CN107541203A - 金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法 - Google Patents
金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107541203A CN107541203A CN201610478181.8A CN201610478181A CN107541203A CN 107541203 A CN107541203 A CN 107541203A CN 201610478181 A CN201610478181 A CN 201610478181A CN 107541203 A CN107541203 A CN 107541203A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- silica
- metal oxide
- parcel
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
- C09K11/664—Halogenides
- C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
- C09K11/701—Chalcogenides
- C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
- Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
- Y10S977/815—Group III-V based compounds, e.g. AlaGabIncNxPyAsz
- Y10S977/818—III-P based compounds, e.g. AlxGayIn2P
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
- Y10S977/824—Group II-VI nonoxide compounds, e.g. CdxMnyTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
- Y10S977/825—Heterojunction formed between semiconductor materials that differ in that they belong to different periodic table groups
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
- Y10S977/892—Liquid phase deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
- Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
- Y10S977/95—Electromagnetic energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法。金属氧化物/二氧化硅包括三氧化二铝/二氧化硅、二氧化锆/二氧化硅或二氧化钛/二氧化硅,金属氧化物/二氧化硅在金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点中含量为1‑98wt%;金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点由溶胶‑凝胶反应法或热解反应法制备得到。与现有技术相比,本发明制备过程简单,无需使用催化剂以及对量子点进行配体交换,避免了制备过程中对量子点的损伤。与未包覆或包裹的量子点相比,本发明制备的金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点,由于存在金属氧化物/二氧化硅的双重保护层,能够有效阻挡水气、氧气对量子点的侵蚀,其光稳定性显著提高。
Description
技术领域
本发明属于半导体纳米材料(量子点)制备技术领域,尤其是涉及一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法。
背景技术
量子点从上世纪80年代发现以来,由于其优异的光电性能引起了科研界和工业界广泛的兴趣。与传统荧光材料相比,量子点的荧光具有半峰宽窄、颗粒小无散射损失和光谱随尺寸可调等优点,被广泛认为将在显示、照明和生物荧光标记等领域有重大应用前景。各国都投入了大量的人力和物力进行量子点材料的研究,使量子点的光电性能得到不断的提升,相关应用的原型器件也陆续出现。其中量子点作为荧光材料应用于显示被认为可能是量子点最先实现突破的应用领域。2014年以来,三星电子、LG、TCL推出多款量子点电视机,显示出明显的增速。在量子点作为显示技术、LED等应用方面,多家机构均表达出较乐观的态度。但是量子点作为一种优越的荧光材料真正走向应用,成为一种新型材料造福于人类,仍然存在许多基础科学问题未能得到解决,其中“量子点的稳定性问题”一直困扰着很多科学家,成为制约量子点领域发展的瓶颈之一。量子点在其它应用领域,如太阳能电池、生物标记以及环境污染冶理等方面,其稳定性也是很大的挑战。
现阶段,提高量子点稳定性主要有以下3种方法:(1)制备核壳结构的量子点以提高其稳定性,但仅仅通过增加壳层的厚度的方法,提高量子点稳定性的效果有限。(2)利用二氧化硅或者高分子包覆等方法来增强量子点的稳定性,但这些方法普遍存在不足,在包覆过程中,损害量子点的表面,往往造成量子点荧光效率降低。(3)制备钝化元素掺杂的量子点,可以在一定范围内提高量子点的稳定性。因此,提高量子点的稳定性是一个亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点,所述的金属氧化物/二氧化硅包括三氧化二铝/二氧化硅、二氧化锆/二氧化硅或二氧化钛/二氧化硅,所述的金属氧化物/二氧化硅在金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点中含量为1-98wt%,优选为10-98wt%。
所述的量子点为非核壳结构量子点,或核壳结构量子点。
所述的非核壳结构量子点包括二元结构量子点、三元结构量子点、四元结构量子点、含有掺杂元素的二元结构量子点、含有掺杂元素的三元结构量子点或含有掺杂元素的四元结构量子点;
所述的二元结构量子点为AX1,A为铋、镉、锌、汞、铅、锡、镓、铟、钙、锶、铯、镁、钡或铜,X1为硫、硒、氮、磷、砷、碲或锑;
所述的三元结构量子点为A1A2X2,其中A1与A2分别为甲氨基、铋、铯、镉、锌、汞、铅、锡、镓、铟、钙、镁、锶、钡或铜中的一种,且A1与A2不同,X2为硫、硒、氮、磷、砷、碲、氯、溴、碘或锑;
所述的四元结构量子点为A1A2A3X3,其中A1、A2、A3分别为镉、锌、汞、铅、锡、镓、铟、钙、铯、镁、锶、钡或铜中的一种,且A1、A2、A3各不同,X3为硫、硒、磷、砷、碲或锑;
所述的掺杂元素包括镁、钙、钡、锶、铝、硼、锆、铬、钛、银、镓、铪、铟、铋、钴、铜、锰、镍、铁、钽或硅等。
所述的核壳结构量子点包括普通核壳结构量子点以及含有掺杂元素的核壳结构量子点;
