JP6582754B2 - 複合基板、発光装置、及び発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

複合基板、発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。
セラミックからなる基体に配線が形成されたセラミック基板が知られている。そして、このようなセラミック基板を用いる発光装置の製造方法として、セラミック基板の集合体に発光素子等の電子部品を搭載した後、個々の電子部品を封止部材で封止し、最終工程で集合体を切断して複数の発光装置とする方法が知られている（特許文献１参照）。
特開２００８−２０５４６２号公報
しかしながら、セラミック基板は樹脂基板等に比べて高価である。また、上記従来の方法では、最終工程における集合体の切断に時間とコストがかかる場合がある。
上記課題は、以下により解決される。
基板と被覆部材とを備え、前記基板は、セラミックからなる基体と、前記基体の上面に設けられた第１配線と、前記基体の下面に設けられ、前記第１配線に電気的に接続される第２配線と、を有し、前記被覆部材は、前記第１配線及び前記第２配線が露出するよう前記基体を被覆する複合基板。
前記の複合基板と、前記第１配線に実装された少なくとも１つの発光素子と、を備えた発光装置。
セラミックからなる基体と前記基体の上面及び下面に第１配線及び第２配線を有する基板集合体を準備する工程と、前記基体を切断することにより前記基板集合体を個片化し複数の基板とする工程と、前記複数の基板をシート上に所定の間隔をあけて載置するとともに粘着剤を用いて前記シートに接着する工程と、前記複数の基板の上面側において各第１配線が露出するよう前記シート上に被覆部材を設けて前記複数の基板を一体化する工程と、前記一体化された複数の基板から前記シートを除去して前記複数の基板の下面側において各第２配線を露出させ複合基板集合体とする工程と、前記複合基板集合体の上面側における各第１配線に発光素子をそれぞれ実装する工程と、前記被覆部材を切断することにより前記複合基板集合体を個片化し複数の発光装置とする工程と、を有する発光装置の製造方法。
上記構成によれば、セラミック基板と同等の強度を有するがセラミック基板よりも短時間且つ低コストで製造することができる複合基板及びこれを備えた発光装置並びにその製造方法を提供することができる。
実施形態１に係る複合基板の模式的上面図である。 実施形態１に係る複合基板の模式的下面図である。 図１Ａ中のＡ−Ａ断面図である。 延伸部の一例を示す模式図である。 実施形態１に係る発光装置の模式的上面図である。 実施形態１に係る発光装置の模式的下面図である。 図２Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。 実施形態２に係る複合基板の模式的断面図である。 実施形態２に係る発光装置の模式的断面図である。 実施形態３に係る複合基板の模式的断面図である。 実施形態３に係る発光装置の模式的断面図である。 実施形態４に係る複合基板の模式的断面図である。 実施形態４に係る発光装置の模式的断面図である。 実施形態５に係る複合基板の模式的断面図である。 実施形態５に係る発光装置の模式的断面図である。 実施形態６に係る複合基板の模式的断面図である。 実施形態６に係る発光装置の模式的断面図である。 実施形態７に係る複合基板の模式的断面図である。 実施形態７に係る発光装置の模式的断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。 実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。
［実施形態１に係る複合基板１］
図１Ａは実施形態１に係る複合基板の模式的上面図であり、図１Ｂは実施形態１に係る複合基板の模式的下面図であり、図１Ｃは図１Ａ中のＡ−Ａ断面図である。図１Ａから図１Ｃに示すように、実施形態１に係る複合基板１は、基板１２と被覆部材３０とを備えている。基板１２は、セラミックからなる基体１４と、基体１４の上面に設けられた第１配線１８と、基体１４の下面に設けられ第１配線１８に電気的に接続される第２配線２４と、を有する。被覆部材３０は、第１配線１８及び第２配線２４が露出するよう基体１４を被覆する。以下、順に説明する。
（基板１２：セラミックからなる基体１４）
