JP6605190B2 - 封止用樹脂組成物、および半導体装置 - Google Patents
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Description
半導体素子と、前記半導体素子に接続され、かつCuを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
イオン捕捉剤と、
カップリング剤と、
充填剤と、
を含み、
前記カップリング剤はメルカプトシランを含み、
前記封止用樹脂組成物の固形分全体に対する前記カップリング剤の含有量は、0.05質量%以上0.5質量%以下であり、
前記封止用樹脂組成物の固形分全体に対する前記イオン捕捉剤の含有量は、0.05質量%以上0.5質量%以下であり、
以下の条件1で測定されるpH(1)と、以下の条件2で測定されるpH(2)と、の差(pH(1)−pH(2))が0.1以上、1.1以下である封止用樹脂組成物が提供される。
(条件1:前記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、粉砕直後の前記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH(1))を測定する)
(条件2:前記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、前記粉砕物を、175℃で500時間保管する。次いで、保管後の前記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH(2))を測定する)
半導体素子と、
前記半導体素子に接続され、かつCuを主成分とするボンディングワイヤと、
上述の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置が提供される。
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、半導体素子と、上記半導体素子に接続され、かつCuを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、エポキシ樹脂と、硬化剤と、を含む。また、封止用樹脂組成物は、以下の条件1で測定されるpH(1)と、以下の条件2で測定されるpH(2)と、の差(pH(1)−pH(2))が1.1以下である。
(条件1:上記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、粉砕直後の上記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH(1))を測定する)
(条件2:上記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、上記粉砕物を、175℃で500時間保管する。次いで、保管後の上記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH(2))を測定する)
封止用樹脂組成物は、半導体素子と、半導体素子に接続され、かつCuを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる。本実施形態においては、半導体素子およびボンディングワイヤを、封止用樹脂組成物の硬化物により構成される封止樹脂により封止することにより、半導体パッケージが形成される場合が例示される。
本実施形態においては、Cuの含有量が99.9質量%以上である金属材料により構成されるボンディングワイヤを用いることが、低コスト化等の観点から好ましい態様の一例として挙げられる。一般的に、このようなCuワイヤを用いる場合、半導体装置の高温保管特性を向上させることが困難となることが懸念される。しかしながら、本実施形態によれば、後述するように(pH(1)−pH(2))を制御することによって、上述のようなCuワイヤを用いた場合であっても優れた高温保管特性を実現することができる。
上記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、粉砕直後の上記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH(1))を測定する。
上記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、上記粉砕物を、175℃で500時間保管する。次いで、保管後の上記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH(2))を測定する。
エポキシ樹脂(A)としては、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。
本実施形態において、エポキシ樹脂(A)は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂;スチルベン型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの2量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、ナフタレン型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、およびビフェニル型エポキシ樹脂のうちの一種または二種以上を含むことがより好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。なお、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、およびテトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ならびにスチルベン型エポキシ樹脂は、結晶性を有するものであることが好ましい。
封止用樹脂組成物に含まれる硬化剤(B)としては、たとえば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の3タイプに大別することができる。
硬化剤(B)として用いられるフェノール樹脂系硬化剤は、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型樹脂;ポリビニルフェノール;トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール化合物等から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、耐リフロー性や高温保管特性のバランスを向上させる観点からは、アラルキル型樹脂および多官能型フェノール樹脂のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。
封止用樹脂組成物は、たとえば充填剤(C)をさらに含むことができる。充填材(C)としては、一般の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができ、たとえば溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、チタンホワイト、窒化珪素等の無機充填材、オルガノシリコーンパウダー、ポリエチレンパウダー等の有機充填材が挙げられる。これらのうち、溶融球状シリカを用いることがとくに好ましい。これらの充填材は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、充填材(C)の形状としては、とくに限定されないが、封止用樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えつつ、充填材の含有量を高める観点から、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。