所述的普通核壳结构量子点,包括核量子点与壳层材料,所述的核量子点为非核壳结构量子点,包括二元结构量子点、三元结构量子点或四元结构量子点,壳层材料以Ⅱ-Ⅵ、Ⅱ-Ⅴ、Ⅲ-Ⅵ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅳ-Ⅵ、Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族半导体材料为主体,包括硒化镉、硒化锌、硒化汞、硫化镉、硫化锌、硫化汞、碲化镉、碲化锌、碲化镉、氮化镓、氮化铟、磷化镓、锑化镓、铟镓磷、锌镉硒或镉锌硫;
所述含有掺杂元素的核壳结构量子点,掺杂元素位于核量子点或壳层材料或同时位于核量子点与壳层材料中,掺杂元素包括镁、钙、钡、锶、铝、硼、锆、铬、钛、银、镓、铪、铟、铋、钴、铜、锰、镍、铁、钽或硅等。
如上述金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点的制备方法,所述的金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点由以下两种方法中任一种方法制备得到:
溶胶-凝胶反应法:
(1)将量子点溶液、硅烷化试剂、金属氧化物对应金属的前驱体加入反应容器,混合均匀;
(2)静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)对反应产物进行煅烧,得到金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点;
热解反应法:
(1)将量子点溶液、硅烷化试剂、金属氧化物对应金属的前驱体加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,对反应产物进行煅烧,得到金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点。
优选地,所述的硅烷化试剂优选正硅酸甲酯或正硅酸乙酯。
优选地,所述的金属氧化物对应金属的前驱体为铝前驱体、锆前驱体或钛前驱体,所述的铝前驱体优选异丙醇铝、仲丁醇铝、乙酰丙酮铝或三叔丁氧基氢化铝锂;所述的锆前驱体优选丙醇锆、正丁醇锆或乙酰丙酮锆;所述的钛前驱体优选钛酸四异丙酯。
优选地,对于溶胶-凝胶反应法与热解反应法均适用的,采用双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐同时作为硅烷化试剂与铝前驱体使用。
对于溶胶-凝胶反应法,进行溶胶-凝胶反应的条件是:控制温度为15-90℃,相对湿度为30%-95%;对反应产物进行煅烧的温度为50-150℃。
对于热解反应法,进行热解反应的条件是:控制温度为160-220℃,时间为6h-24h;对反应产物进行煅烧的温度为50-150℃。
本发明的方法除了能够包覆或包裹量子点外,也适合于包括普通荧光粉等其他类型的微纳材料的包覆或包裹。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
1、本发明制备过程简单,无需使用催化剂以及对量子点进行配体交换,避免了制备过程中对量子点的损伤。
2、与未包覆或包裹的量子点相比,本发明制备的三氧化二铝/二氧化硅、二氧化锆/二氧化硅、二氧化钛/二氧化硅包覆或包裹的量子点,由于存在三氧化二铝/二氧化硅、二氧化锆/二氧化硅、二氧化钛/二氧化硅的双重保护层,能够有效阻挡水气、氧气对量子点的侵蚀,其光稳定性显著提高。
附图说明
图1为三氧化二铝/二氧化硅包覆的CdSe/CdS量子点TEM照片;
图2为三氧化二铝/二氧化硅包覆的水相CdTe/CdS量子点粉末照片;
图3为二氧化锆/二氧化硅包覆的CdSe/CdS量子点粉末照片;
图4为三氧化二铝/二氧化硅包覆的CsPbBr3量子点粉末照片;
图5为蓝光照射下三氧化二铝/二氧化硅包覆的CsPbBr3量子点粉末照片;
图6为三氧化二铝/二氧化硅包覆的CdSe/CdS/ZnS光衰减图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
三氧化二铝/二氧化硅包覆硒化镉(CdSe)/硫化镉(CdS)核壳结构量子点的制备
a.(1)将30mg CdSe/CdS量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为25℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
b.(1)将30mg CdSe/CdS量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol异丙醇铝加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为40℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
c.(1)将30mg CdSe/CdS量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
d.(1)将30mg CdSe/CdS量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol异丙醇铝加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
e.(1)将30mg CdSe/CdS量子点溶液、110微升正硅酸乙酯、150双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为15-100℃,相对湿度为30%-95%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为50-150℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
f.(1)将量30mg CdSe/CdS量子点溶液、110微升正硅酸乙酯、150双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为160-220℃,时间为6h-24h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为50-150℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
本实施例a、b、c、d、e、f六种方法制得的三氧化二铝/二氧化硅包覆的CdSe/CdS量子点TEM照片如图1所示,从图1可以看出,CdSe/CdS在三氧化二铝/二氧化硅包覆的CdSe/CdS中的是颗粒形貌分布均匀。
实施例2
三氧化二铝/二氧化硅包覆水相碲化镉(CdTe)/硫化镉(CdS)核壳结构量子点的制备
a.(1)将30mg水相碲化镉(CdTe)/硫化镉(CdS)量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为25℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
b.(1)将30mg水相CdTe/CdS量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol异丙醇铝加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为40℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
c.(1)将30mg水相CdTe/CdS量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
d.(1)将30mg水相CdTe/CdS量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol异丙醇铝加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
e.(1)将30mg水相CdTe/CdS量子点溶液、110微升正硅酸乙酯、150双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为15-100℃,相对湿度为30%-95%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为50-150℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
f.(1)将量30mg CdTe/CdS水相量子点溶液、110微升正硅酸乙酯、150双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为160-220℃,时间为6h-24h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为50-150℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
本实施例a、b、c、d、e、f六种方法制得的三氧化二铝/二氧化硅包覆的水相CdTe/CdS量子点为均匀的粉末状态,颜色呈橘红色(虽然附图2由于灰度照片的原因看不出橘红色)。
实施例3
二氧化锆/二氧化硅包覆硒化镉(CdSe)/硫化镉(CdS)核壳结构量子点的制备
a.(1)将30mg CdSe/CdS量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol丙醇锆加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为40℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
b.(1)将30mg量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol丙醇锆加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
本实施例a、b两种方法制得的二氧化锆/二氧化硅包覆的CdSe/CdS量子点粉末照片如图3所示,为均匀的粉末状态,颜色呈橘红色(虽然附图3由于灰度照片的原因看不出橘红色)。
实施例4
三氧化二铝/二氧化硅包覆硒化镉(CdSe)/硫化镉(CdS)/硫化锌(ZnS)核壳结构量子点的制备
a.(1)将30mg CdSe/CdS/ZnS量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为25℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
b.(1)将30mg CdSe/CdS/ZnS量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol异丙醇铝加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为40℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
c.(1)将30mgCdSe/CdS/ZnS量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
d.(1)将30mgCdSe/CdS/ZnS量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol异丙醇铝加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
实施例5
三氧化二铝/二氧化硅包覆硒钙钛矿量子点(CsPbBr3)的制备
a.(1)将30mg CsPbBr3量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为25℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为50℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
b.(1)将30mg CsPbBr3量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、150微升仲丁醇铝溶液加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为25℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为50℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
本实施例a、b两种方法制得的三氧化二铝/二氧化硅包覆的CsPbBr3量子点粉末照片如图4所示,为均匀的粉末状态,颜色呈黄色(虽然附图4由于灰度照片的原因看不出黄色)。
对本实施例a、b两种方法制得的三氧化二铝/二氧化硅包覆的CsPbBr3量子点粉末采用蓝光照射,如图5所示,在蓝光照射下三氧化二铝/二氧化硅包覆的CsPbBr3量子点粉末呈绿色(虽然附图5由于灰度照片的原因看不出绿色)。
实施例6
三氧化二铝/二氧化硅包覆硒化镉(CdSe)/硫化镉(CdS):铝(Al)核壳结构量子点的制备
a.(1)将30mg CdSe/CdS:Al量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为25℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
b.(1)将30mg CdSe/CdS:Al量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol异丙醇铝加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为40℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
c.(1)将30mg CdSe/CdS:Al量子点溶液、150微升双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐溶液加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气。
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
d.(1)将30mg CdSe/CdS:Al量子点溶液、220微升正硅酸乙酯、0.4mmol异丙醇铝加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
实施例7
二氧化锆/二氧化硅包覆硒化镉(CdSe)/硫化镉(CdS)核壳结构量子点的制备
