CN107369690B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括均包含驱动薄膜晶体管和存储电容器的多个像素，其中，每个像素包括：驱动半导体层，包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区；第一电极层，第一电极层的一部分与驱动沟道区叠置；第二电极层，与第一电极层叠置；节点连接线，具有连接到第一电极层的第一侧；像素电极，与第一电极层和第二电极层叠置；屏蔽层，位于第一电极层与像素电极之间，并与第一电极层、节点连接线和像素电极叠置。

Description

显示装置
本申请要求于2016年5月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0057803号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种显示装置。
背景技术
通常，显示装置包括显示元件(或发光元件)和用于控制施加到显示元件的电信号的电子器件。电子器件可以包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和多条布线。
为了准确地控制从显示装置发射的光的量，电连接到显示元件的TFT的数量已经增加。因此，用于向TFT传输电信号的布线的数量也已经增加。
发明内容
根据一个或更多个实施例，显示装置包括均包含驱动薄膜晶体管和存储电容器的多个像素，其中，每个像素包括：驱动半导体层，包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区；第一电极层，第一电极层的一部分与驱动沟道区叠置；第二电极层，位于第一电极层的上方，第二电极层与第一电极层叠置；节点连接线，具有连接到第一电极层的一侧；像素电极，位于第二电极层的上方，像素电极与第一电极层叠置；屏蔽层，位于第一电极层与像素电极之间，屏蔽层与第一电极层、节点连接线和像素电极叠置。
恒定电压可以施加到屏蔽层。
驱动电压可以施加到屏蔽层。
每个像素还可以包括位于屏蔽层下方和第二电极层上方并供应驱动电压的下驱动电压线。
显示装置还可以包括位于下驱动电压线与屏蔽层之间的绝缘层，下驱动电压线经由绝缘层中限定的接触孔连接到屏蔽层。
节点连接线可以位于第二电极层与屏蔽层之间。
屏蔽层可以完全覆盖节点连接线。
第一电极层可以包括岛型电极层。
像素还可以包括：开关薄膜晶体管，连接到扫描线和数据线；补偿薄膜晶体管，通过扫描线的扫描信号而被导通并二极管连接驱动薄膜晶体管，节点连接线包括连接到补偿薄膜晶体管的另一侧。
像素还可以包括：补偿半导体层，包括补偿沟道区、补偿源区和补偿漏区；补偿栅电极，与补偿沟道区叠置，补偿源区和补偿漏区中的一个电连接到驱动源区和驱动漏区中的一个。
补偿栅电极可以包括位于补偿半导体层上方的第一补偿栅电极和第二补偿栅电极，第一补偿栅电极和第二补偿栅电极彼此分隔开，屏蔽层可以覆盖补偿半导体层的暴露在第一补偿栅电极和第二补偿栅电极之间的一个区域。
屏蔽层可以与补偿源区和补偿漏区中的另一个叠置。
补偿源区和补偿漏区中的所述一个可以不与屏蔽层叠置。
补偿源区和补偿漏区中的另一个可以电连接到第一电极层。
每个像素还可以包括分别连接到扫描线和数据线的开关栅电极和开关半导体层，其中，屏蔽层可以位于第一电极层、第二电极层和数据线的上方并且至少一个绝缘层设置在屏蔽层与第一电极层、第二电极层和数据线之间。
根据实施例的显示装置可以通过减小截止电流来防止寄生电容的发生并提供高质量的图像。如本领域普通技术人员所理解的，发明构思的范围不受该效果的限制。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和/或其他特征将变得更加清楚，在附图中：
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图；
图2是根据本发明构思的示例性实施例的图1的显示装置的像素的等效电路图；
图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图2的像素的存储电容器、像素电极和多个薄膜晶体管的位置的布局；
图4、图5、图6、图7、图8和图9是对于每层示出根据本发明构思的示例性实施例的图3示出的诸如存储电容器、像素电极和多个薄膜晶体管的元件的布局；
图10是根据本发明构思的示例性实施例的沿图3的线A-A和线B-B截取的像素的剖视图；
图11示出根据对比例和本发明构思的示例性实施例的驱动电流的曲线图。
具体实施方式
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置包括基底110。基底110包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域PA。例如，外围区域PA可以围绕显示区域DA。
包括诸如有机发光二极管(OLED)的各种显示元件的像素PX可以位于显示区域DA中。用于传输将要施加到显示区域DA的电信号的各种布线可以位于外围区域PA中。在下文中，为了便于描述，描述了包括作为显示元件的OLED的显示装置。然而，本发明构思的示例性实施例不限于此。
图2是根据本发明构思的示例性实施例的图1的显示装置的像素的等效电路图。
参照图2，像素PX包括：信号线121、122、123和171；连接到信号线121、122、123和171的多个薄膜晶体管(TFT)T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7；存储电容器Cst；初始化电压线124；驱动电压线172；OLED。
