CN2938125Y - 具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置 - Google Patents
具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN2938125Y CN2938125Y CN 200620002424 CN200620002424U CN2938125Y CN 2938125 Y CN2938125 Y CN 2938125Y CN 200620002424 CN200620002424 CN 200620002424 CN 200620002424 U CN200620002424 U CN 200620002424U CN 2938125 Y CN2938125 Y CN 2938125Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- chip
- physique
- module
- functional test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
一种具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,设置有功能与体质测试平台,该功能测试平台设置有可收容芯片模块的复数插槽,并设有测试程序以对芯片模块进行功能测试;而体质测试平台透过复数测试点与功能测试平台的芯片模块呈电性连接,且体质测试平台设有变压装置与电流量测装置,使用时,先利用变压装置接收外部电源并转换为工作电压,再透过电流量测装置对芯片模块或芯片进行电流量测,使用者透过显示装置观察量测装置的电流变化,以判断芯片或芯片模块是否为良品,待判断为良品后可执行功能测试平台的测试程序,以判断待测物的功能正常与否,可让操作过程达到更为方便、快速的目的,并可有效降低测试器具的成本。
Description
技术领域
本实用新型为一种具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,尤指可同时测试芯片模块或芯片的体质与功能的芯片测试装置,以使测试过程达到更为方便、快速的目的。
背景技术
随着电子工业的进步及电子科技应用的快速发展,愈来愈多的电子产品被频繁的应用于日常生活中,以提升作业的方便性与生活品质,在许多不同的电子产品应用之中,皆须使用到许多不同种类的存储器元件,以提供各项操作所需的信息,且可作为数据与信息交换、暂存等空间之用,特别是计算机、通讯以及消费性电子产品等皆有日益频繁的应用。
而由于自由与开放的存储器元件规格,同步双倍数据传输动态随机存取存储器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,DDR SDRAM)在存储器工业界获得了广泛的支持,再者,由于同步双倍数据传输动态随机存取存储器(DDR SDRAM)能够在时脉信号的上升及下降缘持续传送数据,使其单位时间内的数据传送量加倍,以及同步双倍数据传输动态随机存取存储器(DDR SDRAM)只需要2.5V的供应电压,再加上其存储器芯片内部具较低的电容而使电力消耗明显减少等优于PC133 SDRAM的特点,使得以同步双倍数据传输动态随机存取存储器(DDR SDRAM)作为个人计算机、笔记型计算机的存储器模块的时代迅速地展开。
在完成DDR SDRAM的制造程序后需经过一连串电气测试,而已知的存储器测试机台具有模块测试板,该模块测试板设有卡式插槽用以接合受测的存储器模块,而该存储器模块结合有复数个存储器封装体,如薄小尺寸外观(TSOP)封装或细密球型网阵列(FBGA)封装等封装型态,其仅提供存储器模块进行测试,并无法对存储器模块上存储器元件进行测试,再者,当测试诸如双列直插式存储模块(Dual Inline Memory Modules,DIMMs)之类的存储器产品时,必须建立一个类似或等同于该存储器模块的实际操作环境的测试条件,为使该存储器模块的实际测试条件达到最佳化,多利用一价值不斐的存储器测试仪,以对高速双数据传输速率DRAM(DDR2-SDRAM)元件进行测试,惟此种测试机台,不但操作不便,且机台索价过于高昂,并非每一厂商均有足够规模与出货量以购买存储器测试仪。
在过去近四十年来半导体制造技术的研究与快速发展下,单一芯片上的元件密度以极快的速度向上成长,随着元件尺寸的缩小,在制程精密度要求愈来愈高的情况下,随之而来的,将是制造成本的问题,由此,如何利用模块化方式测试存储器元件,以提升测试的效率并降低测试成本,即为从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。
发明内容
本实用新型的主要目的在于提供一种具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,该装置利用体质测试平台所设置的复数测试点与功能测试平台的芯片模块呈电性连接,且可利用电流量测装置对芯片模块或芯片模块进行体质测试,而使用者可透过其所量到的电流值大小,即可判断芯片模块或芯片模块的芯片是否为良品,再透过体质测试平台内所储存的测试程序对芯片模块进行功能测试,以确认芯片模块的功能正常与否,藉此,使用者可利用量测芯片模块的电流的方式,来对记芯片模块或芯片的体质进行分类,并同时检测其功能是否正常,以可让测试过程更为方便、快速,且可解决现有技术存储器测试仪的成本过高的缺陷。
