CN107615477A - 电子元件安装用基板以及电子装置 - Google Patents

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Abstract

电子元件安装用基板具备：框状的基体，具有第1框部和设于第1框部上且内表面比第1框部的内表面更向内侧伸出的第2框部；电极，设于基体的第1框部的下表面；和焊盘，设于第2框部的伸出的部分的下表面，与电极电连接，在基体的第2框部的伸出的部分的内表面具备沿着上下方向的槽。

Description

电子元件安装用基板以及电子装置
技术领域
本发明涉及安装电子元件、例如CCD(Charge Coupled Device)型或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等摄像元件的电子元件安装用基板以及电子装置。
背景技术
在现有技术中，公知如下的电子元件安装用基板，即，具备：框状的基体，具有第1框部和设于第1框部上且内表面在俯视观察下比所述第1框部的内表面更向内侧伸出的第2框部；电极，设于基体的第1框部的下表面；和焊盘，设于第2框部的下表面，与电极电连接。另外，如JP特开2002-299592号公报所公开的那样，已知一种电子装置，在电子元件安装用基板安装电子元件，利用盖体覆盖第2框部的上表面。
一般，在安装电子元件的工序、将盖体与基体接合的工序中，从电子元件或盖体对基体进行按压并施加热，同时进行安装。另外，电子元件伴随着高性能化而变得大型化，因此电子元件工作时的发热量也逐渐变大。若安装它们时所施加的热以及应力或驱动电子元件时的发热波及到电子元件安装用基板的开口部周边，则开口部周边变形的可能性就高。并且在电子元件安装用基板的开口部周边变形时，在该变形的部位会引起应力集中，有时会在电子元件安装用基板产生裂纹或裂痕等。由于裂纹或裂痕，存在电子装置的气密性的降低或产生裂痕引起的粉尘的情况。
发明内容
本发明的一个方式的电子元件安装用基板具备：框状的基体，具有第1框部和设于所述第1框部上且内表面在俯视观察下比所述第1框部的内表面更向内侧伸出的第2框部；电极，设于所述基体的所述第1框部的下表面；和焊盘，设于所述第2框部的伸出的部分的下表面，且与所述电极电连接，在所述基体的所述第2框部的伸出的部分的内表面具有沿着上下方向的槽。
本发明的一个方式的电子装置具有：上述的电子元件安装用基板；安装在该电子元件安装用基板的所述电子元件；和与所述电子元件安装用基板的上表面接合的盖体。
附图说明
图1(a)是表示本发明的第1实施方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的顶视图，(b)是与(a)的A-A线对应的纵截面图。
图2(a)是表示图1所示的本发明的第1实施方式的方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的将顶视图旋转了90度的图，(b)是与(a)的A-A线对应的纵截面图。
图3(a)以及(b)是表示本发明的第1实施方式的其他方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的顶视图。
图4是表示本发明的第1实施方式的其他方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的顶视图。
图5(a)以及(b)是表示本发明的第1实施方式的其他方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的纵截面图。
图6(a)以及(b)是表示本发明的第1实施方式的其他方式所涉及的电子元件安装用基板的主要部分B的放大图。
图7(a)以及(b)是表示本发明的第1实施方式的其他方式所涉及的电子元件安装用基板的主要部分B的放大图。
图8(a)是表示本发明的第2实施方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的顶视图，(b)是与(a)的A-A线对应的纵截面图。
图9(a)是表示图8所示的本发明的第2实施方式的方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的将顶视图旋转了90度的图，(b)是与(a)的A-A线对应的纵截面图。
图10(a)是表示本发明的第3实施方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的顶视图，(b)是与(a)的A-A线对应的纵截面图。
图11(a)是表示图10所示的本发明的第3实施方式的方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的将顶视图旋转了90度的图，(b)是与(a)的A-A线对应的纵截面图。
图12(a)以及(b)是表示本发明的第4实施方式的方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的纵截面图。