基体１４は基板１２の母材となる部材である。基体１４は、セラミックからなり、絶縁性を有している。具体的には、例えば、アルミナ、窒化アルミ、ジルコニア、窒化シリコン、炭化シリコン、アルミノケイ酸塩等の他、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ-ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、またはこれらの組み合わせからなる部材が基体１４の一例となる。基体１４は、単層からなるものであってもよいし、複数の層からなるものであってもよい。基体１４が複数の層からなる場合、各層の間には内層配線を設けてもよい。
（基板１２：第１配線１８、第２配線２４）
基体１４の上面（最上面）には第１配線１８が設けられ、基体１４の下面（最下面）には第１配線１８に電気的に接続される第２配線２４が設けられる。第１配線１８には後述する発光素子３４が実装され、第２配線２４は外部電極などに接続される。第１配線１８は互いに離間する第１領域２０及び第２領域２２を有しており、第１領域２０及び第２領域２２は正負一対の電極として機能する。同様に、第２配線２４は互いに離間する第１領域２６及び第２領域２８を有しており、第１領域２６及び第２領域２８は正負一対の電極として機能する。第１配線１８の第１領域２０と第２配線２４の第１領域２６は、例えばスルーホール（ビア）１６を介して電気的に接続される。同様に、第１配線１８の第２領域２２と第２配線２４の第２領域２８も、例えばスルーホール（ビア）１６を介して電気的に接続される。なお、これらの領域は、スルーホール（ビア）１６以外の方法により（例えば、基体１４の側面に第１領域２０と第１領域２６とを接合する金属と、第２領域２２と第２領域２８とを接合する金属と、を設けることにより）、電気的に接続することもできる。
第１配線１８や第２配線２４は各種の金属材料を用いて形成することができる。一例を挙げると、第１配線１８や第２配線２４は、例えば、ＷやＣｕなどを基体１４に設けた後、基体１４を焼成し、その後、ＷやＣｕなどの表面を、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌなどの金属およびその合金の１種または２種以上でメッキすることにより形成することができる。なお、ＷやＣｕの表面に形成されるメッキは単層で形成することもできるし、複数の層で形成することもできる。
複合基板１の下面には、例えば、図１Ｄに示すように、第２配線２４と電気的に接続される導電部材（以下、延伸部３２という。）を設けてもよい。延伸部３２は複合基板１の配線の一部として機能する。第２配線２４の下面から被覆部材３０の下面へと延伸部３２を延伸（例：図１Ｄでは横方向に延伸）させることで、複合基板１の下面に設けられる配線の面積を第２配線２４の下面の面積よりも大きくすることができる。このようにすれば、複合基板１の下面に設けられる配線の外部電極に対する接合面積を大きくすることができるため、半田実装性を向上させることができる。また、複合基板１の放熱性を向上させることもできる。延伸部３２は、例えば、第２配線２４上にメッキやスパッタ等を施すことなどにより設けることができる。
（被覆部材３０：被覆部材３０の材料）
被覆部材３０には、基体１４よりも強度が低く、且つ、基体１４よりも切断時（個片化時）に割れや欠けが生じにくい性質を有する樹脂を用いる。このような性質を有する樹脂としては、例えば、トリアジン誘導体エポキシ樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステルからなる群から選択される１種または２種以上の樹脂を一例として挙げることができる。
被覆部材３０は、その樹脂中に、添加材として、酸無水物、酸化防止剤、離型材、光反射部材、無機充填材、硬化触媒、光安定剤、及び／又は滑剤等を有していてもよい。添加材の総添加量は、樹脂に対して２０〜９０ｗｔ％であることが好ましいが、特に限定されるものではない。なお、樹脂中に添加材として酸化チタン（ＴｉＯ２）を４０〜７０ｗｔ％含有させれば、複合基板１の反射率を向上させることができる。また、樹脂中に無機充填材としてガラス繊維を２０〜７０ｗｔ％含有させれば、複合基板１の強度を向上させることができる。なお、添加材として用いる光反射部材の一例としては、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、ムライトなどを挙げることができる。