尽管图2示出了提供到每个像素PX的初始化电压线124、驱动电压线172以及信号线121、122、123和171，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，信号线121、122、123和171中的至少一条和/或初始化电压线124可以在相邻像素之间共用。
TFT可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线包括用于传输扫描信号Sn的扫描线121、用于将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7的前一扫描线122、用于将发射控制信号En传输到操作控制TFT T5和发射控制TFT T6的发射控制线123以及与扫描线121交叉并用于传输数据信号Dm的数据线171。驱动电压线172将驱动电压ELVDD传输到驱动TFT T1，初始化电压线124传输用于使驱动TFT T1和OLED的像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一存储板Cst1，驱动TFTT1的驱动源电极S1通过操作控制TFT T5连接到驱动电压线172，驱动TFT T1的驱动漏电极D1通过发射控制TFT T6电连接到OLED的像素电极。驱动TFT T1响应于开关TFT T2的开关操作而接收数据信号Dm，并且向OLED供应驱动电流IOLED。
开关TFT T2的开关栅电极G2连接到扫描线121，开关TFT T2的开关源电极S2连接到数据线171，开关TFT T2的开关漏电极D2连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1并且通过操作控制TFT T5连接到驱动电压线172。开关TFT T2响应于经由扫描线121传输的扫描信号Sn而被导通，并且执行开关操作以将经由数据线171传输的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的驱动源电极S1。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3连接到扫描线121，补偿TFT T3的补偿源电极S3连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1并且通过发射控制TFT T6连接到OLED的像素电极，补偿TFTT3的补偿漏电极D3与存储电容器Cst的第一存储板Cst1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1连接。补偿TFT T3响应于经由扫描线121传输的扫描信号Sn而被导通，并且通过将驱动TFT T1的驱动栅电极G1电连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1来二极管连接驱动TFT T1。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线122，第一初始化TFTT4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线124，第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4与存储电容器Cst的第一存储板Cst1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1连接。第一初始化TFT T4响应于经由前一扫描线122传输的前一扫描信号Sn-1而被导通，并且通过将初始化电压Vint传输到驱动TFT T1的驱动栅电极G1来执行使驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制TFT T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线123，操作控制TFT T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线172，操作控制TFT T5的操作控制漏电极D5连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线123，发射控制TFT T6的发射控制源电极S6连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3，发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和OLED的像素电极。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6响应于经由发射控制线123传输的发射控制信号En而同时被导通，使驱动电压ELVDD施加到驱动TFT T1并且使驱动电流IOLED流过OLED。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线122，第二初始化TFTT7的第二初始化源电极S7连接到发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6和OLED的像素电极，第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线124。第二初始化TFT T7响应于经由前一扫描线122传输的前一扫描信号Sn-1而被导通，并且使OLED的像素电极初始化。