图13(a)是表示本发明的第5实施方式所涉及的电子元件安装用基板以及电子装置的外观的顶视图，(b)是与(a)的A-A线对应的纵截面图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明的几个例示性的实施方式。另外，在以下的说明中，将在电子元件安装用基板安装了电子元件的结构作为电子装置。电子元件安装用基板以及电子装置中任一个方向都可以被设为上方或下方，但为了便于说明，定义直角坐标系xyz并将z方向的正侧设为上方，由此使用上表面或下表面的用语。
(第1实施方式)
参照图1～图7来说明本发明的第1实施方式中的电子装置21以及电子元件安装用基板1。本实施方式中的电子装置21具有电子元件安装用基板1和电子元件10。另外，在图1～图7中省略了盖体12。另外，在图1～图4中示出本实施方式的顶视图或截面图的一例。另外，在图5～图7中示出图1所示的本实施方式的主要部分B的放大图及其一例。另外，在图7中示出本实施方式的槽4附近的第2框部2b的纵截面图的一例。
在图1～图2所示的示例中，电子元件安装用基板1具备：框状的基体2，具有第1框部2a，和设于第1框部2a上且内表面在俯视观察下比第1框部2a的内表面更向内侧伸出的第2框部2b；电极9，设于基体2的第1框部2a的下表面；和焊盘3，设于第2框部2b的伸出的部分的下表面，与电极9电连接，在基体2的第2框部2b的伸出的部分的内表面具有沿着上下方向的槽4。电极9是用于与外部的电路基板连接的外部电路连接用电极。另外，焊盘3是用于与电子元件10连接的电子元件连接用焊盘。
基体2包括第1框部2a和第2框部2b，第2框部2b设于第1框部2a上，且内表面在俯视观察下比第1框部2a的内表面更向内侧伸出。另外，电子元件安装用基板1具有：框状的基体2；电极9，设于基体2的第1框部2a的下表面；和焊盘3，设于第2框部2b的伸出的部分的下表面，与电极9电连接。该基体2的材料例如可使用电绝缘性陶瓷或树脂等。
用作基体2的材料的电绝缘性陶瓷例如可列举氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或玻璃陶瓷烧结体等。另外，基体2为电绝缘性陶瓷材料之一的氧化铝质烧结体的情况下，热膨胀率例如为6.5×10-6/℃～8.0×10-6/℃。
用作基体2的材料的树脂例如可列举环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯酚树脂或氟系树脂等。作为氟系树脂，例如可列举聚酯树脂或四氟乙烯树脂。另外，基体2为树脂材料之一的环氧树脂的情况下，热膨胀率例如为45×10-6/℃～65×10-6/℃。
在图1～图2所示的示例中，基体2例如在上下层叠多个由前述的材料构成的绝缘层来形成。基体2可以如图1以及图2所示的示例那样由五层的绝缘层形成，也可以由二至四层或六层以上的绝缘层形成。另外，基体2例如在俯视观察下外形为矩形状。基板2的外形的一边的长度为3mm～100mm，上下方向上的长度为0.5mm～20mm。另外，开口部2c在俯视观察下一边的长度为2mm～90mm。
可以在基体2的内部设置使各绝缘层间导通的贯通导体和内部布线所构成的内部布线导体。另外，基体2也可以具有露出到表面的外部布线导体。另外，也可以是设于形成基体2的各绝缘层各自内部的内部布线导体通过设于露出到各绝缘层的表面的外部布线导体等被电连接。另外，在此，设外部布线导体是除了焊盘3以及电极9的、露出到基体2的外部的布线导体。
在基体2由电绝缘性陶瓷构成的情况下，焊盘3、电极9由金属材料构成。作为金属材料，有钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)或铜(Cu)。另外，焊盘3、电极9由含有从这些材料中选出的至少一种以上的金属材料的合金等构成。另外，在基体2由树脂构成的情况下，焊盘3、电极9、内部布线导体以及外部布线导体例如由金属材料构成。作为金属材料，有铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)或钛(Ti)等。另外，焊盘3、电极9由含有从这些材料中选出的至少一种以上的金属材料的合金等构成。
也可以在焊盘3、电极9以及外部布线导体所露出的表面设置镀覆层。根据该构成，能保护焊盘3、电极9以及外部布线导体的露出表面使其很难被氧化。另外，根据该构成，能使焊盘3和电子元件10之间的经由连接构件13(Au珠等)的电连接变得良好。镀覆层例如被覆厚度为0.5～10μm的Ni镀覆层。或者，在该Ni镀覆层上被覆厚度为0.5～3μm的金(Au)镀覆层。
在图1～图7所示的本实施方式的示例中，在电子元件安装用基板1的基体2的第2框部2b的伸出的部分的内表面，具有沿着上下方向的槽4。