（被覆部材３０：被覆部材３０による被覆）
被覆部材３０は、第１配線１８と第２配線２４とがそれぞれ露出するように基体１４を被覆する。換言すると、被覆部材３０は、第１配線１８と第２配線２４の全てを被覆しないように基体１４を被覆する。被覆部材３０は、少なくとも基体１４の一つの側面を被覆すればよく、全側面を被覆してもよい。例えば、基体１４が４つの側面を有する場合においては、そのうちの一つの側面を被覆部材３０で被覆し、その他の３つの側面を露出させることができる。この場合、露出する３つの側面の下方に凹部を設ければ、当該凹部が複合基板１のキャスタレーションとなる。この場合、キャスタレーションの内壁などに第１配線１８などと電気的に繋がる導電部材を配置すれば、複合基板１を備えた発光装置を二次基板に半田を用いて実装する際に半田フィレットを容易に形成することが可能となり、発光装置を信頼性よく二次基板に実装することができる。
被覆部材３０は、基体１４の上面の全域または一部、下面の全域または一部、あるいは上面の全域または一部と下面の全域または一部とを被覆していていることが好ましい。このようにすれば、被覆部材３０と基体１４の密着性が向上するため、複合基板１の強度が向上する。また、複合基板１の反射率が向上するため、複合基板１を備える発光装置において光出力が向上する。
被覆部材３０は、例えば、複合基板１の上面において第１配線１８の表面と被覆部材３０の表面が同じ高さ（ほぼ同じ高さを含む。）になるよう設けることができる。換言すると、被覆部材３０は、基体１４の上面における第１配線１８間の空隙を埋めるように設けることができる。
もっとも、被覆部材３０は第１配線１８の表面が被覆部材３０の表面より高くなるよう設けることもでき、この場合は、後述する発光素子３４を第１配線１８に実装する際に、被覆部材３０が発光素子３４に緩衝することがないため、発光素子３４を第１配線１８に対して安定して接着・接合させることが可能となる。また、この場合は、第１配線１８の表面が被覆部材３０の表面と同じ高さである場合よりも発光素子３４の高さが被覆部材３０の上面に対して高くなるため、面光源等としての用途に適した広配光の発光装置を提供することが可能となる。
また、被覆部材３０は第１配線１８の表面が被覆部材３０の表面より低くなるよう設けることもでき、この場合は、後述する発光素子３４が傾かないよう発光素子３４の側面を被覆部材３０で支持することが可能となる。また、この場合は、第１配線１８の表面が被覆部材３０の表面と同じ高さである場合よりも発光素子３４の高さが被覆部材３０の上面に対して低くなるため、レンズやリフレクターに組み合わせて使用される点光源としての用途に適した狭配光の発光装置を提供することが可能となる。
被覆部材３０は、例えば、複合基板１の下面において第２配線２４の表面と被覆部材３０の表面が同じ高さ（ほぼ同じ高さを含む。）になるよう設けることができる。換言すると、被覆部材３０は、基体１４の下面における第２配線２４間の空隙を埋めるようにして設けることができる。このようにすれば、第２配線２４と外部電極とを半田接合する際に、半田が第２配線２４の側面に濡れ広がることを抑制できるため、第２配線２４の第１領域２６と第２領域２８とが半田の漏れに起因して短絡することを防止できる。
もっとも、被覆部材３０は第２配線２４の表面が被覆部材３０の表面より高くなるよう設けることもでき、この場合は、第２配線２４の側面に半田フィレットを形成して半田接合の接合強度を向上させることができる。
また、被覆部材３０は、第２配線２４の表面が被覆部材３０の表面より低くなるよう設けることもでき、この場合は、第２配線２４と外部電極とを半田接合する際に、発光素子１００の傾きを抑制することができる。
（被覆部材３０：被覆部材３０の厚み）
基体１４の側面における被覆部材３０の厚みは、例えば１００μｍ〜１０００μｍ程度である。基体１４の側面における被覆部材３０は、基体１４より厚くてもよいし、薄くてもよいし、同じ厚み（ほぼ同じ厚みを含む。）であってもよい。ただし、複合基板１を平板状に構成する場合は、基体１４の側面における被覆部材３０を基体１４と同じ厚み（ほぼ同じ厚みを含む。）にすることが好ましい。
