CN107210274A - 密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置 - Google Patents
密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107210274A CN107210274A CN201680009781.8A CN201680009781A CN107210274A CN 107210274 A CN107210274 A CN 107210274A CN 201680009781 A CN201680009781 A CN 201680009781A CN 107210274 A CN107210274 A CN 107210274A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- composition
- film
- sealing
- epoxy resin
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
- C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L9/00—Compositions of homopolymers or copolymers of conjugated diene hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/16—Applications used for films
- C08L2203/162—Applications used for films sealable films
Abstract
本发明的密封用膜含有:(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)选自由丁二烯系橡胶和有机硅系橡胶组成的组中的一种以上弹性体、以及(D)无机填充材,(C)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准为0.5~7.0质量%。
Description
技术领域
本发明涉及密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置。
背景技术
伴随着电子设备的轻薄短小化,半导体装置的小型化和薄型化正在推进。例如,与半导体元件几乎相同大小的半导体装置的形态、以及在半导体装置上堆叠半导体装置的堆叠式封装(package on package)这样的安装形态也盛行。因此,今后,预测半导体装置的小型化和薄型化会进一步推进。
在实现半导体装置的小型化和薄型化方面也存在课题。例如,如果半导体元件的微细化继续进展,端子数增加,则变得难以在半导体元件上设置全部的外部连接用端子。在勉强设置外部连接用端子的情况下,端子间的间距变窄,并且端子的高度变低,安装半导体装置后的连接可靠性的确保变得困难。
因此近年来,提出了新的安装方式。例如,下述专利文献1~3中公开了如下的安装方法及使用该方法制作的半导体装置,该安装方法具备:将由半导体晶片制作并被单片化的半导体元件以具有适度的间隔的方式重新配置之后,使用固体或液态的密封树脂将它们密封的工序。在该方式中,对于密封了多个半导体元件的密封成型物,实施用于配置外部连接用端子的配线和外部连接用端子的形成等工序,因此重新配置的半导体元件越多,则在一次工序中能够制作的半导体装置越增加。
因此,进行了增大密封成型物的研究。目前,由于在配线形成时使用半导体制造装置,因此实现了成型为晶片形状的密封成型物的大径化。作为其它形状,还研究了密封成型物的面板化,其能够更加进行大张化,且能够使用比半导体制造装置便宜的印刷配线板制造装置等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第3616615号公报
专利文献2:日本特开2001-244372号公报
专利文献3:日本特开2001-127095号公报
发明内容
发明所要解决的课题
重新配置的半导体元件的密封使用通过模具将液态或固体的树脂密封材进行成型的模塑成型。以往,使用通过使颗粒状的树脂密封材熔融并在模具内注入密封树脂来密封的传递模塑成型。然而,传递模塑成型中,由于注入熔融的树脂来成型,因此在要对大面积进行密封的情况下,有可能产生未填充部。
作为其它成型方法,有预先对模具或被密封体供给树脂密封材后进行成型的压缩模塑成型。在压缩模塑成型中,由于向被密封体或模具直接供给密封材,因此有即使是大面积的密封也不易产生未填充部的优点。然而,即使是该成型方法,在被密封体大型化的情况下,液态树脂密封材也会产生液流等,易于变得难以向被密封体上均匀供给。另一方面,担心颗粒状的固体树脂密封材难以均匀地供给至被密封体上,颗粒和粉体的树脂密封材会成为发尘源而污染装置和洁净室。
另一方面,也有伴随模具的大型化而产生的问题。大型化的模具由于要求高的模具精度,因此在技术方面的难度上升,并且还有制造成本大幅度增加的课题。
鉴于上述情况,本发明人等研究了将膜状的密封树脂进行层压或压制,作为也能够应对不需要模具的密封成型方法,发尘的担心少,并且还可期待将上述密封成型物面板化的密封方法。在使用膜状的密封树脂的情况下,将配置于临时固定材上的半导体元件用密封树脂密封之后,将密封成型物从临时固定材剥离,使其固化后,进入再配线层形成工艺。此时,如果固化后的固化体翘曲则不能水平地形成再配线层,因此进行使固化体吸附于吸附机并使其水平的操作。但是,如果该翘曲大,则固化体未充分地吸附于吸附机,有难以形成再配线层的倾向。
本发明的目的在于提供一种能够良好地密封半导体元件等电子部件并且能够形成翘曲量被充分抑制的固化体的密封用膜、以及使用该密封用膜的电子部件。
用于解决课题的方法
本发明人等通过提高膜中的填料含有率,从而使密封用膜的CTE(热膨胀系数)接近于半导体芯片的CTE,尝试了低翘曲化。然而,由于提高了填料含有率,因此流动性恶化,产生了树脂的流痕产生以及未填充部分产生这样的其它课题。因此,本发明人等基于在将密封后的成型物固化的过程中所产生的应力和固化收缩量会对固化后的翘曲产生影响这样的推定,对于应力缓和成分的配合与密封成型物的固化体的翘曲量的关系进行了研究。而且,本发明人等发现,通过配合有特定量的特定弹性体成分的密封用膜而密封了硅片的密封体即使在固化后翘曲量也足够小,基于这样的认识,完成了本发明。
即,本发明提供一种密封用膜,其含有:(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)选自由丁二烯系橡胶和有机硅系橡胶组成的组中的一种以上弹性体、以及(D)无机填充材,(C)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准为0.5~7.0质量%。
根据本发明的密封用膜,能够良好地密封半导体元件等电子部件,并且能够形成翘曲量被充分抑制的固化体,能够形成接下来的再配线层。
本发明的密封用膜中,以上述(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准,可以含有大于或等于5质量%的25℃时为液态的环氧树脂作为上述(A)成分。在该情况下,能够进一步抑制固化体的翘曲。
本发明的密封用膜可以进一步含有(E)固化促进剂。
本发明的密封用膜中,以密封用膜的总质量为基准,可以含有0.2~1.5质量%的(F)有机溶剂。在有机溶剂的含量处于上述范围的情况下,能够抑制密封用膜产生破裂和气泡,能够获得更良好的包埋性。
本发明的密封用膜中,上述(D)成分的含量以上述(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准可以大于或等于65质量%。在(D)成分的含量处于上述范围的情况下,能够减小密封用膜与被密封体的热膨胀率之差,可以进一步减小固化体的翘曲。
本发明的密封用膜中可以将膜的厚度设为50~250μm。
本发明还提供一种电子部件装置,其具备电子部件、以及密封该电子部件的上述密封用膜的固化体。
发明的效果
根据本发明,可以提供能够良好地密封半导体元件等电子部件并且能够形成翘曲量被充分抑制的固化体的密封用膜、以及使用该密封用膜的电子部件。
附图说明
图1为用于说明电子部件装置的制造方法的一个实施方式的截面示意图。
图2为表示硅片的配置例的图。
具体实施方式
以下,对于用于实施本发明的方式(以下,称为“本实施方式”。)进行详细说明。另外,本发明不限定于以下实施方式。
本实施方式的密封用膜含有(A)环氧树脂(以下有时也称为(A)成分。)、(B)固化剂(以下有时也称为(B)成分。)、(C)选自由丁二烯系橡胶和有机硅系橡胶组成的组中的一种以上弹性体(以下有时也称为(C)成分。)、以及(D)无机填充材(以下有时也称为(D)成分。),(C)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准为0.5~7.0质量%。此外,本实施方式的密封用树脂膜可以进一步含有(E)固化促进剂(以下有时也称为(E)成分。)。在密封用树脂膜含有(E)成分的情况下,(C)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分和(E)成分的总质量为基准可以为0.5~7.0质量%。
(A)环氧树脂
作为(A)环氧树脂,只要是一分子中具有两个以上缩水甘油基的环氧树脂,就可以没有特别限制地使用。作为(A)成分,例如,可列举双酚A型环氧树脂、双酚AP型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、双酚B型环氧树脂、双酚BP型环氧树脂、双酚C型环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚G型环氧树脂、双酚M型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚P型环氧树脂、双酚PH型环氧树脂、双酚TMC型环氧树脂、双酚Z型环氧树脂、己二醇双酚S二缩水甘油醚等双酚S型环氧树脂、酚醛清漆苯酚型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、联二甲苯酚二缩水甘油醚等联二甲苯酚型环氧树脂、氢化双酚A缩水甘油醚等氢化双酚A型环氧树脂、以及它们的二元酸改性二缩水甘油醚型环氧树脂、脂肪族环氧树脂等。(A)成分可以单独使用一种,也可以并用两种以上。
(A)成分还可以使用市售的环氧树脂。作为市售的环氧树脂,例如,可列举DIC株式会社制的商品名:EXA4700(4官能萘型环氧树脂)、日本化药株式会社制的商品名:NC-7000(含有萘骨架的多官能固体环氧树脂)等萘型环氧树脂;日本化药株式会社制的商品名:EPPN-502H(三苯酚环氧树脂)等酚类与具有酚羟基的芳香醛的缩合物的环氧化物(三苯酚型环氧树脂);DIC株式会社制的商品名:EPICLON HP-7200H(含有二环戊二烯骨架的多官能固体环氧树脂)等二环戊二烯芳烷基型环氧树脂;日本化药株式会社制的商品名:NC-3000H(含有联苯骨架的多官能固体环氧树脂)等联苯芳烷基型环氧树脂;DIC株式会社制的商品名:EPICLON N660、EPICLON N690,日本化药株式会社制的商品名:EOCN-104S等酚醛清漆型环氧树脂;日产化学工业株式会社制的商品名:TEPIC等三(2,3-环氧丙基)异氰脲酸酯,DIC株式会社制的商品名:EPICLON 860、EPICLON 900-IM、EPICLON EXA-4816、EPICLON EXA-4822,旭汽巴株式会社制的商品名:Araldite AER280,东都化成株式会社制的商品名:EPOTOHTO YD-134,三菱化学株式会社制的商品名:JER834、JER872,住友化学株式会社制的商品名:ELA-134,三菱化学株式会社制的商品名:EPIKOTE 807、815、825、827、828、834、1001、1004、1007、1009,陶氏化学公司制的商品名:DER-330、301、361,东都化成株式会社制的商品名:YD8125、YDF8170等双酚A型环氧树脂;三菱化学株式会社制的商品名:JER806等双酚F型环氧树脂;DIC株式会社制的商品名:EPICLON HP-4032等萘型环氧树脂;DIC株式会社制的商品名:EPICLON HP-4032等萘型环氧树脂;DIC株式会社制的商品名:EPICLON N-740等苯酚酚醛清漆型环氧树脂、Nagase Chemtex株式会社制的商品名:Denacol DLC301等脂肪族环氧树脂等。这些环氧树脂可以单独使用一种,也可以并用两种以上。
作为(A)成分,可以使用25℃时为液态的环氧树脂。作为液态的环氧树脂,只要是在25℃时显示液态的环氧树脂,就没有特别限定。作为液态的环氧树脂,例如,可列举双酚A系、双酚F系、联苯系、酚醛清漆系、二环戊二烯系、多官能苯酚系、萘系、芳烷基改性系、脂环式系和醇系等缩水甘油醚、缩水甘油胺系、以及缩水甘油酯系树脂。它们可以单独使用一种,也可以并用两种以上。作为液态的环氧树脂,在上述树脂中,从赋予操作性的观点出发,可以为双酚F型环氧树脂。
在本说明书中,所谓25℃时为液态的环氧树脂,是指利用E型粘度计或B型粘度计测定的25℃时的粘度小于或等于400Pa·s的环氧树脂。
从对密封用膜赋予良好的操作性的观点出发,(A)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准可以为5~20质量%,也可以为5~15质量%,也可以为6~11质量%。此外,在密封用树脂膜含有(E)成分的情况下,从对密封用膜赋予良好的操作性的观点出发,(A)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分和(E)成分的总质量为基准可以为5~20质量%,也可以为5~15质量%,也可以为6~11质量%。
在本实施方式的密封用膜含有25℃时为液态的环氧树脂的情况下,从对密封用膜赋予良好的操作性的观点出发,其含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准可以大于或等于5质量%,也可以大于或等于6质量%。另一方面,从抑制膜表面的过度发粘这样的观点出发,25℃时为液态的环氧树脂的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准可以小于或等于20质量%,也可以小于或等于15质量%,也可以小于或等于11质量%。此外,在密封用树脂膜含有(E)成分的情况下,从对密封用膜赋予良好的操作性的观点出发,25℃时为液态的环氧树脂的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分和(E)成分的总质量为基准可以大于或等于5质量%,也可以大于或等于6质量%。另一方面,从抑制膜表面的过度发粘这样的观点出发,25℃时为液态的环氧树脂的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分和(E)成分的总质量为基准可以小于或等于20质量%,也可以小于或等于15质量%,也可以小于或等于11质量%。
(B)固化剂
作为(B)固化剂,只要是一分子中具有两个以上能够与缩水甘油基反应的官能团的化合物,就可以没有特别限制地使用。作为能够与缩水甘油基反应的官能团,例如,可列举酚羟基、胺、酸酐(邻苯二甲酸酐等)。作为(B)成分,例如,可列举酚醛树脂、酸酐、咪唑化合物、脂肪族胺、脂环族胺。(B)成分可以单独使用一种,也可以并用两种以上。
作为酚醛树脂,只要是一分子中具有两个以上酚羟基的树脂,就可以没有特别限制地使用公知的酚醛树脂。作为酚醛树脂,例如,可列举使苯酚、甲酚、二甲苯酚、间苯二酚、儿茶酚、双酚A、双酚F等苯酚类或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类与甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、水杨醛等醛类在酸性催化剂下缩合或共缩合而得到的树脂,联苯骨架型酚醛树脂,对亚二甲苯基改性酚醛树脂,间亚二甲苯基-对亚二甲苯基改性酚醛树脂、三聚氰胺改性酚醛树脂、萜改性酚醛树脂、二环戊二烯改性酚醛树脂、环戊二烯改性酚醛树脂、多环芳香环改性酚醛树脂、亚二甲苯基改性萘酚树脂。酚醛树脂可以单独使用一种,也可以并用两种以上。
酚醛树脂还可以使用市售的酚醛树脂。作为市售的酚醛树脂,例如,可列举DIC株式会社制的商品名:PHENOLITE LF2882、PHENOLITE LF2822、PHENOLITE TD-2090、PHENOLITE TD-2149、PHENOLITE VH-4150、PHENOLITE VH4170,三井化学株式会社制的商品名:XLC-LL、XLC-4L,新日铁住金化学株式会社制的商品名:SN-100、SN-300、SN-400,AirWater株式会社制的商品名:SK Resin HE910。它们可以单独使用一种,也可以并用两种以上。
从减少未反应的(A)和(B)成分这样的观点出发,(B)成分的含量相对于(A)成分100质量份可以为50~75质量份,也可以为55~60质量份,也可以为60~65质量份。
关于(A)成分和(B)成分的比率,作为(A)成分的缩水甘油基的当量和(B)成分中可以与缩水甘油基反应的官能团的当量的比率(环氧树脂中的缩水甘油基的当量/固化剂中与缩水甘油基反应的官能团的当量),可以为0.7~2.0,也可以为0.8~1.8,也可以为0.9~1.7。在该比率为上述范围的情况下,未反应的(A)成分或(B)成分变少,有使密封用膜固化时易于获得所期望的固化膜物性的倾向。
(C)弹性体
作为(C)弹性体,从分散性、溶解性的观点出发,优选为选自由丁二烯系橡胶和有机硅系橡胶组成的组中的一种以上弹性体。作为这样的(C)成分,例如,可列举苯乙烯丁二烯粒子、有机硅粉末、有机硅低聚物、利用有机硅树脂进行了树脂改性的硅橡胶等。它们可以单独使用一种,也可以并用两种以上。在本实施方式中,优选为含有来源于丁二烯或有机硅的骨架作为嵌段共聚物、或接枝共聚物的核壳型的粒子。
在市售的(C)成分中,还有不是弹性体单体,而是预先分散在液态的环氧树脂中被销售的物质,它们也可以没有问题地使用。作为在液态的环氧树脂中预先分散有弹性体的物质,例如,可列举株式会社Kaneka制的商品名:MX-136、MX-217、MX-267、MX-965等。
(C)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准可以为0.5~7.0质量%,也可以为1.0~6.0质量%以下,也可以为1.0~5.7质量%,也可以为1.0~4.6质量%。如果(C)成分的含量为上述范围,则在将用密封用膜密封半导体元件等电子部件所得到的密封成型物固化时,能够充分地抑制固化体的翘曲,能够形成接下来的再配线层。此外,在密封用树脂膜含有(E)成分的情况下,(C)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分和(E)成分的总质量为基准可以为0.5~7.0质量%,也可以为1.0~6.0质量%以下,也可以为1.0~5.7质量%,也可以为1.0~4.6质量%。如果(C)成分的含量为上述范围,则在将用密封用膜密封半导体元件等电子部件所得到的密封成型物固化时,能够充分地抑制固化体的翘曲,能够形成接下来的再配线层。
在(C)成分为粒子的情况下,其平均粒径可以没有特别限制地使用。在eWLB(embedded wafer level ball grid array,嵌入式晶圆级球栅阵列封装)等用途中,需要将芯片间包埋,因此(C)成分的平均粒径可以小于或等于50μm,也可以小于或等于20μm,也可以小于或等于5.0μm。此外,从分散性的观点出发,(C)成分的平均粒径可以大于或等于0.05μm,也可以大于或等于0.1μm,也可以大于或等于0.5μm,也可以大于或等于1.0μm。
(D)无机填充材
作为(D)无机填充材,可以使用以往公知的无机填充材,不限于特定的无机填充材。作为(D)成分,例如,可列举硫酸钡、钛酸钡、无定形二氧化硅、晶体二氧化硅、熔融二氧化硅、球状二氧化硅、滑石、粘土、碳酸镁、碳酸钙、氧化铝、氢氧化铝、氮化硅、氮化铝。作为(D)成分,从通过表面改性等易于提高在树脂中的分散性以及抑制在清漆中的沉降的方面,此外从因具有较小的热膨胀率而易于获得所期望的固化膜特性的方面考虑,可以是二氧化硅类。
(D)成分可以进行表面改性。表面改性的方法没有特别限定,例如,从表面改性简便,且因官能团的种类丰富而易于赋予所期望的特性的方面考虑,可以是使用硅烷偶联剂的方法。作为硅烷偶联剂,例如,可列举烷基硅烷、烷氧基硅烷、乙烯基硅烷、环氧硅烷、氨基硅烷、丙烯酰基硅烷(acrylic silane)、甲基丙烯酰基硅烷(methacrylic silane)、巯基硅烷、硫化物硅烷、异氰酸酯硅烷、硫硅烷(sulfur silane)、苯乙烯基硅烷、烷基氯硅烷等。
作为硅烷偶联剂,例如,可列举甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、二异丁基二甲氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、正己基三甲氧基硅烷、正己基三乙氧基硅烷、环己基甲基二甲氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、正十二烷基甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、三苯基硅烷醇、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、正辛基二甲基氯硅烷、四乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、双(3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基)二硫化物、双(3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基)四硫化物、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三异丙氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、二烯丙基二甲基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、N-(1,3-二甲基亚丁基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基硅烷等。它们可以单独使用一种,也可以并用两种以上。
(D)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准可以为65~95质量%,也可以为75~90质量%,也可以为80~90质量%。在(D)成分的含量大于或等于65质量%的情况下,能够有效地降低密封用膜的热膨胀率,有半导体装置或电子部件装置的翘曲变小的倾向。在(D)成分的含量小于或等于95质量%的情况下,有能够抑制在涂覆时的干燥工序中密封用膜破裂或密封用膜的熔融粘度上升的倾向。在(D)成分的含量小于或等于90质量%的情况下,该倾向进一步增强。此外,从减少密封用膜与被密封体的热膨胀率之差,使固化体的翘曲更小的观点出发,(D)成分的含量可以大于或等于65质量%,也可以大于或等于70质量%,也可以大于或等于80质量%。此外,在密封用树脂膜含有(E)成分的情况下,(D)成分的含量以(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分和(E)成分的总质量为基准可以为65~95质量%,也可以为75~90质量%,也可以为80~90质量%。在(D)成分的含量大于或等于65质量%的情况下,能够有效地降低密封用膜的热膨胀率,有半导体装置或电子部件装置的翘曲变小的倾向。在(D)成分的含量小于或等于95质量%的情况下,有能够抑制在涂覆时的干燥工序中密封用膜破裂或密封用膜的熔融粘度上升的倾向。在(D)成分的含量小于或等于90质量%的情况下,该倾向进一步增强。此外,从减少密封用膜与被密封体的热膨胀率之差,使固化体的翘曲更小的观点出发,(D)成分的含量可以大于或等于65质量%,也可以大于或等于70质量%,也可以大于或等于80质量%。
(D)成分的平均粒径可以为0.01~50μm,也可以为0.1~25μm,也可以为0.3~10μm。在平均粒径大于或等于0.01μm的情况下,无机填充材的凝聚被抑制,有无机填充材的分散变得容易的倾向。另一方面,在平均粒径小于或等于50μm的情况下,无机填充材在清漆中的沉降被抑制,有密封用膜的制作变得容易的倾向。所谓平均粒径,是指将粒子的总体积设为100%而求出基于粒径的累积频率分布曲线时相当于体积50%处的粒径,可以通过使用激光衍射散射法的粒度分布测定装置等进行测定。
(E)固化促进剂
本实施方式的密封用膜可以进一步含有(E)固化促进剂。作为(E)固化促进剂,可以没有特别限制地使用,可以为胺系或磷系的固化促进剂。作为胺系的固化促进剂,例如,可列举咪唑化合物、脂肪族胺、芳香族胺、改性胺、聚酰胺树脂等。作为磷系的固化促进剂,例如,可列举氧化膦、磷盐、二膦等有机磷化合物。在这些固化促进剂中,从衍生物丰富,易于获得所期望的活性温度的观点出发,(E)成分可以为咪唑化合物。
(E)成分的含量以(A)成分和(B)成分的总质量为基准可以为0.01~5质量%,也可以为0.1~3质量%,也可以为0.3~1.5质量%。在(E)成分的含量大于或等于0.01质量%的情况下,易于获得充分的固化促进效果。另一方面,在(E)成分的含量小于或等于5质量%的情况下,涂覆时的干燥工序中或保存中的固化进行被抑制,有密封用膜的破裂或伴随熔融粘度的上升而发生的成型不良变少的倾向。
(F)有机溶剂
在本实施方式的密封用膜中,可以进一步含有(F)有机溶剂(以下,有时也称为(F)成分。)。(F)成分可以使用以往公知的有机溶剂。(F)成分优选为可以溶解(D)成分以外的成分的物质,例如,可列举脂肪族烃类、芳香族烃类、萜类、卤素类、酯类、酮类、醇类、醛类。从环境负荷小,易于溶解(A)成分和(B)成分这样的观点出发,(F)成分可以为酯类、酮类、醇类。作为(F)成分,在它们中,从特别易于溶解(A)成分和(B)成分这样的观点出发,可以为酮类。作为酮类,其中,从室温下的挥发少,干燥时易于除去这样的观点出发,可以为丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮。
以密封用膜的总质量为基准,密封用膜所包含的(F)成分的含量可以为0.2~1.5质量%,也可以为0.3~1质量%。在(F)成分的含量以密封用膜的总质量为基准大于或等于0.2质量%的情况下,膜破裂等不良状况被抑制并且最低熔融粘度被抑制为较低,有能够获得良好的包埋性的倾向。另一方面,在(F)成分的含量以密封用膜的总质量为基准小于或等于1.5质量%的情况下,密封用膜的粘着性被抑制,有能够获得良好的膜操作性,并且热固化时不易发生伴随有机溶剂的挥发而产生的发泡等不良状况的倾向。密封用膜所含的(F)成分的含量可以通过本说明书的实施例中使用的方法来算出。
在本实施方式的密封用膜中,在不损害本发明的效果的范围内,可以进一步使用其它添加剂。作为这样的添加剂的具体例,可列举颜料、染料、脱模剂、抗氧化剂、表面张力调节剂等。此外,出于提高上述各成分的分散性、溶解性的目的,可以含有硅油。
本实施方式的密封用膜例如可以如下操作来制造。调制在上述(F)有机溶剂中混合上述(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分、以及根据需要的(E)成分和添加剂所得到的清漆。混合方法没有特别限定,例如,可以使用磨机、混合机、搅拌叶片。(F)成分可以将本实施方式所涉及的(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分溶解或分散而制成清漆,或者可以协助制成清漆。此外,在密封用树脂膜含有(E)成分的情况下,(F)成分可以将本实施方式所涉及的(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分和(E)成分溶解或分散并制成清漆,或者可以协助制成清漆。
将这样操作而制造的清漆涂布于膜状的支撑体之后,通过热风吹送等进行加热干燥。
作为膜状的支撑体,例如,可以使用高分子膜、金属箔等。
作为高分子膜,例如,可列举聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚氯乙烯膜等聚烯烃膜,聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜,聚碳酸酯膜,乙酰纤维素膜,四氟乙烯膜等。作为金属箔,例如,可列举铜和铝等。
膜状的支撑体的厚度没有特别限定,从操作性和干燥性的观点出发,可以为2~200μm。在膜状的支撑体的厚度大于或等于2μm的情况下,有涂覆时断裂、或由于清漆的重量而弯曲的不良状况得以抑制的倾向。在支撑体的厚度小于或等于200μm的情况下,主要是在从涂覆面和背面这两面吹送热风的干燥机中,易于抑制清漆中的溶剂干燥被妨碍的不良状况。
涂布所使用的涂布方法没有特别限定,例如,可以使用缺角轮涂布机、棒涂机、吻合式涂布机(kiss coater)、辊涂机、凹版涂布机、模涂机等涂覆装置。
作为使涂布于支撑体的清漆加热干燥的方法,并没有特别限定,例如,可列举热风吹送等方法。作为加热干燥的条件,例如,可列举在100~140℃加热5~20分钟。
在将涂布的清漆干燥的工序中,除去(F)成分,从而形成本实施方式的密封用膜。另外,在使密封用膜含有(F)成分的情况下,可以以膜中残存的(F)成分成为上述含量的方式使清漆干燥。
本实施方式的密封用膜中膜的厚度可以为50~250μm。此外,也可以层叠多张本实施方式的密封用膜,制造超过250μm的密封用膜。
在形成于膜状的支撑体的密封用膜上,可以形成以保护为目的的层。通过在密封用膜上形成以保护为目的的层,从而具有操作性提高的倾向。在密封用膜上形成以保护为目的的层时,例如,即使在将密封用膜卷绕时,也能够避免密封用膜贴附于膜状的支撑体的背面这样的不良状况。
作为以保护为目的的层,例如,可以使用高分子膜或金属箔。作为高分子膜,例如,可列举聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚氯乙烯膜等聚烯烃膜,聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜,聚碳酸酯膜,乙酰纤维素膜,四氟乙烯膜。作为金属箔,例如,可列举铜或铝。
接下来,对于使用本实施方式的密封用膜的电子部件装置的制造方法进行说明。这里,对于电子部件为半导体元件的情况进行说明。图1为用于说明半导体装置的制造方法的一个实施方式的截面示意图。本实施方式所涉及的方法具备下述工序:使具备支撑体1和设于支撑体1上的密封用膜2的带有支撑体的密封用膜10与在具有临时固定材40的基板30上并排配置的作为被包埋对象的半导体元件20对置,在加热下将密封用膜2按压至半导体元件20,从而将半导体元件20包埋于密封用膜2中的工序(图1(a)和(b));以及使包埋了半导体元件的密封用膜固化的工序(图1(c))。在本实施方式中,通过层压法获得了利用密封用膜密封了半导体元件的密封成型物,并获得了具备包埋在所述密封成型物热固化后的固化物2a中的半导体元件20的电子部件装置,但也可以通过压缩模塑来获得密封成型物。
作为所使用的层压机,没有特别限定,例如,可列举辊式、气囊(balloon)式等的层压机。作为层压机,在它们中,从包埋性的观点出发,可以为能够真空加压的气囊式。
层压温度通常在小于或等于支撑体的软化点进行。层压温度进一步优选为密封用膜的最低熔融粘度附近。层压时的压力根据所包埋的半导体元件或电子部件的尺寸、密集度而不同,可以在0.2~1.5MPa的范围进行,也可以在0.3~1.0MPa的范围进行。层压时间也没有特别限定,可以为20~600秒,也可以为30~300秒,也可以为40~120秒。
固化例如可以在大气气氛下或非活性气体气氛下进行。作为固化温度,没有特别限定,可以为80~280℃,也可以为100~240℃,也可以为120~200℃。如果固化温度大于或等于80℃,则密封用膜的固化充分进行,能够进一步抑制不良状况的发生。在固化温度小于或等于280℃的情况下,有能够进一步抑制对其它材料造成热破坏的倾向。固化时间也没有特别限定,可以为30~600分钟,也可以为45~300分钟,也可以为60~240分钟。如果固化时间为这些范围,则密封用膜的固化充分进行,能够获得更良好的生产效率。此外,固化条件可以组合多个。
以上,对于本发明所涉及的密封用膜和电子部件装置的优选实施方式进行了说明。本发明并不一定限于上述实施方式,可以在不脱离其主旨的范围内进行适当变更。作为半导体元件以外的电子部件,例如,还可以适用于配线板材料用途。
实施例
以下,通过实施例进一步详细地说明本发明,但本发明不受这些实施例的任何限定。
为了制作密封用膜,准备了下述成分。
(A成分:环氧树脂)
环氧树脂A1:双酚F型环氧树脂(三菱化学株式会社制的商品名:Grade806,环氧当量:160,25℃时为液态)
环氧树脂A2:含有萘骨架的多官能固体环氧树脂(DIC株式会社制的商品名:EXA-4750,环氧当量:182)
环氧树脂A3(弹性体C4):含有平均粒径0.1μm的丁二烯弹性体的双酚F型环氧树脂(株式会社Kaneka制的商品名:MX-136,丁二烯弹性体含量25质量%,25℃时为液态)
环氧树脂A4(弹性体C5):含有平均粒径0.2μm的丁二烯弹性体的双酚F型环氧树脂和双酚A型环氧树脂(株式会社Kaneka制的商品名:MX-267,丁二烯弹性体含量37质量%,25℃时为液态)