一般，在安装电子元件10的工序或将盖体12与基体2接合的工序中，从电子元件10或盖体12对基体2按压并施加热的同时，安装电子元件10。另外，伴随着电子元件10的高性能化，电子元件10变得大型化，电子元件10工作时的发热量在不断变大。进而，随着电子装置21的薄型化的要求，正在推进基体2的薄型化。根据这些条件，有时由于安装电子元件10时的工序中的加热以及应力、或电子元件10工作时的发热影响到电子元件安装用基板1的开口部2c的周边，开口部2c周边会变形。并且，在电子元件安装用基板1的开口部2c周边变形的情况下，会在该变形的部位发生应力集中，有时会在电子元件安装用基板1中产生裂纹或裂痕等。由于该电子元件安装用基板1的裂纹或裂痕，有时电子装置21的气密性会降低或者会产生裂痕引起的粉尘。
与此相对，在图1～图7所示的本实施方式的示例中，在电子元件安装用基板1的基体2的第2框部2b的伸出的部分的内表面，具有沿着上下方向的槽4，由此能通过槽4吸收来自基体2的上表面或下表面的应力。因此，即使在将电子元件10安装到电子元件安装用基板1的工序或电子元件10工作时，施加应力或热使得电子元件安装用基板1的开口部2c的周边变形，也能减少应力集中在基体2变形的部位的情形。由此能减少在电子元件安装用基板1产生裂纹或裂痕等的情形。
另外，一般，对于在基体2的中央具有开口部2c的基体2而言，在制作过程中，开口部2c周边变形的可能性变高。在这样的情况下，从电子元件10或盖体12对基体2进行按压并施加热的同时安装电子元件10。其结果，在基体2的制作过程中，在基体2变形的部位发生应力集中，有可能会在电子元件安装用基板1中产生裂纹或裂痕等。与此相对，在图1～图7所示的本实施方式的示例中，在电子元件安装用基板1的基体2的第2框部2b的伸出的部分的内表面，具有沿着上下方向的槽4。此时，能使从上表面或下表面对第2框部2b的开口部周边的变形的部位施加的应力释放到槽4内。因而能减少在电子元件安装用基板1的开口部2c周边的基体2的制作过程中应力集中在变形的部位处的情形。即，能减少在电子元件安装用基板1中产生裂纹或裂痕等的情形。
另外，图1～图2所示的示例中，槽4将第2框部2b从上表面侧贯通到下表面侧，但也可以从第2框部2b的上表面侧或下表面侧设置到第2框部2b的中间部。另外，槽4并不限于从第2框部2b的上表面贯通到第2框部2b的下表面的形状，也可以是未在上下方向上贯通的形状。
另外，在图1～图3(a)所示的示例中，第2框部2b是矩形状，槽4分别设置在对置的两边上。由此，在安装盖体12或电子元件10的工序中，即使从基体2的上表面或下表面侧垂直施加压力，也能在分别设于对置的两边上的槽4处均等地释放应力。因此，能减少在开口部2c的周边的基体2已偏倚而变形的状态下安装盖体12或电子元件10的情况。因而，能通过槽4减少应力集中在电子元件安装用基板1的开口部2c周边的变形的部位而产生裂纹等的情况。另外，能提升电子装置21的盖体12或电子元件10的安装精度。另外，此时，如图3(a)所示的示例那样，通过设置槽4，使其在矩形状的各边分别对称，能进一步减少在开口部2c的周边的基体2已偏倚而变形的状态下安装盖体12或电子元件10的情况。
另外，在图3(b)所示的示例中，第2框部2b为矩形状，槽4设置在第2框部2b的相邻的两边相交的角部处。由此，在制作电子元件安装用基板1时，能减少开口部2c周边的基体2变形的情况。另外，一般，若应力集中在基体2的角部，则裂纹容易扩展到内部。为此，通过在第2框部2b的相邻的两边相交的角部处设置槽4，能减少在角部发生变形的情况，且能缓和施加到角部的应力。因而，能减少应力集中在电子元件安装用基板1的开口部2c周边已变形的部位的情况。进一步，能减少在电子元件安装用基板1产生裂纹或裂痕等情况。
另外，在图4所示的示例中，第2框部2b是矩形状，槽4分别设置在第2框部2b的相邻两边的相交的角部的附近。由此，在制作电子元件安装用基板1时，能抑制：开口部2c周边的基体2变形，角部向上表面侧或下表面侧隆起，导致基体2的上表面或下表面的平衡度降低。由此，在安装盖体12的工序中，能减少倾斜地安装盖体12的情况。或者，能减少向下表面侧隆起的角部与电子元件10接触而伤到电子元件10的情况。另外，通过在第2框部2b的相邻的两边相交的角部的周边分别设置槽4，能减少在角部发生变形的情况，且能缓和施加在角部的应力。因而能减少应力集中在电子元件安装用基板1的开口部2c周边已变形的部位的情况。即，能减少在电子元件安装用基板1产生裂纹或裂痕等情况。
另外，在图5所示的示例中，槽4附近的第2框部2b是剖视下向上表面侧或下表面侧变形的形状。即，第2框部2b的槽4的周围向上方或下方倾斜。如此，通过设置槽4，使其与基体2的变形大的部位的中心部分重合，能减少在安装电子元件10或盖体12的工序中应力施加最多的部分被直接施加应力的情况。由此，能更有效果地减少应力集中在电子元件安装用基板1的开口部2c周边已变形的部位的情况。即，能减少在电子元件安装用基板1产生裂纹或裂痕等情况。
槽4例如其宽度是0.1mm～1mm程度，且在纵深方向上的宽度也是0.1mm～1mm程度。另外，通过设为开口部2c的边大小的30％以下，能良好地缓和基体2的开口部2c的变形，并能减少空气中的尘埃等粉末经由槽4与电子元件10相接。
接下来，用图1以及图2来说明电子装置21。在图1以及图2所示的示例中，电子装置21具有电子元件安装用基板1和安装在电子元件安装用基板1的电子元件10。