以上説明した実施形態１によれば、後述するように、被覆部材３０を切断することにより複合基板集合体を個片化できるため、セラミック基板と同等の強度を有するがセラミック基板よりも短時間且つ低コストで製造可能な複合基板１を提供することができる。また、実施形態１によれば、被覆部材３０が緩衝材となり基体１４の反りが抑制されるため、当該反りに起因して複合基板１に実装される各種部品（例：後述する発光素子３４や封止部材３６など）が破損（ひび割れ等）してしまうことを防止できる。さらに、実施形態１によれば、基板１４の幅や奥行きではなく、被覆部材３０の幅や奥行きを基体１４の側方において拡大することにより、複合基板１全体の上面面積を拡大して、大型の封止部材３６であってもこれを複合基板１上に配置することが可能となる。したがって、大型の封止部材３６を備えた発光装置であっても低コストで提供できるようになる。一般に、被覆部材３０は基体１４よりも安価だからである。
［実施形態１に係る発光装置１００］
図２Ａは実施形態１に係る発光装置の模式的上面図であり、図２Ｂは実施形態１に係る発光装置の模式的下面図であり、図２Ｃは図２Ａ中のＢ−Ｂ断面図である。図２Ａから図２Ｃに示すように、実施形態１に係る発光装置１００は、実施形態１に係る複合基板１と、第１配線１８に実装された少なくとも１つの発光素子３４と、を備える発光装置である。
（発光素子３４）
発光素子３４は第１配線１８に実装される。発光素子３４には、例えば、成長用基板（例えばサファイア基板）上に半導体積層体（ｎ側半導体層、活性層、及びｐ側半導体層を順次積層したもの）を備えたものを用いることができるほか、成長用基板がレーザーリフトオフ、ケミカルリフトオフ、またはグラインディング等によりを除去されたものを用いることもできる。発光素子３４の第１配線１８への実装は、例えば、ワイヤボンディングやバンプを用いたフリップチップ実装などにより行うことができるが、特に限定されるものではない。
（封止部材３６）
発光装置１００は、発光素子３４を封止する封止部材３６を備えていてもよい。封止部材３６は、特に限定されるものではないが、例えば、発光素子３４から出射した光を集光するレンズ形状（例えば凸レンズ状）に形成することができる。
（保護素子３８）
発光装置１００は保護素子を備えていてもよい。保護素子は、例えば、第１配線１８上に実装される。保護素子が正電極と負電極を備える場合、保護素子の正電極は、例えば、ＡｇペーストやＡｕＳｎなどの導電性ボンディング剤で第１配線１８の第１領域２０に接着・接合され、保護素子の負電極は、例えば、第１配線１８の第２領域２２にワイヤボンディングで接着・接合される。保護素子は、保護素子での光吸収が低減されるよう、被覆部材３０によってその一部が覆われていることが好ましく、その全部が覆われていることがさらに好ましい。
［実施形態２に係る複合基板２］
図３は実施形態２に係る複合基板の模式的断面図である。図３に示すように、実施形態２に係る複合基板２は、基体１４が凹部Ｘを有する点で、基体１４が平板状である実施形態１に係る複合基板１と相違する。このように、基体１４としては、平板状の部材だけではなく、様々な形状の部材を用いることができる。なお、凹部Ｘの内側面（内側壁）は、凹部Ｘの底面に垂直であってもよいし、傾斜していてもよい。ただし、傾斜させる場合は、上面に近づくにつれて凹部Ｘの内径が広がるように傾斜させることが好ましい。このようにすれば、凹部Ｘの底面に発光素子３４を載置する場合において、発光素子３４からの光を凹部Ｘの内側面（内側壁）にて上方向に反射させやすくなるため、当該内側面（内側壁）の傾斜角度を調整することにより発光装置の配光を調整することが可能となる。なお、被覆部材３０は、被覆部材３０と基材１４との密着性を向上させるべく、凹部Ｘが形成されている部分において特に厚く設けられていることが好ましい。
［実施形態２に係る発光装置２００］
図４は実施形態２に係る発光装置の模式的断面図である。図４に示すように、実施形態２に係る発光装置２００は、実施形態２に係る複合基板２を備える点で、実施形態１に係る発光装置１００と相違する。実施形態２に係る発光装置２００において、発光素子３４は基体１４が有する凹部Ｘの底面に載置される。
［実施形態３に係る複合基板３］
図５は実施形態３に係る複合基板の模式的断面図である。図５に示すように、実施形態３に係る複合基板３は、基体１４の上面上に被覆部材３０と同一の材料からなる枠体Ｙが被覆部材３０と一体的に形成される点で、実施形態１に係る複合基板１と相違する。このように、平板状の基体１４を用いつつ、被覆部材３０を利用して複合基板１に凹部Ｘ（枠体Ｙに囲まれる領域）を設けることもできる。なお、枠体Ｙの形成方法の一例としては、例えば、貼り付け、描画、圧縮成形、トランスファーモールドなどを挙げることができる。
