TW202116913A - 壓縮成形用密封材及電子零件裝置 - Google Patents

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Abstract

一種壓縮成形用密封材，其為含有環氧樹脂、硬化劑以及無機填充材的壓縮成形用密封材，於利用超音波探傷裝置對隔著矽晶片將所述壓縮成形用密封材壓縮成形在基板上而成的壓縮成形體進行觀察所得的圖像中，相對於與所述晶片上的壓縮成形體相當的區域整體的面積，與所述晶片上的壓縮成形體相當的區域中的除黑點以外的面積為86%以上。

Description

壓縮成形用密封材及電子零件裝置
本揭示是有關於一種壓縮成形用密封材及電子零件裝置。
自先前以來，於電晶體、積體電路（Integrated Circuit，IC）等電子零件裝置的元件密封的領域中，就生產性、成本等方面而言樹脂密封成為主流。另外，近年來，電子零件於印刷配線板上的高密度安裝化得到推進。伴隨於此，半導體裝置中，相對於先前的引腳插入型的封裝，表面安裝型的封裝正成為主流。表面安裝型的IC、大規模積體電路（Large-Scale Integration，LSI）等為了提高安裝密度且降低安裝高度，而成為薄型且小型的封裝，元件相對於封裝的佔有體積變大，封裝的壁厚變得非常薄。
另外，由於元件的多功能化及大容量化，推進晶片面積的增大及多引腳化，進而由於焊墊（電極）數的增大，亦正在推進焊墊間距的縮小化與焊墊尺寸的縮小化、所謂的窄焊墊間距化。另外，為了應對進一步的小型輕量化，封裝的形態亦自四面扁平封裝（Quad Flat Package，QFP）、小外型封裝（Small Outline Package，SOP）等逐漸轉變為更容易應對多引腳化、可實現更高密度安裝的晶片尺寸封裝（Chip Size Package，CSP）、球柵陣列（Ball Grid Array，BGA）等。
作為電子零件裝置的樹脂密封的方法，除了通常使用的轉移成形法以外，亦可列舉壓縮成形法等（例如，參照專利文獻1）。壓縮成形法為如下方法：以與保持於模具內的被密封物（設置有半導體晶片等電子元件的基板等）相向的方式供給粉粒狀的樹脂組成物即密封材，並對被密封物與密封材進行壓縮，藉此進行樹脂密封。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-279599號公報
[發明所欲解決之課題] 伴隨封裝的多功能化，內置的導線細線化，因此不僅於轉移成形中，而且於壓縮成形中亦抑制導線偏離的發生的情況成為課題。
鑒於上述情況，本揭示的第一實施形態的課題在於提供一種由壓縮成形引起的導線偏離得到抑制的壓縮成形用密封材及包括藉由該壓縮成形用密封材而密封的元件的電子零件裝置。 [解決課題之手段]
於本揭示的實施形態中包含以下態樣。 ＜1＞ 一種壓縮成形用密封材，其為含有環氧樹脂、硬化劑以及無機填充材的壓縮成形用密封材， 於利用超音波探傷裝置對隔著矽晶片將所述壓縮成形用密封材壓縮成形在基板上而成的壓縮成形體進行觀察而得的圖像中，相對於與所述晶片上的壓縮成形體相當的區域整體的面積，與所述晶片上的壓縮成形體相當的區域中的除黑點以外的面積為86%以上。 ＜2＞ 如＜1＞所述的壓縮成形用密封材，其中，所述無機填充材為利用偶合劑進行了處理的材料。 ＜3＞ 如＜2＞所述的壓縮成形用密封材，其中，所述偶合劑為矽烷偶合劑。 ＜4＞ 如＜2＞或＜3＞所述的壓縮成形用密封材，其中，所述偶合劑具有選自(甲基)丙烯醯基、環氧基及苯基中的至少一種官能基。 ＜5＞ 如＜2＞～＜4＞中任一項所述的壓縮成形用密封材，其中，所述偶合劑具有二級胺基。 ＜6＞ 如＜1＞～＜5＞中任一項所述的壓縮成形用密封材，其中，所述無機填充材於體積基準的粒度分佈中於0.1 μm～2 μm處具有極大值。 ＜7＞ 一種電子零件裝置，包括：元件；以及將所述元件密封的如＜1＞～＜6＞中任一項所述的壓縮成形用密封材的硬化物。 [發明的效果]
根據本揭示的第一實施形態，可提供一種由壓縮成形引起的導線偏離得到抑制的壓縮成形用密封材及包括藉由該壓縮成形用密封材而密封的元件的電子零件裝置。
以下，對用以實施本發明的形態進行詳細說明。但是，本發明並不限定於以下的實施形態。於以下的實施形態中，除特別明示的情況以外，其構成要素（亦包含要素步驟等）並非必需。關於數值及其範圍亦同樣如此，並不限制本發明。 於本揭示中，「步驟」這一用語除了包括獨立於其他步驟的步驟以外，即便於無法與其他步驟明確地區別的情況下，只要達成該步驟的目的，則亦包括該步驟。 於本揭示中，使用「～」所表示的數值範圍中包含「～」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值。 於本揭示中階段性記載的數值範圍中，一個數值範圍內所記載的上限值或下限值亦可置換為其他階段性記載的數值範圍的上限值或下限值。另外，於本揭示中所記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值亦可置換為實施例中所示的值。 於本揭示中，各成分中亦可包含多種相當的物質。於在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下，只要無特別說明，則各成分的含有率或含量是指組成物中所存在的該多種物質的合計含有率或含量。 於本揭示中，相當於各成分的粒子中亦可包含多種粒子。於在組成物中存在多種相當於各成分的粒子的情況下，只要無特別說明，則各成分的粒徑是指關於組成物中所存在的該多種粒子的混合物的值。 於本揭示中，所謂「(甲基)丙烯醯基」是指丙烯醯基及甲基丙烯醯基的至少一者，所謂「(甲基)丙烯醯氧基」是指丙烯醯氧基及甲基丙烯醯氧基的至少一者。
＜壓縮成形用密封材＞ 本揭示的密封材為一種壓縮成形用密封材，且為含有環氧樹脂、硬化劑以及無機填充材的壓縮成形用密封材，於利用超音波探傷裝置對隔著矽晶片將所述壓縮成形用密封材壓縮成形在基板上而成的壓縮成形體進行觀察而得的圖像中，相對於與所述晶片上的壓縮成形體相當的區域整體的面積，與所述晶片上的壓縮成形體相當的區域中的除黑點以外的面積為86%以上。 以下，將壓縮成形用密封材亦簡稱為「密封材」。另外，於利用超音波探傷裝置對隔著矽晶片將壓縮成形用密封材壓縮成形在基板上而成的壓縮成形體進行觀察所得的圖像中，將與矽晶片上的壓縮成形體相當的圖像的區域亦稱為「SAT圖像」。另外，將除黑點以外的面積相對於SAT圖像整體的面積的比例亦稱為「非黑點比例」。