尽管图2示出了第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到前一扫描线122，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第一初始化TFT T4可以连接到前一扫描线122并响应于前一扫描信号Sn-1而被驱动，第二初始化TFT T7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)并响应于经由单独的信号线传输的信号(例如，下一扫描信号)而被驱动。
存储电容器Cst的第二存储板Cst2连接到驱动电压线172，OLED的另一电极连接到共电压ELVSS。因此，OLED可以通过从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED并发光来显示图像。
尽管图2示出了补偿TFT T3和第一初始化TFT T4包括双栅电极，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，补偿TFT T3和第一初始化TFT T4可以包括单一栅电极。另外，在补偿TFT T3和第一初始化TFT T4具有双栅电极的同时，其他TFT T1、T2、T5、T6和T7中的至少一个可以具有双栅电极。应当理解的是，可以进行各种其他修改。例如，在仅补偿TFTT3具有双栅电极的同时，其他TFT T1、T2、T5、T6和T7中的至少一个可以具有双栅电极。
下面描述根据本发明构思的示例性实施例的像素PX中的至少一个的操作。
在初始化时间段期间，当经由前一扫描线122供应前一扫描信号Sn-1时，响应于前一扫描信号Sn-1使第一初始化TFT T4导通，并且通过从初始化电压线124供应的初始化电压Vint使驱动TFT T1初始化。
在数据编程时间段期间，当经由扫描线121供应扫描信号Sn时，响应于扫描信号Sn使开关TFT T2和补偿TFT T3导通。在这种情况下，通过导通的补偿TFT T3，驱动TFT T1是二极管连接的并且是正向偏置的。
然后，将从数据线171供应的数据信号Dm减去驱动TFT T1的阈值电压Vth的补偿电压施加到驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿电压为Dm+Vth，其中Vth为负值。
将驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth施加到存储电容器Cst的两端，与这两端之间的电压差对应的电荷存储在存储电容器Cst中。
在发射时间段期间，响应于从发射控制线123供应的发射控制信号En使操作控制TFT T5和发射控制TFT T6导通。所得到的驱动电流IOLED与驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压和驱动电压ELVDD之间的电压差对应，经由发射控制TFT T6将驱动电流IOLED供应到OLED。
在下文中，参照图3至图11来描述图2中示出的像素的结构。
图3是示出根据本发明构思的示例性实施例的图2的像素的存储电容器、像素电极和多个TFT的位置的布置图。图4至图9是对于每层示出根据本发明构思的示例性实施例的诸如图3示出的存储电容器、像素电极和多个TFT的元件的布置图。图10是根据本发明构思的示例性实施例的沿图3的线A-A和线B-B截取的剖视图。图11是示出根据对比例和本发明构思的示例性实施例的驱动电流IOLED的曲线图。
图4至图9中的每个示出了在同一层中的布线、电极、半导体层等的布置。绝缘层可以位于图4至图9中示出的层之间。例如，第一栅极绝缘层141(参见图10)位于图4中示出的层与图5中示出的层之间，第二栅极绝缘层143(参见图10)位于图5中示出的层与图6中示出的层之间，第一层间绝缘层150(参见图10)位于图6中示出的层与图7中示出的层之间，第二层间绝缘层160(参见图10)位于图7中示出的层与图8中示出的层之间。此外，平坦化绝缘层180(参见图10)位于图8中示出的层与图9中示出的层之间。图4至图9中示出的层可以经由位于上述绝缘层中的至少一些中的接触孔而彼此电连接。
参照图3，像素PX包括在行方向(例如，x方向)上延伸的扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124。扫描信号Sn可以施加到扫描线121，前一扫描信号Sn-1可以施加到前一扫描线122，发射控制信号En可以施加到发射控制线123，初始化电压Vint可以施加到初始化电压线124。另外，像素PX可以包括在与扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124交叉的列方向(例如，y方向)上延伸的数据线171和驱动电压线172。数据信号Dm可以施加到数据线171，驱动电压ELVDD可以施加到驱动电压线172。另外，像素PX包括用于防止或减少寄生电容和截止电流发生的屏蔽层178。另外，像素PX包括TFT T1至T7、存储电容器Cst以及电连接到TFT T1至T7和存储电容器Cst的OLED(参见图10)。为了便于描述，根据基底上的元件(或层)的堆叠顺序进行以下描述。