电子元件10例如使用CCD型或CMOS型等摄像元件、LED等发光元件或半导体电路元件等。在图1以及图2所示的示例中，电子元件10的各电极通过连接构件13与焊盘3电连接。另外，在图1～图2所示的示例中，电子元件10和电子元件安装用基板1通过连接构件13被连接，连接构件13例如可以是由金或焊料构成的珠或由树脂等构成的各向异性导电树脂等。
本发明的电子装置21通过使用本发明的电子元件安装用基板1，能良好地维持气密性，能实现电子装置21的可靠性的提升。
接下来，说明本实施方式的电子元件安装用基板1的制造方法的一例。另外，以下示出的制造方法的一例是利用批量生产型布线基板的制造方法。
(1)首先，形成构成基体2的陶瓷生片。例如，在得到氧化铝(Al2O3)质烧结体的基体2的情况下，在Al2O3的粉末中添加氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)或氧化钙(CaO)等粉末作为烧结助剂。进一步，添加适当的粘合剂、溶剂以及增塑剂，然后将它们的混合物混匀并做成浆状。然后，利用刮刀法或压延辊法等成型方法，得到量产用的陶瓷生片。
另外，在基体2由例如树脂构成的情况下，使用能成形为规定形状的金属模具，用传递模塑法或注射成型法等进行成形，由此能形成基体2。
另外，基体2也可以是使玻璃环氧树脂那样树脂浸透在由玻璃纤维构成的基材中的产物。在该情况下，使由玻璃纤维构成的基材浸透环氧树脂的前体，使该环氧树脂前体在给定温度下热固化，由此能形成基体2。
(2)接下来，利用丝网印刷法等，在上述(1)的工序中得到的陶瓷生片中，对将要成为焊盘3、电极9以及包括贯通导体和内部布线的内部布线导体的部分涂布或填充金属膏。
在由前述的金属材料构成的金属粉末中加入适当的溶剂以及粘合剂并混匀，调整为适度的粘度，由此制作该金属膏。另外，金属膏也可以为了提高与基体2的接合强度而包含玻璃、陶瓷。
(3)接下来，制作成为基体2的陶瓷生片。另外，为了制作框状的基体2，例如有如下方法，即，制作将要成为第1框部2a以及第2框部2b的陶瓷生片，通过后述的层叠并加压的工序来实现一体化。成为第1框部2a以及第2框部2b的陶瓷生片例如可通过利用金属模具或激光加工来打穿将要成为开口部2c的部分来制作。另外，也可以将多个陶瓷生片层叠并加压，制作陶瓷生片层叠体之后再打穿将要成为开口部2c的部分。
另外，此时，可以在会变成第2框部2b的陶瓷生片中预先挖开了将要成为槽4的孔的陶瓷生片上，设置分割槽4的开口部2c，由此制作槽4。另外，也可以在已设置开口部2c的将要成为第2框部2b的陶瓷生片中形成槽4。此时，可以事先层叠由已设置槽4的多个层构成的将要成为第2框部2b的陶瓷生片，也可以在分别设置槽4之后层叠多个陶瓷生片。另外，作为设置会变成槽4的贯通孔的方法，例如可利用金属模具进行冲孔加工或使用激光加工。
(4)接下来，对将要成为各绝缘层的陶瓷生片进行层叠并加压，由此制作将要成为基体2的陶瓷生片层叠体。此时，可按照如下方式制作将要成为基体2陶瓷生片层叠体，即，对上述的会成为第1框部2a的陶瓷生片和会成为第2框部2b的陶瓷生片进行层叠并加压来实现一体化。
(5)接下来，在约1500～1800℃的温度下烧固该陶瓷生片层叠体，得到排列了多个基体2的批量生产型基板。另外，通过该工序，与将要成为基体2的陶瓷生片同时烧固前述的金属膏，变成焊盘3、电极9、内部布线导体或外部布线导体。
(6)接下来，将烧固后得到的批量生产型布线基板分割成多个基体2。在该分割中，沿着会成为基体2的外缘的部位，在批量生产型布线基板形成分割槽。分割可使用沿着该分割槽折断来分割的方法、或通过切片法等沿着会成为基体2的外缘的部位进行切断的方法等。另外，分割槽可通过在烧固后由切片装置切入比批量生产型布线基板的厚度小的量来形成。此时，在分割中，可以将切割刀具顶到批量生产型布线基板用的陶瓷生片层叠体，或由切片装置切入比陶瓷生片层叠体的厚度小的量，由此形成分割槽。
通过上述(1)～(6)的工序，得到电子元件安装用基板1。另外，并不指定上述(1)～(6)的工序顺序。通过在如此形成的电子元件安装用基板1安装电子元件10，能制作电子装置21。
接下来，使用图6～图7来说明本实施方式的槽4的形状。图6～图7是图1所示的本实施方式的主要部分B(槽4)的放大图。
在图5(a)所示的示例中，槽4在俯视观察下是“コ”字的形状。由此，通过槽4缓和从基体2的上表面或下表面施加的应力时，由于能够以两点的角部为起点来缓和应力，因此能更良好地缓和应力。另外，若如图5(a)所示的示例或后述的图5(b)所示的示例那样槽4为多角形状，则槽4的形成以及设计会变得容易些。
在图5(b)所示的示例中，槽4在俯视观察下是五角形的形状。由此，能使各边所构成的角的角度在90度以上。因而，在通过槽4缓和从基体2的上表面或下表面施加的应力时，能缓和施加在槽4的角部的应力，能减少在槽4的角部产生裂纹等的情况。另外，通过如图5(b)所示的示例那样将槽4的角部设置成在俯视观察下与槽4的中心线重合，由于在槽4对应力进行缓和时，能以与中心线重合的角部为起点而上下缓和应力，因此能更良好地缓和应力。
