CN106847343A - 基于自动测试设备的mram存储器的测试方法 - Google Patents
基于自动测试设备的mram存储器的测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106847343A CN106847343A CN201611122146.9A CN201611122146A CN106847343A CN 106847343 A CN106847343 A CN 106847343A CN 201611122146 A CN201611122146 A CN 201611122146A CN 106847343 A CN106847343 A CN 106847343A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- marm
- memories
- testing
- ate
- parameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C2029/5606—Error catch memory
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明提供一种基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,所述测试方法包括:步骤S1,将自动测试设备与MARM 存储器电连接;步骤S2,对MRAM存储器进行全芯片存储单元读写功能验证;步骤S3,根据MARM存储器工作参数设定要求,对MARM存储器进行直流参数验证和交流参数验证。本发明提供的方法利用自动测试设备针对MARM存储器进行测试,能够发现MARM存储器的故障,所述测试方法能够检测MARM存在的各种可能的失效模式,包括:全芯片存储单元读写功能验证;直流参数验证和交流参数验证。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路测试技术,特别涉及一种基于自动测试设备的MRAM存储器的测试方法。
背景技术
3DMR4M08VS4428是3Dplus公司的一款非挥发性的磁性随机存储器 (MagneticRandom Access Memory, 简称MARM),总容量为4Mbit,512K×8bit,电压工作范围为3.0V至3.6V,最大工作电流91mA,最大静态电流24mA,最大工作频率20MHz,封装形式为SOP44。
存储器测试通常是建立在存储单元的故障模型上,常见的故障模型主要有(1)基于固定单元的故障模型;(2)基于桥接缺陷的存储器测试故障模型;(3)基于关联缺陷的存储器测试故障模型;(4)译码故障模型;(5)数据保存故障模型等。这些故障模型表现出的故障模式主要有:(1)固定为“1”/“0”的硬失效或软实效;(2)开路或短路故障;(3)地址译码器故障;(4)多重写数:当向某存储单元写数时,该数据同时写入很多单元;(5)图形敏感性故障:在某些测试图形时,存储器不能可靠工作;(6)再生失效:在规定的最小再生周期内存储器存储数据丢失。
在对存储器进行测试时,主要通过针对以上故障模型编写不同的测试图形对以上故障模式进行测试。J750-EX是在全球占有绝对优势和领导地位的ATE测试厂商美国泰瑞达公司设计生产的超大规模集成电路(简称VLSI)测试系统。J750-EX具有丰富、强大的测试资源,可以用来满足新一代VLSI存储产品的测试需求,在J750-EX上开发3DMR4M08VS4428的测试程序并编写相关测试图形,可以较好的满足测试要求。
在以往的存储器测试中,存储器多为SRAM、E2PROM等存储器,新型的非挥发性的磁性随机存储器MRAM尚未开发过,测试方法需要研究。而MARM存储器芯片具有16bit地址位,8bit数据位及片选、读写、输出使能信号组成,技术难点是测试方法的研究,发现存储器故障模式,如(1)固定为“1”/“0”的硬失效或软实效;(2)开路或短路故障等。
因此,需要基于自动测试设备,提供一种MARM测试方法,能够满足MARM存储单元的验证测试,需要有高速,高精度的算法发生器,以及针对MRAM手工开发的测试图形。
发明内容
本发明的解决的技术问题是:提供一种基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,能够满足对MARM测试系统的测试要求。
为了解决上述问题,本发明提供一种基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,包括:
将自动测试设备与MARM 存储器电连接;
对MRAM存储器进行全芯片存储单元读写功能验证;
根据MARM存储器工作参数设定要求,对MARM存储器进行直流参数验证和交流参数验证。
可选地,所述自动测试设备为J750-EX测试系统,将所述MARM芯片的A0-A16、数据位DQ0-DQ7、使能信号CE、#W、OE分别与J750-EX测试系统电连接,电源电压与外部电源相连接。
可选地,所述全芯片存储单元读写功能验证包括: “0”图形(writeall_00_readall_00.pat)、写全“1”读全“1”图形(writeall_ff_readall_ff.pat)、写“55”读“55”图形(writeall_55_readall_55.pat)、写“AA”读“AA”图形(writeall_aa_readall_aa.pat)、棋盘格图形(checkboard.pat)等。
可选地,所述全芯片存储单元读写功能测试方法为:分别设定MARM存储器的工作电源、分别设定工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定MARM存储器的上电次序,设定存储器的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配。依次调用测试图形,先向MARM存储器写入数据,然后给出期望读出的数据,以此验证MARM存储器的读写功能。
可选地,所述直流参数验证包括:根据MARM存储器工作参数设定要求,分别设定MARM存储器的工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定器件的上电次序,设定器件的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配,依次调用相关直流参数测试图形,对MARM存储器的直流参数进行验证。
可选地,具体包括:动态工作电流IDDR、IDDW,静态工作电流ISB1、ISB2,输入漏电流ILIH、ILIL,输出漏电ILOH、ILOL,输出高电平电压VOH、输出低电平电压VOL。