本实用新型的主要目的乃在于利用模块转接器的插槽收容不同型式的芯片模块,以便让体质测试平台与功能测试平台可对不同型式的芯片模块进行体质测试与功能测试,以增加使用的便利性与适用性。
为达成上述目的,本实用新型所采用的技术特征如下:
一种具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,设置有功能测试平台与体质测试平台;其特征是,
该功能测试平台设置有可收容芯片模块的复数插槽,且芯片模块设置有复数测试点,并设有可收容预设芯片的复数容置座体,而功能测试平台具有可对芯片模块进行功能测试的测试程序;
该体质测试平台设置有可与芯片模块的复数测试点呈电性连接的复数测试点,且体质测试平台设置有可接收预设的外部电源的变压装置,并设有可对芯片模块的电流进行测量的电流量测装置。
为达成上述目的,本实用新型所采用的另一技术特征如下:
一种具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,设置有功能测试平台与体质测试平台;其特征是,
该功能测试平台设置有可收容模块转接器的复数插槽,且模块转接器设置有复数测试点,并设有可收容芯片模块的插槽,而功能测试平台具有可对芯片模块进行功能测试的测试程序;
该体质测试平台设置有可与模块转接器的复数测试点呈电性连接的复数测试点,且体质测试平台设置有可接收预设的外部电源的变压装置,并设有可对芯片模块的电流进行测量的电流量测装置。
通过上述技术特征,本实用新型的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,具有以下优点:
(一)本实用新型利用模块转接器的插槽收容不同的芯片模块,并利用电流量测装置对芯片模块所收容的芯片或芯片模块进行体质测试,不但可增加测试的适用性,并让使用者于操作过程更为方便、快速,且其制造成本低,有效解决现有技术中存储器测试仪的购买成本过高的缺陷。
(二)本实用新型利用电流量测装置量测芯片模块所收容的芯片或芯片模块的电流,以判断其是否为良品,藉此,使用者可利用量测芯片模块所收容的芯片或芯片模块的电流的方式,来对芯片模块所收容的芯片或芯片模块的体质进行分类。
(三)本实用新型利用功能测试平台所设置的测试程序对芯片模块所收容的芯片或芯片模块进行功能测试,并可透过测试程序的执行结果确认芯片模块或芯片的功能正常与否。
附图说明
图1为本实用新型较佳实施例的立体示意图。
图2为本实用新型较佳实施例的硬件方块图。
图3为本实用新型较佳实施例的动作流程图。
图4为本实用新型另一较佳实施例的立体外观图
图5为本实用新型另一较佳实施例的硬件方块图
图中符号说明:
1 功能测试平台
11 插槽
12 芯片模块
121 座体
122 芯片
123 测试点
13 测试程序
2 体质测试平台
21 测试点
22 变压装置
221 切换器
23 电流量测装置
231 显示装置
3 外部电源
4 模块转接器
41 插槽
42 测试点
5 芯片模块
具体实施方式
请参阅图1、图2所示,为本实用新型较佳实施例的立体示意图与硬件方块图,由图中所示可清楚看出,本实用新型的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置设置有功能测试平台1与体质测试平台2,其中:
该功能测试平台1设置有复数插槽11以收容复数芯片模块12,且功能测试平台1具有可对芯片模块12进行功能测试的测试程序13,而芯片模块12设有复数容置座体121以收容芯片122,且芯片模块12亦设置有复数测试点123,而芯片122为存储器芯片、微元芯片、逻辑芯片或模拟芯片。
该体质测试平台2利用复数测试点21与芯片模块12的复数测试点123呈电性连接,且体质测试平台2设置有可接收外部电源3的变压装置22,并利用变压装置22将外部电源3转换为功能测试平台1与体质测试平台2所需的工作电压,而体质测试平台2亦设有可对芯片模块12的电流进行测量的电流量测装置23,且电流量测装置23将测量结果显示于显示装置231上,且电流量测装置23可为具量测电流功能的电表,亦可为可程序逻辑元件。
上述详细说明中的变压装置22可进一步设置可调整电压准位的切换器221,而切换器221为自动触发或手动控制的切换器221,非因此即局限本实用新型的专利范围,如利用其它修饰及等效结构变化,均应同理包含于本实用新型的专利范围内,合予陈明。
请继续参阅图1、图2所示,为本实用新型较佳实施例的立体外观图与硬件方块图,由图中所示可清楚看出,本实用新型的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置于使用时,利用体质测试平台2的变压装置22所设置的切换器221调整电压,以将电压调整为待测物的额定值,再将收容有复数芯片122的芯片模块12置入功能测试平台1的插槽11内,此时使用者即可启动变压装置22,而变压装置22所供应的电流为会透过复数测试点21流向芯片模块12,且使用者可透过电流量测装置23所设置的显示装置231观察电流量测装置23的电流变化,并透过其所量到的电流值大小,即可判断芯片模块12所收容的芯片122是否为良品,藉此,使用者可利用量测芯片模块12的电流的方式,来对芯片模块12或芯片122的体质进行分类。