在图6所示的示例中，在(a)表示的示例中，槽4在俯视观察下是圆状的形状。另外，在(b)表示的示例中，槽4在俯视观察下是椭圆的形状。由此，在通过槽4缓和从基体2的上表面或下表面施加的应力时，由于槽4中没有角部，因此应力很难集中，能减少在槽4的周边产生裂纹等。另外，此时，槽4在俯视观察下既可以是完全的圆形状或椭圆形状，也可以是带有制造误差的形状。例如，还包括在俯视观察下不是完全的圆状而是一部分变形的形状。
作为如图5～图6所示的示例那样将槽4设置成在俯视观察下为任意形状的制法，例如在基体2由电绝缘性陶瓷构成的情况下，能使用会变成各种任意形状的金属模具来冲裁会成为基体2的陶瓷生片，由此形成基体2。另外，例如也可以使用激光器等来形成为任意的形状。
另外，在位于槽4与开口部2c之间的基体2的宽度变小(变薄)的情况下，如图6所示的示例那样在槽4与开口部2c之间设置连续部分，设为适当的宽度。由此，能减少在槽4与开口部2c之间的基体2中产生裂痕、裂纹等的情况。
(第2实施方式)
接下来，参照图8以及图9来说明本发明的第2实施方式的电子元件安装用基板1以及电子装置21。另外，在图8以及图9的顶视图中，用虚线表示盖体12内的部分，用点线表示槽4。
本实施方式中的电子装置21与第1实施方式的电子装置21的不同点在于，电子装置21具有盖体12，接合材料14流入盖体12与基体2之间，并且密封材料15流入基体2与电子元件10之间。
在图8以及图9所示的示例中，电子装置21具有：本发明的电子元件安装用基板1；电子元件10，与焊盘3连接，且与第2框部2b的下表面连接；和盖体12，设于第2框部2b的上表面。电子装置21使用具有槽4的电子元件安装用基板1。由此，能减少因将电子元件10或盖体12接合到电子元件安装用基板1的工序中的加压而产生裂纹或裂痕等的情况。因而，能良好地保持电子装置21的气密性。另外，能减少电子元件10或盖体12的接合工序中的基体2的裂痕。由此，能实现减少基体2的裂痕的产生所引起的粉尘的产生。
另外，在图8以及图9所示的示例中，盖体12经由接合材料14与第2框部2b接合，接合材料14流入槽4。一般，要求电子装置21的小型化，而且由于电子元件10的高功能化，要求设于基体2的开口部2c的大型化。由此，盖体12与基体2的接合区变小。因而，在例如电子元件10是摄像装置的情况下，在安装接合材料14的工序中，担心接合材料14流入盖体12的中心部而产生摄像噪声等。如此，通过在基体2设置槽4，使得接合材料14流入到槽4，由此能减少接合材料14流出至盖体12的中心部的情况。因而，在例如电子装置21是摄像装置的情况下，能减少接合材料14引起的摄像噪声。
另外，由于接合区变小，在接合盖体12和基体2的工序中，存在如下情况：接合材料14不能充分扩展，接合材料14的厚度变得不恒定，不能将盖体12平行地接合于电子元件10。因而，有如下情况：在例如电子装置21为摄像装置时，盖体12倾斜着被接合，导致透过盖体12的光折射，摄像元件接受折射的光，因而产生摄像噪声。此时，通过在基体2设置槽4，接合材料14流入到槽4，容易使接合材料14的厚度恒定。因而，能使盖体12与电子元件10平行地接合。例如，在电子装置21为摄像装置时，能减少摄像噪声的产生。
接合材料14由热固化性的树脂或金属材料所形成的钎料等构成。此时，例如在安装于电子元件安装用基板1的电子元件10为半导体电路元件或陀螺仪传感器等的情况下，盖体12可以由金属或树脂等所形成的没有光的透过性的材料构成。
另外，例如在安装于电子元件安装用基板1的电子元件10是CCD(Charge CoupledDevice)型或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等摄像元件、LED(Light Emitting Diode)等发光元件的情况下，盖体12由具有光的透过性的材料构成。作为具有光的透过性的材料，例如是玻璃、水晶或树脂。另外，例如盖体12在俯视观察下外形是矩形状，外形的一边的长度为2.5mm～95mm，上下方向的长度例如为0.1mm～5mm。盖体12的热膨胀率在盖体12由玻璃构成的情况下例如是6×10-6/℃～11×10-6/℃。
另外，通过如图8以及图9所示的示例那样将槽4设置在与盖体12俯视观察下重合的位置，能更良好地减少空气中的尘埃等粉末经由槽4与电子元件10相接的情况。
另外，在图8以及图9所示的示例中，电子元件10与第2框部2b之间被密封材料15密封，密封材料15流入槽4并往上爬。一般，要求电子装置21的小型化，而且由于电子元件10的高功能化，要求设于基体2的开口部2c的大型化。由此，电子元件10与基体2的密封区变小。因而，存在如下情况：在安装密封材料15的工序中，由于密封材料15流入电子元件10的中心部，因此例如在电子装置21是摄像装置的情况下，密封材料15流入受光区，产生摄像噪声。如此，通过在基体2中设置槽4，密封材料15流入槽4并往上爬，由此能减少密封材料15流出至电子元件10的中心部。因而，例如在电子装置21为摄像装置的情况下，能减少密封材料15引起的摄像噪声。另外，密封材料15一般使用热固化性的树脂等。