a.(1)将30mg CdSe/CdS量子点溶液、100微升正硅酸甲酯、150微升钛酸四异丙酯溶液加入反应容器,混合均匀;
(2)控制温度为25℃,相对湿度为60%;静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
b.(1)将30mgCdSe/CdS量子点溶液、100微升正硅酸甲酯、150微升钛酸四异丙酯溶液加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)控制温度为200℃,时间为12h;进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,并在温度为100℃的条件下,对反应产物进行煅烧。
实施例8
对实施例4制得的三氧化二铝/二氧化硅包覆CdSe/CdS/ZnS量子点进行光稳定性测试
在相同含量的CdSe/CdS/ZnS量子点溶液、三氧化二铝/二氧化硅包覆的CdSe/CdS/ZnS量子点中,分别加入等量的硅胶,室温下抽真空1小时。然后滴胶于LED蓝光芯片上,紫外灯固化。在一定的电流以及电压进行老化测试(功率密度5w/cm2),一定的时间间隔内测试其荧光强度,以此荧光峰强度与初始荧光峰强度之比做出强度-时间衰减曲线。图6所示为三氧化二铝/二氧化硅包覆的CdSe/CdS/ZnS的光衰减图。由图可知,与未包覆的CdSe/CdS/ZnS量子点相比,三氧化二铝/二氧化硅包覆的CdSe/CdS/ZnS光稳定性显著提高。
上述的对实施例的描述是为便于该技术领域的普通技术人员能理解和使用发明。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改,并把在此说明的一般原理应用到其他实施例中以及其它发光材料领域(荧光粉),而不必经过创造性的劳动。因此,本发明不限于上述实施例以及上述发光材料,本领域技术人员根据本发明的揭示,不脱离本发明范畴所做出的改进和修改都应该在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点,其特征在于,所述的金属氧化物/二氧化硅包括三氧化二铝/二氧化硅、二氧化锆/二氧化硅或二氧化钛/二氧化硅,所述的金属氧化物/二氧化硅在金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点中含量为1-98wt%。
2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点,其特征在于,所述的量子点为非核壳结构量子点,或核壳结构量子点。
3.根据权利要求2所述的一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点,其特征在于,所述的非核壳结构量子点包括二元结构量子点、三元结构量子点、四元结构量子点、含有掺杂元素的二元结构量子点、含有掺杂元素的三元结构量子点或含有掺杂元素的四元结构量子点;
所述的二元结构量子点为AX1,A为铋、镉、锌、汞、铅、锡、镓、铟、钙、锶、铯、镁、钡或铜,X1为硫、硒、氮、磷、砷、碲或锑;
所述的三元结构量子点为A1A2X2,其中A1与A2分别为甲氨基、铋、铯、镉、锌、汞、铅、锡、镓、铟、钙、镁、锶、钡或铜中的一种,且A1与A2不同,X2为硫、硒、氮、磷、砷、碲、氯、溴、碘或锑;
所述的四元结构量子点为A1A2A3X3,其中A1、A2、A3分别为镉、锌、汞、铅、锡、镓、铟、钙、铯、镁、锶、钡或铜中的一种,且A1、A2、A3各不同,X3为硫、硒、磷、砷、碲或锑;
所述的掺杂元素包括镁、钙、钡、锶、铝、硼、锆、铬、钛、银、镓、铪、铟、铋、钴、铜、锰、镍、铁、钽或硅。
4.根据权利要求3所述的一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点,其特征在于,所述的核壳结构量子点包括普通核壳结构量子点以及含有掺杂元素的核壳结构量子点;
所述的普通核壳结构量子点,包括核量子点与壳层材料,所述的核量子点为非核壳结构量子点,包括二元结构量子点、三元结构量子点或四元结构量子点,壳层材料以Ⅱ-Ⅵ、Ⅱ-Ⅴ、Ⅲ-Ⅵ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅳ-Ⅵ、Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族半导体材料为主体,包括硒化镉、硒化锌、硒化汞、硫化镉、硫化锌、硫化汞、碲化镉、碲化锌、碲化镉、氮化镓、氮化铟、磷化镓、锑化镓、铟镓磷、锌镉硒或镉锌硫;
所述含有掺杂元素的核壳结构量子点,掺杂元素位于核量子点或壳层材料或同时位于核量子点与壳层材料中,掺杂元素包括镁、钙、钡、锶、铝、硼、锆、铬、钛、银、镓、铪、铟、铋、钴、铜、锰、镍、铁、钽或硅。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述的金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点的制备方法,其特征在于,所述的金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点由以下两种方法中任一种方法制备得到:
溶胶-凝胶反应法:
(1)将量子点溶液、硅烷化试剂、金属氧化物对应金属的前驱体加入反应容器,混合均匀;
(2)静置进行溶胶-凝胶反应;
(3)对反应产物进行煅烧,得到金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点;
热解反应法:
(1)将量子点溶液、硅烷化试剂、金属氧化物对应金属的前驱体加入高压反应釜中,通入氮气去除氧气;
(2)进行热解反应;
(3)反应结束后,进行离心,除去未反应的量子点溶液,对反应产物进行煅烧,得到金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点。
6.根据权利要求5所述的一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点的制备方法,其特征在于,所述的硅烷化试剂选自正硅酸甲酯或正硅酸乙酯。
7.根据权利要求5所述的一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点的制备方法,其特征在于,所述的金属氧化物对应金属的前驱体为铝前驱体、锆前驱体或钛前驱体,
所述的铝前驱体选自异丙醇铝、仲丁醇铝、乙酰丙酮铝或三叔丁氧基氢化铝锂;
所述的锆前驱体选自丙醇锆、正丁醇锆或乙酰丙酮锆;
所述的钛前驱体优选钛酸四异丙酯。
8.根据权利要求7所述的一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点的制备方法,其特征在于,采用双(仲丁醇)三乙基正硅酸铝盐同时作为硅烷化试剂与铝前驱体使用。
9.根据权利要求5所述的一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点的制备方法,其特征在于,对于溶胶-凝胶反应法,进行溶胶-凝胶反应的条件是:控制温度为15-90℃,相对湿度为30%-95%,对反应产物进行煅烧的温度为50-150℃。