可选地,所述交流参数验证包括;根据MARM存储器工作参数设定要求,分别设定MARM存储器的工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定MARM存储器的上电次序,设定MARM存储器的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配,依次调用相关交流参数测试图形,对MARM存储器的交流参数进行验证。
可选地,所述交流参数包括:地址读取时间tAVQV、输出使能读取时间他tGLQV、使能读取时间tELQV。
与现有技术相比,本发明有以下优点:
本发明提供的方法利用自动测试设备针对MARM存储器进行测试,能够发现MARM存储器的故障,所述测试方法能够检测MARM存在的各种可能的失效模式,包括:全芯片存储单元读写功能验证;直流参数验证和交流参数验证。
附图说明
图1是本发明的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法的流程示意图;
图2是本发明的基于J750-EX对MARM存储器进行测试的测试电路示意图。
具体实施方式
现有的存储器方法针对的存储器多为SRAM、E2PROM等存储器,新型的非挥发性的磁性随机存储器MRAM尚未开发过,测试方法需要研究。
为了解决上述问题,本发明提供的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,请参考图1所示的本发明一个实施例的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法的流程示意图,所述测试方法包括:
步骤S1,将自动测试设备与MARM 存储器电连接;
步骤S2,对MRAM存储器进行全芯片存储单元读写功能验证;
步骤S3,根据MARM存储器工作参数设定要求,对MARM存储器进行直流参数验证和交流参数验证。
下面结合图2对本发明的技术方案进行详细的说明。2是本发明的基于J750-EX对MARM存储器进行测试的测试电路示意图。
作为一个实施例,所述自动测试设备为J750-EX测试系统,将所述MARM芯片的A0-A16、数据位DQ0-DQ7、使能信号CE、#W、OE分别与J750-EX测试系统电连接,电源电压与外部电源相连接。
本发明所述的所述全芯片存储单元读写功能验证包括: “0”图形(writeall_00_readall_00.pat)、写全“1”读全“1”图形(writeall_ff_readall_ff.pat)、写“55”读“55”图形(writeall_55_readall_55.pat)、写“AA”读“AA”图形(writeall_aa_readall_aa.pat)、棋盘格图形(checkboard.pat)等。作为一个实施例,所述全芯片存储单元读写功能测试方法为:分别设定MARM存储器的工作电源、分别设定工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定MARM存储器的上电次序,设定存储器的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配。依次调用测试图形,先向MARM存储器写入数据,然后给出期望读出的数据,以此验证MARM存储器的读写功能。
作为一个实施例,所述直流参数验证包括:根据MARM存储器工作参数设定要求,分别设定MARM存储器的工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定器件的上电次序,设定器件的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配,依次调用相关直流参数测试图形,对MARM存储器的直流参数进行验证。具体包括:动态工作电流IDDR、IDDW,静态工作电流ISB1、ISB2,输入漏电流ILIH、ILIL,输出漏电ILOH、ILOL,输出高电平电压VOH、输出低电平电压VOL。
本发明所述交流参数验证包括;根据MARM存储器工作参数设定要求,分别设定MARM存储器的工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定MARM存储器的上电次序,设定MARM存储器的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配,依次调用相关交流参数测试图形,对MARM存储器的交流参数进行验证。所述交流参数包括:地址读取时间tAVQV、输出使能读取时间他tGLQV、使能读取时间tELQV。
综上,本发明提供的方法利用自动测试设备针对MARM存储器进行测试,能够发现MARM存储器的故障,所述测试方法能够检测MARM存在的各种可能的失效模式,包括:全芯片存储单元读写功能验证;直流参数验证和交流参数验证。
因此,上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,其特征在于,包括:
将自动测试设备与MARM 存储器电连接;
对MRAM存储器进行全芯片存储单元读写功能验证;
根据MARM存储器工作参数设定要求,对MARM存储器进行直流参数验证和交流参数验证。
2.如权利要求1所述的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,其特征在于,所述自动测试设备为J750-EX测试系统,将所述MARM芯片的A0-A16、数据位DQ0-DQ7、使能信号CE、#W、OE分别与J750-EX测试系统电连接,电源电压与外部电源相连接。
3.如权利要求1所述的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,其特征在于,所述全芯片存储单元读写功能验证包括: “0”图形(writeall_00_readall_00.pat)、写全“1”读全“1”图形(writeall_ff_readall_ff.pat)、写“55”读“55” 图形(writeall_55_readall_55.pat)、写“AA”读“AA”图形(writeall_aa_readall_aa.pat)、棋盘格图形(checkboard.pat)。
4.如权利要求3所述的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,其特征在于,所述全芯片存储单元读写功能测试方法为:分别设定MARM存储器的工作电源、分别设定工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定MARM存储器的上电次序,设定存储器的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配。依次调用测试图形,先向MARM存储器写入数据,然后给出期望读出的数据,以此验证MARM存储器的读写功能。
