CN107680633B - Dram测试装置及方法 - Google Patents

Dram测试装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107680633B
CN107680633B CN201710754549.3A CN201710754549A CN107680633B CN 107680633 B CN107680633 B CN 107680633B CN 201710754549 A CN201710754549 A CN 201710754549A CN 107680633 B CN107680633 B CN 107680633B
Authority
CN
China
Prior art keywords
test
dram
tested
module
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710754549.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107680633A (zh
Inventor
龙红卫
卢浩
李志雄
肖浩
吴方
胡宏辉
邓恩华
谭康强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Longsys Electronics Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Longsys Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Longsys Electronics Co Ltd filed Critical Shenzhen Longsys Electronics Co Ltd
Priority to CN201710754549.3A priority Critical patent/CN107680633B/zh
Priority to PCT/CN2017/117226 priority patent/WO2019041662A1/zh
Publication of CN107680633A publication Critical patent/CN107680633A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107680633B publication Critical patent/CN107680633B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

一种DRAM测试装置，包括用于插接待测试DRAM的测试架、用于存储测试程序的程序储存模块、电流测试模块以及测试控制模块，所述测试控制模块接收测试开关命令对待测试DRAM进行电流测试和功能测试并上传测试结果，通过设置测试控制模块，读取预存的测试程序对DRAM完成功能测试，也可以控制电流测试模块对DRAM加载电压进行电流测试，通过设置低成本的独立模块对DRAM进行测试，将不良品挑选出来，达到最大的使用效率。