10.根据权利要求5所述的一种金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点的制备方法,其特征在于,对于热解反应法,进行热解反应的条件是:控制温度为160-220℃,时间为6h-24h,对反应产物进行煅烧的温度为50-150℃。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610478181.8A CN107541203B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法 |
PCT/CN2016/107168 WO2018000704A1 (zh) | 2016-06-27 | 2016-11-25 | 一种金属氧化物/二氧化硅包覆的量子点及其制备方法 |
US15/996,510 US10696900B2 (en) | 2016-06-27 | 2018-06-03 | Metal oxide/silicon dioxide-coated quantum dot and method for preparing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610478181.8A CN107541203B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107541203A true CN107541203A (zh) | 2018-01-05 |
CN107541203B CN107541203B (zh) | 2020-04-10 |
Family
ID=60785864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610478181.8A Active CN107541203B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10696900B2 (zh) |
CN (1) | CN107541203B (zh) |
WO (1) | WO2018000704A1 (zh) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108681140A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板及其制造方法 |
CN109321252A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-02-12 | 李良 | 一种稳定的量子点及其制备方法 |
CN109762553A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-17 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种聚硅氧烷包覆的量子点及其制备方法 |
CN109796975A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-24 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种二氧化硅和氧化铝两层包覆量子点及其制备方法及量子点薄膜的制备方法 |
CN109825282A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-05-31 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种量子点复合物及其制备方法和用途 |
CN109844062A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点结构及其制作方法、光学薄膜及其制作方法和显示装置 |
CN110055062A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-26 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种二氧化硅/氧化铝包覆量子点及其制备方法及量子点薄膜的制备方法 |
CN110079313A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-08-02 | 济南大学 | 一种大尺寸、球形CsPbBr3/SiO2发光体的制备方法 |
CN110616068A (zh) * | 2018-06-20 | 2019-12-27 | Tcl集团股份有限公司 | 粒子及其制备方法 |
CN111748348A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-09 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点复合物及其制备方法、发光器件 |
CN111978946A (zh) * | 2019-05-21 | 2020-11-24 | 隆达电子股份有限公司 | 波长转换物质及发光装置 |
CN112750937A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 隆达电子股份有限公司 | 波长转换物质以及发光装置 |
CN114836194A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-08-02 | 湖北文理学院 | 一种二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉及其制备方法与应用 |
US11746286B2 (en) | 2018-07-12 | 2023-09-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Core-shell type quantum dot, preparation method and use thereof |
CN116960257A (zh) * | 2023-08-09 | 2023-10-27 | 兰州城市学院 | 一种基于金属氧化物包覆钙钛矿量子点的白光led器件及其制备方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3275967A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots and devices including the same |
GB201811538D0 (en) | 2018-07-13 | 2018-08-29 | Univ Oxford Innovation Ltd | Stabilised a/m/x materials |
CN112920792A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-06-08 | 山东量光新材料科技有限公司 | 一种提高钙钛矿量子点荧光粉水氧稳定性的方法 |
CN114455882B (zh) * | 2022-01-05 | 2022-12-16 | 江苏奥莱特新材料股份有限公司 | 一种多功能混凝土用纳米复合材料的制备方法及其应用 |