本揭示的密封材於製成壓縮成形體時的非黑點比例為所述範圍，因此可抑制由壓縮成形引起的導線偏離。其理由尚未確定，但如以下般推測。 於SAT圖像中，例如樹脂局部地偏向存在的區域（以下亦稱為「富含樹脂的區域」）表現為黑點。認為該富含樹脂的區域的形成原因在於：例如於壓縮成形時的減壓下因溶入密封材的氣體而發生破泡，破泡部位的無機填充材的量局部地變少。例如，於流動性低的密封材中，即便產生無機填充材的量局部地變少的區域，亦難以發生由流動引起的無機填充材相對於該區域的流入。因此，認為由於無機填充材的量局部地變少的區域直接硬化，從而形成富含樹脂的區域。而且認為，如此般大量產生富含樹脂的區域的密封材的流動性低，因此當壓縮成形時的壓力施加於導線時，容易產生導線的位置偏移（即導線偏離）。 與此相對，關於可獲得非黑點比例大的壓縮成形體的本揭示的密封材，認為即便因減壓時的破泡而產生無機填充材局部地少的部位，亦容易因流動而引起無機填充材的流入，可抑制富含樹脂的區域的產生。而且，如此般可抑制富含樹脂的區域的產生的密封材的流動性高，因此推測可抑制由壓縮成形引起的導線偏離。
再者，所述大量產生富含樹脂的區域的密封材的流動性低，因此於壓縮成形時產生的氣泡容易殘留，有時會獲得具有空孔（void）的壓縮成形體，該空孔有時會以黑點的形式表現於SAT圖像中。 然而，可獲得非黑點比例大的壓縮成形體的本揭示的密封材由於流動性高，因此認為富含樹脂的區域及空孔均難以產生。如此，推測富含樹脂的區域的產生及空孔的產生均得到抑制的流動性高的密封材於壓縮成形時不易產生導線偏離。
此處，密封材的壓縮成形體的SAT圖像以如下方式獲得。 具體而言，首先，準備於基板的其中一面配置有晶片的壓縮成形用基材。作為基板，例如可列舉大小為橫240 mm×縱74 mm×厚度0.45 mm的基板。作為矽晶片，例如可列舉每一個的大小為橫10 mm×縱8 mm×厚度0.4 mm且材質為矽的晶片。而且，壓縮成形用基材例如可藉由於基板的其中一面的中央部以按照8 mm的隔開距離相互隔開的狀態設置共計12個（橫3個×縱4個）晶片而得。 使用於基板的其中一面配置有矽晶片的壓縮成形用基材，並利用超音波探傷裝置對矽晶片上的壓縮成形體進行觀察，藉此，如上所述，不僅是空孔，富含樹脂的區域亦可確認為黑點。再者，藉由使用具有鏡面的金屬晶片代替矽晶片，富含樹脂的區域亦會顯現為黑點。另一方面，於利用超音波探傷裝置對在未配置晶片的基板（一般的樹脂基板、金屬基板等）上直接壓縮成形而成的壓縮成形體進行觀察的情況下，雖然空孔可確認為黑點，但富含樹脂的區域難以顯現為黑點。
接著，於所述壓縮成形用基材中的配置有晶片的面，利用壓縮模製（compression mold）裝置對作為測定對象的密封材進行壓縮成形。 壓縮成形時的成形條件為模具溫度：175℃、成形壓力：約10 MPa、硬化時間：120秒、真空保持時間：3秒。 另外，作為藉由所述壓縮成形而得的壓縮成形體（即，非黑點比例測定用的壓縮成形體）的厚度，例如可列舉於未配置晶片的區域（即，於基板上直接設置有壓縮成形體的區域）中為0.8 mm，於晶片上為0.4 mm。
接著，藉由利用超音波斷層掃描（Scanning Acoustic Tomograph，SAT）（即超音波探傷裝置，例如日立電力解決方案（Hitachi Power Solutions）股份有限公司，型號：FS200 III A）對所得的壓縮成形體進行觀測而獲得圖像。SAT觀測條件為探針頻率：50 MHz。 於所得的圖像中，將相當於在壓縮成形用基材的晶片上成形的壓縮成形體的圖像的區域作為「SAT圖像」。 於SAT圖像中，將像的對比度範圍設為（0～255）時的0～99的區域定義為「黑點」，100～255的區域定義為「黑點以外」。 而且，SAT圖像中的非黑點比例是依照所述定義，於共計12片的10 mm×8 mm的晶片中進行分析，並藉由其合計而求出。 以下，對本揭示的密封材中含有的各成分進行詳述。
（環氧樹脂） 環氧樹脂若為於分子中具有環氧基者，則其種類並無特別限制。 作為環氧樹脂，具體而言可列舉：酚醛清漆型環氧樹脂（苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等），其是使選自由苯酚、甲酚、二甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F等酚化合物及α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚化合物所組成的群組中的至少一種酚性化合物與甲醛、乙醛、丙醛等脂肪族醛化合物在酸性觸媒下縮合或共縮合而獲得酚醛清漆樹脂並將該酚醛清漆樹脂進行環氧化而得；三苯基甲烷型環氧樹脂，其是使所述酚性化合物與苯甲醛、水楊醛等芳香族醛化合物在酸性觸媒下縮合或共縮合而獲得三苯基甲烷型酚樹脂並將該三苯基甲烷型酚樹脂進行環氧化而得；共聚型環氧樹脂，其是使所述酚化合物及萘酚化合物與醛化合物在酸性觸媒下共縮合而獲得酚醛清漆樹脂並將該酚醛清漆樹脂進行環氧化而得；作為雙酚A、雙酚F等的二縮水甘油醚的二苯基甲烷型環氧樹脂；作為經烷基取代或未經取代的聯苯酚的二縮水甘油醚的聯苯型環氧樹脂；作為二苯乙烯系酚化合物的二縮水甘油醚的二苯乙烯型環氧樹脂；作為雙酚S等的二縮水甘油醚的含硫原子的環氧樹脂；作為丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類的縮水甘油醚的環氧樹脂；作為鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等多元羧酸化合物的縮水甘油酯的縮水甘油酯型環氧樹脂；縮水甘油胺型環氧樹脂，其是將苯胺、二胺基二苯基甲烷、異三聚氰酸等的鍵結於氮原子的活性氫以縮水甘油基取代而得；二環戊二烯型環氧樹脂，其是將二環戊二烯與酚化合物的共縮合樹脂進行環氧化而得；將分子內的烯烴鍵進行環氧化而獲得的二環氧化乙烯基環己烯、3,4-環氧環己基甲基-3,4-環氧環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧基)環己基-5,5-螺環(3,4-環氧基)環己烷-間二噁烷等脂環型環氧樹脂；作為對二甲苯改質酚樹脂的縮水甘油醚的對二甲苯改質環氧樹脂；作為間二甲苯改質酚樹脂的縮水甘油醚的間二甲苯改質環氧樹脂；作為萜烯改質酚樹脂的縮水甘油醚的萜烯改質環氧樹脂；作為二環戊二烯改質酚樹脂的縮水甘油醚的二環戊二烯改質環氧樹脂；作為環戊二烯改質酚樹脂的縮水甘油醚的環戊二烯改質環氧樹脂；作為多環芳香環改質酚樹脂的縮水甘油醚的多環芳香環改質環氧樹脂；作為含萘環的酚樹脂的縮水甘油醚的萘型環氧樹脂；鹵化酚酚醛清漆型環氧樹脂；對苯二酚型環氧樹脂；三羥甲基丙烷型環氧樹脂；利用過乙酸等過酸將烯烴鍵氧化而獲得的線狀脂肪族環氧樹脂；芳烷基型環氧樹脂，其是將苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂等芳烷基型酚樹脂進行環氧化而得；等。進而，亦可列舉矽酮樹脂的環氧化物、丙烯酸樹脂的環氧化物等作為環氧樹脂。該些環氧樹脂可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