Description

DRAM测试装置及方法
技术领域
本发明属于存储器器件测试领域，尤其涉及一种低功耗的DRAM测试装置及方法。
背景技术
目前，DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)的测试主要依靠机台进行测试，包含T5588和T5503A等机台，对LPDDR2/3进行相关的参数测试，这些机台能在高温88℃条件下进行测试，进料可一次进128颗至256颗不等，用机械手进行抓取芯片及分类，但机台测试方法成本高，不灵活。
除了机台测试还有整机测试方案，在整机上原焊接DRAM封装处直接添加DRAM测试座，以达到测试的目的。整机测试方案将完整的DRAM测试座安装在这个模块上。并添加测试参数的模块，包含电流测试模块、串口通信模块等，通过这些模块的组合形成一个DRAM测试架，但目前的整机测试方法不稳定，且不能单独对一些参数进行测试。
发明内容
本发明的目的在于提供一种以平台为基础的DRAM测试装置及方法，旨在解决传统的技术方案中存在的测试方法存在成本高，不能单独测试具体参数的问题。
为解决这个问题，我们设计了以平台为基础的DRAM测试架。
一种DRAM测试装置，包括用于插接待测试DRAM的测试架、用于存储测试程序的程序储存模块、与所述测试架连接电流测试模块以及测试控制模块，所述测试控制模块与所述测试架、所述程序储存模块和所述电流测试模块连接；所述测试控制模块接收测试开关命令对待测试DRAM进行电流测试和功能测试并上传测试结果，其中：
所述电流测试包括：控制所述电流测试模块向待测试DRAM提供电压同时检测待测试DRAM的工作电流；
所述功能测试包括：根据所述程序存储模块的测试程序对待测试DRAM进行写读程序，对比读与写的程序是否一致并得出对比结果。
此外，还提供了一种DRAM测试方法，包括：
预存储测试程序；
接收测试开关命令对待测试DRAM进行电流测试和功能测试并上传测试结果，其中：
所述电流测试包括：向待测试DRAM提供电压同时检测待测试DRAM的工作电流；
所述功能测试包括：根据所述程序存储模块的测试程序对待测试DRAM进行写读程序，对比读与写的程序是否一致并得出对比结果。
上述的DRAM测试装置及方法通过DRAM测试架是通过整机(手机或者平板)演变而来的，设置测试控制模块，读取预存的测试程序对DRAM完成功能测试，也可以控制电流测试模块对DRAM加载电压进行电流测试，通过设置低成本的独立模块对DRAM进行测试，将不良品挑选出来，达到最大的使用效率，并且可以单独测试不同工况下的工作电流和功能测试。
附图说明
图1为本发明较佳实施例提供的DRAM测试装置结构示意图；
图2为图1所示的电流测试模块中主控模器的示例电路原理图；
图3为图1所示的电流测试模块中第一电压输出单元的示例电路原理图；
图4为图1所示的电流测试模块中第二电压输出单元的示例电路原理图；
图5为图1所示的电流测试模块中电平转换单元的示例电路原理图；
图6为图1所示的电流测试模块中采样单元的示例电路原理图；
图7为本发明较佳实施例提供的DRAM测试方法的具体流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1。本发明较佳实施例提供的DRAM测试装置包括用于插接待测试DRAM的测试架101、用于存储测试程序和系统程序的程序储存模块102、与测试架101连接电流测试模块103以及测试控制模块104，测试控制模块104与测试架101、程序储存模块102和电流测试模块103连接；测试控制模块104接收测试开关命令对待测试DRAM进行电流测试和功能测试并上传测试结果，其中：电流测试包括：控制电流测试模块103向待测试DRAM提供电压同时检测待测试DRAM的工作电流；功能测试包括：根据程序存储模块的测试程序对待测试DRAM进行写读程序，对比读与写的程序是否一致并得出对比结果。
进一步地，还包括串口模块105，串口模块105用于与上位机200(如个人计算机)通讯，上传测试结果。
其中，测试架101具有卡座，测试开始时，DRAM通过和卡座的接触使之成为系统的一部分，再进行握手通信，当测试结束后，机器再将测试完的DRAM移开进行分类。程序储存模块102包括EMMC(Embedded Multi Media Card，内嵌式存储器)，或设置独立的存储卡槽，用以安装可拔插存储卡。测试控制模块104的平台芯片为低成本的MTK芯片。