倘若判断芯片模块12或芯片模块12的芯片122为不良品时,使用者即可更换芯片模块12或芯片122进行新的测试,而若判断芯片模块12或芯片模块12的芯片122为良品后,即可利用功能测试平台1进行功能测试,而进行功能测试时可执行功能测试平台1内所储存的测试程序13,以利用测试程序13对芯片模块12或芯片模块12的芯片122进行功能测试,藉此确认芯片模块12或芯片模块12的芯片122的功能正常与否。
请参阅图3所示,为本实用新型较佳实施例的动作流程图,由图中所示可清楚看出,本实用新型的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置于使用时,按下列步骤进行:
(300)利用体质测试平台2的变压装置22所设置的切换器221调整电压准位;
(301)将芯片模块12置入功能测试平台1的插槽11内;
(302)启动变压装置22:
(303)使用者透过显示装置231观察电流量测装置23的电流变化,并判断芯片模块12所收容的芯片122是否为良品,若是,则进行步骤305;若否,则进行步骤304;
(304)关闭变压装置22与更换芯片模块12,并进行步骤301;
(305)执行功能测试平台1内所储存的测试程序13;
(306)判断芯片模块12或芯片模块12的芯片122的功能正常与否。
请同时参阅图4、图5所示,为本实用新型另一较佳实施例的立体外观图与硬件方块图,由图中所示可清楚看出,该功能测试平台1的复数插槽11为收容有具插槽41的模块转接器4,且模块转接器4设有复数测试点42,而模块转接器4的复数测试点42可与体质测试平台2的复数测试点21呈电性连接,当使用时,先将芯片模块5置入模块转接器4的插槽41,即可对芯片模块5进行体质测试与功能测试,而体质测试与功能测试的流程相同于前述较佳实施例。
上述的电流量测装置23可为电表,亦可为可程序逻辑元件,且可程序逻辑元件可连接有显示装置231,藉此可让使用者透过显示装置231同时了解复数待测物的个别测量结果,然无论是电表或可程序逻辑元件,均仅用以提供量测待测物的电流,并显示待测物的测量结果,故非因此即局限本实用新型的专利范围,如利用其它修饰及等效结构变化,均应同理包含于本实用新型的专利范围内,合予陈明。
再者,上述说明的显示装置231可为机械式显示器或数字式显示器,亦可利用发光二极管(LED)显示电流量测装置23的电流,仅为用以说明显示装置231的较佳实施形态以及等效结构变化而已,非因此即局限本实用新型的专利范围,如利用其它修饰及等效结构变化,均应同理包含于本实用新型的专利范围内,合予陈明。
而上述说明的芯片模块12、5可为存储器模块,且存储器模块可为SIMM、DIMM或RIMM,而芯片122可为存储器芯片、微元芯片、逻辑芯片或模拟芯片,且存储器芯片可为DRAM、EDODRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM、SRAM或Flash芯片,仅为用以说明芯片模块12、5与芯片122的较佳实施形态以及等效结构变化而已,非因此即局限本实用新型的专利范围,如利用其它修饰及等效结构变化,均应同理包含于本实用新型的专利范围内,合予陈明。
再者,本实用新型于上述的较佳实施例中所述及的功能测试平台1与体质测试平台2,为仅用以让芯片模块12所收容的芯片122或芯片模块5进行体质测试与功能测试,亦可将功能测试平台1与体质测试平台2结合成一体,即可直接对芯片模块12所收容的芯片122或芯片模块5进行体质测试与功能测试,此种简易修饰及等效结构变化,均应同理包含于本实用新型的专利范围内,合予陈明。
以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例而已,非因此即局限本实用新型的专利范围,故举凡运用本实用新型说明书及图式内容所为的简易修饰及等效结构变化,均应同理包含于本实用新型的专利范围内,合予陈明。
综上所述,本实用新型上述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置于使用时,确实能达到其功效及目的,故本实用新型诚为一实用性优异的设计,符合专利的申请要件,依法提出申请。
Claims (10)
1.一种具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,设置有功能测试平台与体质测试平台;其特征是,
该功能测试平台设置有可收容芯片模块的复数插槽,且芯片模块设置有复数测试点,并设有可收容预设芯片的复数容置座体,而功能测试平台具有可对芯片模块进行功能测试的测试程序;
该体质测试平台设置有可与芯片模块的复数测试点呈电性连接的复数测试点,且体质测试平台设置有可接收预设的外部电源的变压装置,并设有可对芯片模块的电流进行测量的电流量测装置。
2.如权利要求1所述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,其特征是,该芯片为存储器芯片、微元芯片、逻辑芯片或模拟芯片。