充填剤(C)には、カップリング剤(D)を用いて表面処理が施すことができる。カップリング剤(D)としては、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、メタクリルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム/ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を用いることができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−[ビス(β−ヒドロキシエチル)]アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(β−アミノエチル)アミノプロピルジメトキシメチルシラン、N−(トリメトキシシリルプロピル)エチレンジアミン、N−(ジメトキシメチルシリルイソプロピル)エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチルーブチリデン)プロピルアミンの加水分解物等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソプロピルトリ(N−アミノエチル−アミノエチル)チタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタネート等のチタネート系カップリング剤が挙げられる。これらは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシランまたはビニルシランのシラン系化合物がより好ましい。また、耐リフロー性等の半導体装置の信頼性を向上させる観点からは、メルカプトシランを用いることがとくに好ましい。
本実施形態においては、たとえば上記表面処理の条件を調整することにより、封止用樹脂組成物のpH(1)、pH(2)、および(pH(1)−pH(2))を制御することができる。この表面処理の条件としては、たとえば噴霧器の使用の有無、放置時間、熱処理の有無および熱処理条件等が挙げられる。
封止用樹脂組成物は、たとえばイオン捕捉剤(E)をさらに含むことができる。
イオン捕捉剤(E)としては、とくに限定されないが、たとえばハイドロタルサイト類および多価金属酸性塩等の無機イオン交換体が挙げられる。これらは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、高温保管特性を向上させる観点からは、ハイドロタルサイト類を用いることがとくに好ましい。
封止用樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤(F)を含むことができる。硬化促進剤(F)は、エポキシ樹脂(A)のエポキシ基と、硬化剤(B)(たとえば、フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基)と、の架橋反応を促進させるものであればよく、たとえば一般の封止用エポキシ樹脂組成物に使用するものを用いることができる。
半導体装置100は、半導体素子20と、ボンディングワイヤ40と、封止樹脂50と、を備えている。ボンディングワイヤ40は、半導体素子20に接続され、かつCuを主成分とする。また、封止樹脂50は、上述した封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、半導体素子20およびボンディングワイヤ40を封止する。
図1においては、ボンディングワイヤ40が、半導体素子20の電極パッド22と、基材30のうちのアウターリード34と、を電気的に接続する場合が例示されている。
まず、基材30上に、半導体素子20を搭載する。次いで、基材30と半導体素子20を、Cuを主成分とするボンディングワイヤ40により互いに接続させる。次いで、半導体素子20と、ボンディングワイヤ40と、を上述の封止用樹脂組成物により封止する。封止成形の方法としては、とくに限定されないが、たとえばトランスファー成形法または圧縮成形法が挙げられる。これにより、半導体装置100が製造されることとなる。
以下、参考形態の例を付記する。
1. 半導体素子と、前記半導体素子に接続され、かつCuを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
を含み、
以下の条件1で測定されるpH (1) と、以下の条件2で測定されるpH (2) と、の差(pH (1) −pH (2) )が1.1以下である封止用樹脂組成物。
(条件1:前記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、粉砕直後の前記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH (1) )を測定する)
(条件2:前記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、前記粉砕物を、175℃で500時間保管する。次いで、保管後の前記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH (2) )を測定する)
2. 1.に記載の封止用樹脂組成物において、
pH (1) が5以上7以下である封止用樹脂組成物。
3. 1.または2.に記載の封止用樹脂組成物において、
イオン捕捉剤をさらに含む封止用樹脂組成物。
4. 3.に記載の封止用樹脂組成物において、
前記封止用樹脂組成物の固形分全体に対する前記イオン捕捉剤の含有量は、0.05質量%以上1質量%以下である封止用樹脂組成物。
5. 半導体素子と、
前記半導体素子に接続され、かつCuを主成分とするボンディングワイヤと、
1.〜4.いずれか一つに記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置。
実施例1〜14および比較例1〜2のそれぞれについて、以下のように封止用樹脂組成物を調整した。まず、充填剤(C)に対して、表1に示す配合量のカップリング剤(D)により表面処理を施した。次いで、表1に示す配合に従い、各成分を、ミキサーを用いて15〜28℃で混合した。次いで、得られた混合物を、70〜100℃でロール混練した。次いで、混練後の混合物を冷却し、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。なお、表1中における各成分の詳細は下記のとおりである。また、表1中の単位は、質量%である。
エポキシ樹脂1:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(NC−3000P、日本化薬(株)製)
エポキシ樹脂2:ビフェニル型エポキシ樹脂(YX4000K、三菱化学(株)製)
エポキシ樹脂3:ナフタレン型エポキシ樹脂(HP−4770、DIC(株)製)
硬化剤1:ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂(MEH−7851SS、明和化成(株)製)
硬化剤2:フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂(XLC−4L、三井化学(株)製)
硬化剤3:トリフェノールメタン型フェノール樹脂(MEH−7500、明和化成(株)製)
充填剤1:シリカ(平均粒径26μm、比表面積2.4mm2/g)
充填剤2:シリカ(SO−25R、(株)アドマテックス製、平均粒径0.5μm、比表面積6.0mm2/g)
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−803)
ハイドロタルサイト(DHT−4H、協和化学工業(株)製)
硬化促進剤1:下記式(11)にて表される化合物
硬化促進剤2:下記式(12)にて表される化合物
冷却管及び攪拌装置付きのセパラブルフラスコにベンゾキノン6.49g(0.060mol)、トリフェニルホスフィン17.3g(0.066mol)およびアセトン40mlを仕込み、攪拌下、室温で反応した。析出した結晶をアセトンで洗浄後、ろ過、乾燥し暗緑色結晶の硬化促進剤1を得た。
冷却管及び攪拌装置付きのセパラブルフラスコに2,3−ジヒドロキシナフタレン12.81g(0.080mol)、テトラフェニルホスホニウムブロミド16.77g(0.040mol)およびメタノール100mlを仕込み攪拌し、均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム1.60g(0.04ml)を10mlのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶をろ過、水洗、真空乾燥し、硬化促進剤2を得た。
カルナバワックス
実施例5においては、上記混合物を放置した後、55℃、3時間の条件下で上記混合物に対して熱処理を行う点を除いて、実施例1と同様に表面処理を行った。
実施例6においては、次のようにして充填剤1、充填剤2およびカップリング剤(D)の混合物を得た点を除いて、実施例1と同様に表面処理を行った。まず、充填剤1および充填剤2をミキサーに投入して、これらを混合した。そして、ミキサー内の充填剤1および充填剤2に対して噴霧器を用いてカップリング剤(D)を噴霧しながら、これらを3.0分間撹拌し、充填剤1、充填剤2およびカップリング剤(D)の混合物を得た。次いで、この混合物をミキサーから取り出し、表1に示す時間(放置時間)放置した。
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物のpH(1)を次のように測定した。まず、封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得た。粉砕処理は、TI−100((株)シー・エム・ティー製)にて、硬化物5.2gを粉砕釜に入れて、2分間粉砕することにより行った。次いで、粉砕直後の上記粉砕物5gを、純水50ml中に入れた。次いで、この純水に対し、125℃、20時間の条件下で内容器がポリテトラフルオロエチレン製であり、外容器が金属製である耐圧容器を使用して熱水抽出処理を行った。これにより得られた抽出液のpHをpHメータで測定し、これをpH(1)とした。
各実施例および各比較例について、得られた封止用樹脂組成物のpH(2)を次のように測定した。まず、封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得た。粉砕処理は、TI−100((株)シー・エム・ティー製)にて、硬化物5.2gを粉砕釜に入れて、2分間粉砕することにより行った。次いで、得られた上記粉砕物を、175℃で500時間保管した。次いで、保管後の上記粉砕物5gを、純水50ml中に入れた。次いで、この純水に対し、125℃、20時間の条件下で内容器がポリテトラフルオロエチレン製であり、外容器が金属製である耐圧容器を使用して熱水抽出処理を行った。これにより得られた抽出液のpHをpHメータで測定し、これをpH(2)とした。
実施例1〜14、比較例1〜2のそれぞれについて、次のように半導体装置を作製した。
まず、アルミニウム製電極パッドを備えるTEG(Test Element Group)チップ(3.5mm×3.5mm)を、表面がAgによりめっきされたリードフレームのダイパッド部上に搭載した。次いで、TEGチップの電極パッド(以下、電極パッド)と、リードフレームのアウターリード部と、をCu99.9%の金属材料により構成されるボンディングワイヤを用いて、ワイヤピッチ120μmでワイヤボンディングした。これにより得られた構造体を、低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力10.0MPa、硬化時間2分の条件で封止用樹脂組成物を用いて封止成形し、半導体パッケージを作製した。その後、得られた半導体パッケージを175℃、4時間の条件で後硬化し、半導体装置を得た。
実施例1〜14、比較例1〜2のそれぞれについて、得られた半導体装置12個に対し85℃相対湿度60%の環境下に168時間放置した後、IRリフロー処理(260℃)を行った。次いで、処理後の半導体装置内部を超音波探傷装置で観察し、封止樹脂と、リードフレームと、の界面において剥離が生じた面積を算出した。全ての半導体装置について剥離面積が5%未満の場合を◎、5%以上10%以下の場合を○、10%を超える場合を×とした。
実施例1〜14、比較例1〜2のそれぞれについて、得られた半導体装置を150℃の環境下に保管し、24時間ごとに半導体チップの電極パッドとボンディングワイヤとの間における電気抵抗値を測定し、その値が初期値に対して20%増加した半導体装置を不良とした。2000時間保管しても不良が発生しなかったものを◎、1000〜2000時間の間に不良が発生したものを○、1000時間以内に不良が発生したものを×とした。
10 ダイアタッチ材
20 半導体素子
22 電極パッド
30 基材
32 ダイパッド
34 アウターリード
40 ボンディングワイヤ
50 封止樹脂
Claims (3)
- 半導体素子と、前記半導体素子に接続され、かつCuを主成分とするボンディングワイヤと、を封止するために用いられる封止用樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
イオン捕捉剤と、
カップリング剤と、
充填剤と、
を含み、
前記カップリング剤はメルカプトシランを含み、
前記封止用樹脂組成物の固形分全体に対する前記カップリング剤の含有量は、0.05質量%以上0.5質量%以下であり、
前記封止用樹脂組成物の固形分全体に対する前記イオン捕捉剤の含有量は、0.05質量%以上0.5質量%以下であり、
以下の条件1で測定されるpH(1)と、以下の条件2で測定されるpH(2)と、の差(pH(1)−pH(2))が0.1以上、1.1以下である封止用樹脂組成物。
(条件1:前記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、粉砕直後の前記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH(1))を測定する) (条件2:前記封止用樹脂組成物を175℃、4時間の条件により熱硬化させて得られる硬化物を粉砕し、粉砕物を得る。次いで、前記粉砕物を、175℃で500時間保管する。次いで、保管後の前記粉砕物5gを純水50ml中に入れた後、この純水に対し125℃、20時間の条件下で熱水抽出処理を行い、得られた抽出液のpH(pH(2))を測定する) - 請求項1に記載の封止用樹脂組成物において、
pH(1)が5以上7以下である封止用樹脂組成物。 - 半導体素子と、
前記半導体素子に接続され、かつCuを主成分とするボンディングワイヤと、
請求項1又は2に記載の封止用樹脂組成物の硬化物により構成され、かつ前記半導体素子と前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置。
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