在进一步的实施方式中，DRAM测试装置包括开关控制模块106，开关控制模块106与测试控制模块104连接，用于接收外部控制向测试控制模块104发送控制启停和切换测试模式的测试开关命令。具体地，开关控制模块106包括多个触发开关按键；在其他实施方式中，开关控制模块106可以使用上位机200通过串口模块105发出测试开关命令。
进一部地，DRAM测试装置还具有系统测试功能，包括与测试控制模块104连接的显示模块107，测试控制模块107还用于将系统程序加载到待测试DRAM并控制显示模块107显示加载情况。显示模块107可以为LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)。
为模拟客户的使用坏境，通过跑系统的方式(如跑android系统，做开机步骤)进行验证DRAM的可靠性。此系统可靠性需多个模块进行配合，包括LCD、测试控制模块104，其中，LCD模块作用：对系统测试进行显示作用，且增加测试负载。测试控制模块104作用：占用一定的内存的，对DRAM进行随机的测试等。
电流测试模块103包括主控制器(参阅图2)、提供1.8V电压的第一电压输出单元(参阅图3)、提供1.2V电压的第二输出单元(参阅图4)、用于电平转换的电平转换单元(参阅图5)和对DRAM工作电流进行采样的采样单元(参阅图6)。
读写电流及待机电流测试：待机电流的大小对整机的待机时间起到非常重要的影响。读写电流大小对整机在使用过程中的耗电量也起到很重要的影响。在封装前测试DRAM的电流大小，能更有效的区分产品使用等级，通过电流测试模块103外供电源，对DRAM加载1.2V电压和1.8V电压进行外部供电，再通过软件指令分别对DRAM进行读、写及待机状态。在这些状态的过程中去检测其电流的大小，具体包括向DRAM写数据、读数据及待机时的电流。然后再通过串口模块105将测试出来的电流值反馈到上位机200。
具体地，测试过程：测试分为Type0-Type5共6个type，每个Type有不同的写入数据及读出数据。再开关控制模块106上按开始后Type0-Type5自动按顺序测试。电流大小计算方法：电流测试模块103检测DRAM的供电电压后，再通过采样电阻，通过I＝U/R，计算出电流值。
功能测试：为保障DRAM的正常使用，就需对DRAM进行功能测试，把坏的DRAM挑选出来。通过将EMMC中事先烧录好的程序加载到DRAM后，对在卡座端的DRAM进行扫描测试。再通过串口模块105反馈到上位机200进行分类。此功能测试是对DRAM内部全部地址进行写和读操作，然后再进行对比写进去的和读出来的是否一致。具体在读写的时候出现概率性出错，从而检查内部阵列是否存在信号不好；是否存在不能进行高低电平转换，从而检查是否存在坏块等问题。
本DRAM测试装置基于平台的芯片价格较为便宜，可完成读写电流测试、待机电流测试、功能测试、系统测试，对Mobile DRAM的参数测试和故障排除都有非常好的效果。
此外，请参阅图7，还公开了一种DRAM测试方法，包括：
步骤S110，预存储测试程序；
步骤S120，接收测试开关命令对待测试DRAM进行电流测试和功能测试并上传测试结果。
其中：电流测试包括：向待测试DRAM提供电压同时检测待测试DRAM的工作电流；功能测试包括：根据程序存储模块的测试程序对待测试DRAM进行写读程序，对比读与写的程序是否一致并得出对比结果。
具体地，在预存储测试程序的同时存储系统程序；将系统程序加载到待测试DRAM并显示加载情况，以完成系统测试。
具体地，测试开关命令包括控制测试启停和测试模式切换。
具体地，工作电流包括向待测试DRAM写数据、读数据及待机时的电流。通过串口上传测试结果至上位机。
以上仅所述为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种DRAM测试装置，其特征在于，包括用于插接待测试DRAM的测试架、用于存储测试程序和系统程序的程序储存模块、与所述测试架连接电流测试模块、显示模块以及测试控制模块，所述测试控制模块与所述测试架、所述程序储存模块、所述电流测试模块和所述显示模块连接；所述电流测试模块包括主控制器、第一电压输出单元、第二电压输出单元、用于电平转换的电平转换单元以及对待测试DRAM的工作电流进行采样的采样单元；所述测试控制模块接收测试开关命令对待测试DRAM进行电流测试、功能测试和系统测试并上传测试结果，其中：