［実施形態３に係る発光装置３００］
図６は実施形態３に係る発光装置の模式的断面図である。図６に示すように、実施形態３に係る発光装置３００は、実施形態３に係る複合基板３を備える点で、実施形態１に係る発光装置１００と相違する。実施形態３に係る発光装置３００において、発光素子３４は凹部Ｘ（枠体Ｙに囲まれる領域）の底面に載置される。
［実施形態４に係る複合基板４］
図７は実施形態４に係る複合基板の模式的断面図である。図７に示すように、実施形態４に係る複合基板４は、基体１４の上面上に被覆部材３０と異なる材料５０からなる枠体Ｙが被覆部材３０と別体に形成される点で、実施形態１に係る複合基板１と相違する。このように、平板状の基体１４を用いつつ、被覆部材３０とは異なる材料５０を用いて複合基板４に凹部Ｘ（枠体Ｙに囲まれる領域）を設けることもできる。なお、枠体Ｙの形成方法の一例としては、例えば、貼り付け、描画、圧縮成形、トランスファーモールドなどを挙げることができる。
［実施形態４に係る発光装置４００］
図８は実施形態４に係る発光装置の模式的断面図である。図８に示すように、実施形態４に係る発光装置４００は、実施形態４に係る複合基板４を備える点で、実施形態１に係る発光装置４００と相違する。実施形態４に係る発光装置４００において、発光素子３４は凹部Ｘ（枠体Ｙに囲まれる領域）の底面に載置される。
［実施形態５に係る複合基板５］
図９は実施形態５に係る複合基板の模式的断面図である。図９に示すように、実施形態５に係る複合基板５は、被覆部材３０とは別体に形成された枠体Ｙが複合基板５の外縁よりも内側に設けられる点で、枠体Ｙが複合基板４の外縁に沿って設けられ枠体Ｙの側面が複合基板４全体の側面になる実施形態４に係る複合基板４と相違する。このようにしても、平板状の基体１４を用いつつ、被覆部材３０とは異なる材料を用いて複合基板１に凹部Ｘ（枠体Ｙに囲まれる領域）を設けることができる。
［実施形態５に係る発光装置５００］
図１０は実施形態５に係る発光装置の模式的断面図である。図１０に示すように、実施形態５に係る発光装置５００は、実施形態５に係る複合基板５を備える点で、実施形態４に係る発光装置４００と相違する。実施形態５に係る発光装置５００において、発光素子３４は凹部Ｘ（枠体Ｙに囲まれる領域）の底面に載置される。
［実施形態６に係る複合基板６］
図１１は実施形態６に係る複合基板の模式的断面図である。図１１に示すように、実施形態６に係る複合基板６は、凹部Ｘ１を有する基体１４と枠体Ｙを有する被覆部材３０とを備える点で、実施形態１に係る複合基板１と相違する。実施形態６に係る複合基板６によれば、基体１４の凹部Ｘ１と被覆部材３０の枠体Ｙが組み合わされることによって、基体１４の凹部Ｘ１を含む基体１４の凹部Ｘ１よりも大きな凹部Ｘ２が形成される（以下、基体１４の凹部Ｘ１を第１凹部Ｘ１といい、基体１４の凹部Ｘ１と被覆部材３０の枠体Ｙが組み合わされることによって形成される凹部Ｘ２を第２凹部Ｘ２という。）。第２凹部Ｘ２の側壁は、下側が基体１４（セラミック）から構成され、上側が被覆部材３０（樹脂）から構成される。したがって、第２凹部Ｘ２の側壁は上側と下側が異なる部材からなる。なお、第２凹部Ｘ２の内側壁は、断面視において、第２凹部Ｘ２の底面側から上面側まで段差がない連続した直線状又は曲面状でもよいが、段差を有していてもよく、また、下側の内側壁（基体１４部分の内側壁）と上側の内側壁（被覆部材３０部分の内側壁）とで異なる角度の面を有していてもよい。
［実施形態６に係る発光装置６００］
図１２は実施形態６に係る発光装置６００の模式的断面図である。図１２に示すように、実施形態６に係る発光装置６００は、実施形態６に係る複合基板６を備える点で、他の実施形態に係る発光装置と相違する。実施形態６に係る発光装置６００において、発光素子３４は第２凹部Ｘ２の底面（第１凹部Ｘ１の底面でもある。）に載置される。
［実施形態７に係る複合基板７］
図１３は実施形態７に係る複合基板の模式的断面図である。図１３に示すように、実施形態７に係る複合基板７は、複数の基板１２（基体１４）を備える点で、１つの基板１２（基体１４）を備える実施形態１に係る複合基板１と相違する。複数の基板１２（基体１４）は被覆部材３０により一体化されている。
［実施形態７に係る発光装置７００］