另外，通过如图8以及图9所示的示例那样接合材料14和密封材料15这两者都流入槽4，能在槽4内积存接合材料14和密封材料15。由此，能使接合材料14以及密封材料15的厚度减少与接合材料14及密封材料15流入槽4的量相应的厚度。因而，能进一步减小电子装置21的高度。
另外，如图8以及图9所示的示例那样，槽4在俯视观察下是圆形状或椭圆形状(参照图6)。由此，在电子元件10工作而发热的情况下，流入到槽4的接合材料14或密封材料15或这两者受热而热膨胀时，能缓和基体2与接合材料14或密封材料15的热膨胀之差引起的应力。由此，能减少在槽4周边的基体2中产生裂纹等的情况。
另外，由于槽4的形状是在俯视观察下开口部2c侧宽度逐渐变窄(参照图6)，能减少接合材料14或密封材料15流出至盖体12的中央部或电子元件10的中央部的情况。
另外，如图8以及图9所示的示例那样，电子装置21中所用的接合材料14以及密封材料15既可以由同种材料构成，也可以由不同材料构成接合材料14和密封材料15。另外，在接合材料14和密封材料15由不同材料构成的情况下，接合材料14和密封材料15既可以重合，也可以不重合。在接合材料14和密封材料15由同种材料构成的情况下，能同时进行接合盖体12的工序和密封电子元件10的工序。另外，由于在上表面侧和下表面侧热膨胀系数相等，因此在电子元件10工作而发热的情况下也能减少基体2的变形。另外，在接合材料14和密封材料15由不同材料构成的情况下，能使接合材料14和密封材料15的熔点不同。由此，在密封电子元件10与基体2的工序以及接合盖体12与基体2的工序不同的情况下，能减少在回流焊(reflow)的温度下接合材料14或密封材料15溶化导致电子元件10或盖体12偏离的情况。
(第3实施方式)
接下来，参照图10以及图11来说明本发明的第3实施方式的电子元件安装用基板1以及电子装置21。另外，在图10以及图11的顶视图中，用虚线表示盖体12内的部分，用点线表示槽4。
本实施方式中的电子装置21与第2实施方式的电子装置21的不同的在于，俯视观察下槽4的形状不同。
在图10以及图11所示的示例中，与图8以及图9比较，槽4在俯视观察下是宽度宽的形状。具体地，槽4在俯视观察下，槽4的宽度方向的长度大于槽4的深度方向的长度。在此，所谓槽4的宽度方向在图10所示的示例中是指，沿着设有槽4的开口部2c的边缘的方向(y方向)。另外，所谓槽4的深度方向在图10所示的示例中是指，与设有槽4的开口部2c的缘正交的方向(x方向)。通过该形状，接合材料14或密封材料15在槽4的侧面爬行着扩展。由此，能对接合材料14或密封材料15设置更大的倒角(fillet)。因而，接合材料14或密封材料15通过大的倒角拉伸固定盖体12或电子元件10的力变强。因而，能进一步提升盖体12或电子元件10的接合强度。
另外，接合材料14或密封材料15在槽4的侧面爬行着扩展，由此能减少接合材料14或密封材料15在俯视观察下向开口部2c的内侧扩展的情况。因而，例如在电子装置21是摄像装置的情况下，能减少接合材料14或密封材料15引起的摄像噪声。另外，密封材料15一般使用热固化性的树脂等。
(第4实施方式)
接下来，参照图12来说明本发明的第4实施方式的电子元件安装用基板1以及电子装置21。另外，省略了盖体12。
本实施方式的电子装置21与第1实施方式的电子装置21的不同点在于，剖视下槽4的形状不同。关于槽4，槽4的下表面侧的内壁位于比槽4的上表面侧的内壁更靠内侧的位置处。即，槽4的上部比下部更凹。
在图12(a)所示的示例中，第2框部2b由多个绝缘层构成，各绝缘层的槽4的内壁是下表面侧的层位于比上表面侧的层更靠内侧的位置处。由此，能使焊盘3的位置尽可能接近开口部2c侧，且能充分设置槽4的体积。因而，减少了应力集中在电子元件安装用基板1的开口部2c周边已变形的部位处，能减少在电子元件安装用基板1产生裂纹或裂痕等的情况，并能实现电子装置21的小型化。
另外，第2框部2b的中间层的槽4的内壁也可以位于比最上层及最下层的槽4的内壁的位置更靠外侧的位置处。由此，由于接合材料14或密封材料15能流入位于第2框部2b的中间层的外侧的部位，因此得到与图12(a)同样的效果，并能确保盖体12与基体2的接合区。
作为图12(a)所示的示例那样的电子元件安装用基板1的制法，例如在基体2由电绝缘性陶瓷构成时，在会成为各绝缘层的陶瓷生片上形成槽4时，各绝缘层的槽4的内壁被设置成与上表面侧的层相比，下表面侧的层位于更靠内侧的位置处。然后，能通过将各个生片加压并层叠来制作基板2。
在图12(b)所示的示例中，槽4的内壁在剖视下倾斜成槽4的深度上部比下部更深。一般，近年来要求电子元件安装用基板1的薄型化，伴随着薄型化的要求，基体2、即第1框部2a和第2框部2b也被薄型化，构成第2框部2b的各绝缘层也变得非常薄。此时，若设置图12(a)那样的槽4，则在安装电子元件10时或处理电子元件安装用基板1时，有可能会在构成第2框部2b的槽4的最下层的绝缘层发生变形等。通过如本构成那样将槽4的内壁设置成在剖视下向下表面侧倾斜，能保留图12(a)的效果，同时能减少在构成第2框部2b的槽4的最下层的绝缘层发生变形等的可能性。