3.如权利要求2所述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,其特征是,该存储器芯片为DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM、SRAM或Flash芯片。
4.如权利要求1所述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,其特征是,该芯片模块为存储器模块。
5.如权利要求1所述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,设置有功能测试平台与体质测试平台;其特征是,
所述的功能测试平台设置有可收容芯片模块的复数插槽,还包括设置有模块转接器的复数插槽,且模块转接器设置有复数测试点;该功能测试平台具有可对芯片模块进行功能测试的测试程序;
该体质测试平台设置有与上述模块转接器的复数测试点呈电性连接的复数测试点,且体质测试平台设置有可接收预设的外部电源的变压装置,并设有可对芯片模块的电流进行测量的电流量测装置。
6.如权利要求5所述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,其特征是,所述的芯片模块为存储器模块。
7.如权利要求6所述的存储器的体质测试装置,其特征是,所述的存储器模块为SIMM、DIMM或RIMM模块。
8.如权利要求5所述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,其特征是,所述的变压装置设有可调整电压准位的切换器。
9.如权利要求5所述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,其特征是,所述的电流量测装置为电表或可程序逻辑元件。
10.如权利要求5所述的具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置,其特征是,所述的电流量测装置连接有可显示测量结果的显示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200620002424 CN2938125Y (zh) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200620002424 CN2938125Y (zh) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN2938125Y true CN2938125Y (zh) | 2007-08-22 |
Family
ID=38362155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200620002424 Expired - Fee Related CN2938125Y (zh) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN2938125Y (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103278763A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-09-04 | 上海华力微电子有限公司 | 芯片的ft测试板系统和测试方法 |
CN103424682A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-12-04 | 欣岩企业有限公司 | 芯片测试装置及检测方法 |
CN107680633A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-02-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | Dram测试装置及方法 |
CN111968697A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-11-20 | 深圳市金泰克半导体有限公司 | 固态硬盘的测试方法、装置、计算机设备和存储介质 |
US11933842B2 (en) | 2021-11-01 | 2024-03-19 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Board adapter device, test method, system, apparatus, and device, and storage medium |
-
2006
- 2006-01-16 CN CN 200620002424 patent/CN2938125Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103424682A (zh) * | 2012-05-16 | 2013-12-04 | 欣岩企业有限公司 | 芯片测试装置及检测方法 |
CN103278763A (zh) * | 2013-04-28 | 2013-09-04 | 上海华力微电子有限公司 | 芯片的ft测试板系统和测试方法 |