所述电流测试包括：控制所述电流测试模块向待测试DRAM提供电压同时检测待测试DRAM的工作电流，所述工作电流包括向待测试DRAM写数据、读数据及待机时的电流；所述电流测试模块对待测试DRAM外供电源，所述测试控制模块根据所述程序储存模块的测试程序使所述待测试DRAM处于写数据、读数据及待机状态，以获取向待测试DRAM写数据、读数据及待机时的电流；所述电流测试模块检测待测试DRAM的供电电压后，再通过采样电阻，计算出待测试DRAM写数据、读数据及待机时的电流；
所述功能测试包括：根据所述程序储存模块的测试程序对待测试DRAM进行写读程序，对比读与写的程序是否一致并得出对比结果；
所述系统测试包括：将所述系统程序加载到待测试DRAM并控制所述显示模块显示加载情况；其中，所述系统测试用于模拟使用环境，通过跑系统的方式进行验证DRAM的可靠性，所述显示模块用于对系统测试进行显示、且增加测试负载，所述测试控制模块用于占用所述DRAM的内存，对DRAM进行随机测试；
所述DRAM测试装置还包括开关控制模块，所述开关控制模块与所述测试控制模块连接，用于接收外部控制向所述测试控制模块发送控制启停和切换测试模式的测试开关命令，其中，所述开关控制模块包括多个触发开关按键。
2.如权利要求1所述的DRAM测试装置，其特征在于，还包括串口模块，所述串口模块用于与上位机通讯，上传所述测试结果。
3.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括：
预存储测试程序和系统程序；
接收测试开关命令对待测试DRAM进行电流测试、功能测试和系统测试并上传测试结果，其中：
所述电流测试包括：向待测试DRAM提供电压同时检测待测试DRAM的工作电流，所述工作电流包括向待测试DRAM写数据、读数据及待机时的电流；其中，对待测试DRAM外供电源，根据所述测试程序使所述待测试DRAM处于写数据、读数据及待机状态，以获取向待测试DRAM写数据、读数据及待机时的电流；其中，检测待测试DRAM的供电电压后，再通过采样电阻，计算出待测试DRAM写数据、读数据及待机时的电流；
所述功能测试包括：根据程序储存模块的测试程序对待测试DRAM进行写读程序，对比读与写的程序是否一致并得出对比结果；
所述系统测试包括：将所述系统程序加载到待测试DRAM并控制显示模块显示加载情况；其中，所述系统测试用于模拟使用环境，通过跑系统的方式进行验证DRAM的可靠性，所述显示模块用于对系统测试进行显示、且增加测试负载，以及占用所述DRAM的内存，对DRAM进行随机测试；
其中，利用开关控制模块接收外部控制发送控制启停和切换测试模式的测试开关命令，其中，所述开关控制模块包括多个触发开关按键。
4.如权利要求3所述的DRAM测试方法，其特征在于，通过串口上传所述测试结果至上位机。
CN201710754549.3A 2017-08-29 2017-08-29 Dram测试装置及方法 Active CN107680633B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710754549.3A CN107680633B (zh) 2017-08-29 2017-08-29 Dram测试装置及方法
PCT/CN2017/117226 WO2019041662A1 (zh) 2017-08-29 2017-12-19 Dram测试装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710754549.3A CN107680633B (zh) 2017-08-29 2017-08-29 Dram测试装置及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107680633A CN107680633A (zh) 2018-02-09
CN107680633B true CN107680633B (zh) 2022-05-27

Family

ID=61134324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710754549.3A Active CN107680633B (zh) 2017-08-29 2017-08-29 Dram测试装置及方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN107680633B (zh)
WO (1) WO2019041662A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109346121B (zh) * 2018-10-29 2020-11-27 深圳市江波龙电子股份有限公司 一种存储芯片的测试方法以及测试装置
CN111679942B (zh) * 2020-06-09 2024-03-22 深圳酷宅科技有限公司 烧录测试方法、系统及计算机可读存储介质
CN111968697B (zh) * 2020-07-13 2022-06-21 深圳市金泰克半导体有限公司 固态硬盘的测试方法、装置、计算机设备和存储介质
CN111951875B (zh) * 2020-07-28 2023-07-21 锐捷网络股份有限公司 Dram内存颗粒的测试方法及装置
CN115061032A (zh) * 2022-06-14 2022-09-16 无锡华大国奇科技有限公司 一种多时钟域芯片的功能测试方法及测试装置
CN116580756B (zh) * 2023-06-01 2024-03-22 合肥开梦科技有限责任公司 一种存储芯片测试装置
CN117457060B (zh) * 2023-12-22 2024-03-22 力瑞信（深圳）科技有限公司 固态硬盘量产测试控制设备stb板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847343A (zh) * 2016-12-08 2017-06-13 上海精密计量测试研究所 基于自动测试设备的mram存储器的测试方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW498476B (en) * 2001-08-30 2002-08-11 Macronix Int Co Ltd Synchronization test method and circuit for the segment of memory
JP4167244B2 (ja) * 2005-05-13 2008-10-15 株式会社アドバンテスト 試験装置
CN2938125Y (zh) * 2006-01-16 2007-08-22 宏连国际科技股份有限公司 具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置
US7480582B2 (en) * 2006-12-19 2009-01-20 Phison Electronics Corp. Flash memory card test device with multiple interfaces
US7960992B2 (en) * 2009-02-25 2011-06-14 Kingston Technology Corp. Conveyor-based memory-module tester with elevators distributing moving test motherboards among parallel conveyors for testing
CN201514460U (zh) * 2009-05-05 2010-06-23 深圳安博电子有限公司 语音类集成电路的测试装置
CN102074273B (zh) * 2009-11-25 2013-04-24 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 存储器稳态总剂量效应试验测试方法
CN103035301A (zh) * 2011-10-06 2013-04-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 内存条参数的测试方法及其测试设备
US9431133B2 (en) * 2012-06-01 2016-08-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Digital test system
JP5833501B2 (ja) * 2012-06-04 2015-12-16 株式会社アドバンテスト 試験システム
CN104035845B (zh) * 2013-11-28 2017-06-06 曙光信息产业(北京)有限公司 一种内存条安装故障的检测系统及方法
US9236144B2 (en) * 2014-03-12 2016-01-12 Intel IP Corporation For-test apparatuses and techniques
US9864007B2 (en) * 2014-04-30 2018-01-09 Duke University Software-based self-test and diagnosis using on-chip memory
TWI559009B (zh) * 2014-12-24 2016-11-21 力晶科技股份有限公司 動態記憶體測試裝置及其測試方法
CN105334448A (zh) * 2015-11-13 2016-02-17 昆腾微电子股份有限公司 芯片自动化测试系统
CN206321757U (zh) * 2016-12-30 2017-07-11 福州福大海矽微电子有限公司 一种自动测试芯片的装置
CN106887253B (zh) * 2017-01-10 2021-01-01 西安紫光国芯半导体有限公司 一种采用测试针卡进行dram晶圆测试的方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847343A (zh) * 2016-12-08 2017-06-13 上海精密计量测试研究所 基于自动测试设备的mram存储器的测试方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019041662A1 (zh) 2019-03-07
CN107680633A (zh) 2018-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107680633B (zh) Dram测试装置及方法
US6754849B2 (en) Method of and apparatus for testing CPU built-in RAM mixed LSI
JP4571749B2 (ja) 既知の良品デバイスを使用して期待する応答を生成するための集積回路デバイスの効率的な同時テスト
US9000789B2 (en) Method and equipment for testing semiconductor apparatuses simultaneously and continuously
US9026870B2 (en) Memory module and a memory test system for testing the same
US7423443B2 (en) Method of performing parallel test on semiconductor devices by dividing voltage supply unit
CN104268075A (zh) 一种进入测试模式的方法、装置及移动终端
KR100703969B1 (ko) 메모리 모듈의 테스트 장치
US20070140025A1 (en) Method and apparatus for testing a fully buffered memory module
CN113791338B (zh) 芯片测试方法和装置
CN107677951B (zh) Die测试装置及方法
JP4124206B2 (ja) バーンインテスト方法
CN100394513C (zh) 动态随机存取存储器存储芯片的测试方法及电路
TWI387973B (zh) 資料儲存裝置、資料儲存控制器及相關自動化測試的方法
CN116881063A (zh) 一种电子产品的存储单元的测试系统及测试方法
CN115602242B (zh) 一种存储装置及其测试方法
KR20120048874A (ko) 메모리 카드
US20140063993A1 (en) Repair system for repairing defect using e fuses and method of controlling the same
US20050028062A1 (en) Test method and apparatus for high-speed semiconductor memory devices
CN110544505A (zh) 用于筛选Wafer中不良Die的测试系统和方法
JP3674542B2 (ja) バーンインテスト方法
JP2007102940A (ja) 試験装置、及び試験方法
CN110118925B (zh) 一种核心板测试方法及系统
CN105807157A (zh) 高温老化测试系统
US20200264228A1 (en) Apparatus for testing integrated circuit devices and method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 518000 A, B, C, D, E, F1, 8 Building, Financial Services Technology Innovation Base, No. 8 Kefa Road, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province

Applicant after: Shenzhen jiangbolong electronic Limited by Share Ltd

Address before: 518000 8 building, 1 finance base, 8 KFA Road, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong.

Applicant before: Shenzhen jiangbolong Electronic Co., Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant