CN113299716B - 一种显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板。所述显示面板包括衬底；以及像素驱动电路层，包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路包括第一电容和第二电容；其中，所述像素驱动电路层包括：依次层叠设置在所述衬底上的第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层以及第四金属层，其中，所述第四金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一半导体层电连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层为氧化物半导体层；其中，所述第一电容和所述第二电容均有一个电容电极设置在所述第二金属层，从而可以实现低频显示，同时降低像素驱动电路的功耗。

Description

一种显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，有机发光(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示装置得到越来越广泛的应用，与液晶显示器相比，OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、PDA、数码相机等平板显示领域，OLED显示器已经开始取代传统的液晶显示屏(LiquidCrystalDisplay，LCD)。其中，像素电路设计是OLED显示器核心技术内容，具有重要的研究意义。
在现有的7T1C电路结构中，由于像素电路中的薄膜晶体管通常由低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)工艺形成，而采用LTPS工艺形成的薄膜晶体管的漏电流较大，因此在采用低频显示时易出现闪烁、功耗高等问题，影响显示品质。
发明内容
本申请提供一种显示面板，用以降低像素驱动电路的功耗。
为实现上述功能，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种显示面板，包括：
衬底；以及
像素驱动电路层，包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路包括第一电容和第二电容；
其中，所述像素驱动电路层包括：依次层叠设置在所述衬底上的第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层以及第四金属层，其中，所述第四金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一半导体层电连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层为氧化物半导体层。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一金属层包括第一电容电极，所述第二金属层包括第二电容电极，或所述第二金属层包括第一电容电极，所述第三金属层包括第二电容电极；所述第一电容电极与所述第二电容电极形成所述第一电容，所述第二电容电极与所述第四金属层电连接。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述第二金属层和所述第二半导体层之间的第一层间介质层、位于所述第二半导体层和所述第三金属层之间的第三绝缘层以及位于所述第三金属层和所述第四金属层之间的第二层间介质层。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层、所述第三绝缘层以及所述第一层间介质层的第一过孔；
其中，所述第四金属层通过所述第一过孔与所述第二电容电极电连接。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层的第一过孔；
其中，所述第四金属层通过所述第一过孔与所述第二电容电极电连接。
在本申请所提供显示面板中，所述显示面板还包括位于所述第一半导体层和所述第一金属层之间的第一绝缘层、及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的第二绝缘层；
其中，所述第一金属层还包括第一栅极和第三电容电极，所述第二金属层还包括第四电容电极，所述第三金属层还包括第三栅极，其中，所述第三电容电极和所述第四电容电极形成所述第二电容。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括与所述第二半导体层同层且间隔设置的第三半导体层，所述第三半导体层与所述第四金属层电连接；
其中，所述第三半导体层在所述衬底上的投影至少部分与所述第一电容电极和所述第二电容电极的重叠区域在所述衬底上的投影重叠。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管、开关晶体管、驱动晶体管、补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、所述第一电容以及所述第二电容；
其中，所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点；
所述开关晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述开关晶体管的第一端连接数据信号，所述开关晶体管的第二端连接于第二节点；
所述补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述补偿晶体管的第一端连接于第三节点，所述补偿晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一初始化晶体管的栅连接第一扫描信号，所述第一初始化晶体管的第一端连接第二初始化信号，所述第一初始化晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第五节点，所述第一发光控制晶体管的第二端连接于第二节点，所述第一发光控制晶体管通过第五节点与电源高电位信号线相连；
所述第二发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的第一端连接于第三节点，所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点；
所述第二初始化晶体管的栅连接第二扫描信号，所述第二初始化晶体管的第一端连接于第四节点，所述第二初始化晶体管的第二端连接于第一初始化信号；
所述第一电容的第一电容电极连接于所述开关晶体管的栅极，所述第一电容的第二电容电极连接于第一节点；
所述第二电容的第三电容电极连接于第五节点，所述第二电容的第四电容电极连接于第一节点，所述第二电容通过第五节点与电源高电位信号线相连。
本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：
第一初始化晶体管，用于在第一扫描信号的控制下，向第一节点输入第二初始化信号；
开关晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向第二节点输入数据信号；
驱动晶体管，用于在第一节点和第二节点电位的控制下，驱动所述发光器件发光；
补偿晶体管，通过第一节点和第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在第三扫描信号的控制下，补偿所述驱动晶体管的阈值电压；
第二初始化晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向所述发光器件阳极输入第一初始化信号；
第一发光控制晶体管，通过第二节点与所述驱动晶体管相连，用于在发光控制信号的控制下，导通电源高电位信号线流向所述驱动晶体管的电流；
第二发光控制晶体管，通过第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在发光控制信号的控制下，导通所述驱动晶体管流向所述发光器件阳极的电流；
第一电容，耦接于第一节点和所述开关晶体管的栅极之间，用于降低第一节点的电位；
第二电容，通过第一节点与所述驱动晶体管相连，通过第四节点与电源高电位信号线相连，用于存储数据信号；
其中，所述第一电容包括相对设置的第一电容电极和第二电容电极，所述第一电容电极与所述开关晶体管的栅极电性连接，所述第二电容电极通过第一节点与所述第一初始化晶体管电性连接，其中，所述开关晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第一初始化晶体管为氧化物晶体管。
在本申请所提供的显示面板中，所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点；
所述开关晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述开关晶体管的第一端连接数据信号，所述开关晶体管的第二端连接于第二节点；
所述补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述补偿晶体管的第一端连接于第三节点，所述补偿晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一初始化晶体管的栅连接第一扫描信号，所述第一初始化晶体管的第一端连接第二初始化信号，所述第一初始化晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第五节点，所述第一发光控制晶体管的第二端连接于第二节点，所述第一发光控制晶体管通过第五节点与电源高电位信号线相连；
所述第二发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的第一端连接于第三节点，所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点；
所述第二初始化晶体管的栅连接第二扫描信号，所述第二初始化晶体管的第一端连接于第四节点，所述第二初始化晶体管的第二端连接于第一初始化信号；
所述第一电容的第一电容电极连接于所述开关晶体管的栅极，所述第一电容的第二电容电极连接于第一节点；
所述第二电容的第三电容电极连接于第五节点，所述第二电容的第四电容电极连接于第一节点，所述第二电容通过第五节点与电源高电位信号线相连。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括：
衬底；以及
像素驱动电路层，包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路包括第一电容和第二电容；
其中，所述像素驱动电路层包括：依次层叠设置在所述衬底上的第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层以及第四金属层，其中，所述第四金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一半导体层电连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层为氧化物半导体层；
其中，所述第一电容和所述第二电容均有一个电容电极设置在所述第二金属层。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一金属层包括第一电容电极，所述第二金属层包括第二电容电极，或所述第二金属层包括第一电容电极，所述第三金属层包括第二电容电极；所述第一电容电极与所述第二电容电极形成所述第一电容，所述第二电容电极与所述第四金属层电连接。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述第二金属层和所述第二半导体层之间的第一层间介质层、位于所述第二半导体层和所述第三金属层之间的第三绝缘层以及位于所述第三金属层和所述第四金属层之间的第二层间介质层。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层、所述第三绝缘层以及所述第一层间介质层的第一过孔；
其中，所述第四金属层通过所述第一过孔与所述第二电容电极电连接。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层的第一过孔；
其中，所述第四金属层通过所述第一过孔与所述第二电容电极电连接。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述第一半导体层和所述第一金属层之间的第二绝缘层、及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的第三绝缘层；
其中，所述第一金属层还包括第一栅极和第三电容电极，所述第二金属层还包括第四电容电极，所述第三金属层还包括第三栅极，其中，所述第三电容电极和所述第四电容电极形成所述第二电容。
在本申请所提供的显示面板中，所述显示面板还包括与所述第二半导体层同层且间隔设置的第三半导体层，所述第三半导体层与所述第四金属层电连接；
其中，所述第三半导体层在所述衬底上的投影至少部分与所述第一电容电极和所述第二电容电极的重叠区域在所述衬底上的投影重叠。
本申请的有益效果：本申请提出一种7T2C电路结构，通过在衬底上依次层叠设置第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层以及第四金属层，其中，所述第四金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一半导体层电连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层为氧化物半导体层；其中，所述第一金属层包括第一电容电极，所述第二金属层包括第二电容电极，或所述第二金属层包括第一电容电极，所述第三金属层包括第二电容电极；所述第一电容电极与所述第二电容电极形成第一电容，所述第二电容电极与所述第四金属层电连接，从而使显示面板实现低频显示，且具有稳定的显示效果；同时，降低所述像素驱动电路的功耗，避免高频显示下显示面板暗态效果不佳的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中显示面板的像素驱动电路的结构示意图；
图2为现有技术中显示面板的结构示意图；
图3为现有技术中显示面板的各膜层的平面叠加结构示意图；
图4为本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图；
图5为本申请实施例所提供的显示面板的像素驱动电路的结构示意图；
图6为本申请实施例所提供的显示面板的第一种各膜层的平面叠加结构示意图；
图7为本申请实施例所提供的显示面板的第一金属层的第一种平面结构示意图；
图8为本申请实施例所提供的显示面板的第二金属层的第一种平面结构示意图；
图9为本申请实施例所提供的显示面板的第二半导体层和第三半导体层的第一种平面结构示意图；
图10为本申请实施例所提供的显示面板的第三金属层的第一种平面结构示意图；
图11为本申请实施例所提供的显示面板的第四金属层的第一种平面结构示意图；
图12为本申请实施例所提供的显示面板的第五金属层的第一种平面结构示意图；
图13为本申请实施例所提供的显示面板的第二种结构示意图；
图14为本申请实施例所提供的显示面板的第二种各膜层的平面叠加结构示意图；
图15为本申请实施例所提供的显示面板的第一金属层的第二种平面结构示意图；
图16为本申请实施例所提供的显示面板的第二金属层的第二种平面结构示意图；
图17为本申请实施例所提供的显示面板的第二半导体层和第三半导体层的第二种平面结构示意图；
图18为本申请实施例所提供的显示面板的第三金属层的第二种平面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请结合图1-图3，在现有的7T1C电路结构中，所述显示面板包括自下而上层叠设置的衬底10、第一半导体层20、第一金属层30、第二金属层40、第二半导体层51、第三金属层60、第四金属层70以及第五金属层80。
其中，所述第一金属层图案化形成所述第一栅极31和第三电容电极(图中未画出)，所述第二金属层图案化形成所述第四电容电极41，所述第三金属层图案化形成所述第三栅极61，所述第四金属层70图案化形成分别与所述第一半导体层20电连接的第一源极71和第一漏极72、及分别与所述第二半导体层51电连接的第二源极73和第二漏极74。
其中，所述第三电容电极和所述第四电容电极41形成存储电容Cst。
在现有技术中，像素电路中的薄膜晶体管通常低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)工艺形成，而采用LTPS工艺形成的薄膜晶体管的漏电流较大，因此在采用低频显示时易出现闪烁、功耗高等问题，影响显示品质。基于此，本申请实施例提供了一种显示面板，用以降低像素驱动电路的功耗，从而稳定显示面板的显示效果。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请结合图4、图6、图8以及图10，其中，图4为本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图；图6为本申请实施例所提供的显示面板的第一种各膜层的平面叠加结构示意图；图8为本申请实施例所提供的显示面板的第二金属层的第一种平面结构示意图；图10为本申请实施例所提供的显示面板的第三金属层的第一种平面结构示意图。
本实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括衬底10；以及像素驱动电路层(图中未标记)，包括多个像素驱动电路(图中未标记)，每个所述像素驱动电路包括第一电容Cboost和第二电容Cst。
其中，所述像素驱动电路层包括：依次层叠设置在所述衬底10上的第一半导体层20、第一金属层30、第二金属层40、第二半导体层51、第三金属层60以及第四金属层70，其中，所述第四金属层70包括第一源极71、第一漏极72、第二源极73以及第二漏极74，所述第一源极71和所述第一漏极72与所述第一半导体层20电连接，所述第二源极73和所述第二漏极74与所述第二半导体层51电连接，所述第二半导体层51为氧化物半导体层。
其中，所述第一金属层30包括第一电容电极32，所述第二金属层40包括第二电容电极42，或所述第二金属层40包括第一电容电极32，所述第三金属层60包括第二电容电极42；所述第一电容电极32和所述第二电容电极42形成第一电容Cboost，所述第二电容电极42与所述第四金属层70电连接。
进一步地，在本实施例中，所述第一金属层30包括第一电容电极32，所述第二金属层40包括第二电容电极42，所述第一电容电极32和所述第二电容电极42形成所述第一电容Cboost，所述第二电极层43与所述第二漏极74电性连接。
可以理解的是，所述第二电极层43与所述第二漏极74电性连接仅用于举例说明，本实施例对此不做限制。
请结合图4、图6、图7以及图8，在本实施例中，所述第一金属层30还包括第一栅极31和第三电容电极(图中未标出)，所述第二金属层40还包括第四电容电极41，所述第三金属层60还包括第三栅极61，其中，所述第三电容电极和所述第四电容电极41形成所述第二电容Cst。
需要说明的是，在本实施例中，所述第一栅极31和所述第三电容电极可以由同一金属块形成，它们处于同一金属块的不同区域。
所述显示面板还包括位于所述第二金属层40和所述第二半导体层51之间的第一层间介质层110、位于所述第二半导体层51和所述第三金属层60之间的第三绝缘层120以及位于所述第三金属层60和所述第四金属层70之间的第二层间介质层130。
具体地，所述显示面板包括自下而上层叠设置的所述衬底10、所述第一半导体层20、第一绝缘层90、第一栅极31、第二绝缘层100、第四电容电极41、第一层间介质层110、所述第二半导体层51、所述第三绝缘层120、第三栅极61、第二层间介质层130、所述第四金属层70、钝化层140、第一平坦层150以及所述第五金属层80。
需要说明的是，在本实施例中，所述衬底10可以包括刚性衬底或柔性衬底，当衬底10为刚性衬底时，材料可以是金属或玻璃，当衬底10为柔性衬底时，材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂中的至少一种。本申请对衬底10的材料不做限制。
进一步地，所述衬底10为柔性衬底，包括层叠设置的第一柔性衬底、阻隔层、第二柔性衬底以及缓冲层，其中第一柔性衬底和第二柔性衬底的材料可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯以及聚醚砜中的至少一种，阻隔层的材料通常为氧化硅(SiOx)，缓冲层可以包括无机材料，如氮化硅或氧化硅中的至少一种，用来防止衬底10下方的外界杂质渗入至上层的晶体管中，以及改善衬底10与上方膜层间的结合强度。
在本实施例中，所述第一半导体层20的材料包括但不限于多晶硅，所述第二半导体层51的材料包括但不限于氧化物，所述第一半导体层20形成各低温多晶硅晶体管的多晶硅有源层，所述第二半导体层51形成各氧化物晶体管的氧化物有源层，所述第一半导体层20和所述第二半导体层51通过所述第二源极73电连接。
在本实施例中，所述第一金属层30、所述第二金属层40以及所述第三金属层60的材料均可包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。
所述第一栅极31和所述第一电容电极32位于同一膜层，可以在同一工序中制作，所述第四电容电极41和所述第二电容电极42位于同一膜层，也可以在同一工序中制作，两者均能最大化的减少对所述显示面板厚度的影响。
在本实施例中，所述第一绝缘层90、所述第二绝缘层100以及所述第三绝缘层120的材料包括但不限于氧化硅；所述第一层间介质层110和所述第二层间介质层130的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。
此外，所述显示面板还可以包括位于所述第五金属层80上方的第一平坦层150、第二平坦层160、阳极180、像素定义层170、发光功能层190和支撑隔垫柱200。
请结合图4、图6、图8以及图10，在本实施例中，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层130、所述第三绝缘层120以及所述第一层间介质层110的第一过孔1；其中，所述第四金属层70通过所述第一过孔1与所述第二电容电极42电连接。
进一步地，在本实施例中，所述第二源极73或所述第二漏极74穿过所述第一过孔1与所述第二电极层43电性连接，可以理解的是，本实施例对此不做进一步限制。
请结合图4、图6以及图9，所述显示面板还包括与所述第二半导体层51同层且间隔设置的第三半导体层52，所述第三半导体层52与所述第四金属层70电连接；其中，所述第三半导体层52在所述衬底10上的投影至少部分与所述第一电容电极32和所述第二电容电极42的重叠区域在所述衬底10上的投影重叠。
具体地，所述第三半导体层52通过所述第二源极73或所述第二漏极74与所述第二半导体层51电连接，可以理解的是，本实施例对此不做进一步限制。
在本实施例中，所述第三半导体层52的材料包括氧化物，所述第三半导体层52和所述第二半导体层51由同一氧化物形成。
进一步地，请结合图4、图6、图9以及图10，在本实施例中，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层130和所述第三绝缘层120的第二过孔2；其中，所述第四金属层70通过所述第二过孔2与所述第三半导体层52电性连接。
进一步地，在本实施例中，所述第二源极73或所述第二漏极74穿过所述第二过孔2与所述第三半导体层52电性连接，可以理解的是，本实施例对此不做进一步限制。
本实施例通过在所述第二电极层43上制备所述第三半导体层52，使得构成所述第一电容Cboost的所述第二电极层43具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积，从而提升了所述第一电容Cboos的电容值，即提供了小尺寸大容量的电容器结构。
请结合图3～图12，在本实施例中，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件D1和驱动所述发光器件D1发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：
第一初始化晶体管T4、开关晶体管T2、驱动晶体管T1、补偿晶体管T3、第二初始化晶体管T7、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、所述第一电容Cboost以及所述第二电容Cst。
其中，所述驱动晶体管T1的栅极连接于第一节点Q(N)(M)，所述驱动晶体管T1的第一端连接于第三节点B，所述驱动晶体管T1的第二端连接于第二节点A。
所述开关晶体管T2的栅极连接第二扫描信号Scan2，所述开关晶体管T2的第一端连接数据信号Data，所述开关晶体管T2的第二端连接于第二节点A。
所述补偿晶体管T3的栅极连接第二扫描信号Scan2，所述补偿晶体管T3的第一端连接于第三节点B，所述补偿晶体管T3的第二端连接于第一节点Q(N)(M)。
所述第一初始化晶体管T4的栅连接第一扫描信号Scan1，所述第一初始化晶体管T4的第一端连接第二初始化信号VI2，所述第一初始化晶体管T4的第二端连接于第一节点Q(N)(M)。
所述第一发光控制晶体管T5的栅极连接发光控制信号EM，所述第一发光控制晶体管T5的第一端连接于第五节点D，所述第一发光控制晶体管T5的第二端连接于第二节点A，所述第一发光控制晶体管T5通过第五节点D与电源高电位信号线Vdd相连。
所述第二发光控制晶体管T6的栅极连接发光控制信号EM，所述第二发光控制晶体管T6的第一端连接于第三节点B，所述第二发光控制晶体管T6的第二端连接于第四节点C。
所述第二初始化晶体管T7的栅连接第二扫描信号Scan2，所述第二初始化晶体管T7的第一端连接于第四节点C，所述第二初始化晶体管T7的第二端连接于第一初始化信号VI。
所述第一电容Cboost的第一电容电极32连接于所述开关晶体管T2的栅极，所述第一电容Cboost的第二电容电极42连接于第一节点Q(N)(M)。
所述第二电容Cst的第三电容电极连接于第五节点D，所述第二电容Cst的第四电容电极41连接于第一节点Q(N)(M)，所述第二电容Cst通过第五节点D与电源高电位信号线Vdd相连。
进一步地，在本实施例中，所述补偿晶体管T3、所述第一初始化晶体管T4和所述第二初始化晶体管T7为氧化物晶体管，所述开关晶体管T2、所述驱动晶体管T1、所述第一发光控制晶体管T5和所述第二发光控制晶体管T6为低温多晶硅晶体管。
请结合图4、图6、图7、图8、图9、图10以及图11，在本实施例中，所述补偿晶体管T3包括层叠设置于所述衬底10上的所述第四电容电极41、所述第一层间介质层110、所述第二半导体层51、所述第三绝缘层120、所述第三栅极61、所述第二层间介质层130以及所述第四金属层70；所述显示面板内还设置有穿过所述第二层间介质层130和所述第三绝缘层120的第三过孔3，所述第四金属层70穿过所述第三过孔3与所述第二半导体层51电连接；其中，所述第一过孔1到所述补偿晶体管T3的所述第二半导体层51的距离与所述第三过孔3到所述补偿晶体管T3的所述第二半导体层51的距离相等，从而可以明显提升所述补偿晶体管T3的电学性能，当所述补偿晶体管T3开启时，能够更加稳定的工作。
本实施例通过在衬底10上依次层叠设置第一半导体层20、第一金属层30、
第二金属层40、第二半导体层51、第三金属层60以及第四金属层70，其中，所述第四金属层70包括第一源极71、第一漏极72、第二源极73以及第二漏极74，所述第一源极71和所述第一漏极72与所述第一半导体层20电连接，所述第二源极73和所述第二漏极74与所述第二半导体层51电连接，所述第二半导体层51为氧化物半导体层；其中，所述第一金属层30包括第一电容电极32，所述第二金属层40包括第二电容电极42；所述第一电容电极32与所述第二电容电极42形成第一电容Cboost，所述第二电容电极42与所述第四金属层70电连接，从而使显示面板实现低频显示，且具有稳定的显示效果；同时降低所述像素驱动电路的功耗，避免高频显示下显示面板暗态效果不佳的问题。
请参阅图13，本申请实施例所提供的显示面板的第二种结构示意图。
在本实施例中，所述显示面板的第二种结构示意图与上述实施例一所提供的所述显示面板的第一种结构示意图相似/相同，具体请参照上述实施例一中关于所述显示面板的第一种结构示意图的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述第二金属层40包括第一电容电极32，所述第三金属层60包括第二电容电极42；所述第一电容电极32和所述第二电容电极42形成第一电容Cboost，所述第二电容电极42与所述第四金属层70电连接。
进一步地，所述第二电极层43与所述第二漏极74电性连接。
在本实施例中，所述第一金属层30还包括第一栅极31，所述第二金属层40还包括第四电容电极41，所述第三金属层60还包括第三栅极61。
本实施例通过在所述显示面板内，设置有相对的第一电容电极32和第二电极层43，所述第一电容电极32与所述第四电容电极41同层设置，所述第二电极层43与所述第三栅极61同层设置，所述第一电容电极32和所述第二电极层43形成所述第一电容Cboost，从而使显示面板实现低频显示，且具有稳定的显示效果。
请结合图13、图14以及图18，在本实施例中，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层130的第一过孔1；其中，所述第四金属层70通过所述第一过孔1与所述第二电容电极42电连接。
进一步地，在本实施例中，所述第二源极73或所述第二漏极74穿过所述第一过孔1与所述第二电极层43电性连接，可以理解的是，本实施例对此不做进一步限制。
请结合图13、图14以及图17，在本实施例中，本实施例通过在所述第二电极层43上制备所述第三半导体层52，使得构成所述第一电容Cboost的所述第一电容电极32具备立体结构，因此可使得电容器结构在同等芯片面积下，增加了电容表面积，从而提升了所述第一电容Cboost的电容值，即提供了小尺寸大容量的电容器结构。
进一步地，请结合图13、图14以及图17，在本实施例中，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层130的第二过孔2；其中，所述第四金属层70通过所述第二过孔2与所述第三半导体层52电性连接。
进一步地，在本实施例中，所述第二源极73或所述第二漏极74穿过所述第二过孔2与所述第三半导体层52电性连接，可以理解的是，本实施例对此不做进一步限制。
请结合图13、图14、图15以及图16，在本实施例中，所述第一金属层30还包括第一栅极31和第三电容电极(图中未标出)，所述第二金属层40还包括第四电容电极41，所述第三金属层60还包括第三栅极61，其中，所述第三电容电极和所述第四电容电极41形成所述第二电容Cst。
需要说明的是，在本实施例中，所述第一栅极31和所述第三电容电极可以由同一金属块形成，它们处于同一金属块的不同区域。
实施例二
请结合图4和图5，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件D1发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：
第一初始化晶体管T4，用于在第一扫描信号Scan1的控制下，向第一节点Q(N)(M)输入第二初始化信号VI2。
开关晶体管T2，用于在第二扫描信号Scan2的控制下，向第二节点A输入数据信号Data。
驱动晶体管T1，用于在第一节点Q(N)(M)和第二节点A电位的控制下，驱动所述发光器件D1发光。
补偿晶体管T3，通过第一节点Q(N)(M)和第三节点B与所述驱动晶体管T1相连，用于在第三扫描信号Scan2的控制下，补偿所述驱动晶体管T1的阈值电压；
第二初始化晶体管T7，用于在第二扫描信号Scan2的控制下，向所述发光器件D1阳极输入第一初始化信号VI1。
第一发光控制晶体管T5，通过第二节点A与所述驱动晶体管T1相连，用于在发光控制信号EM的控制下，导通电源高电位信号线流向所述驱动晶体管T1的电流。
第二发光控制晶体管T6，通过第三节点B与所述驱动晶体管T1相连，用于在发光控制信号EM的控制下，导通所述驱动晶体管T1流向所述发光器件D1阳极的电流；
第一电容Cboost，耦接于第一节点Q(N)(M)和所述开关晶体管T2的栅极之间，用于降低第一节点Q(N)(M)的电位。
第二电容Cst，通过第一节点Q(N)(M)与所述驱动晶体管T1相连，通过第四节点C与电源高电位信号线Vdd相连，用于存储数据信号。
其中，所述第一电容Cboost包括相对设置的第一电容电极32和第二电容电极42，所述第一电容电极32与所述开关晶体管T2的栅极电性连接，所述第二电容电极42通过第一节点Q(N)(M)与所述第一初始化晶体管T4电性连接，其中，所述开关晶体管T2为低温多晶硅晶体管，所述第一初始化晶体管T4为氧化物晶体管。
在本实施例中，所述驱动晶体管T1的栅极连接于第一节点Q(N)(M)，所述驱动晶体管T1的第一端连接于第三节点B，所述驱动晶体管T1的第二端连接于第二节点A。
所述开关晶体管T2的栅极连接第二扫描信号Scan2，所述开关晶体管T2的第一端连接数据信号Data，所述开关晶体管T2的第二端连接于第二节点A。
所述补偿晶体管T3的栅极连接第二扫描信号Scan2，所述补偿晶体管T3的第一端连接于第三节点B，所述补偿晶体管T3的第二端连接于第一节点Q(N)(M)。
所述第一初始化晶体管T4的栅连接第一扫描信号Scan1，所述第一初始化晶体管T4的第一端连接第二初始化信号VI2，所述第一初始化晶体管T4的第二端连接于第一节点Q(N)(M)。
所述第一发光控制晶体管T5的栅极连接发光控制信号EM，所述第一发光控制晶体管T5的第一端连接于第五节点D，所述第一发光控制晶体管T5的第二端连接于第二节点A，所述第一发光控制晶体管T5通过第五节点D与电源高电位信号线Vdd相连。
所述第二发光控制晶体管T6的栅极连接发光控制信号EM，所述第二发光控制晶体管T6的第一端连接于第三节点B，所述第二发光控制晶体管T6的第二端连接于第四节点C。
所述第二初始化晶体管T7的栅连接第二扫描信号Scan2，所述第二初始化晶体管T7的第一端连接于第四节点C，所述第二初始化晶体管T7的第二端连接于第一初始化信号VI。
所述第一电容Cboost的第一电容电极32连接于所述开关晶体管T2的栅极，所述第一电容Cboost的第二电容电极42连接于第一节点Q(N)(M)。
所述第二电容Cst的第三电容电极连接于第五节点D，所述第二电容Cst的第四电容电极41连接于第一节点Q(N)(M)，所述第二电容Cst通过第五节点D与电源高电位信号线Vdd相连。
进一步地，在本实施例中，所述补偿晶体管T3、所述第一初始化晶体管T4和所述第二初始化晶体管T7为氧化物晶体管，所述开关晶体管T2、所述驱动晶体管T1、所述第一发光控制晶体管T5和所述第二发光控制晶体管T6为低温多晶硅晶体管。
进一步地，本实施例提供一种如前述任一实施例所述的显示面板，具有与前述显示面板相同的技术效果，在此不再赘述。
本申请提供一种显示面板。所述显示面板包括衬底；以及依次层叠设置在所述衬底上的第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层以及第四金属层，其中，所述第四金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一半导体层电连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层为氧化物半导体层；其中，所述第一金属层包括第一电容电极，所述第二金属层包括第二电容电极，所述第一电容电极与所述第二电容电极形成第一电容，所述第二电容电极与所述第四金属层电连接，从而可以实现低频显示，同时降低像素驱动电路的功耗。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；以及
像素驱动电路层，包括多个像素驱动电路，每个所述像素驱动电路包括第一电容和第二电容；
其中，所述像素驱动电路层包括：依次层叠设置在所述衬底上的第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层以及第四金属层，其中，所述第四金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一半导体层电连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层为氧化物半导体层；
其中，所述第一电容和所述第二电容均有一个电容电极设置在所述第二金属层，其中，所述第一金属层包括第一电容电极，所述第二金属层包括第二电容电极，或所述第二金属层包括第一电容电极，所述第三金属层包括第二电容电极；所述第一电容电极与所述第二电容电极形成所述第一电容，所述第二电容电极与所述第四金属层电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第二金属层和所述第二半导体层之间的第一层间介质层、位于所述第二半导体层和所述第三金属层之间的第三绝缘层以及位于所述第三金属层和所述第四金属层之间的第二层间介质层。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层、所述第三绝缘层以及所述第一层间介质层的第一过孔；
其中，所述第四金属层通过所述第一过孔与所述第二电容电极电连接。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层的第一过孔；
其中，所述第四金属层通过所述第一过孔与所述第二电容电极电连接。
5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一半导体层和所述第一金属层之间的第一绝缘层、及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的第二绝缘层；
其中，所述第一金属层还包括第一栅极和第三电容电极，所述第二金属层还包括第四电容电极，所述第三金属层还包括第三栅极，其中，所述第三电容电极和所述第四电容电极形成所述第二电容。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述第二半导体层同层且间隔设置的第三半导体层，所述第三半导体层与所述第四金属层电连接；
其中，所述第三半导体层在所述衬底上的投影至少部分与所述第一电容电极和所述第二电容电极的重叠区域在所述衬底上的投影重叠。
7.如权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管、开关晶体管、驱动晶体管、补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、所述第一电容以及所述第二电容；
其中，所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点；
所述开关晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述开关晶体管的第一端连接数据信号，所述开关晶体管的第二端连接于第二节点；
所述补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述补偿晶体管的第一端连接于第三节点，所述补偿晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一初始化晶体管的栅连接第一扫描信号，所述第一初始化晶体管的第一端连接第二初始化信号，所述第一初始化晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第五节点，所述第一发光控制晶体管的第二端连接于第二节点，所述第一发光控制晶体管通过第五节点与电源高电位信号线相连；
所述第二发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的第一端连接于第三节点，所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点；
所述第二初始化晶体管的栅连接第二扫描信号，所述第二初始化晶体管的第一端连接于第四节点，所述第二初始化晶体管的第二端连接于第一初始化信号；
所述第一电容的第一电容电极连接于所述开关晶体管的栅极，所述第一电容的第二电容电极连接于第一节点；
所述第二电容的第三电容电极连接于第五节点，所述第二电容的第四电容电极连接于第一节点，所述第二电容通过第五节点与电源高电位信号线相连。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：
第一初始化晶体管，用于在第一扫描信号的控制下，向第一节点输入第二初始化信号；
开关晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向第二节点输入数据信号；
驱动晶体管，用于在第一节点和第二节点电位的控制下，驱动所述发光器件发光；
补偿晶体管，通过第一节点和第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在第三扫描信号的控制下，补偿所述驱动晶体管的阈值电压；
第二初始化晶体管，用于在第二扫描信号的控制下，向所述发光器件阳极输入第一初始化信号；
第一发光控制晶体管，通过第二节点与所述驱动晶体管相连，用于在发光控制信号的控制下，导通电源高电位信号线流向所述驱动晶体管的电流；
第二发光控制晶体管，通过第三节点与所述驱动晶体管相连，用于在发光控制信号的控制下，导通所述驱动晶体管流向所述发光器件阳极的电流；
第一电容，耦接于第一节点和所述开关晶体管的栅极之间，用于降低第一节点的电位；
第二电容，通过第一节点与所述驱动晶体管相连，通过第四节点与电源高电位信号线相连，用于存储数据信号；
其中，所述第一电容包括相对设置的第一电容电极和第二电容电极，所述第一电容电极与所述开关晶体管的栅极电性连接，所述第二电容电极通过第一节点与所述第一初始化晶体管电性连接，其中，所述开关晶体管为低温多晶硅晶体管，所述第一初始化晶体管为氧化物晶体管；
其中，所述显示面板还包括衬底和设置于所述衬底上的像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括多个所述像素驱动电路；
其中，所述像素驱动电路层包括：依次层叠设置在所述衬底上的第一半导体层、第一金属层、第二金属层、第二半导体层、第三金属层以及第四金属层，其中，所述第四金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一半导体层电连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二半导体层电连接，所述第二半导体层为氧化物半导体层；
其中，所述第一电容和所述第二电容均有一个电容电极设置在所述第二金属层，其中，所述第一金属层包括所述第一电容电极，所述第二金属层包括所述第二电容电极，或所述第二金属层包括所述第一电容电极，所述第三金属层包括所述第二电容电极；所述第一电容电极与所述第二电容电极形成所述第一电容，所述第二电容电极与所述第四金属层电连接。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点；
所述开关晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述开关晶体管的第一端连接数据信号，所述开关晶体管的第二端连接于第二节点；
所述补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号，所述补偿晶体管的第一端连接于第三节点，所述补偿晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一初始化晶体管的栅连接第一扫描信号，所述第一初始化晶体管的第一端连接第二初始化信号，所述第一初始化晶体管的第二端连接于第一节点；
所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第五节点，所述第一发光控制晶体管的第二端连接于第二节点，所述第一发光控制晶体管通过第五节点与电源高电位信号线相连；
所述第二发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的第一端连接于第三节点，所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点；
所述第二初始化晶体管的栅连接第二扫描信号，所述第二初始化晶体管的第一端连接于第四节点，所述第二初始化晶体管的第二端连接于第一初始化信号；
所述第一电容的第一电容电极连接于所述开关晶体管的栅极，所述第一电容的第二电容电极连接于第一节点；
所述第二电容的第三电容电极连接于第五节点，所述第二电容的第四电容电极连接于第一节点，所述第二电容通过第五节点与电源高电位信号线相连。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第二金属层和所述第二半导体层之间的第一层间介质层、位于所述第二半导体层和所述第三金属层之间的第三绝缘层以及位于所述第三金属层和所述第四金属层之间的第二层间介质层。
11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层、所述第三绝缘层以及所述第一层间介质层的第一过孔；
其中，所述第四金属层通过所述第一过孔与所述第二电容电极电连接。
12.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板设置有穿过所述第二层间介质层的第一过孔；
其中，所述第四金属层通过所述第一过孔与所述第二电容电极电连接。
13.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一半导体层和所述第一金属层之间的第二绝缘层、及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的第三绝缘层；
其中，所述第一金属层还包括第一栅极和第三电容电极，所述第二金属层还包括第四电容电极，所述第三金属层还包括第三栅极，其中，所述第三电容电极和所述第四电容电极形成所述第二电容。
14.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述第二半导体层同层且间隔设置的第三半导体层，所述第三半导体层与所述第四金属层电连接；
其中，所述第三半导体层在所述衬底上的投影至少部分与所述第一电容电极和所述第二电容电极的重叠区域在所述衬底上的投影重叠。
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