所述環氧樹脂中，就耐回焊性與流動性的平衡的觀點而言，較佳為選自由聯苯型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、二苯基甲烷型環氧樹脂、含硫原子的環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂、共聚合型環氧樹脂及芳烷基型環氧樹脂所組成的群組中的環氧樹脂。
環氧樹脂的環氧當量（分子量/環氧基數）並無特別限制。就成形性、耐回焊性及電氣可靠性等各種特性平衡的觀點而言，較佳為100 g/eq～1000 g/eq，更佳為150 g/eq～500 g/eq。
環氧樹脂的環氧當量設為利用依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K 7236:2009的方法測定而得的值。
於環氧樹脂為固體的情況下，其軟化點或熔點並無特別限制。就成形性及耐回焊性的觀點而言，較佳為40℃～180℃，就密封材的製備時的操作性的觀點而言，更佳為50℃～130℃。
環氧樹脂的熔點設為利用示差掃描熱量測定（Differential Scanning Calorimetry，DSC）測定而得的值，環氧樹脂的軟化點設為利用依據JIS K 7234:1986的方法（環球法）測定而得的值。
就強度、流動性、耐熱性、成形性等觀點而言，密封材中的環氧樹脂的含有率較佳為0.5質量%～50質量%，更佳為2質量%～30質量%，進而佳為2質量%～20質量%。
（硬化劑） 硬化劑的種類並無特別限制，可根據樹脂的種類、密封材的所需的特性等選擇。 作為硬化劑，可列舉：酚硬化劑、胺硬化劑、酸酐硬化劑、聚硫醇硬化劑、聚胺基醯胺硬化劑、異氰酸酯硬化劑、嵌段異氰酸酯硬化劑等。就耐熱性提高的觀點而言，硬化劑較佳為於分子中具有酚性羥基者（酚硬化劑）。
作為酚硬化劑，具體而言可列舉：間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、經取代或未經取代的聯苯酚等多元酚化合物；使選自由苯酚、甲酚、二甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚化合物及α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚化合物所組成的群組中的至少一種酚性化合物與甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、柳醛等醛化合物在酸性觸媒下縮合或共縮合而獲得的酚醛清漆型酚樹脂；由所述酚性化合物與二甲氧基對二甲苯、雙(甲氧基甲基)聯苯等合成的苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂等芳烷基型酚樹脂；對二甲苯及/或間二甲苯改質酚樹脂；三聚氰胺改質酚樹脂；萜烯改質酚樹脂；藉由所述酚性化合物與二環戊二烯的共聚而合成的二環戊二烯型酚樹脂及二環戊二烯型萘酚樹脂；環戊二烯改質酚樹脂；多環芳香環改質酚樹脂；聯苯型酚樹脂；使所述酚性化合物與苯甲醛、柳醛等芳香族醛化合物在酸性觸媒下進行縮合或共縮合而獲得的三苯基甲烷型酚樹脂；將該些的兩種以上共聚而獲得的酚樹脂等。該些酚硬化劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
硬化劑的官能基當量（於酚硬化劑的情況下為羥基當量）並無特別限制。就成形性、耐回焊性、電氣可靠性等各種特性平衡的觀點而言，較佳為70 g/eq～1000 g/eq，更佳為80 g/eq～500 g/eq。
將硬化劑的官能基當量（於酚硬化劑的情況下為羥基當量）設為利用依據JIS K 0070:1992的方法測定而得的值。
於硬化劑為固體的情況下，其軟化點或熔點並無特別限制。就成形性與耐回焊性的觀點而言，較佳為40℃～180℃，就密封材的製造時的操作性的觀點而言，更佳為50℃～130℃。
將硬化劑的熔點或軟化點設為與環氧樹脂的熔點或軟化點同樣地測定而得的值。
環氧樹脂與硬化劑的當量比、即硬化劑中的官能基數相對於環氧樹脂中的環氧基數的比（硬化劑中的官能基數/環氧樹脂中的環氧基數）並無特別限制。就將各自的未反應成分抑制地少的關聯而言，較佳為設定為0.5～2.0的範圍內，更佳為設定為0.6～1.3的範圍內。就成形性與耐回焊性的觀點而言，進而佳為設定為0.8～1.2的範圍內。
（無機填充材） 無機填充材的材質並無特別限制。 作為無機填充材的材質，具體而言可列舉：球狀二氧化矽、晶體二氧化矽、玻璃、氧化鋁、碳酸鈣、矽酸鋯、矽酸鈣、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鎂、碳化矽、氧化鈹、氧化鋯、鋯石、鎂橄欖石、塊滑石、尖晶石、富鋁紅柱石、二氧化鈦、滑石、黏土、雲母等無機材料。亦可使用具有阻燃效果的無機填充材。作為具有阻燃效果的無機填充材，可列舉氫氧化鋁、氫氧化鎂、鎂與鋅的複合氫氧化物等複合金屬氫氧化物、硼酸鋅等。
無機填充材的形狀並無特別限制，就填充性及模具磨耗性的方面而言，較佳為球形。
無機填充材可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。再者，所謂「併用兩種以上無機填充材」，例如可列舉使用兩種以上成分相同、平均粒徑不同的無機填充材的情況；使用兩種以上平均粒徑相同、成分不同的無機填充材的情況以及使用兩種以上平均粒徑及種類不同的無機填充材的情況。
作為無機填充材，於所述具體例中，較佳為可列舉球狀二氧化矽、晶體二氧化矽及氧化鋁，更佳為可列舉球狀二氧化矽。
相對於密封材整體而言的無機填充材的含有率並無特別限制。就進一步提高密封材的壓縮成形體的熱膨脹係數、導熱係數、彈性係數等特性的觀點而言，無機填充材的含有率較佳為密封材整體的30體積%以上，更佳為35體積%以上，進而佳為40體積%以上，尤佳為45體積%以上，極佳為50體積%以上。就流動性的提高、黏度的降低等觀點而言，無機填充材的含有率較佳為密封材整體的99體積%以下，較佳為98體積%以下，更佳為97體積%以下。 另外，相對於用於壓縮成形用途的本揭示的密封材整體，無機填充材的含有率可設為60體積%～99體積%，亦可設為70體積%～99體積%，亦可設為73體積%～99體積%，還可設為75體積%～99體積%。
密封材中的無機填充材的含有率以如下方式測定。首先，測定密封材的硬化物（壓縮成形物）的總質量，將該硬化物於400℃下煆燒2小時，繼而於700℃下煆燒3小時，使樹脂成分蒸發，測定殘存的無機填充材的質量。根據所得的各質量及各自的比重算出體積，獲得無機填充材的體積相對於密封材的總體積的比例，並設為無機填充材的含有率。
於無機填充材為粒子狀的情況下，其平均粒徑並無特別限制。例如，無機填充材整體的體積平均粒徑較佳為80 μm以下，亦可為50 μm以下，亦可為40 μm以下，亦可為30 μm以下，亦可為25 μm以下，亦可為20 μm以下，還可為15 μm以下。另外，無機填充材整體的體積平均粒徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.2 μm以上，進而佳為0.3 μm以上。若無機填充材的體積平均粒徑為0.1 μm以上，則存在密封材的黏度的上升得到進一步抑制的傾向。若體積平均粒徑為80 μm以下，則存在於狹小的間隙中的填充性進一步提高的傾向。
無機填充材的平均粒徑可藉由以下的方法測定。 於溶媒（純水）中添加作為測定對象的無機填充材，進行300秒的超音波處理後，實施粒度分佈的測定。使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置（堀場製作所股份有限公司，商品名：LA-920）測定體積基準的粒度分佈。而且，體積平均粒徑是作為於體積基準的粒度分佈中自小徑側起的累積成為50%時的粒徑（D50%）而求出。
作為無機填充材的比表面積，就流動性及成形性的觀點而言，較佳為0.7 m2 /g～4.0 m2 /g，更佳為0.9 m2 /g～3.0 m2 /g，進而佳為1.0 m2 /g～2.5 m2 /g。 存在無機填充材的比表面積越小則密封材的流動性越高的傾向。
無機填充材的比表面積（布厄特（Brunauer-Emmett-Teller，BET）比表面積）可依據JIS Z 8830：2013並根據氮吸附能力來測定。作為評價裝置，可使用康塔（QUANTACHROME）公司：奧拓索伯（AUTOSORB）-1（商品名）。於進行BET比表面積的測定時，認為試樣表面及結構中所吸附的水分會對氣體吸附能力產生影響，因此較佳為首先進行藉由加熱來去除水分的預處理。 於預處理中，利用真空泵將投入了0.05 g的測定用試樣的測定用槽（cell）減壓至10 Pa以下後，於110℃下進行加熱並保持3小時以上，然後於保持減壓的狀態下自然冷卻至常溫（25℃）。於進行該預處理後，將評價溫度設為77 K，將評價壓力範圍設為於相對壓（相對於飽和蒸氣壓的平衡壓力）下未滿1來進行測定。
就提高於狹小間隙中的填充性的觀點而言，無機填充材的最大粒徑（割點）可經控制。無機填充材的最大粒徑亦可適宜調整，就填充性的觀點而言，較佳為105 μm以下，更佳為75 μm以下，亦可為60 μm以下，還可為40 μm以下。最大粒徑可藉由雷射繞射粒度分佈計（堀場製作所股份有限公司、商品名：LA-920）進行測定。
就兼顧導熱性的提高與流動性的提高的觀點而言，無機填充材較佳為於所述體積基準的粒度分佈中於0.1 μm～2 μm處具有極大值。無機填充材於所述體積基準的粒度分佈中，亦可於0.1 μm～2 μm以及大於2 μm的區域中分別具有極大值。 作為於所述體積基準的粒度分佈中於0.1 μm～2 μm處具有極大值的無機填充材，例如可列舉體積平均粒徑為0.1 μm～2 μm的第一無機填充材與體積平均粒徑大於2 μm的第二無機填充材的混合物。
於無機填充材為第一無機填充材與第二無機填充材的混合物的情況下，第一無機填充材相對於組成物整體的比例例如可列舉2質量～30質量%的範圍，就流動性或於狹路部中的填充性的觀點而言，較佳為2.5質量%～25質量%的範圍，更佳為2.6質量%～20質量%的範圍。
作為第一無機填充材的體積平均粒徑，例如可列舉0.1 μm～2.0 μm，較佳為0.2 μm～1.5 μm，更佳為0.3 μm～1.0 μm。作為第二無機填充材的體積平均粒徑，例如可列舉超過2.0 μm且為75 μm以下的範圍，較佳為5.0 μm～55 μm，更佳為8.0 μm～20 μm。 另外，作為第一無機填充材的BET比表面積，例如可列舉1.0 m2 /g～20 m2 /g，較佳為2 m2 /g～17 m2 /g，更佳為3 m2 /g～15 m2 /g，進而佳為3.5 m2 /g～10 m2 /g。作為第二無機填充材的BET比表面積，例如可列舉0.5 m2 /g～10 m2 /g，較佳為0.7 m2 /g～7 m2 /g，更佳為0.9 m2 /g～5 m2 /g，進而佳為1.0 m2 /g～4.5 m2 /g。 作為第一無機填充材，例如可列舉球狀二氧化矽、氧化鋁、矽酸鈣、碳酸鈣、氧化鎂、鈦酸鉀、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鈹、氧化鋯、鋯及二氧化鈦等的粉體；以及將該些加以球形化而成的珠粒；玻璃纖維等，其中，就提高流動性的觀點而言，較佳為球狀二氧化矽。作為第二無機填充材，例如可列舉球狀二氧化矽、氧化鋁、矽酸鈣、碳酸鈣、氧化鎂、鈦酸鉀、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鈹、氧化鋯、鋯及二氧化鈦等的粉體；以及將該些加以球形化而成的珠粒；玻璃纖維等，其中，較佳為球狀二氧化矽及氧化鋁，就填充性及線膨脹係數的降低的觀點而言，更佳為球狀二氧化矽。第一無機填充材與第二無機填充材的組合較佳為球狀二氧化矽與氧化鋁的組合、球狀二氧化矽與球狀二氧化矽的組合、及氧化鋁與氧化鋁的組合。其中，特別是就兼顧流動性的提高與導熱性的提高的觀點而言，作為第一無機填充材與第二無機填充材的組合，較佳為球狀二氧化矽與氧化鋁的組合。另外，特別是就提高流動性的觀點而言，作為第一無機填充材與第二無機填充材的組合，較佳為球狀二氧化矽與球狀二氧化矽的組合。
無機填充材可為利用偶合劑進行了處理的材料。特別是於無機填充材為所述第一無機填充材與所述第二無機填充材的混合物的情況下，較佳為至少第一無機填充材為利用偶合劑進行了處理的材料。藉由使用利用偶合劑進行了處理的第一無機填充材與第二無機填充材的混合物作為無機填充材，容易將製成壓縮成形體時的非黑點比例控制於所述範圍內。再者，第二無機填充材可為利用偶合劑進行了處理的材料，亦可為未經處理的材料。
於第一無機填充材為利用偶合劑進行了處理的的材料的情況下，利用偶合劑進行了處理的第一無機填充材於800℃下的質量減少率例如可列舉0.27%～1.0%的範圍，就將非黑點比例控制於所述範圍內的觀點而言，較佳為0.3%～0.9%的範圍，更佳為0.35%～0.8%的範圍的範圍。 關於所述於800℃下的質量減少率，首先，對作為測定對象的無機填充材不實施預加熱等而測定加熱前的質量W0 。然後，以10℃/min的速度實施加熱，測定到達800℃時的無機填充材的質量W1 ，藉由下述式求出質量減少率（%）。 式：質量減少率（%）=（（W0 -W1 ）/W0 ）×100
對無機填充材進行處理的偶合劑的種類並無特別限制，可使用公知的偶合劑。作為偶合劑，可列舉矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋯偶合劑、鋁偶合劑等，其中較佳為矽烷偶合劑或鈦偶合劑，更佳為矽烷偶合劑。對無機填充材進行處理的偶合劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
對無機填充材進行處理的偶合劑較佳為具有選自(甲基)丙烯醯基、環氧基及苯基中的至少一種官能基（以下，亦稱為特定官能基），其中更佳為具有苯基。 所述偶合劑可為具有包括特定官能基的官能基的偶合劑。作為包括特定官能基的官能基，可列舉(甲基)丙烯醯氧基、縮水甘油氧基、苯基胺基等。所述偶合劑較佳為具有包括特定官能基的官能基的矽烷偶合劑，更佳為包括特定官能基的官能基直接或經由碳數1～5的鏈狀烴基與矽原子鍵結的矽烷偶合劑。 另外，所述偶合劑可為具有選自一級胺基、二級胺基及三級胺基中的至少一者的偶合劑，其中，可為具有二級胺基的偶合劑。
作為矽烷偶合劑，可列舉烷氧基及鹵素原子的至少一者直接鍵結於Si原子的化合物。 作為矽烷偶合劑的具體例，可列舉：乙烯基三氯矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、8-甲基丙烯醯氧基辛基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-[雙(β-羥基乙基)]胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-(β-胺基乙基)胺基丙基二甲氧基甲基矽烷、N-(三甲氧基矽烷基丙基)乙二胺、N-(二甲氧基甲基矽烷基異丙基)乙二胺、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-氯丙基三甲氧基矽烷、六甲基二矽烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷等。
作為鈦偶合劑，可列舉：異丙基三異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基三(二辛基焦磷酸酯)鈦酸酯、異丙基三(N-胺基乙基-胺基乙基)鈦酸酯、四辛基雙(二-十三烷基亞磷酸酯)鈦酸酯、四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)雙(二-十三烷基亞磷酸酯)鈦酸酯、雙(二辛基焦磷酸酯)氧基乙酸酯鈦酸酯、雙(二辛基焦磷酸酯)伸乙基鈦酸酯、異丙基三辛醯基鈦酸酯、異丙基二甲基丙烯酸基異硬脂醯基鈦酸酯、異丙基三-十二烷基苯磺醯基鈦酸酯、異丙基異硬脂醯基二丙烯醯基鈦酸酯、異丙基三(二辛基磷酸酯)鈦酸酯、異丙基三枯基苯基鈦酸酯、四異丙基雙(二辛基亞磷酸酯)鈦酸酯等。
無機填充材的處理中使用的偶合劑的量並無特別限定，可考慮無機填充材的比表面積、偶合劑的最小被覆面積等來設定。 作為無機填充材的處理中使用的偶合劑的量，相對於作為處理對象的無機填充材100質量份，可列舉0.1質量份～2.0質量份的範圍，較佳為0.2質量份～1.5質量份的範圍，更佳為0.3質量份～1.0質量份的範圍。
獲得利用偶合劑進行了處理的無機填充材的方法並無特別限定，例如，可列舉於包含偶合劑以及溶媒的液體中添加作為處理對象的無機填充材，並藉由乾燥將溶媒去除的方法。
（添加劑） 本揭示的密封材視需要可含有其他成分作為添加劑。作為添加劑，可列舉：偶合劑、硬化促進劑、離子交換體、脫模劑、阻燃劑、著色劑、應力緩和劑等。密封材除了含有該些添加劑以外，亦可視需要含有本技術領域中眾所周知的各種添加劑。
-偶合劑- 本揭示的密封材可含有偶合劑作為添加劑。作為用作添加劑的偶合劑，可列舉與對所述無機填充材進行處理的偶合劑同樣的偶合劑。用作添加劑的偶合劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
作為使用偶合劑作為添加劑的密封材，例如可列舉含有附著於無機填充材的表面的第一偶合劑、以及用作添加劑的第二偶合劑的密封材。於密封材含有第一偶合劑及第二偶合劑兩者的情況下，作為第二偶合劑，可使用與第一偶合劑相同的物質，亦可使用與第一偶合劑不同的物質。 於密封材含有第一偶合劑及第二偶合劑的情況下，作為第一偶合劑與第二偶合劑的質量比（第一偶合劑/第二偶合劑），可列舉超過0且為0.2以下的範圍，較佳為超過0且為0.15以下的範圍，更佳為超過0且為0.1以下的範圍。
於密封材含有偶合劑的情況下，相對於密封材整體而言的偶合劑的含有率較佳為3質量%以下，更佳為2質量%以下，進而佳為1質量%以下，特佳為0.5質量%以下，就發揮其效果的觀點而言，較佳為0.1質量%以上，更佳為0.15質量%以上，進而佳為0.18質量%以上。 另外，相對於無機填充材100質量份，矽烷偶合劑的含有率可為0.01質量份以上，亦可為0.02質量份以上。相對於無機填充材100質量份，矽烷偶合劑的含量較佳為5質量份以下，更佳為2.5質量份以下。就兼顧流動性與封裝的成形性的觀點而言，相對於無機填充材100質量份，偶合劑的含量較佳為0.05質量份～2.0質量份，更佳為0.1質量份～1.5質量份，進而佳為0.2質量份～1.0質量份，特佳為0.2質量份～0.5質量份。 再者，所述偶合劑的含有率及含量分別表示密封材中含有的全部偶合劑的含有率及含量。即，於密封材含有第一偶合劑及第二偶合劑的情況下，所述偶合劑的含有率及含量分別表示第一偶合劑及第二偶合劑的合計含有率及合計含量。
-硬化促進劑- 本揭示的密封材可含有硬化促進劑作為添加劑。硬化促進劑的種類並無特別限制，可根據環氧樹脂的種類、密封材的所需的特性等選擇。 作為硬化促進劑，可列舉：1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烯-5（1,5-Diazabicyclo[4.3.0]nonene-5，DBN）、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳烯-7（1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undecene-7，DBU）等二氮雜雙環烯烴、2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑等環狀脒化合物；所述環狀脒化合物的衍生物；所述環狀脒化合物或其衍生物的苯酚酚醛清漆鹽；於該些化合物上加成馬來酸酐、1,4-苯醌、2,5-甲苯醌、1,4-萘醌、2,3-二甲基苯醌、2,6-二甲基苯醌、2,3-二甲氧基-5-甲基-1,4-苯醌、2,3-二甲氧基-1,4-苯醌、苯基-1,4-苯醌等醌化合物、重氮苯基甲烷等具有π鍵的化合物而形成的具有分子內極化的化合物；DBU的四苯基硼鹽、DBN的四苯基硼鹽、2-乙基-4-甲基咪唑的四苯基硼鹽、N-甲基嗎啉的四苯基硼鹽等環狀脒鎓化合物；吡啶、三乙胺、三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺化合物；所述三級胺化合物的衍生物；乙酸四-正丁基銨、磷酸四-正丁基銨、乙酸四乙基銨、苯甲酸四-正己基銨、氫氧化四丙基銨等銨鹽化合物；乙基膦、苯基膦等一級膦，二甲基膦、二苯基膦等二級膦，三苯基膦、二苯基(對甲苯)膦、三(烷