环氧树脂A5(弹性体C6):含有平均粒径0.1μm的有机硅弹性体的双酚F型环氧树脂和双酚A型环氧树脂(株式会社Kaneka制的商品名:MX-965,有机硅弹性体含量25质量%,25℃时为液态)
环氧树脂A6(弹性体C7):含有平均粒径0.1μm的丁二烯弹性体的苯酚酚醛清漆型环氧树脂(株式会社Kaneka制的商品名:MX-217,丁二烯弹性体含量25质量%,25℃时为液态)
(B成分:固化剂)
固化剂B1:苯酚酚醛清漆(旭有机材工业株式会社制的商品名:PAPS-PN2,酚羟基当量:104)
固化剂B2:萘二酚酚醛清漆(新日铁住金化学株式会社制的商品名:SN-395)
(C成分:弹性体)
弹性体C1:有机硅粉末(信越化学工业株式会社制的商品名:KMP-605,平均粒径2μm)
弹性体C2:有机硅粉末(信越化学工业株式会社制的商品名:KMP-600,平均粒径5μm)
弹性体C3:有机硅粉末(信越化学工业株式会社制的商品名:KMP-602,平均粒径30μm)
(D成分:无机填充材)
无机填充材D1:二氧化硅(电气化学工业株式会社制的商品名:FB-5SDC,苯基氨基硅烷处理,平均粒径5.0μm)
无机填充材D2:二氧化硅(电气化学工业株式会社制的商品名:SFP-20M,苯基氨基硅烷处理,平均粒径0.5μm)
无机填充材D3:二氧化硅(株式会社Admatechs制的商品名:SX-E2,苯基氨基硅烷处理,/平均粒径5.8μm)
(E成分:固化促进剂)
固化促进剂E:咪唑(四国化成工业株式会社制的商品名:2P4MZ)
(F成分:有机溶剂)
有机溶剂F:甲基乙基酮
<密封用膜的制作>
(实施例1)
在10L的聚乙烯容器中加入673.2g的有机溶剂F,在其中添加3962g的无机填充材D3,利用搅拌叶片使无机填充材D3分散。在该分散液中添加:100g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、70g的25℃时不呈液态的环氧树脂A2、180g的含有粒径0.1μm的丁二烯弹性体的双酚F型环氧树脂A3、以及183g的25℃时不呈液态的固化剂B1,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B1溶解之后,在分散液中添加2.1g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,对于膜的厚度为185μm和225μm的密封用膜,以两张密封用膜彼此接触的方式重叠,通过真空加压层压机按照以下条件贴合。
·层压机装置:真空加压层压机(株式会社名机制作所制的商品名MVLP-500)
·层压温度:90℃
·层压压力:0.15MPa
·抽真空时间:10秒
·层压时间:5秒
由此,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(实施例2)
在10L的聚乙烯容器中加入1945g的有机溶剂F,在其中添加9700g的无机填充材D1、1712g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:134g的25℃时不呈液态的环氧树脂A2、1206g的含有粒径0.1μm的丁二烯弹性体的双酚F型环氧树脂A3、106g的有机硅粉末C1、684g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加5.4g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(实施例3)
在10L的聚乙烯容器中加入1217g的有机溶剂F,在其中添加6070g的无机填充材D1、1071g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:808g的含有粒径0.2μm的丁二烯弹性体的双酚F型环氧树脂A4、90g的含有丁二烯弹性体的苯酚酚醛清漆型环氧树脂A6、66g的有机硅粉末C1、369g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加2.7g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(实施例4)
在1L的聚乙烯容器中加入100g的有机溶剂F,在其中添加713g的无机填充材D1、126g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:104g的含有粒径0.1μm的丁二烯弹性体的双酚F型环氧树脂A3、52g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加0.4g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(实施例5)
在1L的聚乙烯容器中加入100g的有机溶剂F,在其中添加713g的无机填充材D1、126g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:34g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、71g的含有粒径0.2μm的丁二烯弹性体的双酚F型环氧树脂A4、52g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加0.4g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的膜状环氧树脂组合物。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(实施例6)
在1L的聚乙烯容器中加入41g的有机溶剂F,在其中添加204g的无机填充材D1、36g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:0.2g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、30g的含有有机硅弹性体的双酚F型环氧树脂和双酚A型环氧树脂(环氧树脂A5)、15g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加0.1g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(实施例7)
在1L的聚乙烯容器中加入100g的有机溶剂F,在其中添加713g的无机填充材D1、126g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:78g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、26g的有机硅粉末C2、53g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加0.3g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(实施例8)
在1L的聚乙烯容器中加入100g的有机溶剂F,在其中添加713g的无机填充材D1、126g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:78g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、26g的有机硅粉末C3、53g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加0.3g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(实施例9)
在1L的聚乙烯容器中加入100g的有机溶剂F,在其中添加713g的无机填充材D1、126g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:78g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、26g的有机硅粉末C1、53g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加0.3g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(比较例1)
在10L的聚乙烯容器中加入406.8g的有机溶剂F,在其中添加2394g的无机填充材D3,利用搅拌叶片使无机填充材D3分散。在该分散液中添加:160g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、40g的25℃时不呈液态的环氧树脂A2、122g的25℃时不呈液态的固化剂B1,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B1溶解之后,在分散液中添加1.2g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(比较例2)
在10L的聚乙烯容器中加入1329.1g的有机溶剂F,在其中添加7821g的无机填充材D3,利用搅拌叶片使无机填充材D3分散。在该分散液中添加:382g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、134g的25℃时不呈液态的环氧树脂A2、111g的含有粒径0.1μm的丁二烯弹性体的双酚F型环氧树脂A3、43g的含有有机硅弹性体的双酚F型环氧树脂和双酚A型环氧树脂(环氧树脂A5)、382g的25℃时不呈液态的固化剂B1,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B1溶解之后,在分散液中添加4.0g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
(比较例3)
在1L的聚乙烯容器中加入100g的有机溶剂F,在其中添加713g的无机填充材D1、126g的D2,利用搅拌叶片使无机填充材D1和D2分散。在该分散液中添加:93g的25℃时呈液态的环氧树脂A1、64g的25℃时不呈液态的固化剂B2,并进行了搅拌。目视确认25℃时不呈液态的固化剂B2溶解之后,在分散液中添加0.4g的固化促进剂E,进一步搅拌1小时。将该分散液用尼龙制#200筛网(开口75μm)过滤,采集滤液,制作清漆状环氧树脂组合物。使用涂覆机,按照以下条件在支撑体(38μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯)上涂布该清漆状环氧树脂组合物,分别制作膜的厚度为185μm、200μm和225μm的密封用膜。
·涂布头方式:缺角轮
·涂布和干燥速度:1m/分钟
·干燥条件(温度/炉长):110℃/3.3m、130℃/3.3m、140℃/3.3m
然后,与实施例1同样地操作,分别准备了膜的厚度为370μm和450μm的密封用膜。
关于实施例和比较例的密封用膜的组成,示于表1中。
另外,密封用膜中的(F)成分的含量如下算出。将所获得的带有支撑体的密封用膜切成5cm见方的试样。将该试样放入预先测定了质量的铝杯中,测定装有试样的铝杯的质量。接着,在铝杯中装有试样的状态下,在180℃的烘箱中加热10分钟,在室温下放置10分钟,然后再次测定装有试样的铝杯的质量。接着,从加热前或加热后的装有试样的铝杯的质量的测定值,减去另行测定的切成5cm见方的支撑体的质量和铝杯的质量,分别求出加热前和加热后的密封用膜的质量。然后,从加热前的密封用膜的质量减去加热后的密封用膜的质量,将所得到的值设为密封用膜所包含的有机溶剂的量。并且,将有机溶剂的量相对于加热前的密封用膜的质量的比例设为有机溶剂的含有率。
[表1]
<评价方法>
(1)使用密封用膜将硅片密封而制成eWLB封装时的固化物的翘曲评价方法
作为密封用膜,使用了将两张厚度为185μm的密封用膜重叠以使厚度为370μm的膜。按照以下的步骤,使用密封用膜,密封SUS板上的厚度350μm的硅片,制作8英寸尺寸的eWLB封装。将采用实施例所示的方法制作的密封用膜切割成直径20cm的圆。将支撑体全部剥离,载置于配置在SUS板上的硅片上,使用压缩模塑装置,按照以下条件密封芯片,制作密封体。图2显示本测定体系中的硅片的配置图。如图2那样,在SUS板50上配置7.3mm见方的硅片60和3mm见方的硅片70。
·压缩模塑装置:Apicyamada株式会社制的商品名WCM-300
·压缩模塑成型温度:140℃
·压缩模塑压力:2.5MPa
·压缩模塑时间:10分钟
将制作的密封体按照以下条件固化,制作固化体。
·烘箱:ESPEC株式会社制的商品名SAFETY OVEN SPH-201
·烘箱温度:140℃
·时间:120分钟
使用以下装置测定所制作的固化体的翘曲量。
·翘曲测定台装置名称:COMS株式会社制的商品名CP-500
·翘曲测定激光装置名称:株式会社基恩士制的商品名LK-030
将固化体表面的中心部设为0(基准点),测定端部的高度作为翘曲量,基于以下评价基准进行了评价。
○:翘曲量≤2.0mm
×:翘曲量>2.0mm
(2)将密封用膜层压于12英寸的硅晶片,并使其固化时的固化物的翘曲评价方法
作为密封用膜,使用了厚度200μm的膜。按照以下的步骤,使用密封用膜,将其层压于厚度为800μm的12英寸尺寸的硅晶片,并使其固化,制作密封体。层压按照以下条件来实施。
·层压机装置:真空加压层压机(株式会社名机制作所制的商品名MVLP-500)
·层压温度:90℃
·层压压力:0.5MPa
·抽真空时间:30秒
·层压时间:40秒
将制作的密封体按照以下条件固化,制作固化体。
·烘箱:ESPEC株式会社制的商品名SAFETY OVEN SPH-201
·烘箱温度:140℃
·时间:120分钟
使用以下装置测定所制作的固化体的翘曲量。
·翘曲测定台装置名称:COMS株式会社制的商品名CP-500
·翘曲测定激光装置名称:株式会社基恩士制的商品名LK-030
将晶片表面的中心部设为0(基准点),测定晶片端部的高度作为翘曲,基于以下评价基准进行了评价。
○:翘曲量≤2.0mm
×:翘曲量>2.0mm
(3)将密封用膜通过压制成型压接于单片化后的硅晶片并使其固化所得的固化体的翘曲评价方法
作为密封用膜,使用了将两张厚度为225μm的密封用膜重叠以使厚度为450μm的膜。将密封用膜切成120mm×10mm的尺寸,载置于切成120mm×10mm的尺寸的厚度725μm的硅晶片上,通过压制成型进行压接,获得了密封体。压制成型按照以下条件来实施。
·压接装置:株式会社MASADA制作所制的商品名MH-50Y
·压接温度:140℃
·层压压力:1.0MPa
·压接时间:20分钟
将制作的密封体按照以下条件固化,制作固化体。
·烘箱:ESPEC株式会社制的商品名SAFETY OVEN SPH-201
·烘箱温度:140℃
·时间:120分钟
使用以下装置测定所制作的固化体的翘曲量。
·翘曲测定台装置名称:COMS株式会社制的商品名CP-500
·翘曲测定激光装置名称:株式会社基恩士制的商品名LK-030
将单片化后的硅晶片表面的中心部设为0(基准点),测定端部的高度作为翘曲,基于以下评价基准进行了评价。
○:翘曲量≤1.5mm
×:翘曲量>1.5mm
<评价结果>
由表2所示的实施例1和比较例1、2的结果可知,关于利用eWLB封装进行评价的固化体的翘曲,能够通过增加弹性体成分的添加量而获得所期望的效果。此外,由实施例2、3和比较例2的结果可知,关于利用12英寸的硅晶片进行评价的固化体的翘曲,也能够通过增加弹性体的添加量而获得所期望的效果。
由表3所示的实施例4~9和比较例3的结果可知,在添加任一种弹性体成分的情况下都能够改善固化体的翘曲。此外可知,与丁二烯弹性体相比,有机硅弹性体对翘曲的降低更有效。可知在有机硅弹性体中,粒径越小,则对翘曲的降低越有效。
由以上结果可知,通过在密封用膜中以(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分的总质量为基准添加0.5~7.0质量%的弹性体成分,能够抑制固化体的翘曲量。
[表2]
[表3]
符号说明
1:支撑体,2:密封用膜,2a:固化物,10:带有支撑体的密封用膜,20:半导体元件,30:基板,40:临时固定材,50:SUS板,60:7.3mm见方的硅片,70:3mm见方的硅片。
Claims (7)
1.一种密封用膜,其含有:(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)选自由丁二烯系橡胶和有机硅系橡胶组成的组中的一种以上弹性体、以及(D)无机填充材,
所述(C)成分的含量以所述(A)成分、所述(B)成分、所述(C)成分和所述(D)成分的总质量为基准为0.5~7.0质量%。
2.根据权利要求1所述的密封用膜,作为所述(A)成分,以所述(A)成分、所述(B)成分、所述(C)成分和所述(D)成分的总质量为基准含有大于或等于5质量%的25℃时为液态的环氧树脂。
3.根据权利要求1或2所述的密封用膜,其进一步含有(E)固化促进剂。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的密封用膜,以所述密封用膜的总质量为基准含有0.2~1.5质量%的(F)有机溶剂。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的密封用膜,所述(D)成分的含量以所述(A)成分、所述(B)成分、所述(C)成分和所述(D)成分的总质量为基准大于或等于65质量%。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的密封用膜,膜的厚度为50~250μm。
7.一种电子部件装置,其具备:电子部件、以及密封该电子部件的权利要求1~6中任一项所述的密封用膜的固化体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015036722 | 2015-02-26 | ||
JP2015-036722 | 2015-02-26 | ||
PCT/JP2016/055264 WO2016136741A1 (ja) | 2015-02-26 | 2016-02-23 | 封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107210274A true CN107210274A (zh) | 2017-09-26 |
CN107210274B CN107210274B (zh) | 2021-09-03 |
Family
ID=56788386
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680009781.8A Active CN107210274B (zh) | 2015-02-26 | 2016-02-23 | 密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6749887B2 (zh) |
KR (1) | KR20170121171A (zh) |
CN (1) | CN107210274B (zh) |
TW (1) | TW201703207A (zh) |
WO (1) | WO2016136741A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020133494A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 广东生益科技股份有限公司 | 树脂组合物、预浸料、层压板、覆金属箔层压板和印刷线路板 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019004458A1 (ja) * | 2017-06-29 | 2020-04-30 | 日立化成株式会社 | 封止用樹脂組成物、再配置ウエハ、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
JP7065389B2 (ja) * | 2017-11-08 | 2022-05-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置 |
CN113056519B (zh) * | 2018-11-14 | 2024-02-23 | 长濑化成株式会社 | 固化性树脂组合物及固化性片材 |
KR102463618B1 (ko) * | 2020-07-22 | 2022-11-04 | 가부시키가이샤 아리사와 세이사쿠쇼 | 열경화성 수지 조성물, 커버레이 필름, 접착 시트 및 플렉시블 프린트 배선판 |
JP6950844B1 (ja) | 2020-09-25 | 2021-10-13 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 硬化性組成物、硬化物およびその製造方法 |
KR20240052008A (ko) * | 2021-10-18 | 2024-04-22 | 가부시키가이샤 아리사와 세이사쿠쇼 | 열경화성 수지 조성물, 커버레이 필름, 접착 시트 및 플렉시블 프린트 배선판 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6404068B1 (en) * | 1998-08-21 | 2002-06-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Paste composition, and protective film and semiconductor device both obtained with the same |
JP2012129419A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
CN102687256A (zh) * | 2009-11-13 | 2012-09-19 | 日立化成工业株式会社 | 膜状粘接剂的制造方法、粘接片和半导体装置及其制造方法 |
KR20130073191A (ko) * | 2011-12-23 | 2013-07-03 | 제일모직주식회사 | 이방 전도성 필름 |
WO2014003044A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 太陽ホールディングス株式会社 | 熱硬化型樹脂組成物および熱硬化型樹脂フィルム |
JP2014029958A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Ajinomoto Co Inc | 半導体装置の製造方法 |
CN103703093A (zh) * | 2011-06-28 | 2014-04-02 | 琳得科株式会社 | 一种粘着性组合物以及粘着性片 |
JP2014095063A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 封止用エポキシ樹脂無機複合シート |
JP2014209565A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-11-06 | 日東電工株式会社 | 封止シート、封止シートの製造方法及び電子部品パッケージの製造方法 |
TW201500197A (zh) * | 2013-04-26 | 2015-01-01 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性密封樹脂片及電子零件封裝之製造方法 |
CN105324836A (zh) * | 2013-06-20 | 2016-02-10 | 日东电工株式会社 | 电子器件的密封方法、电子器件封装件的制造方法及密封片 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014086598A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感光性樹脂組成物 |
-
2016
- 2016-02-23 KR KR1020177022300A patent/KR20170121171A/ko unknown
- 2016-02-23 JP JP2017502386A patent/JP6749887B2/ja active Active
- 2016-02-23 WO PCT/JP2016/055264 patent/WO2016136741A1/ja active Application Filing
- 2016-02-23 CN CN201680009781.8A patent/CN107210274B/zh active Active
- 2016-02-24 TW TW105105496A patent/TW201703207A/zh unknown
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6404068B1 (en) * | 1998-08-21 | 2002-06-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Paste composition, and protective film and semiconductor device both obtained with the same |
CN102687256A (zh) * | 2009-11-13 | 2012-09-19 | 日立化成工业株式会社 | 膜状粘接剂的制造方法、粘接片和半导体装置及其制造方法 |
JP2012129419A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
CN103703093A (zh) * | 2011-06-28 | 2014-04-02 | 琳得科株式会社 | 一种粘着性组合物以及粘着性片 |
KR20130073191A (ko) * | 2011-12-23 | 2013-07-03 | 제일모직주식회사 | 이방 전도성 필름 |
WO2014003044A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 太陽ホールディングス株式会社 | 熱硬化型樹脂組成物および熱硬化型樹脂フィルム |
JP2014029958A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Ajinomoto Co Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2014095063A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-22 | Panasonic Corp | 封止用エポキシ樹脂無機複合シート |
JP2014209565A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-11-06 | 日東電工株式会社 | 封止シート、封止シートの製造方法及び電子部品パッケージの製造方法 |
TW201500197A (zh) * | 2013-04-26 | 2015-01-01 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性密封樹脂片及電子零件封裝之製造方法 |
CN105324836A (zh) * | 2013-06-20 | 2016-02-10 | 日东电工株式会社 | 电子器件的密封方法、电子器件封装件的制造方法及密封片 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
谭晓华等: "半导体薄型真空模具塑封用合成橡胶清模制品的设计与开发 ", 《中国橡胶》 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020133494A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 广东生益科技股份有限公司 | 树脂组合物、预浸料、层压板、覆金属箔层压板和印刷线路板 |
CN111757911A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-10-09 | 广东生益科技股份有限公司 | 树脂组合物、预浸料、层压板、覆金属箔层压板和印刷线路板 |
CN111757911B (zh) * | 2018-12-29 | 2023-02-28 | 广东生益科技股份有限公司 | 树脂组合物、预浸料、层压板、覆金属箔层压板和印刷线路板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016136741A1 (ja) | 2017-09-28 |
WO2016136741A1 (ja) | 2016-09-01 |
CN107210274B (zh) | 2021-09-03 |
JP6749887B2 (ja) | 2020-09-02 |
KR20170121171A (ko) | 2017-11-01 |
TW201703207A (zh) | 2017-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107210274A (zh) | 密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置 | |
JP5133598B2 (ja) | 封止用熱硬化型接着シート | |
CN105339410B (zh) | 膜状环氧树脂组合物、膜状环氧树脂组合物的制造方法和半导体装置的制造方法 | |
CN105960426B (zh) | 树脂组合物、树脂膜和半导体装置及其制造方法 | |
KR102590185B1 (ko) | 수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2001288340A (ja) | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 | |
CN107924886A (zh) | 树脂组合物、固化物、密封用膜及密封结构体 | |
JP6436107B2 (ja) | 封止用樹脂組成物、電子部品の製造方法、および電子部品 | |
KR102590184B1 (ko) | 수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
WO2000050512A1 (en) | Resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device obtained with the same, and process for producing semiconductor device | |
WO2015146764A1 (ja) | 封止用樹脂組成物、および半導体装置 | |
CN109155256A (zh) | 密封结构体及其制造方法、以及密封材 | |
KR102505321B1 (ko) | 봉지용 필름, 봉지 구조체 및 봉지 구조체의 제조 방법 | |
JP7142233B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 | |
JP2018024770A (ja) | 封止用樹脂組成物、および半導体装置 | |
KR102440947B1 (ko) | 봉지 필름, 전자 부품 장치의 제조 방법 및 전자 부품 장치 | |
TW201806043A (zh) | 大面積的搭載有半導體元件的基材的封裝方法 | |
TW202116913A (zh) | 壓縮成形用密封材及電子零件裝置 | |
CN111454537B (zh) | 树脂组合物、树脂膜、半导体层叠体、半导体层叠体的制造方法及半导体装置的制造方法 | |
KR102441766B1 (ko) | 봉지용 필름 및 봉지 구조체, 및 이들의 제조 방법 | |
KR20190103870A (ko) | 반도체 몰딩용 에폭시 수지 조성물, 몰딩 필름 및 반도체 패키지 | |
JP7415536B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂フィルム、半導体積層体、半導体積層体の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6605190B2 (ja) | 封止用樹脂組成物、および半導体装置 | |
KR20190139198A (ko) | 봉지용 필름, 봉지 구조체 및 봉지 구조체의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: Tokyo, Japan Applicant after: Showa electrical materials Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Applicant before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd. |
|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Showa electrical materials Co.,Ltd. |