CN116515489B (zh) * | 2023-04-18 | 2024-04-26 | 浙江工业大学 | 一种用于对醇中痕量水颜色识别可视化快速检测的双色比率荧光探针及其应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102531580A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-07-04 | 同济大学 | 一种利用铝硅复合氧化物包覆纳米钛酸锶钡介质储能材料及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2518127B1 (en) * | 2009-12-25 | 2018-07-18 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Biosubstance labelling agent |
CN103421513B (zh) * | 2013-08-16 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种白光量子点复合颗粒及其制备方法 |
US11142683B2 (en) * | 2014-09-17 | 2021-10-12 | Koninklijke Philips N.V. | Phosphor with hybrid coating and method of production |
CN105086993A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-11-25 | 天津市中环量子科技有限公司 | 一种荧光量子点微纳米级封装的复合材料结构 |
CN105664714B (zh) * | 2016-03-30 | 2019-09-03 | 上海交通大学 | 一种量子点光催化柔性薄膜及其制备方法和应用 |
-
2016
- 2016-06-27 CN CN201610478181.8A patent/CN107541203B/zh active Active
- 2016-11-25 WO PCT/CN2016/107168 patent/WO2018000704A1/zh active Application Filing
-
2018
- 2018-06-03 US US15/996,510 patent/US10696900B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102531580A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-07-04 | 同济大学 | 一种利用铝硅复合氧化物包覆纳米钛酸锶钡介质储能材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
HUANG SHOUQIANG等: "Enhancing the Stability of CH3NH3PbBr3 Quantum Dots by Embedding in Silica Spheres Derived from Tetramethyl Orthosilicate in "Waterless" Toluene", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 * |
LI ZHICHUN等: "General Method for the Synthesis of Ultrastable Core/Shell Quantum Dots by Aluminum Doping", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 * |
SEO MYUNG-GI等: "Core-shell structured, nano-Pd-embedded SiO2-Al2O3 catalyst (Pd@SiO2-Al2O3) for direct hydrogen peroxide synthesis from hydrogen and oxygen", 《APPLIED CATALYSIS A-GENERAL》 * |
薛茹君,吴玉程著: "《无机纳米材料的表面修饰改性与物性研究》", 31 October 2009 * |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108681140A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板及其制造方法 |
CN109321252B (zh) * | 2018-06-19 | 2021-08-31 | 李良 | 一种稳定的量子点及其制备方法 |
CN109321252A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-02-12 | 李良 | 一种稳定的量子点及其制备方法 |
CN110616068A (zh) * | 2018-06-20 | 2019-12-27 | Tcl集团股份有限公司 | 粒子及其制备方法 |
US11746286B2 (en) | 2018-07-12 | 2023-09-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Core-shell type quantum dot, preparation method and use thereof |
CN109844062A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点结构及其制作方法、光学薄膜及其制作方法和显示装置 |
CN109762553A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-17 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种聚硅氧烷包覆的量子点及其制备方法 |
CN109762553B (zh) * | 2019-01-23 | 2022-03-29 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种聚硅氧烷包覆的量子点及其制备方法 |
CN109796975A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-24 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种二氧化硅和氧化铝两层包覆量子点及其制备方法及量子点薄膜的制备方法 |
CN110055062A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-26 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种二氧化硅/氧化铝包覆量子点及其制备方法及量子点薄膜的制备方法 |
CN109825282A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-05-31 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种量子点复合物及其制备方法和用途 |
CN110079313A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-08-02 | 济南大学 | 一种大尺寸、球形CsPbBr3/SiO2发光体的制备方法 |