作为图12(b)所示的示例那样的电子元件安装用基板1的制法，例如在基体2由电绝缘性陶瓷构成时，能在会成为各绝缘层的陶瓷生片中利用金属模具进行冲裁来设置槽4。此时，作为所使用的金属模具，例如将使用侧面倾斜的金属模具的阴金属模的直径设置成大于凸金属模的直径等，从而能制作图12(b)所示的示例那样的电子元件安装用基板1。
(第5实施方式)
接下来，参照图13来说明本发明的第5实施方式的电子元件安装用基板1以及电子装置21。另外，在图13的顶视图中，用虚线表示盖体12内的部分，用点线表示槽4。
本实施方式的电子装置21与第2实施方式的电子装置21的不同点在于，设置槽4的位置。
在图13所示的示例中，槽4在剖视下设置在焊盘3彼此远离较多的位置处。关于密封材料15，有使用毛细管现象来填充焊盘3之间的方法。如图13那样，若焊盘3彼此远离得较多，就会有不能良好地填充密封材料15的可能性。为此，如本实施方式那样，通过将槽4设置在剖视下焊盘3彼此远离较多的位置处，能抑制电子元件安装用基板1的开口部2c的裂纹、裂痕等。另外，通过使密封材料15在槽4上爬行或者密封材料15从上表面侧流入，能将远离较多的焊盘3彼此之间充分密封。
另外，本发明并不限于上述的实施方式的示例，能进行数值等的各种变形。
另外，例如在图1～图13所示的示例中，焊盘3、电极9或槽4的形状是矩形状，但也可以是圆形状或其他多角形状。另外，并不指定本实施方式中的焊盘3、电极9或槽4的配置、数量、形状等。
另外，本实施方式中的特征部的各种组合并不限于上述的实施方式的示例。
符号说明
1 电子元件安装用基板
2 基体
2a 第1框部
2b 第2框部
2c 开口部
3 焊盘(电子元件连接用焊盘)
4 槽
9 电极(外部电路连接用电极)
10 电子元件
12 盖体
13 连接构件
14 接合材料
15 密封材料
21 电子装置

Claims (6)

1.一种电子元件安装用基板，其特征在于，具备：
框状的基体，具有第1框部和设于所述第1框部上且内表面比所述第1框部的内表面更向内侧伸出的第2框部；
电极，设于所述基体的所述第1框部的下表面；和
焊盘，设于所述第2框部的伸出的部分的下表面，与所述电极电连接，
在所述基体的所述第2框部的伸出的部分的内表面形成有沿着上下方向的槽。
2.根据权利要求1所述的电子元件安装用基板，其特征在于，
所述第2框部为矩形状，所述槽分别设于对置的两边。
3.根据权利要求1或2所述的电子元件安装用基板，其特征在于，
所述第2框部为矩形状，所述槽设置在所述第2框部的相邻的两边相交的角部处。
4.根据权利要求1或2所述的电子元件安装用基板，其特征在于，
所述第2框部的所述槽的周围朝向上方或下方倾斜。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子元件安装用基板，其特征在于，
所述槽的上部比下部更凹。
6.一种电子装置，其特征在于，具备：
权利要求1～5中任一项所述的电子元件安装用基板；
电子元件，与所述焊盘连接，且与所述第2框部的下表面连接；和
盖体，设于所述第2框部的上表面。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7086536B2 (ja) * 2017-07-26 2022-06-20 京セラ株式会社 電子素子実装用基板、電子装置および電子モジュール
JP6952396B2 (ja) * 2018-01-29 2021-10-20 京セラ株式会社 電子部品収納用基板およびこれを用いたパッケージ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006201427A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Kyocera Corp 撮像素子収納用パッケージ、撮像装置および撮像モジュール
JP2007299887A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd 半導体集積回路素子搭載用基板および半導体装置
JP2010045311A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Panasonic Corp 配線基板及び半導体装置
CN201638802U (zh) * 2010-02-04 2010-11-17 惠州市正源微电子有限公司 一种新型集成电路基板

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299592A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Sony Corp 半導体装置
JP4170968B2 (ja) * 2004-02-02 2008-10-22 松下電器産業株式会社 光学デバイス