参照图3、图4和图10，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7的半导体层130a至130g位于同一层中。
半导体层130a至130g在基底110上方位于缓冲层111的上方。基底110可以包括玻璃材料、金属材料或诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)等的塑料材料。缓冲层111可以包括诸如SiOx的氧化物层和/或诸如SiNx的氮化物层。
驱动TFT T1的驱动半导体层130a、开关TFT T2的开关半导体层130b、补偿TFT T3的补偿半导体层130c、第一初始化TFT T4的第一初始化半导体层130d、操作控制TFT T5的操作控制半导体层130e、发射控制TFT T6的发射控制半导体层130f和第二初始化TFT T7的第二初始化半导体层130g可以彼此连接并且以各种形状弯曲。
半导体层130a至130g可以包括多晶硅。半导体层130a至130g可以包括非晶硅或诸如GIZO层[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c层](其中a、b、c是满足条件a≥0、b≥0、c≥0的实数)的氧化物半导体层。为了便于描述，下面描述半导体层130a至130g包括多晶硅的情况。
半导体层130a至130g可以包括沟道区以及位于沟道区的两侧处的源区和漏区。例如，源区和漏区可以掺杂有杂质，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区和漏区分别对应于源电极和漏电极。在下文中，可以使用术语“源区”和“漏区”来代替源电极和漏电极。
驱动半导体层130a包括驱动沟道区131a、位于驱动沟道区131a的两侧处的驱动源区176a和驱动漏区177a。驱动沟道区131a可以比其他沟道区131b至131g长。例如，驱动半导体层130a具有诸如字母“S”或Ω的弯曲多次的形状。这种构造在狭窄空间内部形成长的沟道长度。由于驱动沟道区131a长，所以施加到作为驱动栅电极的第一电极层125a的栅极电压的驱动范围变宽，因此可以更精确地控制从OLED发射的光的灰度，从而可以提高显示质量。
开关半导体层130b包括开关沟道区131b以及位于开关沟道区131b的两侧处的开关源区176b和开关漏区177b。开关漏区177b连接到驱动源区176a。
补偿半导体层130c包括补偿沟道区131c1和131c3以及位于补偿沟道区131c1和131c3的两侧处的补偿源区176c和补偿漏区177c。在补偿半导体层130c中形成的补偿TFTT3是双TFT并且包括两个补偿沟道区131c1和131c3。补偿沟道区131c1和131c3之间的区域131c2是掺杂有杂质的区域，并且与双晶体管中的一个的源区和双晶体管中的另一个的漏区对应。
第一初始化半导体层130d包括第一初始化沟道区131d1和131d3以及位于第一初始化沟道区131d1和131d3的两侧处的第一初始化源区176d和第一初始化漏区177d。形成在第一初始化半导体层130d中的第一初始化TFT T4是双TFT并且包括两个第一初始化沟道区131d1和131d3。第一初始化沟道区131d1和131d3之间的区域131d2是掺杂有杂质的区域，并且与双晶体管中的一个的源区和双晶体管中的另一个的漏区对应。
操作控制半导体层130e包括操作控制沟道区131e以及位于操作控制沟道区131e的两侧处的操作控制源区176e和操作控制漏区177e。操作控制漏区177e可以连接到驱动源区176a。
发射控制半导体层130f包括发射控制沟道区131f以及位于发射控制沟道区131f的两侧处的发射控制源区176f和发射控制漏区177f。发射控制源区176f可以连接到驱动漏区177a。
第二初始化半导体层130g包括第二初始化沟道区131g以及位于第二初始化沟道区131g的两侧处的第二初始化源区176g和第二初始化漏区177g。
第一栅极绝缘层141位于半导体层130a至130g的上方。第一栅极绝缘层141可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第一栅极绝缘层141可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2等。
参照图3、图5、图10，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a位于第一栅极绝缘层141的上方。扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a包括相同的材料。例如，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a可以包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且包括单层或多层。
扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a中的每个的一部分或突出部分对应于TFT T1至T7的栅电极。
例如，扫描线121的与开关沟道区131b以及补偿沟道区131c1和131c3叠置的区域分别对应于开关栅电极125b以及补偿栅电极125c1和125c2。前一扫描线122的与第一初始化沟道区131d1和131d3以及第二初始化沟道区131g叠置的区域分别对应于第一初始化栅电极125d1和125d2以及第二初始化栅电极125g。发射控制线123的与操作控制沟道区131e和发射控制沟道区131f叠置的区域分别对应于操作控制栅电极125e和发射控制栅电极125f。