基苯基)膦、三(烷氧基苯基)膦、三(烷基·烷氧基苯基)膦、三(二烷基苯基)膦、三(三烷基苯基)膦、三(四烷基苯基)膦、三(二烷氧基苯基)膦、三(三烷氧基苯基)膦、三(四烷氧基苯基)膦、三烷基膦、二烷基芳基膦、烷基二芳基膦、三萘基膦、三(苄基)膦等三級膦等有機膦；所述有機膦與有機硼類的錯合物等膦化合物；將所述有機膦或所述膦化合物與馬來酸酐、1,4-苯醌、2,5-甲苯醌、1,4-萘醌、2,3-二甲基苯醌、2,6-二甲基苯醌、2,3-二甲氧基-5-甲基-1,4-苯醌、2,3-二甲氧基-1,4-苯醌、苯基-1,4-苯醌、蒽醌等醌化合物、重氮苯基甲烷等具有π鍵的化合物加成而形成的具有分子內極化的化合物；於使所述有機膦或所述膦化合物與4-溴苯酚、3-溴苯酚、2-溴苯酚、4-氯苯酚、3-氯苯酚、2-氯苯酚、4-碘苯酚、3-碘苯酚、2-碘苯酚、4-溴-2-甲基苯酚、4-溴-3-甲基苯酚、4-溴-2,6-二甲基苯酚、4-溴-3,5-二甲基苯酚、4-溴-2,6-二-第三丁基苯酚、4-氯-1-萘酚、1-溴-2-萘酚、6-溴-2-萘酚、4-溴-4'-羥基聯苯等鹵化苯酚化合物反應後經過脫鹵化氫的步驟而獲得的具有分子內極化的化合物；四苯基鏻等四取代鏻、四苯基鏻四-對甲苯硼酸鹽等四取代鏻的四苯基硼酸鹽、四取代鏻與酚化合物的鹽等四取代鏻化合物；磷酸甜菜鹼（phosphorbetaine）；鏻化合物與矽烷化合物的加成物等。硬化促進劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。 該些中，作為尤佳的硬化促進劑，可列舉三苯基膦、三苯基膦與醌化合物的加成物、三丁基膦與醌化合物的加成物、三-對甲苯膦與醌化合物的加成物等。
於密封材含有硬化促進劑的情況下，相對於樹脂成分（即，環氧樹脂及硬化劑的合計）100質量份，硬化促進劑的量較佳為0.1質量份～30質量份，更佳為1質量份～15質量份。若硬化促進劑的量相對於樹脂成分100質量份而為0.1質量份以上，則存在短時間內良好地硬化的傾向。若硬化促進劑的量相對於樹脂成分100質量份而為30質量份以下，則存在可獲得硬化速度不會過快的良好的成形品的傾向。
-離子交換體- 本揭示的密封材可含有離子交換體作為添加劑。就使包括經密封的元件的電子零件裝置的耐濕性及高溫放置特性提高的觀點而言，密封材較佳為含有離子交換體。離子交換體並無特別限制，可使用現有公知者。具體而言，可列舉水滑石化合物、以及含有選自由鎂、鋁、鈦、鋯及鉍所組成的群組中的至少一種元素的水合氧化物等。離子交換體可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。其中，較佳為下述通式（A）所表示的水滑石。
Mg(1-X) AlX (OH)2 (CO3 )X/2 ･mH2 O･･････（A） （0＜X≦0.5，m為正數）
於密封材含有離子交換體的情況下，其含量若為對於捕捉鹵素離子等離子而言充分的量，則並無特別限制。例如相對於樹脂成分100質量份而較佳為0.1質量份～30質量份，更佳為1質量份～10質量份。
-脫模劑- 就獲得與成形時的模具的良好的脫模性的觀點而言，本揭示的密封材可含有脫模劑作為添加劑。脫模劑並無特別限制，可使用現有公知者。具體而言，可列舉：棕櫚蠟（carnauba wax）、二十八酸、硬脂酸等高級脂肪酸、高級脂肪酸金屬鹽、二十八酸酯等酯系蠟、氧化聚乙烯、非氧化聚乙烯等聚烯烴系蠟等。脫模劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於密封材含有脫模劑的情況下，相對於樹脂成分100質量份，脫模劑的量較佳為0.01質量份～10質量份，更佳為0.1質量份～5質量份。若脫模劑的量相對於樹脂成分100質量份而為0.01質量份以上，則存在可充分獲得脫模性的傾向。若為10質量份以下，則存在可獲得更良好的接著性及硬化性的傾向。 再者，相對於樹脂成分100質量份，脫模劑的含量可為未滿0.1質量份，亦可為未滿0.01質量份。
-阻燃劑- 本揭示的密封材可含有阻燃劑作為添加劑。阻燃劑並無特別限制，可使用現有公知者。具體而言，可列舉包含鹵素原子、銻原子、氮原子或磷原子的有機化合物或無機化合物、金屬氫氧化物等。阻燃劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於密封材含有阻燃劑的情況下，其量若為對於獲得所需的阻燃效果而言充分的量，則並無特別限制。例如，相對於樹脂成分100質量份而較佳為1質量份～30質量份，更佳為2質量份～20質量份。
-著色劑- 本揭示的密封材可更含有著色劑作為添加劑。作為著色劑，可列舉碳黑、有機染料、有機顏料、氧化鈦、鉛丹、紅丹等公知的著色劑。著色劑的含量可根據目的等適宜選擇。著色劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
-應力緩和劑- 本揭示的密封材可含有矽酮油、矽酮橡膠粒子等應力緩和劑作為添加劑。藉由含有應力緩和劑，可進一步減少封裝的翹曲變形及封裝裂紋的產生。作為應力緩和劑，可列舉一般所使用的公知的應力緩和劑（可撓劑）。具體而言，可列舉矽酮系、苯乙烯系、烯烴系、胺基甲酸酯系、聚酯系、聚醚系、聚醯胺系、聚丁二烯系等熱塑性彈性體，天然橡膠（natural rubber，NR）、丙烯腈-丁二烯橡膠（acrylonitrile butadiene rubber，NBR）、丙烯酸橡膠、胺基甲酸酯橡膠、矽酮粉末等橡膠粒子，甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯-丁二烯共聚物（Methacrylate methyl styrene butadiene，MBS）、甲基丙烯酸甲酯-矽酮共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸丁酯共聚物等具有核-殼結構的橡膠粒子等。應力緩和劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
（密封材的製備方法） 密封材的製備方法並無特別限制。作為一般的手法，可列舉利用混合機等將各成分充分混合後，藉由混合輥、擠出機等進行熔融混煉，並進行冷卻、粉碎的方法。更具體而言，例如可列舉對所述成分進行攪拌及混合，利用預先加熱至70℃～140℃的捏合機、輥、擠壓機（extruder）等進行混煉，並進行冷卻、粉碎的方法。
（密封材的特性） 將本揭示的密封材製成壓縮成形體時的非黑點比例為86%以上，就抑制由壓縮成形引起的導線偏離的觀點而言，較佳為89%以上，更佳為91%以上。 作為獲得製成壓縮成形體時的非黑點比例為86%以上的密封材的方法，如上所述，例如可列舉使用利用偶合劑進行了處理的第一無機填充材與第二無機填充材的混合物作為無機填充材的方法。於使用所述混合物作為無機填充材的情況下，例如可藉由調整對第一無機填充材進行處理的偶合劑的種類及量，來控制製成壓縮成形體時的非黑點比例。