5.如权利要求1所述的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,其特征在于,所述直流参数验证包括:根据MARM存储器工作参数设定要求,分别设定MARM存储器的工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定器件的上电次序,设定器件的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配,依次调用相关直流参数测试图形,对MARM存储器的直流参数进行验证。
6.如权利要求5所述的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,其特征在于,具体包括:动态工作电流IDDR、IDDW,静态工作电流ISB1、ISB2,输入漏电流ILIH、ILIL,输出漏电ILOH、ILOL,输出高电平电压VOH、输出低电平电压VOL。
7.如权利要求1所述的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,其特征在于,所述交流参数验证包括;根据MARM存储器工作参数设定要求,分别设定MARM存储器的工作电源、输入电平、输出电平、参考电平、负载电流的值,设定MARM存储器的上电次序,设定MARM存储器的地址信号、控制信号和数据信号的数据格式、时序、通道和控制寄存器的分配,依次调用相关交流参数测试图形,对MARM存储器的交流参数进行验证。
8.如权利要求7所述的基于自动测试设备的MARM存储器的测试方法,其特征在于,所述交流参数包括:地址读取时间tAVQV、输出使能读取时间他tGLQV、使能读取时间tELQV。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611122146.9A CN106847343A (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 基于自动测试设备的mram存储器的测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611122146.9A CN106847343A (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 基于自动测试设备的mram存储器的测试方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106847343A true CN106847343A (zh) | 2017-06-13 |
Family
ID=59139782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611122146.9A Pending CN106847343A (zh) | 2016-12-08 | 2016-12-08 | 基于自动测试设备的mram存储器的测试方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106847343A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107677951A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-02-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | Die测试装置及方法 |
CN107680633A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-02-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | Dram测试装置及方法 |
CN108206044A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 工业和信息化部电信研究院 | 一种测试固态硬盘饱和写入性能的方法和装置 |
CN109117301A (zh) * | 2018-07-20 | 2019-01-01 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种随机内存使用纠错码校验可配置功能设置分区的方法 |
CN110082672A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 大唐移动通信设备有限公司 | 一种芯片内逻辑模型的测试方法及装置 |
WO2023225772A1 (zh) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | 中山大学 | 一种全自动dram存储单元读写功能测试方法和系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0943315A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Ic試験装置 |
US7844869B2 (en) * | 2008-01-16 | 2010-11-30 | International Business Machines Corporation | Implementing enhanced LBIST testing of paths including arrays |
CN104599719A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-05-06 | 海太半导体(无锡)有限公司 | 一种内存测试分析系统 |
CN105467295A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-04-06 | 硅谷数模半导体(北京)有限公司 | 电子芯片的测试系统、方法及装置 |
CN105551528A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-04 | 上海精密计量测试研究所 | 基于ATE的高速大容量多芯片Flash模块的测试装置及方法 |
-
2016
- 2016-12-08 CN CN201611122146.9A patent/CN106847343A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0943315A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Ic試験装置 |
US7844869B2 (en) * | 2008-01-16 | 2010-11-30 | International Business Machines Corporation | Implementing enhanced LBIST testing of paths including arrays |
CN104599719A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-05-06 | 海太半导体(无锡)有限公司 | 一种内存测试分析系统 |
CN105467295A (zh) * | 2015-11-23 | 2016-04-06 | 硅谷数模半导体(北京)有限公司 | 电子芯片的测试系统、方法及装置 |
CN105551528A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-05-04 | 上海精密计量测试研究所 | 基于ATE的高速大容量多芯片Flash模块的测试装置及方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
张吉,罗喜明,王军,唐力,张一波: "SRAM存储器动态参数测试向量分析", 《电子与封装》 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108206044A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 工业和信息化部电信研究院 | 一种测试固态硬盘饱和写入性能的方法和装置 |
CN107677951A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-02-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | Die测试装置及方法 |
CN107680633A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-02-09 | 深圳市江波龙电子有限公司 | Dram测试装置及方法 |
CN107677951B (zh) * | 2017-08-29 | 2019-12-06 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 | Die测试装置及方法 |
CN107680633B (zh) * | 2017-08-29 | 2022-05-27 | 深圳市江波龙电子股份有限公司 | Dram测试装置及方法 |
CN110082672A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 大唐移动通信设备有限公司 | 一种芯片内逻辑模型的测试方法及装置 |
CN109117301A (zh) * | 2018-07-20 | 2019-01-01 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种随机内存使用纠错码校验可配置功能设置分区的方法 |
WO2020015134A1 (zh) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 江苏华存电子科技有限公司 | 一种随机内存使用纠错码校验可配置功能设置分区的方法 |
WO2023225772A1 (zh) * | 2022-05-23 | 2023-11-30 | 中山大学 | 一种全自动dram存储单元读写功能测试方法和系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106847343A (zh) | 基于自动测试设备的mram存储器的测试方法 | |
TW421799B (en) | Reduced signal test for dynamic random access memory | |
TW594773B (en) | Semiconductor integrated circuit | |
CN100421185C (zh) | 半导体存储装置 | |
CN103854705A (zh) | 用于提供智能存储器架构的方法和系统 | |
CN106526454A (zh) | 一种基于ate的fpga配置芯片的测试方法 | |
CN104143355B (zh) | 一种刷新动态随机存取存储器的方法和装置 | |
JPH1069800A (ja) | テスト回路を有する半導体集積回路及びテスト回路を有する半導体集積回路のテスト方法 | |
CN106484316A (zh) | 用来管理一记忆装置的方法以及记忆装置与控制器 | |
CN101013602A (zh) | 半导体存储装置 | |
CN107430558A (zh) | 半导体存储装置 | |
CN1396599B (zh) | 在刷新操作过程中读取数据并能纠错的半导体存储器件 | |
US7765442B2 (en) | Memory device testable without using data and dataless test method | |
CN107845406A (zh) | 一种测试存储器的方法和设备 | |
CN105203908A (zh) | 基于bist的3d sram中tsv开路测试方法 | |
JPH0451919B2 (zh) | ||
CN109726141A (zh) | 用于防止对故障地址重复编程的存储装置及其操作方法 | |
CN201117296Y (zh) | 一种嵌入式存储器内建自测试结构 | |
CN110111832A (zh) | 半导体存储器装置及其操作方法 | |
CN106155857B (zh) | Fpga上电复位过程的存储单元读写检测系统及方法 | |
KR20160056756A (ko) | 반도체 장치의 빌트 인 테스트 회로 | |
CN100368818C (zh) | 一种芯片内建电可擦除存储器的测试模块及其测试方法 | |
US20110072205A1 (en) | Memory device and memory system comprising same | |
KR100796050B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 멀티플렉서 제어 방법 | |
CN106205664A (zh) | 存储器读写传输门管控电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170613 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |