KR20130073191A

KR20130073191A - 이방 전도성 필름

Info

Publication number: KR20130073191A
Application number: KR1020110140905A
Authority: KR
Inventors: 서준모; 김남주; 박경수; 박영우; 어동선; 유아름; 최현민
Original assignee: 제일모직주식회사
Priority date: 2011-12-23
Filing date: 2011-12-23
Publication date: 2013-07-03

Abstract

본 발명은 도전성 입자가 함유된 ACF층과 시인성 입자가 함유된 NCF층을 포함하며, 상기 도전성 입자의 경도가 상기 시인성 입자의 경도보다 큰 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 도전성 입자가 함유된 ACF층과 시인성 입자가 함유된 NCF층을 포함하며, 상기 도전성 입자의 표면거칠기가 상기 시인성 입자의 표면거칠기보다 큰 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다.

Description

이방 전도성 필름{Anisotropic conductive film}

본 발명은 이방 전도성 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 도전성 입자가 함유된 ACF층과 시인성 입자가 함유된 NCF층을 포함하며, 상기 도전성 입자의 경도가 상기 시인성 입자의 경도보다 큰 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 도전성 입자가 함유된 ACF층과 시인성 입자가 함유된 NCF층을 포함하며, 상기 도전성 입자의 표면거칠기가 상기 시인성 입자의 표면거칠기보다 큰 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다.

이방성 전도성 필름(ACF: Anisotropic Conducting Film)이란 일반적으로 니켈(Ni)이나 금(Au) 등의 금속 입자, 또는 그와 같은 금속들로 코팅된 고분자 입자 등의 전도성 입자를 분산시킨 필름으로서, z-축으로는 전기를 통하는 도전성을, x-y 평면 방향으로는 절연성을 나타내는 필름을 말한다.

이러한 이방성 도전 필름을 접속시키고자 하는 회로 사이에 위치시킨 후 일정 조건의 가열, 가압 공정을 거치면, 회로 단자들 사이는 전도성 입자에 의해 전기적으로 접속되고, 인접 회로와의 사이인 스페이스(space)에는 절연성 접착 수지가 충진되어 전도성 입자가 서로 독립하여 존재하게 됨으로써, 높은 절연성을 부여하게 된다.

이러한 이방성 도전 필름은 일반적으로 LCD(Liquid Crystal Display) 패널과 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; 이하 TCP) 또는 인쇄회로기판과 TCP 등의 전기적 접속에 널리 이용되고 있으며, 특히 COG(chip on glass)나 FOG(film on glass)용 이방 전도성 필름의 경우 단층 구조의 이방성 도전 필름으로는 이러한 미세 회로 단자들을 접속하는데 한계를 보이고 있어 복층 구조의 이방성 도전 필름이 제안되고 있다.

한편, OLED 분야와 같이 금속을 전극으로 사용하는 패널의 경우 이방성 도전 필름에 포함된 도전성 입자는 열 압착에 의해 이의 구조가 용이하게 변형(혹은 깨짐)되어야 회로 단자들 사이에 통전이 잘되므로, 도전성 입자의 깨짐 여부를 현미경으로 관찰하여 전기 접속의 불량 여부를 확인하고 있다. 그런데, OLED 분야의 경우 칩의 전극산화막을 뚫고 접속이 되어야 하므로 상대적으로 경도가 높은 도전성 입자를 적용하고 있다. 따라서, 경도가 높은 도전성 입자의 사용시 입자 깨짐이 적음으로 인해 압력에 따른 압착 정도를 구분하기 어려워 시인성 불량이 발생하게 된다. 이를 개선하기 위해 일본 특허 출원 공개 제2004-155957호(특허문헌 1)의 경우 깨짐이 용이한 시인성 입자를 도전성 입자와 함께 ACF에 적용하여 시인성을 개선하고 있다. 일본 특허 출원 공개 제2004-155957호에서와 같이 시인성 입자와 도전성 입자를 ACF에 모두 포함하는 경우, 시인성 입자들의 존재로 인해 접착제 조성물의 흐름성 및 tack특성이 떨어지고 공정상 분산성이 떨어지는 등의 문제가 발생할 수 있다. 나아가 조성물의 흐름성이 떨어지므로 목적하는 가압착성을 얻기 위해서는 가압착시 온도가 상승하게 된다.

이에 본원 발명은 시인성 입자를 NCF층에 포함시키고, ACF층의 도전성 입자와 NCF층의 시인성 입자의 경도 또는 표면거칠기를 다르게 함으로써 시인성 입자에 의한 압착 정도의 확인이 가능할 뿐 아니라 시인성 입자가 ACF 층에 포함됨으로써 발생되는 여러 문제들(불충분한 분산성, 가압착 온도 상승, 점도 상승, 흐름성 약화 ACF delamination)을 해결한 데 기술적 특징이 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 출원 공개 제2004-155957호

없음

본 발명은 시인성 입자가 도전성 입자와 함께 ACF 층에 포함된 종래 접착 필름의 불충분한 분산성, 가압착 온도 상승, 점도 상승, 흐름성 약화, ACF delamination 등의 문제를 극복하는 것을 해결 과제로 한다.

또한 본 발명은 압력에 따른 압착 정도의 구분이 용이하여 시인성이 개선된 접착 필름을 제공하고자 한다.

본원 발명은 시인성 입자를 NCF층에 포함시키고, ACF층의 도전성 입자와 NCF의 시인성 입자의 경도 또는 표면거칠기를 다르게 함으로써 시인성 입자에 의한 압착 정도의 확인을 가능하게 하였다. 또한, 종래 접착 필름에서 시인성 입자와 도전성 입자가 모두 ACF에 포함됨으로써 야기되는 불충분한 분산성, 가압착 온도 상승, 점도 상승, 흐름성 약화, ACF delamination 등의 제반 문제를 ACF층에 도전성 입자만 있게 함으로써 해결하였다.

본 발명에 따른 접착 필름은 ACF층 조성물의 점도를 감소시키고, 분산도 및 흐름성을 증가시켜 낮은 온도에서 가압착이 가능한 이점이 있다.

또한, 본 발명에 따른 접착 필름은 본딩 후 입자 시인성이 양호할 뿐 아니라 접착력, 접속 저항 및 절연 저항 등을 포함하는 전기적 물성이 우수하다.

도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 표면거칠기가 큰 도전성 입자의 현미경 사진이고, 도 2는 본 발명의 일 양태에 따른 표면거칠기가 작은 시인성 입자의 현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 양태에서 본딩 후 입자의 시인성이 좋은 예(실시예 2)를 보여주는 현미경 사진이며, 도 4는 본 발명의 일 양태에서 본딩 후 입자의 시인성이 나쁜 예(비교예 4)를 보여주는 현미경 사진이다.

본 발명의 일 양태는 도전성 입자가 함유된 이방성 도전 필름(Anistropic Conductive Film; ACF) 층과 시인성 입자가 함유된 비 전도성 필름(Non-Conductive Film, NCF) 층을 포함하며, 상기 도전성 입자의 경도가 상기 시인성 입자의 경도보다 큰 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다.

ACF 층에 포함된 도전성 입자는 압착시 높은 경도로 인해 입자의 깨짐 혹은 변형없이 회로 단자들 사이에서 통전 역할을 하며, NCF 층에 포함된 시인성 입자는 압착시 용이하게 깨지거나 변형됨으로써 접착 필름의 압착 정도의 확인을 가능하게 한다.

본 발명에서 입자의 경도는 다양한 수단에 의해 측정할 수 있지만 본 명세서에서는 마이크로 압축 시험기(시마즈 제작소의 MCT-W200)를 이용하며, 도전성 혹은 시인성 입자에 압축 하중을 가할 때 당해 입자의 압축 변형량을 측정하고, 이를 하기 식을 이용해 K(kgf/mm²)값을 산출한다.

K=(3/2^1/2)FS^-3/2R^-1/2

상기 식에서, F는 도전성 입자의 20% 압축 변형에 있어서의 압축 하중치(kgf)이고, S는 20% 압축 변형에 있어 압축 변형량(mm)이고, R은 압축 전의 입자의 반경이다.

본원에서 상기 도전성 입자의 경도(K)는 500 kgf/mm² 이상이고, 상기 시인성 입자의 경도(K)가 500 kgf/mm² 미만일 수 있다. 도전성 입자와 시인성 입자의 경도 차는 바람직하게 500 kgf/mm² 이상, 특히 바람직하게 1000 kgf/mm² 이상인 것이 좋다.

경도가 서로 다른 상기 도전성 입자와 시인성 입자의 평균 입경은 회로의 피치(pitch)에 따라 달라질 수 있으나, 통상적으로 2㎛ 내지 30㎛이며, 바람직하게는 2㎛ 내지 6㎛가 될 수 있다. 도전성 입자와 시인성 입자의 평균 입경은 동일하거나 상이할 수 있다. Fine Pitch 대응 측면에서 도전성 입자의 평균 입경이 시인성 입자의 평균 입경보다 작은 것이 바람직하다.

상기 도전성 입자는 ACF층 조성물 전체에 대해 1 내지 30 중량% 포함될 수 있고, 상기 시인성 입자는 NCF 층 조성물 전체에 대해 1 내지 30 중량% 포함될 수 있다.

상기 도전성 입자 및/또는 시인성 입자는 코어 화합물에 도전성 금속을 코팅한 것일 수 있다. 상기 도전성 입자의 코어 화합물이 상기 시인성 입자의 코어 화합물에 비해 경도가 높은 것을 사용할 수 있다. 상기 시인성 입자의 코어 화합물로는 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 벤조구아나민 경화체, 페놀 수지, 폴리 올레핀 수지, 폴리에스터 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리스티렌 수지, NBR, SBR, BR수지, 폴리비닐알코올 수지, 폴리실리콘 수지 등을 포함하는 수지 또는 그 변성 수지를 들 수 있으며, 시인성 입자는 상기 수지를 입자로 하여 금, 은, 니켈, 구리, 팔라듐, 땜납 등을 포함하는 금속을 코팅한 것일 수 있다. 상기 시인성 입자는 상기 코어 화합물 중 1종을 선택하여 제조된다.

본원 발명에서 도전성 입자의 경도는 그 입자를 구성하는 재료, 입자의 제조 방법 등의 다양한 수단에 의해 경도를 높일 수 있다. 가장 바람직하게는 본 발명의 도전성 입자의 코어는 실리카 또는 실리콘 중합체를 포함할 수 있다. 상기 실리카는 실리카(SiO₂) 100%로 이루어진 미립자를 말하며, 상기 실리콘 중합체는 고분자 수지와 실리카(SiO₂)의 복합체를 말한다. 본원에서 고분자 수지와 실리카(SiO₂)의 복합체 중 고분자 수지는 가교 중합성 단량체와 단관능성 단량체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 중합체로 복합체의 전체 중량을 기준으로 10 내지 85 중량% 포함되고, 실리카는 복합체의 전체 중량을 기준으로 15 내지 90 중량%로 포함될 수 있다.

본원에서 사용될 수 있는 상기 가교 중합성 단량체로는 디비닐벤젠 등의 비닐벤젠계 단량체, 1,4-디비닐옥시부탄, 디비닐술폰, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트 등의 알릴 화합물, (폴리)에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트 및 글리세롤 트리(메타)아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 단량체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.

본원에서 단관능성 단량체는, 스티렌, 메틸스티렌, m-클로로메틸스티렌, 에틸 스티렌 등의 스티렌계 단량체, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 이소부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트계 단량체, 염화 비닐, 비닐 아세테이트, 비닐 에테르, 비닐 프로피오네이트 및 비닐 부티레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.

상기 고분자 수지에 실리카를 추가적으로 포함시킴으로써 고분자 수지의 강도, 강성, 내마모성이 현저히 향상될 수 있다.

또한, 시인성 입자의 코어 화합물에 비해 유리 전이 온도가 높은 고분자 화합물을 사용함으로써 도전성 입자의 경도를 높일 수 있다.

본원 발명에 있어서 시인성 입자를 비 전도성 필름 층에 포함시킴으로써 ACF층에서 도전성 입자의 분산도를 개선시켰다. ACF 층 조성물의 분산도는 입자 밀도로 비교되며 20,000 이상 70,000 이하, 바람직하게는 30,000 이상 60,000 이하 이다. 상기 분산도 측정 방법은 필름 코팅 후 입자밀도로 확인되며, 입자밀도 측정 방법은 현미경촬영 후 KAMSCOPE 로 직접 입자 개수를 세서 아래 식으로 산출한다.

분산도 = 시인성 입자의 개수/도전성 입자의 개수 × 100

본 발명의 다른 양태는 도전성 입자가 함유된 이방성 도전 필름(Anistropic Conductive Film; ACF) 층과 시인성 입자가 함유된 비 전도성 필름(Non-Conductive Film, NCF) 층을 포함하며, 상기 도전성 입자의 표면거칠기(도 1 참조)가 상기 시인성 입자의 표면거칠기(도 2 참조)보다 큰 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다. 시인성 입자의 표면거칠기를 도전성 입자보다 작게 함으로써 빛의 난반사를 막아 시인성을 개선할 수 있다.

상기 양태에서, 상기 도전성 입자 및 시인성 입자의 표면 조도는 SEM분석을 통해 확인할 수 있다.

본원 발명에서 도전성 입자의 표면거칠기는 그 입자를 구성하는 재료, 입자의 제조 방법 등의 다양한 수단에 의해 표면거칠기를 높일 수 있다. 예를 들어 도전성 입자의 표면에 돌기가 형성시킴으로써 표면거칠기를 증가시킬 수 있으며, 도전성 입자의 표면에 돌기를 형성시키는 방법은 특별히 한정되지는 않고, 예를 들면 코어-쉘 구조의 미립자를 금속염 용액 및 환원제를 포함하는 무전해 도금 용액에 첨가하여 무전해 도금을 행하는 방법이 있다. 상기 돌기가 상기 도전성 입자의 내접구 지름으로부터 0.1 μm 이상, 바람직하게는 0.2 μm 이상 돌출되게 하는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.

여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.

실시예

실시예 1: 이중층 이방성 도전 필름의 제조

1. 비 전도성 필름의 제조

바인더 (YP50, 국도화학) 30 중량부, 에폭시 수지(RKB4110, 레지너스사) 32 중량부, 커플링제(KBM403, 신에츠화학) 1 중량부, 잠재성 경화제 (HX3941, 아사히카세이) 27 중량부, 시인성 입자 (AUEL003, 세끼수이, 경도:190) 5 중량부 및 용제로 PGMEA 100 중량부를 혼합하였다. 상기 얻은 혼합액을 이형 필름에 도포한 후, 70℃의 건조기에서 건조시켜 용제를 휘발시켜 비 전도성 필름(두께 10㎛)을 얻었다.

2. 이방성 도전 필름의 제조

바인더 (YP50 및 국도화학) 23 중량부, 액상 에폭시 수지 (RKB 및 레지너스사) 26 중량부, 커플링제 (KBM403 및 신에츠화학) 1 중량부, 잠재성 경화제 (HX3941 및 아사히카세이) 20 중량부, 도전성 입자 (PNR 및 Nippon Chemical Industry, 경도: 700) 30 중량부 및 용제로 PGMEA 100 중량부를 혼합하였다. 상기 얻은 혼합액을 이형 필름에 도포한 후, 70℃의 건조기에서 건조시켜 용제를 휘발시켜 이방성 도전 필름(두께 10㎛)을 얻었다.

3. 이중층 이방성 도전 필름의 제조

상기에서 제조한 이방성 도전 필름과 비 전도성 필름 필름을 40℃, 0.2Mpa에서 라미네이팅 공정을 통해 접착하여, 비 전도성 필름 위에 이방성 도전 필름이 적층되어 있는 이중층 이방성 도전 필름을 제조하였다.

실시예 2: 이중층 이방성 도전 필름의 제조

상기 실시예 1에서 도전성 입자 및 시인성 입자의 함량을, 10 중량부로 변경한 것을 제외하고는 동일한 방법을 실시하여, 이중층 이방성 도전 필름을 제조하였다.

실시예 3: 이중층 이방성 도전 필름의 제조

상기 실시예 1에서 도전성 입자 및 시인성 입자의 함량을, 20 중량부로 변경한 것을 제외하고는 동일한 방법을 실시하여, 이중층 이방성 도전 필름을 제조하였다.

비교예 1-4

상기 실시예 1에서 각 성분을 하기 표 1과 같이 변경시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법을 실시하였다(아래 함량은 고형 중량% 기준이다).

		실시예 1	실시예 2	실시예 3	비교예 1	비교예 2	비교예 3	비교예 4
ACF 층	A	23	23	23	23	23	23	23
	B	26	26	26	26	26	26	26
	C	1	1	1	1	1	1	1
	D	20	20	20	20	20	20	20
	E	30	30	30	30	30	30	30
	F	-	-	-	5	10	15
NCF 층	A	30	30	30	30	30	30	30
	B	32	32	32	32	32	32	32
	C	1	1	1	1	1	1	1
	D	27	27	27	27	27	27	27
	F	5	10	15

A: 바인더 - 페녹시 수지(YP50, 국도화학)

B: 에폭시 수지(RKB, 레지너스사)

C: 실란 커플링제(KBM403, 신에츠)

D: 잠재성 경화제 - Imidazole 형 경화제 (HX3941, 아사히카세이)

E: 도전성 입자(PNR, 일본화학산업) - (20% k-value : 700 )

F: 시인성 입자(AUEL003, 세끼수이) - (20% k-value : 190 )

상기 제조된 실시예 1 내지 3 또는 비교예 1 내지 4의 조성물 및 필름에 대해 하기의 방법에 의해 ACF층 조성물의 믹싱 점도, ACF층의 코팅 상태, 도전성 입자/시인성 입자의 분산도, 가압착 온도, 본딩 후 저항, 본딩 후 입자의 시인성을 측정하였고, 그 결과를 표 2에 나타내었다.

<물성측정방법>

1.ACF 믹싱 점도: 필름으로 건조하기 이전에 상기 제조된 ACF층 조성물에 대해 Brookfield 점도계로 믹싱 점도를 측정하였다. 측정 조건은 25℃에서 6번 spindle 사용하며, 60rpm으로 측정한다.

2. ACF 코팅 상태: 코팅 시 육안검사를 통해 상태를 확인하며, 줄무늬 및 nodule, stain, dent, scratch 등을 검출한다. 코팅 후 두께 편차 1마이크로미터 이내 관리되며, 넓이 기준 지름 1mm이하로 관리된다.

3. ACF층 내 도전입자/시인입자 분산도: 이중층 이방성 도전 필름으로 코팅 후 현미경으로 관찰한 이미지 상에서 도전성 입자와 시인성 입자의 개수를 직접 확인하여 아래 식으로 분산도를 산출한다.

분산도 = 시인성 입자의 개수/도전성 입자의 개수 X 100

4. 가압착 온도 : ACF가 받는 온도를 실측하여 가압후 Base Film 벗길때, ACF가 잘 붙어 있는지 육안 확인하여 ACF가 Panel에서 붙어 있는 경우의 가압착 온도를 표 2에 기재한다. ℃점착성이 낮아 ACF가 Panel에서 떨어져 나가는 경우에는 가압 온도를 높여 Panel에 붙어 있을 때까지 온도를 높여 재시행한다.

5. 본딩 후 저항 :

상기 실시예와 비교예에서 제조된 이방 도전성 필름을 25℃에서 1시간 동안 방치시킨 후 피치(pitch) 50㎛의 OLB TEG 및 TIO 유리와 COF, TCP(tape carrier package)를 사용하여 평가하였다. 이방 도전성 필름을 OLB 회로 단자부에 50℃, 1초, 1MPa로 가압착한 후 이형 필름을 제거하고, 이어서 COF 회로 단자를 대치시킨 후 180℃, 5초, 3MPa로 본압착하였다.

각각의 시편은 7개씩 준비하였고, 이와 같이 제조된 시편을 이용하여 4 단자(probe) 측정 방법으로 접속 저항(ASTM F43-64T 방법에 준함)을 측정하였다.

6. 본딩 후 입자의 시인성: Bonding후 Bump위 입자의 깨짐 정도는 광학 현미경(올림푸스사제)을 사용하여 확인할 수 있으며, 입자의 깨짐 여부를 현미경 상에서 확인할 수 있도록 Window 창을 입력/출력단 끝부분에 하나씩 비워 둔다. 입자가 불투명할 경우 시인성이 나쁜 것으로 판단하고 입자가 투명한 경우에는 시인성이 좋은 것으로 판단한다. 시인성이 좋은 예가 도 3(실시예 2)에 시인성이 나쁜 예가 도 4(비교예 4)에 도시되어 있다.

	실시예 1	실시예 2	실시예 3	비교예 1	비교예 2	비교예 3	비교예 4
ACF 믹싱 점도	5,000cps	5,000cps	5,000cps	8,000cps	12,000cps	15,000cps Filter 어려움	5,000cps
ACF 코팅 상태	О	О	О	△	X 줄무늬 Dent 발생	X Scratch	О
ACF층 내 도전입자/시인입자 분산도	35000 ±2000	35000 ±2000	35000 ±2000	41000 ±5000	47000 ±10000	분산 불균일	35000 ±2000
가압착 온도	50℃ 이상	50℃ 이상	50℃ 이상	80℃ 이상	100℃ 이상	120℃ 이상	50℃ 이상
본딩 후 저항	1Ω이하	1Ω이하	1Ω이하	1Ω이하	1Ω이하	1Ω이하	1Ω이하
본딩 후 시인성	◎	◎	◎	О	О	코팅 X	X

상기 표 2의 결과로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 접착 조성물 및 필름은 시인성, 점도, 분산성 및 흐름성의 물성이 개선되었을 뿐 아니라 낮은 온도에서 가압착이 가능하다. 또한, 가압착 온도가 낮음으로써 접착력, 접속 저항 및 절연 저항 등을 포함하는 전기적 물성 면에서 우수하다.

Claims

도전성 입자가 함유된 이방성 도전 필름(Anistropic Conductive Film; ACF) 층과 시인성 입자가 함유된 비 전도성 필름(Non-Conductive Film, NCF) 층을 포함하며, 상기 도전성 입자의 경도가 상기 시인성 입자의 경도보다 큰 것을 특징으로 하는 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 도전성 입자의 경도(20% K-value)가 500 kgf/mm² 이상이고, 상기 시인성 입자의 경도(K)가 500 kgf/mm² 미만인 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 도전성 입자의 경도(20% K-value)와 상기 시인성 입자의 경도 차가 500 kgf/mm² 이상인 접착 필름.
제1항에 있어서, 상기 시인성 입자 및 도전성 입자가 코어 화합물에 도전성 금속을 코팅한 것인 접착 필름.
제4항에 있어서, 상기 도전성 입자의 코어 화합물이 상기 시인성 입자의 코어 화합물에 비해 경도가 높은 것을 특징으로 하는 접착 필름.
제5항에 있어서, 상기 도전성 입자의 코어가 실리카 또는 실리콘 중합체를 포함하는 접착 필름.
제5항에 있어서, 상기 시인성 입자의 코어가 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 벤조구아나민 경화체, 페놀 수지, 폴리 올레핀 수지, 폴리에스터 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리스티렌 수지, NBR, SBR, BR수지, 폴리비닐알코올 수지, 폴리실리콘 수지 등을 포함하는 접착 필름.
제5항에 있어서, 상기 실리콘 중합체가 고분자 수지와 실리카(SiO₂)의 복합체이며, 상기 고분자 수지가 상기 복합체의 전체 중량을 기준으로 10 내지 85 중량%로 포함되고, 상기 실리카가 상기 복합체의 전체 중량을 기준으로 15 내지 90 중량%로 포함되는 접착 필름.
도전성 입자가 함유된 이방성 도전 필름(Anistropic Conductive Film; ACF) 층과 시인성 입자가 함유된 비 전도성 필름(Non-Conductive Film, NCF) 층을 포함하며, 상기 도전성 입자의 표면거칠기가 상기 시인성 입자의 표면거칠기보다 큰 것을 특징으로 하는 접착 필름.
제9항에 있어서, 상기 도전성 입자의 표면에 돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 접착 필름.
제10항에 있어서, 상기 돌기가 상기 도전성 입자의 내접구 지름으로부터 0.1 μm 이상 돌출된 접착 필름.
a) 금속 및 금속산화막이 최외층에 포함된 배선 기판;
b) 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 부착되어있는 이방성 도전 필름; 및
c) 상기 이방성 도전 필름상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치로서, 상기 이방성 도전 필름은 제1항 또는 제9항에 기재된 필름인, 반도체 장치.