KR102590185B1 - 수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102590185B1
KR102590185B1 KR1020180105131A KR20180105131A KR102590185B1 KR 102590185 B1 KR102590185 B1 KR 102590185B1 KR 1020180105131 A KR1020180105131 A KR 1020180105131A KR 20180105131 A KR20180105131 A KR 20180105131A KR 102590185 B1 KR102590185 B1 KR 102590185B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
resin composition
formula
resin film
film
Prior art date
Application number
KR1020180105131A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190027729A (ko
Inventor
요이치로 이치오카
나오유키 구시하라
가즈노리 곤도
가즈아키 스미타
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20190027729A publication Critical patent/KR20190027729A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102590185B1 publication Critical patent/KR102590185B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/26—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using curing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/30—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen
    • C08G59/306—Di-epoxy compounds containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen and nitrogen containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/226—Mixtures of di-epoxy compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
    • C08G59/3254—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen
    • C08G59/3281—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or nitrogen containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
    • C08G77/44—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing only polysiloxane sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C08G77/52—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/13—Phenols; Phenolates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/10—Epoxy resins modified by unsaturated compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2312/00—Crosslinking
    • C08L2312/04—Crosslinking with phenolic resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

[과제] 고강도이고, 휨이 작고, 접착력이 우수한 수지 조성물, 해당 조성물이 필름화된 것인 고강도 수지 필름, 해당 수지 필름의 경화물을 갖는 것인 반도체 적층체 및 그의 제조 방법, 그리고 해당 반도체 적층체가 개편화된 것인 반도체 장치 및 그의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단] (A) 에폭시 수지,
(B) 하기 식 (1) 및/또는 식 (2)에 기재된 에폭시 화합물,
(C) 하기 식 (3)으로 표시되는 에폭시 화합물,
(D) 페놀성 경화제, 및
(E) 경화 촉진제
를 포함하는 것임을 특징으로 하는 수지 조성물.
Figure 112018087685063-pat00062

Figure 112018087685063-pat00063

Figure 112018087685063-pat00064

(식 중, A는, 단결합, 또는 하기 식
Figure 112018087685063-pat00065

으로부터 선택되는 2가의 유기기이다)

Description

수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법{RESIN COMPOSITION, RESIN FILM, SEMICONDUCTOR LAMINATE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LAMINATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
근년, 반도체 업계에서는 스마트폰 등의 모바일 기기의 소형화·저비용화에 대응하기 위하여, 칩 기판이 되는 실리콘 웨이퍼의 박형화나, 제조 효율 향상을 목적으로 한 대형 플라스틱 기판으로의 전환이 검토되고 있다. 그러나 박형 기판이나 유연한 플라스틱 기판에서는 휨의 영향이 현저해지기 때문에, 밀봉재에 크랙이 발생하지 않도록 밀봉재의 강도가 중요해진다. 지금까지 밀봉재의 강도 향상을 위하여, 비스페놀 A, 비페닐 등의 페놀 화합물이나, 노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지 등의 페놀 수지 등의 경화제를 사용하여 다양한 검토가 진행되어 왔지만, 추가적인 고강도의 밀봉재가 요구되고 있다(특허문헌 1). 또한 기판이 유연해지기 때문에 구부러지기 쉬워지는데, 왜곡 시에는 칩 단부나 칩 하부에 큰 응력이 걸려 밀봉재·칩 사이 또는 밀봉재·기판 사이에서의 박리가 발생하기 쉬워지기 때문에, 밀봉재 그 자체의 접착력을 높일 필요나 경화 수축에 의한 휨을 감소시킬 필요가 생기고 있었다.
또한 제조 효율을 높이기 위하여 플라스틱 기판은 사각형 기판을 사용하는 경우가 많은데, 이를 밀봉할 때, 액상 밀봉재에서는 기판의 내측과 외측에서 불균일이 발생하기 쉬워지기 때문에, 이를 용이하게 균일 밀봉할 수 있는 필름 타입이 요망되고 있었다.
그래서, 왜곡 시에도 크랙이 생기기 어렵도록, 고강도이고, 휨이 작고, 또한 휘더라도 박리가 발생하지 않는 고접착 수지 조성물, 그리고 이를 사용한, 양호한 웨이퍼 보호 성능을 갖는 웨이퍼 몰드재의 개발 및 그의 필름화가 요망되고 있었다.
일본 특허 공개 제2012-158730호 공보
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 고강도이고, 휨이 작고, 접착력이 우수한 수지 조성물, 해당 조성물이 필름화된 것인 고강도 수지 필름, 해당 수지 필름의 경화물을 갖는 것인 반도체 적층체 및 그의 제조 방법, 그리고 해당 반도체 적층체가 개편화된 것인 반도체 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는,
(A) 에폭시 수지,
(B) 하기 식 (1) 및/또는 식 (2)에 기재된 에폭시 화합물,
(C) 하기 식 (3)으로 표시되는 에폭시 화합물,
(D) 페놀성 경화제, 및
(E) 경화 촉진제
를 포함하는 것임을 특징으로 하는 수지 조성물을 제공한다.
Figure 112018087685063-pat00001
Figure 112018087685063-pat00002
Figure 112018087685063-pat00003
(식 중, A는, 단결합, 또는 하기 식
Figure 112018087685063-pat00004
으로부터 선택되는 2가의 유기기이다)
이와 같은 조성물이면, 그 경화물은 고강도이고, 휨이 작고, 접착력이 우수하다.
또한 상기 (A) 성분이 실리콘 변성 에폭시 수지인 것이 바람직하다.
이와 같이 (A) 성분의 일례로서는 실리콘 변성 에폭시 수지를 들 수 있다.
이 경우, 상기 실리콘 변성 에폭시 수지가 하기 식 (4)로 표시되고, 중량 평균 분자량이 3,000 내지 500,000인 것이 바람직하다.
Figure 112018087685063-pat00005
[식 중, R1 내지 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 상이해도 된다. 또한 a, b, c, d 및 e는 각 반복 단위의 조성비를 나타내며, 0<a<1, 0≤b<1, 0≤c<1, 0<d<1, 0≤e<1, 0.67≤(b+d)/(a+c+e)≤1.67, 및 a+b+c+d+e=1을 만족시키는 양수이다. g는 0 내지 300의 정수이다. X는, 하기 식 (5)로 표시되는 2가의 유기기이다. Y는, 하기 식 (6)으로 표시되는 2가의 실록산 골격 함유기이다. Z는, 하기 식 (7)로 표시되는 2가의 유기기이다]
Figure 112018087685063-pat00006
(식 중, E는, 단결합, 또는 하기 식
Figure 112018087685063-pat00007
으로부터 선택되는 2가의 유기기이다. R7 및 R8은 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 상이해도 된다. t 및 u는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다)
Figure 112018087685063-pat00008
(식 중, v는 0 내지 300의 정수이다)
Figure 112018087685063-pat00009
(식 중, G는, 단결합, 또는 하기 식
Figure 112018087685063-pat00010
으로부터 선택되는 2가의 유기기이다. R9 및 R10은 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 상이해도 된다. w 및 x는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다)
이와 같은 조성물이면, 내약품성, 내열성, 내압성이 보다 우수한 경화물을 부여할 수 있다.
또한 상기 수지 조성물의 경화 후에 있어서의 인장 강도가 6.0㎫ 이상인 것이 바람직하다.
이와 같은 조성물이면 양호한 내크랙성을 나타낸다.
또한 상기 (B) 성분이 상기 (A) 성분 100질량부에 대하여 0.5 내지 100질량부 포함되는 것이 바람직하다.
이와 같은 조성물이면, 강도 향상 효과나 접착력 향상에 대한 효과가 충분히 얻어지고, 내약품성, 탄성률, 선팽창 계수에 큰 악영향을 주기 어렵기 때문에 바람직하다.
또한 (F) 무기 충전제를 포함하는 것인 것이 바람직하다.
이와 같은 조성물이면, 웨이퍼 보호성이 보다 우수하고, 또한 내열성, 내습성, 강도 등이 보다 우수하다.
이 경우, 상기 무기 충전제가 실리카이고, 상기 수지 조성물 중 20 내지 96질량% 포함되는 것이 바람직하다.
이와 같은 조성물이면, 가공성이 양호해지고 강도가 향상되기 때문에 바람직하다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 수지 조성물이 필름화된 것임을 특징으로 하는 수지 필름을 제공한다.
이와 같은 수지 필름은, 강도나 접착력이 높기 때문에 각종 에러가 일어나기 어려운 웨이퍼 몰드재가 된다.
또한 상기 수지 필름의 경화 후에 있어서의 인장 강도가 6.0㎫ 이상인 것이 바람직하다.
이와 같은 수지 필름이면 양호한 내크랙성을 나타낸다.
또한 본 발명에서는, 반도체 웨이퍼 상에 상기 본 발명의 수지 필름의 경화물을 갖는 것임을 특징으로 하는 반도체 적층체를 제공한다.
이와 같은 반도체 적층체이면, 수지 필름의 강도와 접착력이 높기 때문에, 수지 필름에 의하여 반도체 웨이퍼가 충분히 보호된 것이 된다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 반도체 적층체가 개편화된 것임을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다.
이와 같은 반도체 장치이면 고품질의 것이 된다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 수지 필름을 반도체 웨이퍼에 부착하고 해당 반도체 웨이퍼를 몰드하는 공정과, 상기 수지 필름을 가열 경화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 적층체의 제조 방법을 제공한다.
이와 같은 반도체 적층체의 제조 방법이면, 수지 필름에 의하여 반도체 웨이퍼가 충분히 보호된 반도체 적층체를 제조할 수 있다.
또한 본 발명에서는, 상기 본 발명의 반도체 적층체의 제조 방법에 의하여 제조한 반도체 적층체를 개편화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
이와 같은 반도체 장치의 제조 방법이면 고품질의 반도체 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은 경화물의 강도를 대폭 높일 수 있다. 또한 밀착성, 저휨성, 접착성, 웨이퍼 보호성이 우수하여 웨이퍼를 일괄적으로 몰드하는 것이 가능해지기 때문에, 웨이퍼 레벨 패키지에 적합하게 사용할 수 있는 수지 필름이 된다. 이들 발명을 이용함으로써 고수율로 고품질의 반도체 장치를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
상기와 같이 고강도이고, 휨이 작고, 접착력이 우수한 수지 조성물, 해당 조성물이 필름화된 것인 고강도 수지 필름, 해당 수지 필름의 경화물을 갖는 것인 반도체 적층체 및 그의 제조 방법, 그리고 해당 반도체 적층체가 개편화된 것인 반도체 장치 및 그의 제조 방법이 요구되고 있다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행하였다. 그 결과, (A) 에폭시 수지, (B) 특정한 구조의 에폭시 화합물, (C) 다른 특정 구조의 에폭시 화합물, (D) 페놀성 경화제 및 (E) 경화 촉진제를 조합함으로써, 경화물의 인장 강도가 크고, 접착력도 높고, 휨도 작은 수지 조성물을 얻을 수 있는 것을 알아내었다. 또한 이 상기 수지 조성물을 필름화함으로써 보다 용이하게 취급할 수 있는 웨이퍼 몰드재가 되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[수지 조성물]
본 발명의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 특정한 알릴기 함유 에폭시 화합물, (C) 특정한 알릴기를 갖지 않는 에폭시 화합물 및 (D) 페놀성 경화제, (E) 경화 촉진제를 포함하는 것이다.
[(A) 성분]
본 발명의 수지 조성물에 있어서, (A) 성분은 에폭시 수지이다. 상기 에폭시 수지로서는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 디아릴술폰형 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
상기 실리콘 변성 에폭시 수지로서는, 하기 식 (4)로 표시되고 중량 평균 분자량이 3,000 내지 500,000인 것이 바람직하다. 이때, 당해 실리콘 변성 에폭시 수지를 포함하는 조성물의 경화물이 보다 내약품성, 내열성, 내압성을 나타낸다.
Figure 112018087685063-pat00011
식 (4) 중, R1 내지 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 상이해도 된다. 상기 1가 탄화수소기로서는 특별히 한정되지 않지만, 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 등을 들 수 있다. R1 내지 R6으로서는 탄소수 1 내지 12의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 내지 6의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기가 특히 바람직하다. R1 내지 R6으로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 헥실기, 시클로헥실기, 페닐기 등이 바람직하고, 그 중에서도 메틸기 및 페닐기가 원료의 입수의 용이성으로부터 바람직하다.
식 (4) 중, a, b, c, d 및 e는 각 반복 단위의 조성비를 나타내며, 0<a<1, 0≤b<1, 0≤c<1, 0<d<1, 0≤e<1, 0.67≤(b+d)/(a+c+e)≤1.67, 및 a+b+c+d+e=1을 만족시키는 양수이다. 식 (4) 중, g는 0 내지 300의 정수이다.
식 (4) 중, X는, 하기 식 (5)로 표시되는 2가의 유기기이다.
Figure 112018087685063-pat00012
(식 중, E는, 단결합, 또는 하기 식
Figure 112018087685063-pat00013
으로부터 선택되는 2가의 유기기이다)
식 (4) 중, Y는, 하기 식 (6)으로 표시되는 2가의 실록산 골격 함유기이다.
Figure 112018087685063-pat00014
(식 중, v는 0 내지 300의 정수이다)
식 (4) 중, Z는, 하기 식 (7)로 표시되는 2가의 유기기이다.
Figure 112018087685063-pat00015
(식 중, G는, 단결합, 또는 하기 식
Figure 112018087685063-pat00016
으로부터 선택되는 2가의 유기기이다)
식 (5), (7) 중, R7, R8, R9 및 R10은 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 상이해도 된다. R7 내지 R10으로서는, 바람직하게는 탄소수 1 내지 4, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 2의 알킬기 또는 알콕시기이고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, tert-부틸기, 메톡시기, 에톡시기 등이 바람직하다.
식 (5), (7) 중, t, u, w 및 x는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이지만, 0이 바람직하다.
식 (4)로 표시되는 실리콘 변성 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 3,000 내지 500,000이지만, 5,000 내지 200,000이 바람직하다. 식 (4)로 표시되는 실리콘 변성 에폭시 수지는 랜덤 공중합체여도 블록 중합체여도 된다.
에폭시 수지는 1종 단독이어도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
식 (4)로 표시되는 실리콘 변성 에폭시 수지는, 하기 식 (8)로 표시되는 실페닐렌 화합물 및 하기 식 (9) 내지 (12)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 화합물을 사용하여, 이하에 나타내는 방법에 의하여 제조할 수 있다.
Figure 112018087685063-pat00017
(식 중, R1 내지 R10, E, G, g, t, u, v, w 및 x는 상기와 동일하다)
식 (4)로 표시되는 실리콘 변성 에폭시 수지는, 원료를 히드로실릴화시킴으로써 합성할 수 있다. 그때, 반응 용기에 원료를 전부 넣은 상태에서 반응시켜도 되고, 또한 일부 원료를 먼저 반응시키고 그 후에 나머지 원료를 반응시켜도 되고, 원료를 1종씩 반응시켜도 되며, 반응시키는 순서도 임의로 선택할 수 있다. 각 화합물의 배합비는, 상기 식 (10) 및 식 (11) 및 식 (12)로 표시되는 화합물이 갖는 알케닐기의 몰수의 합계에 대한, 상기 식 (8) 및 식 (9)로 표시되는 화합물이 갖는 히드로실릴기의 몰수의 합계가 0.67 내지 1.67, 바람직하게는 0.83 내지 1.25로 되도록 배합하는 것이 좋다.
이 중합 반응은 촉매 존재 하에서 행한다. 촉매는, 히드로실릴화가 진행되는 것이 널리 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는 팔라듐 착체, 로듐 착체, 백금 착체 등이 사용되지만, 이들에 한정되지 않는다. 촉매는, Si-H 결합에 대하여 0.01 내지 10.0몰% 정도 첨가하는 것이 바람직하다. 0.01몰% 이상이면, 반응의 진행이 느려지지 않아 반응이 충분히 진행되고, 10.0몰% 이하이면, 탈수소 반응이 진행되기 어려워져, 부가 반응의 진행을 저해할 우려가 없다.
중합 반응에 사용하는 용매로서는, 히드로실릴화를 저해하지 않는 유기 용매를 널리 사용할 수 있다. 구체적으로는 옥탄, 톨루엔, 테트라히드로푸란, 디옥산 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 용매는, 용질이 10 내지 70질량%로 되도록 사용하는 것이 바람직하다. 10질량% 이상이면, 반응계가 얇아지지 않아 반응의 진행이 느려지지 않는다. 또한 70질량% 이하이면, 점도가 높아지지 않아, 반응 도중에 계 중을 충분히 교반하지 못하게 될 우려가 없다.
반응은, 통상 40 내지 150℃, 바람직하게는 60 내지 120℃, 특히 바람직하게는 70 내지 100℃의 온도에서 행해진다. 반응 온도가 150℃ 이하이면, 분해 등의 부반응이 일어나기 어려워지고, 40℃ 이상이면, 반응의 진행은 느려지지 않는다. 또한 반응 시간은, 통상 0.5 내지 60시간, 바람직하게는 3 내지 24시간, 특히 바람직하게는 5 내지 12시간이다.
[(B) 성분]
(B) 성분은, 하기 식 (1) 및/또는 (2)로 표시되는 에폭시 화합물이다.
Figure 112018087685063-pat00018
Figure 112018087685063-pat00019
(식 중, A는, 단결합, 또는 하기 식
Figure 112018087685063-pat00020
으로부터 선택되는 2가의 유기기이다)
구체적으로는 이하의 구조로 표시된다.
Figure 112018087685063-pat00021
Figure 112018087685063-pat00022
상기 A는, 2가의 유기기 중에서도 특히 이하의 것이 바람직하다.
Figure 112018087685063-pat00023
이들을 사용함으로써 조성물의 경화물의 물성이 보다 양호해진다.
또한 이들 화합물이 갖는 알릴기가 π-π 상호 작용함으로써 강도가 향상됨과 함께, 가교 사이의 간극을 메우도록 작용하기 때문에, 경화물의 균질성이 높아져 인성이 높아진다. 이것에 의하여, 밀봉재로서 사용한 경우, 기판의 휨에 의한 크랙의 발생을 억제할 수 있음과 동시에 박리도 억제할 수 있으므로, 웨이퍼 레벨 패키지에 적합하게 사용할 수 있다.
(B) 에폭시 화합물의 함유량은, (A) 성분 함유량 100질량부에 대하여 (B) 성분이 0.5 내지 100질량부인 것이 바람직하고, 3 내지 50질량부가 보다 바람직하다. (B) 성분의 함유량이 0.5질량부 이상이면, 강도 향상 효과나 접착력 향상에 대한 효과가 충분히 얻어지고, 100질량부 이하이면, 내약품성, 탄성률, 선팽창 계수에 큰 악영향을 주기 어렵기 때문에 바람직하다.
[(C) 성분]
(C) 성분은, 하기 식 (3)으로 표시되는 에폭시 화합물이다.
Figure 112018087685063-pat00024
(식 중, A는, 단결합, 또는 하기 식
Figure 112018087685063-pat00025
으로부터 선택되는 2가의 유기기이다)
구체적으로는 이하의 구조로 표시된다.
Figure 112018087685063-pat00026
상기 A는, 2가의 유기기 중에서도 특히 이하의 것이 바람직하다.
Figure 112018087685063-pat00027
이들 화합물 (C)는 (B) 성분과 비상용계이기 때문에, 첨가함으로써 부분적으로 해도 구조를 형성한다. 조성물의 경화 시에 응력이 발생한 경우, 해도 구조 중에서 응력이 빠져나가기 때문에, 구조체로서는 휨이 발생하기 어려워진다. 즉, 밀봉재로서 사용한 경우, 기판의 휨을 작게 억제할 수 있기 때문에 웨이퍼 레벨 패키지에 적합하게 사용할 수 있다.
(C) 에폭시 화합물의 함유량은 (B) 성분의 배합량에 대하여 80질량% 내지 120질량%가 바람직하다. (C) 성분의 함유량이 상기 범위 내이면 적절한 해도 구조를 형성할 수 있다.
[(D) 성분]
(D) 성분의 페놀성 경화제는 공지된 것을 널리 사용 가능하다. 경화제의 구조로서는 이하에 나타내는 것을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure 112018087685063-pat00028
(D) 성분의 함유량은, 조성물 중의 에폭시기 당량에 대하여 (D) 성분 중의 페놀성 수산기 당량이 70㏖% 내지 140㏖%로 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 90㏖% 내지 110㏖%가 보다 바람직하다. 상기 범위이면 경화 반응이 양호하게 진행된다. 상기 범위이면, 에폭시기나 페놀성 수산기가 과도하게 남는 경우가 없어, 신뢰성은 악화되기 어려워진다.
[(E) 성분]
(E) 성분의 경화 촉진제는, 에폭시기의 개환에 사용되는 것이면 널리 사용 가능하다. 상기 경화 촉진제로서는, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 2-에틸-4-메틸이미다졸2-(디메틸아미노메틸)페놀, 트리에틸렌디아민, 트리에탄올아민, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 제3급 아민류, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀 등의 유기 포스핀류, 옥틸산주석 등의 금속 화합물, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄·에틸트리페닐보레이트 등의 테트라 치환 포스포늄·테트라 치환 보레이트 등을 들 수 있다.
(E) 성분의 함유량은, (A) 성분 100질량부에 대하여 0.05 내지 20.0질량부가 바람직하고, 0.5 내지 3.0질량부가 보다 바람직하다. 상기 범위이면 경화 반응이 과부족 없이 진행된다. 0.05질량부 이상이면 반응은 미완으로 되기 어려워지고, 20.0질량부 이하이면 경화물이 취화되기 어려워진다.
[(F) 성분]
본 발명의 수지 조성물은, 웨이퍼 보호성을 부여하고, 또한 내열성, 내습성, 강도 등을 향상시켜 경화물의 신뢰성을 높이기 위하여, (F) 성분으로서 무기 충전제를 포함해도 된다. 무기 충전제로서는, 예를 들어 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 유리 등의 규산염, 산화티타늄, 알루미나, 용융 실리카(용융 구상 실리카, 용융 파쇄 실리카), 결정 실리카 분말 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘 등의 수산화물, 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산 아연, 메타붕산바륨, 붕산알루미늄, 붕산칼슘, 붕산나트륨 등의 붕산염, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화규소 등의 질화물 등을 들 수 있다. 이들 무기 충전제는 1종 단독이어도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도 용융 실리카, 결정 실리카 등의 실리카 분말이 바람직하다. 상기 실리카 분말로서는, 예를 들어 퓸드 실리카, 침강성 실리카 등의 보강성 실리카; 석영 등의 결정성 실리카를 들 수 있다. 구체적으로는, 닛폰 에어로질(주) 제조의 Aerosil(등록 상표) R972, R974, R976; (주)애드마텍스 제조의 SE-2050, SC-2050, SE-1050, SO-E1, SO-C1, SO-E2, SO-C2, SO-E3, SO-C3, SO-E5, SO-C5; 신에쓰 가가꾸 고교(주) 제조의 Musil 120A, Musil 130A 등을 들 수 있다.
무기 충전제의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 0.01 내지 20㎛가 바람직하고, 0.01 내지 10㎛가 보다 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입자 직경이 0.01㎛ 이상이면, 무기 충전제가 응집하기 어려워지고 강도가 높아지기 때문에 바람직하다. 또한 20㎛ 이하이면, 칩 사이로의 수지의 유동성이 높아져 충전성이 양호해지기 때문에 바람직하다. 또한 평균 입경은, 레이저 광 회절법에 의한 입도 분포 측정 장치에 의하여 구할 수 있으며, 질량 평균값 D50(즉, 누적 질량이 50%로 될 때의 입자 직경 또는 메디안 직경)으로서 측정할 수 있다.
(F) 성분의 함유량은, 수지 조성물의 고형분 중 20 내지 96질량%가 바람직하고, 50 내지 96질량%가 보다 바람직하고, 75 내지 94질량%가 특히 바람직하다. 무기 충전제의 함유량이 96질량% 이하이면, 가공성이 양호해지고 강도가 향상되기 때문에 바람직하다. 또한 20질량% 이상이면 충분히 효과를 발휘한다. 또한 고형분이란, 유기 용제 이외의 성분을 말한다.
[(G) 유기 용제]
본 발명의 수지 조성물은 (G) 성분으로서 유기 용제를 포함해도 된다. 유기 용제로서는, 예를 들어 N,N-디메틸아세트아미드, 메틸에틸케톤, N,N-디메틸포름아미드, 시클로헥사논, 시클로펜타논, N-메틸-2-피롤리돈, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 아세톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있으며, 특히 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 바람직하지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들 유기 용제는 1종 단독이어도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 유기 용제의 사용량은, 수지 조성물 중의 고형분 농도가 60 내지 90질량%로 되는 양이 바람직하다.
[그 외의 성분]
본 발명의 수지 조성물은, 난연성의 향상을 목적으로 하여 난연제를 포함해도 된다. 난연제로서는 인계 난연제를 들 수 있으며, 할로겐 원자를 함유하지 않고 난연성을 부여하는 것인데, 그의 예로서는 포스파젠 화합물, 인산에스테르 화합물, 인산에스테르아미드 화합물 등을 들 수 있다. 포스파젠 화합물이나 인산에스테르아미드 화합물은, 분자 내에 인 원자와 질소 원자를 함유하고 있기 때문에 특히 높은 난연성이 얻어진다. 난연제의 함유량은, (A) 성분 100질량부에 대하여 5 내지 30질량부가 바람직하다.
본 발명의 수지 조성물은 실란 커플링제를 포함해도 된다. 실란 커플링제를 포함함으로써, 수지 조성물의 피접착체에 대한 밀착성을 더욱 높일 수 있다. 실란 커플링제로서는 에폭시실란 커플링제, 방향족 함유 아미노실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독이어도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 실란 커플링제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 수지 조성물 중 0.01 내지 5질량%가 바람직하다.
또한 본 발명의 수지 조성물은 전술한 것 이외의 성분을 더 포함해도 된다. 예를 들어 (A) 성분과 (B) 성분의 상용성을 향상시키기 위하여, 또는 수지 조성물의 저장 안정성 혹은 작업성 등의 각종 특성을 향상시키기 위하여 각종 첨가제를 적절히 첨가해도 된다. 예를 들어 지방산에스테르, 글리세린산에스테르, 스테아르산아연, 스테아르산칼슘 등의 내부 이형제, 페놀계, 인계, 또는 황계 산화 방지제 등을 첨가할 수 있다. 또한 카본 등의 안료를 사용하여 조성물을 착색할 수도 있다.
그 외의 성분은, 무용제로 본 발명의 수지 조성물에 첨가해도 되지만, 유기 용제에 용해 또는 분산시켜 용액 또는 분산액으로서 조제하고 나서 첨가해도 된다.
또한 상기 수지 조성물의 경화 후에 있어서의 인장 강도가 6.0㎫ 이상인 것이 바람직하고, 특히 8.0 내지 20.0㎫의 범위가 바람직하다. 인장 강도가 6.0㎫ 이상이면, 기판이나 칩의 열에 의한 팽창 수축, 반도체 패키지 탑재 시의 힘 등에 의하여 크랙이 생기는 것을 방지할 수 있으며, 즉, 양호한 내크랙성을 나타낸다.
상기 본 발명의 조성물이면, 웨이퍼를 일괄적으로 몰드(웨이퍼 몰드)할 수 있으며, 특히 대구경, 박막 웨이퍼에 대하여 양호한 몰드성을 갖고, 동시에 고강도이고, 기판과의 박리가 일어나기 어려운 고접착성·저휨성을 갖고, 몰드 공정을 양호하게 행할 수 있어, 웨이퍼 레벨 패키지에 적합하게 사용할 수 있다.
또한 본 발명의 수지 조성물을 사용하면, 종래의 수지 조성물의, 통상, 경화 후 10.0 내지 20.0㎫이었던 응력을 7.0 내지 15.0㎫로 할 수 있다. 필러를 88중량% 첨가했을 때의 경화물에서는, 종래의 수지 조성물의, 통상 5.0 내지 13.0㎫이었던 응력이 3.0 내지 9.0㎫ 정도까지 저하되는 경우가 있다. 응력이 낮아짐으로써 패키지가 휘기 어려워지는 한편, 인장 강도나 신장률은 거의 변화되기 않기 때문에 패키지 재료에 적합하게 사용할 수 있다.
[수지 필름]
본 발명의 수지 필름은, 상기 본 발명의 수지 조성물이 필름화된 것이다. 즉, 본 발명의 수지 필름은, 상기 수지 조성물을 사용하여 필름상으로 가공하여 얻어지는 것이다. 필름상으로 형성됨으로써, 대구경, 박막 웨이퍼에 대하여 양호한 몰드 성능을 갖는 것이 되어, 웨이퍼를 일괄적으로 몰드할 때 수지를 유입시킬 필요가 없기 때문에, 웨이퍼 표면에 대한 충전 불량 등의 문제를 발생시키는 경우가 없다. 또한 상기 수지 조성물을 사용하여 형성된 수지 필름이면, 강도나 접착력이 높기 때문에, 각종 에러가 일어나기 어려운 웨이퍼 몰드재가 된다.
본 발명의 수지 필름의 경화 후에 있어서의 인장 강도는, 바람직하게는 6.0㎫ 이상, 보다 바람직하게는 8.0 내지 20.0㎫이다. 인장 강도가 6.0㎫ 이상이면, 기판이나 칩의 열에 의한 팽창 수축, 반도체 패키지 탑재 시의 힘 등에 의하여 크랙이 생기는 것을 방지할 수 있으며, 즉, 양호한 내크랙성을 나타낸다.
본 발명의 수지 필름은, 경화 후 탄성률이, 필러가 없는 필름에서는 150 내지 1,500㎫, 필러를 넣은 필름에서는 1,000 내지 20,000㎫ 정도가 되는 것이 바람직하다. 탄성률이 높아짐으로써 패키지가 변형되기 어려워져, 보호 성능이 높아지는 경우가 있다.
본 발명의 수지 필름은, 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 수지 필름에 보호 필름이 적층된 것이어도 된다. 이 경우의 본 발명의 수지 필름의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다.
상기 (A) 내지 (E) 성분, 그리고 필요에 따라 (F) (G) 성분 및 그 외의 성분을 혼합하여 수지 조성물 용액을 제작하고, 해당 수지 조성물 용액을 리버스 롤 코터, 콤마 코터 등을 사용하여, 원하는 두께가 되도록 보호 필름에 도포한다. 상기 수지 조성물 용액이 도포된 보호 필름을 인라인 드라이어에 통과시키고, 80 내지 160℃에서 2 내지 20분간에 걸쳐 유기 용제를 제거함으로써 건조시키고, 이어서 롤 라미네이터를 사용하여 다른 보호 필름과 압착하고 적층함으로써, 수지 필름이 형성된 적층체 필름을 얻을 수 있다. 이 적층체 필름을 웨이퍼 몰드재로서 사용한 경우, 양호한 몰드성이 부여된다.
본 발명의 수지 조성물을 필름상으로 형성하는 경우, 두께에 제한은 없지만 바람직하게는 2㎜ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상 1,200㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 80 내지 850㎛이다. 이와 같은 두께이면, 반도체 밀봉재로서 보호성이 우수하기 때문에 바람직하다.
상기 보호 필름은, 본 발명의 수지 조성물을 포함하는 수지 필름의 형태를 손상시키지 않고 박리할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 웨이퍼용의 보호 필름 및 박리 필름으로서 기능하는 것이며, 통상, 폴리에틸렌(PE) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리메틸펜텐(TPX) 필름, 이형 처리를 실시한 폴리에스테르 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또한 박리력은 50 내지 300mN/min이 바람직하다. 보호 필름의 두께는 25 내지 150㎛가 바람직하고, 38 내지 125㎛가 보다 바람직하다.
[반도체 적층체 및 그의 제조 방법]
본 발명의 반도체 적층체는, 반도체 웨이퍼 상에 상기 본 발명의 수지 필름의 경화물을 갖는 것이다. 본 발명의 반도체 적층체의 제조 방법은, 상기 수지 필름을 반도체 웨이퍼에 부착하고 해당 반도체 웨이퍼를 몰드하는 공정과, 상기 수지 필름을 가열 경화하는 공정을 갖는 방법이다.
상기 반도체 웨이퍼로서는, 표면에 반도체 소자(칩)가 적재된 웨이퍼여도, 표면에 반도체 소자가 제작된 반도체 웨이퍼이어도 된다. 본 발명의 수지 필름은, 몰드 전에는 이와 같은 웨이퍼 표면에 대한 충전성이 양호하고, 또한 몰드 후에는 고강도·고접착성을 가지며, 이와 같은 웨이퍼의 보호성이 우수하다. 또한 본 발명의 수지 필름은, 직경 8인치 이상, 예를 들어 직경 8인치(200㎜), 12인치(300㎜), 또는 그 이상과 같은 대구경의 웨이퍼나 박막 웨이퍼를 몰드하는 데 적합하게 사용할 수 있다. 상기 박형 웨이퍼로서는, 두께 5 내지 400㎛로 박형 가공된 웨이퍼가 바람직하다.
본 발명의 수지 필름을 사용한 웨이퍼의 몰드 방법에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 수지 필름 상에 붙여진 한쪽 보호층을 박리하고, (주)다카토리 제조의 진공 라미네이터(제품명: TEAM-300)를 사용하여 진공 챔버 내를 진공도 50 내지 1,000㎩, 바람직하게는 50 내지 500㎩, 예를 들어 100㎩로 설정하고, 80 내지 200℃, 바람직하게는 80 내지 130℃, 예를 들어 100℃에서 다른 한쪽 보호층이 붙여진 수지 필름을 상기 웨이퍼에 일괄적으로 밀착시키고 상압으로 복귀시킨 후, 상기 웨이퍼를 실온까지 냉각하고 상기 진공 라미네이터로부터 취출하고, 다른 쪽의 보호층을 박리함으로써 행할 수 있다.
또한 반도체 칩이 적층된 웨이퍼에 대해서는, 압축 몰드 장치나, 진공 다이어프램 라미네이터와 평탄화를 위한 금속판 프레스를 구비한 장치 등을 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어 압축 몰드 장치로서는 아픽 야마다(주) 제조의 장치(제품명: MZ-824-01)를 사용할 수 있으며, 반도체 칩이 적층된 300㎜ 실리콘 웨이퍼를 몰드할 때는, 100 내지 180℃, 성형 압력 100 내지 300kN, 클램프 타임 30 내지 90초, 성형 시간 5 내지 20분으로 성형이 가능하다.
또한 진공 다이어프램 라미네이터와 평탄화를 위한 금속판 프레스를 구비한 장치로서는 니치고 모턴(주) 제조의 장치(제품명: CVP-300)를 사용할 수 있으며, 라미네이션 온도 100 내지 180℃, 진공도 50 내지 500㎩, 압력 0.1 내지 0.9㎫, 라미네이션 시간 30 내지 300초로 라미네이트한 후, 상하 열판 온도 100 내지 180℃, 압력 0.1 내지 3.0㎫, 가압 시간 30 내지 300초로 수지 성형면을 평탄화하는 것이 가능하다.
몰드 후, 120 내지 220℃, 15 내지 360분간의 조건에서 수지 필름을 가열함으로써 수지 필름을 경화할 수 있다. 이것에 의하여 반도체 적층체가 얻어진다.
[반도체 장치 및 그의 제조 방법]
본 발명의 반도체 장치는, 상기 본 발명의 반도체 적층체가 개편화된 것이다. 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 본 발명의 반도체 적층체의 제조 방법에 의하여 제조한 반도체 적층체를 개편화하는 공정을 갖는 방법이다. 이와 같이, 수지 필름으로 몰드된 반도체 웨이퍼를 개편화함으로써, 가열 경화 피막을 갖는 반도체 장치가 얻어진다. 몰드된 웨이퍼는, 다이싱 테이프 등의 반도체 가공용 보호 테이프에 몰드 수지면 또는 웨이퍼면이 접하도록 붙여져서 다이서의 흡착 테이블 상에 설치되고, 이 몰드된 웨이퍼는, 다이싱 블레이드를 구비하는 다이싱 소(예를 들어 (주)DISCO 제조의 DFD6361)를 사용하여 절단된다. 다이싱 시의 스핀들 회전수 및 절단 속도는 적절히 선택하면 되지만, 통상, 스핀들 회전수 25,000 내지 45,000rpm, 절단 속도 10 내지 50㎜/sec이다. 또한 개편화되는 사이즈는 반도체 패키지의 설계에 따라 상이하지만, 대략 2㎜×2㎜ 내지 30㎜×30㎜ 정도이다.
이와 같이, 상기 수지 필름으로 몰드된 반도체 웨이퍼는, 수지 필름의 강도와 접착력이 높기 때문에 반도체 웨이퍼가 충분히 보호된 것이 되므로, 이를 개편화함으로써 고수율로 고품질의 반도체 장치를 제조할 수 있다.
실시예
이하, 합성예, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
사용한 화합물 S-1 내지 S-8은 이하와 같다.
Figure 112018087685063-pat00029
Figure 112018087685063-pat00030
Figure 112018087685063-pat00031
Figure 112018087685063-pat00032
Figure 112018087685063-pat00033
Figure 112018087685063-pat00034
Figure 112018087685063-pat00035
Figure 112018087685063-pat00036
[에폭시 화합물 (1) 합성예]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 5L 플라스크 내에 화합물 S-1 617g(2.0몰), 메탄올 256g(8.0몰), 에피클로로히드린 852g(8.0몰)을 첨가하고, 수산화나트륨 768g(19.2몰)을 2시간에 걸쳐 첨가하고, 그 후, 60℃까지 온도를 높이고 3시간 반응시켰다. 반응 후, 톨루엔 500mL을 첨가하고, 수층이 중성으로 되기까지 순수로 세정한 후, 유기층 중의 용매를 감압 하에서 제거하여 에폭시 화합물 (1) 757g(1.8몰)을 얻었다.
Figure 112018087685063-pat00037
[에폭시 화합물 (2) 합성예]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 5L 플라스크 내에 화합물 S-1 617g(2.0몰), 메탄올 256g(8.0몰), 염화알릴 724g(8.0몰)을 첨가하고, 수산화나트륨 768g(19.2몰)을 입상인 채로 2시간에 걸쳐 첨가하고, 첨가 종료 후, 60℃까지 가온하고 3시간 숙성하였다. 그 후, 반응 용액 중에 톨루엔 500mL을 첨가하고, 수층이 중성으로 되기까지 순수로 세정 작업을 행한 후, 유기층 중의 유기 용매를 감압 하에서 제거하여 조생성물 740g을 얻었다. 이를 다시, 교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 5L 플라스크로 옮기고, 180℃에서 4시간 교반함으로써 클라이젠 전이를 일으켰다. 그 후, 계 중을 45℃까지 온도를 낮추고, 다시 메탄올 245g(7.6몰), 에피클로로히드린 810g(7.6몰)을 첨가하고, 수산화나트륨 365g(9.1몰)을 1시간에 걸쳐 첨가하고, 그 후, 60℃까지 온도를 높이고 3시간 반응시켰다. 반응 후, 톨루엔 500mL을 첨가하고, 수층이 중성으로 되기까지 순수로 세정한 후, 유기층 중의 유기 용매를 감압 하에서 증류 제거하여 에폭시 화합물 (2) 851g(1.7몰)을 얻었다.
Figure 112018087685063-pat00038
[1] 수지의 합성
합성예에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw)은, GPC 칼럼 TSKgel Super HZM-H(도소(주) 제조)를 사용하여, 유량 0.6mL/분, 용출 용매 테트라히드로푸란, 칼럼 온도 40℃의 분석 조건에서, 단분산 폴리스티렌을 표준으로 하는 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의하여 측정한 값이다.
[수지 합성예 1]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3L 플라스크 내에 화합물 S-2 195.9g(0.333몰)을 첨가한 후, 톨루엔 1,400g을 첨가하고 70℃로 가온하였다. 그 후, 염화백금산톨루엔 용액(백금 농도 0.5질량%) 1.0g을 투입하고, 화합물 S-3 414.9g(0.267몰) 및 화합물 S-4 13.0g(0.067몰)을 각각 1시간에 걸쳐 적하하였다(히드로실릴기의 합계 몰수/알케닐기의 합계 몰수=0.5/0.5=1/1). 적하 종료 후, 100℃까지 가온하고 6시간 숙성한 후, 반응 용액으로부터 톨루엔을 감압 증류 제거하여, 하기 식으로 표시되는 수지 1 570g을 얻었다. 수지 1의 Mw는 37,400이었다. 또한 수지 1 중에 포함되는 실록산양은 67질량%였다.
Figure 112018087685063-pat00039
[수지 합성예 2]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3L 플라스크 내에 화합물 S-2 133.5g(0.227몰)을 첨가한 후, 톨루엔 1,500g을 첨가하고 70℃로 가온하였다. 그 후, 염화백금산톨루엔 용액(백금 농도 0.5질량%) 1.0g을 투입하고, 화합물 S-5 525.6g(0.182몰) 및 화합물 S-4 8.8g(0.045몰)을 각각 1시간에 걸쳐 적하하였다(히드로실릴기의 합계 몰수/알케닐기의 합계 몰수=0.500/0.500=1). 적하 종료 후, 100℃까지 가온하고, 6시간 숙성한 후, 반응 용액으로부터 톨루엔을 감압 증류 제거하여, 하기 식으로 표시되는 수지 2 605g을 얻었다. 수지 2의 Mw는 51,100이었다. 또한 수지 2 중에 포함되는 실록산양은 79질량%였다.
Figure 112018087685063-pat00040
[수지 합성예 3]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3L 플라스크 내에 화합물 S-2 104.9g(0.179몰) 및 화합물 S-6 61.5g(0.143몰) 및 화합물 S-7 6.6g(0.036몰)을 첨가한 후, 톨루엔 1,600g을 첨가하고 70℃로 가온하였다. 그 후, 염화백금산톨루엔 용액(백금 농도 0.5질량%) 1.0g을 투입하고, 화합물 S-5 516.3g(0.179몰) 및 화합물 S-4 34.7g(0.179몰)을 각각 1시간에 걸쳐 적하하였다(히드로실릴기의 합계 몰수/알케닐기의 합계 몰수=0.500/0.500=1.00). 적하 종료 후, 100℃까지 가온하고 6시간 숙성한 후, 반응 용액으로부터 톨루엔을 감압 증류 제거하여 수지 3 680g을 얻었다. 수지 3의 Mw는 46,800이었다. 또한 수지 3 중에 포함되는 실록산양은 72질량%였다.
Figure 112018087685063-pat00041
[수지 합성예 4]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3L 플라스크 내에 화합물 S-8 140.2g(0.333몰)을 첨가한 후, 톨루엔 1,500g을 첨가하고 70℃로 가온하였다. 그 후, 염화백금산톨루엔 용액(백금 농도 0.5질량%) 1.0g을 투입하고, S-3 518.7g(0.333몰)을 1시간에 걸쳐 적하하였다(히드로실릴기의 합계 몰수/알케닐기의 합계 몰수=0.500/0.500=1.00). 적하 종료 후, 100℃까지 가온하고 6시간 숙성한 후, 반응 용액으로부터 톨루엔을 감압 증류 제거하여 수지 4 610g을 얻었다. 수지 4의 Mw는 49,500이었다. 또한 수지 4 중에 포함되는 실록산양은 79질량%였다.
Figure 112018087685063-pat00042
[수지 합성예 5]
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3L 플라스크 내에 화합물 S-8 420.5g(1.000몰)을 첨가한 후, 톨루엔 1,400g을 첨가하고 70℃로 가온하였다. 그 후, 염화백금산톨루엔 용액(백금 농도 0.5질량%) 1.0g을 투입하고, S-4 194.4g(1.000몰)을 각각 1시간에 걸쳐 적하하였다(히드로실릴기의 합계 몰수/알케닐기의 합계 몰수=1.000/1.000=1.00). 적하 종료 후, 100℃까지 가온하고 6시간 숙성한 후, 반응 용액으로부터 톨루엔을 감압 증류 제거하여 수지 5 570g을 얻었다. 수지 5의 Mw는 53,200이었다. 또한 수지 5 중에 실록산은 포함되지 않는다.
Figure 112018087685063-pat00043
[2] 수지 필름의 제작
[실시예 1 내지 20 및 비교예 1 내지 16]
하기 표 1 내지 4에 기재한 조성으로, (A) 합성예 5에서 합성한 에폭시 수지(수지 5) 또는 합성예 1 내지 4에서 합성한 실리콘 변성 에폭시 수지(수지 1 내지 4), (B) 에폭시 화합물 (1) 내지 (2), (C) 에폭시 화합물 (3), (D) 페놀성 경화제, (E) 경화 촉진제 및 (F) 무기 충전제를 배합하였다. 또한 고형 성분 농도가 65질량%로 되는 양의 시클로펜타논을 첨가하고, 교반기 또는 호모믹서를 사용하여 교반하여 혼합 및 분산하여, 수지 조성물의 분산액을 조제하였다. (A) 성분 중에 포함되는 에폭시기와 (B) (C) 성분 중에 포함되는 에폭시기의 당량에 대하여 페놀 당량이 동일해지도록 (D) 페놀성 경화제를 첨가하였다.
필름 코터로서 다이 코터를 사용하고, 보호 필름으로서 E7304(상품명, 도요보(주) 제조의 폴리에스테르, 두께 75㎛, 박리력 200mN/50㎜)를 사용하여, 각 수지 조성물을 보호 필름 상에 도포하였다. 이어서, 100℃로 설정된 오븐에 30분간 넣음으로써 용제를 완전히 증발시켜, 막 두께 100㎛의 수지 필름을 상기 보호 필름 상에 형성하였다.
상기 이외에, 수지 조성물의 조제에 사용한 각 성분을 하기에 나타낸다.
[에폭시 화합물]
에폭시 화합물 (3)
Figure 112018087685063-pat00044
[페놀성 경화제]
Figure 112018087685063-pat00045
Figure 112018087685063-pat00046
Figure 112018087685063-pat00047
[경화 촉진제]
·큐어졸 2P4MHZ(시코쿠 가세이 고교(주) 제조, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸)
[무기 충전제]
·실리카((주)애드마텍스 제조, 평균 입경 5.0㎛)
[3] 수지 필름의 평가
얻어진 수지 필름에 대하여 이하의 방법으로 평가를 행하였다. 결과를 표 1 내지 4에 나타낸다.
<인장 강도의 측정 방법>
인장 강도 측정 장치(시마즈 세이사쿠쇼 제조의 오토그래프 AGS-5kNG)를 사용하여, 제작한, 경화가 완료된 필름의 인장 탄성률, 강도 및 신장률을 측정하였다. 수지 필름의 경화 조건은 180℃×4시간으로 하였다.
<접착 시험 방법>
제작한 필름을, 한 변의 길이가 20㎜인 정사각형의 실리콘 웨이퍼에 부착하고, 그 위로부터 한 변의 길이가 2㎜인 정사각형으로 자른 실리콘 칩으로 압박하고, 그들을 가열 경화(180℃×4시간)하고, 그 후, 접착력 측정 장치(노드슨 어드밴스트 테크놀러지사 제조의 만능형 본드 테스터 시리즈 4000(DS-100))를 사용하여, 칩의 옆으로부터 튕겼을 때의 접착력을 측정하였다(다이 셰어 테스트).
<휨 응력 측정 시험 방법>
제작한 필름을 필름 라미네이터(TAKATORI TEAM-100)로 실리콘 웨이퍼 상에 라미네이트하고, 가열 경화(180℃×4시간)하고, 그들을, 도호 테크노로지사 제조의 박막 응력 측정 장치(FLX-2320-S)로 휨 응력을 측정하였다.
이상의 결과, 본 발명의 수지 조성물로부터 얻어지는 수지 필름은, (C) 성분을 포함하지 않는 조성물로부터 얻어진 비교예의 수지 필름에 비하여 강도와 접착력에 큰 차이가 없음에도 불구하고, 실리카를 포함하지 않는 표 1, 3끼리 또는 실리카를 포함하는 표 2, 4끼리 비교하면 휨 응력은 크게 저하되었다. 이 특징으로부터, 본 발명의 수지 조성물을 반도체 밀봉용 필름에 사용한 경우, 크랙이나 박리가 일어나기 어렵고 휨도 작다고 할 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은, 알릴기를 갖는 특정 구조의 에폭시 화합물과 알릴기를 갖지 않는 에폭시 화합물을 적절히 조합함으로써 경화물의 강도와 접착력, 휨 응력을 크게 개선할 수 있다. 이것에 의하여, 예를 들어 필름상 몰드 용도에 본 발명의 수지 조성물을 사용한 경우, 칩 탑재 웨이퍼에 대하여 양호한 내크랙성, 저휨성, 박리 곤란성을 나타내는 것이 가능하다.
또한 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이더라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (13)

  1. (A) 실리콘 변성 에폭시 수지,
    (B) 하기 식 (1) 및/또는 식 (2)에 기재된 에폭시 화합물,
    (C) 하기 식 (3)으로 표시되는 에폭시 화합물,
    (D) 페놀성 경화제, 및
    (E) 경화 촉진제
    를 포함하는 수지 조성물로서,
    상기 실리콘 변성 에폭시 수지가 하기 식 (4)로 표시되고, 중량 평균 분자량이 3,000 내지 500,000인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.



    (식 중, A는, 단결합, 또는 하기 식

    으로부터 선택되는 2가의 유기기이다)

    [식 중, R1 내지 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 상이해도 된다. 또한 a, b, c, d 및 e는 각 반복 단위의 조성비를 나타내며, 0<a<1, 0≤b<1, 0≤c<1, 0<d<1, 0≤e<1, 0.67≤(b+d)/(a+c+e)≤1.67, 및 a+b+c+d+e=1을 만족시키는 양수이다. g는 0 내지 300의 정수이다. X는, 하기 식 (5)로 표시되는 2가의 유기기이다. Y는, 하기 식 (6)으로 표시되는 2가의 실록산 골격 함유기이다. Z는, 하기 식 (7)로 표시되는 2가의 유기기이다]

    (식 중, E는, 단결합, 또는 하기 식

    으로부터 선택되는 2가의 유기기이다. R7 및 R8은 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 상이해도 된다. t 및 u는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다)

    (식 중, v는 0 내지 300의 정수이다)

    (식 중, G는, 단결합, 또는 하기 식

    으로부터 선택되는 2가의 유기기이다. R9 및 R10은 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소기 또는 알콕시기이며, 서로 동일해도 상이해도 된다. w 및 x는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다)
  2. 제1항에 있어서, 상기 수지 조성물의 180℃×4시간의 경화 후에 있어서의 인장 강도가 6.0㎫ 이상인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 (B) 성분이 상기 (A) 성분 100질량부에 대하여 0.5 내지 100질량부 포함되는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 또한 (F) 무기 충전제를 포함하는 것임을 특징으로 하는 수지 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 무기 충전제가 실리카이고, 상기 수지 조성물 중 20 내지 96질량% 포함되는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물이 필름화된 것임을 특징으로 하는 수지 필름.
  7. 제6항에 있어서, 상기 수지 필름의 180℃×4시간의 경화 후에 있어서의 인장 강도가 6.0㎫ 이상인 것을 특징으로 하는 수지 필름.
  8. 반도체 웨이퍼 상에, 제6항에 기재된 수지 필름의 경화물을 갖는 것임을 특징으로 하는 반도체 적층체.
  9. 제8항에 기재된 반도체 적층체가 개편화된 것임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제6항에 기재된 수지 필름을 반도체 웨이퍼에 부착하고 해당 반도체 웨이퍼를 몰드하는 공정과, 상기 수지 필름을 가열 경화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 적층체의 제조 방법.
  11. 제10항에 기재된 반도체 적층체의 제조 방법에 의하여 제조한 반도체 적층체를 개편화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
KR1020180105131A 2017-09-07 2018-09-04 수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 KR102590185B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-172287 2017-09-07
JP2017172287A JP6754741B2 (ja) 2017-09-07 2017-09-07 半導体積層体、半導体積層体の製造方法及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190027729A KR20190027729A (ko) 2019-03-15
KR102590185B1 true KR102590185B1 (ko) 2023-10-18

Family

ID=63524074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180105131A KR102590185B1 (ko) 2017-09-07 2018-09-04 수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10730273B2 (ko)
EP (1) EP3453730B1 (ko)
JP (1) JP6754741B2 (ko)
KR (1) KR102590185B1 (ko)
CN (1) CN109467941B (ko)
TW (1) TWI741212B (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107849223B (zh) 2015-07-10 2020-07-28 住友精化株式会社 环氧树脂组合物、其制造方法、以及该组合物的用途
KR102459581B1 (ko) 2017-01-10 2022-10-27 스미토모 세이카 가부시키가이샤 에폭시 수지 조성물
JP6553312B2 (ja) 2017-01-10 2019-07-31 住友精化株式会社 エポキシ樹脂組成物
EP3569627A4 (en) 2017-01-10 2020-07-22 Sumitomo Seika Chemicals Co. Ltd. EPOXY RESIN COMPOSITION
WO2018131563A1 (ja) 2017-01-10 2018-07-19 住友精化株式会社 エポキシ樹脂組成物
CN114008104B (zh) * 2019-06-27 2023-12-29 住友精化株式会社 环氧树脂组合物
JP7415536B2 (ja) * 2019-12-18 2024-01-17 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム、半導体積層体、半導体積層体の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN112759891A (zh) * 2020-12-28 2021-05-07 广东盈骅新材料科技有限公司 环氧树脂组合物及含有其的透明复合材料、层压板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000239489A (ja) 1999-02-22 2000-09-05 Nippon Kayaku Co Ltd 封止材用液状エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP2006279066A (ja) 2000-05-11 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層配線板およびその製造方法
JP2008013710A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、封止材、半導体装置および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2901685A1 (de) * 1978-01-20 1979-07-26 Ciba Geigy Ag Epoxidhaltige massen und deren polymerisation
GB2012780B (en) 1978-01-20 1982-03-17 Ciba Geigy Ag Epoxide containing compositions and their polymerisation
JP2570002B2 (ja) 1991-05-29 1997-01-08 信越化学工業株式会社 フリップチップ用封止材及び半導体装置
JP3011617B2 (ja) * 1994-08-11 2000-02-21 信越化学工業株式会社 シリコーン−エポキシ樹脂組成物
JP2003041123A (ja) * 2001-05-25 2003-02-13 Nippon Petrochemicals Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、その製造方法及び懸濁液状混合物
CN1279078C (zh) * 2003-12-10 2006-10-11 中国科学院化学研究所 一种含氟环氧树脂及衍生物和制备方法与应用
JP4598876B2 (ja) * 2008-04-02 2010-12-15 三井化学株式会社 組成物の製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜
JP5373736B2 (ja) * 2010-10-28 2013-12-18 信越化学工業株式会社 接着剤組成物及び接着剤シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置
JP4965715B1 (ja) 2011-02-03 2012-07-04 ナミックス株式会社 エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体封止材
JP2012219155A (ja) * 2011-04-07 2012-11-12 Panasonic Corp 透明樹脂複合材
US10066135B2 (en) * 2012-12-28 2018-09-04 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Adhesive composition and adhesive sheet using the same
JP2016108367A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 信越化学工業株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び該樹脂組成物を用いた半導体封止方法
JP6464769B2 (ja) * 2015-01-21 2019-02-06 日油株式会社 熱硬化性樹脂組成物及びその硬化膜を備えるカラーフィルター
JP6361566B2 (ja) * 2015-04-24 2018-07-25 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000239489A (ja) 1999-02-22 2000-09-05 Nippon Kayaku Co Ltd 封止材用液状エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP2006279066A (ja) 2000-05-11 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層配線板およびその製造方法
JP2008013710A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、封止材、半導体装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10730273B2 (en) 2020-08-04
CN109467941A (zh) 2019-03-15
EP3453730A1 (en) 2019-03-13
EP3453730B1 (en) 2021-06-16
KR20190027729A (ko) 2019-03-15
JP6754741B2 (ja) 2020-09-16
US20190070837A1 (en) 2019-03-07
JP2019048906A (ja) 2019-03-28
TW201920339A (zh) 2019-06-01
CN109467941B (zh) 2022-02-11
TWI741212B (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102590185B1 (ko) 수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10026650B2 (en) Resin composition, resin film, semiconductor device and method of manufacture thereof
KR102295921B1 (ko) 수지 조성물, 수지 필름 및 반도체 장치와 그 제조 방법
KR102590184B1 (ko) 수지 조성물, 수지 필름, 반도체 적층체, 반도체 적층체의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7222955B2 (ja) 樹脂組成物及び樹脂フィルム
JP6683559B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂フィルム、樹脂フィルムの製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP7304399B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂フィルム、半導体積層体、半導体積層体の製造方法及び半導体装置の製造方法
JP7415536B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂フィルム、半導体積層体、半導体積層体の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6828306B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂フィルム、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN111454537B (zh) 树脂组合物、树脂膜、半导体层叠体、半导体层叠体的制造方法及半导体装置的制造方法
TW201734139A (zh) 難燃性樹脂組成物、難燃性樹脂薄膜及半導體裝置與其製造方法
JP5981384B2 (ja) 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right