CN103278763B (zh) * | 2013-04-28 | 2016-06-22 | 上海华力微电子有限公司 | 芯片的ft测试板系统和测试方法 |
CN107680633A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-02-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | Dram测试装置及方法 |
CN111968697A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-11-20 | 深圳市金泰克半导体有限公司 | 固态硬盘的测试方法、装置、计算机设备和存储介质 |
CN111968697B (zh) * | 2020-07-13 | 2022-06-21 | 深圳市金泰克半导体有限公司 | 固态硬盘的测试方法、装置、计算机设备和存储介质 |
US11933842B2 (en) | 2021-11-01 | 2024-03-19 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Board adapter device, test method, system, apparatus, and device, and storage medium |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7184339B2 (en) | Semi-conductor component, as well as a process for the in-or output of test data | |
CN2938125Y (zh) | 具整合体质测试与功能测试的芯片测试装置 | |
Kim et al. | A 1.2 V 12.8 GB/s 2 Gb mobile wide-I/O DRAM with 4$\times $128 I/Os using TSV based stacking | |
CN1292481C (zh) | 系统组合型半导体装置 | |
TWI274166B (en) | Semiconductor test apparatus for simultaneously testing plurality of semiconductor devices | |
US9159451B2 (en) | Testing system and testing method thereof | |
CN1041581C (zh) | 半导体存储器及其类型的设置方法 | |
US20040012991A1 (en) | Semiconductor memory module | |
US7707468B2 (en) | System and method for electronic testing of multiple memory devices | |
JP2006518532A5 (zh) | ||
KR20050106410A (ko) | 가변 리프레시 제어 기능을 구비한 메모리 및 방법 | |
EP1890295A3 (en) | Semiconductor memory device containing antifuse write voltage generation circuit | |
US10692583B2 (en) | Multi-channel package, and test apparatus and test method of testing the same | |
CN103792498A (zh) | 一种电源自动测试方法 | |
CN102135597A (zh) | 芯片参数测试的数据处理方法 | |
CN102880534A (zh) | 一种用于龙芯服务器主板的内存电压的测试方法 | |
US20120013346A1 (en) | Signal test device for motherboards | |
WO2000028547A1 (fr) | Dispositif de stockage a semi-conducteur et systeme de test | |
CN209117739U (zh) | 手机led驱动测试探针卡 | |
CN106251907B (zh) | 内建自测系统及方法 | |
CN2932565Y (zh) | 存储器的品质测试装置 | |
CN116524991A (zh) | 一种存储器的板级环境测试装置及方法 | |
CN1601480A (zh) | 测试存储模块的装置 | |
US7375508B2 (en) | Device and a process for the calibration of a semiconductor component test system | |
CN211698066U (zh) | Qfp封装集成电路的电性检测仪 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070822 |