补偿栅电极125c1和125c2是双栅电极，并且可以防止或减少漏电流的发生。
第一电极层125a的与驱动沟道区131a叠置的部分对应于驱动栅电极G1。第一电极层125a是驱动栅电极G1，并且同时用作存储电容器Cst的第一存储板Cst1。换言之，驱动栅电极G1和存储电容器Cst的第一存储板Cst1是一体的。
第二栅极绝缘层143位于扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a的上方。第二栅极绝缘层143可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，第二栅极绝缘层143可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2等。
参照图3、图6和图10，初始化电压线124、板126和第二电极层127位于第二栅极绝缘层143的上方。初始化电压线124、板126和第二电极层127包括相同的材料。例如，初始化电压线124、板126和第二电极层127可以包括Al、Cu、Ti等，并且包括单层或多层。
初始化电压线124传输用于使驱动TFT T1和像素电极210(参见图10)初始化的初始化电压Vint。初始化电压线124经由初始化连接线173连接到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7。
板126经由如图3中所示的接触孔159电连接到驱动电压线172，可以覆盖开关源区176b，并且覆盖第一初始化漏区177d和/或第一初始化源区176d。板126电连接到被施加有恒定电压的驱动电压线172，并且可以防止开关TFT T2以及第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7受到相邻电信号的影响。换言之，板126可以用作辅助屏蔽层，与屏蔽层一起以增加像素PX的电路的操作特性。这将在后面进一步详细描述。
第二电极层127与第一电极层125a叠置，并且第二栅极绝缘层143设置在第二电极层127与第一电极层125a之间。第二电极层127对应于存储电容器Cst的第二存储板Cst2。
第二电极层127包括暴露第一电极层125a的开口27。节点连接线174的一部分经由开口27电连接到第一电极层125a。
第一层间绝缘层150位于初始化电压线124、板126和第二电极层127的上方。第一层间绝缘层150可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2等。
参照图3、图7和图10，数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175位于第一层间绝缘层150的上方。数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175包括相同的材料。例如，数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且包括包含上述材料的单层或多层。例如，数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175可以包括包含Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线171可以在列方向(例如，y方向)上延伸，并且可以经由穿过第一层间绝缘层150的接触孔154连接到开关TFT T2的开关源区176b。
驱动电压线172在列方向(例如，y方向)上延伸，并且经由第一层间绝缘层150中的接触孔155和158连接到操作控制TFT T5的操作控制源区176e和第二电极层127。驱动电压线172可以经由第一层间绝缘层150中的接触孔159连接到板126。
初始化连接线173将初始化电压线124经由第一层间绝缘层150中的接触孔151和152连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源区176d和第二初始化TFT T7的第二初始化漏区177g。
节点连接线174将第一电极层125a经由接触孔156和157连接到补偿TFT T3的补偿漏区177c。岛型第一电极层125a可以通过节点连接线174电连接到补偿TFT T3。
中间连接层175经由接触孔153连接到发射控制TFT T6。例如，中间连接层175可以连接到发射控制TFT T6的发射控制漏区177f。
第二层间绝缘层160位于数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175的上方。第二层间绝缘层160可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2的无机绝缘材料。第二层间绝缘层160可以包括包含上述无机绝缘材料的层和包含有机绝缘材料的层。
参照图3、图8和图10，屏蔽层178和辅助连接层179位于第二层间绝缘层160的上方。屏蔽层178和辅助连接层179包括相同的材料。例如，屏蔽层178和辅助连接层179可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且包括包含上述材料的单层或多层。例如，屏蔽层178和辅助连接层179可以包括包含Ti/Al/Ti的多层结构。