本揭示的密封材於常溫常壓下（例如，25℃、大氣壓下）可為固體，亦可為液狀，較佳為固體。密封材為固體時的形狀並無特別限制，可列舉粉狀、粒狀、片狀等。就操作性的觀點而言，密封材為片狀時的尺寸及質量較佳成為與封裝的成形條件相符的尺寸及質量。
＜電子零件裝置＞ 作為本揭示的一態樣的電子零件裝置包括藉由所述密封材而密封的元件。即，電子零件裝置包括元件、以及將元件密封的密封材的硬化物。 作為電子零件裝置，可列舉利用密封材將如下元件部密封而成者，所述元件部是於引線框架、完成配線的帶載體（tape carrier）、配線板、玻璃、矽晶圓、有機基板等支撐構件上搭載元件（半導體晶片、電晶體、二極體、閘流體等主動元件；電容器、電阻體、線圈等被動元件等）而獲得。 更具體而言，可列舉：雙列直插式封裝（Dual Inline Package，DIP）、帶引線的塑膠晶片載體（Plastic Leaded Chip Carrier，PLCC）、四面扁平封裝（Quad Flat Package，QFP）、小外型封裝（Small Outline Package，SOP）、小外型J形引線封裝（Small Outline J-lead package，SOJ）、薄型小外型封裝（Thin Small Outline Package，TSOP）、薄型四面扁平封裝（Thin Quad Flat Package，TQFP）等一般的樹脂密封型IC，該些具有於引線框架上固定元件並利用打線接合、凸塊等將接合墊等元件的端子部與引線部連接後，使用密封材並藉由壓縮成形等進行密封而成的結構；帶載體封裝（Tape Carrier Package，TCP），其具有藉由密封材將利用凸塊連接於帶載體上的元件密封而成的結構；板上晶片（Chip On Board，COB）模組、混合IC、多晶片模組等，該些具有藉由密封材將利用打線接合、倒裝晶片接合、焊料等連接於支撐構件上所形成的配線的元件密封而成的結構；球柵陣列（Ball Grid Array，BGA）、晶片尺寸封裝（Chip Size Package，CSP）、多晶片封裝（Multi Chip Package，MCP）等，該些具有將元件搭載於背面形成有配線板連接用端子的支撐構件的表面，並於利用凸塊或打線接合將元件與形成於支撐構件上的配線連接後，藉由密封材將元件密封而成的結構。另外，於印刷配線板中亦可較佳地使用密封材。
使用密封材對電子零件裝置進行密封的方法並無特別限定，可列舉一般的壓縮成形法等。 [實施例]
以下，藉由實施例對所述實施形態進行具體說明，但所述實施形態的範圍並不限定於該些實施例。
＜密封材的製作＞ 首先，準備下述所示的各成分。
（A）環氧樹脂 [環氧樹脂A1]三菱化學股份有限公司製造 jER YX-4000（商品名） [環氧樹脂A2]日鐵化學&材料股份有限公司製造 愛普特普（EPOTOHTO）YSLV-80XY（商品名） [環氧樹脂A3]日本化藥股份有限公司 EPPN-501HY（商品名）
（B）硬化劑 [硬化劑B1]明和化成股份有限公司製造 MEH-7851（商品名） [硬化劑B2]明和化成股份有限公司製造 MEH-7500（商品名）
（C）無機填充材 [無機填充材C1]利用偶合劑（N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷，別名：γ-苯胺丙基三甲氧基矽烷，商品名「KBM-573」，相對於二氧化矽粒子100質量份而為0.6質量份）對二氧化矽粒子（第一無機填充材，體積平均粒徑0.5 μm，比表面積5.5 m2 /g，球狀二氧化矽）進行處理而得者（800℃下的質量減少率：0.38%） [無機填充材C2]利用偶合劑（3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷，別名：γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷，商品名「KBM-503」，相對於二氧化矽粒子100質量份而為0.7質量份）對二氧化矽粒子（第一無機填充材，體積平均粒徑0.5 μm，比表面積5.5 m2 /g，球狀二氧化矽）進行處理而得者（800℃下的質量減少率：0.41%） [無機填充材C3]利用偶合劑（3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，別名：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，商品名「KBM-403」，相對於二氧化矽粒子100質量份而為0.6質量份）對二氧化矽粒子（第一無機填充材，體積平均粒徑0.5 μm，比表面積5.5 m2 /g，球狀二氧化矽）進行處理而得者（800℃下的質量減少率：0.38%） [無機填充材C4]二氧化矽粒子（第一無機填充材，體積平均粒徑0.5 μm，比表面積5.5 m2 /g，未利用偶合劑進行處理的球狀二氧化矽）
[無機填充材C5]利用偶合劑（N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷，商品名「KBM-573」，相對於二氧化矽粒子100質量份而為0.6質量份）對二氧化矽粒子（第二無機填充材，體積平均粒徑15 μm，比表面積4.0 m2 /g，球狀二氧化矽）進行處理而得者 [無機填充材C6]二氧化矽粒子（第二無機填充材，體積平均粒徑15 μm，比表面積4.0 m2 /g，未利用偶合劑進行處理的球狀二氧化矽） [無機填充材C7]利用偶合劑（N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷，別名：γ-苯胺丙基三甲氧基矽烷，商品名「KBM-573」，相對於二氧化矽粒子100質量份而為0.9質量份）對二氧化矽粒子（第一無機填充材，體積平均粒徑0.5 μm，比表面積5.5 m2 /g，球狀二氧化矽）進行處理而得者（800℃下的質量減少率：0.73%） [無機填充材C8]利用偶合劑（N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷，別名：γ-苯胺丙基三甲氧基矽烷，商品名「KBM-573」，相對於二氧化矽粒子100質量份而為1.0質量份）對二氧化矽粒子（第一無機填充材，體積平均粒徑0.5 μm，比表面積5.5 m2 /g，球狀二氧化矽）進行處理而得者
（D）作為添加劑的偶合劑 [偶合劑D1]N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷（矽烷偶合劑，商品名「KBM-573」 信越化學工業股份有限公司製造） [偶合劑D2]3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷（矽烷偶合劑，商品名「KBM-503」 信越化學工業股份有限公司製造） [偶合劑D3]3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（矽烷偶合劑，商品名「KBM-403」 信越化學工業股份有限公司製造） （E）硬化促進劑 [促進劑E1]三-對甲苯膦與1,4-苯醌的加成物