図１４は実施形態７に係る発光装置の模式的断面図である。図１４に示すように、実施形態７に係る発光装置７００は、複数の基板１２（基体１４）と複数の発光素子３４とを備える点で、１つの基板１２（基体１４）と１つの発光素子３４を備える実施形態１に係る発光装置１００と相違する。実施形態７に係る発光装置７００によれば、複数の基板１２（基体１４）が、１つの複合基板７内で分離されているため、基板１２（基体１４）の反りなどを被覆部材３０で緩和させることができる。そのため、複合基板７の幅や奥行きを拡大しても基板１２（基体１４）に割れなどが発生しにくく、製造工程内における作業性が向上する。
［実施形態１に係る発光装置１００の製造方法］
図１５Ａから図１５Ｈは、実施形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式断面図である。以下、図１５Ａから図１５Ｈを参照しつつ説明する。
（第１工程）
まず、図１５Ａに示すように、基板集合体Ｌ１を準備する。基板集合体Ｌ１は、複数の基板１２が連結してなる板状の部材であり、セラミックからなる基体１４と第１配線１８及び第２配線２４とを有する。第１配線１８及び第２配線２４は、基体１４の上面及び下面にそれぞれ形成される。基体１４としては、例えば、セラミックグリーンシートを互いに積層したものを焼成することにより作製されたものを用いることができる。なお、図示は省略するが、第１配線１８の第１領域２０と第２配線２４の第１領域２６は、例えばスルーホール（ビア）１６を介して電気的に接続される。同様に、第１配線１８の第２領域２２と第２配線２４の第２領域２８も、例えばスルーホール（ビア）１６を介して電気的に接続される。
（第２工程）
次に、図１５Ｂに示すように、レーザーダイシングやブレードダイシングなどにより基体１４を切断することにより基板集合体Ｌ１を個片化し複数の基板１２とする。基体１４上には発光素子３４や樹脂材料（例：波長変換層、レンズ）などがまだ実装されていないため、基体１４はレーザーダイシングやブレードダイシングなどの方法を利用して比較的短時間で簡単に切断することができる。すなわち、発光素子３４や樹脂材料が実装された状態で基体１４をレーザーダイシングで切断すると、樹脂材料の焦げやヒュームにより基板１２が汚れたりなどするため切断後に個々の基板１２を洗浄などする必要が生じるが、発光素子３４や樹脂材料などの実装前に基体１４を切断すれば、そのような洗浄などを行う必要がない。また、発光素子３４や樹脂材料が実装された状態で基体１４をブレードダイシングにより切断すると、ブレードが樹脂材料で目詰まりしたり基体１４を被覆する樹脂材料が基体１４から剥離したりなどするため、まず基体１４上の樹脂材料をダイシングし、その後、基体１４自体を別途ダイシングするなどの必要があるが、発光素子３４や樹脂材料などの実装前に基体１４を切断すれば、そのような２段階のダイシングを行う必要がない。したがって、レーザーダイシングとブレードダイシングのいずれの場合においても、基板集合体Ｌ１の個片化に要する時間とコストを削減することができる。なお、レーザーダイシングとブレードダイシングは一例であり、発光素子３４や樹脂材料などの実装前であれば、他の方法により基体１４を切断する場合であっても、基板集合体Ｌ１の個片化に要する時間とコストを削減することができる。
（第３工程）
次に、図１５Ｃに示すように、基板集合体Ｌ１を個片化することにより得られた複数の基板１２をシート４０上に所定の間隔をあけて載置するとともに粘着剤を用いてシート４０に接着する。シート４０は、例えば、ポリイミドやガラスクロス、ポリエステル、ポリプロピレンなどであるが、好ましくは耐熱性の高いポリイミドやガラスクロスなどである。粘着剤は、例えば、アクリル系やシリコーン系などの粘着剤である。載置はマウンターやソーターなどを用いて行うことができる。なお、基板１２と基板１２と間の間隔は、基板１２をシート４０に転写などにより載置した後、エキスパンドを用いて拡大することができる。
（第４工程）
次に、図１５Ｄに示すように、複数の基板１２の上面側において各第１配線１８が露出するようシート４０上に被覆部材３０を設けて複数の基板１２を一体化する。被覆部材３０はトランスファーモールドや圧縮成形などにより設けることができる。なお、被覆部材３０は基体１４の全側面を被覆するよう設けることが好ましい。このようにすれば、後述するように、基体１４と基体１４の間に設けられた被覆部材３０を切断することにより、つまり、基体１４を切断することなく複合基板１を個片化することが可能となるため、複合基板１の個片化に要する時間とコストを削減することができる。
（第５工程）
次に、図１５Ｅに示すように、一体化された複数の基板１２からシート４０を除去して複数の基板１２の下面側において各第２配線２４を露出させ複合基板集合体Ｌ２とする。
（第６工程）
次に、図１５Ｆに示すように、複合基板集合体Ｌ２の上面側における各第１配線１８に発光素子３４をそれぞれ実装する。なお、必要に応じて、図１５Ｇに示すように、複合基板集合体Ｌ２上の各発光素子３４を封止部材３６でそれぞれ封止してもよい。
（第７工程）
次に、図１５Ｈに示すように、レーザーダイシングやブレードダイシングなどによって被覆部材３０を切断することにより複合基板集合体Ｌ２を個片化し複数の発光装置１００とする。具体的に説明すると、例えば、基体１４をまったく切断することなく、あるいは、基体１４をほとんど切断することなく、基体１４と基体１４の間に設けられている被覆部材３０を切断する。基体１４ではなく基体１４より強度が低い被覆部材３０を切断するため、基体１４を切断する場合よりも複合基板集合体Ｌ２の個片化に要する時間とコストを削減することができる。
以上説明したように、本実施形態では、発光素子３４や樹脂材料（例：波長変換層、レンズ）などがまだ実装されていない段階で基体１４を切断することにより基板集合体Ｌ１を個片化する。また、基体１４ではなく、基体１４と基体１４の間に設けられている被覆部材３０を切断することにより、複合基板集合体Ｌ２を個片化する。したがって、本実施形態によれば、複合基板１を備えた発光装置１００の製造に要する時間とコストを削減することができる。
［実施形態２に係る発光装置２００の製造方法］
実施形態２に係る発光装置２００の製造方法は、前述した第１工程において凹部Ｘを有する基体１４を準備する点で、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と相違する。その他の点は実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と同じであるため説明を省略する。
［実施形態３に係る発光装置３００の製造方法］
実施形態３に係る発光装置３００の製造方法は、前述した第４工程において、枠体Ｙを形成可能なキャビティを備えた金型を準備し、被覆部材３０と同一の材料を用いて基体１４の上面上に被覆部材３０と一体的に枠体Ｙを形成する点で、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と相違する。その他の点は実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と同じであるため説明を省略する。
［実施形態４に係る発光装置４００の製造方法］
実施形態４に係る発光装置４００の製造方法は、前述した第４工程において、基体１４の上面上に被覆部材３０とは異なる材料５０を用いて被覆部材３０とは別体の枠体Ｙを形成する点で、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と相違する。その他の点は実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と同じであるため説明を省略する。
［実施形態５に係る発光装置５００の製造方法］
実施形態５に係る発光装置５００の製造方法は、前述した第４工程において、被覆部材３０とは異なる材料を用いて基体１４の上面上に被覆部材３０とは別体の枠体Ｙを複合基板５の外縁よりも内側に形成する点で、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と相違する。その他の点は実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と同じであるため説明を省略する。
［実施形態６に係る発光装置６００の製造方法］
実施形態６に係る発光装置６００は、前述した第１工程において凹部Ｘ１を有する基体１４を準備するとともに、前述した第４工程においてに被覆部材３０と同一の材料を用いて基体１４の上面上に被覆部材３０と一体的に枠体Ｙを形成する点で、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と相違する。ここで、被覆部材３０は、被覆部材３０の枠体Ｙが基体１４の凹部Ｘ１と組み合わせられることで基体１４の凹部Ｘ１よりも大きな凹部Ｘ２（凹部Ｘ２は基体１４の凹部Ｘ１を含む。）が形成されるよう設けられる。その他の点は実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と同じであるため説明を省略する。
［実施形態７に係る発光装置７００の製造方法］
実施形態７に係る発光装置７００の製造方法は、（１）前述した第２工程において複数の基板１２を一単位として基板集合体Ｌ１を個片化することにより複数の基板１２が連結してなる部材（以下、「基板連結体」という。）を得る点、（２）前述した第４工程において、基板集合体Ｌ１の個片化により得られた個々の基板連結体の全側面をそれぞれ被覆部材３０で覆う点、（３）前述した第７工程において基板連結体と基板連結体との間に設けられている被覆部材３０を切断することにより複合基板集合体Ｌ２を個片化することにより複数の発光装置７００を得る点で、実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と相違する。その他の点は実施形態１に係る発光装置１００の製造方法と同じであるため説明を省略する。なお、実施形態７に係る発光装置７００のところで説明したとおり、個々の発光装置７００は複数の基板１２（１４）と複数の発光素子３４を有している。
以上、実施形態について説明したが、これらの説明は、一例に関するものであり、特許請求の範囲に記載された構成を何ら限定するものではない。
１、２、３、４、５、６、７ 複合基板
１２ 基板
１４ 基体
１６ スルーホール（ビア）
１８ 第１配線
２０ 第１配線の第１領域
２２ 第１配線の第２領域
２４ 第２配線
２６ 第２配線の第１領域
２８ 第２配線の第２領域
３０ 被覆部材
３２ 延伸部
３４ 発光素子
３６ 封止部材
４０ シート
５０ 被覆部材とは異なる材料
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００ 発光装置
Ｌ１ 基板集合体
Ｌ２ 複合基板集合体
Ｘ 凹部
Ｘ１ 第１凹部
Ｘ２ 第２凹部
Ｙ 枠体

Claims (7)

  1. 基板と被覆部材とを備え、
    前記基板は、
    セラミックからなる基体と、
    前記基体の上面に設けられた第１配線と、
    前記基体の下面に設けられ、前記第１配線に電気的に接続される第２配線と、
    前記第２配線に電気的に接続され、前記第２配線の下面から前記被覆部材の下面へと延伸する導電部材と、を有し、
    前記被覆部材は前記第１配線及び前記第２配線が露出するよう少なくとも前記基体の一つの側面を被覆する複合基板。
  2. 前記被覆部材は前記基体の上面を被覆する請求項１に記載の複合基板。
  3. 請求項１または２に記載の複合基板と、
    前記第１配線に実装された少なくとも１つの発光素子と、
    を備えた発光装置。
  4. 前記発光素子を封止する封止部材を備えた請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記封止部材はレンズ形状である請求項４に記載の発光装置。
  6. セラミックからなる基体と前記基体の上面及び下面に第１配線及び第２配線を有する基板集合体を準備する工程と、
    前記基体を切断することにより前記基板集合体を個片化し複数の基板とする工程と、
    前記複数の基板をシート上に所定の間隔をあけて載置するとともに粘着剤を用いて前記シートに接着する工程と、
    前記複数の基板の上面側において各第１配線が露出するよう前記シート上に被覆部材を設けて前記複数の基板を一体化する工程と、
    前記一体化された複数の基板から前記シートを除去して前記複数の基板の下面側において各第２配線を露出させ複合基板集合体とする工程と、
    前記複合基板集合体の上面側における各第１配線に発光素子をそれぞれ実装する工程と、
    前記被覆部材を切断することにより前記複合基板集合体を個片化し複数の発光装置とする工程と、
    を有する発光装置の製造方法。
  7. 前記複合基板集合体を個片化する前に前記複合基板集合体上の各発光素子を封止部材でそれぞれ封止する請求項６に記載の発光装置の製造方法。
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