CN111978946A (zh) * | 2019-05-21 | 2020-11-24 | 隆达电子股份有限公司 | 波长转换物质及发光装置 |
US11355675B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-06-07 | Lextar Electronics Corporation | Wavelength converting material, and light emitting device |
CN111978946B (zh) * | 2019-05-21 | 2024-04-16 | 隆达电子股份有限公司 | 波长转换物质及发光装置 |
US11245056B2 (en) | 2019-10-29 | 2022-02-08 | Lextar Electronics Corporation | Wavelength converting material and light emitting device |
CN112750937A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 隆达电子股份有限公司 | 波长转换物质以及发光装置 |
CN111748348B (zh) * | 2020-06-24 | 2023-01-17 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点复合物及其制备方法、发光器件 |
CN111748348A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-09 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点复合物及其制备方法、发光器件 |
CN114836194A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-08-02 | 湖北文理学院 | 一种二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉及其制备方法与应用 |
CN114836194B (zh) * | 2022-03-02 | 2023-10-03 | 湖北文理学院 | 一种二氧化硅包覆的双钙钛矿荧光粉及其制备方法与应用 |
CN116960257A (zh) * | 2023-08-09 | 2023-10-27 | 兰州城市学院 | 一种基于金属氧化物包覆钙钛矿量子点的白光led器件及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018000704A1 (zh) | 2018-01-04 |
US20180273839A1 (en) | 2018-09-27 |
CN107541203B (zh) | 2020-04-10 |
US10696900B2 (en) | 2020-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107541203A (zh) | 金属氧化物/二氧化硅包覆或包裹的量子点及其制备方法 | |
CN105670631B (zh) | 一种自钝化量子点及其制备方法 | |
TWI711684B (zh) | 具有混合塗層之磷光體及其製造方法 | |
Aboulaich et al. | Ce-doped YAG nanophosphor and red emitting CuInS2/ZnS core/shell quantum dots for warm white light-emitting diode with high color rendering index | |
JP5881045B2 (ja) | 量子ドット含有チタン化合物及びその製造方法、並びに該量子ドット含有チタン化合物を用いた光電変換素子 | |
Liu et al. | A review of stability-enhanced luminescent materials: fabrication and optoelectronic applications | |
CN106816520A (zh) | 波长转换材料及其应用 | |
CN107017325A (zh) | 量子点复合材料及其制造方法与应用 | |
Rubino et al. | Mesoporous matrices as hosts for metal halide perovskite nanocrystals | |
KR20160095187A (ko) | 발광 장치 적용을 위한 성형된 나노입자 형광체 | |
CN101641425A (zh) | 由掺杂石榴石组成用于pcLED的磷光体 | |
CN104629765B (zh) | 一种采用疏水性半导体量子点制备多层荧光薄膜的方法 | |
CN103881720A (zh) | 一种利用核壳包覆制备高掺杂的稀土上转换荧光材料的方法 | |
Kong et al. | Ultrastable, highly luminescent quantum dot composites based on advanced surface manipulation strategy for flexible lighting-emitting | |
Chetia et al. | Enhanced photovoltaic performance utilizing effective charge transfers and light scattering effects by the combination of mesoporous, hollow 3D-ZnO along with 1D-ZnO in CdS quantum dot sensitized solar cells | |
US20200255733A1 (en) | Fused Encapsulation of Quantum Dots | |
CN102723208A (zh) | 一维氧化锌-二氧化钛核壳结构复合纳米线阵列的制备方法 | |
CN108841387A (zh) | 一种量子纳米晶复合物及其制备方法 | |
CN102107178B (zh) | 荧光材料涂布方法及其所制备的基板 | |
TWI398306B (zh) | 螢光材料塗佈方法 | |
Kim et al. | Nanophosphors synthesized by the water-assisted solid-state reaction (WASSR) method: Luminescence properties and reaction mechanism of the WASSR method | |
CN105233837A (zh) | 一种改性铋酸铜光催化剂及其制备方法 | |
JP2017110040A (ja) | コア/シェル型ナノ粒子の製造方法、及び発光体 | |
CN109762561A (zh) | 纳米荧光复合材料的制备方法 | |
CN106544030B (zh) | 一种快速制备水溶性量子点的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |