CN113593478A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板；所述显示面板包括衬底和设于所述衬底上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路至少包括补偿晶体管和设于所述衬底与所述补偿晶体管之间的屏蔽构件，所述屏蔽构件在所述衬底上的正投影至少部分与所述补偿晶体管在所述衬底上的正投影重叠，从而使得所述补偿晶体管不受所述衬底的电势影响，进而提高了所述像素驱动电路电流的稳定性。

Description

显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，有机发光(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示装置得到越来越广泛的应用，与液晶显示器相比，OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、PDA、数码相机等平板显示领域，OLED显示器已经开始取代传统的液晶显示屏(LiquidCrystalDisplay，LCD)；其中，像素电路设计是OLED显示器核心技术内容，具有重要的研究意义。
OLED显示器包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括多个薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)，其中，所述薄膜晶体管特性的稳定性是影响OLED显示器品质优劣的关键因子；然而，在现有技术中，由于显示面板的制备过程中引入的离子污染、静电防护不到位以及屏体材料特性变化等原因，会使得施加到电路器件的电压发生变化，可能会使所述衬底引发电荷，从而导致所述薄膜晶体管的阈值电压发生改变，进而导致OLED显示器出现亮度和色度均一性不佳、屏幕出现残像、以及器件整体寿命短等问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板，用以提升所述显示面板的亮度和色度的稳定性。
为实现上述功能，本申请实施例提供的技术方案如下：
本申请实施例提供了一种显示面板，包括衬底和设于所述衬底上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路至少包括补偿晶体管；
其中，所述显示面板还包括设于所述衬底与所述补偿晶体管之间的屏蔽构件，所述屏蔽构件在所述衬底上的正投影至少部分与所述补偿晶体管在所述衬底上的正投影重叠。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述补偿晶体管包括位于所述衬底上的第一半导体层、位于所述第一半导体层上方的第一栅极层以及位于所述第一栅极层上的第一源漏极层；
其中，所述屏蔽构件包括第一屏蔽层，所述第一屏蔽层设于所述衬底和所述第一半导体层之间。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述屏蔽构件的材料为非晶硅、单晶硅、多晶硅或者氧化物中的一种。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第一屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一半导体层在所述衬底上的正投影。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述屏蔽构件还包括位于所述第一屏蔽层与所述第一半导体层之间的第一绝缘层、第二屏蔽层以及第二绝缘层，所述第二屏蔽层在所述衬底上的正投影与所述第一屏蔽层在所述衬底上的正投影重叠。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述屏蔽构件的材料为导电材料；其中，所述第一屏蔽层接入恒定电位。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述像素驱动电路层上的发光功能层，所述像素驱动电路层还包括与所述发光功能层电性连接的第二薄膜晶体管；
所述发光功能层包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极；所述第二薄膜晶体管与所述补偿晶体管间隔设置，所述第二薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第二半导体层、第二栅极层以及第二源漏极层，所述第二源漏极层与所述阳极电性连接；
其中，所述显示面板还包括位于所述第二栅极层和所述第二源漏极层之间的复位金属线、与所述第二源漏极层同层设置的恒压高电平金属线、与所述第一栅极层同层设置的恒压低电平金属线、以及位于非显示区，且一端与所述复位金属线、所述恒压高电平金属线以及所述恒压低电平金属线中的一者同层且电性连接的桥接构件，所述桥接构件的另一端与所述第一屏蔽层电性连接。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述补偿晶体管为双栅结构，所述第一栅极层包括同层且间隔设置的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极在所述第一半导体层上的正投影均位于所述第一屏蔽层在所述第一半导体层上的正投影内，且所述第一屏蔽层与所述第一栅极和所述第二栅极中至少一者电性连接。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第一半导体层包括与所述第一栅极相对应的第一沟道区，所述第二栅极相对应的第二沟道区，所述第一沟道区的宽度与所述第二沟道区的宽度之和大于或等于5微米。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述第二沟道区的宽度为所述第一沟道区的宽度的1/5至4/5。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件，所述像素驱动电路驱动所述发光器件发光，所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管、开关晶体管、驱动晶体管、所述补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管以及所述第一电容；
其中，所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点；
所述开关晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述开关晶体管的第一端连接数据信号，所述开关晶体管的第二端连接于第二节点；
所述补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述补偿晶体管的第一端连接于第三节点，所述补偿晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一初始化晶体管的栅连接第一扫描信号，所述第一初始化晶体管的第一端连接第一初始化信号，所述第一初始化晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第五节点，所述第一发光控制晶体管的第二端连接于第二节点，所述第一发光控制晶体管通过第五节点与电源高电位信号线相连；
所述第二发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的第一端连接于第三节点，所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点；
所述第二初始化晶体管的栅连接第二扫描信号，所述第二初始化晶体管的第一端连接于第四节点，所述第二初始化晶体管的第二端连接于所述第一初始化信号；
所述第一电容的第一电容电极连接于第五节点，所述第一电容的第二电容电极连接于第一节点，所述第一电容通过第五节点与所述第一电源电压线相连，其中所述第一电源电压线为电源高电位信号线；
所述发光器件的阳极连接于第四节点，所述发光器件的阴极连接于所述第二电源电压线相连，其中所述第二电源电压线为电源低电位信号线；
其中，所述屏蔽构件至少位于所述第一初始化晶体管、所述开关晶体管、所述补偿晶体管、所述第二初始化晶体管、所述第一发光控制晶体管以及所述第二发光控制晶体管中的一者与所述衬底之间。
本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供一种显示面板，包括衬底和设于所述衬底上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路至少包括补偿晶体管；其中，所述显示面板还包括设于所述衬底与所述补偿晶体管之间的屏蔽构件，所述屏蔽构件在所述衬底上的正投影至少部分与所述补偿晶体管在所述衬底上的正投影重叠，通过在所述补偿晶体管和所述衬底之间设置屏蔽构件，从而使得所述补偿晶体管不受所述衬底的电势影响，进而实现提升薄膜晶体管性能可靠性的效果，提高了所述像素驱动电路电流的稳定性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中显示面板的结构示意图；
图2为现有技术中显示面板的像素驱动电路的结构示意图；
图3A～图3B为本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图；
图4为本申请实施例所提供的显示面板的第二种结构示意图；
图5为本申请实施例所提供的显示面板的第三种结构示意图；
图6为本申请实施例所提供的显示面板的第四种结构示意图；
图7为本申请实施例所提供的显示面板的像素驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请结合图1和图2，其中，图1为现有技术中显示面板的结构示意图，图2为现有技术中显示面板的像素驱动电路的结构示意图。
在现有技术中，所述显示面板包括层叠设置的衬底10、像素驱动电路层(图中未标记)、发光功能层40以及封装层120，其中，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路包括间隔设置于所述衬底10上的补偿晶体管20和第二薄膜晶体管30，所述第二薄膜晶体管30与所述发光功能层40电性连接；其中，所述补偿晶体管20包括位于所述衬底10上的第一半导体层21、位于所述第一半导体层21上方的第一栅极层22、及位于所述第一栅极层22上方的第一源漏极层23；所述第二薄膜晶体管30包括位于所述衬底10上方的第二半导体层31、位于所述第二半导体层31上方的第二栅极层32、及位于所述第二栅极层32上方的第二源漏极层34；其中，所述第一半导体层21为氧化物半导体层，所述第二半导体层31为多晶硅半导体层。
所述像素驱动电路还包括发光器件D1、第一初始化晶体管T4、开关晶体管T2、驱动晶体管T1、补偿晶体管20、第二初始化晶体管T7、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6以及所述第一电容Cst，其中，所述第二薄膜晶体管30为驱动晶体管T1，用于在第一节点Q(E)和第二节点A电位的控制下，驱动所述发光器件发光；所述补偿晶体管20通过第一节点Q(E)和第三节点B与所述驱动晶体管T1相连，用于在第二扫描信号Scan2的控制下，补偿所述驱动晶体管T1的阈值电压。
然而，在现有技术中，由于显示面板的制备过程中引入的离子污染、静电防护不到位以及屏体材料特性变化等原因，会使得施加到电路器件的电压发生变化，可能会使所述衬底10引发电荷，从而导致所述薄膜晶体管的阈值电压发生改变，从而导致所述显示面板出现亮度和色度均一性不佳、屏幕出现残像、以及器件整体寿命短等问题。基于此，本申请实施例提供了一种显示面板，用以提升所述显示面板的亮度和色度的稳定性。
请结合图3A～图7，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括衬底10和设于所述衬底10上的像素驱动电路层(图中未标记)，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路至少包括补偿晶体管20；其中，所述显示面板还包括设于所述衬底10与所述补偿晶体管20之间的屏蔽构件50，所述屏蔽构件50在所述衬底10上的正投影至少部分与所述补偿晶体管20在所述衬底10上的正投影重叠。
本申请实施例通过在所述补偿晶体管20和所述衬底10之间设置所述屏蔽构件50，从而使得所述补偿晶体管20不受所述衬底10的电势影响，进而提高了所述像素驱动电路电流的稳定性。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图3A～图3B，本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图。
在本实施例中，所述显示面板包括衬底10和设于所述衬底10上的像素驱动电路层(图中未标记)，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路可使用多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)来实现，并且形成在所述衬底10上方。可以理解的是，多个薄膜晶体管可用氧化物半导体TFT或多晶硅(Si)半导体TFT来实现，在所述像素驱动电路中可使用满足诸如漏电流、切换速度、驱动强度和均匀性的所需标准的适当类型的TFT，从而可增强显示性能。
在本实施例中，所述衬底10可以包括刚性衬底或柔性衬底，当所述衬底10为刚性衬底时，材料可以是金属或玻璃，当所述衬底10为柔性衬底时，材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂中的至少一种。本实施例对所述衬底10的材料不做限制。
在本实施例中，所述衬底10为柔性衬底，包括层叠设置的第一柔性衬底11、阻隔层12、第二柔性衬底13、第一缓冲层14以及第二缓冲层15，其中第一柔性衬底11和第二柔性衬底13的材料可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜中的至少一种，所述阻隔层12的材料通常为氧化硅(SiOx)，所述第一缓冲层14和所述第二缓冲层15可以包括无机材料，如氮化硅或氧化硅中的至少一种，用来防止所述衬底10下方的外界杂质渗入至上层的晶体管中，以及改善所述衬底10与上方膜层间的结合强度。
在本实施例中，每个所述像素驱动电路包括间隔设置的补偿晶体管20和第二薄膜晶体管30；所述补偿晶体管20包括位于所述衬底10上的第一半导体层21、位于所述第一半导体层21上方的第一栅极层22以及位于所述第一栅极层22上的第一源漏极层23；所述第二薄膜晶体管30包括位于所述衬底10上的第二半导体层31、位于所述第二半导体层31上方的第二栅极层32以及位于所述第二栅极层32上的第二源漏极层34。
在本实施例中，所述第一半导体层21和所述第二半导体层31同层且间隔设置，所述第一栅极层22和所述第二栅极层32同层且间隔设置，所述第一源漏极层23和所述第二源漏极层34同层且间隔设置；其中，所述第一半导体层21的材料包括但不限于氧化物，所述第二半导体层31的材料包括但不限于单晶硅、多晶硅，所述第一半导体层21形成各氧化物晶体管的氧化物半导体层，所述第二半导体层31形成各低温多晶硅晶体管的多晶硅半导体层。
可以理解的是，因为硅材料具有相对高的电子迁移率并因此具有低能量功耗和优异的可靠性，所以多晶硅半导体层薄膜晶体管可应用于像素驱动电路的薄膜晶体管；氧化物半导体材料具有低于硅材料的关断电流，因此，氧化物半导体薄膜晶体管可应用于具有短的导通时间并且保持长的关断时间的开关薄膜晶体管，而且，因为关断电流小并且辅助电容的尺寸可减小，所以氧化物半导体薄膜晶体管适用于高分辨率显示装置。
进一步地，在本实施例中，所述像素驱动电路层包括依次层叠设置在所述衬底10上的第一金属层610、第二金属层620、第三金属层630以及第四金属层640，其中，第一金属层610包括所述第一栅极层22、所述第二栅极层32以及第一电容电极(图中未画出)，所述第二金属层620包括第二电容电极33，所述第三金属层630包括所述第一源漏极层23和所述第二源漏极层34，所述第四金属层640包括桥接层100。
需要说明的是，在本实施例中，所述第一栅极层22、所述第二栅极层32以及所述第一电容电极由同一金属块形成，它们处于同一金属块的不同区域，其中，所述第一电容电极和所述第二电容电极33形成第一电容Cst。
在本实施例中，所述第一金属层610、所述第二金属层620、所述第三金属层630以及所述第四金属层640的材料均可包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。
在本实施例中，所述显示面板还包括设于所述衬底10与所述补偿晶体管20之间的屏蔽构件50，所述屏蔽构件50在所述衬底10上的正投影至少部分与所述补偿晶体管20在所述衬底10上的正投影重叠。进一步地，在本实施例中，所述屏蔽构件50在所述衬底10上的正投影覆盖所述补偿晶体管20在所述衬底10上的正投影重叠。
在本实施例中，所述屏蔽构件50的材料包括但不限非晶硅、多晶硅或者氧化物中的一种，本实施例对此不做具体限制。
在本实施例中，所述屏蔽构件50包括第一屏蔽层51，所述第一屏蔽层51设于所述衬底10和所述第一半导体层21之间，所述第一屏蔽层51与所述第一栅极层22相对应，所述第一屏蔽层51在所述衬底10上的正投影覆盖所述第一半导体层21在所述衬底10上的正投影，即，在垂直于所述衬底10的方向上，所述第一屏蔽层51的面积大于所述第一半导体层21的面积。
可选地，所述第一屏蔽层51位于所述第一缓冲层14和所述第一柔性衬底11之间(如图3A所示)，或者所述第一屏蔽层51位于所述第一缓冲层14和所述第二缓冲层15之间(如图3B所示)，本实施例对此不做具体限制。
可以理解的是，本实施例通过在所述补偿晶体管20和所述衬底10之间设置所述第一屏蔽层51，所述第一屏蔽层51具有电荷屏蔽作用，从而使得所述补偿晶体管20不受所述衬底10的电势影响；同时，所述第一屏蔽层51与所述第一栅极层22相对应，所述第一屏蔽层51形成浮栅极结构，仅在所述补偿晶体管20靠近所述衬底10的一侧，所述第一屏蔽层51作为数据存储单元，在工作过程中提高了所述补偿晶体管20的可靠性，改善所述第二薄膜晶体管30在像素驱动电路中的阈值电压Vth偏移现象，提高了所述像素驱动电路电流的稳定性。
需要说明的是，在本实施例中，所述第一屏蔽层51可具有单层或多层结构。例如，在一实施例中，所述第一屏蔽可具有包括有钼(Mo)的单层结构；在另一实施例中，所述第一屏蔽层51可具有多层结构，具体地，所述第一屏蔽层51包括层叠设置与所述衬底10上的包括钛(Ti)的第一层、包括铝(Al)二层以及包括钛(Ti)第三层，本实施例对此不做具体限制。
在本实施例中，所述第一半导体层21包括第一沟道区213、第一掺杂区211和第二掺杂区212，所述第一掺杂区211和所述第二掺杂区212分隔于所述第一沟道区213的两侧；其中，所述第一掺杂区211的宽度和所述第二掺杂区212的宽度相等，所述第一沟道区213的宽度大于所述第一掺杂区211的宽度和所述第二掺杂区212的宽度；具体地，所述第一沟道区213的宽度大于5微米。
在本实施例中，所述第一沟道区213的宽度大于所述第一掺杂区211的宽度和所述第二掺杂区212的宽度，通过提升所述第一沟道区213的长度，使所述第一掺杂区211和所述第二掺杂区212的宽度小于第一沟道区213的宽度，从而使所述第一沟道区213的电阻增加以导致流经所述第一沟道区213的电流减小，进而实现提升薄膜晶体管性能可靠性的效果。
在本实施例中，所述显示面板还包括位于所述第一半导体层21和所述第一金属层610之间的第三绝缘层60，位于所述第一金属层610和所述第二金属层620之间的第四绝缘层70，位于所述第二金属层620和所述第三金属层630之间的层间绝缘层80，位于所述第三金属层630和所述第四金属层640之间的第一平坦层90，位于所述第四金属层640上方的第二平坦层110、发光功能层40、封装层120、触控层130、偏光层140以及盖板150等常规膜层；其中，所述发光功能层40包括层叠设置于所述第二平坦层110上的阳极41、像素定义层42、发光层43以及阴极44，所述发光功能层40通过所述桥接层100与所述第二源漏极层34电性连接。
请参阅图4，本申请实施例所提供的显示面板的第二种结构示意图。
在本实施例中，所述显示模组的结构与上述实施例所提供的显示模组的第一种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的显示模组的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述屏蔽构件50还包括位于所述第一屏蔽层51与所述第一半导体层21之间的第一绝缘层、第二屏蔽层52以及第二绝缘层，所述第二屏蔽层52在所述衬底10上的正投影与所述第一屏蔽层51在所述衬底10上的正投影重叠。进一步地，所述第一绝缘层为所述第一缓冲层14，所述第二绝缘层为所述第二缓冲层15，所述第一屏蔽层51位于所述第一缓冲层14和所述第一柔性衬底11之间，所述第二屏蔽层52位于所述第一缓冲层14和所述第二缓冲层15之间。
可以理解的是，本实施例通过在所述补偿晶体管20和所述衬底10之间设置所述第一屏蔽层51和所述第二屏蔽层52，从而使得所述补偿晶体管20不受所述衬底10的电势影响，提高了所述补偿晶体管20的可靠性，进而改善所述补偿晶体管20在像素驱动电路中的阈值电压Vth偏移现象，提高了所述像素驱动电路电流的稳定性。
请参阅图5，本申请实施例所提供的显示面板的第三种结构示意图。
在本实施例中，所述显示模组的结构与上述实施例所提供的显示模组的第一种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的显示模组的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述屏蔽构件50的材料为导电材料；其中，所述第一屏蔽层51接入恒定电位。
具体地，所述显示面板还包括位于所述第二栅极层32和所述第二源漏极层34之间的复位金属线VI；与所述第二源漏极层34同层设置的恒压高电平金属线Vdd；与所述第一栅极层22同层设置的恒压低电平金属线Vss；以及位于非显示区(图中未画出)，且一端与所述复位金属线VI、所述恒压高电平金属线Vdd以及所述恒压低电平金属线Vss中的一者同层且电性连接的桥接构件(图中未画出)，所述桥接构件的另一端与所述第一屏蔽层51电性连接。
本实施例通过将所示的第一屏蔽层51接入恒定电位，从而使所述第一屏蔽层51具有稳定的电位，当不同的电压从桥接层施加到第一屏蔽层51时，所述补偿晶体管20不受所述衬底10的电势影响，提高了所述补偿晶体管20的可靠性，进而改善所述补偿晶体管20在像素驱动电路中的阈值电压Vth偏移现象，提高了所述像素驱动电路电流的稳定性；同时，通过设置所述第一屏蔽层51在所述衬底10上的正投影覆盖所述第一半导体层21在所述衬底10上的正投影，所述第一屏蔽层51能够屏蔽所述衬底10引发的电荷，从而使得所述补偿晶体管20不受所述衬底10的电势影响。
请结合图6和图7，其中，图6为本申请实施例所提供的显示面板的第四种结构示意图；图7为本申请实施例所提供的显示面板的像素驱动电路的结构示意图。
在本实施例中，所述显示模组的结构与上述实施例所提供的显示模组的第三种结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的显示模组的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述补偿晶体管20为双栅结构，所述第一栅极层22包括同层且间隔设置的第一栅极221和第二栅极222，所述第一栅极221和所述第二栅极222在所述第一半导体层21上的正投影均位于所述第一屏蔽层51在所述第一半导体层21上的正投影内，且所述第一屏蔽层51与所述第一栅极221和所述第二栅极222中至少一者电性连接。
在本实施例中，所述第一半导体层21第一沟道区213和第二沟道区214，其中，所述第一沟道区213与所述第一栅极221相对应，所述第二沟道区214与所述第二栅极222相对应；其中，所述第二沟道区214的宽度为所述第一沟道区213的宽度的1/5至4/5。进一步地，所述第一沟道区213的宽度和所述第二沟道区214的宽度和大于5微米。
可以理解的是，本实施例通过设置所述第二沟道区214的宽度为所述第一沟道区213的宽度的1/5至4/5，通过提升所述第一沟道区213的长度，从而增加所述第一沟道区213的电阻，以导致流经所述第一沟道区213的电流减小，进而实现提升所述薄膜晶体管性能可靠性的效果。可以理解的是，本实施例对所述第二沟道区214的宽度不做限制，在工艺允许的范围内，可以一直减小所述第二沟道区214的宽度。
在本实施例中，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件D1，所述像素驱动电路驱动所述发光器件D1发光，所述像素驱动电路包括：第一初始化晶体管T4、开关晶体管T2、驱动晶体管T1、补偿晶体管20、第二初始化晶体管T7、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6以及所述第一电容Cst。
其中，所述驱动晶体管T1的栅极连接于第一节点Q(E)，所述驱动晶体管T1的第一端连接于第三节点B，所述驱动晶体管T1的第二端连接于第二节点A。
所述开关晶体管T2的栅极连接第二扫描信号Scan2，所述开关晶体管T2的第一端连接数据信号Data，所述开关晶体管T2的第二端连接于第二节点A。
所述补偿晶体管20的栅极连接第二扫描信号Scan2，所述补偿晶体管20的第一端连接于第三节点B，所述补偿晶体管20的第二端连接于第一节点Q(E)。
所述第一初始化晶体管T4的栅连接第一扫描信号Scan1，所述第一初始化晶体管T4的第一端连接第一初始化信号VI，所述第一初始化晶体管T4的第二端连接于第一节点Q(E)。
所述第一发光控制晶体管T5的栅极连接发光控制信号EM，所述第一发光控制晶体管T5的第一端连接于第五节点D，所述第一发光控制晶体管T5的第二端连接于第二节点A，所述第一发光控制晶体管T5通过第五节点D与电源高电位信号线Vdd相连。
所述第二发光控制晶体管T6的栅极连接发光控制信号EM，所述第二发光控制晶体管T6的第一端连接于第三节点B，所述第二发光控制晶体管T6的第二端连接于第四节点C。
所述第二初始化晶体管T7的栅连接第二扫描信号Scan2，所述第二初始化晶体管T7的第一端连接于第四节点C，所述第二初始化晶体管T7的第二端连接于所述第一初始化信号VI。
所述第一电容Cst的第一电容电极连接于第五节点D，所述第一电容Cst的第二电容电极33连接于第一节点Q(E)，所述第一电容Cst通过第五节点D与所述第一电源电压线相连，其中所述第一电源电压线为所述恒压高电平金属线Vdd。
所述发光器件D1的阳极连接于第四节点C，所述发光器件D1的阴极连接于所述第二电源电压线相连，其中所述第二电源电压线为所述恒压低电平金属线Vss。
其中，所述屏蔽构件50至少位于所述第一初始化晶体管T4、所述开关晶体管T2、所述补偿晶体管20、所述第二初始化晶体管T7、所述第一发光控制晶体管T5以及所述第二发光控制晶体管T6中的一者与所述衬底之间，本实施例对此不做具体限制。
在本实施例中，所述第二薄膜晶体管30为所述驱动晶体管T1；进一步地，在本实施例中，所述补偿晶体管20和所述第一初始化晶体管T4为双栅结构。可以理解的是，本实施例通过使所述补偿晶体管20和所述第一初始化晶体管T4采用双栅结构，从而减小了所述补偿晶体管20和所述第一初始化晶体管T4电流泄露的风险，提高薄膜晶体管器件和电路的可靠性。
本申请实施例还提供了一种移动终端，包括如任一上述的显示面板及终端主体，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
其中，所述显示面板的具体结构请参阅任一上述的显示面板的实施例，本申请实施例在此不再赘述。
本实施例中，所述终端主体可以包括中框、框胶等，在此不做具体限定。
本申请提供一种显示面板，包括衬底和设于所述衬底上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路至少包括补偿晶体管；其中，所述显示面板还包括设于所述衬底与所述补偿晶体管之间的屏蔽构件，所述屏蔽构件在所述衬底上的正投影至少部分与所述补偿晶体管在所述衬底上的正投影重叠，从而使得所述补偿晶体管不受所述衬底的电势影响，进而提高了所述像素驱动电路电流的稳定性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底和设于所述衬底上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路至少包括补偿晶体管；
其中，所述显示面板还包括设于所述衬底与所述补偿晶体管之间的屏蔽构件，所述屏蔽构件在所述衬底上的正投影至少部分与所述补偿晶体管在所述衬底上的正投影重叠。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述补偿晶体管包括位于所述衬底上的第一半导体层、位于所述第一半导体层上方的第一栅极层以及位于所述第一栅极层上的第一源漏极层；
其中，所述屏蔽构件包括第一屏蔽层，所述第一屏蔽层设于所述衬底和所述第一半导体层之间。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽构件的材料为非晶硅、单晶硅、多晶硅或者氧化物中的一种。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一半导体层在所述衬底上的正投影。
5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽构件还包括位于所述第一屏蔽层与所述第一半导体层之间的第一绝缘层、第二屏蔽层以及第二绝缘层，所述第二屏蔽层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一半导体层在所述衬底上的正投影。
6.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽构件的材料为导电材料；其中，所述第一屏蔽层接入恒定电位。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述像素驱动电路层上的发光功能层，所述发光功能层包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极；
所述像素驱动电路层还包括与所述发光功能层电性连接的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述补偿晶体管间隔设置，所述第二薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第二半导体层、第二栅极层以及第二源漏极层，所述第二源漏极层与所述阳极电性连接；
其中，所述显示面板还包括位于所述第二栅极层和所述第二源漏极层之间的复位金属线、与所述第二源漏极层同层设置的恒压高电平金属线、与所述第一栅极层同层设置的恒压低电平金属线、以及位于非显示区，且一端与所述复位金属线、所述恒压高电平金属线以及所述恒压低电平金属线中的一者同层且电性连接的桥接构件，所述桥接构件的另一端与所述第一屏蔽层电性连接。
8.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述补偿晶体管为双栅结构，所述第一栅极层包括同层且间隔设置的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极在所述第一半导体层上的正投影均位于所述第一屏蔽层在所述第一半导体层上的正投影内，且所述第一屏蔽层与所述第一栅极和所述第二栅极中至少一者电性连接。
9.如权利要求2至8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一半导体层包括与所述第一栅极相对应的第一沟道区，所述第二栅极相对应的第二沟道区，所述第一沟道区的宽度与所述第二沟道区的宽度之和大于或等于5微米。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第二沟道区的宽度为所述第一沟道区的宽度的1/5至4/5。
11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件，所述像素驱动电路驱动所述发光器件发光，所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管、开关晶体管、驱动晶体管、所述补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管以及所述第一电容；
其中，所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点；
所述开关晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述开关晶体管的第一端连接数据信号，所述开关晶体管的第二端连接于第二节点；
所述补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述补偿晶体管的第一端连接于第三节点，所述补偿晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一初始化晶体管的栅连接第一扫描信号，所述第一初始化晶体管的第一端连接第一初始化信号，所述第一初始化晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第五节点，所述第一发光控制晶体管的第二端连接于第二节点，所述第一发光控制晶体管通过第五节点与电源高电位信号线相连；
所述第二发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的第一端连接于第三节点，所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点；
所述第二初始化晶体管的栅连接第二扫描信号，所述第二初始化晶体管的第一端连接于第四节点，所述第二初始化晶体管的第二端连接于所述第一初始化信号；
所述第一电容的第一电容电极连接于第五节点，所述第一电容的第二电容电极连接于第一节点，所述第一电容通过第五节点与所述第一电源电压线相连，其中所述第一电源电压线为恒压高电平金属线；
所述发光器件的阳极连接于第四节点，所述发光器件的阴极连接于所述第二电源电压线相连；
其中，所述屏蔽构件至少位于所述第一初始化晶体管、所述开关晶体管、所述补偿晶体管、所述第二初始化晶体管、所述第一发光控制晶体管以及所述第二发光控制晶体管中的一者与所述衬底之间。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114093277A (zh) * 2021-12-09 2022-02-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 拼接屏
CN114361223A (zh) * 2021-12-30 2022-04-15 厦门天马显示科技有限公司 显示面板和显示装置
CN114743471A (zh) * 2022-04-25 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板和显示装置
WO2023143032A1 (zh) * 2022-01-29 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
WO2024000547A1 (zh) * 2022-06-30 2024-01-04 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05267692A (ja) * 1992-03-19 1993-10-15 Sony Corp デュアルゲート電界効果型半導体装置
CN106847931A (zh) * 2017-04-05 2017-06-13 厦门天马微电子有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN107369690A (zh) * 2016-05-11 2017-11-21 三星显示有限公司 显示装置
CN107664891A (zh) * 2017-10-26 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置
CN110875363A (zh) * 2018-09-04 2020-03-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、以及显示面板
CN110992880A (zh) * 2019-12-19 2020-04-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111584587A (zh) * 2020-05-20 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法和拼接屏
CN112071268A (zh) * 2020-08-12 2020-12-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN112928129A (zh) * 2019-12-06 2021-06-08 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板和包括其的数字x射线检测器装置
CN112951891A (zh) * 2021-02-26 2021-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05267692A (ja) * 1992-03-19 1993-10-15 Sony Corp デュアルゲート電界効果型半導体装置
CN107369690A (zh) * 2016-05-11 2017-11-21 三星显示有限公司 显示装置
CN106847931A (zh) * 2017-04-05 2017-06-13 厦门天马微电子有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN107664891A (zh) * 2017-10-26 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置
CN110875363A (zh) * 2018-09-04 2020-03-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、以及显示面板
CN112928129A (zh) * 2019-12-06 2021-06-08 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板和包括其的数字x射线检测器装置
CN110992880A (zh) * 2019-12-19 2020-04-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111584587A (zh) * 2020-05-20 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法和拼接屏
CN112071268A (zh) * 2020-08-12 2020-12-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN112951891A (zh) * 2021-02-26 2021-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114093277A (zh) * 2021-12-09 2022-02-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 拼接屏
CN114361223A (zh) * 2021-12-30 2022-04-15 厦门天马显示科技有限公司 显示面板和显示装置
WO2023143032A1 (zh) * 2022-01-29 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN114743471A (zh) * 2022-04-25 2022-07-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板和显示装置
WO2024000547A1 (zh) * 2022-06-30 2024-01-04 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板

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