屏蔽层178在列方向(例如，y方向)上延伸，屏蔽层178的一部分在行方向(例如，x方向)上延伸，屏蔽层178与第一电极层125a和补偿TFT T3叠置，并且覆盖第一电极层125a和补偿TFT T3。例如，屏蔽层178可以与第一电极层125a的一部分叠置，并且与补偿半导体层130c的沟道区131c1和131c3、补偿栅电极125c1和125c2以及补偿漏区177c叠置并覆盖补偿半导体层130c的沟道区131c1和131c3、补偿栅电极125c1和125c2以及补偿漏区177c。连接到驱动TFT T1的补偿源区176c不与屏蔽层178叠置。
屏蔽层178连接到被施加有恒定电压的布线。在本发明构思的示例性实施例中，屏蔽层178可以经由第二层间绝缘层160中的接触孔161电连接到屏蔽层178下方的驱动电压线172。换言之，屏蔽层178可以对应于上驱动电压线，驱动电压线172可以对应于下驱动电压线。为了实现提供高质量图像的显示装置，应当防止在作为下驱动电压线的驱动电压线172中发生电压降等。然而，如图7中所示，由于作为下驱动电压线的驱动电压线172与数据线171、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175位于同一层中，所以增加作为下驱动电压线的驱动电压线172的面积是有限的。然而，根据本实施例，由于作为上驱动电压线的屏蔽层178电连接到作为下驱动电压线的驱动电压线172，所以可以防止电压降。
屏蔽层178与像素电极210和第一电极层125a叠置，并且防止或减少像素电极210与驱动TFT T1的驱动栅电极G1之间的寄生电容。
如图3中所示，当节点连接线174连接到第一电极层125a时，像素电极210与节点连接线174之间的寄生电容对应于像素电极210与驱动TFT T1的驱动栅电极G1之间的寄生电容。屏蔽层178可以通过完全覆盖节点连接线174来防止或减少寄生电容的发生。
如图11的对比例曲线所示，如果不存在屏蔽层178，则驱动电流IOLED不具有恒定值并且由于寄生电容而在饱和区域中不期望地增加。为了实现提供高质量图像的显示装置，驱动电流IOLED在饱和区域中应该是诸如图11的REF曲线的恒定值。然而，驱动电流IOLED由于上述的寄生电容等而在饱和区域中不期望地增加，从而引起电流偏差ΔI。在这种情况下，OLED以不同于初始预期亮度的亮度发光。此外，即使在每个像素中出现相同值的电流偏差ΔI时，发射程度也根据发射层220(参见图10)的材料而改变。由于分别发射红光、绿光、蓝光和白光的像素的发射层220各自包括不同的材料，所以即使出现相同值的电流偏差ΔI，发射程度对于每个像素来说也是不同的，从而出现颜色偏差。
然而，根据本实施例，如图11的实施例曲线所示，由于通过屏蔽层178防止或减少了寄生电容的发生，所以抑制了驱动电流IOLED在饱和区域中的增加。因此，由于防止了OLED以不同于初始预期亮度的亮度发射，并且减少了颜色偏差，所以可以防止由显示装置提供的图像质量的劣化。
屏蔽层178可以通过覆盖二极管连接驱动TFT T1的补偿TFT T3来防止或减少由于外部光而发生的截止电流。例如，屏蔽层178可以覆盖补偿漏区177c并且覆盖作为双栅极的补偿栅电极125c1和125c2之间暴露的区域，换言之，覆盖补偿沟道区131c1和131c3之间的区域131c2。
如果不存在屏蔽层178，则截止电流由于外部光而增加，并根据发射层220的材料而会产生微红色、浅蓝色或浅绿色。然而，根据本实施例，由于屏蔽层178覆盖补偿漏区177c和在补偿栅电极125c1和125c2之间暴露的区域131c2，所以可以减小外部光对截止电流的影响。此外，由于屏蔽层178覆盖补偿半导体层130c的区域131c2，所以可以使补偿TFT T3上的其他相邻电信号(例如，经由相邻像素PX的数据线171传输的信号)的影响最小化。因此，显示装置可以提供高质量的图像。
辅助连接层179经由接触孔163连接到中间连接层175，平坦化绝缘层180位于屏蔽层178和辅助连接层179的上方。平坦化绝缘层180可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
参照图3、图9、图10，像素电极210位于平坦化绝缘层180的上方。像素电极210经由平坦化绝缘层180中的接触孔185连接到辅助连接层179。像素电极210通过辅助连接层179和中间连接层175连接到发射控制TFT T6的发射控制漏区177f。
像素电极210可以是反射电极。例如，像素电极210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层以及位于反射层上方的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、In2O3、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
参照图10，暴露像素电极210的像素限定层190位于像素电极210的上方。像素限定层190可以包括包含聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸(acryl)树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂的有机绝缘材料。
发射层220位于被像素限定层190暴露的像素电极210的上方。发射层220可以包括包含用于发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。发射层220可以包括低分子有机材料或聚合物有机材料。
诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以选择性地设置在发射层220的上方和/或下方。
对电极230可以是透射电极。例如，对电极230可以是透明或半透明电极层，并且可以包括具有小的功函数并包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Ag、Mg或其化合物的金属薄膜。此外，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物(TCO)层还可以位于金属薄膜的上方。
尽管上面已经描述了屏蔽层178是驱动电压线的情况，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，为了防止或减少像素电极210与驱动TFT T1的驱动栅电极G1之间和/或像素电极210与节点连接线174之间的寄生电容的发生，屏蔽层178可以连接到初始化电压线124，并且作为恒定电压的初始化电压Vint可以施加到屏蔽层178。可选择地，作为恒定电压的共电压ELVSS可以施加到屏蔽层178。
尽管已经参照本发明构思的示例性实施例具体示出和描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以在这里做出形式和细节上的各种改变。

Claims (14)

1.一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，每个像素包括驱动薄膜晶体管和存储电容器，其中，所述多个像素中的每个像素还包括：
驱动半导体层，包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区；
第一电极层，所述第一电极层的一部分与所述驱动沟道区叠置；
第二电极层，与所述第一电极层叠置；
节点连接线，具有连接到所述第一电极层的第一侧；
像素电极，与所述第一电极层叠置；以及
屏蔽层，位于所述第一电极层与所述像素电极之间，所述屏蔽层与所述第一电极层、所述节点连接线和所述像素电极叠置，
其中，所述节点连接线位于所述第二电极层与所述屏蔽层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，恒定电压施加到所述屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，驱动电压施加到所述屏蔽层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素还包括位于所述屏蔽层下方和所述第二电极层上方并用于供应驱动电压的驱动电压线。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘层，位于所述驱动电压线与所述屏蔽层之间，其中，所述驱动电压线经由所述绝缘层中的接触孔连接到所述屏蔽层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述屏蔽层覆盖整个节点连接线。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极层包括岛型电极层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素还包括：
开关薄膜晶体管，连接到扫描线和数据线；以及
补偿薄膜晶体管，构造为通过所述扫描线的扫描信号而被导通并构造为二极管连接所述驱动薄膜晶体管，所述节点连接线的第二侧连接到所述补偿薄膜晶体管。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素还包括：
补偿半导体层，包括补偿沟道区、补偿源区和补偿漏区；以及
补偿栅电极，与所述补偿沟道区叠置，所述补偿源区和所述补偿漏区中的一个电连接到所述驱动源区和所述驱动漏区中的一个。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述补偿栅电极包括位于所述补偿半导体层上方的第一补偿栅电极和第二补偿栅电极，所述第一补偿栅电极和所述第二补偿栅电极彼此分隔开，所述屏蔽层覆盖所述补偿半导体层的暴露在所述第一补偿栅电极和所述第二补偿栅电极之间的区域。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述补偿源区和所述补偿漏区中的一个不与所述屏蔽层叠置。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述补偿源区和所述补偿漏区中的另一个与所述屏蔽层叠置。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述补偿源区和所述补偿漏区中的所述另一个电连接到所述第一电极层。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素还包括：
开关栅电极和开关半导体层，分别连接到扫描线和数据线，其中，所述屏蔽层位于所述第一电极层、所述第二电极层和所述数据线的上方，并且至少一个绝缘层设置在所述屏蔽层与所述第一电极层、所述第二电极层和所述数据线之间。
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