JP2006013440A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP5082542B2 (ja) * 2007-03-29 2012-11-28 ソニー株式会社 固体撮像装置
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
JP2010206158A (ja) * 2009-02-04 2010-09-16 Panasonic Corp デバイス
TW201250964A (en) * 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
JP5930263B2 (ja) * 2011-02-18 2016-06-08 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2013115100A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Toshiba Corp 固体撮像装置
CN103682066B (zh) * 2012-09-21 2016-08-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组及其制造方法
KR20140100325A (ko) * 2013-02-06 2014-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 모듈
CN104022215B (zh) * 2013-03-01 2017-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US9872378B2 (en) * 2013-04-26 2018-01-16 Kyocera Corporation Electronic element mounting board and electronic device
WO2015073438A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 Reald Inc. Directional backlights with light emitting element packages
JP6398563B2 (ja) * 2014-05-29 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6582754B2 (ja) * 2015-08-31 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 複合基板、発光装置、及び発光装置の製造方法
CN108575099B (zh) * 2015-11-27 2021-03-16 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装和照明装置
JP6332253B2 (ja) * 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
US10109556B2 (en) * 2016-03-07 2018-10-23 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Systems and methods for spring-based device attachment
JP6880725B2 (ja) * 2016-12-27 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6583297B2 (ja) * 2017-01-20 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置用複合基板および発光装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006201427A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Kyocera Corp 撮像素子収納用パッケージ、撮像装置および撮像モジュール
JP2007299887A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd 半導体集積回路素子搭載用基板および半導体装置
JP2010045311A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Panasonic Corp 配線基板及び半導体装置
CN201638802U (zh) * 2010-02-04 2010-11-17 惠州市正源微电子有限公司 一种新型集成电路基板

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