將表1及表2所示的各成分以該表所示的量進行調配（單位為質量份）並利用混合機充分混合後，使用雙軸混煉機於100℃下熔融混煉2分鐘。繼而，於將此熔融物冷卻後，將成為固體狀的物質粉碎成粉末狀，藉此製備作為目標的粉末狀的密封材。表中，空欄表示成分未調配。
將相對於所得的密封材整體而言的無機填充材的含有率示於表1及表2。 另外，關於所得的密封材，將藉由前述方法而得的壓縮成形體的SAT圖像中的非黑點比例示於表1及表2。 另外，關於所得的密封材中含有的無機填充材，藉由前述方法求出體積基準的粒度分佈，結果可知於任一實施例及比較例中，均於0.5 μm與15 μm處具有極大值。 另外，藉由以下所示的各種試驗對所得的密封材進行評價。將評價結果示於表1及表2。
＜螺旋流（spiral flow）長度的評價＞ 使用依照規格（EMMI-1-66）的螺旋流測定用模具，以柱塞底部壓力換算值的油壓70 kgf/cm2 （6.86 MPa）注入所得的密封材，於175℃、120秒的條件下進行成形，將此時的成形物的長度設為流動距離（螺旋流長度）。然後，求出將比較例1中的流動距離設為100時的各實施例及比較例中的流動距離的換算值。將結果示於表1及表2。再者，關於流動距離的換算值，值越大，意味著流動距離越長。
＜導線偏離的評價＞ 使用所得的密封材並利用壓縮成形機（東和（TOWA）公司製造、PMC-1040），於成形溫度175℃、成形時間120秒的成形條件下對封裝進行密封，於175℃、5小時下進行後硬化，藉此獲得半導體裝置。所述半導體裝置為球柵陣列（BGA）封裝（樹脂密封部分尺寸：228 mm×67 mm×厚度1 mm），晶片尺寸為7.5 mm×7.5 mm。另外，關於導線，金線導線直徑為18 μm，平均金線導線長度為5 mm。然後，對於所製作的所述封裝，利用軟X射線分析裝置，觀察金線導線的變形狀態，調查變形的有無（相對於初始形狀的變形率）。具體而言，利用X射線測定導線的最大移位量，算出使所得的最大移位量的值除以線弧長度而得的值乘以100而得的值即變形率，將該變形率設為導線偏離率。
然後，求出將比較例1中的導線偏離率設為100時的各實施例及比較例中的導線偏離率的換算值。將結果示於表1及表2。再者，關於導線偏離率的換算值，值越小，意味著導線偏離率越低。
[表1]
  實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2 比較例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例4
環氧樹脂 A1 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
A2 80 80 80 80 80 80 80      
A3               80 80 80
硬化劑 B1 40 40 40 40 40 40 40 44 44 44
B2 33 33 33 33 33 33 33 36 36 36
無機填充材 C1 45           45 110 110  
C2   45                
C3     45              
C4       45 45 45       110
C5             1470      
C6 1470 1470 1470 1470 1470 1470   1230 1230 1230
偶合劑 D1 3     4       3   3
D2   3     4       3  
D3     3     4        
促進劑 E1 2 2 2 2 2 2 2 4 4 4
無機填充劑含有率 體積% 79 79 79 79 79 79 79 77 77 77
質量% 87.5 87.5 87.5 87.5 87.5 87.5 87.5 86 86 86
非黑點比例 （%） 92 91 91 83 84 78 93 90 90 75
螺旋流長度 （換算值） 102 102 100 100 100 99 121 100 104 97
導線偏離 （換算值） 72 70 80 100 90 110 32 83 81 102
[表2]
  實施例7 比較例5
環氧樹脂 A1 20 20
A2 80 80
A3    
硬化劑 B1 40 40
B2 33 33
無機填充材 C7 45  
C8   45
C9    
C5    
C6 1470 1470
偶合劑 D1 3 3
D2    
D3    
促進劑 E1 2 2
無機填充劑含有率 體積% 79 79
質量% 87.5 87.5
非黑點比例 （%） 87 85
螺旋流長度 （換算值） 102 102
導線偏離 （換算值） 65 86
根據表1及表2的結果可知，製成壓縮成形體時的SAT圖像中的非黑點比例為86%以上的實施例的密封材與比較例相比，導線偏離的發生率減少。
於2019年9月12日提出了申請的國際專利申請PCT/JP2019/035934號的揭示藉由參照而將其整體併入本說明書中。 關於本說明書中所記載的所有文獻、專利申請、及技術規格，與具體且各個地記載有藉由參照而併入各個文獻、專利申請、及技術規格的情況同等程度地，引用且併入至本說明書中。

Claims (7)

  1. 一種壓縮成形用密封材，其為含有環氧樹脂、硬化劑以及無機填充材的壓縮成形用密封材， 於利用超音波探傷裝置對隔著矽晶片將所述壓縮成形用密封材壓縮成形在基板上而成的壓縮成形體進行觀察而得的圖像中，相對於與所述晶片上的壓縮成形體相當的區域整體的面積，與所述晶片上的壓縮成形體相當的區域中的除黑點以外的面積為86%以上。
  2. 如請求項1所述的壓縮成形用密封材，其中，所述無機填充材為利用偶合劑進行了處理的材料。
  3. 如請求項2所述的壓縮成形用密封材，其中，所述偶合劑為矽烷偶合劑。
  4. 如請求項2或3所述的壓縮成形用密封材，其中，所述偶合劑具有選自(甲基)丙烯醯基、環氧基及苯基中的至少一種官能基。
  5. 如請求項2至4中任一項所述的壓縮成形用密封材，其中，所述偶合劑具有二級胺基。
  6. 如請求項1至5中任一項所述的壓縮成形用密封材，其中，所述無機填充材於體積基準的粒度分佈中於0.1 μm～2 μm處具有極大值。
  7. 一種電子零件裝置，包括：元件；以及將所述元件密封的如請求項1至6中任一項所述的壓縮成形用密封材的硬化物。
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