案中通过基板15彼此电连接。在其他实施方案中,芯片13,12不彼此电连接。在描述的实施方案中,导电引线16可设置在芯片13,12近端。
集成器件芯片13,12可以以任何合适的方式机械和电连接基板15。例如,如图6所示,芯片13,12可通过多个焊球21的方式倒装芯片安装至基板15。在一些实施方案中,芯片13,12可以通过各向异性导电膜、非导电膏或热压键连接到基板15。在一些实施方案中,芯片13,12可以使用使用导电接合线引线结合到基板15。基板15可以以各种布置密集地图案化,并且可以是可弯曲的,以便形成扭曲截面17。在一些实施方案中,封装10可以放置在封装外壳或封装体(未示出)中,例如,图3-7所示的封装10可以在某些实施方案中用模制材料32完全或部分封装,以保护组件从流体和其他材料在使用和/或修复固定的非平行角度。模制材料32可以是任何合适的材料,例如热固性或紫外线(UV)固化环氧树脂,注射成型化合物,转移模塑料,球形顶层,层压层,重力浇注环氧树脂,熔融片材,密封剂,塑料等。
在一些程序中,细长主体2可以被引导通过各种曲线和弯曲,例如通过用于医学诊断或治疗过程的解剖结构的部分。确保细长主体2足够灵活以穿过这种非线性路径可能是重要的。因此,提供最小化支架配件14的长度L的封装10是重要的,因为支架配件14可以驱动封装10的整体刚性(参见图7)。在一些实施方案中,沿纵轴x的支架配件14的长度L可以不大于8mm,例如在1mm至8mm的范围内,在1mm至6mm的范围内,在2mm至6mm的范围内,或在3mm至5mm的范围内。将支架配件14和封装10的尺寸缩小以具有短的刚性长度可使细长主体2能够穿过体内弯曲的路径。
细长主体2具有用于接收或联接主体2内的封装10的直径d,沿着封装10的纵轴x观察(参见图6)。直径d可以在0.6毫米至2.5毫米的范围内,在1毫米至2.5毫米的范围内,或在1毫米至2毫米的范围内。
此外,为封装10提供足够小的宽度可以插入用于感兴趣的小空间的宽度,例如患者的体腔或洞可能是重要的。例如,围绕封装10的模制材料32可具有沿着垂直于所述纵轴的横轴x的宽度W。宽度W限定封装的最大横向尺寸。在图6所示的实施方案的情况中,宽度W对应于模制材料32的直径,因为模制材料32具有圆柱形形状。宽度W可以在300微米到800微米的范围内、在400微米到800微米的范围内、或在400微米到600微米的范围内(参见图6)。宽度W可以代表横向于纵轴x.的方向的封装10的最大程度。细长主体2的直径d可以确定封装10的模制材料32的最大宽度W。
在一些实施方案中,另外的集成器件芯片和电气组件可设置在封装10中。例如,在一些实施方案中,第三集成器件芯片(例如处理器芯片、放大器、滤波器、模数转换器(ADC)等)可沿着第一或第二部分26,27(例如参见图12的芯片28)安装至基板15。第三集成器件芯片可以处理从第一和第二芯片13,12发送的信号。例如,在一些实施方案中,第三芯片28可以提供各种预处理能力(例如,模数转换和/或信号放大)封装10,可以提高测量精度。在芯片13,12附近的封装10内定位第三芯片28(见图12的芯片28)可以有益地减少由于将信号引导到控制台9而导致的信号损失,而无需任何预处理。三个器件芯片13,12,28可以通过嵌入基板15中的迹线彼此电连接。
在一些实施方案中,基板15可沿着纵轴x延伸超过支架配件14。例如,如图3和图5所示,基板15可以延伸到支架配件14之外,以便在电缆和引线16之间提供电气连通。在一些实施方案中,封装基板15可以在细长主体2内延伸一段相当长的距离。封装基板15可以将近端从封装10扩展到器件1的近端部分3。在其他实施方案中,封装基板15至少可以从封装10延伸到近端部分3。在甚至其他的实施方案中,封装基板15可以至少延伸距离封装10至近端部分3的距离的至少三分之一或至少四分之一。
在这种布置中,封装基板15的扩展长度可以使另外的集成器件芯片和电气组件能够集成到器件1中。例如,在一些实施方案中,可能优选的是将另外的器件芯片(例如上面提及的第三芯片)与封装10相距一定距离,以便减少封装10产生的热量。在一些情况中,如果在小空间中设置太多的电气组件,则由于功率消耗而导致的升高的温度对于感兴趣的应用可能是不期望的,例如在患者体内用于医疗诊断或治疗应用。沿着器件1的长度扩展另外的器件芯片(例如处理芯片),并且与延长长度基板15连接可以有利地分散所产生的热量,使得特定位置的温度不会明显增加。此外,尽管另外的芯片可能不会放在封装10中,但另外的芯片可能仍然比封装10更靠近封装10,否则将放在控制台9中。因此,在器件1的近端部分3和封装10之间定位另外的芯片可以在保持所需温度的同时改善感测位置数据的信号质量。
图8-9示出了具有封装10的具有多个集成器件芯片13,12的另一个实施方案,该多个集成器件芯片13,12相对于彼此成一定角度。除非另有说明,图8-9的组件与图1-7所示的类似编号的组件相同或大致相似。图8是安装有基板15和集成器件芯片13,12的集成器件封装10的示意性前视图。对于图1-7的实施方案,基板15可安装至支架配件14。然而,不像图1-7的实施方案,支架配件14可以包括分离的彼此分开的多个支架14a,14b,支架配件14可以省略例如图4所示的跨越部分18。图9是图8的集成器件封装10的示意性后视图。
在图8和9中,集成器件封装10分开支架14a,14b,定义支架配件14。图8和图9中所示的支架14a,14b沿着纵轴x彼此分开并且彼此间隔开。支架14a具有第一支撑表面19和支架14b具有第二支撑表面20。基板15可包括第一部分26和第二部分27,第一部分26机械连接第一支撑表面19,和第二部分27机械连接第二支撑表面20。例如,第一和第二部分26,27可以通过粘合剂分别粘附或粘合到第一和第二支撑表面19,20。第一集成器件芯片13可以安装到封装基板15的第一部分26中。第二集成器件芯片12可以安装到封装基板15的第二部分27中。在一些实施方案中,支架配件14可以具有多于两个的支架14a,14b。为了说明的目的,为了从细长主体2伸出的两个支架14a,14b的端部示出,应当理解,在使用中,整个封装10可以在细长元件2。
如图8和图9所示,类似于图1-7的实施方案,基板15可包括扭曲截面17。扭曲截面17可以被布置在基板15的第一部分26和第二部分27之间,并且围绕纵轴扭转,以将第一和第二部分26,27相对彼此位置定位成固定的非平行角度。扭曲截面17也可以设置在支架14a,14b之间以连接支架14a,14b。然而,与图1-7的实施方案不同,扭曲截面17可以不连接到支架的相应的扭绞或跨越部分配件14。与图1-7的实施方案不同,其中扭曲截面17可以与跨越部分18耦合,图8-9的扭曲截面17可以与支架配件14不连接,因为支架配件14可以不包括跨越部分18。
具有支架14a,14b的支架配件14可以提供坚固的支撑结构来支撑集成件芯片13,12。在一些实施方案中,芯片13,12之间的固定角度可以通过应用模制材料32模制材料32可以完全或部分地设置在封装10周围,以限定固定的非平行角度和/或在使用期间保护组件免受流体和其他材料的影响。在一些实施方案中,模具32可以完全包围扭曲截面17,并且仅部分地包围支架14a,14b。如前所讨论,固定的非平行角度可以在一些布置中为约90°,例如在89°至91°的范围内,或在89.5°至90.5°的范围内。然而,如上所述,在其他实施方案中,固定的非平行角度可包括其他数值。
封装10的实施方案与支架配件14不包括图1-7的跨越部分18可能是有益的,因为图8-9的封装10的总体尺寸可以小于图1-7的整体尺寸封装10的图1-7,其中包括跨越部分18。参考图6和图7,第一和第二支撑表面19,20的支架配件14形成L形。在这种实施方案的变形(例如扭曲)中,基板15和/或芯片13,12取决于支架配件14的形状和尺寸。然而,通过省略跨越部分18,封装10可以在基板15的扭曲截面17处更自由地变形,并且不限于L形。因此,变形后的封装10的模制材料32的宽度W通常可以类似于变形前的宽度W,这有利地使封装10适合于细长主体2。
图10是根据图1-9的实施方案,在封装10的制造过程期间与集成器件封装10的顶部透视图耦合的框架33。图11是耦合框架33的部分的图10的示例性集成器件封装10的放大图。框架33可以包括金属框架或任何合适的框架,以协助同时制造多个封装。在一些实施方案中,一个或多个基板15可安装在支架配件14上,对应框架33的部分。在一些实施方案中,例如图1-7的实施方案,支架配件14可包括设置在第一和第二支撑表面19,20之间并连接的跨越部分18。然而,如前述解释,可以省略跨越截面18,并具有如图8-9所示的支架14a和14b。当没有跨越部分18时,支架配件14可例如包括支架14a,14b沿轴线x彼此分开和/或彼此分开。集成器件封装10可以通过冲压,锯切,激光切割或任何其他合适的分割框架33的方法与框架33分离。
图12-15示出了具有集成器件封装10的器件的另一个实施方案,芯片13,12通过固定的非平行角度相对于彼此成角度。图12是根据各种实施方案集成器件封装10的示意性前视图,部分被模制材料32包围。图13是沿着封装10的纵轴x观察的集成器件封装10与模制材料32的围绕封装10的示意性端视图。第三集成器件芯片28(可以包括专用集成电路或ASIC)可以安装到基板15近端芯片13,12,并且可以通过基板15电连接到芯片13,12。
在图12的实施方案中,封装10显示在模制材料32的各部分内。如所示,模制材料32可以分别应用于器件芯片13,12和第三芯片28。因此,模制材料32的第一部分可以应用于芯片13,12两者,并且模制材料的第二部分可以应用在第三芯片28上。在描述的实施方案中,模制材料32可以不施加在基板15的截面30周围,这可有利地提高封装10的柔性。因此,在描述的实施方案中,基板15的未覆盖的截面30能够使封装10横穿解剖结构的弯曲或非线性截面。然而,在其他实施方案中,模制材料32可以围绕截面30施加,使得模制材料32围绕整个封装10设置。
图12中所示的实施方案,其通常类似于图3-7所示和描述的实施方案,可包括具有引线16的基板15,并且第一和第二集成器件芯片13,12可机械和电连接基板15。图12中的实施方案进一步包括沿着第一或第二部分26,27安装至基板15的第三集成器件芯片28(例如处理器芯片、放大器、滤波器、模数转换器(ADC)等)。第三集成器件芯片28可以处理从第一和第二芯片13,12发送的信号。例如,在一些实施方案中,器件芯片13,12可以是磁阻传感器,如AMR,GMR或TMR传感器芯片,第三器件芯片28可以是ADC。通过使芯片13,12相对于封装10的纵轴x相对于彼此倾斜,可以计算封装10的三维位置。在这些实施方案中,芯片13,12可以将感测到的数据信号发送到第三芯片28(例如ADC),以将感测的模拟信号转换为数字信号。来自第三芯片28的经处理的信号可以经由多个导电引线16和电缆或其他互连件发送到控制台9。通过处理非常接近传感器的信号,可以避免信号通过传输损耗的恶化。
如前所解释,图12和13中的封装10不包括支架配件14,如图3-7中的实施方案所示,或不包括跨越部分18(即支架14a,14b)的组装,如实施方案相反,在图12-13中,芯片13,12安装到基板15,并且模芯材料32围绕芯片13,12和基板15的部分设置,以将芯片13,12在固定的非平行角度。因此,不像图1-7所示的实施方案,模制化合物32,而不是支架配件14或其他结构,效果或定义芯片13,12之间的固定的非平行角度。另外,第三集成器件芯片28可以沿着纵轴x由基板15的截面30与第一集成器件芯片12间隔开。图12所示的基板15的截面30基本平坦。然而,应该理解,截面30可以形成任何形状。在一些实施方案中,截面30可以通过应用模制材料32来固定。在图12的描述实施方案中,沿纵轴的封装10的长度可以在7mm至11mm的范围内、在7mm至10mm的范围内或在8mm至10mm的范围内。
模制材料32可以应用于芯片13,12,28和基板15的部分。在一些实施方案中,模制材料32可以完全设置在封装10周围。在一些其他实施方案中,模制材料32可以部分地围绕封装10设置。例如,在图12-13的实施方案中,模制材料的第一部分可以放置在基板15的第一芯片13,第二芯片12和插入扭曲截面17之上。在一些实施方案中,模制材料32可以设置在扭曲截面17上。在一些实施方案中,模制材料32可设置在扭曲截面17和一个或多个芯片13,12,28上。模制材料32可以放置在封装10的任何部分上,以便限定或维持固定的非平行角度和/或保护第一芯片13,第二芯片12和/或第三芯片28。
图14是在形成固定的非平行角度之前具有偏移的封装10的示意性自上而下的俯视图,例如在芯片13,12相对于彼此扭曲之前。图15是图14的器件封装10的示意性端视图,其叠加在身体2的腔11内。在图15中,为了便于说明省略了模制化合物。因此,图15示出了在扭曲基板15之前,封装10比细长主体2(例如导管)的腔11更宽的示意性渲染。如图14和15所示,基板15在扭曲截面17处移动或横向偏移,以使集成芯片12,13沿着横轴y偏移,以在芯片13之间产生横向偏移δ,扭曲前12。芯片13,12之间的横向偏移δ允许芯片13,12在扭曲之后装配在细长主体2的直径d内。因此,可以选择偏移δ,使得在扭曲基板15以限定扭曲截面17之后,芯片13,12和基板15可以配合在细长主体2的直径d内,尽管它可以扭曲前不合。偏移δ通常可以通过沿着横轴的基板15和封装10的其他组件的尺寸来确定,但是其他因素可能影响偏移δ的测定,偏移δ可以在10微米到200微米,范围为20微米至150微米,或范围为40微米至100微米。
封装10可以通过将第一和第二集成器件芯片13,12安装在基板15上来制造。芯片13,12可以沿着纵轴x彼此间隔开,并且沿着横轴x偏移δ。基板15可以变形(例如扭曲),以使芯片13,12相对于纵轴x相对于彼此相对于固定的非平行角度(在一些布置中约90°,例如在89°至91°)的范围内,或在89.5°至90.5°的范围内)。模制材料32可应用于封装10固定固定的非平行角度(在没有支架配件或固定角度的其他结构的情况下)和/或在模制步骤中保护芯片13,12,28。
第一和第二集成器件芯片13,12可电连接基板15。例如,芯片13,12可以是通过多个焊球安装到基板15的倒装芯片。另一个例子,芯片13,12可以使用导电接合线引线结合到基板15。在一些实施方案中,第三芯片28还可安装和电连接基板15。在一些实施方案中,变形步骤可包括偏置基准15在横轴y,扭曲基板15,和/或粘附基板15到支架配件14。
图16是集成器件封装10的示意性前视图,根据另一实施方案。在图16中,与上述实施方案一样,封装10可以包括第一和第二集成器件芯片13,12(其可以包括如上所述的运动传感器芯片),第三集成器件芯片28(可以包括被构造为处理由芯片13,12转换的信号的处理器芯片或ASIC)与芯片13,12,28至少部分地被模制材料32包围。针对图12的实施方案,模制材料32可以是在芯片13,12之间维持固定的非平行角度的结构。图16的封装10通常类似于图12所示的封装10。然而,与图12的第三集成器件芯片28不同,图16的第三集成器件芯28可堆叠在第二芯片12上。另外,图16中所示的实施方案包括支架配件14,尽管在其他实施方案中,图16中的封装10可以不包括单独支撑或加强芯片13,12,28的任何支架或其他结构。例如,如图16所示,第一支架14a可以连接到第一芯片13,而相反的安装芯片13的基板15的部分侧,使得第一芯片13和基板15设置在第一支架之间。
另外,如图16所示,一个或多个无源组件35(例如电容器)可安装和电连接临近第二和第三芯片12,28的基板15。无源组件35可构造为在第三芯片28处理之前或之后平滑信号。在多种实施方案中,可能希望将无源组件35的尺寸确定得足够小,使得封装10的整个尺寸不受无源组件35的尺寸的影响。例如,无源组件35的尺寸可以沿横轴小于0.3mm,沿纵轴小于0.5mm,高度小于0.3mm。
第三集成器件芯片28(例如,处理器芯片或ASIC)可以通过任何合适的方法电连接基板,例如通过焊球55)。如图16中,例如,焊球55可以提供第三芯片28相对于基板15的垂直间隔,例如,以提供足够尺寸的间隙或空腔,以接收第三芯片28之间的第三芯片28和基板15。在一些实施方案中,第三芯片28可接触第二芯片12,但在其他实施方案中,第三芯片28可以在第二芯片12上方垂直间隔,例如,焊球55可以放置第三芯片在一些实施方案中的第二芯片12上方。在其他实施方案中,第三集成器件芯片28可例如引线结合至基板15。
与图12的实施方案相比,堆叠第二集成器件芯片12上的第三集成器件芯片28可有利地缩短沿着纵轴x的封装的长度,因为第二和第三芯片12,28可以沿着细长主体2定位在大致相同的纵向位置。在图12的描述的实施方案中,沿纵轴的封装10的长度可以在3.5mm至5.5mm的范围内、在3mm至5mm的范围内、在3.5mm至5mm的范围内、在4mm至5.5mm的范围内、或者在4mm至5mm的范围内,在一个实施方案中例如约4.5mm。
与图12的实施方案相比,通过使基板15更紧凑地堆叠在第二集成器件芯片12上的第三集成器件芯片28也可有利地减少嵌入在基板15中的轨迹的总长度。
支架配件14可用于扭曲基板15,用于保护芯片13,12,28和/或用于在模制期间支撑芯片13,12,28和基板15。在描述的实施方案中,最终封装10可包括支架配件14。在其他实施方案中,支架配件14可以在最终产品中消除。
图17是图16的集成器件封装10的示意性背面透视图。如图17所示的封装10在基板15上具有导电引线16。导电引线16的数量是六个,然而,可以有任何合适数量的导电引线16。
图18是沿着封装的纵轴x观察的图16和17的集成器件封装10的示意性端视图。如图6所示的实施方案所述,围绕封装10的模制材料32可以具有高度H(如图18所示从八边形平面到相对的平坦表面测量)于所述纵轴的横轴X。在一些实施方案中,高度H可为约450微米:高度H可以在300微米到600微米的范围内、在300微米到550微米的范围内、在350微米到550微米的范围内、在350微米到500微米的范围内、在400微米到550微米的范围内、或在400微米到500微米的范围内。在图18所示的实施方案中,模制材料32(的其原本可以具有圆形轮廓)的部分可以被修剪以形成八边形形状,其可以有利地减小封装10的整体横向尺寸并且改进封装10在细细中的配合长主体2。图18所示的实施方案的宽度W可以与图6所示的实施方案的宽度W大致相同。在图18中描述的实施方案中,宽度W可以是从顶点到离顶点最远的另一个顶点的尺寸,例如,宽度W可以限定封装10的主横向或横向尺寸。
图19是在形成扭曲截面17之前的制造过程中耦合框架33的图16和17的集成器件封装10的顶部透视图。在各封装10中,基板15可以具有弯曲37,以用于相对于第二和第三集成器件芯片12,28容易地扭曲第一集成器件芯片13。应该理解,弯曲37可以布置在基板15的不同于图19所示的部分。
尽管在某些实施例和示例的上下文中公开了,但是本领域技术人员将理解,本发明超出了具体公开的实施例到其他替代实施例和/或用途以及其明显的修改和等同物。另外,虽然已经显示和描述了若干变化,但是在本公开的范围内的其它修改对于本领域技术人员基于本公开将是显而易见的。还可以想到,可以进行实施例的具体特征和方面的各种组合或子组合,并且仍然落入本公开的范围内。应当理解,所公开的实施例的各种特征和方面可以彼此组合或替代,以便形成所公开的发明的变化模式。因此,本文所公开的本发明的范围不应受上述具体公开的实施例的限制,而应仅通过对以下方面的公平的阅读来确定。